JP3977307B2 - ポジ型フォトレジスト組成物及びレジストパターン形成方法 - Google Patents
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 47
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 title claims description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 22
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 claims description 49
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 48
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 46
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 46
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 21
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 18
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 16
- 150000005215 alkyl ethers Chemical class 0.000 claims description 15
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical group COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 14
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 claims description 12
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 12
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 7
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 claims description 7
- -1 1,2-naphthoquinonediazide sulfonic acid compound Chemical class 0.000 description 37
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 25
- 238000011161 development Methods 0.000 description 23
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 23
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 20
- CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N heptan-2-one Chemical compound CCCCCC(C)=O CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 16
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 14
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 14
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 13
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 12
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229940022663 acetate Drugs 0.000 description 11
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 11
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical class OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 9
- 239000000047 product Substances 0.000 description 9
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 9
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 8
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 238000010828 elution Methods 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 5
- 150000002829 nitrogen Chemical class 0.000 description 5
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 5
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 5
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 5
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 description 5
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000004203 4-hydroxyphenyl group Chemical group [H]OC1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 4
- ZCTQGTTXIYCGGC-UHFFFAOYSA-N Benzyl salicylate Chemical compound OC1=CC=CC=C1C(=O)OCC1=CC=CC=C1 ZCTQGTTXIYCGGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 4
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 4
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 4
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 4
- RLSSMJSEOOYNOY-UHFFFAOYSA-N m-cresol Chemical compound CC1=CC=CC(O)=C1 RLSSMJSEOOYNOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N pyrogallol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1O WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 4
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 4
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical class CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 3
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 3
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 3
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 3
- 238000005194 fractionation Methods 0.000 description 3
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 3
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 3
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 3
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 3
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KETQAJRQOHHATG-UHFFFAOYSA-N 1,2-naphthoquinone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C(=O)C=CC2=C1 KETQAJRQOHHATG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940105324 1,2-naphthoquinone Drugs 0.000 description 2
- LIPRQQHINVWJCH-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropan-2-yl acetate Chemical compound CCOCC(C)OC(C)=O LIPRQQHINVWJCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OGRAOKJKVGDSFR-UHFFFAOYSA-N 2,3,5-trimethylphenol Chemical compound CC1=CC(C)=C(C)C(O)=C1 OGRAOKJKVGDSFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 2-(2-cyanopropan-2-yldiazenyl)-2-methylpropanenitrile Chemical compound N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OBETXYAYXDNJHR-UHFFFAOYSA-N 2-Ethylhexanoic acid Chemical compound CCCCC(CC)C(O)=O OBETXYAYXDNJHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PPPFYBPQAPISCT-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxypropyl acetate Chemical compound CC(O)COC(C)=O PPPFYBPQAPISCT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCOXTKKNXUZSKD-UHFFFAOYSA-N 3,4-xylenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1C YCOXTKKNXUZSKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TUAMRELNJMMDMT-UHFFFAOYSA-N 3,5-xylenol Chemical compound CC1=CC(C)=CC(O)=C1 TUAMRELNJMMDMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CLAQXRONBVEWMK-UHFFFAOYSA-N 4-[(2-hydroxyphenyl)-(4-hydroxy-2,3,5-trimethylphenyl)methyl]-2,3,6-trimethylphenol Chemical compound CC1=C(O)C(C)=CC(C(C=2C(=CC=CC=2)O)C=2C(=C(C)C(O)=C(C)C=2)C)=C1C CLAQXRONBVEWMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FFWSICBKRCICMR-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-2-hexanone Chemical compound CC(C)CCC(C)=O FFWSICBKRCICMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical compound C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIQCNGHVCWTJSM-UHFFFAOYSA-N Dimethyl phthalate Chemical compound COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OC NIQCNGHVCWTJSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N Fumaric acid Chemical compound OC(=O)\C=C\C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 2
