DE938233C - Lichtempfindliches Material fuer die photomechanische Herstellung von Druckformen - Google Patents

Lichtempfindliches Material fuer die photomechanische Herstellung von Druckformen

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DE938233C DEK17351A DEK0017351A DE938233C DE 938233 C DE938233 C DE 938233C DE K17351 A DEK17351 A DE K17351A DE K0017351 A DEK0017351 A DE K0017351A DE 938233 C DE938233 C DE 938233C
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    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/022Quinonediazides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07CACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C309/00Sulfonic acids; Halides, esters, or anhydrides thereof
    • C07C309/63Esters of sulfonic acids
    • C07C309/72Esters of sulfonic acids having sulfur atoms of esterified sulfo groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings of a carbon skeleton
    • C07C309/76Esters of sulfonic acids having sulfur atoms of esterified sulfo groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings of a carbon skeleton containing nitrogen atoms, not being part of nitro or nitroso groups, bound to the carbon skeleton

Description

Es ist bekannt, Druckformen, besonders solche finden Flachdruck, dadurch herzustellen, daß man Schichtträger, hauptsächlich Metallplatten oder Metallfolien, beispielsweise aus Aluminium oder Zink, mit Schienten aus wasserunlöslichen Naphthochinon-(j, 2)-diazid-sulfosäureestern versieht, das so erhaltene lichtempfindliche Material nach dem Trocknen der aufgebrachten Schicht unter einer Vorlage belichtet und die belichtete Schicht mit Hilfe von verdünnten alkalischen Lösungen, z. B. von niedrigprozentigen Dioder Trinatriumphosphatlösungen, zu einem Bilde entwickelt. Wird eine positive Vorlage benutzt, so ist das Bild eine positive Wiedergabe der Vorlage und nimmt fette Druckfarbe an, so daß in einer Druckmaschine Kopien der Vorlage gedruckt werden können.
Zu den für diese bekannte Druckplattenherstellung geeigneten Naphthochinon - (1, 2) - diazid-sulfosäureestern gehören auch solche Verbindungen, in denen der Naphthochinon-(i, 2)-diazid-sulfonylrest mehrfach vorhanden ist. Freie Hydroxylgruppen weisen sie nicht auf.
Es ist nun gefunden worden, daß man nach diesen Verfahren besonders wertvolle Druckplatten mit besser haftenden Schichten auf photomechanischem Wege erhält, wenn man das dafür benötigte lichtempfindliche Material aus Metallplatten oder Metallfolien, vorzugsweise aus Aluminiumplatten oder Aluminiumfolien, und Naphthochinon-(i, 2)-diazid-sulfosäureestern herstellt, welche einer bestimmten Konstitution entsprechen. Die erfindungsgemäß von den Naphtho-
chinon-(i, 2)-diazid-sulfosäureestern zu forderndeKonstitution entspricht einer der allgemeinen Formeln
D-SO9-O
OH
oder
D-SO9-O
OH ,0
in denen D ein Naphthochinon-(i, 2)-diazidrest, X Wasserstoff oder Hydroxyl, R Wasserstoff, OR1, NR2R3 oder substituierte oder unsubstituierte Alkyl-, Aryl- oder heterocyclische Reste sind. R1 bedeutet Alkyl oder Aryl; R2 und R3 bedeuten Wasserstoff oder Alkyl oder Aryl und können gleich oder verschieden sein. Als Substituenten, die in R = Aryl stehen können, werden beispielsweise -genannt Alkyl, HaIogene, Alkoxy-, Aroxy- und Naphthochinon-(i, 2)-diazid-sulfonyloxyreste.
Diese Verbindungen zeichnen sich gegenüber den bisher für dieses Verfahren verwendeten Naphthochinon-i, 2-diazid-sulf osäureestern durch höhere Lichtempfindlichkeit aus.
Die den oben angegebenen Formeln entsprechenden Naphthochinon-(i, 2)-diazid-sulfosäureester sind wasserunlöslich. Sie werden daher in organischen Lösungsmitteln gelöst und dann in bekannter Weise auf den Schichtträger aufgetragen. Man erhält sie dadurch, daß molare Mengen von einemNaphthochinon-(i, 2)-diazid-sulfosäurechlorid und einer Verbindung entsprechend einer der allgemeinen Formeln
OH
OH
HO
-i-X
oder
-X
