JPS63305348A - ポジ型フオトレジスト組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は輻射線に感応するポジ型フォトレジストに関す
るものであり、特に高い解像力と感度、更に良好なノン
ターンの断面形状ｔそなえ次微細加工用７オトレジスト
組成物に関するものである。

本発明によるポジ型フォトレジストは半導体ウェハー、
まタハガラス、セラミックス、金属等の基板上にスピン
塗布法またはローラー塗布法で０６５〜３μｍの厚みに
塗布される。その後、加熱、乾燥し、露光マスクを介し
て回路パターン等を紫外線照射などにより焼き付け、現
像してポジ画像が得られる。更にこのポジ画像をマスク
としてエツチングする事により基板に・モターン状の加
工を施す事ができる。代表的な応用分野はＩＣなどの゛
半導体製造工程、液晶、サーマルヘッドなどの回路基板
の製造、更にその他のフオトフアプリケーション工程で
ある。

〈従来技術〉 ポジ型フォトレジスト組成物としては、一般にアルカリ
可溶性樹脂と感光物としてのナフトキノンジアジド化合
物とを含む組成物が用いられている。例えば、「ノボラ
ック型フェノール樹脂／ナフトキノンジアジド置換化合
物」としてＵＳＰ−７４４４弘７３号、ＵＳＦ−μ１ｔ
ｒｉλを号及びＵＳＦ−４ｃ／７３ａｙｏ号等に、また
最も典型的な組成物として「クレゾール−ホルムアルデ
ヒドより成るノボラック樹脂／トリヒドロキシベンゾフ
ェノン−／、！−ナフトキノンジアジドスルホン識エス
テル」の例がトンプソン「イントロダクション・トクー
ψマイクロリソグラフィー」（Ｌ、Ｆ、Ｔｈｏｍｐｓｏ
ｎｒＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎ　　ｔ。

ＭｉｃｒｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙＪ）（ＡＣ８出版、
ムコ／Ｐ号、ｐ／Ｉコ〜へＮ）に記載されている。

結合剤としてのノボラック樹脂は、膨潤することなくア
ルカリ水溶液に溶解可能であり、また生成した画像をエ
ツチングのマスクとして使用する際に特にプラズマエツ
チングに対して高い耐性を与えるが故に本用途に特に有
用である。また、感光物に用いるナフトキノンジアジド
化合物は、それ自身ノボ２ツク樹脂のアルカリ溶解性を
低下せしめる溶解阻止剤として作用するが、光照射を受
けて分解するとアルカリ可溶性瞼質を生じてむしろノボ
２ツク樹脂のアルカリ溶解度を高める働きをする点で特
異であり、この光に対する大きな性質変化の故にポジ型
フォトレジストの感光物として特に有用である。

これまで、かかる観点からノボラック樹脂とナフトキノ
ンジアジド系感光物を含有する数多くのポジ型フォトレ
ジストが開発、実用化され、７１１μｍ〜２μｍ８１度
までの線幅加工に於ては充分な成果をおさめてきた。

く本発明が解決しようとする問題点〉 しかし、集積回路はその集積度を益々高めており、超Ｌ
ＳＩなどの半導体基板の製造に於ては１μｍｕ下の線幅
から成る超微細パターンの加工が必要トされる様になっ
てきている。かかる用途に於ては、特に高い解儂力、露
光マスクの形状を正確に写しとる高いパターン形状再現
精度及び高生産性の観点からの高感度を有するフォトレ
ジストが要求され、従来の上記ポジ型フォトレジストで
は対応できないのが実情である。

従って本発明の目的とする所は、特に半導体デバイスの
製造に於て、 （１）　　高い解像力を有するポジ型フォトレジスト（
２）フォトマスク線幅の広い範囲に亘ってマスク寸法を
正確に再現するポジ型フォトレジスト組成物。

