JPS6197653A - 高コントラストのポジのホトレジストの現像法 - Google Patents
高コントラストのポジのホトレジストの現像法Info
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- JPS6197653A JPS6197653A JP60232277A JP23227785A JPS6197653A JP S6197653 A JPS6197653 A JP S6197653A JP 60232277 A JP60232277 A JP 60232277A JP 23227785 A JP23227785 A JP 23227785A JP S6197653 A JPS6197653 A JP S6197653A
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
- G03F7/322—Aqueous alkaline compositions
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はポジのホトレジストの現像系およびポジのホト
レジストを現像するための改良された方法、より詳細に
は現像されたホトレジストのコントラストを高めるため
のアルカリ可溶性樹脂−ジアゾケトンホトレジストの処
理に用いられる改良窟れた二工程現像システムに関する
。本発明方法はポジのホトレジストが塗布された基板を
露光し、次いで１前浸漬（ｐｒａｄｉｐ）”浴に浸漬し
、リンスし、次いで二浴系現像浴のうち第２浴に浸漬す
る二浴系な使用するものである。
レジストを現像するための改良された方法、より詳細に
は現像されたホトレジストのコントラストを高めるため
のアルカリ可溶性樹脂−ジアゾケトンホトレジストの処
理に用いられる改良窟れた二工程現像システムに関する
。本発明方法はポジのホトレジストが塗布された基板を
露光し、次いで１前浸漬（ｐｒａｄｉｐ）”浴に浸漬し
、リンスし、次いで二浴系現像浴のうち第２浴に浸漬す
る二浴系な使用するものである。
ポジのホトレジストは一般に有機溶剤に溶解したノボラ
ック樹脂およびジアゾナフトキノンスルホン酸エステル
からなる。レジストは通常は回転塗布法により、シリコ
ンウェーハに施される。シリコンウェーハは二酸化ケイ
素、アルミニウム、窒化ケイ素、ガラス、その他県積回
路の加工に一般に用いられる材料の薄い被膜を有しても
よい。
ック樹脂およびジアゾナフトキノンスルホン酸エステル
からなる。レジストは通常は回転塗布法により、シリコ
ンウェーハに施される。シリコンウェーハは二酸化ケイ
素、アルミニウム、窒化ケイ素、ガラス、その他県積回
路の加工に一般に用いられる材料の薄い被膜を有しても
よい。
塗布されたウェーハは、ウェーハ上に檀々の回路部品を
形成するためのパターンを与えるマスクを介して露光さ
れる。パターイは浸漬、噴霧、またはウェーハに現像液
のパドル（ｐｓｄｄｌｇ）を乗せることにより現像され
る。噴霧またはパドル現像中にウェーハは静止してｉて
もよく、または回転させてもよいが、過剰の現像液は通
常はウェーハを約５０００デｐｒｎに加速することによ
り振り落とされる。
形成するためのパターンを与えるマスクを介して露光さ
れる。パターイは浸漬、噴霧、またはウェーハに現像液
のパドル（ｐｓｄｄｌｇ）を乗せることにより現像され
る。噴霧またはパドル現像中にウェーハは静止してｉて
もよく、または回転させてもよいが、過剰の現像液は通
常はウェーハを約５０００デｐｒｎに加速することによ
り振り落とされる。
現像用配合物の調製に用−られる塩基は、この目的に用
いることが知られている一般的な水溶性塩基群から選ぶ
ことができ、たとえば金属水酸化物（たとえば水酸化ナ
トリウム、水酸化カリウム）、ケイ酸ナトリウム、炭酸
カリウムなどが含まれる。
いることが知られている一般的な水溶性塩基群から選ぶ
ことができ、たとえば金属水酸化物（たとえば水酸化ナ
トリウム、水酸化カリウム）、ケイ酸ナトリウム、炭酸
カリウムなどが含まれる。
現像中は、露光レジスト層が基板に達するまで完全に除
去される条件下において、未露光レジストに対しできる
限り攻隼が少ないことがきわめて望ましい。露光レジス
トに対し未露光レジストの溶解速度が低いほどコントラ
ストは高い。コントラストが高い場合、明確な垂直壁を
もつパターンが得られ、その結果ホトレジスト被膜にマ
スク寸法が正確に再現される。
去される条件下において、未露光レジストに対しできる
限り攻隼が少ないことがきわめて望ましい。露光レジス
トに対し未露光レジストの溶解速度が低いほどコントラ
ストは高い。コントラストが高い場合、明確な垂直壁を
もつパターンが得られ、その結果ホトレジスト被膜にマ
スク寸法が正確に再現される。
本発明は半導体加工中にアルミニウム金属インターコネ
クトを適所に設けるための簡潔な方法である１リフトオ
フ（１ｉｆをｏｆｆ）”操作に用いられる。アンダーカ
ットされたレジストプロフィールは、レジストフィルム
中に現像された開口により定められるパターン中の基板
上にアルミニウム蒸気を堆積させるシャドーマスクをな
す。レジスト上に堆積したアルミニウムは、レジストが
適宜な溶剤により溶解除去される際に除去される。残存
アルミニウムはあらかじめ定められたインターコネクト
のパターンをもつ基板に強固に付着されたままである。
クトを適所に設けるための簡潔な方法である１リフトオ
フ（１ｉｆをｏｆｆ）”操作に用いられる。アンダーカ
ットされたレジストプロフィールは、レジストフィルム
中に現像された開口により定められるパターン中の基板
上にアルミニウム蒸気を堆積させるシャドーマスクをな
す。レジスト上に堆積したアルミニウムは、レジストが
適宜な溶剤により溶解除去される際に除去される。残存
アルミニウムはあらかじめ定められたインターコネクト
のパターンをもつ基板に強固に付着されたままである。
１す７トオフ１法は米国特許第４，２１２，９３５明朗
ｍｖ１ｒに記載されている。その明ａＳの教示によれば
、壁面プロフィールの制御は露光前（ただし現像前）に
レジスト塗布されたウェーノーを有機溶剤（たとえばク
ロルベンゼン）中に予備浸漬することにより達成きれる
。有毒な可燃性有機溶剤は健康、安全性および環境上の
問題のため望ましくない。本発明は少ｆＩｔのフルオロ
