JPH05142787A - レジスト現像液及びパタン形成方法 - Google Patents
レジスト現像液及びパタン形成方法Info
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- JPH05142787A JPH05142787A JP31089691A JP31089691A JPH05142787A JP H05142787 A JPH05142787 A JP H05142787A JP 31089691 A JP31089691 A JP 31089691A JP 31089691 A JP31089691 A JP 31089691A JP H05142787 A JPH05142787 A JP H05142787A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 被加工体上にレジストパタンを形成する工程
において、レジスト現像時間を短縮し量産性を向上させ
るとともに、現像液による基板の腐食を低減する。 【構成】 ＴＭＡＨアルカリ水溶液にＣnＨ2n+1ＯＨ又
はＣn'Ｈ2n'+1ＣＯＣn"Ｈ 2n"+1（但し、ｎ、ｎ’及び
ｎ”は整数、１≦ｎ≦７、１≦ｎ’≦４、ｎ’≦ｎ”≦
ｎ’＋３）で示されるアルコール又はケトンを少なくと
も１含んでなるレジスト現像液及び該現像液を用いるパ
タン形成方法。
において、レジスト現像時間を短縮し量産性を向上させ
るとともに、現像液による基板の腐食を低減する。 【構成】 ＴＭＡＨアルカリ水溶液にＣnＨ2n+1ＯＨ又
はＣn'Ｈ2n'+1ＣＯＣn"Ｈ 2n"+1（但し、ｎ、ｎ’及び
ｎ”は整数、１≦ｎ≦７、１≦ｎ’≦４、ｎ’≦ｎ”≦
ｎ’＋３）で示されるアルコール又はケトンを少なくと
も１含んでなるレジスト現像液及び該現像液を用いるパ
タン形成方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＩＣ、ＬＳＩ等の加工に
使用される被加工体上に、電子線、Ｘ線、紫外線等のエ
ネルギー線に対して感応性を有するレジスト材料層を被
覆し、上記エネルギー線にて選択的照射し、さらに現像
処理を行い、所望の形状を有するレジストパタンを形成
し、このレジストパタンをマスクとした被加工体に対す
る選択的エッチング処理を行う被加工体の加工方法に於
いて、上記所望の形状を有するレジストパタンを形成す
る現像処理工程で使用するレジスト現像液、及び該レジ
スト現像液を用いたパタン形成方法に関する。
使用される被加工体上に、電子線、Ｘ線、紫外線等のエ
ネルギー線に対して感応性を有するレジスト材料層を被
覆し、上記エネルギー線にて選択的照射し、さらに現像
処理を行い、所望の形状を有するレジストパタンを形成
し、このレジストパタンをマスクとした被加工体に対す
る選択的エッチング処理を行う被加工体の加工方法に於
いて、上記所望の形状を有するレジストパタンを形成す
る現像処理工程で使用するレジスト現像液、及び該レジ
スト現像液を用いたパタン形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＬＳＩ等の加工寸法はサブミクロ
ンからクォーターミクロンと微細化が進み、これに適用
するＸ線及び電子線用のレジスト材料として、現像時の
膨潤等による解像性劣化の問題が少なく、且つ、高感度
であるノボラック樹脂を母材とする化学増幅系レジスト
が用いられている。従来、前記化学増幅系レジストの非
露光部を溶解する現像液としては、テトラメチルアンモ
ニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ；以下ＴＭＡＨと
略記する。）アルカリ水溶液が用いられてきた。前記Ｔ
ＭＡＨ系レジスト現像液は、従来よりホトレジストの現
像液として用いられ、高感度で高解像度なパタン形成を
