JPH0446947B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0446947B2 JPH0446947B2 JP63162745A JP16274588A JPH0446947B2 JP H0446947 B2 JPH0446947 B2 JP H0446947B2 JP 63162745 A JP63162745 A JP 63162745A JP 16274588 A JP16274588 A JP 16274588A JP H0446947 B2 JPH0446947 B2 JP H0446947B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mixture
- substrate
- photosensitive
- coating
- naphthoquinone
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 63
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 48
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 47
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 claims abstract description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 36
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 35
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 10
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 7
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 5
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 claims description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 claims description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 claims 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 27
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 27
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 abstract description 11
- TUXAJHDLJHMOQB-UHFFFAOYSA-N 2-diazonio-4-sulfonaphthalen-1-olate Chemical compound C1=CC=C2C(S(=O)(=O)O)=CC([N+]#N)=C([O-])C2=C1 TUXAJHDLJHMOQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- ZRYCRPNCXLQHPN-UHFFFAOYSA-N 3-hydroxy-2-methylbenzaldehyde Chemical compound CC1=C(O)C=CC=C1C=O ZRYCRPNCXLQHPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- SLGWESQGEUXWJQ-UHFFFAOYSA-N formaldehyde;phenol Chemical compound O=C.OC1=CC=CC=C1 SLGWESQGEUXWJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 abstract description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 18
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 description 17
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 15
- 238000011161 development Methods 0.000 description 13
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 13
- 239000010408 film Substances 0.000 description 11
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 11
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 10
- -1 ester compounds Chemical class 0.000 description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 8
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 7
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 5
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 4
- 239000003623 enhancer Substances 0.000 description 4
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 4
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OAHMVZYHIJQTQC-UHFFFAOYSA-N 4-cyclohexylphenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C1CCCCC1 OAHMVZYHIJQTQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L Magnesium sulfate Chemical compound [Mg+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 3
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 238000013019 agitation Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000000994 contrast dye Substances 0.000 description 3
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 3
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 3
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 3
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 3
- CNRNYORZJGVOSY-UHFFFAOYSA-N 2,5-diphenyl-1,3-oxazole Chemical compound C=1N=C(C=2C=CC=CC=2)OC=1C1=CC=CC=C1 CNRNYORZJGVOSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SNBKPVVDUBFDEJ-UHFFFAOYSA-N 4-cyclopentylphenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C1CCCC1 SNBKPVVDUBFDEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WISWLZYHZLVSMO-UHFFFAOYSA-N 6-phenyl-2-(4-phenylphenyl)-1,3-benzoxazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=C(C=2OC3=CC(=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)C=C1 WISWLZYHZLVSMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-M Bicarbonate Chemical compound OC([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PVNIIMVLHYAWGP-UHFFFAOYSA-N Niacin Chemical compound OC(=O)C1=CC=CN=C1 PVNIIMVLHYAWGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001665 Poly-4-vinylphenol Polymers 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical group C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000000664 diazo group Chemical group [N-]=[N+]=[*] 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- CSFWPUWCSPOLJW-UHFFFAOYSA-N lawsone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C(O)=CC(=O)C2=C1 CSFWPUWCSPOLJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Natural products C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVEIBLDXZNGPHR-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,4-dione;diazide Chemical class [N-]=[N+]=[N-].[N-]=[N+]=[N-].C1=CC=C2C(=O)C=CC(=O)C2=C1 QVEIBLDXZNGPHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 238000000425 proton nuclear magnetic resonance spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 150000003459 sulfonic acid esters Chemical class 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 1,2-Dichloroethane Chemical compound ClCCCl WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005160 1H NMR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 2-methoxyethyl acetate Chemical compound COCCOC(C)=O XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVLNDCLPPGIRCP-UHFFFAOYSA-N 2-nitro-3-phenylprop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C([N+]([O-])=O)=CC1=CC=CC=C1 YVLNDCLPPGIRCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- JUQPZRLQQYSMEQ-UHFFFAOYSA-N CI Basic red 9 Chemical compound [Cl-].C1=CC(N)=CC=C1C(C=1C=CC(N)=CC=1)=C1C=CC(=[NH2+])C=C1 JUQPZRLQQYSMEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004115 Sodium Silicate Substances 0.000 description 1