化合物またはカルボキシル化界面活性剤を含有する水溶
液を使用する。この種の水溶液は健康および安全性の観
点からＭ機溶剤よりも好ましい。
ｍｖ１ｒに記載されている。その明ａＳの教示によれば
、壁面プロフィールの制御は露光前（ただし現像前）に
レジスト塗布されたウェーノーを有機溶剤（たとえばク
ロルベンゼン）中に予備浸漬することにより達成きれる
。有毒な可燃性有機溶剤は健康、安全性および環境上の
問題のため望ましくない。本発明は少ｆＩｔのフルオロ
化合物またはカルボキシル化界面活性剤を含有する水溶
液を使用する。この種の水溶液は健康および安全性の観
点からＭ機溶剤よりも好ましい。
水性金属系現像液を用いる二重浸漬法の予想外の特色は
、これにより露光に応じて垂直からアンダーカットまで
壁面プロフィールを制御しうろことである。このように
頂部が広く、底部が狭いプロフィールを製造しうること
は、１リフトオフ”法に用いるために特に！要である。
、これにより露光に応じて垂直からアンダーカットまで
壁面プロフィールを制御しうろことである。このように
頂部が広く、底部が狭いプロフィールを製造しうること
は、１リフトオフ”法に用いるために特に！要である。
出願中の米国特許出願第５０５，５７１号明細書（１９
８３年６月１７日出願、′高コントラストホトレジスト
用現像液“）には、フルオロ化合物系界面活性剤を水性
アルカリ金属系現像浴に含有させることにより高いコン
トラストが得られると述べられている。アルカリ金属系
現像液による１回浸漬現像を行うこの系においては、追
加量の露光ウェーハを現像するのに伴って、レジストの
コントラストおよび感度は浴の使用が長くなると共に劣
化する傾向を示す。従って、ホトレジストのコントラス
トおよび感度が浴寿命全体にわたって本質的に変化しな
い安全かつ有効な系が求められていることは明らかであ
る。
８３年６月１７日出願、′高コントラストホトレジスト
用現像液“）には、フルオロ化合物系界面活性剤を水性
アルカリ金属系現像浴に含有させることにより高いコン
トラストが得られると述べられている。アルカリ金属系
現像液による１回浸漬現像を行うこの系においては、追
加量の露光ウェーハを現像するのに伴って、レジストの
コントラストおよび感度は浴の使用が長くなると共に劣
化する傾向を示す。従って、ホトレジストのコントラス
トおよび感度が浴寿命全体にわたって本質的に変化しな
い安全かつ有効な系が求められていることは明らかであ
る。
本発明によれば、ホトレジストに高いコントラストを与
えるポジのホトレジスト用の金属イオン塩基系水性現像
液が提供される。得られるガンマ値は５以上であり、通
常は７以上である。高いコントラストはホトレジスト画
像形成に際して良好な線幅制御およびプロセスラチチュ
ードを与える。
えるポジのホトレジスト用の金属イオン塩基系水性現像
液が提供される。得られるガンマ値は５以上であり、通
常は７以上である。高いコントラストはホトレジスト画
像形成に際して良好な線幅制御およびプロセスラチチュ
ードを与える。
本発明は本質的に、現像浴の寿命全体にわたって有意に
低下することのない高いコントラストのｉｉｉ＋儂およ
び長期の浴寿命を与える二浴系の金属イオン系現像用組
成物を用いる新規な方法にある。
低下することのない高いコントラストのｉｉｉ＋儂およ
び長期の浴寿命を与える二浴系の金属イオン系現像用組
成物を用いる新規な方法にある。
本発明の要素は二浴系からなる。すなわち（１） 必
ずしも現像を生じない濃度に調整された、水性アルカリ
金属塩基、およびフルオロ化合物系もしくはカルボキシ
ル化界面活性剤を含有する予備浸漬液、ならびに（１１
）実質的に完全な現像を生じる濃度に調整された、水性
アルカリ金属水酸化物、およびフルオロ化合物系もしく
はカルボキシル化界面活性剤を含有する現像液である。
ずしも現像を生じない濃度に調整された、水性アルカリ
金属塩基、およびフルオロ化合物系もしくはカルボキシ
ル化界面活性剤を含有する予備浸漬液、ならびに（１１
）実質的に完全な現像を生じる濃度に調整された、水性
アルカリ金属水酸化物、およびフルオロ化合物系もしく
はカルボキシル化界面活性剤を含有する現像液である。
本発明の現像液と共に用いられるホトレジストは、露光
に際して露光部分の組成物がより可溶性となる増感剤−
樹脂組成物である。
に際して露光部分の組成物がより可溶性となる増感剤−
樹脂組成物である。
この種のポジのホトレジストに用いられる適切な増感剤
は分子の隣接部分にジアゾ基およびケト基を有するジア
ゾケトン、たとえば米国特許第２．９５８，５９９ ：
３，０４６，１１０ ：３．０４６．１１４ ；３．０
４６，１１６ ：３，０４６，１１８ ：３，０４６．
１１９ ；３、ｏ４６．１２１ ：３，０４６，１２２
：３，０４６．１２３ ：３．１０６．４６５ ：３
，１４８．９８３ ；３，６）５，７０９ ：３．７１
１．２８５ ： ４，１７４，２２２号明細書に記載さ
れたキノンジアジドスルホン酸誘導体である。
は分子の隣接部分にジアゾ基およびケト基を有するジア
ゾケトン、たとえば米国特許第２．９５８，５９９ ：
３，０４６，１１０ ：３．０４６．１１４ ；３．０
４６，１１６ ：３，０４６，１１８ ：３，０４６．
１１９ ；３、ｏ４６．１２１ ：３，０４６，１２２
：３，０４６．１２３ ：３．１０６．４６５ ：３
，１４８．９８３ ；３，６）５，７０９ ：３．７１
１．２８５ ： ４，１７４，２２２号明細書に記載さ
れたキノンジアジドスルホン酸誘導体である。
これらの明細書を参考としてここに引用する。ポジのホ
トレジストに用いられる代表的な感光性化合物の例を表
１に示す。
トレジストに用いられる代表的な感光性化合物の例を表
１に示す。
これらの光活性化合物は樹脂の溶解性を高める作用を示
す。露光に際しこれらの光活性ジアゾナフトキノンはカ
ルボン＠奢生成する化学反応を行い、これにより露光領
域のホトレジストの溶解速度が高められる。
す。露光に際しこれらの光活性ジアゾナフトキノンはカ
ルボン＠奢生成する化学反応を行い、これにより露光領
域のホトレジストの溶解速度が高められる。
一般に１個よりも多いジアゾナフトキノン基を含む光増
感剤が好ましい。これらはより高いコントラストのホト
レジストを与えると思われるからである。適切なアルカ