可能とする現像液である。また、現像液の保管や廃液処
理などが有機溶媒と比較して簡単で、且つ引火性がない
ために特殊な安全対策が不必要である等汎用性の高い現
像液である。
ンからクォーターミクロンと微細化が進み、これに適用
するＸ線及び電子線用のレジスト材料として、現像時の
膨潤等による解像性劣化の問題が少なく、且つ、高感度
であるノボラック樹脂を母材とする化学増幅系レジスト
が用いられている。従来、前記化学増幅系レジストの非
露光部を溶解する現像液としては、テトラメチルアンモ
ニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ；以下ＴＭＡＨと
略記する。）アルカリ水溶液が用いられてきた。前記Ｔ
ＭＡＨ系レジスト現像液は、従来よりホトレジストの現
像液として用いられ、高感度で高解像度なパタン形成を
可能とする現像液である。また、現像液の保管や廃液処
理などが有機溶媒と比較して簡単で、且つ引火性がない
ために特殊な安全対策が不必要である等汎用性の高い現
像液である。
【０００３】しかしながら、従来のＴＭＡＨ系現像液は
比較的長い現像時間を要するため、ウェハ処理の作業
性、量産性の点で問題があった。
比較的長い現像時間を要するため、ウェハ処理の作業
性、量産性の点で問題があった。
【０００４】また、シリコン基板上にアルミニウム膜層
を積層した基板面にレジストパタンを形成する際、強ア
ルカリ性を呈する現像液によりアルミニウム膜が腐食す
るといった問題点もあった。
を積層した基板面にレジストパタンを形成する際、強ア
ルカリ性を呈する現像液によりアルミニウム膜が腐食す
るといった問題点もあった。
【０００５】上記問題点を解決するために、現像時間を
短縮させる試みが従来なされてきた。このような手段と
して、ＴＭＡＨ系水溶液中のＴＭＡＨ濃度を上げてレジ
スト溶解性を向上させる方法がある。しかし、ＴＭＡＨ
濃度の増加により、現像時のレジスト膨潤量が増大し、
解像性の低下を誘引する問題点があった。
短縮させる試みが従来なされてきた。このような手段と
して、ＴＭＡＨ系水溶液中のＴＭＡＨ濃度を上げてレジ
スト溶解性を向上させる方法がある。しかし、ＴＭＡＨ
濃度の増加により、現像時のレジスト膨潤量が増大し、
解像性の低下を誘引する問題点があった。
【０００６】また、上記問題点を解決する別の手段とし
て、アルミニウム膜上にチタン等の耐食性のよい保護膜
を形成する方法あるいは、多層レジスト法等が適用され
てきた。しかしながら、前者は急峻な段差基板上での完
全な被覆が困難であり、保護膜にピンホールが発生する
結果、局部的にアルミニウム膜の多量腐食が起こり、断
線等の原因となっていた。また後者は、アルミニウム膜
上に下層レジスト、中間層レジスト及び上層のパタン形
成用レジストを順次塗布し、露光、現像処理によりパタ
ン形成された上層をマスクにして、更に中間層、下層へ
と順次、酸素反応性イオンエッチング（Ｏ2ＲＩＥ）等
のドライエッチングを施し、パタン転写する方法である
が、プロセスが複雑になる問題点があった。
て、アルミニウム膜上にチタン等の耐食性のよい保護膜
を形成する方法あるいは、多層レジスト法等が適用され
てきた。しかしながら、前者は急峻な段差基板上での完
全な被覆が困難であり、保護膜にピンホールが発生する
結果、局部的にアルミニウム膜の多量腐食が起こり、断
線等の原因となっていた。また後者は、アルミニウム膜
上に下層レジスト、中間層レジスト及び上層のパタン形
成用レジストを順次塗布し、露光、現像処理によりパタ
ン形成された上層をマスクにして、更に中間層、下層へ
と順次、酸素反応性イオンエッチング（Ｏ2ＲＩＥ）等
のドライエッチングを施し、パタン転写する方法である
が、プロセスが複雑になる問題点があった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記問題点に鑑み、本
