JPH07140674A - レジストリンス液、及びレジスト現像処理法 - Google Patents
レジストリンス液、及びレジスト現像処理法Info
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- JPH07140674A JPH07140674A JP14613793A JP14613793A JPH07140674A JP H07140674 A JPH07140674 A JP H07140674A JP 14613793 A JP14613793 A JP 14613793A JP 14613793 A JP14613793 A JP 14613793A JP H07140674 A JPH07140674 A JP H07140674A
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 レジストの現像処理工程でのリンス液として
使用してきた純水の表面張力が大き過ぎることによって
生じるパターン変形の問題を解決し、そのための解像性
を良好にできるレジストリンス液を提供し、かつ該レジ
ストリンス液を用いたレジスト現像処理法を提供する。 【構成】 ノボラック樹脂、ヒドロキシポリスチレン樹
脂を母材とするレジスト材料のレジスト現像処理におい
て、前記レジスト現像処理に使用するレジストリンス液
によってパターン変形する問題を解決するために、表面
張力が３０〜５０ｄｙｎ／ｃｍの範囲のレジストリンス
液を使用することを特徴とする
使用してきた純水の表面張力が大き過ぎることによって
生じるパターン変形の問題を解決し、そのための解像性
を良好にできるレジストリンス液を提供し、かつ該レジ
ストリンス液を用いたレジスト現像処理法を提供する。 【構成】 ノボラック樹脂、ヒドロキシポリスチレン樹
脂を母材とするレジスト材料のレジスト現像処理におい
て、前記レジスト現像処理に使用するレジストリンス液
によってパターン変形する問題を解決するために、表面
張力が３０〜５０ｄｙｎ／ｃｍの範囲のレジストリンス
液を使用することを特徴とする
Description
【０００１】
【産業上の技術分野】本発明は、ＩＣ，ＬＳＩ等の加工
に使用される被加工体上に電子線、Ｘ線、紫外線等のエ
ネルギー線に対して感応性を有するレジスト材料層を被
覆し、上記エネルギー線にて選択的照射し、さらに現像
処理を行い、所望の形状を有するレジストパターンを形
成し、このレジストパターンをマスクとした被加工体に
対する選択的エッチング処理を行う被加工体の加工方法
において、上記所望の形状を有するレジストパターンを
形成する現像処理工程で使用するレジスト液、及び該レ
ジストリンス液を用いたレジスト現像処理法に関する。
に使用される被加工体上に電子線、Ｘ線、紫外線等のエ
ネルギー線に対して感応性を有するレジスト材料層を被
覆し、上記エネルギー線にて選択的照射し、さらに現像
処理を行い、所望の形状を有するレジストパターンを形
成し、このレジストパターンをマスクとした被加工体に
対する選択的エッチング処理を行う被加工体の加工方法
において、上記所望の形状を有するレジストパターンを
形成する現像処理工程で使用するレジスト液、及び該レ
ジストリンス液を用いたレジスト現像処理法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＬＳＩ等の加工寸法はサブミクロ
ンからクォーターミクロンへと微細化が進み、これに適
用するＸ線、電子線、及び紫外線等の高エネルギー線に
感応するレジスト材料は、現像時の膨潤等による解像性
劣化の問題が少なく、且つ高感度であるノボラック樹
脂、或いはヒドロキシポリスチレン樹脂等を母材とする
化学増幅系レジストが用いられる。現像液にテトラメチ
ルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）アルカ
リ水溶液が用いられ、リンス液に純水が用いられてき
た。前記純水は、従来よりホトレジストのリンス液とし