リ可溶性樹脂をポジのホトレジストｌこ用いることがで
きる。本発明により考慮されるものは、予備重合させた
フェノール−アルデヒド樹脂、たとえばフェノールホル
ムアルデヒドであり、これらはノボラック樹脂として知
られ、市販されている。この種の樹脂は九とえば米国特
許第３，２０１．２３９；３．８６８．２５４；４．１
２３．２１９および４，１７３．４７０明朗側寄に示さ
れている。それらの記載を参考としてここに引用する。
感剤が好ましい。これらはより高いコントラストのホト
レジストを与えると思われるからである。適切なアルカ
リ可溶性樹脂をポジのホトレジストｌこ用いることがで
きる。本発明により考慮されるものは、予備重合させた
フェノール−アルデヒド樹脂、たとえばフェノールホル
ムアルデヒドであり、これらはノボラック樹脂として知
られ、市販されている。この種の樹脂は九とえば米国特
許第３，２０１．２３９；３．８６８．２５４；４．１
２３．２１９および４，１７３．４７０明朗側寄に示さ
れている。それらの記載を参考としてここに引用する。
これらの７工ノールーアルデヒド樹脂系化合物は有機溶
剤および水性アルカリ性溶液Ｉこ可溶性でなけれはなら
ない。
剤および水性アルカリ性溶液Ｉこ可溶性でなけれはなら
ない。
多数のフェノール系化合物およびアルデヒドもしくはア
ルデヒド生成化合物が周知の合成法によりノボラック樹
脂を与えるであろう。使用できる７ 工／ −ル系化合
物にはフェノール、キシレノール、クレゾール、レゾル
シノール、ナフトール、ハイドロキノン、アルキルフェ
ノールおヨヒハロゲン化フェノールが含１れるが、これ
らに限定されるものではない。使用できるアルデヒド２
よびアルデヒド生成化合物の例はホルムアルデヒド、ア
セトアルデヒド、パラホルムアルデヒド、ホルマリン、
アクロレイン、クロトンアルデヒドおよびフルフラール
である。
ルデヒド生成化合物が周知の合成法によりノボラック樹
脂を与えるであろう。使用できる７ 工／ −ル系化合
物にはフェノール、キシレノール、クレゾール、レゾル
シノール、ナフトール、ハイドロキノン、アルキルフェ
ノールおヨヒハロゲン化フェノールが含１れるが、これ
らに限定されるものではない。使用できるアルデヒド２
よびアルデヒド生成化合物の例はホルムアルデヒド、ア
セトアルデヒド、パラホルムアルデヒド、ホルマリン、
アクロレイン、クロトンアルデヒドおよびフルフラール
である。
本発明により用いられる予備浸漬浴は、本質的な成分と
してフルオロ化合物またはカルボキシル化界面活性剤金
含有する塩基性水溶液からなる。
してフルオロ化合物またはカルボキシル化界面活性剤金
含有する塩基性水溶液からなる。
塩基性溶液のアルカリ度金調整するために用いられる各
種塩基の例には水酸化カリウム、炭酸カリウム、水酸化
ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、水酸化リチウム、水酸
化テトラメチルアンモニウム、水酸化（２−ヒドロキシ
エチル）トリメチルアンセニウム、水酸化テトラ（２−
にドロキシエチル）アンモニウム、水散化テトラエチル
アンモニウム、または水酸化アンモニウムなどが含ｌれ
る。特番こ炭酸カリウムおよび水酸化カリウムの使用が
実用上有利である。
種塩基の例には水酸化カリウム、炭酸カリウム、水酸化
ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、水酸化リチウム、水酸
化テトラメチルアンモニウム、水酸化（２−ヒドロキシ
エチル）トリメチルアンセニウム、水酸化テトラ（２−
にドロキシエチル）アンモニウム、水散化テトラエチル
アンモニウム、または水酸化アンモニウムなどが含ｌれ
る。特番こ炭酸カリウムおよび水酸化カリウムの使用が
実用上有利である。
予備浸漬浴に使用できるフルオロカーボン系界面活性剤
は次式により表わされるものである。
は次式により表わされるものである。
Ｒｆ−１’−（ＣＨ鵞ＣＭ！Ｏ） −Ｅ上記式中Ｙは基
−ＣＭ雪ＣＨ鵞Ｏ−５５（ｈＮＲ’、ＳＯ，、Ｓ Ｏ＠
Ｎ （７１’ ） ＣＨ＊ＣＯ＊、Ｃへおよび一〇〇−
ＭＥ’よりなる評から選ばれる基でありｐｎｆは式Ｃｐ
Ｉｌｐ＋ｓ（ここでｐｌ−Ｊ３〜１７の整数でめる）の
直鎖′ｔたは分枝鎖でらり：Ｒは水素原子、または炭素
原子１〜３０個のアシル基もしくはアルキル基であり；
惰は２〜２６の整数でおり、好１しくはｍ１ｄ５〜２６
の整数であり；Ｒ′は水素原子、または炭素原子１〜６
個のアルキル基である。この種のフルオロカーボン系界
面活性剤の例は衆１に含１れるもの、およびそれらの混
合物である。
−ＣＭ雪ＣＨ鵞Ｏ−５５（ｈＮＲ’、ＳＯ，、Ｓ Ｏ＠
Ｎ （７１’ ） ＣＨ＊ＣＯ＊、Ｃへおよび一〇〇−
ＭＥ’よりなる評から選ばれる基でありｐｎｆは式Ｃｐ
Ｉｌｐ＋ｓ（ここでｐｌ−Ｊ３〜１７の整数でめる）の
直鎖′ｔたは分枝鎖でらり：Ｒは水素原子、または炭素
原子１〜３０個のアシル基もしくはアルキル基であり；
惰は２〜２６の整数でおり、好１しくはｍ１ｄ５〜２６
の整数であり；Ｒ′は水素原子、または炭素原子１〜６
個のアルキル基である。この種のフルオロカーボン系界
面活性剤の例は衆１に含１れるもの、およびそれらの混
合物である。
我！
例 フルオロ化合物系界面活性剤、
ＣＦｍ （ＣＦ！ンｅ ＣＨｚＣＢｔＯＣＣＨ＊
ＣＨｚＯ）４Ｈｃ ＣＦｓＣＣｒｔ）ｓ Ｓ（ｈ
ＮＨ（ＣｆｆｔＣＨｔＯ）ｓ＊ ＣＨｓｄＣＦ、ＣＣＦ
雪）ａ ５Ｏｒ−０−ＣＣＨ＊ＣＨ冨０）ｓ−ＣＨｍａ
ＣＦｓＣＣｒｔ）＠ −Ｃｏ−０−ＣＣＩ
ｈＣＨｚＯ）＊ ＣＪ＊本発明に使用できるカルボキ
シル化界面活性剤は一般に次式に従う。
ＣＦｍ （ＣＦ！ンｅ ＣＨｚＣＢｔＯＣＣＨ＊
ＣＨｚＯ）４Ｈｃ ＣＦｓＣＣｒｔ）ｓ Ｓ（ｈ
ＮＨ（ＣｆｆｔＣＨｔＯ）ｓ＊ ＣＨｓｄＣＦ、ＣＣＦ
雪）ａ ５Ｏｒ−０−ＣＣＨ＊ＣＨ冨０）ｓ−ＣＨｍａ
ＣＦｓＣＣｒｔ）＠ −Ｃｏ−０−ＣＣＩ
ｈＣＨｚＯ）＊ ＣＪ＊本発明に使用できるカルボキ
シル化界面活性剤は一般に次式に従う。
％式％
上記式中Ｒは炭素原子６〜１８個の脂肪族残基でるり、
Ｒ３はＣ８〜Ｃ１アルキル置換基であり、外は２〜４の
値をＮシ、毒はｌ−１００の値を有し、ＸはＨ＋、Ｎａ
＋、に＋、Ｌｉ＋、ＮＨ，”、ジェタノールアミン、ト
リエタノールアミン、Ａｔ＋＋、Ｃｓ→、Ｃａ科、Ｍ（
１←およびＳｒ＋＋ よりなる群から選ばれる陽イオン