発明は、作業性及び量産性に優れ、かつ基板を腐食せず
に高解像度を与えるレジスト現像液及び該現像液を用い
るパタン形成方法を提供することにある。
発明は、作業性及び量産性に優れ、かつ基板を腐食せず
に高解像度を与えるレジスト現像液及び該現像液を用い
るパタン形成方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、鋭意研究
の結果、ＴＭＡＨアルカリ水溶液にアルコール又はケト
ンを添加した場合に、その添加量と現像時間との間に相
関があることを見出した。
の結果、ＴＭＡＨアルカリ水溶液にアルコール又はケト
ンを添加した場合に、その添加量と現像時間との間に相
関があることを見出した。
【０００９】例えばシリコン基板上に化学増幅系ネガ型
レジストＳＡＬ６０１（商品名；シップレイ社製）を乾
燥膜厚１．５μｍとなるように塗布した後、１０５℃の
ホットプレート上で２分間プリベークした基板をレジス
ト現像液に浸漬する。ここでレジスト現像液としてアル
カリ濃度０．２７N−ＴＭＡＨアルカリ水溶液に各種ア
ルコールを添加したものを用い、レジスト膜の完全溶解
時間Ｔｃ（以下、Ｔｃと略記する。）を測定する。
レジストＳＡＬ６０１（商品名；シップレイ社製）を乾
燥膜厚１．５μｍとなるように塗布した後、１０５℃の
ホットプレート上で２分間プリベークした基板をレジス
ト現像液に浸漬する。ここでレジスト現像液としてアル
カリ濃度０．２７N−ＴＭＡＨアルカリ水溶液に各種ア
ルコールを添加したものを用い、レジスト膜の完全溶解
時間Ｔｃ（以下、Ｔｃと略記する。）を測定する。
【００１０】図２は上記実験におけるアルコール添加量
とＴｃとの関係をプロットしたグラフである。図中８は
メチルアルコール、９はイソプロピルアルコール、１０
はエチルアルコール、１１はイソブチルアルコール、１
２はノルマルブチルアルコール、、１３はノルマルペン
チルアルコールを用いた場合を示す。尚、アルコール無
添加の場合のＴｃは１２０秒である。
とＴｃとの関係をプロットしたグラフである。図中８は
メチルアルコール、９はイソプロピルアルコール、１０
はエチルアルコール、１１はイソブチルアルコール、１
２はノルマルブチルアルコール、、１３はノルマルペン
チルアルコールを用いた場合を示す。尚、アルコール無
添加の場合のＴｃは１２０秒である。
【００１１】同図より、アルコールを添加した現像液の
Ｔｃは、アルコール種によらずアルコール無添加現像液
のＴｃより短く、かつ添加量の増加とともにＴｃが減少
する傾向を示すことがわかる。例えば、ノルマルペンチ
ルアルコール１３の場合は、添加量２．５％でＴｃは２
０秒であり、アルコール無添加の場合のＴｃ１２０秒と
比較して１／６の値となっている。
Ｔｃは、アルコール種によらずアルコール無添加現像液
のＴｃより短く、かつ添加量の増加とともにＴｃが減少
する傾向を示すことがわかる。例えば、ノルマルペンチ
ルアルコール１３の場合は、添加量２．５％でＴｃは２
０秒であり、アルコール無添加の場合のＴｃ１２０秒と
比較して１／６の値となっている。
【００１２】また同図より、一般的にアルコールの分子
量が大きい程、Ｔｃの減少傾向が急激になることが判
る。例えば、炭素数１のメチルアルコール８の場合は、
添加量９％でＴｃは８０秒であるのに比べ、炭素数２の
エチルアルコール１０の場合は、同添加量でＴｃは３０
秒である。
量が大きい程、Ｔｃの減少傾向が急激になることが判
る。例えば、炭素数１のメチルアルコール８の場合は、
添加量９％でＴｃは８０秒であるのに比べ、炭素数２の
エチルアルコール１０の場合は、同添加量でＴｃは３０
秒である。
【００１３】同図は、すなわち、ＴＭＡＨアルカリ水溶
液にアルコールを添加することにより、Ｔｃを短縮し、
現像処理時間を短縮できることを示唆している。
