JP2000505913A

JP2000505913A - ２，４―ジニトロ―１―ナフトールを含有するポジ型フォトレジスト組成物

Info

Publication number: JP2000505913A
Application number: JP10508114A
Authority: JP
Inventors: ルー・ピン―ハン; コキンダ・エレイン・ジイー; ディキシット・サニット・エス; ダメル・ラルフ・アール
Original assignee: クラリアント・インターナショナル・リミテッド
Priority date: 1996-08-07
Filing date: 1997-08-06
Publication date: 2000-05-16
Anticipated expiration: 2017-08-06
Also published as: KR20000029769A; JP3135585B2; DE69713777T2; CN1095553C; US5719004A; EP0919012B1; EP0919012A1; DE69713777D1; CN1227637A; WO1998006008A1; TW509821B

Abstract

(57)【要約】膜形成性ノボラック樹脂、キノンジアジド光活性化合物、溶媒および2,4-ジニトロ-1-ナフトール染料を含有する感光性ポジ型フォトレジスト組成物において、染料が、フォトレジスト組成物の全体の０．５重量％を越えるレベルで存在する。この染料は、感光性組成物のリソグラフィー性能を著しく低下させることなく、反射性基体上のレジストパターンの線幅変化を低減する。

Description

【発明の詳細な説明】 2,4-ジニトロ-1-ナフトールを含有するポジ型フォトレジスト組成物発明の背景フォトレジスト組成物は、例えばコンピューターチップおよび集積回路の製造における小型化された電子部品を製造するためのマイクロリソグラフィー工程に使用される。一般に、これらの工程では、フォトレジスト組成物の膜の薄いコーティングが、最初に基体材料、例えば集積回路を製造するために使用されるシリコンウエハーに塗布される。次いで、このコーティングされた基体は、フォトレジスト組成物中の全ての溶媒を蒸発させ、そして基体上にコーティングを固着させるためにベークされる。次に、このベークされた基体のコーティングされた表面は、放射線で画像形成露光される。放射線露光は、コーティングされた表面の露光領域の化学的変化の原因となる。可視光、紫外(UV)光、電子線およびX-線照射エネルギーが、マイクロリソグラフィー工程に今日通常使用される放射線の種類である。この画像形成露光の後に、コーティングされた基体は、基体のコーティングされた表面の放射線露光された領域または放射線露光されていない領域のいずれかを溶解しそして取り除くために、現像剤溶液で処理される。現在、二種類のフォトレジスト組成物があり、それはネガ型とポジ型である。ネガ型フォトレジスト組成物が放射線に画像形成露光されると、放射線に露光されたレジスト組成物の領域は現像剤溶液に対して溶解性が低くなり（例えば架橋反応が起こる）、一方でフォトレジストコーティングの非露光領域はそのような溶液に対して比較的溶解性を保持する。従って、露光されたネガ型レジストを現像剤で処理することにより、フォトレジストコーティングの非露光領域が取り除かれ、そしてコーティングにネガ型画像が生じる。これによって、フォトレジスト組成物が付着していた、下にある基体表面の所望の部分が裸出する。他方で、ポジ型フォトレジスト組成物が放射線に画像形成露光されると、放射線に露光されたフォトレジスト組成物の領域は、現像剤溶液に対して溶解性が高くなり（例えば再転移反応が起こる）、一方で露光されていない領域は現像剤溶液に対して比較的不溶性を保持する。従って、露光されたポジ型フォトレジストを現像剤で処理することにより、コーティングの露光された領域が取り除かれ、そしてフォトレジストコーティングにポジ型画像が生じる。ここでも、下にある基体表面の所望の領域が裸出する。この現像操作の後に、その時点では部分的に保護されていない基体は、基体− エッチング溶液またはプラズマガス等で処理することができる。