て用いられ、高純度であるだけでなく、保管や廃液処理
などが有機溶媒と比較して簡単で、かつ引火性がないた
めに特殊な安全対策が不必要である等、汎用性の高いリ
ンス液である。しかしながら、パターン寸法が０．２μ
ｍ領域の微細パターン形成では、パターンの変形やパタ
ーン剥がれ等の問題を生じた。この原因は、リンス液の
乾燥時に表面張力が発生するためと考えられる。表１に
各種溶媒の表面張力を示す。
ンからクォーターミクロンへと微細化が進み、これに適
用するＸ線、電子線、及び紫外線等の高エネルギー線に
感応するレジスト材料は、現像時の膨潤等による解像性
劣化の問題が少なく、且つ高感度であるノボラック樹
脂、或いはヒドロキシポリスチレン樹脂等を母材とする
化学増幅系レジストが用いられる。現像液にテトラメチ
ルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）アルカ
リ水溶液が用いられ、リンス液に純水が用いられてき
た。前記純水は、従来よりホトレジストのリンス液とし
て用いられ、高純度であるだけでなく、保管や廃液処理
などが有機溶媒と比較して簡単で、かつ引火性がないた
めに特殊な安全対策が不必要である等、汎用性の高いリ
ンス液である。しかしながら、パターン寸法が０．２μ
ｍ領域の微細パターン形成では、パターンの変形やパタ
ーン剥がれ等の問題を生じた。この原因は、リンス液の
乾燥時に表面張力が発生するためと考えられる。表１に
各種溶媒の表面張力を示す。
【０００３】
【表１】 1)：各種溶媒の表面張力は「溶媒ハンドブック」、浅原
照三他編、講談社刊より抜粋 2)：測定温度２０℃における表面張力
照三他編、講談社刊より抜粋 2)：測定温度２０℃における表面張力
【０００４】上記表より明らかなように、純水の表面張
力は７２．７５ｄｙｎ／ｃｍであり、有機溶媒リンス液
として使用されるイソプロピルアルコール、ノルマルプ
ロピルアルコール等のアルコール系有機溶媒の表面張力
は２０〜３０ｄｙｎ／ｃｍであり、即ち、純水の表面張
力はアルコール系有機溶媒の表面張力の２〜３倍であっ
た。
力は７２．７５ｄｙｎ／ｃｍであり、有機溶媒リンス液
として使用されるイソプロピルアルコール、ノルマルプ
ロピルアルコール等のアルコール系有機溶媒の表面張力
は２０〜３０ｄｙｎ／ｃｍであり、即ち、純水の表面張
力はアルコール系有機溶媒の表面張力の２〜３倍であっ
た。
【０００５】図１は、従来の現像、リンス処理によりパ
ターン形成した場合のパターン形成工程を示したもので
ある。以下図１に沿ってパターン形成工程を説明する。
まず、シリコン基板１に被加工体材料２を付着させて被
加工体基板とし、その被加工体基板上に３のレジスト材
料であるネガ型レジストＳＡＬ６０１（商品名、シップ
レイ社製）を１．５μｍの膜厚となるようにスピンコー
トで塗布した。そして、レジスト塗布した被加工体基板
を１０５℃、２分間ホットプレート上でプリベークし
た。次にエネルギー線５としてＳＯＲ光を用い、所望の
パターン形状となるようにマスク４を介してパターン転
写、露光した。露光条件は蓄積電流１５０ｍＡ、マスク
４と被加工体基板間距離を３０μｍ、露光量３５００ｍ
Ａ・ｓｅｃとした。ＳＯＲ光露光した被加工体基板を１
０５℃、２分間ホットプレート上でポスト・エクスポー
ジャー・ベーク（以下ＰＥＢと略す）を行い、ＴＭＡＨ
系水溶液であるＭＦ６２２（商品名、シップレイ社製、
ＴＭＡＨ濃度：０．２７Ｎ）で１２分間静置現像、さら
に純水で２分間リンス処理を行い、さらにスピンドライ
ヤで残存する純水を乾燥除去して所望のレジストパター
ン６を得た。前記表１に示すように、純水は高い表面張
力を示すために、純水によるリンス時、或いはリンス後
の基板の乾燥、溶媒除去過程で図２ａのようにパターン
が内側に倒れる、或いは図２ｂのようにパターンが剥離
する等の現象が生じる。このように純水によるリンス処
理は、パターンの内側への倒れ、或いは剥離する現象を
生じたために０．２μｍ領域の微細パターンを高アスペ