液にアルコールを添加することにより、Ｔｃを短縮し、
現像処理時間を短縮できることを示唆している。
【００１４】また、Ｃn'Ｈ2n'+1ＣＯＣn"Ｈ2n"+1（但
し、ｎ’及びｎ”は整数であり、１≦ｎ’≦４、ｎ’≦
ｎ”≦ｎ’＋３である。）で示されるケトンにおいても
図２と同様の傾向が得られ、メチルエチルケトンを５％
添加した場合のＴｃは２５秒であった。
し、ｎ’及びｎ”は整数であり、１≦ｎ’≦４、ｎ’≦
ｎ”≦ｎ’＋３である。）で示されるケトンにおいても
図２と同様の傾向が得られ、メチルエチルケトンを５％
添加した場合のＴｃは２５秒であった。
【００１５】したがって、上記問題を解決するための本
発明は、アルカリ水溶液に一般式Ｃ nＨ2n+1ＯＨ又はＣ
n'Ｈ2n'+1ＣＯＣn"Ｈ2n"+1（但しｎ、ｎ’及びｎ”は整
数であり、１≦ｎ≦７、１≦ｎ’≦４、ｎ’≦ｎ”≦
ｎ’＋３である。）で示されるアルコール又はケトンを
少なくとも１混合してなるレジスト現像液である。
発明は、アルカリ水溶液に一般式Ｃ nＨ2n+1ＯＨ又はＣ
n'Ｈ2n'+1ＣＯＣn"Ｈ2n"+1（但しｎ、ｎ’及びｎ”は整
数であり、１≦ｎ≦７、１≦ｎ’≦４、ｎ’≦ｎ”≦
ｎ’＋３である。）で示されるアルコール又はケトンを
少なくとも１混合してなるレジスト現像液である。
【００１６】また本発明は、上記現像液において、アル
カリ水溶液が、テトラメチルアンモニウムハイドロオキ
サイド（ＴＭＡＨ）アルカリ水溶液であるレジスト現像
液である。
カリ水溶液が、テトラメチルアンモニウムハイドロオキ
サイド（ＴＭＡＨ）アルカリ水溶液であるレジスト現像
液である。
【００１７】更に本発明は、被加工基板上にノボラック
樹脂を母材とするレジスト材料を塗布してレジスト層を
形成した後、該被加工基板をプリベークし、次いで前記
レジスト層に所望のパタン形状に対応して高エネルギー
線を照射し、更にレジスト現像液により前記レジスト層
を現像処理して所望のレジストパタンを得るパタン形成
方法において、前記レジスト現像液が本発明のレジスト
現像液であるパタン形成方法である。
樹脂を母材とするレジスト材料を塗布してレジスト層を
形成した後、該被加工基板をプリベークし、次いで前記
レジスト層に所望のパタン形状に対応して高エネルギー
線を照射し、更にレジスト現像液により前記レジスト層
を現像処理して所望のレジストパタンを得るパタン形成
方法において、前記レジスト現像液が本発明のレジスト
現像液であるパタン形成方法である。
【００１８】本発明のレジスト現像液を構成するアルカ
リ水溶液としては上記ＴＭＡＨの他に、コリン等のアル
カリ水溶液が適用できる。
リ水溶液としては上記ＴＭＡＨの他に、コリン等のアル
カリ水溶液が適用できる。
【００１９】また、前記ＣnＨ2n+1ＯＨ（１≦ｎ≦７）
の構造をもつアルコールとしては、例えば、メチルアル
コール、エチルアルコール、プロピルアルコール、イソ
プロピルアルコール、ノルマルブチルアルコール、イソ
ブチルアルコール、ノルマルペンチルアルコール、イソ
ペンチルアルコール、ノルマルヘキシルアルコール、ノ
ルマルヘプシルアルコール等の炭素数１〜７の各種異性
体を含む飽和アルキルアルコールが使用できる。
の構造をもつアルコールとしては、例えば、メチルアル
コール、エチルアルコール、プロピルアルコール、イソ
プロピルアルコール、ノルマルブチルアルコール、イソ
ブチルアルコール、ノルマルペンチルアルコール、イソ
ペンチルアルコール、ノルマルヘキシルアルコール、ノ
ルマルヘプシルアルコール等の炭素数１〜７の各種異性
体を含む飽和アルキルアルコールが使用できる。
【００２０】また前記Ｃn'Ｈ2n'+1ＣＯＣn"Ｈ2n"+1（１
≦ｎ’≦４、ｎ’≦ｎ”≦ｎ’＋３）の構造式をもつケ
トンとしては、例えば、ジメチルケトン、メチルエチル
ケトン、メチルプロピルケトン、メチルブチルケトン、