このエッチング溶液またはプラズマガスは、現像の際にフォトレジストコーティングが取り除かれた基体の部分をエッチングする。フォトレジストコーティングが依然として残る基体の領域は保護され、そしてエッチングされたパターンが基体材料に生じ、これは放射線の画像形成露光に使用されたフォトマスクに対応する。後に、フォトレジストコーティングの残存する領域はストリッピング操作の際に取り除くことができ、クリーンなエッチングされた基体表面が残る。いくつかの場合においては、現像段階の後かつエッチング段階の前に、下にある基体への接着性およびエッチング溶液に対する耐性を増加させるために、残存するフォトレジスト層を熱処理することが望ましい。ポジ型フォトレジスト組成物は、現在ネガ型レジストよりも支持されている。というのも、前者は一般に良好な解像能力およびパターン転写特性を有しているからである。フォトレジスト解像度は、レジスト組成物が露光および現像の後に高度の画像エッジアキュイティー(edge acuity)でフォトマスクから基体へ転写することのできる最も小さなフィーチャーとして定義される。今日の多くの製造工程において、１ミクロン未満の単位のレジスト解像度が必要である。さらに、現像されたフォトレジスト壁面が基体に対してほぼ垂直であることもほとんど常に望まれる。レジストコーティングの現像された領域と現像されていない領域との間のこのような境界は基体上へマスクイメージの正確なパターン転写を移す。小型化に対する要求からデバイスの微小寸法が減少しているので、このことはさらに重要になってきている。ノボラック樹脂および光活性化合物としてのキノンジアジド化合物を含有するポジ型フォトレジストは、従来公知である。ノボラック樹脂は、代表的には酸触媒、例えばシュウ酸の存在下に、ホルムアルデヒドと一種またはそれ以上の多置換されたフェノール類とを縮合させることによって製造される。光活性化合物は、一般にマルチヒドロキシフェノール性化合物とナフトキノンジアジド酸またはその誘導体とを反応させることによって得られる。フォトレジストは、反射性の金属基体表面および／またはフォトグラフィー工程の際に半導体デバイスの表面特徴のある表面(topographical surface)にしばしば適用される。露光段階の際のこれらの反射性基体からの反射光に起因する干渉作用は、パターンの線幅の変化の原因となることがあり、このような表面からの反射光はしばしば予測できないので、基体表面が高反射性でありかつ表面特徴がある場合に、この問題は特に深刻である。この結果、代表的には反射性ノッチング(reflective notching)として知られる複写されるレジストパターンの正確さの損失および基体上のフォトレジストの厚さの変化に伴うイメージされたフォトレジストパターンの線幅の大きな変化につながる。本発明は、特に表面特徴のある高反射性基体上のこれらのフォトレジストの処理の際の線幅の変化の低減に関する。フォトレジストへ染料を添加することは以前から提言されている。フォトレジスト中の染料の選択は、いくつかの重要な基準、例えばノボラック／ジアゾナフトキノン化学系とレジストキャスティング溶媒との相溶性、レジストを画像形成露光するために使用される露光波長における強い吸収、露光波長における高い吸光率およびフォトレジストのリソグラフィー性能に対する最小の影響を満足することに基づいている。これらのリソグラフィー性能パラメーターのいくつかは、感光性、解像度、側壁エッジアキュイティー、および焦点深度である。染料を含有しない代表的なフォトレジストは、反射性ノッチングおよび基体中の表面特徴に対する膜厚の変化に伴う微小寸法の大きな変化を示す。半導体デバイス上の回路はより複雑化してきているので、より多くの表面特徴が基体に導入され、そして線幅スイングレシオとして知られるフォトレジスト膜厚の変化に伴う線幅の大きな変化を減少させることのできるフォトレジストに対する要望が重要になってきている。このスイングレシオの低減、または好ましくは排除は、半導体デバイスの製造に使用するためのフォトレジストの好ましい種類を選択する場合に、明確な工程制御の利点を提供する。染色されたフォトレジストの最終的な選択において、上記の全てのリソグラフィー特性は、最良の性能および最大の工程制御を得るために、最大化されなければならない。