- RRHGJUQNOFWUDK-UHFFFAOYSA-N Isoprene Chemical compound CC(=C)C=C RRHGJUQNOFWUDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 2
- 150000001299 aldehydes Chemical class 0.000 description 2
- QUKGYYKBILRGFE-UHFFFAOYSA-N benzyl acetate Chemical compound CC(=O)OCC1=CC=CC=C1 QUKGYYKBILRGFE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- XSIFPSYPOVKYCO-UHFFFAOYSA-N butyl benzoate Chemical compound CCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1 XSIFPSYPOVKYCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004292 cyclic ethers Chemical class 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N dibutyl phthalate Chemical compound CCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCC DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001991 dicarboxylic acids Chemical class 0.000 description 2
- FLKPEMZONWLCSK-UHFFFAOYSA-N diethyl phthalate Chemical compound CCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC FLKPEMZONWLCSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940028356 diethylene glycol monobutyl ether Drugs 0.000 description 2
- XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol monoethyl ether Chemical compound CCOCCOCCO XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000539 dimer Substances 0.000 description 2
- 239000003480 eluent Substances 0.000 description 2
- 238000005886 esterification reaction Methods 0.000 description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 2
- MTZQAGJQAFMTAQ-UHFFFAOYSA-N ethyl benzoate Chemical compound CCOC(=O)C1=CC=CC=C1 MTZQAGJQAFMTAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- FKRCODPIKNYEAC-UHFFFAOYSA-N ethyl propionate Chemical compound CCOC(=O)CC FKRCODPIKNYEAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 2
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 2
- OSWPMRLSEDHDFF-UHFFFAOYSA-N methyl salicylate Chemical compound COC(=O)C1=CC=CC=C1O OSWPMRLSEDHDFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N octanoic acid Chemical compound CCCCCCCC(O)=O WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N oxolane-2,4-dione Chemical compound O=C1COC(=O)C1 JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IWDCLRJOBJJRNH-UHFFFAOYSA-N p-cresol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1 IWDCLRJOBJJRNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 description 2
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 229940079877 pyrogallol Drugs 0.000 description 2
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 2
- 239000012488 sample solution Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- JLGLQAWTXXGVEM-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol monomethyl ether Chemical compound COCCOCCOCCO JLGLQAWTXXGVEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013638 trimer Substances 0.000 description 2
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 2
- DCTMXCOHGKSXIZ-UHFFFAOYSA-N (R)-1,3-Octanediol Chemical compound CCCCCC(O)CCO DCTMXCOHGKSXIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QYGBYAQGBVHMDD-XQRVVYSFSA-N (z)-2-cyano-3-thiophen-2-ylprop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C(\C#N)=C/C1=CC=CS1 QYGBYAQGBVHMDD-XQRVVYSFSA-N 0.000 description 1
- JDVMJFIBTWIYJX-UHFFFAOYSA-N 1,10-phenanthroline-5,6-diol Chemical compound Oc1c(O)c2cccnc2c2ncccc12 JDVMJFIBTWIYJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCJSMIWAXWPDOJ-UHFFFAOYSA-N 1,10-phenanthroline-5-carboxylic acid Chemical compound C1=CC=C2C(C(=O)O)=CC3=CC=CN=C3C2=N1 UCJSMIWAXWPDOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AGQSHPFFJUBBHR-UHFFFAOYSA-N 1,10-phenanthroline-5-sulfonic acid Chemical compound C1=CC=C2C(S(=O)(=O)O)=CC3=CC=CN=C3C2=N1 AGQSHPFFJUBBHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HTJMXYRLEDBSLT-UHFFFAOYSA-N 1,2,4,5-tetrazine Chemical compound C1=NN=CN=N1 HTJMXYRLEDBSLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYADHXFMURLYQI-UHFFFAOYSA-N 1,2,4-triazine Chemical class C1=CN=NC=N1 FYADHXFMURLYQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YUTHQCGFZNYPIG-UHFFFAOYSA-N 1-[2-(2-methylprop-2-enoyloxy)ethyl]cyclohexane-1,2-dicarboxylic acid Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCC1(C(O)=O)CCCCC1C(O)=O YUTHQCGFZNYPIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 1-butoxybutane Chemical compound CCCCOCCCC DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PAOHAQSLJSMLAT-UHFFFAOYSA-N 1-butylperoxybutane Chemical compound CCCCOOCCCC PAOHAQSLJSMLAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DMFAHCVITRDZQB-UHFFFAOYSA-N 1-propoxypropan-2-yl acetate Chemical compound CCCOCC(C)OC(C)=O DMFAHCVITRDZQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UWWUXWWWOUNMKW-UHFFFAOYSA-N 1h-pteridin-4-one Chemical compound C1=CN=C2C(O)=NC=NC2=N1 UWWUXWWWOUNMKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FPZWZCWUIYYYBU-UHFFFAOYSA-N 2-(2-ethoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCOCCOCCOC(C)=O FPZWZCWUIYYYBU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XXXFZKQPYACQLD-UHFFFAOYSA-N 2-(2-hydroxyethoxy)ethyl acetate Chemical class CC(=O)OCCOCCO XXXFZKQPYACQLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethanol Chemical compound COCCOCCO SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 2-(3-fluorophenyl)-1h-imidazole Chemical compound FC1=CC=CC(C=2NC=CN=2)=C1 JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RJNRKZBHLCOHNM-UHFFFAOYSA-N 2-(3-hydroxypyridin-2-yl)pyridin-3-ol Chemical group OC1=CC=CN=C1C1=NC=CC=C1O RJNRKZBHLCOHNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OEPOKWHJYJXUGD-UHFFFAOYSA-N 2-(3-phenylmethoxyphenyl)-1,3-thiazole-4-carbaldehyde Chemical compound O=CC1=CSC(C=2C=C(OCC=3C=CC=CC=3)C=CC=2)=N1 