KR20060055546A - 포지티브 포토레지스트 조성물 및 레지스트 패턴 형성 - Google Patents

포지티브 포토레지스트 조성물 및 레지스트 패턴 형성 Download PDF

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KR20060055546A
KR20060055546A KR1020067004821A KR20067004821A KR20060055546A KR 20060055546 A KR20060055546 A KR 20060055546A KR 1020067004821 A KR1020067004821 A KR 1020067004821A KR 20067004821 A KR20067004821 A KR 20067004821A KR 20060055546 A KR20060055546 A KR 20060055546A
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propylene glycol
ether acetate
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야스오 마스다
도시키 오쿠이
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도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤
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Abstract

알칼리 가용성 노볼락 수지의 전체 페놀성 히드록실기 중 일부 수소 원자가 1,2-나프토퀴논디아지드 술포닐기에 의해 치환됨으로써 형성된 감광성 노볼락수지를 함유하는 포지티브 포토레지스트 조성물의 현상 속도를 향상시키는 방법이 제공된다. 상기 방법은 포지티브 포토레지스트 조성물 및, 프로필렌 글리콜 알킬 에테르 아세테이트 (B)에 용해된, 1,2-나프토퀴논디아지드 술포닐기에 의해 알칼리 가용성 노볼락 수지의 전체 페놀성 히드록실기 중 일부 수소 원자가 치환됨으로써 형성된 감광성 노볼락 수지 (A)를 함유하는 상기 조성물을 이용하는 레지스트 패턴의 형성 방법이다.

