JPH06294751A - ウエーハ付着異物の分析方法 - Google Patents
ウエーハ付着異物の分析方法Info
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- JPH06294751A JPH06294751A JP8098993A JP8098993A JPH06294751A JP H06294751 A JPH06294751 A JP H06294751A JP 8098993 A JP8098993 A JP 8098993A JP 8098993 A JP8098993 A JP 8098993A JP H06294751 A JPH06294751 A JP H06294751A
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- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 光の散乱を利用した表面検査装置を用いたウ
エーハ付着異物の分析方法に関し、ウエーハ付着異物の
物質組成の検出を可能にすることを目的とする。 【構成】 異物粒子の付着したウエーハの該異物粒子を
含む所定の領域上に所定のスポット径を有する光ビーム
を照射して第１次の散乱光強度(a) を測定し、次いで該
ウエーハの該異物粒子の付着面に所定の薬液(b) を所定
の時間接触させた後、該ウエーハの該所定の領域上に前
記光ビームと同等の光ビームを照射して第２次の散乱光
強度(c) を測定し、該第１次散乱光強度(a) に対し該第
２次散乱光強度(c) の減少する該薬液の種類により該異
物粒子の成分を検出するように構成する。
エーハ付着異物の分析方法に関し、ウエーハ付着異物の
物質組成の検出を可能にすることを目的とする。 【構成】 異物粒子の付着したウエーハの該異物粒子を
含む所定の領域上に所定のスポット径を有する光ビーム
を照射して第１次の散乱光強度(a) を測定し、次いで該
ウエーハの該異物粒子の付着面に所定の薬液(b) を所定
の時間接触させた後、該ウエーハの該所定の領域上に前
記光ビームと同等の光ビームを照射して第２次の散乱光
強度(c) を測定し、該第１次散乱光強度(a) に対し該第
２次散乱光強度(c) の減少する該薬液の種類により該異
物粒子の成分を検出するように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光の散乱を利用した表
面検査装置によりウエーハ上に付着する異物の成分を検
出するウエーハ付着異物の分析方法に関する。
面検査装置によりウエーハ上に付着する異物の成分を検
出するウエーハ付着異物の分析方法に関する。
【０００２】近年の半導体産業では、半導体装置の高集
積化による配線ルールの微細化に伴って、製造現場のク
リーン化が強く要求されている。この要求を満たすに
は、異物の発生源を見出して異物の発生を防止する措置
を行うことが重要であり、そのために、ウエーハ上に付
着した異物の組成を分別して検出することが可能なウエ
ーハ付着異物の分析方法が必要になる。
積化による配線ルールの微細化に伴って、製造現場のク
リーン化が強く要求されている。この要求を満たすに
は、異物の発生源を見出して異物の発生を防止する措置
を行うことが重要であり、そのために、ウエーハ上に付
着した異物の組成を分別して検出することが可能なウエ
ーハ付着異物の分析方法が必要になる。
【０００３】
【従来の技術】図３は光の散乱を利用した表面検査装置
の模式構成図で、１はウエーハ、２は異物粒子、３は試
料台、４はＸ軸走査用ガルバミラー、５は走査レンズ、
６は受光レンズ、７は光電子増倍管を示す。
の模式構成図で、１はウエーハ、２は異物粒子、３は試
料台、４はＸ軸走査用ガルバミラー、５は走査レンズ、
６は受光レンズ、７は光電子増倍管を示す。
【０００４】この表面検査装置の動作原理は、次の通り
である。即ち、ウエーハ１上の異物粒子２にレーザビー
ム（ＬＢ）を照射すると、異物の形状、大きさ、光学的
性質に応じて光の散乱が起こる。この散乱光（ＬＳ）を