OEPOKWHJYJXUGD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OWNAGDNYVGVDAN-UHFFFAOYSA-N 2-(3-sulfanylpyridin-2-yl)pyridine-3-thiol Chemical group Sc1cccnc1-c1ncccc1S OWNAGDNYVGVDAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFSMVVDJSNMRAR-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-ethoxyethoxy)ethoxy]ethanol Chemical compound CCOCCOCCOCCO WFSMVVDJSNMRAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- COORVRSSRBIIFJ-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-hydroxyethoxy)ethoxy]-1-methoxyethanol;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.COC(O)COCCOCCO COORVRSSRBIIFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCZVSXRMYJUNFX-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-hydroxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound CC(O)COC(C)COC(C)CO LCZVSXRMYJUNFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WAEVWDZKMBQDEJ-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-methoxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound COC(C)COC(C)COC(C)CO WAEVWDZKMBQDEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LBNDGEZENJUBCO-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-methylprop-2-enoyloxy)ethyl]butanedioic acid Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCC(C(O)=O)CC(O)=O LBNDGEZENJUBCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JEYLQCXBYFQJRO-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[2-(2-ethylbutanoyloxy)ethoxy]ethoxy]ethyl 2-ethylbutanoate Chemical compound CCC(CC)C(=O)OCCOCCOCCOC(=O)C(CC)CC JEYLQCXBYFQJRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LGPQRQCYEQNQJV-UHFFFAOYSA-N 2-ethyl-1h-pteridin-4-one Chemical compound C1=CN=C2C(=O)NC(CC)=NC2=N1 LGPQRQCYEQNQJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UPGSWASWQBLSKZ-UHFFFAOYSA-N 2-hexoxyethanol Chemical compound CCCCCCOCCO UPGSWASWQBLSKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HXDLWJWIAHWIKI-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyethyl acetate Chemical compound CC(=O)OCCO HXDLWJWIAHWIKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000954 2-hydroxyethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])O[H] 0.000 description 1
- 125000004200 2-methoxyethyl group Chemical group [H]C([H])([H])OC([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- HFCUBKYHMMPGBY-UHFFFAOYSA-N 2-methoxyethyl prop-2-enoate Chemical compound COCCOC(=O)C=C HFCUBKYHMMPGBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POBQDCSDWWGADK-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1h-pteridin-4-one Chemical compound C1=CN=C2NC(C)=NC(=O)C2=N1 POBQDCSDWWGADK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CRWNQZTZTZWPOF-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-4-phenylpyridine Chemical compound C1=NC(C)=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 CRWNQZTZTZWPOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MUZDXNQOSGWMJJ-UHFFFAOYSA-N 2-methylprop-2-enoic acid;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.CC(=C)C(O)=O MUZDXNQOSGWMJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCDWFXQBSFUVSP-UHFFFAOYSA-N 2-phenoxyethanol Chemical compound OCCOC1=CC=CC=C1 QCDWFXQBSFUVSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BXGYBSJAZFGIPX-UHFFFAOYSA-N 2-pyridin-2-ylethanol Chemical compound OCCC1=CC=CC=N1 BXGYBSJAZFGIPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QQOMQLYQAXGHSU-UHFFFAOYSA-N 236TMPh Natural products CC1=CC=C(C)C(O)=C1C QQOMQLYQAXGHSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JZIBVTUXIVIFGC-UHFFFAOYSA-N 2H-pyrrole Chemical compound C1C=CC=N1 JZIBVTUXIVIFGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KSACKJIWQPGKMJ-UHFFFAOYSA-N 3,8-dimethyl-1,10-phenanthroline Chemical compound CC1=CN=C2C3=NC=C(C)C=C3C=CC2=C1 KSACKJIWQPGKMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DWTKNKBWDQHROK-UHFFFAOYSA-N 3-[2-(2-methylprop-2-enoyloxy)ethyl]phthalic acid Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCC1=CC=CC(C(O)=O)=C1C(O)=O DWTKNKBWDQHROK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RBHMMRHZYYAJAW-UHFFFAOYSA-N 4-(2-ethylphenyl)phenol Chemical compound CCC1=CC=CC=C1C1=CC=C(O)C=C1 RBHMMRHZYYAJAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YNICUQBUXHBYCH-UHFFFAOYSA-N 4-[(4-hydroxy-2,5-dimethylphenyl)-(2-hydroxyphenyl)methyl]-2,5-dimethylphenol Chemical compound C1=C(O)C(C)=CC(C(C=2C(=CC=CC=2)O)C=2C(=CC(O)=C(C)C=2)C)=C1C YNICUQBUXHBYCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TWCUWADOIBLGAU-UHFFFAOYSA-N 4-[2-[3-[2-(2,4-dihydroxyphenyl)propan-2-yl]-2-hydroxy-5-methylphenyl]propan-2-yl]benzene-1,3-diol Chemical compound C=1C(C)=CC(C(C)(C)C=2C(=CC(O)=CC=2)O)=C(O)C=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1O TWCUWADOIBLGAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QBFWOUJDPJACIQ-UHFFFAOYSA-N 4-[2-[4-[1,1-bis(4-hydroxy-3-methylphenyl)ethyl]phenyl]propan-2-yl]-2-methylphenol Chemical compound C1=C(O)C(C)=CC(C(C)(C)C=2C=CC(=CC=2)C(C)(C=2C=C(C)C(O)=CC=2)C=2C=C(C)C(O)=CC=2)=C1 QBFWOUJDPJACIQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WXYSZTISEJBRHW-UHFFFAOYSA-N 4-[2-[4-[1,1-bis(4-hydroxyphenyl)ethyl]phenyl]propan-2-yl]phenol Chemical compound C=1C=C(C(C)(C=2C=CC(O)=CC=2)C=2C=CC(O)=CC=2)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 WXYSZTISEJBRHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SIDYFHJPUCRHJY-UHFFFAOYSA-N 4-[2-[4-[2-(4-hydroxy-3,5-dimethylphenyl)propan-2-yl]phenyl]propan-2-yl]-2,6-dimethylphenol Chemical compound CC1=C(O)C(C)=CC(C(C)(C)C=2C=CC(=CC=2)C(C)(C)C=2C=C(C)C(O)=C(C)C=2)=C1 SIDYFHJPUCRHJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FVLYIHYVIMGFNV-UHFFFAOYSA-N 4-[[2-hydroxy-5-methyl-3-[(2,3,4-trihydroxyphenyl)methyl]phenyl]methyl]benzene-1,2,3-triol Chemical compound OC=1C(CC=2C(=C(O)C(O)=CC=2)O)=CC(C)=CC=1CC1=CC=C(O)C(O)=C1O FVLYIHYVIMGFNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZXBUEKCCOHOCGJ-UHFFFAOYSA-N 4-[[3-[(2,4-dihydroxy-5-methylphenyl)methyl]-2-hydroxy-5-methylphenyl]methyl]-6-methylbenzene-1,3-diol Chemical compound