クトで形成することが困難となる問題があった。
ターン形成した場合のパターン形成工程を示したもので
ある。以下図１に沿ってパターン形成工程を説明する。
まず、シリコン基板１に被加工体材料２を付着させて被
加工体基板とし、その被加工体基板上に３のレジスト材
料であるネガ型レジストＳＡＬ６０１（商品名、シップ
レイ社製）を１．５μｍの膜厚となるようにスピンコー
トで塗布した。そして、レジスト塗布した被加工体基板
を１０５℃、２分間ホットプレート上でプリベークし
た。次にエネルギー線５としてＳＯＲ光を用い、所望の
パターン形状となるようにマスク４を介してパターン転
写、露光した。露光条件は蓄積電流１５０ｍＡ、マスク
４と被加工体基板間距離を３０μｍ、露光量３５００ｍ
Ａ・ｓｅｃとした。ＳＯＲ光露光した被加工体基板を１
０５℃、２分間ホットプレート上でポスト・エクスポー
ジャー・ベーク（以下ＰＥＢと略す）を行い、ＴＭＡＨ
系水溶液であるＭＦ６２２（商品名、シップレイ社製、
ＴＭＡＨ濃度：０．２７Ｎ）で１２分間静置現像、さら
に純水で２分間リンス処理を行い、さらにスピンドライ
ヤで残存する純水を乾燥除去して所望のレジストパター
ン６を得た。前記表１に示すように、純水は高い表面張
力を示すために、純水によるリンス時、或いはリンス後
の基板の乾燥、溶媒除去過程で図２ａのようにパターン
が内側に倒れる、或いは図２ｂのようにパターンが剥離
する等の現象が生じる。このように純水によるリンス処
理は、パターンの内側への倒れ、或いは剥離する現象を
生じたために０．２μｍ領域の微細パターンを高アスペ
クトで形成することが困難となる問題があった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、レジ
ストの現像処理工程でのリンス液として使用してきた純
水の表面張力が大き過ぎることによって生じるパターン
変形の問題を解決し、解像性を良好にできるレジストリ
ンス液を提供し、かつ該レジストリンス液を用いたレジ
スト現像処理法を提供することにある。
ストの現像処理工程でのリンス液として使用してきた純
水の表面張力が大き過ぎることによって生じるパターン
変形の問題を解決し、解像性を良好にできるレジストリ
ンス液を提供し、かつ該レジストリンス液を用いたレジ
スト現像処理法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、ノボラック樹
脂、ヒドロキシポリスチレン樹脂を母材とするレジスト
材料のレジスト現像処理において、前記レジスト現像処
理に使用するレジストリンス液によってパターン変形す
る問題を解決するために、表面張力が３０〜５０ｄｙｎ
／ｃｍの範囲のレジストリンス液を使用することを特徴
とするものであり、該レジスト現像処理法に使用される
表面張力が３０〜５０ｄｙｎ／ｃｍの範囲のレジストリ
ンス液は、一般式ＣnＨ2n+1ＯＨで表わされるアルコー
ル類、一般式ＣnＨ2n-1ＣＯＣn'Ｈ2n'-1（但し、ｎ’＝
ｎ、ｎ’＝ｎ＋１、ｎ’＝ｎ＋２或いはｎ’＝ｎ＋３）
で表わされるケトン類、一般式ＣnＨ2n-1ＣＯＯＨで表
わされるカルボン酸類、一般式ＣnＨ2nＯＨで表わされ
るグリコール類、及び一般式（ＣＨ3ＣＯＯ）nＣ3Ｈ5Ｏ
Ｈで表わされるアセチン類の中から選択される少なくと
も一種の溶媒を含有することを特徴とするレジストリン
ス液を提供する。
脂、ヒドロキシポリスチレン樹脂を母材とするレジスト
材料のレジスト現像処理において、前記レジスト現像処
理に使用するレジストリンス液によってパターン変形す
る問題を解決するために、表面張力が３０〜５０ｄｙｎ
／ｃｍの範囲のレジストリンス液を使用することを特徴
とするものであり、該レジスト現像処理法に使用される
表面張力が３０〜５０ｄｙｎ／ｃｍの範囲のレジストリ
ンス液は、一般式ＣnＨ2n+1ＯＨで表わされるアルコー
ル類、一般式ＣnＨ2n-1ＣＯＣn'Ｈ2n'-1（但し、ｎ’＝
ｎ、ｎ’＝ｎ＋１、ｎ’＝ｎ＋２或いはｎ’＝ｎ＋３）
で表わされるケトン類、一般式ＣnＨ2n-1ＣＯＯＨで表