性置換基である。
Ｒ３はＣ８〜Ｃ１アルキル置換基であり、外は２〜４の
値をＮシ、毒はｌ−１００の値を有し、ＸはＨ＋、Ｎａ
＋、に＋、Ｌｉ＋、ＮＨ，”、ジェタノールアミン、ト
リエタノールアミン、Ａｔ＋＋、Ｃｓ→、Ｃａ科、Ｍ（
１←およびＳｒ＋＋ よりなる群から選ばれる陽イオン
性置換基である。
代表的なカルボキシル化界面活性剤は表■に示すもので
ある。懺には上記式に２けるＲおよびＨに関する値を示
す。
ある。懺には上記式に２けるＲおよびＨに関する値を示
す。
表 ■
１ Ｇ１３
７２Ｃ１２−Ｃ１５５ ３Ｃ１２１２ ４Ｃ１３１１ ６Ｃ１６−Ｃ１８４ ７Ｃ１６−Ｃ１８８ ８Ｃ’１６−Ｃ１８２４ ９Ｃ１８１２ １０Ｃ１６１２ １１ｉ−Ｃ１８５ １２ｉ−Ｃ１８１０ １３Ｃ６１ １４Ｃ２４ Ｉｓ Ｃ４４ 現像浴中に使用される界面活性剤もこれと同じ群から選
ぶことができる。現像液中に約０．０００１〜１．０％
の範囲の根度の界面＠性剤七使用することが有利である
。より有効な水準のフルオロカーボン系またはカルボキ
シル化界面活性剤はｏ、ｏｏｓ〜０．５％の範囲である
。好ましい範囲は０．００１〜０・１％である。感度の
水準を維持するためにアルカリ金属水酸化物の濃度を変
化させなげればならない。界面活性剤が多いほど現像液
はより濃厚でなければならな−０ 現像浴中に使用される塩基は金属水酸化物型のものであ
る。これらの塩基の例は水酸化す） ＋７ウム、水酸化
カリウム、ケイ酸ナトリウム、および水酸化リチウムで
ある。現像浴は少なくとも９のｐＨ１一般に約１０５以
上のｐＨで作動する。
７２Ｃ１２−Ｃ１５５ ３Ｃ１２１２ ４Ｃ１３１１ ６Ｃ１６−Ｃ１８４ ７Ｃ１６−Ｃ１８８ ８Ｃ’１６−Ｃ１８２４ ９Ｃ１８１２ １０Ｃ１６１２ １１ｉ−Ｃ１８５ １２ｉ−Ｃ１８１０ １３Ｃ６１ １４Ｃ２４ Ｉｓ Ｃ４４ 現像浴中に使用される界面活性剤もこれと同じ群から選
ぶことができる。現像液中に約０．０００１〜１．０％
の範囲の根度の界面＠性剤七使用することが有利である
。より有効な水準のフルオロカーボン系またはカルボキ
シル化界面活性剤はｏ、ｏｏｓ〜０．５％の範囲である
。好ましい範囲は０．００１〜０・１％である。感度の
水準を維持するためにアルカリ金属水酸化物の濃度を変
化させなげればならない。界面活性剤が多いほど現像液
はより濃厚でなければならな−０ 現像浴中に使用される塩基は金属水酸化物型のものであ
る。これらの塩基の例は水酸化す） ＋７ウム、水酸化
カリウム、ケイ酸ナトリウム、および水酸化リチウムで
ある。現像浴は少なくとも９のｐＨ１一般に約１０５以
上のｐＨで作動する。
１２以上のｐＨを用いることが好ましい。
予備浸漬浴中に用いられる界面活性剤の濃度は予備浸漬
浴の０．０００１〜１．０％の範囲である。
浴の０．０００１〜１．０％の範囲である。
一般に界面活性剤の濃度は予備浸漬浴中の方が現像浴中
よりも高い。より有効な水準は０・００１〜１％である
。予備浸漬浴中の界面活性剤の水準がこれよりも高いこ
との火点は、主として過剰の界面活性剤の損失でめる。
よりも高い。より有効な水準は０・００１〜１％である
。予備浸漬浴中の界面活性剤の水準がこれよりも高いこ
との火点は、主として過剰の界面活性剤の損失でめる。
２ルオロ化合物系またはカルボキシル化界面活性剤を含
有する予備浸漬浴水溶液を調製する際に先きに述べた種
類の塩基の濃度は、ホトレジＴｈ）フィルムが著しく溶
解し、その結果測定しうるほどのフィルム損失が生じる
ことのない程度に低くなければならない。アルカリ水溶
液中へのホトレジストの溶解しやすさは異なるので、塩
基濃度をレジストの溶解性に合わせる必要がある。予備
浸漬液中の塩基濃度は現像液中の塩基濃度の約０．１〜
１００％である。好ましい範囲は現像液中の塩基強度の
１０〜２５％でらる。
有する予備浸漬浴水溶液を調製する際に先きに述べた種
類の塩基の濃度は、ホトレジＴｈ）フィルムが著しく溶
解し、その結果測定しうるほどのフィルム損失が生じる
ことのない程度に低くなければならない。アルカリ水溶
液中へのホトレジストの溶解しやすさは異なるので、塩
基濃度をレジストの溶解性に合わせる必要がある。予備
浸漬液中の塩基濃度は現像液中の塩基濃度の約０．１〜
１００％である。好ましい範囲は現像液中の塩基強度の
１０〜２５％でらる。
以下の具体例は本発明を説明するものである。
各例中の詳述は特許請求の範囲に示されたもの以外は限
定と解すべきでない。
定と解すべきでない。
ホトレジスト被膜はノボラック樹脂およびｉｔの式１５
に示した種類の光増感剤をＩＰ！１転塗布することによ
り調製された。使用した基板は少なくとも１６時間、２
００℃の脱水ベーキングを行い；次−で塗布直前にキシ
レン中５０％へキサメチルジシラザン溶液で２０秒間処
理されたシリコンウェーハでめった。ウェーハは厚さ１
μ惜のフィルムが得られるように回転された。塗布され
たウェーハを強制通風を熱対流炉内で１００ｃにおいて
３０分間ベーキングした。ベーキング後に、同一ウェー
ハ上に種々の露光水準を与える徨々の光学密度の窓をも
つオプトラインＣ０ｐｔｏ−ＬｉＳｅ）ステップタブレ
ット解像マスクを介して、ウェー／％を紫外線に露光し
た。入射露光は無露光から、レジストが基板に達するほ
ど十分に露光される１でのものでめった。
に示した種類の光増感剤をＩＰ！１転塗布することによ
り調製された。使用した基板は少なくとも１６時間、２
００℃の脱水ベーキングを行い；次−で塗布直前にキシ
レン中５０％へキサメチルジシラザン溶液で２０秒間処
理されたシリコンウェーハでめった。ウェーハは厚さ１
μ惜のフィルムが得られるように回転された。塗布され
たウェーハを強制通風を熱対流炉内で１００ｃにおいて
３０分間ベーキングした。ベーキング後に、同一ウェー
ハ上に種々の露光水準を与える徨々の光学密度の窓をも
つオプトラインＣ０ｐｔｏ−ＬｉＳｅ）ステップタブレ
ット解像マスクを介して、ウェー／％を紫外線に露光し
た。入射露光は無露光から、レジストが基板に達するほ
ど十分に露光される１でのものでめった。
例 １゜
金属イオン系現像液、ｐよび金属イオン予備現像液
ホトレジスト全上記の回転塗布法に記載した常法により
塗布、予備ベーキング、および露光した。
塗布、予備ベーキング、および露光した。
次いでゾニル（？ｏｎｙｌ ）ＦＥＮ界面活性剤、０２