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 235000021355 Stearic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000011354 acetal resin Substances 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910000288 alkali metal carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000008041 alkali metal carbonates Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005215 alkyl ethers Chemical class 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 229940052223 basic fuchsin Drugs 0.000 description 1
- 239000007853 buffer solution Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- OEYIOHPDSNJKLS-UHFFFAOYSA-N choline Chemical compound C[N+](C)(C)CCO OEYIOHPDSNJKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001231 choline Drugs 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N cyclohexanol Chemical compound OC1CCCCC1 HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HPXRVTGHNJAIIH-PTQBSOBMSA-N cyclohexanol Chemical group O[13CH]1CCCCC1 HPXRVTGHNJAIIH-PTQBSOBMSA-N 0.000 description 1
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 1
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical group OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- USEUJPGSYMRJHM-UHFFFAOYSA-N formaldehyde;4-methylphenol Chemical compound O=C.CC1=CC=C(O)C=C1 USEUJPGSYMRJHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 229910052943 magnesium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019341 magnesium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- CZRKJHRIILZWRC-UHFFFAOYSA-N methyl acetate;propane-1,2-diol Chemical compound COC(C)=O.CC(O)CO CZRKJHRIILZWRC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001471 micro-filtration Methods 0.000 description 1
- 238000001393 microlithography Methods 0.000 description 1
- 229960003512 nicotinic acid Drugs 0.000 description 1
- 235000001968 nicotinic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000011664 nicotinic acid Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Natural products CCCCCCCC(C)CCCCCCCCC(O)=O OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IWDCLRJOBJJRNH-UHFFFAOYSA-N p-cresol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1 IWDCLRJOBJJRNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006287 phenoxy resin Polymers 0.000 description 1
- 239000013034 phenoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- OXNIZHLAWKMVMX-UHFFFAOYSA-N picric acid Chemical compound OC1=C([N+]([O-])=O)C=C([N+]([O-])=O)C=C1[N+]([O-])=O OXNIZHLAWKMVMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Chemical group COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229940051201 quinoline yellow Drugs 0.000 description 1
- IZMJMCDDWKSTTK-UHFFFAOYSA-N quinoline yellow Chemical compound C1=CC=CC2=NC(C3C(C4=CC=CC=C4C3=O)=O)=CC=C21 IZMJMCDDWKSTTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000012752 quinoline yellow Nutrition 0.000 description 1
- 239000004172 quinoline yellow Substances 0.000 description 1
- 239000002516 radical scavenger Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- RCTGMCJBQGBLKT-PAMTUDGESA-N scarlet red Chemical compound CC1=CC=CC=C1\N=N\C(C=C1C)=CC=C1\N=N\C1=C(O)C=CC2=CC=CC=C12 RCTGMCJBQGBLKT-PAMTUDGESA-N 0.000 description 1
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 235000019795 sodium metasilicate Nutrition 0.000 description 1
- 239000001488 sodium phosphate Substances 0.000 description 1
- 229910000162 sodium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052911 sodium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- HPALAKNZSZLMCH-UHFFFAOYSA-M sodium;chloride;hydrate Chemical class O.[Na+].[Cl-] HPALAKNZSZLMCH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000011877 solvent mixture Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000008117 stearic acid Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 150000003460 sulfonic acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- HQUQLFOMPYWACS-UHFFFAOYSA-N tris(2-chloroethyl) phosphate Chemical compound ClCCOP(=O)(OCCCl)OCCCl HQUQLFOMPYWACS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYFMWSXOAZQYPI-UHFFFAOYSA-K trisodium phosphate Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].[O-]P([O-])([O-])=O RYFMWSXOAZQYPI-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Phenolic Resins Or Amino Resins (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は感光性の1,2−ナフトキノン−2−
ジアジド−4−スルホン酸モノエステル化合物に