わされるカルボン酸類、一般式ＣnＨ2nＯＨで表わされ
るグリコール類、及び一般式（ＣＨ3ＣＯＯ）nＣ3Ｈ5Ｏ
Ｈで表わされるアセチン類の中から選択される少なくと
も一種の溶媒を含有することを特徴とするレジストリン
ス液を提供する。
【０００８】
実施例１ 以下、本発明の第１の実施例につき説明する。図１を参
照して、パターン形成工程を説明する。
照して、パターン形成工程を説明する。
【０００９】まず、シリコン基板１に被加工体材料２を
付着させて被加工体基板とし、その被加工体基板上に３
のレジスト材料であるネガ型レジストＳＡＬ６０１（商
品名、シップレイ社製）を１．５μｍの膜厚となるよう
にスピンコートで塗布した。そして、レジスト塗布した
被加工体基板を１０５℃、２分間ホットプレート上でプ
リベークした。次にエネルギー線５としてＳＯＲ光を用
い、所望のパターン形状となるようにマスク４を介して
パターン転写、露光した。露光条件は蓄積電流１５０ｍ
Ａ、マスク４と被加工体基板間距離を３０μｍ、露光量
３５００ｍＡ・ｓｅｃとした。ＳＯＲ光露光した被加工
体基板を１０５℃、２分間ホットプレート上でＰＥＢを
行い、ＴＭＡＨ系水溶液であるＭＦ６２２（商品名、シ
ップレイ社製、ＴＭＡＨ濃度：０．２７Ｎ）で１２分間
静置現像、さらに混合リンス液で１分間リンス処理を行
い、さらにスピンドライヤで残存する混合リンス液を乾
燥除去して所望のレジストパターン６を得た。混合リン
ス液は表面張力が７２．７５ｄｙｎ／ｃｍである純水３
０％と２１．７ｄｙｎ／ｃｍであるイソプロピルアルコ
ール７０％の混合液を用いた。混合リンス液の表面張力
γmixは式（１）で算出した。ここでａは混合溶媒中の
第一溶媒のモル組成比、ｂは第二溶媒のモル組成比、ｃ
は第三溶媒のモル組成比であり、式（２）の様にｎ種溶
媒のモル組成比合計は１となる。また、γ1、γ2、
γ3、γ4・・・・γnは、ｎ種溶媒各々の表面張力であ
る。前記純水３０％とイソプロピルアルコール７０％の
混合リンス液の表面張力は式（１）より算出して、３
７．０２ｄｙｎ／ｃｍであった。
付着させて被加工体基板とし、その被加工体基板上に３
のレジスト材料であるネガ型レジストＳＡＬ６０１（商
品名、シップレイ社製）を１．５μｍの膜厚となるよう
にスピンコートで塗布した。そして、レジスト塗布した
被加工体基板を１０５℃、２分間ホットプレート上でプ
リベークした。次にエネルギー線５としてＳＯＲ光を用
い、所望のパターン形状となるようにマスク４を介して
パターン転写、露光した。露光条件は蓄積電流１５０ｍ
Ａ、マスク４と被加工体基板間距離を３０μｍ、露光量
３５００ｍＡ・ｓｅｃとした。ＳＯＲ光露光した被加工
体基板を１０５℃、２分間ホットプレート上でＰＥＢを
行い、ＴＭＡＨ系水溶液であるＭＦ６２２（商品名、シ
ップレイ社製、ＴＭＡＨ濃度：０．２７Ｎ）で１２分間
静置現像、さらに混合リンス液で１分間リンス処理を行
い、さらにスピンドライヤで残存する混合リンス液を乾
燥除去して所望のレジストパターン６を得た。混合リン
ス液は表面張力が７２．７５ｄｙｎ／ｃｍである純水３
０％と２１．７ｄｙｎ／ｃｍであるイソプロピルアルコ
ール７０％の混合液を用いた。混合リンス液の表面張力
γmixは式（１）で算出した。ここでａは混合溶媒中の
第一溶媒のモル組成比、ｂは第二溶媒のモル組成比、ｃ
は第三溶媒のモル組成比であり、式（２）の様にｎ種溶
媒のモル組成比合計は１となる。また、γ1、γ2、
γ3、γ4・・・・γnは、ｎ種溶媒各々の表面張力であ
る。前記純水３０％とイソプロピルアルコール７０％の
混合リンス液の表面張力は式（１）より算出して、３
７．０２ｄｙｎ／ｃｍであった。
【００１０】 γmix＝ａγ1＋ｂγ2＋ｃγ3＋ｄγ4・・・・・＋ｎγn （１） ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ・・・＋ｎ＝１ （２）
【００１１】このリンス液を用いたパターン形成では、
図２ａ，ｂのようなパターンが内側に倒れる、或いはパ