６％を含む、１３５Ｍ−ＫＯＨの予備浸漬（予備現像）
液にウェーハを３０秒間浸漬し、水で１分間リンスし、
次いで、２７１Ｎ−ＫＯＨ，，０１２５％ゾニルＦＥＮ
および、００４５％ノボラック樹脂の溶液で１分間現像
した。
６％を含む、１３５Ｍ−ＫＯＨの予備浸漬（予備現像）
液にウェーハを３０秒間浸漬し、水で１分間リンスし、
次いで、２７１Ｎ−ＫＯＨ，，０１２５％ゾニルＦＥＮ
および、００４５％ノボラック樹脂の溶液で１分間現像
した。
ウェーハ’ｉ 、０２６％ゾニルＦＳＮ界面活性剤を含
む、４３５Ｎ−ＫＯＨの予備浸漬液のみに浸漬した場合
、レジストは現像されない。むしろ予備浸漬工程により
狭面が塗布または改質され、これ番こよす現像液は露光
ホトレジストを除去し、現像液の寿命全体にわたって一
定の感度および高いコントラスト１−維持することがで
きる。浴寿命全体にわたって感度は１６〜１８惰Ｊ々が
でめった。ガンマ値、スなわちコントラストは８〜７で
あった。
む、４３５Ｎ−ＫＯＨの予備浸漬液のみに浸漬した場合
、レジストは現像されない。むしろ予備浸漬工程により
狭面が塗布または改質され、これ番こよす現像液は露光
ホトレジストを除去し、現像液の寿命全体にわたって一
定の感度および高いコントラスト１−維持することがで
きる。浴寿命全体にわたって感度は１６〜１８惰Ｊ々が
でめった。ガンマ値、スなわちコントラストは８〜７で
あった。
例 ２．（比較例）
予備現像液を使用しない点を除いて、例１の操作を繰返
した。ガンマ値すなわちコントラストは現像液の浴寿命
全体にわたって８から３に変化することが認められた。
した。ガンマ値すなわちコントラストは現像液の浴寿命
全体にわたって８から３に変化することが認められた。
画像のＥＥＭ写真は、金属イオン系予備処理液を金属イ
オン系現像液と共に用いた場合に金属リフトオフ性に使
用できるプロフィールを示す。このプロフィールはホト
レジストを予備処理するためにクロルベンゼンを用いて
得られたものと類似する。
オン系現像液と共に用いた場合に金属リフトオフ性に使
用できるプロフィールを示す。このプロフィールはホト
レジストを予備処理するためにクロルベンゼンを用いて
得られたものと類似する。
例 ８゜
前記の一般法に記載したと同様な常法によりホトレジス
トヲ塗布、予備ベーキング、および露光した。次いで、
界面活性剤アルキルポリオキシエチレンカルボキシレー
ト（表■、式１ ） ８３ ｐｐｍを含む、０３６Ｎ水
酸化カリウムの予備浸漬浴にウェー／−１３０秒間浸漬
し、水で３０秒間リンスし、次いで、２Ｎ＊酸化カリウ
ム中で７５秒間現像した。
トヲ塗布、予備ベーキング、および露光した。次いで、
界面活性剤アルキルポリオキシエチレンカルボキシレー
ト（表■、式１ ） ８３ ｐｐｍを含む、０３６Ｎ水
酸化カリウムの予備浸漬浴にウェー／−１３０秒間浸漬
し、水で３０秒間リンスし、次いで、２Ｎ＊酸化カリウ
ム中で７５秒間現像した。
感度は１８ ｍｊ／ｃｗｔ”でちり、コントラストは現
像液の浴寿命全体にわたって５．０であった。
像液の浴寿命全体にわたって５．０であった。
例 ４゜
予備浸漬液中に界面活性剤（弐■、式２）ｆ、用いた点
を除いて、例３の操作を繰返した。
を除いて、例３の操作を繰返した。
感度は２５ ｍｊ／ｃＩＩＬ”であり、コントラストｔ
ｉｔ現像液の寿命全体にわたって７でちった。
ｉｔ現像液の寿命全体にわたって７でちった。
例３および４で用いたアルキルポリオキシエチレンカル
ボキシレートのほかに、他の種々のカルボキシル化界面
活性剤（その化学式は表■に示される）、たとえばラウ
リルドデカ（エチレンオキシ）−２−酢ａ、２−（ヘキ
シルポリ（エチレンン〕酢酸などを使用できる。
ボキシレートのほかに、他の種々のカルボキシル化界面
活性剤（その化学式は表■に示される）、たとえばラウ
リルドデカ（エチレンオキシ）−２−酢ａ、２−（ヘキ
シルポリ（エチレンン〕酢酸などを使用できる。
本発明を紫外線（２９０〜５００ｎ％）に対して感受性
のポジのホトレジストに関して記述したが、新規な現像
液は陽電子ビーム、Ｘ線、イオンビーム、深部紫外！（
２２０〜２９０％−ＦＦＬ）その他の放射線に感受性の
リンスＨこも利用できる。
のポジのホトレジストに関して記述したが、新規な現像
液は陽電子ビーム、Ｘ線、イオンビーム、深部紫外！（
２２０〜２９０％−ＦＦＬ）その他の放射線に感受性の
リンスＨこも利用できる。
本発明を好ましい実施態様につき特に記述したが、本発
明の精神および範凹から逸脱することなく形態および細
部の変更ｔなレラることは当業者憂こＩＩ′ｉ理屑され
るでろろう。
明の精神および範凹から逸脱することなく形態および細
部の変更ｔなレラることは当業者憂こＩＩ′ｉ理屑され
るでろろう。
（外５名）
Claims (7)
- （１）（ａ）露光されたフィルムを、フルオロカーボン
系もしくはカルボキシル化界面活性剤よりなる群から選
ばれる界面活性剤約０．０００１〜約１．０％（予備処
理液の重量に対し）およびアルカリ性となすのに十分な
塩基を含有する水性アルカリ性予備処理液と接触させ； （ｂ）工程（ａ）で得られた予備処理されたフィルムを
水性リンスし；そして （ｃ）こうして工程（ｂ）で得られた予備処理されたフ
ィルムを、少なくとも９のｐＨを有しかつフルオロカー
ボン系およびカルボキシル化界面活性剤よりなる群から
選ばれる界面活性剤少なくとも０．０００１％（現像液
の重量に対し）を含有する水性現像液と接触させて、フ
ィルムの露光部分を溶解させる ことよりなる、基板上に塗布され、放射線に露光されて
表面レリーフパターンを形成した、キノンジアジドスル
ホン酸誘導体およびアルカリ可溶性樹脂からなるポジの
放射線感受性レジストフィルムの現像法。 - （２）工程（ａ）の予備処理液のアルカリ度が工程（ｃ
）の現像液のアルカリ度の約１０〜約７５％である、特
許請求の範囲第１項に記載の方法。 - （３）界面活性剤が現像液の総重量に対し０．００１〜
０．１％の範囲で存在する、特許請求の範囲第１項に記
載の方法。 - （４）工程（ａ）の予備処理液のアルカリ度が水酸化カ
リウムの添加により調整される、特許請求の範囲第１項
に記載の方法。 - （５）工程（ａ）の予備処理液のアルカリ度が炭酸カリ
ウムの添加により調整される、特許請求の範囲第１項に
記載の方法。 - （６）工程（ａ）および（ｃ）に用いられる界面活性剤