関する。さらに、本発明はこれらの1,2−ナフ
トキノン−2−ジアジド−4−スルホン酸モノエ
ステル感光性化合物とともにアルカリ可溶性の樹
脂を含有する、ポジ型のフオトレジスト組成物と
して有用な感光性混合物と、同じくこれで被覆し
た基体とに関している。
ジアジド−4−スルホン酸モノエステル化合物に
関する。さらに、本発明はこれらの1,2−ナフ
トキノン−2−ジアジド−4−スルホン酸モノエ
ステル感光性化合物とともにアルカリ可溶性の樹
脂を含有する、ポジ型のフオトレジスト組成物と
して有用な感光性混合物と、同じくこれで被覆し
た基体とに関している。
従来の技術
フオトレジスト組成物は、微小な電子部品を作
るためのマイクロソリグラフ法において、集積回
路や印刷配線板回路などの製造に際して用いられ
ている。一般的にこれらの方法では、フオトレジ
スト組成物のうすい皮膜または塗膜が、集積回路
を作るのに用いるシリコンウエハ、または印刷配
線板用のアルミニウムもしくは銅版のような基体
材料にまず付与される。この被覆済みの基体は、
ついで基体上に塗膜を固着するためにベークされ
る。基体のベーク済み被覆表面は次に画像状の輻
射線露光を受ける。この輻射線露光は、皮膜面の
露光された区域に化学的の変化を生じさせる。輻
射線源には紫外線光(UV)と電子ビームエネル
ギが、現在マイクロリソグラフ法で普通に用いら
れている。この画像状露光の後で、基体皮膜面の
輻射線露光をされた区域あるいは未露光区域のい
ずれかを溶解し除去するため、被覆済み基体は現
像液で処理される。
るためのマイクロソリグラフ法において、集積回
路や印刷配線板回路などの製造に際して用いられ
ている。一般的にこれらの方法では、フオトレジ
スト組成物のうすい皮膜または塗膜が、集積回路
を作るのに用いるシリコンウエハ、または印刷配
線板用のアルミニウムもしくは銅版のような基体
材料にまず付与される。この被覆済みの基体は、
ついで基体上に塗膜を固着するためにベークされ
る。基体のベーク済み被覆表面は次に画像状の輻
射線露光を受ける。この輻射線露光は、皮膜面の
露光された区域に化学的の変化を生じさせる。輻
射線源には紫外線光(UV)と電子ビームエネル
ギが、現在マイクロリソグラフ法で普通に用いら
れている。この画像状露光の後で、基体皮膜面の
輻射線露光をされた区域あるいは未露光区域のい
ずれかを溶解し除去するため、被覆済み基体は現
像液で処理される。
フオトレジスト組成物にはネガ型とポジ型との
2つの形式がある。ネガ型のフオトレジスト組成
物を輻射線に対して画像状に露光したとき、輻射
線に露光されたレジスト組成物の区域は現在液に
対して不溶性となり(即ち架橋化反応が生じ)、
これに反しフオトレジスト塗膜の未露光区域は現
像液に対して可溶性のままである。このように、
現像液で露光したネガ型レジストを処理すると、
レジスト塗膜の未露光部が除去されフオトレジス
ト塗膜中にネガ画像が生成される。一方ポジ型フ
オトレジスト組成物が輻射線に対し画像状に露光
されると、輻射線に露光されたレジスト組成物の
区域は現像液に対して可溶性となり(即ち分解反
応が生じ)、これに反し露光されなかつた区域は
現像液に対して不溶性のままである。このように
現像液で露光したポジ型レジストを処理すると、
レジスト塗膜の露光部が除去されフオトレジスト
塗膜中にポジ画像が生成される。
2つの形式がある。ネガ型のフオトレジスト組成
物を輻射線に対して画像状に露光したとき、輻射
線に露光されたレジスト組成物の区域は現在液に
対して不溶性となり(即ち架橋化反応が生じ)、
これに反しフオトレジスト塗膜の未露光区域は現
像液に対して可溶性のままである。このように、
現像液で露光したネガ型レジストを処理すると、
レジスト塗膜の未露光部が除去されフオトレジス
ト塗膜中にネガ画像が生成される。一方ポジ型フ
オトレジスト組成物が輻射線に対し画像状に露光
されると、輻射線に露光されたレジスト組成物の
区域は現像液に対して可溶性となり(即ち分解反
応が生じ)、これに反し露光されなかつた区域は
現像液に対して不溶性のままである。このように
現像液で露光したポジ型レジストを処理すると、
レジスト塗膜の露光部が除去されフオトレジスト
塗膜中にポジ画像が生成される。
この現像操作の後で、部分的に保護されなくな
つた基体は、基体エツチ液またはプラズマガスま
たは同様のものが処理される。このエツチ液また
はプラズマガスは、フオトレジスト塗膜が現像中
に除去された基体の部分をエツチする。フオトレ
ジスト塗膜がまだ残つている基体の区域は保護さ
れ、かくして活性輻射線の画像状の露光に対応し
たエツチ図形が基体材料中に生成する。この後
で、フオトレジスト塗膜の残部は剥離工程で除去
され、エツチングのすんだ清浄な基体面とされ
る。
つた基体は、基体エツチ液またはプラズマガスま
たは同様のものが処理される。このエツチ液また
はプラズマガスは、フオトレジスト塗膜が現像中
に除去された基体の部分をエツチする。フオトレ
ジスト塗膜がまだ残つている基体の区域は保護さ
れ、かくして活性輻射線の画像状の露光に対応し
たエツチ図形が基体材料中に生成する。この後
で、フオトレジスト塗膜の残部は剥離工程で除去
され、エツチングのすんだ清浄な基体面とされ
る。
ポジ型のフオトレジスト組成物は解像性と図形
伝達とが一般に良いため、ネガ型のフオトレジス
トよりも今日賞用されている。
伝達とが一般に良いため、ネガ型のフオトレジス
トよりも今日賞用されている。
フオトレジストの解像性には、レジスト組成物
が露光と現像の後で、画像の縁の高度の鮮鋭性と
ともにフオトマスクから基体へと伝達できる。幾
何学的等間隔パターンに下限がある、今日の多く
の製造上の利用では、1ミクロンまたはこれ以下
の程度のレジストの解像性が必要である。
が露光と現像の後で、画像の縁の高度の鮮鋭性と
ともにフオトマスクから基体へと伝達できる。幾
何学的等間隔パターンに下限がある、今日の多く
の製造上の利用では、1ミクロンまたはこれ以下
の程度のレジストの解像性が必要である。
これに加えて、現像したフオトレジストの側面
は基体に対してほぼ垂直であるのがのぞましい。
レジスト塗膜の現像および未現像区域間のこのよ
うな形の境界は、エツチング後に基体上にマスク
像の正確な図形伝達をする。
は基体に対してほぼ垂直であるのがのぞましい。
レジスト塗膜の現像および未現像区域間のこのよ
うな形の境界は、エツチング後に基体上にマスク
像の正確な図形伝達をする。
各種成分でポジ型フオトレジスト組成物は作ら
れている。光安定な、水不溶性、アルカリ可溶性
そして皮膜形成性の樹脂(または樹脂混合物)が
通常主要な固体成分である。フエノール−ホルム
アルデヒドノボラツクおよびクレゾール−ホルム
アルデヒドノボラツクおよびポリビニルフエノー
ルなどが、このような樹脂の良く知られたものの
例である。1つまたはいくつかの感光性化合物
(また光活性化合物または感光剤として知られて
いる)がフオトレジスト組成物中に存在してい
る。ナフトキノンジアジド化合物はかかる感光剤
の例である。皮膜がこの樹脂成分から作られたと
き、これはアルカリ性の水系現像液中に可溶性で
ある。しかしながら、この感光剤の添加は現像液
中での皮膜の溶解を抑制する。このポジ型フオト
レジスト組成物を被覆した基体を輻射線の画像状
露光したとき、この感光剤は塗膜の露光された区
域において輻射線誘発化学変換を生じる。この光
化学的変換は、アルカリ性現像液中で皮膜形成樹
脂について感光剤が有していた溶解抑制性を除去
してしまう。従つて、塗膜の輻射線露光区域はい
まや未露光区域よりもアルカリ性水系現像液に対
してより可能性となるのである。この溶解速度の
相違は、被覆済み基体がアルカリ性の水系現像液
中に浸されたとき、フオトレジスト皮膜の溶解を
生ずるが、未露光区域はほとんど影響がなく、か
くして基体上にポジのレリーフ図形が生成され
る。
れている。光安定な、水不溶性、アルカリ可溶性
そして皮膜形成性の樹脂(または樹脂混合物)が
通常主要な固体成分である。フエノール−ホルム
アルデヒドノボラツクおよびクレゾール−ホルム
アルデヒドノボラツクおよびポリビニルフエノー
ルなどが、このような樹脂の良く知られたものの
例である。1つまたはいくつかの感光性化合物
(また光活性化合物または感光剤として知られて
いる)がフオトレジスト組成物中に存在してい
る。ナフトキノンジアジド化合物はかかる感光剤
の例である。皮膜がこの樹脂成分から作られたと
き、これはアルカリ性の水系現像液中に可溶性で
ある。しかしながら、この感光剤の添加は現像液
中での皮膜の溶解を抑制する。このポジ型フオト
レジスト組成物を被覆した基体を輻射線の画像状
露光したとき、この感光剤は塗膜の露光された区
域において輻射線誘発化学変換を生じる。この光
化学的変換は、アルカリ性現像液中で皮膜形成樹
脂について感光剤が有していた溶解抑制性を除去
してしまう。従つて、塗膜の輻射線露光区域はい
まや未露光区域よりもアルカリ性水系現像液に対
してより可能性となるのである。この溶解速度の
相違は、被覆済み基体がアルカリ性の水系現像液
中に浸されたとき、フオトレジスト皮膜の溶解を
生ずるが、未露光区域はほとんど影響がなく、か
くして基体上にポジのレリーフ図形が生成され
る。
置換ナフトキノンジアジド感光剤については
1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−5または
4−スルホン酸のシクロヘキサノールモノエステ
ル(シユミツト氏の米国特許第2767092号参照)、
ベンゼン置換体(ノイゲバウアー氏の米国特許第
3106465号、ウールリツヒ氏他の米国特許第
313047号およびサス氏他の同第3640992号参照)、
およびシクロヘキサノール置換体(ドイツチ氏他
の米国特許第3823130号参照)などがある。
1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−5または
4−スルホン酸のシクロヘキサノールモノエステ
ル(シユミツト氏の米国特許第2767092号参照)、
ベンゼン置換体(ノイゲバウアー氏の米国特許第
3106465号、ウールリツヒ氏他の米国特許第
313047号およびサス氏他の同第3640992号参照)、
およびシクロヘキサノール置換体(ドイツチ氏他
の米国特許第3823130号参照)などがある。
ポジ型フオトレジスト組成物は皮膜形成樹脂と
感光剤とのほかに好ましくその他の成分を含んで
いる。例えば、1つまたはいくつかの溶剤を加え
ることができる。乳酸エチル、エチレングリコー
ル酢酸メチルエーテル、プロピレングリコール酢
酸メチルエーテル、N−メチル−2−ピロリド
ン、およびエチルセロソルブアセテートとブチル
アセテートとキシレンとの混合物などが通常用い
られる溶剤の例である。樹脂と感光剤とは基体に
付与するのを容易とするために、溶剤または複数
の溶剤中に溶解される。
感光剤とのほかに好ましくその他の成分を含んで
いる。例えば、1つまたはいくつかの溶剤を加え
ることができる。乳酸エチル、エチレングリコー
ル酢酸メチルエーテル、プロピレングリコール酢
酸メチルエーテル、N−メチル−2−ピロリド
ン、およびエチルセロソルブアセテートとブチル
アセテートとキシレンとの混合物などが通常用い
られる溶剤の例である。樹脂と感光剤とは基体に
付与するのを容易とするために、溶剤または複数
の溶剤中に溶解される。
この他のフオトレジスト用添加剤の好ましいも
のには活性化およびコントラスト用色素、ならし
剤、可塑剤、速度増加剤などが含まれる。活性化
色素は、基体裏側に散乱する光を抑制することに
より解像性を増加させるのに役立つ。この裏面散
乱は光学的ノツチングに好ましくない作用を生
じ、ことに基体表面が高反射性であるかまたはそ
のような形をもつときに著しい。コントラスト用