in denen X Wasserstoff oder Hydroxyl bedeutet, im Verhältnis 1:1 in einem organischen Lösungsmittel, vorteilhaft in Dioxan, bei normaler Temperatur kondensiert werden. Die Kondensation tritt ein in Gegenwart von Alkalibicarbonaten bzw. -carbonaten, die in Form wäßriger Lösungen dem Reaktionsgemisch zugesetzt werden. Um Farbstoffbildung zu vermeiden, dürfen die Kondensationsmittel den Reaktionsgemischen nur in solchen Mengen zugesetzt werden, daß das als Reaktionsmedium dienende Lösungsmittel nach Beendigung der Kondensation nur schwach alkalisch oder neutral reagiert. Im allgemeinen verdienen die Alkalibicarbonate den Vorzug als Kondensätionsmittel. Für die Kondensation von Naphthochinon-(i, 2)-diazid-(2)-5-sulfosäurechlorid mit einem Derivat der PyrogaÜolreihe empfiehlt sich jedoch die Verwendung von Alkalicarbonaten als Kondensationsmittel. Zur Isolierung wird das Kondensationsprodukt aus der über Tierkohle filtrierten Reaktionslösung mittels verdünnter Salzsäure ausgefällt. Es ist nach dem Filtrieren und der Entfernung der Säurereste zur Herstellung der lichtempfindlichen Schicht meist unmittelbar verwendbar.
Die folgendeArbeitsvorschrifterläutert beispielsweise die Herstellung der erfindungsgemäß zu verwendenden Naphthochinon-(i, 2)-diazid-sulfosäureester.
Man löst in 250 ecm Dioxan 27 g [1I10 Mol) Naphthochinon-(r, 2)-diazid-(2)-sulfosäurechlorid und 1Z10 Mol der Phenolkomponente, z. B. 23 g 2, 3, 4-Trioxybenzophenon, und versetzt die Lösung im Verlaufe von 30 Minuten unter Rühren bei Zimmertemperatur mit 75 ecm 20°/Oiger Sodalösung bzw. 100 ecm gesättigter Natriumbicarbonatlösung. Nach einigen Stunden ist die Kondensation beendet. Man behandelt die Reaktionslösung mit etwas Tierkohle, saugt sie ab und läßt das Filtrat unter gutem Rühren in 5 1 Wasser einlaufen, dem 50 ecm konzentrierte Salzsäure zugesetzt wurden. Der ausgefällte, gelbbraun gefärbte Naphthochinon-diazid-sulfosaureester wird abgesaugt, mit Wasser säurefrei gewaschen und getrocknet.
Die Druckplatte stellt man aus dem lichtempfindlichen Material photomephanisch in bekannter Weise her, indem man auf die hchtempfindliche Schicht durch eine Vorlage hindurch Licht einwirken läßt und die belichtete Schicht mit verdünnten alkalischenLösungen zu einem mehr oder weniger intensiv gelbgefärbten Bild entwickelt. Anschließend spült man die entwickelte Schicht mit Wasser ab und macht durch Behandlung mit einer etwa i°/oigen Phosphorsäurelösung, die Dextrin oder Gummiarabikum enthalten kann, das Aluminium an den vom Licht getroffenen Stellen wasserführend und färbt die haftengebliebenen Bereiche der Diazoverbindung mit Druckfarbe ein. In diesem Falle werden nach positiven Vorlagen positive Bilder erhalten, von denen in einer Druckmaschine gedruckt werden kann.
Beispiele der erfindungsgemäß zur Herstellung der lichtempfindlichen Schicht auf Metall, besonders Aluminium, zu verwendenden Naphthochinon-(i, 2)-diazid-sulfosäureester entsprechend den oben angegebenen allgemeinen Formehl sind mit ihren Kon-, stitutionsformeln in der beigefügten Formelzusammenstellung aufgeführt. Die nachfolgende Tabelle enthält für die formelmäßig beschriebenen Verbindungen Angaben über deren Schmelzpunkt oder Zersetzungspunkt, die zu ihrer Herstellung verwendeten Ausgangsstoffe, das vorteilhaft anzuwendende Kondensationsmittel und die zweckmäßigste Entwicklerlösung, wobei a eine gesättigte Natriumbicarbonatlösung, b eine Natriumbicarbonatlösung, c eine 2%ige Sodalösung, d eine i,5°/oige Trinatriumphosphatlösung, e eine 2%ige Boraxlösung bezeichnet. Bei den Ausgangsstoffen bedeutet D4 Naphthochinon-(i, 2)-diazid-(2)-4-sulfosäurechlorid, D5 Naphthochinon-(i, 2)-diazid-(2) -5 -sulf osäurechlorid.
Nr.
der
Formel
Schmelzpunkt
bzw.
Zersetzungs
punkt
°C
Ausgangsstoffe Kond.
Mittel
Entwickler
I 136 2, 5-Dioxybenzophenon; D 4 NaHCO3 b
2 232 2, 5-Dioxybenzaldehyd; D 5 NaHCO3 d
3 236 2, 4-Dioxy-acetophenon; D 4 NaHCO3 e
4 122 2, 4-Dioxy-acetophenon; D 5 NaHCO3 d
5 III 2, 4-Dioxybenzoesäuremethylester; D 4 NaHCO3 e
6 164 2, 4-Dioxybenzanilid; D 4 NaHCO3 d
7 28O 2, 4, 5-Trioxybenzaldehyd; D 5 NaHCO3 d