ジエチルケトン、エチルプロピルケトン、エチルブチル
ケトン、ジプロピルケトン、プロピルブチルケトン等の
脂肪族ケトンが使用できる。
≦ｎ’≦４、ｎ’≦ｎ”≦ｎ’＋３）の構造式をもつケ
トンとしては、例えば、ジメチルケトン、メチルエチル
ケトン、メチルプロピルケトン、メチルブチルケトン、
ジエチルケトン、エチルプロピルケトン、エチルブチル
ケトン、ジプロピルケトン、プロピルブチルケトン等の
脂肪族ケトンが使用できる。
【００２１】上記アルコール及びケトンはそれぞれ１種
又は複数種使用してよく、更にアルコールとケトンは併
用してもよい。
又は複数種使用してよく、更にアルコールとケトンは併
用してもよい。
【００２２】上記アルコール及びケトンの配合量は、ア
ルコール又はケトンの種類に応じて適宜選択する。
ルコール又はケトンの種類に応じて適宜選択する。
【００２３】次に、本発明のパタン形成方法について説
明する。
明する。
【００２４】被加工基板の形状及び大きさは任意のもの
で良く、シリコン等の一般的な材料が使用できる。
で良く、シリコン等の一般的な材料が使用できる。
【００２５】レジスト材料としてはノボラック樹脂を母
材とするものを使用する。
材とするものを使用する。
【００２６】プリベーク方法としては、ホットプレート
上での加熱等、一般的な方法が適用できる。
上での加熱等、一般的な方法が適用できる。
【００２７】高エネルギー線としては、Ｘ線、電子線及
び紫外線等が好ましい。これらの高エネルギー線はパタ
ーン化してレジスト面に照射する。
び紫外線等が好ましい。これらの高エネルギー線はパタ
ーン化してレジスト面に照射する。
【００２８】本発明においては、上記のように高エネル
ギー線を照射した後の基板を、前記アルコール及び／又
はケトンを含むアルカリ水溶液よりなる現像液中に浸漬
して、レジストの未露光部を溶解除去して現像処理を施
すものである。現像時間は、現像液中に含まれるアルコ
ール又はケトンの種類及び添加量により適宜決定する。
また、本発明のパタン形成方法は、必要に応じて高エ
ネルギー線露光基板にポスト・エックスポージャー・ベ
ーク（以下、ＰＥＢと略す。）を施す。ＰＥＢの方法と
してはプリベークと同様である。
ギー線を照射した後の基板を、前記アルコール及び／又
はケトンを含むアルカリ水溶液よりなる現像液中に浸漬
して、レジストの未露光部を溶解除去して現像処理を施
すものである。現像時間は、現像液中に含まれるアルコ
ール又はケトンの種類及び添加量により適宜決定する。
また、本発明のパタン形成方法は、必要に応じて高エ
ネルギー線露光基板にポスト・エックスポージャー・ベ
ーク（以下、ＰＥＢと略す。）を施す。ＰＥＢの方法と
してはプリベークと同様である。
【００２９】
【実施例】以下、実施例により本発明を更に具体的に説
明する。
明する。
【００３０】実施例１ 濃度０．２７NのＴＭＡＨアルカリ水溶液を調製し、こ
れにノルマルブチルアルコールを全量に対して５容量％
となるように添加し本発明のレジスト現象液を得た。
れにノルマルブチルアルコールを全量に対して５容量％
となるように添加し本発明のレジスト現象液を得た。
【００３１】次に、図１のＢに示すように、シリコン基
板１上にアルミニウム膜よりなる導伝層２を積層し、次
いで、化学増幅系ネガ型レジスト、ＳＡＬ６０１（商品
名；シップレイ社製）を塗布し、乾燥させて層厚１．５
μｍのレジスト層３を形成した。 その後、該被加工体
をホットプレート上で１０５℃、２分間、プリベークし
た。次に所定のパタン形状を有するマスク４を介して、
ＳＯＲ光よりなる高エネルギー線７をレジスト層３に照
射した。尚、露光条件は蓄積電流１５０ｍＡ、マスク４
とレジスト層３との距離３０μｍ、露光量３５００ｍＡ
・ｓｅｃとした。露光後、更にホットプレート上で１０
５℃、２分間、ＰＥＢを施した。