ターンが剥離する等の現象を皆無とし、図２ｃのような
パターンを得ることができた。図２ｃと同様なパターン
は純水１６％以上から５５％以下までの範囲で得られ
た。前記以外の組成範囲では図２ａ，ｂのようなパター
ンが倒れる、或いはパターンが剥離するなどの現象が観
察できた。前記純水１６％以上唐５５％以下までの範囲
の表面張力を式（１）から算出すると、３０〜５０ｄｙ
ｎ／ｃｍの範囲であった。このように表面張力が３０〜
５０ｄｙｎ／ｃｍの範囲となるレジストリンス液は、現
像時にパターン倒れはパターン剥がれ等のパターン性能
が低下する問題を皆無とした。
図２ａ，ｂのようなパターンが内側に倒れる、或いはパ
ターンが剥離する等の現象を皆無とし、図２ｃのような
パターンを得ることができた。図２ｃと同様なパターン
は純水１６％以上から５５％以下までの範囲で得られ
た。前記以外の組成範囲では図２ａ，ｂのようなパター
ンが倒れる、或いはパターンが剥離するなどの現象が観
察できた。前記純水１６％以上唐５５％以下までの範囲
の表面張力を式（１）から算出すると、３０〜５０ｄｙ
ｎ／ｃｍの範囲であった。このように表面張力が３０〜
５０ｄｙｎ／ｃｍの範囲となるレジストリンス液は、現
像時にパターン倒れはパターン剥がれ等のパターン性能
が低下する問題を皆無とした。
【００１２】実施例２ 以下、本発明の第２の実施例を説明する。実施例１と同
様にしてレジスト膜形成、パターン露光及び現像処理を
施した後、リンス液として純水と表面張力が２３．９７
ｄｙｎ／ｃｍのメチルエチルケトンの５０／５０％混合
リンス液を用いて１分間のリンス処理を行い、さらにス
ピンドライヤで残存する混合リンス液を乾燥除去して所
望のレジストパターン６を得た。式（１）から算出した
この混合リンス液の表面張力は４８．３６ｄｙｎ／ｃｍ
であった。本実施例における混合リンス液を用いた場合
のパターン解像性は最小解像パターン寸法が０．２μｍ
で、純水単独でリンス処理した場合と比較して向上され
たものであった。また、図２のａ，ｂで観察されたパタ
ーン変形の発生は皆無であった。
様にしてレジスト膜形成、パターン露光及び現像処理を
施した後、リンス液として純水と表面張力が２３．９７
ｄｙｎ／ｃｍのメチルエチルケトンの５０／５０％混合
リンス液を用いて１分間のリンス処理を行い、さらにス
ピンドライヤで残存する混合リンス液を乾燥除去して所
望のレジストパターン６を得た。式（１）から算出した
この混合リンス液の表面張力は４８．３６ｄｙｎ／ｃｍ
であった。本実施例における混合リンス液を用いた場合
のパターン解像性は最小解像パターン寸法が０．２μｍ
で、純水単独でリンス処理した場合と比較して向上され
たものであった。また、図２のａ，ｂで観察されたパタ
ーン変形の発生は皆無であった。
【００１３】実施例３ 以下、本発明の第３の実施例を説明する。実施例１と同
様にしてレジスト膜形成、パターン露光及び現像処理を
施した後、リンス液として純水と表面張力が２７．４５
ｄｙｎ／ｃｍの酢酸の５５／４５％混合リンス液を用い
て１分間のリンス処理を行い、さらにスピンドライヤで
残存する混合リンス液を乾燥除去して所望のレジストパ
ターン６を得た。式（１）から算出したこの混合リンス
液の表面張力は４８．１２ｄｙｎ／ｃｍであった。本実
施例における混合リンス液を用いた場合のパターン解像
性は最小解像パターン寸法が０．２μｍで、純水単独で
リンス処理した場合と比較して向上されたものであっ
た。また、図２のａ，ｂで観察されたパターン変形の発
生は皆無であった。
様にしてレジスト膜形成、パターン露光及び現像処理を
施した後、リンス液として純水と表面張力が２７．４５
ｄｙｎ／ｃｍの酢酸の５５／４５％混合リンス液を用い
て１分間のリンス処理を行い、さらにスピンドライヤで
残存する混合リンス液を乾燥除去して所望のレジストパ
ターン６を得た。式（１）から算出したこの混合リンス
液の表面張力は４８．１２ｄｙｎ／ｃｍであった。本実
施例における混合リンス液を用いた場合のパターン解像