OC=1C(CC=2C(=CC(O)=C(C)C=2)O)=CC(C)=CC=1CC1=CC(C)=C(O)C=C1O ZXBUEKCCOHOCGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LBDYXGSGBKXKIL-UHFFFAOYSA-N 4-[[4-hydroxy-3-[(4-hydroxy-3,5-dimethylphenyl)methyl]-5-methylphenyl]methyl]-2,6-dimethylphenol Chemical compound CC1=C(O)C(C)=CC(CC=2C=C(CC=3C=C(C)C(O)=C(C)C=3)C(O)=C(C)C=2)=C1 LBDYXGSGBKXKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UWFUILMHBCVIMK-UHFFFAOYSA-N 4-[bis(4-hydroxy-3,5-dimethylphenyl)methyl]benzene-1,2-diol Chemical compound CC1=C(O)C(C)=CC(C(C=2C=C(O)C(O)=CC=2)C=2C=C(C)C(O)=C(C)C=2)=C1 UWFUILMHBCVIMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WTQZSMDDRMKJRI-UHFFFAOYSA-N 4-diazoniophenolate Chemical group [O-]C1=CC=C([N+]#N)C=C1 WTQZSMDDRMKJRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NBPGPQJFYXNFKN-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-2-(4-methylpyridin-2-yl)pyridine Chemical group CC1=CC=NC(C=2N=CC=C(C)C=2)=C1 NBPGPQJFYXNFKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZYOALCJZBKKCLK-UHFFFAOYSA-N 4-oxo-1h-pteridine-2-sulfonic acid Chemical compound C1=CN=C2NC(S(=O)(=O)O)=NC(=O)C2=N1 ZYOALCJZBKKCLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BRPQDJPJBCQFSR-UHFFFAOYSA-N 5,6-dimethyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C1=CC=C2C(C)=C(C)C3=CC=CN=C3C2=N1 BRPQDJPJBCQFSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HYCKHRIFJYTAEM-UHFFFAOYSA-N 5-chloro-2-(5-chloropyridin-2-yl)pyridine Chemical group N1=CC(Cl)=CC=C1C1=CC=C(Cl)C=N1 HYCKHRIFJYTAEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940105058 5-methyl-8-hydroxyquinoline Drugs 0.000 description 1
- NDNCMZPUUYHQBV-UHFFFAOYSA-N 6-ethylquinolin-8-ol Chemical compound N1=CC=CC2=CC(CC)=CC(O)=C21 NDNCMZPUUYHQBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AIBOXZCUYYHFTM-UHFFFAOYSA-N 6-methylquinolin-8-ol Chemical compound N1=CC=CC2=CC(C)=CC(O)=C21 AIBOXZCUYYHFTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LWMHPOLRJIRLPN-UHFFFAOYSA-N 6-pyridin-2-ylpyridine-3-carboxylic acid Chemical compound N1=CC(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=CC=N1 LWMHPOLRJIRLPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005725 8-Hydroxyquinoline Substances 0.000 description 1
- AYTWISWDWSARJX-UHFFFAOYSA-N 8-hydroxy-10h-1,10-phenanthrolin-3-one Chemical compound O=C1C=NC2=C3NC=C(O)C=C3C=CC2=C1 AYTWISWDWSARJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N Acrylamide Chemical compound NC(=O)C=C HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HAUGRYOERYOXHX-UHFFFAOYSA-N Alloxazine Chemical class C1=CC=C2N=C(C(=O)NC(=O)N3)C3=NC2=C1 HAUGRYOERYOXHX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004342 Benzoyl peroxide Substances 0.000 description 1
- OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N Benzoylperoxide Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)OOC(=O)C1=CC=CC=C1 OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N Bipyridyl Chemical group N1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SDDLEVPIDBLVHC-UHFFFAOYSA-N Bisphenol Z Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C1(C=2C=CC(O)=CC=2)CCCCC1 SDDLEVPIDBLVHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005635 Caprylic acid (CAS 124-07-2) Substances 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IEPRKVQEAMIZSS-UHFFFAOYSA-N Di-Et ester-Fumaric acid Natural products CCOC(=O)C=CC(=O)OCC IEPRKVQEAMIZSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IEPRKVQEAMIZSS-WAYWQWQTSA-N Diethyl maleate Chemical compound CCOC(=O)\C=C/C(=O)OCC IEPRKVQEAMIZSS-WAYWQWQTSA-N 0.000 description 1
- LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N Dimethyl ether Chemical compound COC LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XXRCUYVCPSWGCC-UHFFFAOYSA-N Ethyl pyruvate Chemical compound CCOC(=O)C(C)=O XXRCUYVCPSWGCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000000177 Indigofera tinctoria Nutrition 0.000 description 1
- PMGCQNGBLMMXEW-UHFFFAOYSA-N Isoamyl salicylate Chemical compound CC(C)CCOC(=O)C1=CC=CC=C1O PMGCQNGBLMMXEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYCMBHHDWRMZGG-UHFFFAOYSA-N Methylacrylonitrile Chemical compound CC(=C)C#N GYCMBHHDWRMZGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CWRVKFFCRWGWCS-UHFFFAOYSA-N Pentrazole Chemical compound C1CCCCC2=NN=NN21 CWRVKFFCRWGWCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M Propionate Chemical compound CCC([O-])=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical class C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical class N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010070834 Sensitisation Diseases 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ALVGSDOIXRPZFH-UHFFFAOYSA-N [(1-diazonioimino-3,4-dioxonaphthalen-2-ylidene)hydrazinylidene]azanide Chemical group C1=CC=C2C(=N[N+]#N)C(=NN=[N-])C(=O)C(=O)C2=C1 ALVGSDOIXRPZFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical compound C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N acetic acid trimethyl ester Natural products COC(C)=O KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OHBRHBQMHLEELN-UHFFFAOYSA-N acetic acid;1-butoxybutane Chemical compound CC(O)=O.CCCCOCCCC OHBRHBQMHLEELN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KVXNKFYSHAUJIA-UHFFFAOYSA-N acetic acid;ethoxyethane Chemical compound CC(O)=O.CCOCC KVXNKFYSHAUJIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001251 acridines Chemical class 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 150000007824 aliphatic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- XYLMUPLGERFSHI-UHFFFAOYSA-N alpha-Methylstyrene Chemical compound CC(=C)C1=CC=CC=C1 XYLMUPLGERFSHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003254 anti-foaming effect Effects 0.000 description 1
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000006615 aromatic heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003785 benzimidazolyl group Chemical class N1=C(NC2=C1C=CC=C2)* 0.000 description 1