色素は現像された画像の可視性を良くし、そして
製造中のパターン配列を容易とする。ならし剤は
フオトレジスト塗膜または皮膜を均一な厚みとす
るために平面化させる。このことは皮膜面に均一
な輻射線露光をするのに重要である。可視剤はフ
オトレジスト組成物の塗膜と接着性とを改善し、
基体上に平滑かつ均一な厚みのフオトレジストの
うすい塗膜または被覆の付与を可能とする。速度
増加剤は、露光部および未露光部のいずれにおい
ても、フオトレジスト塗膜の溶解性を増加させ、
そこでこれらはある程度コントラストがぎせいと
なることがあつても現像速度が考慮されるような
用途で用いられるが、フオトレジスト塗膜の露光
部は現像液により更に速やかに溶解するけれど
も、未露光部のフオトレジスト塗膜の大量の損失
も生ずるであろう。
のには活性化およびコントラスト用色素、ならし
剤、可塑剤、速度増加剤などが含まれる。活性化
色素は、基体裏側に散乱する光を抑制することに
より解像性を増加させるのに役立つ。この裏面散
乱は光学的ノツチングに好ましくない作用を生
じ、ことに基体表面が高反射性であるかまたはそ
のような形をもつときに著しい。コントラスト用
色素は現像された画像の可視性を良くし、そして
製造中のパターン配列を容易とする。ならし剤は
フオトレジスト塗膜または皮膜を均一な厚みとす
るために平面化させる。このことは皮膜面に均一
な輻射線露光をするのに重要である。可視剤はフ
オトレジスト組成物の塗膜と接着性とを改善し、
基体上に平滑かつ均一な厚みのフオトレジストの
うすい塗膜または被覆の付与を可能とする。速度
増加剤は、露光部および未露光部のいずれにおい
ても、フオトレジスト塗膜の溶解性を増加させ、
そこでこれらはある程度コントラストがぎせいと
なることがあつても現像速度が考慮されるような
用途で用いられるが、フオトレジスト塗膜の露光
部は現像液により更に速やかに溶解するけれど
も、未露光部のフオトレジスト塗膜の大量の損失
も生ずるであろう。
ポジ型のフオトレジストを作るのに多くの形式
の感光剤が用いられているが、特定の利用のため
特定の皮膜形成性樹脂とともに、あるいは特定の
溶剤または添加剤とともにより良い性能を示す新
規のものを見出す必要がある。そこで本発明はこ
のような事情の下に利点をもつ感光性化合物の新
規なものに向けて行われた。
の感光剤が用いられているが、特定の利用のため
特定の皮膜形成性樹脂とともに、あるいは特定の
溶剤または添加剤とともにより良い性能を示す新
規のものを見出す必要がある。そこで本発明はこ
のような事情の下に利点をもつ感光性化合物の新
規なものに向けて行われた。
発明の要点
本発明は、新規なものとして次の式()に相
当する1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−4
−スルホン酸のシクロアルキル置換フエノールモ
ノエステルに関するものである。
当する1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−4
−スルホン酸のシクロアルキル置換フエノールモ
ノエステルに関するものである。
ここでnは約2から約10の数である。
さらに本発明は
(a) 少なくとも1つのアルカリ可溶性樹脂;と
(b) 少なくとも1つの前記式()のモノエステ
ル化合物、とからなるポジ型フオトレジスト組
成物として有用な感光性混合物を包含する。
ル化合物、とからなるポジ型フオトレジスト組
成物として有用な感光性混合物を包含する。
その上本発明はこれらの感光性混合物で被覆さ
れた基体をも包含している。
れた基体をも包含している。
発明の具体的説明
本発明のエステル化合物は、1,2−ナフトキ
ノン−2−ジアジド−4−スルホン酸ハライドを
相当するシクロアルキル置換フエノールと反応さ
せることにより作ることができる。この反応は以
下の反応式(A)により示され、ここでは1,2−ナ
フトキノン−2−ジアジド−4−スルホン酸クロ
ライドと4−シクロヘキシルフエノールとがプレ
カーサーである。
ノン−2−ジアジド−4−スルホン酸ハライドを
相当するシクロアルキル置換フエノールと反応さ
せることにより作ることができる。この反応は以
下の反応式(A)により示され、ここでは1,2−ナ
フトキノン−2−ジアジド−4−スルホン酸クロ
ライドと4−シクロヘキシルフエノールとがプレ
カーサーである。
前記式()のエステル化合物は適当な溶剤中
に、好ましくはスルホン酸クロライドであるスル
ホン酸ハライドプレカーサーをまず溶解すること
により作られる。適当な溶剤はアセトン、ジオキ
サン、2−ブタノンまたはシクロヘキサノンなど
が含まれる。この液にシクロアルキル置換フエノ
ールを次いで添加する。この反応はアルカリ金属
炭酸塩または重炭酸塩、アルカリ土類金属炭酸塩
または重炭酸塩、第四級脂肪族アミンまたはピリ
ジンのような、酸スカベンジヤ塩基の存在下に都
合よく行われる。
に、好ましくはスルホン酸クロライドであるスル
ホン酸ハライドプレカーサーをまず溶解すること
により作られる。適当な溶剤はアセトン、ジオキ
サン、2−ブタノンまたはシクロヘキサノンなど
が含まれる。この液にシクロアルキル置換フエノ
ールを次いで添加する。この反応はアルカリ金属
炭酸塩または重炭酸塩、アルカリ土類金属炭酸塩
または重炭酸塩、第四級脂肪族アミンまたはピリ
ジンのような、酸スカベンジヤ塩基の存在下に都
合よく行われる。
この反応のエステル化生成物は反応混合物から
通常の手段によつて回収でき、好ましくはエチレ
ンクロライドまたはその他の水と混じり合わない
抽出溶剤で抽出されついで乾燥される。
通常の手段によつて回収でき、好ましくはエチレ
ンクロライドまたはその他の水と混じり合わない
抽出溶剤で抽出されついで乾燥される。
ポジ型のフオトレジスト組成物として有用な感
光性混合物を作るため、少なくとも1つの本発明
のエステル化合物がアルカリ可溶性の樹脂の1つ
またはいくつかと混合される。「アルカリ可溶性
樹脂」なる用語は、ポジ型フオトレジスト組成物
について普通に用いられている、アルカリ性水系
現像液中に完全に溶解する樹脂を意味するように
ここで用いられている。適当なアルカリ可溶性樹
脂にはフエノール−ホルムアルデヒドノボラツク
樹脂、クレゾール−ホルムアルデヒドノボラツク
樹脂、およびポリビニルフエノール樹脂などの約
500から約30000の分子量、さらに好ましくは約
1000から約20000のものが含まれる。これらのノ
ボラツク樹脂は、フエノールまたはクレゾールと
ホルムアルデヒドとの縮合反応により好ましく調
製され、光安定性、水不溶性、アルカリ可溶性そ
して皮膜形成性などにより特徴づけられる。もつ
とも好ましい程度のノボラツク樹脂は、メタノ−
およびパラ−クレゾール混合物とホルムアルデヒ
ドとの縮合反応により、約500から約5000の分子
量をもつものが作られる。かかる適当な樹脂の調
製例は米国特許第4377631号、同第4529682号およ
び同第4587196号中に説明されており、これらの
特許はいずれもメダート・トウキイ氏に対して認
可されたものであり、ここに参考として述べてお
く。
光性混合物を作るため、少なくとも1つの本発明
のエステル化合物がアルカリ可溶性の樹脂の1つ
またはいくつかと混合される。「アルカリ可溶性
樹脂」なる用語は、ポジ型フオトレジスト組成物
について普通に用いられている、アルカリ性水系
現像液中に完全に溶解する樹脂を意味するように
ここで用いられている。適当なアルカリ可溶性樹
脂にはフエノール−ホルムアルデヒドノボラツク
樹脂、クレゾール−ホルムアルデヒドノボラツク
樹脂、およびポリビニルフエノール樹脂などの約
500から約30000の分子量、さらに好ましくは約
1000から約20000のものが含まれる。これらのノ
ボラツク樹脂は、フエノールまたはクレゾールと
ホルムアルデヒドとの縮合反応により好ましく調
製され、光安定性、水不溶性、アルカリ可溶性そ
して皮膜形成性などにより特徴づけられる。もつ
とも好ましい程度のノボラツク樹脂は、メタノ−
およびパラ−クレゾール混合物とホルムアルデヒ
ドとの縮合反応により、約500から約5000の分子
量をもつものが作られる。かかる適当な樹脂の調
製例は米国特許第4377631号、同第4529682号およ
び同第4587196号中に説明されており、これらの
特許はいずれもメダート・トウキイ氏に対して認
可されたものであり、ここに参考として述べてお
く。
感光性混合物中の前記式()のエステル化合
物の割合は、好ましくは約5から約50パーセント
量の範囲であり、さらに好ましくは感光性混合物
の非揮発性成分(即ち溶剤をぬきにした)の重量
の約8から約30パーセント量である。感光性混合
中のアルカリ可溶性樹脂の割合は、好ましくは約
50から約95パーセント量の範囲であり、さらに好
ましくは感光性混合物の非揮発性成分(即ち溶剤
をぬきにした)の約70から約92パーセントであ
る。
物の割合は、好ましくは約5から約50パーセント
量の範囲であり、さらに好ましくは感光性混合物
の非揮発性成分(即ち溶剤をぬきにした)の重量
の約8から約30パーセント量である。感光性混合
中のアルカリ可溶性樹脂の割合は、好ましくは約
50から約95パーセント量の範囲であり、さらに好
ましくは感光性混合物の非揮発性成分(即ち溶剤
をぬきにした)の約70から約92パーセントであ
る。
これらの感光性混合物はまた溶剤、色素、なら
し剤、可塑性、速度増加剤、非イオン性界面活性
剤などのような、通常のフオトレジスト組成物の
成分を含むことができる。これらの追加的の成分
は、基体上に液を塗布する前にノボラツク樹脂と
感光剤の溶液に添加することができる。
し剤、可塑性、速度増加剤、非イオン性界面活性
剤などのような、通常のフオトレジスト組成物の
成分を含むことができる。これらの追加的の成分
は、基体上に液を塗布する前にノボラツク樹脂と
感光剤の溶液に添加することができる。
適当な溶剤の例としてはエチルセルソルブアセ
テート、酢酸ブチル、キシレン、乳酸エチル、プ
ロピレングリコールアルキルエーテルアセテー
ト、これらの混合物などが含まれる。溶剤の好ま
しい分量は、樹脂と感光剤の合計を基準として重
量で約50%から約500%で、さらに好ましくは約
100%から約300%である。
テート、酢酸ブチル、キシレン、乳酸エチル、プ
ロピレングリコールアルキルエーテルアセテー
ト、これらの混合物などが含まれる。溶剤の好ま
しい分量は、樹脂と感光剤の合計を基準として重
量で約50%から約500%で、さらに好ましくは約
100%から約300%である。
活性化色素の例は、約400〜460nmの光エネル
ギを吸収するもの〔例えばフアストブラウンB
(C.I.No.12010);フアストブラウンRR(C.I.No.
11285);2−ヒドロキシ−1,4−ナフトキノン
(C.I.No.75480)およびキノリンイエローA(C.I.No.
47000)〕および約300〜340nmの光エネルギを吸
収するもの〔例えば2,5−ジフエニルオキサゾ
ール(PPO−Chem.Abs.Reg.No.92−71−7)お
よび2−(4−ビフエニル)−6−フエニル−ベン
ゾオキサゾール(PBBO−Chem.Abs.Reg.No.
17064−47−0)〕などが含まれる。
ギを吸収するもの〔例えばフアストブラウンB
(C.I.No.12010);フアストブラウンRR(C.I.No.
11285);2−ヒドロキシ−1,4−ナフトキノン
(C.I.No.75480)およびキノリンイエローA(C.I.No.
47000)〕および約300〜340nmの光エネルギを吸
収するもの〔例えば2,5−ジフエニルオキサゾ
ール(PPO−Chem.Abs.Reg.No.92−71−7)お
よび2−(4−ビフエニル)−6−フエニル−ベン
ゾオキサゾール(PBBO−Chem.Abs.Reg.No.