がフルオロカーボン系界面活性剤であり、次式 Ｒｆ−Ｙ−（ＣＨ＿２ＣＨ＿２Ｏ）＿ｍＲ 〔式中Ｙは基−ＣＨ＿２ＣＨ＿２Ｏ−、−ＳＯ＿２ＮＲ
′、ＳＯ＿３、ＳＯ＿２Ｎ（Ｒ′）ＣＨ＿２ＣＯ＿２、
ＣＯ＿２および−ＣＯ−ＮＲ′よりなる群から選ばれる
基であり：Ｒｆは式Ｃ＿ｐＦ＿２＿ｐ＿＋＿１（ここで
ｐは３〜１７の整数である）の直鎖または分枝鎖であり
；Ｒは水素原子、または炭素原子１〜３０個のアシル基
もしくはアルキル基であり；ｍは２〜２６の整数であり
、好ましくはｍは５〜２６の整数であり；Ｒ′は水素原
子、または炭素原子１〜６個のアルキル基である〕で表
わされる、特許請求の範囲第１項に記載の方法。 - （７）工程（ａ）および（ｃ）に用いられる界面活性剤
がカルボキシル化界面活性剤であり、次式 Ｒ−Ｏ−（Ｃ＿ｎＨ＿２＿ｎＯ）＿ｍＲ＿１ＣＯＯＸ（
式中Ｒは炭素原子６〜１８個の脂肪族残基であり、Ｒ＿
１はＣ＿１〜Ｃ＿３アルキル置換基であり、ｎは２〜４
の値を有し、ｍは１〜１００の値を有し、ＸはＨ＾＋、
Ｎａ＾＋、Ｋ＾＋、Ｌｉ＾＋、ＮＨ＿４、ジエタノール
アミン、トリエタノールアミン、Ａｌ＾＋＾＋ｆ、Ｃｕ
＾＋＾＋、Ｍｇ＾＋＾＋およびＳｒ＾＋＾＋よりなる群
から選ばれる）により表わされる、特許請求の範囲第１
項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/661,751 US4613561A (en) | 1984-10-17 | 1984-10-17 | Method of high contrast positive O-quinone diazide photoresist developing using pretreatment solution |
| US661751 | 1991-02-27 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6197653A true JPS6197653A (ja) | 1986-05-16 |
| JPH0573227B2 JPH0573227B2 (ja) | 1993-10-13 |
Family
ID=24654968
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60232277A Granted JPS6197653A (ja) | 1984-10-17 | 1985-10-17 | 高コントラストのポジのホトレジストの現像法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4613561A (ja) |
| EP (1) | EP0178495B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6197653A (ja) |
| KR (1) | KR890000804B1 (ja) |
| CN (1) | CN85107347A (ja) |
| CA (1) | CA1261194A (ja) |
| DE (1) | DE3576742D1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61121436A (ja) * | 1984-11-19 | 1986-06-09 | Fujitsu Ltd | レジスト現像方法 |
| JPS63158552A (ja) * | 1986-12-23 | 1988-07-01 | Fuji Photo Film Co Ltd | 平版印刷版の製造方法 |
| JP4817579B2 (ja) * | 2000-02-26 | 2011-11-16 | ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ，エル．エル．シー． | 欠陥の削減方法 |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH063549B2 (ja) * | 1984-12-25 | 1994-01-12 | 株式会社東芝 | ポジ型フォトレジスト現像液組成物 |
| JPS622254A (ja) * | 1985-06-27 | 1987-01-08 | Fuji Photo Film Co Ltd | 感光材料の現像方法 |
| US4822722A (en) * | 1985-07-18 | 1989-04-18 | Petrarch Systems, Inc. | Process of using high contrast photoresist developer with enhanced sensitivity to form positive resist image |
| US4784937A (en) * | 1985-08-06 | 1988-11-15 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Developing solution for positive-working photoresist comprising a metal ion free organic base and an anionic surfactant |
| JPS6232453A (ja) * | 1985-08-06 | 1987-02-12 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ポジ型ホトレジスト用現像液 |
| US4710449A (en) * | 1986-01-29 | 1987-12-01 | Petrarch Systems, Inc. | High contrast low metal ion positive photoresist developing method using aqueous base solutions with surfactants |
| JPH0638159B2 (ja) * | 1986-07-18 | 1994-05-18 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型ホトレジスト用現像液 |