- WZJYKHNJTSNBHV-UHFFFAOYSA-N benzo[h]quinoline Chemical class C1=CN=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 WZJYKHNJTSNBHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UDEWPOVQBGFNGE-UHFFFAOYSA-N benzoic acid n-propyl ester Natural products CCCOC(=O)C1=CC=CC=C1 UDEWPOVQBGFNGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001565 benzotriazoles Chemical class 0.000 description 1
- 235000019400 benzoyl peroxide Nutrition 0.000 description 1
- AOJOEFVRHOZDFN-UHFFFAOYSA-N benzyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC1=CC=CC=C1 AOJOEFVRHOZDFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940007550 benzyl acetate Drugs 0.000 description 1
- CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N butyl acrylate Chemical compound CCCCOC(=O)C=C CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- WCZVZNOTHYJIEI-UHFFFAOYSA-N cinnoline Chemical class N1=NC=CC2=CC=CC=C21 WCZVZNOTHYJIEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- LDHQCZJRKDOVOX-NSCUHMNNSA-N crotonic acid Chemical compound C\C=C\C(O)=O LDHQCZJRKDOVOX-NSCUHMNNSA-N 0.000 description 1
- 150000004891 diazines Chemical class 0.000 description 1
- 150000001993 dienes Chemical class 0.000 description 1
- UBPGILLNMDGSDS-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol diacetate Chemical compound CC(=O)OCCOCCOC(C)=O UBPGILLNMDGSDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940075557 diethylene glycol monoethyl ether Drugs 0.000 description 1
- FBSAITBEAPNWJG-UHFFFAOYSA-N dimethyl phthalate Natural products CC(=O)OC1=CC=CC=C1OC(C)=O FBSAITBEAPNWJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001826 dimethylphthalate Drugs 0.000 description 1
- USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N diphenyl ether Chemical compound C=1C=CC=CC=1OC1=CC=CC=C1 USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POLCUAVZOMRGSN-UHFFFAOYSA-N dipropyl ether Chemical compound CCCOCCC POLCUAVZOMRGSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N dipropylene glycol Chemical compound OCCCOCCCO SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 125000006232 ethoxy propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])OC([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229940117360 ethyl pyruvate Drugs 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000001530 fumaric acid Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 150000002391 heterocyclic compounds Chemical class 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- 150000002462 imidazolines Chemical class 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 229940097275 indigo Drugs 0.000 description 1
- COHYTHOBJLSHDF-UHFFFAOYSA-N indigo powder Natural products N1C2=CC=CC=C2C(=O)C1=C1C(=O)C2=CC=CC=C2N1 COHYTHOBJLSHDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002475 indoles Chemical class 0.000 description 1
- 125000003387 indolinyl group Chemical class N1(CCC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 150000002537 isoquinolines Chemical class 0.000 description 1
- UYEUUXMDVNYCAM-UHFFFAOYSA-N lumazine Chemical compound N1=CC=NC2=NC(O)=NC(O)=C21 UYEUUXMDVNYCAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- FQPSGWSUVKBHSU-UHFFFAOYSA-N methacrylamide Chemical compound CC(=C)C(N)=O FQPSGWSUVKBHSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N methanone Chemical compound O=[14CH2] WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 1
- BDJSOPWXYLFTNW-UHFFFAOYSA-N methyl 3-methoxypropanoate Chemical compound COCCC(=O)OC BDJSOPWXYLFTNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- OLXYLDUSSBULGU-UHFFFAOYSA-N methyl pyridine-4-carboxylate Chemical compound COC(=O)C1=CC=NC=C1 OLXYLDUSSBULGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CWKLZLBVOJRSOM-UHFFFAOYSA-N methyl pyruvate Chemical compound COC(=O)C(C)=O CWKLZLBVOJRSOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001047 methyl salicylate Drugs 0.000 description 1
- LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N methylenebutanedioic acid Natural products OC(=O)CC(=C)C(O)=O LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002763 monocarboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- OZIRORHUKSXTLG-UHFFFAOYSA-N naphtho[1,2-h]quinoline Chemical class C1=CC2=CC=CN=C2C2=C1C1=CC=CC=C1C=C2 OZIRORHUKSXTLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960002446 octanoic acid Drugs 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 150000005041 phenanthrolines Chemical class 0.000 description 1
- 125000000951 phenoxy group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(O*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 229960005323 phenoxyethanol Drugs 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000006068 polycondensation reaction Methods 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 239000002685 polymerization catalyst Substances 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000003195 pteridines Chemical class 0.000 description 1
- 125000000561 purinyl group Chemical class N1=C(N=C2N=CNC2=C1)* 0.000 description 1
- 150000003217 pyrazoles Chemical class 0.000 description 1
- 150000003222 pyridines Chemical class 0.000 description 1
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MZPCTRNDYNHZQE-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-yl acetate Chemical compound C1=CN=C2C(OC(=O)C)=CC=CC2=C1 MZPCTRNDYNHZQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003248 quinolines Chemical class 0.000 description 1
- 239000007870 radical polymerization initiator Substances 0.000 description 1
- GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N resorcinol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1 GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001755 resorcinol Drugs 0.000 description 1
- 230000008313 sensitization Effects 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 125000000472 sulfonyl group Chemical group *S(*)(=O)=O 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 150000003536 tetrazoles Chemical class 0.000 description 1