広い角度で受光すれば受光強度は平均化される。受光に
は電子増倍管７を用いる。そして異物粒子２の径が大き
くなれば受光強度も比例して大きくなる相関があり、検
出信号即ち散乱光強度信号の大きさから異物粒子２の大
きさを知ることができる。
である。即ち、ウエーハ１上の異物粒子２にレーザビー
ム（ＬＢ）を照射すると、異物の形状、大きさ、光学的
性質に応じて光の散乱が起こる。この散乱光（ＬＳ）を
広い角度で受光すれば受光強度は平均化される。受光に
は電子増倍管７を用いる。そして異物粒子２の径が大き
くなれば受光強度も比例して大きくなる相関があり、検
出信号即ち散乱光強度信号の大きさから異物粒子２の大
きさを知ることができる。
【０００５】従来のウエーハ表面の異物検査方法では、
上記表面検査装置を用い上記原理によって異物検査がな
されていたため、検出した異物粒子による散乱光強度の
強弱から、異物粒子の大きさの分布が調べられるのみ
で、異物の成分・組成等を検知することはできなかっ
た。そのため、従来の光の散乱による表面検査装置を用
いたウエーハの表面検査手段によって異物の発生源を見
出すことは極めて困難であった。
上記表面検査装置を用い上記原理によって異物検査がな
されていたため、検出した異物粒子による散乱光強度の
強弱から、異物粒子の大きさの分布が調べられるのみ
で、異物の成分・組成等を検知することはできなかっ
た。そのため、従来の光の散乱による表面検査装置を用
いたウエーハの表面検査手段によって異物の発生源を見
出すことは極めて困難であった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】そこで本発明は、従来
同様の光散乱による表面検査装置を用いて異物の成分を
検出することが可能なウエーハ付着異物の分析方法を提
供し、異物発生源の検出及び異物発生の抑止対策を容易
にすることを目的とする。
同様の光散乱による表面検査装置を用いて異物の成分を
検出することが可能なウエーハ付着異物の分析方法を提
供し、異物発生源の検出及び異物発生の抑止対策を容易
にすることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題の解決は、異物
粒子の付着したウエーハの該異物粒子を含む所定の領域
上に所定のスポット径を有する光ビームを照射して第１
次の散乱光強度を測定し、次いで該ウエーハの該異物粒
子の付着面に所定の薬液を所定の時間接触させた後、該
ウエーハの該所定の領域上に前記光ビームと同等の光ビ
ームを照射して第２次の散乱光強度を測定し、該第１次
散乱光強度に対し該第２次散乱光強度の減少する該薬液
の種類により該異物粒子の成分を検出する本発明による
ウエーハ付着異物の分析方法によって達成される。
粒子の付着したウエーハの該異物粒子を含む所定の領域
上に所定のスポット径を有する光ビームを照射して第１
次の散乱光強度を測定し、次いで該ウエーハの該異物粒
子の付着面に所定の薬液を所定の時間接触させた後、該
ウエーハの該所定の領域上に前記光ビームと同等の光ビ
ームを照射して第２次の散乱光強度を測定し、該第１次
散乱光強度に対し該第２次散乱光強度の減少する該薬液
の種類により該異物粒子の成分を検出する本発明による
ウエーハ付着異物の分析方法によって達成される。
【０００８】
【作用】即ち本発明に係るウエーハ付着異物の分析方法
においては、異物の付着しているウエーハ面を予め選定
された種々の薬品に所定の時間接触させて行う薬液処理
の前後で、ウエーハの同一領域上に付着している異物粒
子の大きさを従来同様の光散乱による表面検査装置で測
定し、上記薬液処理により異物の粒径が小さくなった薬
液を選出し、この薬液に溶解される物質の中から異物を
構成する物質（成分）を特定する。
においては、異物の付着しているウエーハ面を予め選定
された種々の薬品に所定の時間接触させて行う薬液処理
の前後で、ウエーハの同一領域上に付着している異物粒
子の大きさを従来同様の光散乱による表面検査装置で測
定し、上記薬液処理により異物の粒径が小さくなった薬
液を選出し、この薬液に溶解される物質の中から異物を