8 200 2, 4, 6-Trioxybenzaldehyd; D 5 NaHCO3 d
9 I94 2, 3, 4-Trioxybenzophenon; D 4 NaHCO3 e
IO I90 2, 3, 4-Trioxybenzophenon; D5 Na2CO3 d
II HO 2, 3, 4-Trioxyphenylnaphthyl-(i)-keton; D 4 NaHCO3 d
12 180 2, 3, 4-Trioxyphenylnaphthyl-(i)-keton; D5 Na2CO3 d
13 245 2, 3, 4-Trioxyphenylanthrachinoyl-(2)-keton; D 5 Na2CO3 e oder c
14 235 2, 3, 4-Trioxy-phenyl-furyl-(i)-keton; D 5 Na2CO3 C
15 113 N-Phenyl-5-methyl-pyrazol-(3)-2', 3', 4'-tri-
oxyphenyl-(i')-keton; D5
Na2CO3 d
i6 190 2, 3, 4-Trioxy-2'-chlor-benzophenon; D 5 Na2CO3 e oder a
17 140 2, 3, 4-Trioxy-4'-methylbenzophenon; D5 Na2CO3 d
i8 205 2, 3, 4-Trioxy-4'-methoxybenzophenon; D 5 Na2CO3 d oder c
19 238 2, 3, 4-Trioxy-2', 5'-dimethoxybenzophenon; D5 Na2CO3 d oder c
20 148 2, 3, 4-Trioxy-2', 4'-dimethoxybenzophenon; D 5 Na2CO3 d oder c
21 210 2, 3, 4-Trioxy-benzoesäurediphenylamid; D 5 Na2CO3 d
22 I36 2, 3, 4, 2'-Tetraoxybenzophenon-(1/100 Mol); D5
(V50 Mol)
Na2CO3 d
23 3OO 2, 3, 4, 4'-Tetraoxybenzophenon-(1/100 Mol); D 5
i1/» Mol)
Na2CO3 d
Die gemäß der Erfindung hergestellten lichtempfindlichen Aluminiumplatten oder Aluminiumfolien zeichnen sich vor den bekannten gleichartigen Erzeugnissen dadurch aus, daß ihre Lichtempfindlichkeit größer ist und der unerwünschte sogenannte Glaseffekt bei ihrer Verwendung ausbleibt, d. h. Farbannähme an den Stellen der Druckplatte, an welchen diese bei der Belichtung mit der Glasscheibe des Kopiergerätes in Berührung gekommen ist, zeigen nur wenige der erfindungsgemäß zur Herstellung der lichtempfindlichen Schicht zu verwendenden Naphthochinon-(i, 2)-diazid-sulfosäureester. Es ist auch möglich, bei Naphthochinon-diazid-sulf osäureestern, welche den Glaseffekt zeigen, diese unerwünschte Eigenschaft dadurch zu beheben, daß man sie für die Beschichtung von Aluminiumfolien im Gemisch mit einem Naphthochinon-(i, 2)-diazid-sulfosäureester gemäß der Erfindung speziell aus der Pyrogallolreihe verwendet. Es ist überraschend, daß die Naphthochinon-(r, 2)-diazid-sulfosäureester,- welche den oben an-
gegebenen allgemeinen Formeln entsprechen, für die Zwecke der Erfindung brauchbar sind. Denn infolge der in ihren Molekülen vorhandenen freien Hydroxylgruppen hätte das Inlösunggehen der nicht belichteten Diazoverbindung während der alkalischen Entwicklung erwartet werden können. Diese Gefahr bestand in erhöhtem Maße bei den Sulfosäureestern, welche durch Kondensation mit Trioxybenzolabkömmlingen gebildet werden. Die Widerstandsfähigkeit der nicht vom Licht zersetzten Diazoverbindung und auch die Haftung des entwickelten Bildes auf dem Aluminium sind jedoch ausgezeichnet und besonders fest bei den mit Pyrogallolabkömmlingen hergestellten Kondensationsprodukten.
Beispiel 1
Man löst 2 g 2, 3, 4-Trioxy-benzophenon-naphthochinon-(i, 2)-diazid-(2)-5-sulfosäureester mit der Konstitutionsformel 10 in 100 ecm Glykolmonomethyl-
äther, beschichtet mit der filtrierten Lösung in bekannter Weise eine mechanisch angerauhte Aluminiumfolie und trocknet die Schicht mit heißer Luft.
Zur Herstellung einer Druckplatte belichtet man die Schichtseite der Folie unter einer Vorlage und behandelt die belichtete Schicht mit einem Wattebausch, der mit einer etwa i,5°/oigen Trinatriumphosphatlösung getränkt ist, wobei an den vom Licht nicht getroffenen Stellen ein gelbgefärbtes Bild der ίο Vorlage haftenbleibt. Nach dem Abspulen der FoHe mit Wasser macht man das Bild drückfertig, indem
beschichtet mit der Lösung eine Aluminiumfolie und trocknet die Schicht. Die Herstellung einer Druckfolie erfolgt durch Entwickeln der unter einer Vorlage belichteten Schichtseite zum druckfertigen Bild nach dem im Beispiel 1 beschriebenen Verfahren.
Eine Druckfolie, welche nach vorstehenden Angaben hergestellt ist, zeigt keine Neigung zur Annahme fetter Farbe an den Stellen, die beim Belichten im Kopiergerät direkt mit Glas in Berührung kamen, während an den gleichen Stellen bei einer nur mit dem Bis-ester obiger Formel beschichteten Aluminiumfolie unerwünschte Farbannahme in starkem Umfang statt hat.