（３）１μｍ以下の線幅のノターンに於て、高いアスペ
クト比を有する断面形状のレジスト、ｔターンを生成し
得るポジ型フォトレジスト組成物。

（４）ハターン断面の側壁が垂直に近い形状のパターン
を生成し得るポジ型フォトレジスト組成物、 （５）広い露光及び現像ラチチュードを有するポジ型フ
ォトレジスト組成物、 （６）通常用いられるレジスト溶媒に可溶で、長期保存
に刈しても異物発生のない保存安定性に優れたポジ型フ
ォトレジスト組成物、（力　得られるレジスト儂が耐熱
性に優れるポジ型フォトレジスト組成物、 を提供する事にある。

〈問題点を解決する為の手段〉 本発明者等は、上記緒特性に留意し、鋭意検討した結果
、本発明を完成させるに至った。

即ち本発明は、 一般式 ここでＲａ−Ｒｆ　　は各々Ｈ，−Ｘ−Ｒ１、を表わす
。

但し、　Ｒａ−Ｒｆ　　で示される６ケの置換基の内、
Ｈをとり得る数は、１分子当りの平均値に換算してＯよ
り大きく３以下の実数でありｓ　　Ｘ　　Ｒｓ’ｆｌ：
とり得る数は同じく０６３以上の実数であり、また 得る数は同じく２．５以上の実数である。

−Ｘ−は単なる結合、 す。

Ｒ１は置換もしくは非置換の脂肪族あるいは芳香族炭化
水素基を表わす。

Ｒ２及びＲ３は各々Ｈ又は置換もしくは非置換の脂肪族
あるいは芳香族炭化水素基を表わす。

で表わされる構造を有する感光物とアルカリ可溶性ノボ
ラック樹脂を含有する事を特徴とするポジ型フォトレジ
スト組成物である。

上記一般式（Ａ）において、好ましい態様は、Ｒａ−Ｒ
４で示されるｔケの置換基の内、下記〔〕内に示す基が
とりうる数が１分子当九りの平均値に換算して下記の範
囲の実数となる場合である。

Ｏ〈〔Ｈ〕≦３ （７，Ｊ≦（−Ｘ−Ｒ１）（ｊ　、ｊ （Ｈ）が３″に超える場合、（−Ｘ−Ｒｔ）が３゜５以
上の場合及び が２．１未満の場合は、フォトレジスト組成物としての
解像力が低下し、また、（−Ｘ−Ｒ１）が０、Ｊ未清の
場合及び が１．７以上の場合は、感光物のレジスト溶媒への溶解
性が低下する傾向がある。

一般式（Ａ）における−Ｘ−Ｒ１は、具体的には、置換
もしくは非置換の脂肪族基、置換もしくは非置換の芳香
族基、 −ＣＲ１１（Ｒ１１：置換もしくは非置換の脂肪族又は
芳香族基）で示されるアシル基、 ７１！ −８０２−Ｒｔｓ　（Ｒｔｓ　：置換もしくは非置換の
脂肪族又は芳香族基）で示されるスルホニル基、−ＣＮ
Ｈ−Ｒ１ａ　（Ｒｔｓ　：置換もしくは非置換の脂肪族
又は芳香族基）で示されるアミド基等を挙げる事ができ
る。

ここで、脂肪族基はアルキル基、アルケニル基等全含み
、芳香族基はフェニル基、ナフチル基等を含む。また、
脂肪族基への置換基としては、アルコキシ基、アリール
オキシ基、アリール基、ヒドロキシ基、カルボキシ基、
スルホ基、アミノ基、ニトロ基、シリル基、シリルエー
テル基、シアン基、アルデヒド基、メルカプト基、ハロ
ゲン原子、等が挙げられる。

芳香族基への置換基としては上記脂肪族基への置換基と
して例示したものの他脂肪族基が挙げられる。

一般式（Ａ）において−Ｘ−Ｒ，とじては、前記したも
のから選択できるが、好ましくは、Ｒ。

が炭素数／−４の置換もしくは非置換の脂肪族基及び炭
素数６〜ｌよの置換もしくは非置換の芳香族基金表わす
場合を挙げることができる。

一般式（Ａ）で示される感光物は、式ＣＢ）で表わされ
る２、３．≠、３′　、≠′、！′　−へキサヒドロキ
シベンゾフェノンの水酸基を変性し、一般式（Ｃ）で表
わされる化合物とし。