特に高い負荷レベルでフォトレジストに染料を添加する効果およびフォトレジストのリソグラフィー性能に対するその影響は、George J．Cernigliaroらによる"Interaction of base-soluble and base-insoluble non-actinic dyes with novolak polymers and novolac based positive photoresists"，SPIE Vol．108 6，第１０６〜１１６頁、１９８９中に報告されている。これらの染料、例えばクマリンおよびクルクミンは、レジストの性能に対していくらか負の影響を有しており、解像度の損失、エッジアキュイティーの損失、焦点深度の損失、低い溶解性、光化学線波長における不十分な吸収、反射した放射線の不十分な低減のいずれか、またはこれらの組み合わせにつながる。これらの問題のいくつかを解決する一つの可能な方法は、米国特許第5,225,312号明細書に記載されている染料の混合物を使用することである。しかしながら、増加する製造の複雑さおよび品質の保証の面から、これらの問題を解決するための最も好ましい方法とされる染料の混合物の使用は行われない。米国特許第5,225,312号明細書の染料の混合物、特にクマリンおよび2,4-ジニトロ-1-ナフトールの使用は、染色されたフォトレジストが広いスペクトル範囲の放射線を放出するスキャニング露光装置からの光化学線照射を吸収するために必要とされる。さらに、米国特許第5,225,312号明細書は、これらの染料のいずれか単独のものがI-線ステッパーで使用された場合に線幅スイングレシオを低減することは認識していない。本発明は、365nmでのみ放射線を放出するI-線ステッパーで露光した際に線幅スイングレシオを低減するために、フォトレジスト組成物の全体の重量の０．５％よりも多くの量で、フォトレジスト中に著しく多量の2,4-ジニトロ-1-ナフトールを使用する方法に関する。通常の染料、例えばクマリン染料またはクルクミン染料は、ノボラック／ジアゾナフトキノンタイプのフォトレジストに広く使用されているが、これらはポジ型フォトレジストに使用した場合には感光性の深刻な損失の原因となる。本発明の染料である2,4-ジニトロ-1-ナフトール染料は、I-線における強い吸収性化合物であるが、その露光波長における吸光率は、その他のI-線染料、例えばSudan Orange G染料および2,2',4,4'-テトラヒドロキシベンゾフェノンと比較して比較的低い。この結果、本発明においてその他の従来のI-線染料に匹敵する所望のレジスト膜吸収性を達成するためには、比較的高い染料負荷が必要とされる。フォトレジスト組成物全体の０．５重量％を越えてフォトレジスト中に比較的大量の 2,4-ジニトロ-1-ナフトール染料を使用するにも関わらず、染料の高い負荷に伴う予想されるその他のフォトレジストのリソグラフィー特性の損失なしに、線幅スイングレシオが著しく低減されることが本発明において予期せず見出された。発明の要約本発明のポジ型フォトレジスト組成物は、線幅スイングレシオとして知られている、フォトレジスト膜厚の変化に起因する線幅の微小寸法の変化を低減し、その際フォトレジスト組成物は、膜形成性ノボラック樹脂、キノンジアジド感光剤、約０．５重量％より多くの2,4-ジニトロ-1-ナフトールおよび溶媒の混合物を含有する。さらに、本発明は、本発明の新規なフォトレジスト組成物を使用して、基体上にフォトレジスト画像を形成する方法を包含する。好ましい態様の詳細な説明本発明は、膜形成性ノボラック樹脂、キノンジアジド光活性化合物、溶媒およびフォトレジスト全体の０．５重量％より多いレベル、好ましくは約０．１重量％〜約１．０重量％までのレベルの2,4-ジニトロ-1-ナフトールを含有する感光性ポジ型フォトレジスト組成物を提供する。さらに、本発明は、本発明の感光性組成物をコーティングしそしてイメージングする方法を提供する。感光性組成物を製造するために使用することのできる膜形成性ノボラック樹脂またはポリビニルフェノールの製造は、この分野では公知である。ノボラック樹脂の製造手段は、Chemistry and Application of Phenolic Resins，Knop A．