Description

포지티브 포토레지스트 조성물 및 레지스트 패턴 형성{POSITIVE PHOTORESIST COMPOSITION AND RESIST PATTERN FORMATION}
본 발명은 포지티브 포토레지스트 조성물 및 레지스트 패턴 형성 방법에 관한 것이다.
2003년 9 월 18 일에 제출된 일본 특허 출원 제 2003-325953 호의 우선권을 주장하며, 그 내용을 본원에서 참고문헌으로 포함한다.
사진석판술에서, 알칼리 가용성 수지 및 감광제로서 화합물을 함유하는 퀴노네디아지드기를 주로 함유하는 포지티브 포토레지스트 조성물은 통상적으로 반도체 장치 또는 액정소자의 제조에 사용된다. 상기 포지티브 포토레지스트 조성물은 반도체 장치 또는 액정 소자의 제조에 있어서, 실용적인 용도에 필적할 수 있는 특징을 가진다. 그러나, 후막(thick film)공정, 예컨대 LCD 드라이버 등의 범프 형성 공정, CSP(Chip Size/Scale Package)의 최고 배선 공정을 요구하며 상기 공정이 자기 헤드의 자성 코일을 형성하는 제조 분야 단계에서, 고감도 및 예컨대 3 ㎛ 이상의 후막 조건에서 고 현상 속도를 가지며 충분한 수직성을 가진 레지스트 패턴을 형성하는 것이 요구된다. 그러나, 상기 후막 조건에서 통상적인 포지티브 포토레지스트 조성물을 이용해 상기 요건을 충족시키기란 어렵다.
한편, 알칼리 가용성 노볼락 수지의 전체 페놀성 히드록실기 중 일부 수소 원자가 1,2-나프토퀴논 디아지드 술포닐기에 의해 치환된 알칼리 가용성 노볼락 수지로부터 형성된 감광성 노볼락 수지를 포함하는 포지티브 포토레지스트 조성물을 후막 조건 하의 노광 공정에 적합한 재료로서 하기 특허 문헌 1 내지 4 에 기재했다:
[특허 문헌 1] 일본 특허출원 공개 공보 제 2001-312052 호
[특허 문헌 2] 일본 특허출원 공개 공보 제 2001-312059 호
[특허 문헌 3] 일본 특허출원 공개 공보 제 2001-312060 호
[특허 문헌 4] 일본 특허출원 공개 공보 제 2001-312066 호
그러나, 본 발명의 연구에 따르면, 알칼리 가용성 노볼락 수지의 전체 페놀성 히드록실기 중 일부 수소 원자가 1,2-나프토퀴논 디아지드 술포닐기에 의해 치환된 알칼리 가용성 노볼락 수지로부터 형성된 감광성 노볼락 수지를 포함하는 포지티브 포토레지스트 조성물은 후막에서 레지스트 패턴의 고감도 및 수직성을 실현시키는데 적합하나, 상기 조성물은 그의 현상 속도가 느리다는 문제점을 지닌다.
따라서, 본 발명의 목적은 알칼리 가용성 노볼락 수지의 전체 페놀성 히드록실기 중 일부 수소 원자가 1,2-나프토퀴논 디아지드 술포닐기에 의해 치환된 알칼리 가용성 노볼락 수지로부터 형성된 감광성 노볼락 수지를 포함하는 포지티브 포토레지스트 조성물의 현상 속도를 증가시키는 것이다.
상기에서 언급된 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 하기 특징을 채택했다.
본 발명의 제 1 관점은 알칼리 가용성 노볼락 수지의 전체 페놀성 히드록실기 중 일부 수소 원자가 1,2-나프토퀴논 디아지드 술포닐기에 의해 치환된 알칼리 가용성 노볼락 수지를 포함하는 감광성 노볼락 수지 (A)를 프로필렌 글리콜 알킬 에테르 아세테이트를 함유하는 유기용매 (B) 중에 용해시킴으로써 형성된 포지티브 포토레지스트 조성물이다.
본 발명의 제 2 관점은, 본 발명의 포지티브 포토레지스트 조성물을 기판 상에 도포하고, 도포막을 프리베이킹(prebaking)하고, 상기 막을 선택적으로 노광한 후 막을 알칼리 현상하는 단계를 포함하는 레지스트 패턴 형성 방법이다.
발명의 효과
본 발명에 의하면, 알칼리 가용성 노볼락 수지의 전체 페놀성 히드록실기 중 일부 수소 원자가 1,2-나프토퀴논 디아지드 술포닐기에 의해 치환된 알칼리 가용성 노볼락 수지로부터 형성된 감광성 노볼락 수지를 포함하는 포지티브 포토레지스트 조성물의 현상 속도가 증가될 수 있다.
[도면의 간단한 설명]
도 1 은 실시예의 측정방법을 보여주는 도식이다.
본 발명의 실시를 위한 최량의 형태
[포지티브 포토레지스트 조성물]
성분 (A)(감광성 노볼락 수지)
성분 (A)는 알칼리 가용성 노볼락 수지의 전체 페놀성 히드록실기 중 일부 수소 원자가 1,2-나프토퀴논디아지드 술포닐기에 의해 치환된 알칼리 가용성 노볼락 수지로부터 형성된 감광성 노볼락 수지이다.
성분 (A)를 이용해, 양호한 감도 및 레지스트 패턴 형태의 수직성이 수득된다.
성분 (A)는 알칼리 가용성 노볼락 수지 및 1,2-나프토퀴논 디아지드 술폰산 화합물의 에스테르화 반응을 통해 합성될 수 있다. 알칼리 가용성 노볼락 수지는 통상의 방법, 예컨대 일본 특허 공개 공보 제 10-97066 호에 개시된 방법에 따라, 페놀성 화합물 및 축합제의 탈수축합반응을 통해 중축합 재료로서 합성될 수 있다.
- 1,2-나프토퀴논 디아지드 술폰산 화합물