17064−47−0)〕などが含まれる。
本発明の感光性混合物とともに用いることので
きるコントラスト用色素添加剤の例はソルベント
レツド24(C.I.No.26105)、ベーシツクフクシン
(C.I.No.42514)、オイルブルーN(C.I.No.61555)お
よびカルコレツドA(C.I.No.26125)などが含ま
れ、樹脂と感光剤との合計量を基準に、重量で10
%までの量で用いられる。
きるコントラスト用色素添加剤の例はソルベント
レツド24(C.I.No.26105)、ベーシツクフクシン
(C.I.No.42514)、オイルブルーN(C.I.No.61555)お
よびカルコレツドA(C.I.No.26125)などが含ま
れ、樹脂と感光剤との合計量を基準に、重量で10
%までの量で用いられる。
ならし剤は樹脂と感光剤との合計量を基準に、
重量で5%までの量で用いることができる。なら
し剤として適当なものの1つは非イオン性のシリ
コン変性ポリマである。非イオン界面活性剤をこ
の目的に用いることができ、これらは例えばノニ
ルフエノキシポリ(エチレンオキシ)エタノー
ル、オクチルフエノキシ(エチレンオキシ)エタ
ノール、およびジノニルフエノキシポリ(エチレ
ンオキシ)エタノールが含まれる。
重量で5%までの量で用いることができる。なら
し剤として適当なものの1つは非イオン性のシリ
コン変性ポリマである。非イオン界面活性剤をこ
の目的に用いることができ、これらは例えばノニ
ルフエノキシポリ(エチレンオキシ)エタノー
ル、オクチルフエノキシ(エチレンオキシ)エタ
ノール、およびジノニルフエノキシポリ(エチレ
ンオキシ)エタノールが含まれる。
使用できる可塑剤は例えばトリ−(β−クロロ
エチル)−リン酸エステル、ステアリン酸、ジカ
ンフアー、ポリプロピレン、アセタール樹脂、フ
エノキシ樹脂およびアルキル樹脂などが含まれ、
樹脂と感光剤との合計量を基準に、重量で10%ま
での量で用いられる。
エチル)−リン酸エステル、ステアリン酸、ジカ
ンフアー、ポリプロピレン、アセタール樹脂、フ
エノキシ樹脂およびアルキル樹脂などが含まれ、
樹脂と感光剤との合計量を基準に、重量で10%ま
での量で用いられる。
使用できる速度増加剤は例えばピクリン酸、ニ
コチン酸またはニトロケイ皮酸が含まれ、樹脂と
感光剤との合計量を基準に、重量で20%までの量
で用いられる。
コチン酸またはニトロケイ皮酸が含まれ、樹脂と
感光剤との合計量を基準に、重量で20%までの量
で用いられる。
調製された感光性レジスト混合物はデイツピン
グ、スプレイング、ワーリングおよびスピン塗布
などを含む、フオトレジスト技術で用いられてい
る普通の方法により基体に施される。スピン塗布
のとき、例えばレジスト混合物は、用いられるス
ピン装置の与えられた形成とスピン工程の時間量
により、所望の厚みの塗膜を得るために固体成分
のパーセントが調整される。適当な基体にはシリ
コン、アルミニウムまたはポリマ性樹脂、二酸化
けい酸、ドープした二酸化けい素、シリコン樹
脂、ヒ化ガリウム、窒化けい素、タンタル、銅、
ポリシリコン、セラミツクおよびアルミニウム/
銅混合物などが含まれる。
グ、スプレイング、ワーリングおよびスピン塗布
などを含む、フオトレジスト技術で用いられてい
る普通の方法により基体に施される。スピン塗布
のとき、例えばレジスト混合物は、用いられるス
ピン装置の与えられた形成とスピン工程の時間量
により、所望の厚みの塗膜を得るために固体成分
のパーセントが調整される。適当な基体にはシリ
コン、アルミニウムまたはポリマ性樹脂、二酸化
けい酸、ドープした二酸化けい素、シリコン樹
脂、ヒ化ガリウム、窒化けい素、タンタル、銅、
ポリシリコン、セラミツクおよびアルミニウム/
銅混合物などが含まれる。
前述の方法で作られたフオトレジスト塗膜は、
熱的に生長されたシリコン/二酸化けい素被覆ウ
エハに付与するのに特に適しており、これはマイ
クロプロセツサおよびその他の微小な集積回路部
品の生産に利用される。アルミニウム/酸化アル
ミニウムウエハも同様に用いられることができ
る。基体はまた各種のポリマ性樹脂、特にポリエ
ステルのような透明のもので構成されることもあ
る。
熱的に生長されたシリコン/二酸化けい素被覆ウ
エハに付与するのに特に適しており、これはマイ
クロプロセツサおよびその他の微小な集積回路部
品の生産に利用される。アルミニウム/酸化アル
ミニウムウエハも同様に用いられることができ
る。基体はまた各種のポリマ性樹脂、特にポリエ
ステルのような透明のもので構成されることもあ
る。
レジスト組成物溶液が基体上に塗布された後
に、基体は約80°〜105℃の温度で実質的にすべて
の溶剤が蒸発するまでベークされ、基体上には厚
み1ミクロン程度の、フオトレジスト組成物のう
すい均一な被覆または皮膜が残留する。この被覆
ずみ基体は、ついで適当なマスク、ネガチブ、ス
テンシル、テンプレートなどを用いることにより
作られる、所望の露光図形状に輻射線、特に紫外
線に対し露光される。
に、基体は約80°〜105℃の温度で実質的にすべて
の溶剤が蒸発するまでベークされ、基体上には厚
み1ミクロン程度の、フオトレジスト組成物のう
すい均一な被覆または皮膜が残留する。この被覆
ずみ基体は、ついで適当なマスク、ネガチブ、ス
テンシル、テンプレートなどを用いることにより
作られる、所望の露光図形状に輻射線、特に紫外
線に対し露光される。
露光されたレジスト被覆済み基体は、次にアル
カリ性の現像液中に浸漬される。この液は好まし
く、例えば窒素ガス撹拌によつて、かきまぜられ
る。スプレー現像またはパドル現像のような他の
現像法、またはこれらを組合せたものを用いるこ
ともできる。
カリ性の現像液中に浸漬される。この液は好まし
く、例えば窒素ガス撹拌によつて、かきまぜられ
る。スプレー現像またはパドル現像のような他の
現像法、またはこれらを組合せたものを用いるこ
ともできる。
基体は露光された区域からすべてのレジスト塗
膜が溶解されるまで現像液中に入れておかれる。
普通約30秒から約3分の現像時間が利用される。
アルカリ性現像液の適当なものの例は水酸化ナト
リウム、水酸化カリウム、テトラメチルアンモニ
ウム水酸化物、コリン、リン酸ナトリウム、炭酸
ナトリウム、メタケイ酸ナトリウムなどの水溶液
である。
膜が溶解されるまで現像液中に入れておかれる。
普通約30秒から約3分の現像時間が利用される。
アルカリ性現像液の適当なものの例は水酸化ナト
リウム、水酸化カリウム、テトラメチルアンモニ
ウム水酸化物、コリン、リン酸ナトリウム、炭酸
ナトリウム、メタケイ酸ナトリウムなどの水溶液
である。
現像液から塗布ずみウエハをとり出した後で、
これらは好ましくは脱イオン水のリンス、さらに
好ましくは窒素でかきまぜながらリンスをし、つ
いでフイルタした空気で吹付け乾燥する。塗膜の
接着性を増加しエツチング液およびその他の物質
に対する化学的抵抗性を増大させるため、現像後
の熱処理またはベーキングが行われる。現像後の
熱処理は塗膜と基体とを塗膜の軟化点以下の温度
でオーブン中でベーキングして行われる。
これらは好ましくは脱イオン水のリンス、さらに
好ましくは窒素でかきまぜながらリンスをし、つ
いでフイルタした空気で吹付け乾燥する。塗膜の
接着性を増加しエツチング液およびその他の物質
に対する化学的抵抗性を増大させるため、現像後
の熱処理またはベーキングが行われる。現像後の
熱処理は塗膜と基体とを塗膜の軟化点以下の温度
でオーブン中でベーキングして行われる。
工業的の応用、特にシリコン/二酸化けい素型
の基体上に微小回路ユニツトを作る際に、現像さ
れた基体はついでバツフアされたフツ化水素酸エ
ツチング液またはプラズマガスエツチで処理され
る。本発明のレジスト組成物は、酸エツチング液
またはプラズマガスに抵抗性であり、未露光のレ
ジストの塗布された区域の基体を充分に保護す
る。
の基体上に微小回路ユニツトを作る際に、現像さ
れた基体はついでバツフアされたフツ化水素酸エ
ツチング液またはプラズマガスエツチで処理され
る。本発明のレジスト組成物は、酸エツチング液
またはプラズマガスに抵抗性であり、未露光のレ
ジストの塗布された区域の基体を充分に保護す
る。
最後に、フオトレジスト塗膜の残留部分は、普
通のフオトレジスト剥離手段によりエツチされた
基体面から取り除かれる。
通のフオトレジスト剥離手段によりエツチされた
基体面から取り除かれる。
本発明は以下の実施例によりさらに詳細に説明
される。すべての部とパーセントとは特に断らな
い限り重量によるものである。
される。すべての部とパーセントとは特に断らな
い限り重量によるものである。
実施例 1
1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−4−ス
ルホン酸の4−シクロヘキシルフエノールモノ
エステルの合成 反応フラスコに33.36gの4−オキソ−3,4
−ジヒドロ−3−ジアゾ−1−ナフタレンスルホ
ニルクロライド(また1,2−ナフトキノン−2
−ジアジド−4−スルホン酸クロライドとしても
知られている)、21.88gの4−シクロヘキシルフ
エノール、および300mlのp−ジオキサンが加え
られた。撹拌して固体が溶解した後で199mlの蒸
留水中に13.17gの炭酸ナトリウムの液を20分か
けて添加した。混合物は周囲温度で16時間撹拌し
た。
ルホン酸の4−シクロヘキシルフエノールモノ
