JPS5922330A - 終点検知方法 - Google Patents
終点検知方法Info
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- JPS5922330A JPS5922330A JP13254182A JP13254182A JPS5922330A JP S5922330 A JPS5922330 A JP S5922330A JP 13254182 A JP13254182 A JP 13254182A JP 13254182 A JP13254182 A JP 13254182A JP S5922330 A JPS5922330 A JP S5922330A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ） 発明の技術分野
本発明は光を用いて半導体基板上のホトレジスト膜を除
去する現像工程やエツチング工程等のウェット処理にお
ける処理の終点を正確に検知する方法に関する。
去する現像工程やエツチング工程等のウェット処理にお
ける処理の終点を正確に検知する方法に関する。
（ｂ） 技術の背景
ホトエツチング技術はウェハやマスク上に所望のパター
ンを得るために不要部分を光学的及び化学処理により除
去する技術である。
ンを得るために不要部分を光学的及び化学処理により除
去する技術である。
この様な処理に於いては多数個の基板を処理液に浸漬し
て行なわれ、時間管理により処理の適正ポイントを求め
ているが液の濃度、基板の形状。
て行なわれ、時間管理により処理の適正ポイントを求め
ているが液の濃度、基板の形状。
大きさ、レジスト膜の組成等によって影響を受は易くバ
ラツキが大きい・ （ｃ）従来技術と問題点 例えは架橋重合の進んだホトレジスト膜を完全に除去す
るためには熱硫酸或は硫酸、過酸化水素のような強力な
酸化剤が必要であるが下地材料の耐薬品性を考慮して特
別な剥離剤フェノール、ノ・ロゲン系有機溶剤で除去す
る方法が一般に用いられている。
ラツキが大きい・ （ｃ）従来技術と問題点 例えは架橋重合の進んだホトレジスト膜を完全に除去す
るためには熱硫酸或は硫酸、過酸化水素のような強力な
酸化剤が必要であるが下地材料の耐薬品性を考慮して特
別な剥離剤フェノール、ノ・ロゲン系有機溶剤で除去す
る方法が一般に用いられている。
通常現像液はその組成特性から判断して処理時間及び処
理後の洗浄吟を規定する。
理後の洗浄吟を規定する。
一方基板上に描画されるレジストバクーンは近年微細加
工技術の進展に伴い、極限までに微細化されているため
基板表面の加工情報を十分検知する必要がある。例えは
表面から数Ａ程度までの情報が得られる分析法としては
低速電子線を用いたオーシュ電子分光法、低速電子線回
折法或いは走査型電子顕微鏡等があるが倒れも装置が大
がかりとなりしかも処理後の検査手法である。
工技術の進展に伴い、極限までに微細化されているため
基板表面の加工情報を十分検知する必要がある。例えは
表面から数Ａ程度までの情報が得られる分析法としては
低速電子線を用いたオーシュ電子分光法、低速電子線回
折法或いは走査型電子顕微鏡等があるが倒れも装置が大
がかりとなりしかも処理後の検査手法である。
（ｄ）発明の目的
本発明は上記の点に鑑み、処理液中に光を入射して最適
の処理ポイントを検知することを目的とする。
の処理ポイントを検知することを目的とする。
（ｅ）発明の構成
上記目的は本発明によれは処理液中に光を入射し、入射
光強度と被処理試料からの反射光または該処理液を通過
した光の強度とを比較することにより処理の終点を検知
することによりて達せられるＱ （ｆｌ 発明の実施例 以下本発明の実施例を図面により詳述する。第１図は本
発明の一実施例を説明するだめの構成図である。ヘリウ
ムネオンレーザ光源１から照射されるレーザ光の一部は
ビームスグリツタ２で反射しその反射光はシリコンホト
ダイオードの受光素子３に入射し信号電流（Ａ）に変換
される。一方ビームスグリッタ２を通過したレーザ光は
現像槽４の側壁に設けた透過窓５を経由して基板６上に
照射烙れ・その反射光は入射光と同一光路を戻りピーム
スプリタ２で反射して、受光素子７に入射し６５号ｎ
（Ｂ）に変換される。
光強度と被処理試料からの反射光または該処理液を通過
した光の強度とを比較することにより処理の終点を検知
することによりて達せられるＱ （ｆｌ 発明の実施例 以下本発明の実施例を図面により詳述する。第１図は本
発明の一実施例を説明するだめの構成図である。ヘリウ
ムネオンレーザ光源１から照射されるレーザ光の一部は
ビームスグリツタ２で反射しその反射光はシリコンホト
ダイオードの受光素子３に入射し信号電流（Ａ）に変換
される。一方ビームスグリッタ２を通過したレーザ光は
現像槽４の側壁に設けた透過窓５を経由して基板６上に
照射烙れ・その反射光は入射光と同一光路を戻りピーム
スプリタ２で反射して、受光素子７に入射し６５号ｎ
（Ｂ）に変換される。
信号電流（Ａ）はし・−ザ光のパワーによって定寸るか
ら略一定電流となる一方、信号電流（Ｂ）は現像によっ
て基板６上のレジスト膜が溶解して変位するから変位量
に応じて変動する。
ら略一定電流となる一方、信号電流（Ｂ）は現像によっ
て基板６上のレジスト膜が溶解して変位するから変位量
に応じて変動する。
従って信号電流Ａと信号電流Ｂとの比較はし〜ザ光の光
量差となる。基板６」二のレジストｇＸが溶解し終ると
信号電流（Ｂ）の変動はなくなり処理の終了を検知する
ことができる。戒は予じめ所定の光量差を現像処理の終
了ポイントと規定して光景差を検知することにより処理
の終点を求めてもよい。