構成する物質（成分）を特定する。
【０００９】この方法によれば、所定時間内の種々な薬
液に対する異物粒子の縮小率の相違から前記物質の組成
比率を求めて、異物の種類をより精度よく検出すること
もできる。従って、製造工程中にウエーハ上に付着する
異物の発生源が容易に検知される。
液に対する異物粒子の縮小率の相違から前記物質の組成
比率を求めて、異物の種類をより精度よく検出すること
もできる。従って、製造工程中にウエーハ上に付着する
異物の発生源が容易に検知される。
【００１０】
【実施例】以下本発明を、実施例について、図１の工程
図、図２の散乱光強度の変化を示す図、及び図３の表面
検査装置の模式構成図を参照し具体的に説明する。
図、図２の散乱光強度の変化を示す図、及び図３の表面
検査装置の模式構成図を参照し具体的に説明する。
【００１１】本発明に係るウエーハ付着異物分析方法は
図１に示すように、(a) 第１次散乱光強度測定、(b) 薬
液処理、(c) 第２次散乱光強度測定、の３工程から主と
してなっている。
図１に示すように、(a) 第１次散乱光強度測定、(b) 薬
液処理、(c) 第２次散乱光強度測定、の３工程から主と
してなっている。
【００１２】図１(a) 第１次散乱光強度測定の工程 本発明の方法により例えばクリーンルーム内に浮遊する
異物粒子の分析を行うに際しては、例えば鏡面仕上げを
し、且つ表面を十分に清浄化した半導体ウエーハを所定
の時間（例えば１時間程度）クリーンルーム内に放置し
て、このウエーハ上に異物粒子を沈着させる。その後、
この半導体ウエーハ１を常温状態で図３に示した従来同
様の表面検査装置の試料台２上に載置し、異物粒子２が
沈着している所定の領域上に所定の出力を有し例えばビ
ームスポットの径が10μｍ程度のレーザビーム（ＬＢ）
を照射し、照射領域で発生する散乱光（ＬＳ）を受光レ
ンズ６により集光し電子増倍管７によりその強度を測定
する。電子増倍管７からは図２の(0) に示すようにノル
マライズした散乱光強度(SLS) の値で“１”の高さを有
する散乱光強度信号Ａが出力される。
異物粒子の分析を行うに際しては、例えば鏡面仕上げを
し、且つ表面を十分に清浄化した半導体ウエーハを所定
の時間（例えば１時間程度）クリーンルーム内に放置し
て、このウエーハ上に異物粒子を沈着させる。その後、
この半導体ウエーハ１を常温状態で図３に示した従来同
様の表面検査装置の試料台２上に載置し、異物粒子２が
沈着している所定の領域上に所定の出力を有し例えばビ
ームスポットの径が10μｍ程度のレーザビーム（ＬＢ）
を照射し、照射領域で発生する散乱光（ＬＳ）を受光レ
ンズ６により集光し電子増倍管７によりその強度を測定
する。電子増倍管７からは図２の(0) に示すようにノル
マライズした散乱光強度(SLS) の値で“１”の高さを有
する散乱光強度信号Ａが出力される。
【００１３】図１(b) 薬液処理の工程 次いで、上記第１次散乱光強度測定の終わった半導体ウ
エーハ１を、処理槽内に例えば常温状態で満たされてい
る所定の薬液内に例えば１分程度浸漬し、引上げた後、
水洗及び遠心脱水による乾燥を行う。
エーハ１を、処理槽内に例えば常温状態で満たされてい
る所定の薬液内に例えば１分程度浸漬し、引上げた後、
水洗及び遠心脱水による乾燥を行う。
【００１４】上記処理用の所定の薬液の調整には、以下
の表１に示すような薬品が用いられる。表１はそれらの
薬品と、それぞれの薬品に溶解し検出可能な異物の種類
とを対応して示してある。
の表１に示すような薬品が用いられる。表１はそれらの
薬品と、それぞれの薬品に溶解し検出可能な異物の種類
とを対応して示してある。
【００１５】
【表１】 図１(c) 第２次散乱光強度測定の工程 次いで、上記薬液処理、水洗、乾燥の終わった半導体ウ
エーハ１を再び図３に示す 表面検査装置の試料台２上
に載置し、この半導体ウエーハ１の前記第１次散乱光強
度測定を行ったのと同一の領域に、前記第１次測定の際
と同一のビームスポット径及び出力を有するレーザビー
ム（ＬＢ）を照射しその散乱光（ＬＳ）の強度(SLS) を
測定する。そして、第１次測定（薬品処理前）の散乱光