性は最小解像パターン寸法が０．２μｍで、純水単独で
リンス処理した場合と比較して向上されたものであっ
た。また、図２のａ，ｂで観察されたパターン変形の発
生は皆無であった。
【００１４】実施例４ 以下、本発明の第４の実施例を説明する。実施例１と同
様にしてレジスト膜形成、パターン露光及び現像処理を
施した後、リンス液として表面張力が４６．４９ｄｙｎ
／ｃｍのエチレングリコールを用いて１分間のリンス処
理を行い、さらにスピンドライヤで残存する混合リンス
液を乾燥除去して所望のレジストパターン６を得た。本
実施例におけるリンス液を用いた場合のパターン解像性
は最小解像パターン寸法が０．２μｍで、純水単独でリ
ンス処理した場合と比較して向上されたものであった。
また、図２のａ，ｂで観察されたパターンが内側に倒れ
る、パターンが基板より剥離する、或いはパターン上部
が接着する等の現象の発生は皆無であった。
様にしてレジスト膜形成、パターン露光及び現像処理を
施した後、リンス液として表面張力が４６．４９ｄｙｎ
／ｃｍのエチレングリコールを用いて１分間のリンス処
理を行い、さらにスピンドライヤで残存する混合リンス
液を乾燥除去して所望のレジストパターン６を得た。本
実施例におけるリンス液を用いた場合のパターン解像性
は最小解像パターン寸法が０．２μｍで、純水単独でリ
ンス処理した場合と比較して向上されたものであった。
また、図２のａ，ｂで観察されたパターンが内側に倒れ
る、パターンが基板より剥離する、或いはパターン上部
が接着する等の現象の発生は皆無であった。
【００１５】実施例５ 以下、本発明の第５の実施例を説明する。実施例１と同
様にしてレジスト膜形成、パターン露光及び現像処理を
施した後、リンス液として表面張力が４１．２７ｄｙｎ
／ｃｍのモノアセチンを用いて１分間のリンス処理を行
い、さらにスピンドライヤで残存する混合リンス液を乾
燥除去して所望のレジストパターン６を得た。本実施例
におけるリンス液を用いた場合のパターン解像性は最小
解像パターン寸法が０．２μｍで、純水単独でリンス処
理した場合と比較して向上されたものであった。また、
図２のａ，ｂで観察されたパターンが内側に倒れる、パ
ターンが基板より剥離する、或いはパターン上部が接着
する等の現象の発生は皆無であった。
様にしてレジスト膜形成、パターン露光及び現像処理を
施した後、リンス液として表面張力が４１．２７ｄｙｎ
／ｃｍのモノアセチンを用いて１分間のリンス処理を行
い、さらにスピンドライヤで残存する混合リンス液を乾
燥除去して所望のレジストパターン６を得た。本実施例
におけるリンス液を用いた場合のパターン解像性は最小
解像パターン寸法が０．２μｍで、純水単独でリンス処
理した場合と比較して向上されたものであった。また、
図２のａ，ｂで観察されたパターンが内側に倒れる、パ
ターンが基板より剥離する、或いはパターン上部が接着
する等の現象の発生は皆無であった。
【００１６】
【発明の効果】本発明によれば、ノボラック樹脂を母材
とするレジスト材料の現像処理に本発明によるレジスト
リンス液を適用したためにパターンが内側に倒れる、パ
ターンが基板より剥離する等の現象の発生を皆無とし
た。上記実施例ではレジスト材料としてＳＡＬ６０１を
適用した場合について記載したが、ＳＡＬ６０１以外の
ノボラック樹脂、或いはヒドロキシポリスチレン樹脂を
母材とするレジスト材料、及びノボラック樹脂、或いは
ヒドロキシポリスチレン樹脂を母材とする化学増幅系レ
ジストにも適用できる。
とするレジスト材料の現像処理に本発明によるレジスト
リンス液を適用したためにパターンが内側に倒れる、パ
ターンが基板より剥離する等の現象の発生を皆無とし
た。上記実施例ではレジスト材料としてＳＡＬ６０１を
適用した場合について記載したが、ＳＡＬ６０１以外の
ノボラック樹脂、或いはヒドロキシポリスチレン樹脂を
母材とするレジスト材料、及びノボラック樹脂、或いは
ヒドロキシポリスチレン樹脂を母材とする化学増幅系レ
ジストにも適用できる。
【図１】レジスト材料に対するパターン形成の工程を示