an d Scheib，W.；Springer Verlag，N.Y.，1979のChapter 4に記載されており、これはここで参考として取り込まれる。パラビニルフェノールおよびポリビニルフェノールは、米国特許第3,869,292号明細書および米国特許第4,439,516号明細書に記載されており、これはここで参考として取り込まれる。同様に、光活性化合物としてのo-ジアゾナフトキノンの使用は、当業者に公知であり、Light Sens itive Systems，Kosar，J.；John Wiley & Sons，N.Y.，1965のChapter7.4に明示されており、これはここで参考として取り込まれる。本発明の成分を含有するこれらの感光剤は、好ましくは置換されたジアゾナフトキノン感光剤であり、これはポジ型フォトレジスト配合物における技術では一般に使用される。このような増感性化合物は、例えば来国特許第2,797,213号明細書、同第3,106,465号明細書、同第3,148,983号明細書、同第3,130,047号明細書、同第3,201,329号明細書、同第3,785,825号明細書および同第3,802,885号明細書に記載されている。有用な感光剤は、限定するわけではないが、フェノール性化合物、例えばヒドロキシベンゾフェノン、オリゴマー性フェノール類および多置換されたマルチヒドロキシフェニルアルカンとナフトキノンー(1,2)-ジアジド-5-スルホニルクロライドまたはナフトキノンー(1,2)-ジアジド-4-スルホニルクロライドを縮合させることによって製造されるスルホン酸エステルを包含する。好ましい態様では、フォトレジスト組成物の固形部分の、樹脂、染料およびジアゾナフトキノンは、好ましくは１５％〜約９９％の樹脂と約１％〜約８５％のジアゾナフトキノンの範囲である。樹脂のより好ましい範囲は、固形フォトレジスト成分の約５０％〜約９０％であり、そして最も好ましくは約６５〜約８５重量％である。ジアゾナフトキノンのより好ましい範囲は、フォトレジスト中の固形分の約１０％〜５０％であり、そして最も好ましくは約１５〜約３５重量％である。本発明に従って感光性組成物に添加される染料の2,4-ジニトロ-1-ナフトールの量は、樹脂全体の約０．５％〜約１．５％であり、好ましくは約０．５％〜約１．０重量％である。フォトレジスト組成物の製造に際して、樹脂およびジアゾナフトキノンは、溶媒混合物がフォトレジスト組成物全体の約４０％〜約９０重量％の量で存在するように、溶媒と混合される。より好ましい範囲は、フォトレジスト組成物全体の約６０％〜約８３％であり、そして最も好ましくは約６５％〜約７０重量％である。溶液を基体にコーティングする前に、添加剤、例えば着色剤、非光活性染料(n on-actinic dyes)、アンチストライエーション剤(anti-striation agents)、可塑剤、接着促進剤、コーティング助剤、速度増加剤および界面活性剤を、樹脂、感光剤、2,4-ジニトロ-1-ナフトールおよび溶媒系の溶液に添加することができる。このようなフォトレジストのための好適な溶媒は、プロピレングリコールモノアルキルエーテル、プロピレングリコールアルキル（例えばメチル）エーテルアセテート、エチル-3-エトキシプロピオネート、キシレン、ダイグライム、アミルアセテート、エチルラクテート、ブチルアセテート、2-ヘプタノン、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、およびそれらの混合物を包含する。製造されたフォトレジスト組成物溶液は、浸漬、噴霧、ホイーリング(whirlin g)およびスピンコーティングを包含するフォトレジスト技術に使用される通常の方法のいずれによっても基体に適用することができる。スピンコーティングの場合には、例えばレジスト溶液は、用いられるスピニング装置の種類およびスピニング工程に許容される時間に応じて所望の厚さのコーティングとするために固形分含有量の百分率に関して調整することができる。好適な基体は、ケイ素、アルミニウム、ポリマー性樹脂、二酸化ケイ素、ドープされた二酸化ケイ素、窒化ケイ素、タンタル、銅、ポリシリコン、セラミックス、アルミニウム／銅混合物；ヒ化ガリウムおよびその他の第III/V群化合物を包含する。