エステルの合成 反応フラスコに33.36gの4−オキソ−3,4
−ジヒドロ−3−ジアゾ−1−ナフタレンスルホ
ニルクロライド(また1,2−ナフトキノン−2
−ジアジド−4−スルホン酸クロライドとしても
知られている)、21.88gの4−シクロヘキシルフ
エノール、および300mlのp−ジオキサンが加え
られた。撹拌して固体が溶解した後で199mlの蒸
留水中に13.17gの炭酸ナトリウムの液を20分か
けて添加した。混合物は周囲温度で16時間撹拌し
た。
反応混合物は1200mlの蒸留水と25mlの12NHCl
との中に注加された。沈殿した生成物をガラス棒
でビーカー壁にこすり付けると黄色の固体結晶と
なつた。この反応混合物中に約800mlのメチレン
クロライドを加え、固体結晶を溶解した。この混
合物を分離ロート中に入れ、2%炭酸ナトリウム
水溶液2回、300mlの蒸留水で2回、飽和食塩水
で2回洗い、そして無水硫酸マグネシウムで乾燥
し過をした。
との中に注加された。沈殿した生成物をガラス棒
でビーカー壁にこすり付けると黄色の固体結晶と
なつた。この反応混合物中に約800mlのメチレン
クロライドを加え、固体結晶を溶解した。この混
合物を分離ロート中に入れ、2%炭酸ナトリウム
水溶液2回、300mlの蒸留水で2回、飽和食塩水
で2回洗い、そして無水硫酸マグネシウムで乾燥
し過をした。
蒸発して残留した黄色固体は減圧下に空気流の
許で乾燥し38.4gの黄色固体を得た;理論量の76
%の生成物が得られた。
許で乾燥し38.4gの黄色固体を得た;理論量の76
%の生成物が得られた。
生成物はIR、プロトンNMRおよびUV分析な
どにより、表題の構造であることが確認された。
どにより、表題の構造であることが確認された。
融点 134〜136℃(分解)
IR(KBr):3100(環C−H)、2851、2924(脂肪族
C−H)、2143(ジアゾ)、1360、1143(スルホン
酸エステルのS−O伸縮)、870(p−ジ置換ベ
ンゼン)cm-1。1 H−NMR(DMSO−D6):τ1.63〜.4(5H、環
プロトン)、8.2〜9.2(11H、脂肪族プロトン) UV(CH2Cl2/CH3OH=1/1):303nm
(4919)、323nm(5270)375nm(7027) 実施例 2 1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−4−ス
ルホン酸の4−シクロペンチルフエノールモノ
エステルの合成 容器に11.8gの4−オクソ−3,4−ジヒドロ
−3−ジアゾ−ナフタレン−1−スルホニルクロ
ライド(また1,2−ナフトキノン−2−ジアジ
ド−4−スルホン酸クロライドとしても知られて
いる)、7.5gの4−シクロペンチルフエノール、
および125mlのp−ジオキサンが加えられた。こ
の液に47mlの10%炭酸ナトリウム溶液が15分間か
けて添加された。
C−H)、2143(ジアゾ)、1360、1143(スルホン
酸エステルのS−O伸縮)、870(p−ジ置換ベ
ンゼン)cm-1。1 H−NMR(DMSO−D6):τ1.63〜.4(5H、環
プロトン)、8.2〜9.2(11H、脂肪族プロトン) UV(CH2Cl2/CH3OH=1/1):303nm
(4919)、323nm(5270)375nm(7027) 実施例 2 1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−4−ス
ルホン酸の4−シクロペンチルフエノールモノ
エステルの合成 容器に11.8gの4−オクソ−3,4−ジヒドロ
−3−ジアゾ−ナフタレン−1−スルホニルクロ
ライド(また1,2−ナフトキノン−2−ジアジ
ド−4−スルホン酸クロライドとしても知られて
いる)、7.5gの4−シクロペンチルフエノール、
および125mlのp−ジオキサンが加えられた。こ
の液に47mlの10%炭酸ナトリウム溶液が15分間か
けて添加された。
反応混合物は16時間周囲温度で撹拌された。
この混合物は800mlの水中に注加され、500mlの
メチレンクロライドで抽出された。この液は50ml
の10%炭酸ナトリウム液で1回、水で2回、そし
て食塩液で2回洗われ、硫酸マグネシウムで乾燥
され、そして過された。
メチレンクロライドで抽出された。この液は50ml
の10%炭酸ナトリウム液で1回、水で2回、そし
て食塩液で2回洗われ、硫酸マグネシウムで乾燥
され、そして過された。
この液は減圧下に濃縮され、シクロヘキサンを
加えて粉末化され、高真空下に乾燥されて13.5g
の生成物となつた。理論値の78%。
加えて粉末化され、高真空下に乾燥されて13.5g
の生成物となつた。理論値の78%。
生成物はIR、プロトンNMRおよびUV分析に
より普通の構造であることが確認された。
より普通の構造であることが確認された。
融点 133〜135℃(分解)
IR(KBr):3072(環C−H)、2948、2858(脂肪族
C−H)、2145(ジアゾ)、1359、1144(スルホン
酸エステルのS−O伸縮)、869(p−ジ置換ベ
ンゼン)cm-1。1 H−NMR(DOSO−D6):δ1.0〜2.2(9H、脂肪族
プロトン)、6.6〜8.5(5H、環プロトン)。
C−H)、2145(ジアゾ)、1359、1144(スルホン
酸エステルのS−O伸縮)、869(p−ジ置換ベ
ンゼン)cm-1。1 H−NMR(DOSO−D6):δ1.0〜2.2(9H、脂肪族
プロトン)、6.6〜8.5(5H、環プロトン)。
UV(CH2Cl2/CH3OH=1/1):303nm
(5573)、323nm(5278)、377nm(7377)。
(5573)、323nm(5278)、377nm(7377)。
実施例 3
実施例1の感光剤によるフオトレジスト組成物
の調製 6オンス(170c.c.)の褐色のびんの中で、エチ
ルセルソルブアセテート85%、酢酸ブチル10%お
よびキシレン5%からなる混合溶剤88.27gと、
80%m−と20%p−クレゾール−ホルムアルデヒ
ドノボラツク樹脂33.48gとからなる混合液、セ
ライト過助剤約1g、非イオン性シリコン変性
ポリマならし剤31mgおよび実施例1で作つた感光
剤3.15gを混合した。すべての固体が溶解される
まで、このびんは室温で約12時間高速ローラ上で
回転させた。得られたレジスト液は、ミリポア微
細過システム(100mlのバーレルと47mmのデイ
スクを用いた)を使用して、0.2ミクロン空孔サ
イズのフイルタを通して過された。この過は
10ポンド平方インチ(0.7Kg/cm2)の圧力下窒素
雰囲気中で行われた。約110gの過済みレジス
ト液が得られた。
の調製 6オンス(170c.c.)の褐色のびんの中で、エチ
ルセルソルブアセテート85%、酢酸ブチル10%お
よびキシレン5%からなる混合溶剤88.27gと、
80%m−と20%p−クレゾール−ホルムアルデヒ
ドノボラツク樹脂33.48gとからなる混合液、セ
ライト過助剤約1g、非イオン性シリコン変性
ポリマならし剤31mgおよび実施例1で作つた感光
剤3.15gを混合した。すべての固体が溶解される
まで、このびんは室温で約12時間高速ローラ上で
回転させた。得られたレジスト液は、ミリポア微
細過システム(100mlのバーレルと47mmのデイ
スクを用いた)を使用して、0.2ミクロン空孔サ
イズのフイルタを通して過された。この過は
10ポンド平方インチ(0.7Kg/cm2)の圧力下窒素
雰囲気中で行われた。約110gの過済みレジス
ト液が得られた。
実施例 4
実施例2の感光剤によるフオトレジスト組成物
の調製 実施例3で述べたのと同じ方法で、実施例2で
得た感光剤3.15gが同じクレゾール−ホルムアル
デヒドノボラツク、溶剤混合物およびならし剤と
混合された。この混合物は実施例3と同じに溶解
しそして過した。
の調製 実施例3で述べたのと同じ方法で、実施例2で
得た感光剤3.15gが同じクレゾール−ホルムアル
デヒドノボラツク、溶剤混合物およびならし剤と
混合された。この混合物は実施例3と同じに溶解
しそして過した。
実施例 5
基体上へのフオトレジスト組成物の塗布
実施例3と4の過済みレジスト組成物の約1
gを、その表面上に500nmの二酸化シリコン層
をもつ直径3インチ(7.6cm)の熱的に生長させ
たシリコン/二酸化シリコンウエハ上に、ヘツド
ウエイリサーチ社製のスピンナを用いてそれぞれ
塗布した。レジスト塗膜は毎分5000回転のスピン
速度で30秒間付与された。2つの塗布済みウエハ
は100°〜105℃の空気循環オーブン中で30分間ベ
ークされた。皮膜の厚みはスローランデクタク
a型表面プロフイロメータで測定して約1ミクロ
ンであつた。
gを、その表面上に500nmの二酸化シリコン層
をもつ直径3インチ(7.6cm)の熱的に生長させ
たシリコン/二酸化シリコンウエハ上に、ヘツド
ウエイリサーチ社製のスピンナを用いてそれぞれ
塗布した。レジスト塗膜は毎分5000回転のスピン
速度で30秒間付与された。2つの塗布済みウエハ
は100°〜105℃の空気循環オーブン中で30分間ベ
ークされた。皮膜の厚みはスローランデクタク
a型表面プロフイロメータで測定して約1ミクロ
ンであつた。
実施例 6
塗布済み基体の画像状露光
実施例5の2つの塗布済みウエハは、290nm
のコールドミラーと共に密着モードでキヤノン平
行光アライナPLA501F型を用いて、300〜340nm