量差となる。基板６」二のレジストｇＸが溶解し終ると
信号電流（Ｂ）の変動はなくなり処理の終了を検知する
ことができる。戒は予じめ所定の光量差を現像処理の終
了ポイントと規定して光景差を検知することにより処理
の終点を求めてもよい。
第２図の（イ）、（ロ）図は本発明の一実施例であるレ
ーザ光を照射する基板を示す断面図である。
ーザ光を照射する基板を示す断面図である。
何）図は現像開始時を示し、（ロ）図は現像完了時を示
す断面図である。基板６にシリコン酸化膜８を被膜し、
ホトレジスト膜９を塗布し、斜線部９Ｉは除去すべきレ
ジスト膜である。
す断面図である。基板６にシリコン酸化膜８を被膜し、
ホトレジスト膜９を塗布し、斜線部９Ｉは除去すべきレ
ジスト膜である。
本実施例ではヘリウムネオンレーザ光１ｏを用いレジス
ト膜９の斜線部９１ の変位量を走査して斜線部９′
が先金に除去されるポイントが即ち最適ポイント値で
ある。同上記実施例では試料からの反射光を監視したが
処理液を通過した光を監視してもよい。
ト膜９の斜線部９１ の変位量を走査して斜線部９′
が先金に除去されるポイントが即ち最適ポイント値で
ある。同上記実施例では試料からの反射光を監視したが
処理液を通過した光を監視してもよい。
頓 発明の効果
以上詳細に説明したように本発明によればウェット処理
の最適ポイント値が容易に検知できる。
の最適ポイント値が容易に検知できる。
第１図は本発明の一実施例を説明するだめの構成図１Ｍ
２図の（イ）、（ロ）図は本発明の一実施例であるレー
ザ光を照射する基板を示す断面図、（イ）図は現像開始
時を示しく口）図は現像完了時を示す断面図である。図
中 １はヘリウムネオンレーザ、２はビームスプリッタ、３
，７は受光素子、４は現像槽、５は透過窓。 ６は基板、８ｔまシリコン酸化膜−９はレジスト膜１０
はレーザ光を示す・ 千／ｆ７Ｊ ＴＥ７２図
２図の（イ）、（ロ）図は本発明の一実施例であるレー
ザ光を照射する基板を示す断面図、（イ）図は現像開始
時を示しく口）図は現像完了時を示す断面図である。図
中 １はヘリウムネオンレーザ、２はビームスプリッタ、３
，７は受光素子、４は現像槽、５は透過窓。 ６は基板、８ｔまシリコン酸化膜−９はレジスト膜１０
はレーザ光を示す・ 千／ｆ７Ｊ ＴＥ７２図
Claims (1)
- 処理液中に光を入射し、入射光強度と被処理試料からの
反射光または該処理液を通過した光の強度とを比較する
ことにより処理の終点を検知することを特徴とする終点
検知方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13254182A JPS5922330A (ja) | 1982-07-29 | 1982-07-29 | 終点検知方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13254182A JPS5922330A (ja) | 1982-07-29 | 1982-07-29 | 終点検知方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5922330A true JPS5922330A (ja) | 1984-02-04 |
Family
ID=15083687
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13254182A Pending JPS5922330A (ja) | 1982-07-29 | 1982-07-29 | 終点検知方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5922330A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5196285A (en) * | 1990-05-18 | 1993-03-23 | Xinix, Inc. | Method for control of photoresist develop processes |
| US11508574B2 (en) | 2019-08-30 | 2022-11-22 | Kioxia Corporation | Semiconductor manufacturing apparatus and manufacturing method of semiconductor device |
-
1982
- 1982-07-29 JP JP13254182A patent/JPS5922330A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5196285A (en) * | 1990-05-18 | 1993-03-23 | Xinix, Inc. | Method for control of photoresist develop processes |
| US5292605A (en) * | 1990-05-18 | 1994-03-08 | Xinix, Inc. | Method for control of photoresist develop processes |
| US11508574B2 (en) | 2019-08-30 | 2022-11-22 | Kioxia Corporation | Semiconductor manufacturing apparatus and manufacturing method of semiconductor device |
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