- RPVGLMKJGQMQSN-UHFFFAOYSA-N tiliquinol Chemical compound C1=CC=C2C(C)=CC=C(O)C2=N1 RPVGLMKJGQMQSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LDHQCZJRKDOVOX-UHFFFAOYSA-N trans-crotonic acid Natural products CC=CC(O)=O LDHQCZJRKDOVOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol Chemical compound OCCOCCOCCO ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YFNKIDBQEZZDLK-UHFFFAOYSA-N triglyme Chemical compound COCCOCCOCCOC YFNKIDBQEZZDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
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Description
第1の発明は、(A)アルカリ可溶性ノボラック樹脂の全フェノール性水酸基の水素原子の一部が、1,2−ナフトキノンジアジドスルホニル基で置換された感光性ノボラック樹脂を、(B)プロピレングリコールアルキルエーテルアセテートを含む有機溶剤に溶解してなり、
前記(B)有機溶剤が、乳酸エチルを含み、前記(B)有機溶剤中のプロピレングリコールアルキルエーテルアセテートの割合が50〜90質量%であることを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物である。
第2の発明は、本発明のポジ型フォトレジスト組成物を基板上に塗布し、プレベークし、選択的に露光した後、アルカリ現像してレジストパターンを形成することを特徴とするレジストパターン形成方法である。
(A)成分(感光性ノボラック樹脂)
(A)成分は、アルカリ可溶性ノボラック樹脂の全フェノール性水酸基の水素原子の一部が、1,2−ナフトキノンジアジドスルホニル基で置換された感光性ノボラック樹脂である。
(A)成分を用いることにより良好な感度やレジストパターンの形状の垂直性が得られる。
(A)成分は、アルカリ可溶性ノボラック樹脂と、1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸化合物とのエステル化反応により合成することができる。
アルカリ可溶性ノボラック樹脂は、例えば特開平10−97066号公報に記載されているような常法に従い、フェノール化合物と縮合剤との脱水縮合反応により重縮合物として合成することができる。
前記1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸化合物としては、例えば、1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸クロライド、1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸クロライド等のキノンジアジド化合物のハロゲン化物が挙げられる。
アルカリ可溶性ノボラック樹脂の合成に使用され得る前記フェノール化合物としては、下記式(a−1)〜(a−5)で表される構成単位に対応するフェノール化合物が挙げられる。
また、上記以外のフェノール化合物も使用可能であるが、これらは全フェノール化合物中の10モル%以下の範囲で用いられることが、本発明のポジ型フォトレジスト組成物の諸特性を損なわない点で望ましい。
(1) ポリスチレン換算の質量平均分子量が1000〜30000、好ましくは2000〜10000、
(2)分散度が25以下、好ましくは10以下、
(3)2.38質量%TMAH(テトラメチルアンモニウムヒドロキシド)水溶液(23℃)に対する溶解速度が10〜1000Å/s、好ましくは50〜500Å/s。
前記(2)に示した様に、分散度が25以下であることにより、解像性、良好な形状を得る点で有利である。
前記(3)に示した様に溶解速度が10Å/s以上であることにより、現像時の未露光部の膜減りを抑制でき、1000Å/s以下であることにより、現像速度の低下を抑制できる。
(A)成分の1,2−ナフトキノンジアジドスルホニル基で置換前のアルカリ可溶性ノボラック樹脂のゲルパーミエーションクロマトグラフィ(GPC)によるポリスチレン換算質量平均分子量(Mw)は、1000〜30000が好ましく、2000〜10000がより好ましい。Mw1000以上とすることにより、現像時に顕著な未露光部の膜減りが起こり、レジストパターンの形成が困難となる傾向を抑制できる。また、Mw30000以下とすることにより、現像速度や解像性が著しく低下する傾向を抑制できる。
ここで、低核体とは、上述のようなフェノール化合物、すなわちフェノール系モノマーと、該フェノール系モノマー2分子から得られるダイマー、該フェノール系モノマー3分子から得られるトリマー等を意味する。
このような分別樹脂を用いることにより、レジストパターン断面形状の垂直性がさらに良好になり、現像後の基板上に残渣(スカム)が発生しにくく、解像性が向上する。また耐熱性に優れるなどの利点がある。
前記極性溶媒としては、例えばメタノール、エタノール等のアルコール、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート等のグリコールエーテルエステル、テトラヒドロフラン等の環状エーテルなどを挙げることができる。
(1)試料20mgをテトラヒドロフラン(THF)10mlに溶解し、試料溶液を調製する。
(2)(1)の試料溶液10μlを下記のGPC測定装置に注入し、28分間流してUV波長λ=280nm付近で検出される試料の溶出時間を測定する。
(測定装置)ガードカラム(製品名「KF−G」;Shodex社製)と3本の分離カラム(6μm粒径のスチレン−ジビニルベンゼン共重合体を充填剤としたカラムサイズ8μm(径)×300mm(長さ)、製品名「KF−801」;Shodex社製)を備え、分離カラム温度は、オーブンを使用して40℃に設定したGPC測定装置(製品名「GPC SYSTEM 11」;Shodex社製)を用い、テトラヒドロフラン(THF)の溶離液の送液速度は、1.0ml/minの条件で行う。
なお、(A)成分は、1種または2種以上混合して用いることができる。
・プロピレングリコールアルキルエーテルアセテート
(B)成分にプロピレングリコールアルキルエーテルアセテートを配合することにより、現像速度を速くすることができる。そして、(B)成分を用いると、好ましくは現像による未露光部の膜減りをおこすことなく溶解速度を速くすることができる。さらには、好ましくは(A)成分による効果、すなわち良好な感度とレジストパターン形状の垂直性を維持しながら、現像速度を速くすることができる。
プロピレングリコールアルキルエーテルアセテートとしては、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールプロピルエーテルアセテート等があげられる。その中でも、効果、入手のしやすさ等から、プロピレングリコールエチルエーテルアセテートが好ましい。プロピレングリコールアルキルエーテルアセテートは1種または2種以上混合して用いることができる。
(B)成分は、プロピレングリコールアルキルエーテルアセテート100質量%とすることもできるし、プロピレングリコールアルキルエーテルアセテート以外の溶剤を配合することもできる。
プロピレングリコールアルキルエーテルアセテート以外の溶剤を配合することにより、例えばプロピレングリコールアルキルエーテルアセテートでは得られない良好な特性をさらに付与することができる。
混合溶剤とする場合には、プロピレングリコールアルキルエーテルアセテートの配合量を50〜90質量%、さらには70〜90質量%とすることが好ましい。この範囲とすることにより、プロピレングリコールアルキルエーテルアセテートによる効果が十分に得られる。
混合する他の溶剤は、1種または2種以上混合して用いることができる。また、レジスト組成物に使用し得るものであれば特に限定せずに用いることができるが、例えば耐熱性向上のためには、乳酸エチルを配合することが好ましい。乳酸エチルはプロピレングリコールアルキルエーテルアセテートの現像速度の向上効果を大きく阻害せずに耐熱性を向上させることができ、優れている。
本発明のポジ型フォトレジスト組成物には、さらに、必要に応じて、アルカリ可溶性アクリル樹脂等の可塑剤、基板との密着性を上げるための密着性向上剤、増感剤、高沸点有機溶剤、酸発生剤、及び当該技術分野で慣用されている各種添加成分が配合されていてもよい。
本発明のポジ型フォトレジスト組成物には、厚膜のレジスト層を形成し、メッキを施す用途において、クラックの発生などの耐メッキ性をさらに向上させるために、可塑剤として、アルカリ可溶性アクリル樹脂(以下、(C)成分という)を配合してもよい。
(C)成分としては、可塑剤として、一般にポジ型フォトレジスト組成物に配合されているものが使用できる。
(C)成分として、より具体的には、エーテル結合を有する重合性化合物から誘導された構成単位30〜90質量%、及びカルボキシル基を有する重合性化合物から誘導された構成単位50〜2質量%を含有するものが挙げられる。
エーテル結合を有する重合性化合物としては、2−メトキシエチル(メタ)アクリレート、メトキシトリエチレングリコール(メタ)アクリレート、3−メトキシブチル(メタ)アクリレート、エチルカルビトール(メタ)アクリレート、フェノキシポリエチレングリコール(メタ)アクリレート、メトキシポリプロピレングリコール(メタ)アクリレート、テトラヒドロフルフリル(メタ)アクリレート等のエーテル結合及びエステル結合を有する(メタ)アクリル酸誘導体等のラジカル重合性化合物を例示することができ、好ましくは、2−メトキシエチルアクリレート、メトキシトリエチレングリコールアクリレートである。これらの化合物は単独もしくは2種以上組み合わせて使用できる。
カルボキシル基を有する重合性化合物としては、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸などのモノカルボン酸、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸などのジカルボン酸、2−メタクリロイルオキシエチルコハク酸、2−メタクリロイルオキシエチルマレイン酸、2−メタクリロイルオキシエチルフタル酸、2−メタクリロイルオキシエチルヘキサヒドロフタル酸などのカルボキシル基及びエステル結合を有するメタクリル酸誘導体等のラジカル重合性化合物を例示することができ、好ましくは、アクリル酸、メタクリル酸である。これらの化合物は単独もしくは2種以上組み合わせて使用できる。
また、(C)成分中におけるカルボキシル基を有する重合性化合物の含有量は、2〜50質量%が好ましく、5〜40質量%がさらに好ましい。2質量%以上とすることにより、(C)成分のアルカリ溶解性が低下し、十分な現像性が得られない傾向を防ぐことができる。また剥離性が低下し基板上にレジストが残膜する傾向を抑制できる。50質量%以下とすることにより、現像後の残膜率の低下や耐メッキ性が悪化する傾向を抑制できる。
この様なラジカル重合性化合物としては、メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、ブチル(メタ)アクリレートなどの(メタ)アクリル酸アルキルエステル類;2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレートなどの(メタ)アクリル酸ヒドロキシアルキルエステル類;フェニル(メタ)アクリレート、ベンジル(メタ)アクリレートなどの(メタ)アクリル酸アリールエステル類;マレイン酸ジエチル、フマル酸ジブチルなどのジカルボン酸ジエステル類;スチレン、α−メチルスチレンなどのビニル基含有芳香族化合物;酢酸ビニルなどのビニル基含有脂肪族化合物;ブタジエン、イソプレンなどの共役ジオレフィン類;アクリロニトリル、メタクリロニトリルなどのニトリル基含有重合性化合物;塩化ビニル、塩化ビニリデンなどの塩素含有重合性化合物;アクリルアミド、メタクリルアミドなどのアミド結合含有重合性化合物などを用いることができる。これらの化合物は単独、もしくは2種以上組み合わせて用いることができ、これらのうち特に、n−ブチルアクリレート、ベンジルメタクリレート、メチルメタクリレートなどが好ましい。(C)成分中に占める他のラジカル重合性化合物は50質量%未満が好ましく、より好ましくは40質量%未満である。
(C)成分を合成する際に用いられる重合触媒としては、通常のラジカル重合開始剤が使用でき、例えば2,2’−アゾビスイソブチロニトリルなどのアゾ化合物;ベンゾイルパーオキシド、ジ−tert−ブチルパーオキシドなどの有機過酸化物などが使用できる。
この範囲とすることにより、形成されるレジスト膜の強度が充分なものとなり、膨れなどが生じにくく、鮮明なプロファイルが得られ、解像度が向上する。
なお、(C)成分は必須ではなく、配合しなくてもよいが、配合する場合は、(A)成分に対し、3質量%以上が好ましい。