Beispiel 3
AusNaphthochinon-(i, 2)-diazid-sulfosäureestern der PyrogaUolabkömmlinge, z. B. aus den Verbindungen mit den Formeln 10 und 12, stellt man ein Gemisch von behebigem Mischungsverhältnis her und löst 2 g des Gemisches in 100 ecm Glykolmonomethyläther. Die Beschichtung einer Aluminiumfolie mit der Lösung erfolgt, wie im Beispiel 1 beschrieben wurde.
Beispiel 4
Man löst 2 g vom Naphthochinon-(i, 2)-diazid-(2)-5-sulfosäureester des 2, 5-Dioxy-benzaldehyds entsprechend der Formel 2 in 100 ecm Glykolmonomethyläther und verfährt weiter nach Beispiel 1.
Beispiel 5
In 100 ecm Glykolmonomethyläther löst man 2 g vom Naphthochinon-(i, 2)-diazid-(2)-4-sulfosäureester des 2, 4-Dioxy-benzoesäuremethylesters mit der Formel 5 und beschichtet mit der Lösung eine Aluminiumfolie. Die Schicht wird getrocknet. Um die zwecks Herstellung einer Druckfolie unter einer Vorlage belichtete Folie zu entwickeln, verwendet man 2%ige .Boraxlösung.
man es mit ,einem Wattebausch, der mit einer gummiarabikum- oder dextrinhaltigen i%igen Phosphorsäure getränkt ist, überwischt und mit Druckfarbe einfärbt.
Beispiel 2
Man löst in 100 ecm Glykolmonomethyläther 1 g des Naphthochinon-(i, 2)-diazid-(2)-5-sulfosäuremonoesters der Formel 10 und 1 g des Naphthochinon-(1, 2)-diazid-(2)-5-sulfosäurebisesters von 2, 2'-Dioxydinaphthyl-i, i'-methan mit der Formel
85 Beispiel 6
In 100 ecm Glykolmonomethyläther löst man 2 g eines Gemisches von mehreren Naphthochinon-(i, 2)-diazid-(2)-4-sulfosäureestern der Pyrogallolderivate, z. B. von den Verbindungen, mit den Konstitutionsformeln 9 und 11, und beschichtet mit der Lösung eine Aluminiumfohe. Die Schicht wird getrocknet. Die zwecks Herstellung einer Druckfolie unter einer Vorlage belichtete Folie entwickelt man mit einer 2%igen Sodalösung und verfährt sonst wie im Beispiel i.
Beispiel 7
Man löst in roo ecm Glykohnonomethyläther 2 g des Naphthochinon-(i, 2)-diazid-(2)-5-sulfosäure-bis-esters von 2, 3, 4, 2'- bzw. 2, 3, 4, 4'-Tetraoxybenzophenon entsprechend den Formern 22 bzw.. 23. Die Lösung wird auf eine Aluminiumfolie aufgetragen und getrocknet. Die anschließend zwecks Herstellung einer Druckfolie unter einer Vorlage belichtete Aluminiumfolie wird mit i,5°/0iger Trinatriumphosphatlösung entwickelt.
Beispiel 8
Die Oberfläche einer gekörnten Zinkfolie wird durch Abbürsten mit einer 5% Alaun und 5 % Eisessig enthaltenden Lösung gereinigt, mit Wasser abgespült und durch Überleiten von warmer Luft getrocknet. Anschließend beschichtet man die Zinkfolie mit einer 4%igen Lösung der Verbindung entsprechend der Formel 10 in Glykolmonomethyläther und trocknet die auf diese Weise sensibilisierte Folie durch Überleiten von warmer Luft. Die Folie wird unter einer Vorlage belichtet und darauf mit einem Wattebausch behandelt, der mit einer 2,50/Oigen wäßrigen Trinatriumphosphatlösung getränkt ist. An den vom Licht nicht getroffenen Stellen bleibt ein gelbgefärbtes Bild der Vorlage haften. Die Folie wird dann mit Wasser abgespült und mit den im Druckgewerbe üblichen Mitteln druckfertig gemacht.
Beispiel 9
Man beschichtet eine nicht sensibilisierte Papier-Druckfolie, wie sie z. B. nach den Angaben der USA.-Patentschrift 2 681 617 hergestellt werden kann, mit einer 2%igen Lösung der Verbindung entsprechend der Formel 10 in Glykolmonomethyläther und trocknet die Folie mittels eines warmen Luftstromes. Man belichtet die auf diese Art sensibilisierte Folie unter einer Vorlage und entfernt an den vomLicht getroffenen Stellen das Lichtzersetzungsprodukt der Diazo verbindung durch Tamponieren mit einem Wattebausch, der mit einer etwa 2,5°/0igen wäßrigen Lösung von Trinatriumphosphat getränkt ist. Den überschüssigen Entwiclder entfernt man weitgehend mit dem Wattebausch. Dann macht man die Folie druckfertig, indem man sie mit einem der im Handel befindlichen Feuchtmittel tamponiert, und färbt sie entweder von Hand oder auf der Druckmaschine mit fetter Druckfarbe ein, wobei die vom Licht nicht getroffenen Stellen Fettfarbe führen.