Ｒ’ｄＯ 更に、これに、／、２−ナフトキノンジアジド−！（及
び／又は−４Ｌ）−スルホニルクロリドを反応させる事
により得られる。

ここで用いられる式〔Ｂ〕で表わされるＪ、ｊ。

≠、Ｊ／　　、　４ｃｌ　　、　１１−へキサヒドロキ
シベンゾフェノンは、）１．Ｂｌｅｕｌｅｒ　らの方法
（Ｊ、Ｃｈｅｍ。

Ｓｏｃ、、／旦！、！２Ｆ（／り／Ａ））により合成す
る事ができ、ｔた一般式（Ｃ）で表わされる誘導体は次
の方法により合成できる。

以上のようにして合成される一般式（Ｃ）で表わされる
化合物は、全て一般式−Ｘ−Ｒ１で表わされる基が部分
的に導入されたものの混合物であり単一の構造を示さな
い。このため、感光物の結晶性を乱す効果が発生し、レ
ジスト溶媒への溶解性、長期保存安定性を向上させるこ
とができるという特性を肩する。

一般式（Ｃ）の化合物と／、！−ナフトキノンジアジド
ー！−スルホニルクロリドあるいはｌ。

コーナフトキノンジアジドー≠−スルホニルクロリドと
のエステル化反応は通常の方法が用いられる。即ち、所
定量の一般式（Ｃ）で表わされるポリヒドロキシベンゾ
フェノン誘導体と／、！−ナフトキノンジアジドー！−
スルホニルクロリドあるいは／、Ｊ−す７トキノンジア
ジドー≠−スルホニルクロリド及びジオキサン、アセト
ン、メチルエチルケトン等の溶剤をフラスコ中に仕込み
。

塩基性触媒、例えば水酸化ナトリウム、炭酸ナトリウム
、炭酸水素ナトリウム、トリエチルアミン等を滴下し縮
合させる。得られた生成物は、水洗後精製し乾燥する。

以上の方法により一般式（Ａ）で表わされる感光物を調
製で色る。

本発明に用いるアルカリ可溶性ノボラック樹脂は、フェ
ノール類１モルに対しアルデヒド類０゜６〜／、０モル
を酸性触媒下付加縮合することにより得られる。フェノ
ール類としては、フェノール、０−クレゾール、ｍ−ク
レゾール、ｐ−クレゾール及びキシレノール等を単独ま
たは１種以上の組み合せ（各成分の割合はレジスト組成
物に要求される特性や使用目的等を考慮して適宜好まし
い範囲に調整できる）で使用することができる。

また、アルデヒド類としては、ホルムアルデヒド。

バラホルムアルデヒドあるいはフルフラール等ヲ。

酸性触媒としては塩酸、硫酸、ギ陵、シュウ酸及び酢酸
等を使用できる。こうして得られ九分子量／　、０００
−１０．０００のノボラック樹脂はアルカリ可溶性を示
す。

本発明における感光物とアルカリ可溶性ノボラック樹脂
の使用比率は、ノボラック樹脂ｉｏｏ重量部に対し感光
物ｊ−ｉｏｏ重量部、好ましくは１ｏ−ｊｏ重量部であ
る。この使用比率が１重量部未満では残膜率が著しく低
下し、またｉｏｏ重量部を超えると感度及び溶剤への溶
解性が低下する。

本発明では、前記感光物を主として用いるべきではある
が必要に応じて通常の感光物、例えばλ。

ｊ、４Ａ−１Ｊヒドロキシベンゾフエノン、コ、４Ａ。

り′−トリヒドロキシベンゾフェノン、！、４４゜６−
ドリヒドロキシベンゾフエノン、Ｊ、Ｊ、４４゜μ′−
テトラヒドロキシベンゾフェノン等とｌ。

コーナフト中ノンジアジドー参−又は／及び−！−スル
ホニルクロリドとのエステル化合物を併用することがで
なる。この場合、前記（Ａ）の感光物１００重量部に対
し１００重量部以下、好ましくは３０重量部以下の割合
で使用することができる。