の中間UV波長光に対して画像状露光をされた。
この中間UV波長光は、ウエハの塗布面に各種の
露光エネルギの区域を与えるために、石英製のオ
プトラインフオトレジストステツプ片を通じて約
15秒間与えられた。全量透過の点で、310nmの
波長の表面エネルギ9mW/cm2と測定された。
のコールドミラーと共に密着モードでキヤノン平
行光アライナPLA501F型を用いて、300〜340nm
の中間UV波長光に対して画像状露光をされた。
この中間UV波長光は、ウエハの塗布面に各種の
露光エネルギの区域を与えるために、石英製のオ
プトラインフオトレジストステツプ片を通じて約
15秒間与えられた。全量透過の点で、310nmの
波長の表面エネルギ9mW/cm2と測定された。
実施例 7
露光したレジスト塗布済み基体の現像
実施例6により露光された2つのレジスト塗布
済みウエハは、円形のテフロン製ウエハボート上
に置き、約12.5のPHをもつアルカリ性のバツフア
液であるウエイコートポジ用LSI現像液、タイプ
(オリン・ハント・スペシヤルテイ・プロダク
ツ社製)を入れた2のテフロン容器中に漬けら
れた。現像を助け促進させるため、テフロン容器
には窒素ガス撹拌が準備された。ウエハは1分間
現像液中に漬けておかれた。とり出されたウエハ
は脱イオン水で1分間すすがれ、過した空気流
中で乾燥した。
済みウエハは、円形のテフロン製ウエハボート上
に置き、約12.5のPHをもつアルカリ性のバツフア
液であるウエイコートポジ用LSI現像液、タイプ
(オリン・ハント・スペシヤルテイ・プロダク
ツ社製)を入れた2のテフロン容器中に漬けら
れた。現像を助け促進させるため、テフロン容器
には窒素ガス撹拌が準備された。ウエハは1分間
現像液中に漬けておかれた。とり出されたウエハ
は脱イオン水で1分間すすがれ、過した空気流
中で乾燥した。
露光し現像されたウエハは、実施例3と4のフ
オトレジスト塗膜の感光度とコントラストとを決
定するために検査された。
オトレジスト塗膜の感光度とコントラストとを決
定するために検査された。
各レジストの感光度は、オプトラインステツプ
片の異なる透過率%の窓に相当する、レジスト塗
膜の現像されたそれぞれの区域を見ることにより
測定された。各レジストの感光度は、レジスト塗
膜が完全に現像された(即ち可溶性の塗膜がすべ
て除去された)ステツプ片の窓の透過率%に、全
量透過の露光エネルギを乗ずることにより計算さ
れる。計算された感光度は以下の表中に示してあ
る。
片の異なる透過率%の窓に相当する、レジスト塗
膜の現像されたそれぞれの区域を見ることにより
測定された。各レジストの感光度は、レジスト塗
膜が完全に現像された(即ち可溶性の塗膜がすべ
て除去された)ステツプ片の窓の透過率%に、全
量透過の露光エネルギを乗ずることにより計算さ
れる。計算された感光度は以下の表中に示してあ
る。
コントラストは、各透過率%の窓毎に現像後に
残留する皮膜の熱みに対し、露光エネルギ量の対
数をプロツトすることにより測定される。この点
のプロツトでコントラスト曲線となり、これから
曲線のほぼ垂直部の外挿により直線が得られる。
この直線の傾斜がレジストのコントラスト値であ
る。各レジストについて測定した値は以下の表に
示してある。
残留する皮膜の熱みに対し、露光エネルギ量の対
数をプロツトすることにより測定される。この点
のプロツトでコントラスト曲線となり、これから
曲線のほぼ垂直部の外挿により直線が得られる。
この直線の傾斜がレジストのコントラスト値であ
る。各レジストについて測定した値は以下の表に
示してある。
第1表
実施例3と4のレジスト組成物
の写真光度とコントラスト値 組成物
感光度 コントラスト
実施例3 30.1 2.59
実施例4 29.0 2.57
このデータは、1,2−ナフトキノン−2−ジ
アジド−4−スルホン酸の環式脂肪族フエニルエ
ステル部分を含んだ組成物が、市販のフオトレジ
スト組成物に匹敵した感光度とコントラスト値を
もつことを示し、そこで産業上の利用に適したも
のと思われる。
アジド−4−スルホン酸の環式脂肪族フエニルエ
ステル部分を含んだ組成物が、市販のフオトレジ
スト組成物に匹敵した感光度とコントラスト値を
もつことを示し、そこで産業上の利用に適したも
のと思われる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 次の式に相当する感光性の1,2−ナフトキ
ノン−2−ジアジド−4−スルホン酸のシクロア
ルキル置換フエノールモノエステル化合物: ここでnは約2から約10の数である。 2 次の成分 (a) 約50から約95パーセント量の、少なくとも1
つのアルカリ可溶性樹脂;および (b) 約50から約5パーセント量の、次の式に相当
する感光性の1,2−ナフトキノン−2−ジア
ジド−4−スルホン酸のシクロアルキル置換フ
エノールモノエステル化合物 (ここでnは約2から約10の数であり、前記(a)と
(b)のパーセント量は混合物の非揮発性成分を基準
としたものである)の混合物を含むポジ型フオト
レジスト組成物として有用な感光性混合物。 3 次の成分 (a) 約50から約95パーセント量の、少なくとも1
つのアルカリ可溶性樹脂;および (b) 約50から約5パーセント量の、次の式に相当
する感光性の1,2−ナフトキノン−2−ジア
ジド−4−スルホン酸のシクロアルキル置換フ
エノールモノエステル化合物 (ここでnは約2から約10の数であり、前記(a)と
(b)のパーセント量は混合物の非揮発性成分を基準
としたものである)の混合物を含む、感光性混合
物の皮膜が被覆された基体からなる被覆済み基
体。 4 前記基体がポリエステル、ポリオレフイン、
シリコン、ヒ化ガリウム、シリコン/二酸化けい
素、ドープした二酸化けい素、窒化シリコン、ア
ルミニウム/銅混合物、タンタル、銅およびポリ
シリコンよりなる群から選ばれたものである請求
項3記載の被覆済み基体。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US07/068,397 US4797345A (en) | 1987-07-01 | 1987-07-01 | Light-sensitive 1,2-naphthoquinone-2-diazide-4-sulfonic acid monoesters of cycloalkyl substituted phenol and their use in light-sensitive mixtures |
US068,397 | 1987-07-01 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01104037A JPH01104037A (ja) | 1989-04-21 |
JPH0446947B2 true JPH0446947B2 (ja) | 1992-07-31 |
Family
ID=22082313
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63162745A Granted JPH01104037A (ja) | 1987-07-01 | 1988-07-01 | 感光性1,2‐ナフトキノン‐2‐ジアジド‐4‐スルホン酸モノエステル |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4797345A (ja) |
EP (1) | EP0297825B1 (ja) |
JP (1) | JPH01104037A (ja) |
AT (1) | ATE72061T1 (ja) |
DE (1) | DE3867929D1 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0389353A (ja) * | 1989-09-01 | 1991-04-15 | Nippon Paint Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物 |
JP3319092B2 (ja) * | 1993-11-08 | 2002-08-26 | 住友化学工業株式会社 | ポジ型レジスト組成物 |
JP3224115B2 (ja) * | 1994-03-17 | 2001-10-29 | 富士写真フイルム株式会社 | ポジ型フオトレジスト組成物 |
JP3278306B2 (ja) * | 1994-10-31 | 2002-04-30 | 富士写真フイルム株式会社 | ポジ型フォトレジスト組成物 |
TW201025701A (en) * | 2008-12-22 | 2010-07-01 | Taiwan Textile Res Inst | Dye-sensitized solar cell, photo-sensitized cathode thereof, and method of manufacturing the same |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3046121A (en) * | 1949-07-23 | 1962-07-24 | Azoplate Corp | Process for the manufacture of printing plates and light-sensitive material suttablefor use therein |