す図である。
す図である。
【図２】リンス処理後のパターンの形態を示すもので、
（ａ）はパターンが内側に倒れている状態、（ｂ）はパ
ターンが基板から剥離する状態を示しており、ともに従
来例によるものである。（ｃ）は本発明のリンス液によ
るリンス処理後のパターンを示すものである。
（ａ）はパターンが内側に倒れている状態、（ｂ）はパ
ターンが基板から剥離する状態を示しており、ともに従
来例によるものである。（ｃ）は本発明のリンス液によ
るリンス処理後のパターンを示すものである。
１ 基板 ２ 被加工体材料 ３ レジスト材料 ４ マスク ５ ＳＯＲ光 ６ レジストパターン
Claims (3)
- 【請求項１】 ノボラック樹脂、ヒドロキシポリスチレ
ン樹脂を母材とするレジスト材料のレジスト現像処理法
において、前記レジスト現像処理に使用するレジストリ
ンス液に表面張力が３０〜５０ｄｙｎ／ｃｍの範囲のレ
ジストリンス液を使用することを特徴とするレジスト現
像処理法。 - 【請求項２】 請求項１のレジスト現像処理法に使用さ
れる表面張力が３０〜５０ｄｙｎ／ｃｍの範囲のレジス
トリンス液であって、一般式ＣnＨ2n+1ＯＨで表わされ
るアルコール類、一般式ＣnＨ2n-1ＣＯＣn'Ｈ2n'-1（但
し、ｎ’＝ｎ、ｎ’＝ｎ＋１、ｎ’＝ｎ＋２或いはｎ’
＝ｎ＋３）で表わされるケトン類、一般式ＣnＨ2n-1Ｃ
ＯＯＨで表わされるカルボン酸類、一般式ＣnＨ2nＯＨ
で表わされるグリコール類、及び一般式（ＣＨ3ＣＯ
Ｏ）nＣ3Ｈ5ＯＨで表わされるアセチン類の中から選択
される少なくとも一種の溶媒を含有することを特徴とす
るレジストリンス液。 - 【請求項３】 請求項１のレジスト現像処理法に使用さ
れる表面張力が３０〜５０ｄｙｎ／ｃｍの範囲のレジス
トリンス液であって、純水に一般式ＣnＨ2n+ 1ＯＨで表
わされるアルコール類、一般式ＣnＨ2n-1ＣＯＣn'Ｈ
2n'-1（但し、ｎ’＝ｎ、ｎ’＝ｎ＋１、ｎ’＝ｎ＋２
或いはｎ’＝ｎ＋３）で表わされるケトン類、一般式Ｃ
nＨ2n-1ＣＯＯＨで表わされるカルボン酸類、一般式Ｃn
Ｈ2nＯＨで表わされるグリコール類、及び一般式（ＣＨ
3ＣＯＯ）nＣ3Ｈ5ＯＨで表わされるアセチン類の中から
選択される少なくとも一種類を含有することを特徴とす
るレジストリンス液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14613793A JPH07140674A (ja) | 1993-06-17 | 1993-06-17 | レジストリンス液、及びレジスト現像処理法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14613793A JPH07140674A (ja) | 1993-06-17 | 1993-06-17 | レジストリンス液、及びレジスト現像処理法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07140674A true JPH07140674A (ja) | 1995-06-02 |
Family
ID=15400984
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14613793A Pending JPH07140674A (ja) | 1993-06-17 | 1993-06-17 | レジストリンス液、及びレジスト現像処理法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07140674A (ja) |
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- 1993-06-17 JP JP14613793A patent/JPH07140674A/ja active Pending
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