Claims (1)

  1. PATENTANSPRUCH:
    Lichtempfindliches Material für die photomechanische Herstellung von Druckformen, besonders für den Flachdruck, bestehend aus einem metallischen Schichtträger, vorzugsweise einer Aluminiumplatte oder Aluminiumfolie, und einer aus Naphthochinon-(i,2)-diazid-(2)-sulfosäureestern erzeugten lichtempfindlichen Schicht, dadurch gekennzeichnet, daß die verwendeten Naphthochinon-(i, 2)-diazid-(2)-sulfosäureester einer der allgemeinen Formeln
    ,R
    D-SO9-O
    D—SO, —O
    OH
    — OH
    entsprechen, in denen D für einen Naphthochinon-(1, 2)-diazidrest, X für Wasserstoff oder Hydroxyl, R für Wasserstoff, OR1, NR2R3 oder einen substituierten oder unsubstituierten Alkylrest, Arylrest oder heterocyclischen Rest, und R1 für Alkyl oder Aryl und R2 und R3 mit gleicher oder voneinander verschiedener Bedeutung für Wasserstoff oder Alkyl oder Aryl stehen.
    Angezogene Druckschriften: Deutsche Patentschrift Nr. 865 860.
    Hierzu 2 Blatt Zeichnungen
    © 509 625 1.56
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CH325121D CH325121A (de) 1953-03-11 1954-02-24 Lichtempfindliches Material für die photomechanische Herstellung von Druckplatten
FR1096770D FR1096770A (fr) 1953-03-11 1954-02-27 Matériel photosensible pour la préparation photomécanique de formes d'impression
US553392A US3106465A (en) 1953-03-11 1955-12-15 Naphthoquinone diazide lithographic material and process of making printing plates therewith
US298392A US3180733A (en) 1953-03-11 1963-07-29 Naphthoquinone diazide lithographic material and process of making printing plates therewith