本発明には更に現俸液への溶解促進のために、ポリヒド
ロキシ化合物を含有させることができる。

好ましいポリヒドロキシ化合物にはフェノール類、レゾ
ルシン、フロログルシン、コｊ’１≠−トリヒドロキシ
ベンゾフェノン、２．ｊ、≠、ｌｌ′−テトラヒドロキ
シベンゾフェノン、λ、３．弘。

３′、μ′、ｊ′　−へキサヒドロキシベンゾフェノン
、アセトン−ピロガロール縮合樹脂などが含まれる。

本発明の感光物及びアルカリ可溶性ノボラック樹脂を溶
解させる溶剤としては、メチルエチルケトン、シクロヘ
キサノン等のケトン類、エチレンクリコールモノメチル
エーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル等の
アルコールエーテル類、ジオキサン、エチレングリコー
ルジメチルエーテル等のエーテル類、メチルセロソルブ
アセテート、エチルセロンルブアセテート等のセロソル
ブエステル類、酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチルな
どの脂肪酸エステル類、／、／、２−）ＩＪジクロロチ
レン等のハロゲン化炭化水素類、ジメチルアセトアミド
％Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメ
チルスルホキシド等の高極性溶剤を例示することができ
る。これら溶剤は単独で、あるいは複数の溶剤を混合し
て使用することもできる。

本発明のポジ型フォトレジスト用組成物には、必要に応
じ染料、可塑剤、接着助剤及び界面活性剤等を配合する
ことができる。その具体例を挙げるならば、メチルバイ
オレット、クリスタルバイオレット、マラカイトグリー
ン等の染料、ステアリン酸、アセタール樹脂、フェノキ
シ樹脂、アルキッド樹脂等の可塑剤、ヘキサメチルジシ
ラザン。

クロロメチルシラン等の接着助剤及びノニルフェノキシ
ポリ（エチレンオキシ）エタノール；オクチルフェノキ
シポリ（エチレンオキシ）エタノール等の界面活性剤が
ある。

上記ポジ型フォトレジスト組成物を精密集積回路素子の
製造に使用されるような基板（例：シリコン／二酸化シ
リコン被覆）上にスピンナー、コーター等の適当な塗布
方法により塗布後、所定のマスクを通して露光し、現像
することにより良好なレジストを得ることができる。

本発明のポジ型フォトレジスト用組成物の現像液として
は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウ
ム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモ
ニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、ｎ−プロピ
ルアミン等の第１アミン類、ジエチルアミン、ジ−ｎ−
ブチルアミン等の第２アミン類、トリエチルアミン、メ
チルジエチルアミン等の第３アミン類、ジメチルエタノ
ールアミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミ
ン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ
エチルアンモニウムヒドロキシド等の第参級アンモニウ
ム塩、ピロール、ピはリジン等の環状アミン類等のアル
カリ類の水溶液を使用することができる。更に、上記ア
ルカリ類の水浴液にアルコール類、界面活性剤を適当量
添加して使用することもできる。

〈発明の効果〉 本発明のポジ型フォトレジストは、高解像力。

マスクツ々ターンの忠実再現性、レジスト像の断面形状
、露光及び現像ラチチュード、感度、耐熱性に優れ、し
かも通常用いられる溶剤に溶解した本発明のポジ型フォ
トレジスト液は長期の保存安定性に優れている。

〈実施例〉 以下に本発明の実施例を示すが、本発明はこれらに限定
されるものではない。なお１％は他に指定のない限り重
量％を示す。

実施例１−弘 （１）感光物（ａ）の合成 コ、３．μ、３′　、弘′　、ｊ′　−へキサヒドロキ
シベンゾフェノン２０ｔ、炭酸カリウムＪＯｆ及びジメ
チルホルムアミド／４０１ｔ１＆：Ｊつロフラスコに仕
込んだ。室温下、攪拌しなから＠酸ジエチルＪＪｔｔ−
滴下し、その後７ｊ’Ｃまで昇温し１時間反応させた。