| JPH01177541A (ja) * | 1988-01-07 | 1989-07-13 | Fuji Photo Film Co Ltd | 平版印刷版の製造方法 |
| DE4027299A1 (de) * | 1990-08-29 | 1992-03-05 | Hoechst Ag | Entwicklerzusammensetzung fuer bestrahlte, strahlungsempfindliche, positiv und negativ arbeitende sowie umkehrbare reprographische schichten und verfahren zur entwicklung solcher schichten |
| US5164286A (en) * | 1991-02-01 | 1992-11-17 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | Photoresist developer containing fluorinated amphoteric surfactant |
| DE4419166A1 (de) * | 1994-06-01 | 1995-12-07 | Hoechst Ag | Entwickler für Photoresistschichten |
| JPH08235645A (ja) * | 1995-02-28 | 1996-09-13 | Pioneer Video Corp | 光記録媒体用現像方法及び光記録媒体用現像装置 |
| US5811221A (en) * | 1997-05-30 | 1998-09-22 | Kodak Polychrome Graphics, Llc | Alkaline developing composition and method of use to process lithographic printing plates |
| US6083662A (en) * | 1997-05-30 | 2000-07-04 | Kodak Polychrome Graphics Llc | Methods of imaging and printing with a positive-working infrared radiation sensitive printing plate |
| US6063550A (en) * | 1998-04-29 | 2000-05-16 | Morton International, Inc. | Aqueous developing solutions for reduced developer residue |
| JP3328250B2 (ja) * | 1998-12-09 | 2002-09-24 | 岸本産業株式会社 | レジスト残渣除去剤 |
| US7208049B2 (en) | 2003-10-20 | 2007-04-24 | Air Products And Chemicals, Inc. | Process solutions containing surfactants used as post-chemical mechanical planarization treatment |
| US7348300B2 (en) | 1999-05-04 | 2008-03-25 | Air Products And Chemicals, Inc. | Acetylenic diol ethylene oxide/propylene oxide adducts and processes for their manufacture |
| JP2001023893A (ja) * | 1999-07-12 | 2001-01-26 | Nec Corp | フォトレジストパターンの形成方法 |
| WO2002023598A2 (en) * | 2000-09-15 | 2002-03-21 | Infineon Technologies North America Corp. | A method to reduce post-development defects without sacrificing throughput |
| JP3869306B2 (ja) * | 2001-08-28 | 2007-01-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像処理方法および現像液塗布装置 |
| JP4414758B2 (ja) * | 2001-10-03 | 2010-02-10 | エーエスエムエル ホールディング エヌ．ブイ． | 表面付近に吐出される液体ジェットの相互混合を緩和するための方法及び装置 |
| US6641986B1 (en) | 2002-08-12 | 2003-11-04 | Air Products And Chemicals, Inc. | Acetylenic diol surfactant solutions and methods of using same |
| US6852465B2 (en) * | 2003-03-21 | 2005-02-08 | Clariant International Ltd. | Photoresist composition for imaging thick films |
| AU2003286758A1 (en) | 2003-07-17 | 2005-03-07 | Honeywell International Inc | Planarization films for advanced microelectronic applications and devices and methods of production thereof |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3586504A (en) * | 1969-10-24 | 1971-06-22 | Eastman Kodak Co | Photoresist developers and methods |