密着性向上剤としては、特開昭62−262043号公報、特開平11−223937号公報などに記載されている密着性向上剤を挙げることができ、例えば、6−メチル−8−ヒドロキシキノリン、6−エチル−8−ヒドロキシキノリン、5−メチル−8−ヒドロキシキノリン、8−ヒドロキシキノリン、8−アセチルオキシキノリン、4−ヒドロキシプテリジン、2,4−ジヒドロキシプテリジン、4−ヒドロキシプテリジン−2−スルホン酸、2−エチル−4−ヒドロキシプテリジン、2−メチル−4−ヒドロキシプテリジン、1,10−フェナントロリン、5,6−ジメチル−1,10−フェナントロリン、3,8−ジメチル−1,10−フェナントロリン、3,8−ジヒドロキシ−1,10−フェナントロリン、5−カルボキシ−1,10−フェナントロリン、5,6−ジヒドロキシ−1,10−フェナントロリン、1,10−フェナントロリン−5−スルホン酸、4,4’−ジメチル−2,2’−ビピリジル、2,2’−ビピリジル、2,2’−ビピリジル−5−カルボン酸、5,5’−ジクロロ−2,2’−ビピリジル、3,3’−ジヒドロキシ−2,2’−ビピリジル、3,3’−ジメルカプト−2,2’−ビピリジル等が挙げられる。
また、本発明では、所望により増感剤を配合することができる。本発明で用いることのできる増感剤としては、とくに制限はなく、ポジ型フォトレジスト組成物において増感剤として通常用いられ得るものの中から任意に選ぶことができる。例えば下記一般式(e−1)で表されるフェノール化合物を使用することができる。
q、rは1〜3、好ましくは1〜2の整数を表す。
l、o、pは0、又は1〜3の整数を表す。
R80〜R85はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。R80〜R85のアルキル基としては、直鎖でも分岐でもよく、炭素原子数1〜10のアルキル基が好ましい。アルケニル基としては、炭素原子数1〜4のアルケニル基が好ましい。
f、gは1〜3、好ましくは1〜2の整数を表す。
j、zは0、又は1〜3の整数を表す。
また、本発明では、所望により沸点が200〜350℃程度の高沸点有機溶剤の中から選ばれる少なくとも1種を配合することにより、レジスト被膜のバルク効果すなわち膜密度の偏りを小さくすることができ、ポジ型フォトレジスト組成物を用いて、表面に段差のある基板上に厚膜のレジスト被膜を形成した場合でも、垂直性に優れるスペースパターンを形成することができ好ましい。また、プリベーク処理、及びPEB(露光後加熱)処理の条件(加熱時間、加熱手段など)によらずに、良好なスペースパターンの形成が可能となり好ましい。
高沸点有機溶剤の配合量は、上記(A)成分、及び所望により配合される上記増感剤の合計量に対して、3〜15質量%、とくに6〜12質量%が好ましく、3質量%以上とすることにより、上記効果が十分になり、15質量%以下とすることにより、スペースパターン上部が広がるなどにより断面形状の垂直性が悪くなる傾向を抑制できる。
本発明のポジ型フォトレジスト組成物は、前記(A)成分と、必要に応じて添加する各種成分を、(B)成分に溶解して溶液の形で用いる。
ポジ型フォトレジスト組成物の調製は、例えば、上記各成分を通常の方法で混合、攪拌するだけでよく、必要に応じディゾルバー、ホモジナイザー、3本ロールミルなどの分散機を用い分散、混合させてもよい。また、混合した後で、さらにメッシュ、メンブレンフィルターなどを用いてろ過してもよい。
次に、本発明のレジストパターン形成方法の好適な一例を示す。
まず、Au、Si、Cu等の基板上に、前記ポジ型フォトレジスト組成物をスピンナー等で塗布し、乾燥して感光層を形成させ、次いで光源として高圧水銀灯、超高圧水銀灯、或いは、低圧水銀灯を用い、所望のマスクパターンを介して露光する。次に必要に応じてPEB(露光後加熱)処理を行い、これを現像液、例えば1〜10質量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)水溶液のようなアルカリ性水溶液に浸漬するなどして露光部を溶解除去することにより、マスクパターンに忠実な画像を得ることができる。
当該パターン形成方法としては、レジストパターンが描かれた基板の全面に酸の作用により架橋反応を起こす酸架橋性材料の被膜を形成する工程、加熱処理を行いレジストパターン表面から拡散する酸の作用によりレジストパターンに接する部分の前記酸架橋性材料を架橋させる工程、現像液により架橋していない領域の前記酸架橋性材料を除くことにより、酸架橋性材料の被膜を形成する前のレジストパターンのスペース幅より狭い幅のレジストパターンを形成する工程、を有するレジストパターンの形成方法や、レジストパターンが描かれた基板の全面に酸の作用により架橋反応を起こす酸架橋性材料の被膜を形成する工程、紫外線照射による全面露光又は選択的露光を行い、レジストパターン表面あるいは内部に酸を発生させる工程、加熱処理を行いレジストパターン表面から拡散する酸の作用によりレジストパターンに接する部分の前記酸架橋性材料を架橋させる工程、現像液により架橋していない領域の前記酸架橋性材料を除くことにより、酸架橋性材料の被膜を形成する前のレジストパターンのスペース幅より狭い幅のレジストパターンを形成する工程、を有するレジストパターンの形成方法などが知られている。
前記酸架橋性材料、及び現像液としては、特に限定はなく、例えば特開平11−204399号公報に記載のものを挙げることができる。
m−クレゾール、p−クレゾール(モル比=36:64)とホルマリンとの脱水縮合反応により合成した重縮合物(1)(Mw=4000、分酸度(Mw/Mn)=5.0、2.38質量%TMAHに対する溶解速度300Å/s)50gと1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸クロライド5gとを温度計、攪拌機、滴下ロートのついた1リットルの三口フラスコに入れ、これに2−ヘプタノン150gを加えて溶解させた後、滴下ロ−トからトリエチルアミン3.8gを加え室温で2時間攪拌を続けた。
その後、濃度35質量%塩酸水溶液5.8gを加え、さらに室温で30分攪拌を続けた。次に、この反応溶液に、水150gを加え、攪拌した後、静置し、分離した水層を取り除くことで、過剰な塩酸を取り除いた。以上の操作で、全フェノール性水酸基の水素原子4.5モル%が1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニル基で置換された感光性ノボラック樹脂(2)の2−ヘプタノン溶液を得た。
上記感光性ノボラック樹脂(2)の2−ヘプタノン溶液を濃縮し、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート添加し、さらに濃縮する操作を3回繰り返し、ノボラック樹脂(2)のプロピレングリコールメチルエーテルアセテート55質量%溶液を得た。
ついで、感光性ノボラック樹脂(2)100質量部(プロピレングリコールメチルエーテルアセテート55質量%溶液182g)に、感光性ノボラック樹脂(2)濃度が42質量%になるようにプロピレングリコールメチルエーテルアセテートを添加し、プロピレングリコールメチルエーテルアセテートを溶剤としたポジ型フォトレジスト組成物を調製した。
感光性ノボラック樹脂(2)100質量部(プロピレングリコールメチルエーテルアセテート55質量%溶液182g)に感光性ノボラック樹脂(2)濃度が42質量%になるようにプロピレングリコールメチルエーテルアセテートと乳酸エチルを添加することにより、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、乳酸エチル(質量比=70/30)を溶剤としたポジ型フォトレジスト組成物を調製した。
感光性ノボラック樹脂(2)の2−ヘプタノン溶液を濃縮し、乳酸エチルを添加し、濃縮する操作を3回繰り返し、感光性ノボラック樹脂(2)の乳酸エチル55質量%溶液を得た。
感光性ノボラック樹脂(2)100質量部(乳酸エチル55質量%溶液182g)に感光性ノボラック樹脂(2)濃度が42質量%になるように乳酸エチルを添加することにより、乳酸エチルを溶剤としたポジ型フォトレジスト組成物を調製した。
感光性ノボラック樹脂(2)の2−ヘプタノン溶液を濃縮することにより、2−ヘプタノン55質量%溶液を得た。
感光性ノボラック樹脂(2)100質量部(2−ヘプタノン55質量%溶液182g)にノボラック樹脂(2)濃度が42質量%になるように2−ヘプタノンを添加することにより、2−ヘプタノンを溶剤としたポジ型フォトレジスト組成物を調製した。
(A)成分:重縮合物(1) 100質量部
(B)成分:1−[1−(4−ヒドロキシフェニル)イソプロピル]−4−[1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)エチル]ベンゼンの全フェノール性水酸基の水素原子の2molが1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニル基で置換された感光剤 18質量部
上記各成分の合計濃度が42質量%になるようにプロピレングリコールメチルエーテルアセテートを添加することで、プロピレングリコールメチルエーテルアセテートを溶剤としたポジ型フォトレジスト組成物を調製した。
試料をスピンナーを用いてヘキサメチルシラザン(HMDS)処理されたSi基板上に塗布し、これをホットプレート上で100℃、90秒間乾燥して膜厚5.0μmのレジスト膜を得た。
次いで、この膜に、所定の遮光パターン(5μmライン&スペース)が描かれたマスクを介し、縮小投影露光装置NSR−2005i10D(ニコン社製、NA=0.50)を用いて、ライン:スペースが1:1に仕上がるように露光した。
次いで、現像操作とし、23℃の2.38質量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)水溶液を基板上に適用し、30秒間保持した後、スピンナーの回転により振り切りを行った。振り切った後にパターンを観察し、スペース部分が除去され、ライン:スペースが1:1になるまで、この振り切りの処理を繰り返した。
現像終了まてのこの振り切りの繰り返し回数が2回以下のものを○、3回のものを△、4回のものを×、5回以上のものを、××とした。
上記(現像性評価)と同様にして、塗布、露光、現像を行なったとき、5μmのライン:スペースが1:1に仕上がるのに必要な露光量(E)が、E≦500msを○、500ms<Eを×とした。
上記(現像性評価)と同様にして、露光、現像を行なったとき、5μのラインの側壁と基板とのなす角(R)が、 85°<Rのものを○、 70°<R≦85°のものを△、 R≦70°のものを×とした。
試料をスピンナーを用いてHMDS処理された基板上に塗布し、これをホットプレート上で100℃、90秒間乾燥して膜厚3.0μmのレジスト膜を得た。
次いで、この膜に、マスク寸法5μmのマスク(5μmラインパターン形成用)を介し、縮小投影露光装置NSR−2005i10D(ニコン社製、NA=0.50)を用いて5μmのラインパターンが形成されるように露光したのち、100℃、90秒間のPEB処理を行った。
次いで、現像操作として、23℃の2.38質量%TMAH水溶液を基板上に適用し、60秒間保持した後、スピンナーの回転により振り切りを行った後、30秒間水洗し、乾燥して、得られた5μmラインパターンが描かれた基板をホットプレート上で120℃、600秒間の加熱処理を行った。
その後、5μmラインパターンの断面形状をSEM(走査型電子顕微鏡)写真にて観察し、基板界面に対して、該基板界面とレジスト側壁との交点(図1に示す点(a))とレジストパターンのトップの角(図1に示す点(b))とを結んだ直線がなす角度をθとし、θ>80°の場合を○、80°≧θでかつ、レジストパターントップの角が残っている場合を△、レジストパターントップの角がなくなり計測が不可能の場合を×として表した。
Claims (4)
- (A)アルカリ可溶性ノボラック樹脂の全フェノール性水酸基の水素原子の一部が、1,2−ナフトキノンジアジドスルホニル基で置換された感光性ノボラック樹脂を、(B)プロピレングリコールアルキルエーテルアセテートを含む有機溶剤に溶解してなり、
前記(B)有機溶剤が、乳酸エチルを含み、前記(B)有機溶剤中のプロピレングリコールアルキルエーテルアセテートの割合が50〜90質量%であることを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。 - 前記アルカリ可溶性ノボラック樹脂が、下記(1)〜(3)で示す特性を満足し、かつ
(1)ポリスチレン換算の質量平均分子量が1000〜30000、
(2)分散度が25以下、
(3)2.38質量%TMAH(テトラメチルアンモニウムヒドロキシド)水溶液(23℃)に対する溶解速度が10〜1000Å/s、
前記感光性ノボラック樹脂において、前記アルカリ可溶性ノボラック樹脂の全フェノール性水酸基の水素原子が1,2−ナフトキノンジアジドスルホニル基で置換されている割合が、2〜20モル%であることを特徴とする請求項1に記載のポジ型フォトレジスト組成物。 - 前記プロピレングリコールアルキルエーテルアセテートがプロピレングリコールメチルエーテルアセテートであることを特徴とする請求項1または2に記載のポジ型フォトレジスト組成物。
- 請求項1〜3のいずれか一項に記載のポジ型フォトレジスト組成物を基板上に塗布し、プレベークし、選択的に露光した後、アルカリ現像してレジストパターンを形成することを特徴とするレジストパターン形成方法。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003325953A JP3977307B2 (ja) | 2003-09-18 | 2003-09-18 | ポジ型フォトレジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