反応終了後反応混合液を蒸留水ｒ　ｏ　ｏＩｎｌ中へ注
ぎ、ＪＧ％塩酸にて系のｐａｔｊ、ＯＫ、調製し、≠ｏ
　’Ｃにて１時間攪拌し次。

沈澱物ｋＦ別し蒸留水にて洗浄後、真空下乾燥し次。得
られた生成物のＮＭＲ測定を行つ次結果、λ、３１≠ｌ
Ｊ’１μ′　ｌ！′−へキサヒドロキシベンゾフェノン
１分子当り平均してコ、３個のエチル基が導入されてい
た。

上記反応により得られた生成物３０？、／、２−ナフド
キノンジアジド−！−スルホニルクロリドｒａ、、ｔｙ
及びアセトン７ｊＯｒｔｔｌｆ３つロフラスコに仕込み
攪拌下均−に溶解した。次いで、トリエチルアミン／ア
セトン＝Ｊ／、ｒ？／／！０−混合液を徐々に滴下し、
室温下３時間反応させた。反応終了後、内容物をｌチ塩
酸水溶液中に滴下し、２，３．昼、３′　、参′　、ｊ
′−へキサヒドロキシベンゾフェノン誘導体（エチル化
）のｌ。

２−ナフトキノンジアジド−！−スルホン酸エステルを
得た。

（２）感光物（ｂ）の合成 コｌ’ｔ≠　３１　　、４Ｌｌ　　、　ｊ／　　−へキ
サヒドロキシベンゾフェノンＩＯｆ％ジメチルホルムア
ミドｒｏｙｔ、濃硫酸ｏ、ｚｙを３つロフラスコに仕込
んだ。次いで、無水酢酸１．１１ｔ−滴下し、その後ｔ
ｏ’ｃまで昇温し２時間反応させた。反応終了後、室温
に戻し、アセトン４Ａｒｏ−を加え、１、コーナフトキ
ノンジアジドー！−スルホニルクロリド３７．弘ｔｆ溶
解した。攪拌下、トリエチルアミン／アセトン＝　／　
Ｌ　、　／　ｔ／　９０ｒｌｌｆ徐々に滴下し、室温下
３時間反応させた。反応終了後、内容物を７％水溶液中
に滴下し、生じた沈澱物を戸別、洗浄及び乾燥し、コＩ
Ｊ９”＃”＊≠′、ヨ′　−へキサヒドロキシベンゾフ
ェノン誘導体（アセチル化）の／、Ｊ−ナフトキノンジ
アジド−！−スルホン酸エステルを得た。得られた感光
物のＮ　Ｍ　Ｒ１ｉｔｌ定を行った結果、１分子中平均
して１．７個のアセチル基が導入されていた。

（３）感光物（ｃ）の合成 ３つロフラスコに蒸留水コ００ｔｎｌ、水酸化ナトリウ
ム≠、ｊｆｉ入れ、攪拌しながらλ、Ｊ、４ｃ。

Ｊ／　　、　ａ　／　　、　ｚ　／　−へキサヒドロキ
シベンゾフェノンｌＯｔ′！ｉＩ−加え均一溶液とした
。次いで、エチレンブロモヒドリン／Ｊ、！ｆｔ滴下し
、その後昇温し、９ｌ−１０００Ｃにてコ時間反応させ
た。

反応終了後、室温に戻し３４％塩酸にて系のｐＨ２３、
ｏｖｃｐ４製し、再びｐｏｏｃで１時間攪拌し九。次い
で、反応混合液を酢酸エチル１００−にて抽出し生成物
を得九。酢酸エチルを蒸留除去し、生成物のＮＭＲ測定
を行った結果、１分子中平均して４．７個のヒドロキシ
エチル基が導入されていた。