所望の手段により製造されるフォトレジストコーティングは、マイクロプロセッサーおよびその他の小型化された集積回路部品の製造に用いられるようなアルミニウム／酸化アルミニウムコートウエハーに適用するのに特に好適である。ケイ素／二酸化ケイ素ウエハーを使用することもできる。この基体は、種々のポリマー性樹脂、特に透明なポリマー、例えばポリエステルを含有していてもよい。この基体は、好適な組成物の接着促進された層、例えばヘキサアルキルジシラザンを含有するものを有していてもよい。次いで、このフォトレジスト組成物溶液は、基体上にコーティングされ、そして約７０℃〜約１１０℃の温度で約３０秒〜約１８０秒間ホットプレート上でまたは約１５〜約９０分間対流オーブン中で、この基体を処理する。この熱処理は、フォトレジスト中の残留溶媒の濃度を低減するために選択されるが、感光剤の実質的な熱変性の原因とはならない。一般に、溶媒の濃度を最小化することが望まれ、そしてこの最初の熱処理は、実質的に全ての溶媒が蒸発し、そしてフォトレジスト組成物の薄いコーティングが１ミクロン（マイクロメートル）の単位の厚さで基体上に残存するまで行われる。好ましい態様では、温度は、約８５℃〜約９５℃である。この処理は、溶媒除去の変化の速度が比較的小さくなるまで行われる。温度と時間の選択は、使用される装置および商業的に望まれるコーティング時間と同様に、使用者に望まれるフォトレジスト特性に応じて異なる。次いで、このコーティングされた基体は、好適なマスク、ネガ、ステンシル、テンプレート等を使用して得られる所望のパターンで、光化学線照射、例えば約３００nm （ナノメートル）から約４５０nmでの、紫外線照射、x-線、電子線、イオンビームまたはレーザー照射に曝される。次いで、任意にこのフォトレジストを、現像の前または後に、露光後第二ベーキングまたは熱処理する。この加熱温度は、約９０℃〜約１２０℃、好ましくは約１００℃〜約１１０℃の範囲である。この加熱は、約３０秒から約２分間、好ましくは約６０秒から約９０秒間ホットプレート上で、または約３０〜約４５分間対流オーブンで行うことができる。露光されたフォトレジストコーティングした基体は、画像形成露光された領域を取り除くために現像溶液に浸すことによって現像されるか、またはスプレー現像工程によって現像される。この溶液は、好ましくは例えば窒素噴出攪拌により攪拌される。全てまたは実質的に全てのフォトレジストコーティングが露光領域から溶解されるまで、この基体を現像剤中に存在させる。現像剤は、アンモニウムまたはアルカリ金属水酸化物の水溶液を包含する。好ましい水酸化物は、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドである。現像溶液からコーティングしたウエハーを取り除いた後に、コーティングの接着およびエッチング溶液およびその他の物質に対する耐薬品性を向上させるために、任意に現像後熱処理またはベーキングを行ってもよい。この現像後熱処理は、コーティングの軟化点未満でのコーティングおよび基体のオーブンベーキングを含むことができる。工業的用途、特にケイ素／二酸化ケイ素タイプの基体への回路装置の製造において、現像した基体は、緩衝されたフッ化水素酸ベースのエッチング溶液で処理することができる。本発明のフォトレジスト組成物は、酸ベースのエッチング溶液に対して耐性があり、そして露光されていない基体のフォトレジストコーティング領域を効果的に保護する。以下の特定の実施例により、本発明の組成物の製造および使用方法を詳細に説明する。しかしながら、これらの実施例は、いずれにしても本発明の範囲を制限または限定するものではなく、本発明を実施するために用いなければならない条件、パラメーターまたは値として解釈されるべきではない。特に明記しない限り、全ての部および百分率は重量を基準とする。実施例１ Celanese Corporation,AZ Photoresist Products Division，70Meister Ave，So merville，NJ 08876から市販）に添加することによって染色されたレジストサンプルを製造した。