| US3682641A (en) * | 1970-03-23 | 1972-08-08 | Du Pont | Photoresist developer extender baths containing polyoxyalkylene ethers and esters and process of use |
| US3891439A (en) * | 1972-11-02 | 1975-06-24 | Polychrome Corp | Aqueous developing composition for lithographic diazo printing plates |
| US3868254A (en) * | 1972-11-29 | 1975-02-25 | Gaf Corp | Positive working quinone diazide lithographic plate compositions and articles having non-ionic surfactants |
| US3961100A (en) * | 1974-09-16 | 1976-06-01 | Rca Corporation | Method for developing electron beam sensitive resist films |
| US3961101A (en) * | 1974-09-16 | 1976-06-01 | Rca Corporation | Process for improved development of electron-beam-sensitive resist films |
| US4359520A (en) * | 1977-11-23 | 1982-11-16 | International Business Machines Corporation | Enhancement of resist development |
| US4212935A (en) * | 1978-02-24 | 1980-07-15 | International Business Machines Corporation | Method of modifying the development profile of photoresists |
| DE2921142A1 (de) * | 1979-05-25 | 1980-12-11 | Bayer Ag | Verwendung von perfluoralkansulfonamid- salzen als tenside |
| US4275100A (en) * | 1980-01-04 | 1981-06-23 | Rca Corporation | Video disc processing |
| US4307178A (en) * | 1980-04-30 | 1981-12-22 | International Business Machines Corporation | Plasma develoment of resists |
| US4302348A (en) * | 1980-09-23 | 1981-11-24 | The Drackett Company | Hard surface cleaning compositions |
-
1984
- 1984-10-17 US US06/661,751 patent/US4613561A/en not_active Expired - Lifetime
-
1985
- 1985-09-23 EP EP85112031A patent/EP0178495B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1985-09-23 DE DE8585112031T patent/DE3576742D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1985-09-30 CN CN198585107347A patent/CN85107347A/zh active Pending
- 1985-10-04 CA CA000492256A patent/CA1261194A/en not_active Expired
- 1985-10-16 KR KR1019850007629A patent/KR890000804B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1985-10-17 JP JP60232277A patent/JPS6197653A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61121436A (ja) * | 1984-11-19 | 1986-06-09 | Fujitsu Ltd | レジスト現像方法 |
| JPS63158552A (ja) * | 1986-12-23 | 1988-07-01 | Fuji Photo Film Co Ltd | 平版印刷版の製造方法 |
| JP4817579B2 (ja) * | 2000-02-26 | 2011-11-16 | ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ，エル．エル．シー． | 欠陥の削減方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR890000804B1 (ko) | 1989-04-07 |
| KR860003533A (ko) | 1986-05-26 |
| CN85107347A (zh) | 1986-08-20 |
| DE3576742D1 (de) | 1990-04-26 |
| JPH0573227B2 (ja) | 1993-10-13 |
| US4613561A (en) | 1986-09-23 |
| CA1261194A (en) | 1989-09-26 |
| EP0178495A2 (en) | 1986-04-23 |
| EP0178495A3 (en) | 1986-07-23 |
| EP0178495B1 (en) | 1990-03-21 |
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