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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2994609A (en) * 1956-09-25 1961-08-01 Azoplate Corp Development of diazotype printing plates
DE1124817B (de) * 1959-01-14 1962-03-01 Kalle Ag Kopierschichten fuer Druckformen aus Naphthochinon-(1, 2)-diazidsulfonsaeureestern
DE2208639A1 (de) * 1972-02-24 1973-09-13 Kalle Ag Verfahren zum herstellen der offsetdruckformen fuer einen mehrfarben-auflagendruck aus mit einer o-chinon-diazidverbindung vorsensibilisierten offsetdruckplatten
DE3603372A1 (de) * 1985-02-13 1986-08-14 Mitsubishi Chemical Industries Ltd., Tokio/Tokyo Positive photoresistmischung
EP0268790A2 (de) 1986-10-17 1988-06-01 Hoechst Aktiengesellschaft Verfahren zur abtragenden Modifizierung von mehrstufig aufgerauhten Trägermaterialien aus Aluminium oder dessen Legierungen und deren Verwendung bei der Herstellung von Offsetdruckplatten
US4894311A (en) * 1986-10-29 1990-01-16 Fuji Photo Film Co., Ltd. Positive-working photoresist composition
EP0710886A1 (de) 1994-10-31 1996-05-08 Fuji Photo Film Co., Ltd. Positiv arbeitende Fotoresist-Zusammensetzung
US5755949A (en) * 1993-12-22 1998-05-26 Agfa-Gevaert Ag Electrochemical graining method