上記反応により得られた生成物１ｚｔ１ｉ、コーナ７ト
キノンジアジドー！−スルホニルクロリド参〇、／を及
びアセトン３ｒｏｔｓｌｆＪつロフラスコに仕込み、攪
拌下均−に溶解した。次いで、トリエチルアミン／アセ
トン＝ｔｚ、１ｙ７ｒ。

１混合液を徐々に滴下し、室温下３時間反応させた。反
応終了後、内容物ｔ１％塩酸水溶液中に滴下し、生じ九
沈澱物ｔＦ別、洗浄及び乾燥し、−９Ｊ、≠、３′　、
弘′、！′　　−へ中サヒドロキシベンゾフエノン誘導
体（ヒドロキシエチル化）のｌ。

コーナフトキノンジアジドー！−スルホン酸エステルを
得九。

（４）感光物（ｄ）の合成 コ、Ｊ、≠、３′　、参′、！′　　−へキサヒドロキ
シベンゾフェノンｘｏｙｓ炭酸力’Ｊ　ウムコ３゜１２
及びジメチルホルムアミド／６０ｄｆ３つロフラスコに
仕込んだ。室温下、攪拌しながら硫酸ジエチルコ＋　、
　ａ　ｔ−＠滴下し、その後７７’（：’ｔで昇温し１
時間反応させた。反応終了後１反応生成物を蒸留水１０
０−中へ注ぎ、３４％塩酸にて系のＤＨｋＪ　、Ｏｖｃ
調製し≠ｏ　’Ｃにて１時間攪拌した。沈澱物ｔ−Ｆ別
し、蒸留水にて洗浄後、真空下乾燥し友。得られた生成
物のＮ　Ｍ　Ｒｉ！ＩＩ定を行つ九結果、コ、３．μ、
３′　、μ′、ｊ′　−へキサヒドロキシベンゾフェノ
ン１分子中当り平均し”Ｃ１，１１個のエチル基が導入
されていた。

上記反応により得られ九生成物λｆｔ、／、λ−ナフト
キノンジアジド−！−スルホニルクロリド７７、／を及
びアセトンｔ！０ｄｆＪっロフラスコに仕込み攪拌下均
−に溶解した。次いでトリエチルアミン／アセトン＝４
Ｆ９／／ｊ０１Ｒ１混合液を徐々に滴下し、室温下３時
間反応させ次。反応終了後、内容物ｔ−７％塩酸水溶液
中に滴下し、コ、３．参、３′　、参′、！′　　−へ
キサヒドロ中ジベンゾフェノン誘導体（エチル化）の／
、Ｊ−ナフトキノンジアジド−！−スルホン酸エステル
會得た。

（５）ノボラック樹脂（１）の合成 メタクレゾール！０１１パラクレゾール１０９．３７１
％ホルマリン水溶液！≠、Ｏｆ及びシュウ酸０．０！ｔ
ｆ三つロフラスコに仕込み、攪拌しなから１００”Ｃま
で昇温し１０時間反応させた。

反応後、室温まで冷却しＪｏ＊ｍ１４ｇまで減圧した。

次いで徐々にｔｚｏ”ｃまで昇温し、水及び未反応モノ
マーを除去し念。得られたノボラック樹脂は平均分子量
／Ｊ、０００（ポリスチレン換Ｘ）であった。

（６）ノボラック樹脂（１１）の合成 メタクレゾール≠Ｏｆ％／ξラクレゾールｔｏｙ１３７
％ホルマリン水溶液≠ｊ、ＪＰ及びシュウ酸Ｏ０ｌ≠２
を三つロフラスコに仕込み、攪拌しなからｔｏｏ’ｃま
で昇温し７２時間反応させた。