板１上にアルミニウム膜よりなる導伝層２を積層し、次
いで、化学増幅系ネガ型レジスト、ＳＡＬ６０１（商品
名；シップレイ社製）を塗布し、乾燥させて層厚１．５
μｍのレジスト層３を形成した。 その後、該被加工体
をホットプレート上で１０５℃、２分間、プリベークし
た。次に所定のパタン形状を有するマスク４を介して、
ＳＯＲ光よりなる高エネルギー線７をレジスト層３に照
射した。尚、露光条件は蓄積電流１５０ｍＡ、マスク４
とレジスト層３との距離３０μｍ、露光量３５００ｍＡ
・ｓｅｃとした。露光後、更にホットプレート上で１０
５℃、２分間、ＰＥＢを施した。
【００３２】上記のように処理した被加工体を前記現像
液中に浸漬し、２分間の現像処理を行なった。但し、こ
の現像液によるＴｃは２０秒であった。現像処理後、純
水によるすすぎを１分間行ない、図１Ｂに示すようなレ
ジストパタン５を得た。
液中に浸漬し、２分間の現像処理を行なった。但し、こ
の現像液によるＴｃは２０秒であった。現像処理後、純
水によるすすぎを１分間行ない、図１Ｂに示すようなレ
ジストパタン５を得た。
【００３３】得られたパタンの最小解像パタン寸法は
０．３μｍであり、アルコール無添加の現像液の場合
と、同程度の解像性であった。しかし、現像処理に要す
る時間が短縮したことにより、１時間当りのウェハ処理
枚数が３０枚となり、従来の現像液による処理枚数５枚
に比べ量産性が６倍向上した。またアルミニウム膜の腐
食はみられなかった。
０．３μｍであり、アルコール無添加の現像液の場合
と、同程度の解像性であった。しかし、現像処理に要す
る時間が短縮したことにより、１時間当りのウェハ処理
枚数が３０枚となり、従来の現像液による処理枚数５枚
に比べ量産性が６倍向上した。またアルミニウム膜の腐
食はみられなかった。
【００３４】比較例 レジスト現像液として、アルコール無添加の０．２７N
−ＴＭＡＨアルカリ水溶液を用いた以外は実施例１と同
様にパタン形成を行なったところ、図１Ａに示すよう
に、アルミニウム膜にアンダーカット状の腐食６が生じ
た。尚、この現像液によるレジスト層のＴｃは１２０秒
であり、現像には１２分間を要した。
−ＴＭＡＨアルカリ水溶液を用いた以外は実施例１と同
様にパタン形成を行なったところ、図１Ａに示すよう
に、アルミニウム膜にアンダーカット状の腐食６が生じ
た。尚、この現像液によるレジスト層のＴｃは１２０秒
であり、現像には１２分間を要した。
【００３５】実施例２ レジスト現像液として、０．２７N−ＴＭＡＨアルカリ
水溶液にエチルアルコールを全量の９容量％添加したも
のを用い、現像処理時間を３分間とした以外は実施例１
と同様にパタン形成を行なった。但し、この現像液によ
るレジスト層のＴｃは３０秒であった。得られたレジス
トパタンの最小解像パタン寸法は０．２μｍであり、ア
ルコール無添加の現像液による場合と同程度であった。
しかし、１時間当りのウェハ処理枚数は２０枚となり、
従来現像液の４倍となった。また、アルミニウム膜の腐
食はみられなかった。
水溶液にエチルアルコールを全量の９容量％添加したも
のを用い、現像処理時間を３分間とした以外は実施例１
と同様にパタン形成を行なった。但し、この現像液によ
るレジスト層のＴｃは３０秒であった。得られたレジス
トパタンの最小解像パタン寸法は０．２μｍであり、ア
ルコール無添加の現像液による場合と同程度であった。
しかし、１時間当りのウェハ処理枚数は２０枚となり、
従来現像液の４倍となった。また、アルミニウム膜の腐
食はみられなかった。
【００３６】実施例３ レジスト現像液として、０．２７N−ＴＭＡＨアルカリ
水溶液に、メチルエチルケトンを全量の４容量％添加し
たものを用い、現像処理時間を１分３０秒とした以外は
実施例１と同様にパタン形成を行なった。但し、この現
像液によるレジスト層のＴｃは１５秒であった。得られ
たレジストパタンの最小解像パタン寸法は０．２μｍで