TW093124553A TWI299104B (en) | 2003-09-18 | 2004-08-16 | Positive photoresist composition and resist pattern formation method |
EP04772191A EP1664928B1 (en) | 2003-09-18 | 2004-08-19 | Positive photoresist composition and resist pattern formation |
PCT/JP2004/012235 WO2005029184A2 (en) | 2003-09-18 | 2004-08-19 | Positive photoresist composition and resist pattern formation |
KR1020067004821A KR20060055546A (ko) | 2003-09-18 | 2004-08-19 | 포지티브 포토레지스트 조성물 및 레지스트 패턴 형성 |
US10/568,126 US20060183048A1 (en) | 2003-09-18 | 2004-08-19 | Positive photoresist composition and resist pattern formation |
CN2004800261152A CN1849559B (zh) | 2003-09-18 | 2004-08-19 | 正型光刻胶组合物及光刻胶图案形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003325953A JP3977307B2 (ja) | 2003-09-18 | 2003-09-18 | ポジ型フォトレジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005091850A JP2005091850A (ja) | 2005-04-07 |
JP3977307B2 true JP3977307B2 (ja) | 2007-09-19 |
Family
ID=34372814
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003325953A Expired - Fee Related JP3977307B2 (ja) | 2003-09-18 | 2003-09-18 | ポジ型フォトレジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20060183048A1 (ja) |
EP (1) | EP1664928B1 (ja) |
JP (1) | JP3977307B2 (ja) |
KR (1) | KR20060055546A (ja) |
CN (1) | CN1849559B (ja) |
TW (1) | TWI299104B (ja) |
WO (1) | WO2005029184A2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101271271B (zh) * | 2007-03-21 | 2012-01-11 | 新应材股份有限公司 | 正型光阻剂 |
JP5090833B2 (ja) * | 2007-09-11 | 2012-12-05 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型ホトレジスト組成物、及びそれを用いた感光性膜付基板 |
JP5115205B2 (ja) * | 2008-01-15 | 2013-01-09 | Jnc株式会社 | ポジ型感光性重合体組成物 |
KR101632965B1 (ko) * | 2008-12-29 | 2016-06-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 포토레지스트 조성물 및 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 |
JP5814103B2 (ja) * | 2011-12-16 | 2015-11-17 | 東京応化工業株式会社 | 厚膜ホトレジストパターンの製造方法 |
CN107797384B (zh) * | 2016-09-07 | 2020-10-09 | 上海飞凯电子材料有限公司 | 一种感光树脂、正性光刻胶及应用 |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62262043A (ja) * | 1986-05-08 | 1987-11-14 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物 |
GB2240549B (en) * | 1990-01-31 | 1993-01-13 | Sony Corp | Photoresist materials |
US5145763A (en) * | 1990-06-29 | 1992-09-08 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | Positive photoresist composition |
JP2711590B2 (ja) * | 1990-09-13 | 1998-02-10 | 富士写真フイルム株式会社 | ポジ型フオトレジスト組成物 |
JP3010963B2 (ja) * | 1993-02-17 | 2000-02-21 | 信越化学工業株式会社 | レジスト組成物 |
US5314782A (en) * | 1993-03-05 | 1994-05-24 | Morton International, Inc. | Deep UV sensitive resistant to latent image decay comprising a diazonaphthoquinone sulfonate of a nitrobenzyl derivative |
TW460751B (en) * | 1996-04-03 | 2001-10-21 | Shipley Co Llc | Photoresist composition |
US5719004A (en) * | 1996-08-07 | 1998-02-17 | Clariant Finance (Bvi) Limited | Positive photoresist composition containing a 2,4-dinitro-1-naphthol |
JP3287234B2 (ja) * | 1996-09-19 | 2002-06-04 | 信越化学工業株式会社 | リフトオフ法用ポジ型レジスト組成物及びパターン形成方法 |
JPH10195568A (ja) * | 1997-01-10 | 1998-07-28 | Konica Corp | 平版印刷版用アルミニウム合金板 |
JP3652071B2 (ja) * | 1997-07-25 | 2005-05-25 | 東京応化工業株式会社 | ノボラック樹脂前駆体およびノボラック樹脂の製造方法 |
JP3189773B2 (ja) * | 1998-01-09 | 2001-07-16 | 三菱電機株式会社 | レジストパターン形成方法及びこれを用いた半導体装置の製造方法並びに半導体装置 |
US6475693B1 (en) * | 1998-12-10 | 2002-11-05 | Clariant Finance (Bvi) Limited | Positively photosensitive resin composition |
JP4068253B2 (ja) * | 1999-01-27 | 2008-03-26 | Azエレクトロニックマテリアルズ株式会社 | ポジ型感光性樹脂組成物 |
JP4068260B2 (ja) * | 1999-04-02 | 2008-03-26 | Azエレクトロニックマテリアルズ株式会社 | 感放射線性樹脂組成物 |
JP2001220420A (ja) * | 2000-02-08 | 2001-08-14 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 高分子化合物及びポジ型レジスト材料 |
JP3577442B2 (ja) | 2000-05-01 | 2004-10-13 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型ホトレジスト組成物、感光性膜付基板、レジストパターンの形成方法およびポジ型ホトレジスト組成物の製造方法 |
JP3609322B2 (ja) | 2000-05-01 | 2005-01-12 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型ホトレジスト組成物、感光性膜付基板およびレジストパターンの形成方法 |
JP3659624B2 (ja) | 2000-05-01 | 2005-06-15 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型ホトレジスト組成物、感光性膜付基板およびレジストパターンの形成方法 |
JP2001312060A (ja) | 2000-05-01 | 2001-11-09 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ポジ型ホトレジスト組成物、感光性膜付基板およびレジストパターンの形成方法 |
JP3710717B2 (ja) * | 2001-03-06 | 2005-10-26 | 東京応化工業株式会社 | 厚膜用ポジ型ホトレジスト組成物、ホトレジスト膜およびこれを用いたバンプ形成方法 |
JP2002296772A (ja) * | 2001-04-02 | 2002-10-09 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ポジ型ホトレジスト組成物 |
JP2003119344A (ja) * | 2001-10-12 | 2003-04-23 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ハイブリッド化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP3738420B2 (ja) * | 2001-11-16 | 2006-01-25 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型ホトレジスト組成物および傾斜インプランテーションプロセス用薄膜レジストパターンの形成方法 |
KR100783603B1 (ko) * | 2002-01-05 | 2007-12-07 | 삼성전자주식회사 | 포토레지스트 조성물 및 이를 사용한 패턴의 형성방법 |
JP3894477B2 (ja) * | 2002-02-27 | 2007-03-22 | Azエレクトロニックマテリアルズ株式会社 | 感光性樹脂組成物 |
-
2003
- 2003-09-18 JP JP2003325953A patent/JP3977307B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-08-16 TW TW093124553A patent/TWI299104B/zh active
- 2004-08-19 WO PCT/JP2004/012235 patent/WO2005029184A2/en active Application Filing
- 2004-08-19 US US10/568,126 patent/US20060183048A1/en not_active Abandoned
- 2004-08-19 EP EP04772191A patent/EP1664928B1/en active Active
- 2004-08-19 KR KR1020067004821A patent/KR20060055546A/ko active Search and Examination
- 2004-08-19 CN CN2004800261152A patent/CN1849559B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20060183048A1 (en) | 2006-08-17 |
TWI299104B (en) | 2008-07-21 |
WO2005029184A2 (en) | 2005-03-31 |
EP1664928B1 (en) | 2012-02-29 |
JP2005091850A (ja) | 2005-04-07 |
KR20060055546A (ko) | 2006-05-23 |
CN1849559A (zh) | 2006-10-18 |
EP1664928A2 (en) | 2006-06-07 |
CN1849559B (zh) | 2010-06-16 |
WO2005029184A3 (en) | 2005-06-02 |
TW200513793A (en) | 2005-04-16 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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