強度である図２(0) のＡの値と比較する。
エーハ１を再び図３に示す 表面検査装置の試料台２上
に載置し、この半導体ウエーハ１の前記第１次散乱光強
度測定を行ったのと同一の領域に、前記第１次測定の際
と同一のビームスポット径及び出力を有するレーザビー
ム（ＬＢ）を照射しその散乱光（ＬＳ）の強度(SLS) を
測定する。そして、第１次測定（薬品処理前）の散乱光
強度である図２(0) のＡの値と比較する。
【００１６】この測定において、図２の(1) に示すケー
ス１のようなノルマライズした値で“１”の高さを有す
る第１次測定（薬品処理前）の散乱光強度信号Ａとほぼ
等しい“１′”を有する散乱光強度信号Ｂが電子増倍管
７から出力された際には、異物はその薬品とは反応しな
い物質であることが分かるので、順次別の薬液により、
異物の溶解による散乱光強度信号の大幅な低下が検知さ
れるまで、第２回目、第３回目と薬液処理及び第２次散
乱光強度測定の工程を繰り返して行く。
ス１のようなノルマライズした値で“１”の高さを有す
る第１次測定（薬品処理前）の散乱光強度信号Ａとほぼ
等しい“１′”を有する散乱光強度信号Ｂが電子増倍管
７から出力された際には、異物はその薬品とは反応しな
い物質であることが分かるので、順次別の薬液により、
異物の溶解による散乱光強度信号の大幅な低下が検知さ
れるまで、第２回目、第３回目と薬液処理及び第２次散
乱光強度測定の工程を繰り返して行く。
【００１７】また、前記薬液処理によって異物が溶解さ
れて極度に小さくなったケース２の場合は、第２次散乱
光強度測定において図２の(2) に示すように、薬液処理
前の散乱光強度信号Ａの出力“１”に比べて大幅に低下
した例えば“0.3 ”程度の出力信号Ｃが得られている。
更にまた、異物が薬液に非常によく溶解し、所定の処理
時間で完全に無くなったケース３の場合は、図２の(3)
に示すように、散乱光の出力は０になる。このようなケ
ース２及びケース３の場合は、異物が処理に使用した薬
液と反応し溶解するものであることを示し、前記表１の
薬品と検出される異物成分の対応から異物を構成する物
質が検出される。
れて極度に小さくなったケース２の場合は、第２次散乱
光強度測定において図２の(2) に示すように、薬液処理
前の散乱光強度信号Ａの出力“１”に比べて大幅に低下
した例えば“0.3 ”程度の出力信号Ｃが得られている。
更にまた、異物が薬液に非常によく溶解し、所定の処理
時間で完全に無くなったケース３の場合は、図２の(3)
に示すように、散乱光の出力は０になる。このようなケ
ース２及びケース３の場合は、異物が処理に使用した薬
液と反応し溶解するものであることを示し、前記表１の
薬品と検出される異物成分の対応から異物を構成する物
質が検出される。
【００１８】例えば上記薬液処理の薬液を構成する薬品
にメチルアルコール(CH3OH) を用いて、ケース２及びケ
ース３の結果が得られれば、異物は有機系の物質である
ことが判別される。
にメチルアルコール(CH3OH) を用いて、ケース２及びケ
ース３の結果が得られれば、異物は有機系の物質である
ことが判別される。
【００１９】なお、リチウム(Li)、ナトリウム(Na)、カ
リウム(K) 等のアルカリ金属の異物の混在が想定される
場合は、それらの物質が水に溶解するので、第１回目の
薬液処理を純水で行い、続いて第１回目の第２次散乱光
強度測定を行う必要がある。
リウム(K) 等のアルカリ金属の異物の混在が想定される
場合は、それらの物質が水に溶解するので、第１回目の
薬液処理を純水で行い、続いて第１回目の第２次散乱光
強度測定を行う必要がある。
【００２０】また処理用薬液としては可能な限り個々の
物質に対して溶解の選択性を有するものが望ましく、そ
のために処理用の薬液としては、前記表１に示す薬品以
外の薬品や、種々の薬品の混液、及び種々な処理温度が
用いられる。
物質に対して溶解の選択性を有するものが望ましく、そ
のために処理用の薬液としては、前記表１に示す薬品以
外の薬品や、種々の薬品の混液、及び種々な処理温度が
用いられる。
【００２１】更にまた、ウエーハの異物付着面を薬液に