調査の際の各染料の量は、１μｍ（マイクロメートル）膜の３６５nmにおける最終的なレジスト膜吸光度が同一であるように決定し、そして各レジストへの染料の負荷は下記の表１に示す。2,4-ジニトロ-1-ナフトール（本発明）に加えて、代表的なI-線に感作する染料、例えば従来技術で開示されている2,2',4,4'-テトラヒドロキシベンゾフェノンおよびSudan Orange Gが比較のために包含された。 UV（紫外）膜吸光度測定のために、各レジストサンプルを、4"クオーツウエハーにスピンコーティングし、次いでホットプレートで９０℃で６０秒間ソフトベーク(SB)して膜厚を１μｍ（マイクロメートル）とした。このレジスト膜厚を、ロメーターで測定した。使用して各レジストサンプルを数種の4"アルミニウムウエハーにスピンコーティングした。膜厚を０．７４〜１．１４μｍ（マイクロメートル）とするために、このコーティングされたウエハーをホットプレートで９０℃で６０秒間ソフトベ２μｍ（マイクロメートル）の種々のサイズのラインアンドスペース(L/S)パターコーティングされたウエハーを露光した。15x21焦点／露光配列をウエハーに印刷し、次いでホットプレートで１１０℃で６０秒間露光後ベーク(PEB)した。このようにして製造された露光されたウエハーを、２．３８％のTMAH MIF（金属イオン不含）現像剤で７０秒間２３℃でスプレー−パドル式に現像した。最良のステッパー焦点で０．４μｍ（マイクロメートル）の線パターンを複写するために要求される最小の露光線量は、ドーズトゥープリント(dose-to-print)(DTP)として示した。DTPにおいて、微小寸法(CD)として知られる、各ウエハーの０．４μ ｍで一列に並んだ線幅測定装置で測定した。各ウエハーのCD測定値は、レジスト膜厚の関数としてプロットした。正弦曲線が得られ、正弦曲線の隣接する最大値（約１．０２μｍ（マイクロメートル）のレジスト厚さで）と最小値（約１．０８ μｍ（マイクロメートル）のレジスト厚さで）で測定したCDの差違を各染色されたレジストのCDスイングとして示した。反射性ノッチングの評価のために、各レジストを、０．７５μｍ高さのアルミニウムのラインアンドスペースパターンを有するウエハーに０．８μｍの厚さでコーティングした。ウエハーのイメージングのための工程条件は、上記のものとで測定し、そしてレジスト反射性ノッチングとして示した。表１試験した３つの染料の直接リソグラフィー比較の要約１．染料A:2,2',4,4'-テトラヒドロキシベンゾフェノン２．染料B:2,4-ジニトロ-1-ナフトール３．染料C:Sudan Orange G mJ=ミリジュール本発明による染料Bは、２つのその他の従来のI-線染料（染料AおよびC）のほぼ２倍の負荷であるが、濃密に染色されたレジストに対して予想されるほどの感光性の深刻な損失を受けないことが表１から明らかにわかる。染料Bは、また優れた反射性ノッチングの制御、および意外にも最良のCDスイング減少を提供する。実施例２レジスト（Hoechst Celanese Corporation,AZ Photoresist Products Division ，70Meister Ave，Somerville，NJ 08876から市販）に添加することによって染色されたレジストサンプルを製造した。各レジストの負荷染料は、以下の表２に示す。各レジストサンプルを１．０７３μｍの厚さにスピンコーティングした。出願に際して第１２頁脱落０．５％を越えるレベルでのSudan Orange G染料は、レジスト性能、特に感光性、解像度、マイクログルービングの存在およびDOFの深刻な損失を示した。CDスイングは０．５％を越えるレベルのSudan Orange Gで改善されるが、フォトレジストは使用することができない。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｇ０３Ｆ 7/38 ５１１Ｇ０３Ｆ 7/38 ５１１ 7/40 7/40 (72)発明者ディキシット・サニット・エスアメリカ合衆国、ニュージャージー州 08822 フレミントン、コッパー・ペニー・ロード、50 (72)発明者ダメル・ラルフ・アールアメリカ合衆国、ニュージャージー州 08822 フレミントン、クイムビー・レイン、８