あり、アルコール無添加の現像液による場合と同程度で
あった。しかし、１時間当りのウェハ処理枚数は４０枚
となり、従来現像液の８倍となった。また、アルミニウ
ム膜の腐食はみられなかった。
水溶液に、メチルエチルケトンを全量の４容量％添加し
たものを用い、現像処理時間を１分３０秒とした以外は
実施例１と同様にパタン形成を行なった。但し、この現
像液によるレジスト層のＴｃは１５秒であった。得られ
たレジストパタンの最小解像パタン寸法は０．２μｍで
あり、アルコール無添加の現像液による場合と同程度で
あった。しかし、１時間当りのウェハ処理枚数は４０枚
となり、従来現像液の８倍となった。また、アルミニウ
ム膜の腐食はみられなかった。
【００３７】実施例４ レジスト現像液として、０．２７N−ＴＭＡＨアルカリ
水溶液に、イソプロピルアルコールを全量の１７容量％
添加したものを用い、現像処理時間を２分間とした以外
は実施例１と同様にパタン形成を行なった。但し、この
現像液によるレジスト層のＴｃは２０秒であった。得ら
れたレジストパタンの最小解像パタン寸法は０．２μｍ
であり、アルコール無添加の従来現像液による場合と同
程度であった。しかし、１時間当りのウェハ処理枚数は
３０枚となり、従来現像液の６倍となった。また、アル
ミニウム膜の腐食はみられなかった。
水溶液に、イソプロピルアルコールを全量の１７容量％
添加したものを用い、現像処理時間を２分間とした以外
は実施例１と同様にパタン形成を行なった。但し、この
現像液によるレジスト層のＴｃは２０秒であった。得ら
れたレジストパタンの最小解像パタン寸法は０．２μｍ
であり、アルコール無添加の従来現像液による場合と同
程度であった。しかし、１時間当りのウェハ処理枚数は
３０枚となり、従来現像液の６倍となった。また、アル
ミニウム膜の腐食はみられなかった。
【００３８】
【発明の効果】本発明のレジスト現像液を本発明のパタ
ン形成方法に適用することにより、レジストの現像処理
時間を大幅に短縮できる。
ン形成方法に適用することにより、レジストの現像処理
時間を大幅に短縮できる。
【００３９】その結果、１時間当りのウェハ処理枚数が
増加し、量産性、作業性が向上する。
増加し、量産性、作業性が向上する。
【００４０】また、基板のアルカリ水溶液中への浸漬時
間が短くなることにより、アルカリ水溶液による基板の
腐食を防ぐことができる。これは、特に、基板上にアル
ミニウム、銅、銀、タンタル、タングステン等のアルカ
リ水溶液に対して腐食性をもつ導伝層を設けた被加工体
に対して有効である。
間が短くなることにより、アルカリ水溶液による基板の
腐食を防ぐことができる。これは、特に、基板上にアル
ミニウム、銅、銀、タンタル、タングステン等のアルカ
リ水溶液に対して腐食性をもつ導伝層を設けた被加工体
に対して有効である。
【図１】パタン形成方法を示す工程図であり、（Ａ）
従来のレジスト現像液を用いた場合、（Ｂ） 本発明の
レジスト現像液を用いた場合を示す。
従来のレジスト現像液を用いた場合、（Ｂ） 本発明の
レジスト現像液を用いた場合を示す。
【図２】ＴＭＡＨアルカリ水溶液へのアルコール添加量
と、未露光レジスト層の完全溶解時間Ｔｃとの関係を示
すグラフである。
と、未露光レジスト層の完全溶解時間Ｔｃとの関係を示
すグラフである。
１ 基板 ２ 導伝層 ３ レジスト層 ４ マスク ５ レジストパタン ６ アンダーカット状腐食部 ７ 高エネルギー線 ８ メチルアルコール ９ イソプロピルアルコール １０ エチルアルコール １１ イソブチルアルコール １２ ノルマルブチルアルコール １３ ノルマルペンチルアルコール
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松田 維人 東京都千代田区内幸町一丁目１番６号 日 本電信電話株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 アルカリ水溶液に一般式ＣnＨ2n+1ＯＨ