Families Citing this family (61)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1052699A (de) * 1963-12-03
GB1053866A (de) * 1964-08-05
US3635709A (en) * 1966-12-15 1972-01-18 Polychrome Corp Light-sensitive lithographic plate
US3655381A (en) * 1969-04-24 1972-04-11 Eastman Kodak Co Process for the production of integrally formed, random dot photographic images
JPS5024641B2 (de) * 1972-10-17 1975-08-18
US3935231A (en) * 1972-10-17 1976-01-27 Sandoz Ltd., (Sandoz Ag) Novel benzothiophene derivatives as stabilizers for organic compounds
US4196003A (en) * 1974-02-01 1980-04-01 Fuji Photo Film Co., Ltd. Light-sensitive o-quinone diazide copying composition
US4007047A (en) * 1974-06-06 1977-02-08 International Business Machines Corporation Modified processing of positive photoresists
US4189320A (en) * 1975-04-29 1980-02-19 American Hoechst Corporation Light-sensitive o-quinone diazide compositions and photographic reproduction processes and structures
US4174222A (en) * 1975-05-24 1979-11-13 Tokyo Ohka Kogyo Kabushiki Kaisha Positive-type O-quinone diazide containing photoresist compositions
DE2547905C2 (de) * 1975-10-25 1985-11-21 Hoechst Ag, 6230 Frankfurt Lichtempfindliches Aufzeichnungsmaterial
DE2742631A1 (de) * 1977-09-22 1979-04-05 Hoechst Ag Lichtempfindliche kopiermasse
DE3040157A1 (de) * 1980-10-24 1982-06-03 Hoechst Ag, 6000 Frankfurt Lichtemopfindliches gemisch und damit hergestelltes lichtempfindliches kopiermaterial
JPS57163234A (en) * 1981-04-01 1982-10-07 Fuji Photo Film Co Ltd Photosensitive composition
US4499171A (en) * 1982-04-20 1985-02-12 Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. Positive type photosensitive resin composition with at least two o-quinone diazides
JPS59165053A (ja) * 1983-03-11 1984-09-18 Japan Synthetic Rubber Co Ltd ポジ型感光性樹脂組成物
DE3220816A1 (de) * 1982-06-03 1983-12-08 Merck Patent Gmbh, 6100 Darmstadt Lichtempfindliche komponenten fuer positiv arbeitende fotoresistmaterialien
IT1169682B (it) * 1983-11-08 1987-06-03 I M G Ind Materiali Grafici Sp Composizione per fotoriproduzioni
DE3421471A1 (de) * 1984-06-08 1985-12-12 Hoechst Ag, 6230 Frankfurt Perfluoralkylgruppen aufweisende 1,2-naphthochinondiazidverbindungen und reproduktionsmaterialien, die diese verbindungen enthalten
US4596763A (en) * 1984-10-01 1986-06-24 American Hoechst Corporation Positive photoresist processing with mid U-V range exposure
JPS61118744A (ja) * 1984-11-15 1986-06-06 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ポジ型ホトレジスト組成物
JPS61141441A (ja) * 1984-12-14 1986-06-28 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ポジ型ホトレジスト組成物
US4588670A (en) * 1985-02-28 1986-05-13 American Hoechst Corporation Light-sensitive trisester of O-quinone diazide containing composition for the preparation of a positive-acting photoresist
US4684597A (en) * 1985-10-25 1987-08-04 Eastman Kodak Company Non-precipitating quinone diazide polymer containing photoresist composition with o-quinone diazide trisester as dissolution inhibitor
EP0227487B1 (de) * 1985-12-27 1992-07-15 Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. Strahlungsempfindliche positiv arbeitende Kunststoffzusammensetzung
US4737437A (en) * 1986-03-27 1988-04-12 East Shore Chemical Co. Light sensitive diazo compound, composition and method of making the composition
US4902785A (en) * 1986-05-02 1990-02-20 Hoechst Celanese Corporation Phenolic photosensitizers containing quinone diazide and acidic halide substituents
US5162510A (en) * 1986-05-02 1992-11-10 Hoechst Celanese Corporation Process for the preparation of photosensitive compositions containing a mixed ester o-quinone photosensitizer
US4732837A (en) * 1986-05-02 1988-03-22 Hoechst Celanese Corporation Novel mixed ester O-quinone photosensitizers
US4732836A (en) * 1986-05-02 1988-03-22 Hoechst Celanese Corporation Novel mixed ester O-quinone photosensitizers
US5035976A (en) * 1986-05-02 1991-07-30 Hoechst Celanese Corporation Photosensitive article having phenolic photosensitizers containing quinone diazide and acid halide substituents
JPS63178228A (ja) * 1987-01-20 1988-07-22 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型フオトレジスト組成物
US5182183A (en) * 1987-03-12 1993-01-26 Mitsubishi Kasei Corporation Positive photosensitive planographic printing plates containing specific high-molecular weight compound and photosensitive ester of O-napthoquinonediazidosulfonic acid with polyhydroxybenzophenone
US4797345A (en) * 1987-07-01 1989-01-10 Olin Hunt Specialty Products, Inc. Light-sensitive 1,2-naphthoquinone-2-diazide-4-sulfonic acid monoesters of cycloalkyl substituted phenol and their use in light-sensitive mixtures
DE3729035A1 (de) * 1987-08-31 1989-03-09 Hoechst Ag Positiv arbeitendes lichtempfindliches gemisch und daraus hergestelltes photolithographisches aufzeichnungsmaterial
US5248582A (en) * 1988-09-07 1993-09-28 Fuji Photo Film Co., Ltd. Positive-type photoresist composition
JP2715480B2 (ja) * 1988-10-13 1998-02-18 住友化学工業株式会社 ポジ型レジスト用組成物
JPH0743534B2 (ja) * 1989-04-21 1995-05-15 東京応化工業株式会社 半導体デバイス用レジストパターンの製造方法
DE69029104T2 (de) 1989-07-12 1997-03-20 Fuji Photo Film Co Ltd Polysiloxane und positiv arbeitende Resistmasse
DE4126836A1 (de) * 1991-08-14 1993-02-18 Hoechst Ag Strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial aus schichttraeger und positiv arbeitender, strahlungsempfindlicher schicht mit rauher oberflaeche
US5362599A (en) * 1991-11-14 1994-11-08 International Business Machines Corporations Fast diazoquinone positive resists comprising mixed esters of 4-sulfonate and 5-sulfonate compounds
US5384228A (en) * 1992-04-14 1995-01-24 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Alkali-developable positive-working photosensitive resin composition
US5401605A (en) * 1992-08-12 1995-03-28 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Positive working photosensitive resin composition containing 1,2-naphthoquinone diazide esterification product of triphenylmethane compound
JPH0876380A (ja) 1994-09-06 1996-03-22 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型印刷版組成物
US5739265A (en) * 1995-09-20 1998-04-14 Clariant Finance (Bvi) Ltd. Fractionation of phenol formaldehyde condensate and photoresist compositions produced therefrom
US5693749A (en) * 1995-09-20 1997-12-02 Hoechst Celanese Corporation Fractionation of phenol formaldehyde condensate and photoresist compositions produced therefrom
US5853947A (en) * 1995-12-21 1998-12-29 Clariant Finance (Bvi) Limited Quinonediazide positive photoresist utilizing mixed solvent consisting essentially of 3-methyl-3-methoxy butanol and propylene glycol alkyl ether acetate
GB9622657D0 (en) 1996-10-31 1997-01-08 Horsell Graphic Ind Ltd Direct positive lithographic plate
US6045963A (en) * 1998-03-17 2000-04-04 Kodak Polychrome Graphics Llc Negative-working dry planographic printing plate
US20040038152A1 (en) * 2002-07-15 2004-02-26 Goodin Jonathan W. Method for making printing plate by inkjet deposition on positive-working media
US6852465B2 (en) * 2003-03-21 2005-02-08 Clariant International Ltd. Photoresist composition for imaging thick films
US7090958B2 (en) * 2003-04-11 2006-08-15 Ppg Industries Ohio, Inc. Positive photoresist compositions having enhanced processing time
CN101073036B (zh) 2004-12-09 2013-01-23 可隆株式会社 正型干膜光致抗蚀剂
US7255970B2 (en) * 2005-07-12 2007-08-14 Az Electronic Materials Usa Corp. Photoresist composition for imaging thick films
US20070105040A1 (en) * 2005-11-10 2007-05-10 Toukhy Medhat A Developable undercoating composition for thick photoresist layers
WO2012122022A1 (en) 2011-03-10 2012-09-13 3M Innovative Properties Company Filtration media
US20130108956A1 (en) 2011-11-01 2013-05-02 Az Electronic Materials Usa Corp. Nanocomposite positive photosensitive composition and use thereof
US8703385B2 (en) 2012-02-10 2014-04-22 3M Innovative Properties Company Photoresist composition
US8715904B2 (en) 2012-04-27 2014-05-06 3M Innovative Properties Company Photocurable composition
US8883402B2 (en) 2012-08-09 2014-11-11 3M Innovative Properties Company Photocurable compositions
EP2883109A1 (de) 2012-08-09 2015-06-17 3M Innovative Properties Company Lichthärtbare zusammensetzungen