接触させる手段は、上記実施例に示した浸漬方法に限ら
れるものではなく、ウエーハ面にノズルから薬液を注下
する方法でもよい。
接触させる手段は、上記実施例に示した浸漬方法に限ら
れるものではなく、ウエーハ面にノズルから薬液を注下
する方法でもよい。
【００２２】
【発明の効果】以上説明のように本発明によれば、従
来、異物粒子の数と大きさのみしか検出できなかったウ
エーハ表面検査装置を用いて、ウエーハ上に付着する異
物粒子の物質・組成までを容易に検出することができ
る。従って本発明は、例えば半導体装置の製造現場等に
おける異物発生源の検出を容易にし、そのクリーン化に
寄与するところが大きい。
来、異物粒子の数と大きさのみしか検出できなかったウ
エーハ表面検査装置を用いて、ウエーハ上に付着する異
物粒子の物質・組成までを容易に検出することができ
る。従って本発明は、例えば半導体装置の製造現場等に
おける異物発生源の検出を容易にし、そのクリーン化に
寄与するところが大きい。
【図１】 本発明の一実施例の工程図
【図２】 本発明の一実施例における散乱光強度の変化
を示す図
を示す図
【図３】 表面検査装置の模式構成図
１ 半導体ウエーハ ２ 異物粒子 ３ 試料台 ４ Ｘ軸走査用ガルバミラー ５ 走査レンズ ６ 受光レンズ ７ 光電子増倍管
Claims (1)
- 【請求項１】 異物粒子の付着したウエーハの該異物粒
子を含む所定の領域上に所定のスポット径を有する光ビ
ームを照射して第１次の散乱光強度を測定し、次いで該
ウエーハの該異物粒子の付着面に所定の薬液を所定の時
間接触させた後、該ウエーハの該所定の領域上に前記光
ビームと同等の光ビームを照射して第２次の散乱光強度
を測定し、該第１次散乱光強度に対し該第２次散乱光強
度の減少する該薬液の種類により該異物粒子の成分を検
出することを特徴とするウエーハ付着異物の分析方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8098993A JPH06294751A (ja) | 1993-04-08 | 1993-04-08 | ウエーハ付着異物の分析方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8098993A JPH06294751A (ja) | 1993-04-08 | 1993-04-08 | ウエーハ付着異物の分析方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06294751A true JPH06294751A (ja) | 1994-10-21 |
Family
ID=13733916
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8098993A Withdrawn JPH06294751A (ja) | 1993-04-08 | 1993-04-08 | ウエーハ付着異物の分析方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06294751A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100797228B1 (ko) * | 2005-06-29 | 2008-01-23 | 가부시끼가이샤 도시바 | 약액의 인정 방법, 반도체 장치의 제조 방법, 및 액정 표시장치의 제조 방법 |
-
1993
- 1993-04-08 JP JP8098993A patent/JPH06294751A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100797228B1 (ko) * | 2005-06-29 | 2008-01-23 | 가부시끼가이샤 도시바 | 약액의 인정 방법, 반도체 장치의 제조 방법, 및 액정 표시장치의 제조 방법 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000704 |