又はＣn'Ｈ2n'+1ＣＯＣn"Ｈ2n"+1（但し、ｎ、ｎ’及び
ｎ”は整数であり、１≦ｎ≦７、１≦ｎ’≦４、ｎ’≦
ｎ”≦ｎ’＋３である。）で示されるアルコール又はケ
トンを少なくとも１混合してなるレジスト現像液。 - 【請求項２】 アルカリ水溶液が、テトラメチルアンモ
ニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）アルカリ水溶液
である請求項１に記載のレジスト現像液。 - 【請求項３】 被加工基板上にノボラック樹脂を母材と
するレジスト材料を塗布してレジスト層を形成した後、
該被加工基板をプリベークし、次いで前記レジスト層に
所望のパタン形状に対応して高エネルギー線を照射し、
更にレジスト現像液により前記レジスト層を現像処理し
て所望のレジストパタンを得るパタン形成方法におい
て、前記レジスト現像液が請求項１又は２記載のレジス
ト現像液であることを特徴とするパタン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31089691A JPH05142787A (ja) | 1991-11-26 | 1991-11-26 | レジスト現像液及びパタン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31089691A JPH05142787A (ja) | 1991-11-26 | 1991-11-26 | レジスト現像液及びパタン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05142787A true JPH05142787A (ja) | 1993-06-11 |
Family
ID=18010690
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31089691A Pending JPH05142787A (ja) | 1991-11-26 | 1991-11-26 | レジスト現像液及びパタン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05142787A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU701102B2 (en) * | 1995-11-02 | 1999-01-21 | Toyo Kohan Co. Ltd. | Method and equipment for production of laminated metal sheet |
| JP2010134239A (ja) * | 2008-12-05 | 2010-06-17 | Jsr Corp | レジストパターン形成方法及びレジストパターン形成用現像液 |
-
1991
- 1991-11-26 JP JP31089691A patent/JPH05142787A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU701102B2 (en) * | 1995-11-02 | 1999-01-21 | Toyo Kohan Co. Ltd. | Method and equipment for production of laminated metal sheet |
| JP2010134239A (ja) * | 2008-12-05 | 2010-06-17 | Jsr Corp | レジストパターン形成方法及びレジストパターン形成用現像液 |
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