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE865860C (de) * 1950-10-31 1953-02-05 Kalle & Co Ag Lichtempfindliche Schichten fuer die photomechanische Reproduktion

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE510563A (de) * 1949-07-23

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE865860C (de) * 1950-10-31 1953-02-05 Kalle & Co Ag Lichtempfindliche Schichten fuer die photomechanische Reproduktion

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2994609A (en) * 1956-09-25 1961-08-01 Azoplate Corp Development of diazotype printing plates
DE1124817B (de) * 1959-01-14 1962-03-01 Kalle Ag Kopierschichten fuer Druckformen aus Naphthochinon-(1, 2)-diazidsulfonsaeureestern
DE2208639A1 (de) * 1972-02-24 1973-09-13 Kalle Ag Verfahren zum herstellen der offsetdruckformen fuer einen mehrfarben-auflagendruck aus mit einer o-chinon-diazidverbindung vorsensibilisierten offsetdruckplatten
DE3603372A1 (de) * 1985-02-13 1986-08-14 Mitsubishi Chemical Industries Ltd., Tokio/Tokyo Positive photoresistmischung
EP0268790A2 (de) 1986-10-17 1988-06-01 Hoechst Aktiengesellschaft Verfahren zur abtragenden Modifizierung von mehrstufig aufgerauhten Trägermaterialien aus Aluminium oder dessen Legierungen und deren Verwendung bei der Herstellung von Offsetdruckplatten
US4894311A (en) * 1986-10-29 1990-01-16 Fuji Photo Film Co., Ltd. Positive-working photoresist composition
US5755949A (en) * 1993-12-22 1998-05-26 Agfa-Gevaert Ag Electrochemical graining method
EP0710886A1 (de) 1994-10-31 1996-05-08 Fuji Photo Film Co., Ltd. Positiv arbeitende Fotoresist-Zusammensetzung

Also Published As

Publication number Publication date
US3180733A (en) 1965-04-27
CH325121A (de) 1957-10-31
US3106465A (en) 1963-10-08
FR1096770A (fr) 1955-06-24

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