US3046119A (en) * | 1950-08-01 | 1962-07-24 | Azoplate Corp | Light sensitive material for printing and process for making printing plates |
US3046112A (en) * | 1951-06-30 | 1962-07-24 | Azoplate Corp | Quinone diazide printing plates |
US2767092A (en) * | 1951-12-06 | 1956-10-16 | Azoplate Corp | Light sensitive material for lithographic printing |
DE938233C (de) * | 1953-03-11 | 1956-01-26 | Kalle & Co Ag | Lichtempfindliches Material fuer die photomechanische Herstellung von Druckformen |
NL247405A (ja) * | 1959-01-15 | |||
NL247588A (ja) * | 1959-01-21 | |||
DE1447015B2 (de) * | 1963-10-03 | 1973-03-15 | Kalle Ag, 6202 Wiesbaden-Biebrich | Lichtempfindliche schichten zur herstellung von druckformen |
DE1543721A1 (de) * | 1966-07-27 | 1969-09-11 | Kalle Ag | Naphthochinondiazidsulfosaeureester und Verfahren zu seiner Herstellung und Verfahren zur Herstellung eines den Ester enthaltenden lagerfaehigen lichtempfindlichen Materials |
US3823130A (en) * | 1971-05-28 | 1974-07-09 | Polychrome Corp | Light sensitive esters of naphthoquinone-1,2-diazide-(2)-5-sulfonicacids with cyclohexylmethanol or secondary or tertiary alkanols of up to six carbon atoms |
US3900325A (en) * | 1972-06-12 | 1975-08-19 | Shipley Co | Light sensitive quinone diazide composition with n-3-oxohydrocarbon substituted acrylamide |
US4551409A (en) * | 1983-11-07 | 1985-11-05 | Shipley Company Inc. | Photoresist composition of cocondensed naphthol and phenol with formaldehyde in admixture with positive o-quinone diazide or negative azide |
US4670372A (en) * | 1984-10-15 | 1987-06-02 | Petrarch Systems, Inc. | Process of developing radiation imaged photoresist with alkaline developer solution including a carboxylated surfactant |
-
1987
- 1987-07-01 US US07/068,397 patent/US4797345A/en not_active Expired - Fee Related
-
1988
- 1988-06-28 EP EP88305863A patent/EP0297825B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-06-28 DE DE8888305863T patent/DE3867929D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1988-06-28 AT AT88305863T patent/ATE72061T1/de not_active IP Right Cessation
- 1988-07-01 JP JP63162745A patent/JPH01104037A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0297825A1 (en) | 1989-01-04 |
EP0297825B1 (en) | 1992-01-22 |
DE3867929D1 (de) | 1992-03-05 |
JPH01104037A (ja) | 1989-04-21 |
ATE72061T1 (de) | 1992-02-15 |
US4797345A (en) | 1989-01-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2552891B2 (ja) | ポジ型フオトレジスト組成物 | |
JP2785926B2 (ja) | 選択された三核性ノボラックオリゴマー | |
JPH0727203B2 (ja) | フォトレジスト及び該フォトレジストを有する物品の製法 | |
JPH0433025B2 (ja) | ||
JP3717183B2 (ja) | 低金属イオンp−クレゾールオリゴマーおよび感光性組成物 | |
EP0442952B1 (en) | Positive-working photoresists employing a selected mixture of ethyl lactate and ethyl 3-ethoxy propionate as casting solvent | |
JPS63305348A (ja) | ポジ型フオトレジスト組成物 | |
JPH04328555A (ja) | ポジ型フオトレジスト組成物 | |
JP2552900B2 (ja) | ポジ型フオトレジスト組成物 | |
JP2617594B2 (ja) | 熱的に安定なフエノール樹脂組成物及び感光性組成物におけるそれらの使用 | |
US6051358A (en) | Photoresist with novel photoactive compound | |
US5069996A (en) | Process for developing selected positive photoresists | |
JP2628615B2 (ja) | 迅速なジアゾキノンポジレジスト | |
US4902603A (en) | Photoresist compositions containing selected 6-acetoxy cyclohexadienone photosensitizers and novolak resins | |
JPH0446947B2 (ja) | ||
JPH0616175B2 (ja) | ポジ型フオトレジスト組成物 | |
US5278021A (en) | O-naphthoquinone diazide sulfonyl esters of 4-(4-hydroxyphenyl)cyclohexanone phenolic derivatives with associated radiation sensitive mixtures and articles | |
US5763135A (en) | Light sensitive composition containing an arylhydrazo dye | |
JP2568883B2 (ja) | ポジ型フオトレジスト組成物 | |
JP2574692B2 (ja) | ポジ型フオトレジスト組成物 | |
US5019478A (en) | Selected trihydroxybenzophenone compounds and their use in photoactive compounds and radiation sensitive mixtures | |
US5258265A (en) | Aqueous developable deep UV negative resist | |
JPH0527430A (ja) | ポジ型フオトレジスト組成物 | |
US5219714A (en) | Selected trihydroxybenzophenone compounds and their use in photoactive compounds and radiation sensitive mixtures | |
US5220073A (en) | Selected trihydroxybenzophenone compounds |