反応後、室温まで冷却し３０ｆｌＨｇまで減圧した。

次いで徐々にｉｚｏ”ｃまで昇温し、水及び未反応モノ
マーを除去した。得られたノボラック樹脂は平均分子量
７，０ＯＯ（ポリスチレン換算）であつ九。

（７）ポジ型フォトレジスト組成物の調製と評価（１）
、（２）、（３）で得られた下記表−ｌ記載の各感光物
（ａ）、（ｂ）、（ｃ）／、３０？及び（５）で得られ
たクレゾールノボラック樹脂（１）（分子量／Ｊ、００
０）！ｔｆ、エチルセロソルブアセテート／！ｆｔ１ｃ
ｆＰｔ解し次。同様にして（４）で得られた感光物（ｄ
）／、ＪＯｆ及び（６）で得られたクレゾールノボラッ
ク樹脂（１１）（分子量’ｙ、ｏｏｏ）ｚｔｌ−エチル
セロソルブアセテート／Ｉｆに溶解した。次いでこれら
の組成物をＯ，コμｍのミクロフィルターを用いて濾過
し、フォトレジスト組成物を調製し次。このフォトレジ
スト組成物をスピンナーを用いてシリコンウェハーに塗
布し、窒素雰囲気下の対流オーブンで２０　’Ｃ，３０
分間乾燥して膜厚／、ｊμｍのレジスト膜を得た。この
膜に縮小投影露光装置を用い露光した後、２＃ｒｑＡの
テトラメチルアンモニウムヒドロオキシド水溶液で１分
間現像し、３０秒間水洗して乾燥した。

このようにして得られ九シリコンウェハーのレジストノ
蜜ターンを走査型電子顕微鏡で観察し、レジス）！−評
価した。その結果全下記表−λに示す。

感度はコ、Ｏμｍのマスクツターン金再現する露光量の
逆数をもって定義し、比較例１の感度の相対値で示した
。

残膜率は未露光部の現像前後の比の百分率で表わした。

解像力は２．０μｍのマスクパターンを再現する露光量
における限界解像力を表わす。

耐熱性はレジストがパターン形成され次シリコンウェハ
ーを対流オーブンで３０分間ベークし、そのパターンの
変形が起こらない温度を示した。

レジストの形状は１．０μｍのレジストパターン断面に
おけるレジスト壁面とシリコンウェハーの平面をなす角
（ので表わした。

これかられかるように本発明のポジ型フォトレジストは
、解像力、レジスト形状、感度、耐熱性のいづれも優れ
ていた。ま−ｆ？：、％これら本発明のポジ型フォトレ
ジスト溶液はｕｏ　ｏｃ％！θ日間放置してもレジスト
溶液中に沈殿物の析出はなかつ九。

比較例１〜３ 下記表−７記載の各感光物（ｅ）、（ｆ）、（ｇ）ｔ、
Ｊ。

を及び上記実施例で用いたクレゾールノボラックｍＪ］
Ｗ（１）　ｊ　ｔ’ｔエチルセロソルブアセテート／！
ｔに溶解し、実施例と同様にしてレジストを形成し評価
を行った。その結果を下記表−λに示した。

比較例１％λ、３においては、≠ｏ　’ｃ、ｔｏ日間放
置でレジスト溶液中に沈殿物の析出が見られた。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼〔Ａ〕 ここで、Ｒ＿ａ〜Ｒ＿ｆは各々Ｈ、−Ｘ−Ｒ＿１、▲数
   式、化学式、表等があります▼又は▲数式、化学式、表
   等があります▼ を表わす。 但し、Ｒ＿ａ〜Ｒ＿ｆで示される６ヶの置換基の内、Ｈ
   をとり得る数は、１分子当りの平均値に換算して０より
   大きく３以下の実数であり、−Ｘ−Ｒ＿１をとり得る数
   は同じく０．３以上の実数であり、また▲数式、化学式
   、表等があります▼又は▲数式、化学式、表等がありま
   す▼をと り得る数は同じく２．５以上の実数である。 −Ｘ−は単なる結合、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
   又は▲数式、化学式、表等があります▼を表わす。 Ｒ＿１は置換もしくは非置換の脂肪族あるいは芳香族炭
   化水素基を表わす。 Ｒ＿２及びＲ＿３は各々Ｈ又は置換もしくは非置換の脂
   肪族あるいは芳香族炭化水素基を表わす。 で表わされる構造を有する感光物とアルカリ可溶性ノボ
   ラック樹脂を含有することを特徴とするポジ型フォトレ
   ジスト組成物。