Claims

【特許請求の範囲】１．膜形成性ノボラック樹脂、キノンジアジド感光剤、約０．５重量％より多くの2,4-ジニトロ-1-ナフトールおよびフォトレジスト溶媒の混合物を含有する線幅スイングレシオを低減するためのポジ型フォトレジスト組成物。２．さらに一種またはそれ以上のフォトレジスト溶媒を含有する請求項１に記載の組成物。３．有機溶媒が、プロピレングリコールモノアルキルエーテル、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、2-ヘプタノン、ブチルアセテート、アミルアセテート、エチル-3-エトキシプロピオネート、エチルラクテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチルラクテートおよびそれらの混合物からなる群から選択される請求項１に記載のフォトレジスト組成物。４．フォトレジスト組成物の非溶媒成分を基準として、感光剤が、約１〜約３５重量％の量で存在し、そしてノボラック樹脂が、約６５〜約９５重量％の量で存在する請求項１に記載の組成物。５．フォトレジスト組成物中の2,4-ジニトロ-1-ナフトールの量が、フォトレジスト組成物の全体の重量の約０．５重量％から約１．５重量％の範囲である請求項１に記載の組成物。６．さらに着色剤、レベリング剤、アンチストライエーション剤、可塑剤、接着促進剤、速度増加剤および界面活性剤からなる群から選択された一種またはそれ以上の添加剤を含有する請求項１に記載の組成物。７．キノンジアジド感光剤が、ジアゾナフトキノンスルホニル残基とフェノール性残基との反応生成物である請求項１に記載のフォトレジスト組成物。８．フェノール性残基が、マルチヒドロキシベンゾフェノン、マルチヒドロキシフェニルアルカン、フェノール性オリゴマーおよびそれらの混合物からなる群から選択される請求項７に記載のフォトレジスト組成物。９．ナフトキノンスルホニル残基が、2,1,4-ジアゾナフトキノンスルホニル、2, 1,5-ジアゾナフトキノンスルホニルまたはそれらの混合物からなる群から選択される請求項７に記載のフォトレジスト組成物。１０．ノボラック樹脂が、アルデヒドと一種またはそれ以上の置換フェノール性モノマーの酸触媒による縮合生成物である請求項１に記載のフォトレジスト組成物。１１．基体にフォトレジスト画像を製造する方法において、 a)線幅スイングレシオを低減するためのポジ型フォトレジスト組成物で基体をコーティングし、その際フォトレジスト組成物が、膜形成性ノボラック樹脂、キノンジアジド感光剤、約０．５重量％より多くの2,4-ジニトロ-1-ナフトールおよび溶媒の混合物を含有し、 b)実質的に全ての上記の溶媒組成物が取り除かれるまでコーティングされた基体を熱処理し、 c)コーティングされたフォトレジスト組成物を光化学線照射に画像形成露光し、 d)上記のコーティングされたフォトレジスト組成物の画像形成露光された領域を現像剤で取り除き、そして e)任意に除去段階の前または後に基体を加熱することからなる上記方法。１２．さらに、露光段階後かつ現像段階前に、上記のコーティングされた基体を約９０℃から約１５０℃の温度に約３０秒から約１８０秒間ホットプレートで、または約１５分から約４０分間オーブンで加熱することからなる請求項１１に記載の方法。１３．さらに、現像段階後に、上記のコーティングされた基体を約９０℃から約１５０℃の温度に約３０秒から約１８０秒間ホットプレートで、または約１５分から約４０分間オーブンで加熱することからなる請求項１１に記載の方法。１４．上記の基体が、ケイ素、アルミニウム、ポリマー性樹脂、二酸化ケイ素、ドープされた二酸化ケイ素、窒化ケイ素、タンタル、銅、ポリシリコン、セラミックス、アルミニウム／銅混合物、ヒ化ガリウムおよび第III/V群化合物からなる群から選択された一種またはそれ以上の成分を含有する請求項１１に記載の方法。１５．露光段階が、約３６５ｎｍの波長を有する紫外線照射で行われる請求項１１に記載の方法。１６．現像剤がアルカリ水溶液である請求項１１に記載の方法。１７．現像剤が、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液である請求項１１に記載の方法。