상기 1,2-나프토퀴논 디아지드 술폰산 화합물의 예에는 퀴논 디아지드 화합물의 할라이드, 예컨대 1,2-나프토퀴논 디아지드-4-술폰산 클로라이드, 1,2-나프토퀴논 디아지드-5-술폰산 클로라이드가 포함된다.
- 알칼리 가용성 노볼락 수지
알칼리 가용성 노볼락 수지의 합성에 사용될 수 있는 상기 페놀성 화합물의 예에는 하기 화학식 (a-1) 내지 (a-5) 로 나타내는 구조 단위에 상응하는 페놀성 화합물이 언급될 수 있다:
Figure 112006016675117-PCT00001
예를 들면, 상기 화학식 (a-1)로 나타낸 구조 단위에 상응하는 페놀성 화합물로서, m-크레솔이 언급될 수 있고; 상기 화학식 (a-2)로 나타낸 구조 단위에 상응하는 페놀성 화합물로서, p-크레솔이 언급될 수 있고; 상기 화학식 (a-3)로 나타낸 구조 단위에 상응하는 페놀성 화합물로서, 3,4-자일레놀이 언급될 수 있고; 상기 화학식 (a-4)로 나타낸 구조 단위에 상응하는 페놀성 화합물로서, 2,3,5-트리메틸페놀이 언급될 수 있으며; 상기 화학식 (a-5)에 상응하는 페놀성 화합물로서, 3,5-자일레놀이 언급될 수 있다.
더욱이, 상기 이외의 페놀성 화합물도 또한 사용될 수 있지만, 이것들에 관한한, 본 발명의 포지티브 포토레지스트 조성물의 다양한 특징들을 손상시키지 않는 관점에서 볼 때 모든 페놀성 화합물을 기준으로 하여, 10 몰% 미만의 양의 상기 페놀성 화합물을 사용하는 것이 바람직하다.
상기 축합제로서, 페놀 노볼락 수지의 합성에 통상적으로 사용된 알데히드 및 케톤이 언급될 수 있으며, 알데히드, 특히 포름알데히드가 특히 바람직하다.
하기 항목 (1) 내지 (3) 에 나타낸 하기 특징들을 만족시키는 알칼리 가용성 노볼락 수지가 바람직하다.
(1) 폴리스티렌 당량의 중량평균분자량이 1000~30000, 바람직하게는, 2000~10000 (2) 분산도는 25 이하, 바람직하게는 10 이하, 및 (3) 2.38 중량%의 TMAH (테트라메틸 수산화암모늄) 수용액(23 ℃)의 용해 속도는 10 내지 100OÅ/s, 바람직하게는 50 내지 500Å/s.
상기 (1)에 나타낸 바와 같이, 중량평균분자량이 1000 이상일 경우에는, 현상시 비-노광된 부분의 두께 손실이 제어될 수 있고, 중량평균분자량이 30000 이하일 때에는, 현상 속도 및 해상성(resolvability)의 저하가 제어될 수 있다.
상기 (2)에서 나타낸 바와 같이 분산도가 25 이하일 경우에는, 해상성 및 양호한 형태를 획득하기에 유리하다.
용해 속도가 lOÅ/s 이상일 경우에는, 현상시 비-노광된 부분의 두께 손실이 제어될 수 있으며, 현상 속도의 저하가 lOOOÅ/s 이하로 제어될 수 있다.
여기서, 본 명세서의 알칼리 가용성 노볼락 수지의 용해 속도 값은 하기와 같이 명확하게 계산된 값이다. 우선, 실리콘 웨이퍼(wafer) 상에서, 프로필렌 글리콜 메틸 에테르 아세테이트 중에 알칼리 가용성 노볼락 수지를 용해시킴으로써 형성된 용액 (농도: 22 중량%)이 적용되고, 도포된 생성물이 110℃에서 90초 동안 프리베이킹되고, 10000Å 두께의 수지막이 형성된다. 그 다음, 상기 웨이퍼를 23 ℃에서 2.38 중량%의 TMAH 현상액 중에 침지한다. 수지막을 완전히 용해시키는 시간을 측정하고 단위 시간 당 수지막의 두께 손실량 (Å/s) 을 그것으로부터 계산한다.
이에 따라 수득된 단위 시간당 수지막의 두께 손실량은 본 명세서의 알칼리 가용성 노볼락 수지의 용해 속도이다.
- 성분 (A) (감광성 노볼락 수지)
1,2-나프토퀴논 디아지드 술포닐기에 의해 치환되기 전에, 성분 (A) 의 알칼리 가용성 노볼락 수지의 겔 침투 크로마토그래프(GPC)로써 수득된 폴리스티렌 당량의 중량평균분자량(Mw)은 바람직하게는 1000~30000, 더욱 바람직하게는 2000~10000 이다. Mw 1000 이상으로 함으로써, 현상시에 레지스트 패턴 형성의 곤란성 및 비-노광 부분의 두드러진 두께 손실 경향이 제어될 수 있다. 더욱이, Mw 30000 이하로 함으로써, 현상 속도 및 해상성이 두드러지게 감소되는 경향이 제어될 수 있다.
더욱이, 1,2-나프토퀴논 디아지드 술포닐기에 의해 치환되기 전에 성분 (A) 의 알칼리 가용성 노볼락 수지는, 필요하다면 분별처리 전에 80 중량% 미만, 더 바람직하게는 50 중량% 미만이 분별처리됨으로써 저분자량 성분 함량이 감소될 수 있다.
본원에서, 저분자량 성분이란 상기 페놀성 화합물, 즉 페놀성 단량체, 페놀성 화합물로부터 수득된 이량체, 페놀성 화합물의 페놀성 단량체로부터 수득된 이량체 및 페놀성 단량체로부터 수득된 삼량체 등을 의미한다.
상기 분별된 수지를 이용함으로써, 레지스트 패턴 단면 형태의 수직성이 더욱 좋아지고, 현상 후 기판상의 잔류 물질 (스컴:scum) 생성은 감소되며 해상성은 향상된다. 더욱이, 레지스트는 내열성에서 탁월해진다.
분별 처리는 잘 공지된 분별 처리 방법, 예를 들면, 하기 분별 침전 처리에 의해 수행될 수 있다. 우선, 상기에서 언급한 바와 같이, 페놀성 화합물 및 축합제의 탈수 축합 반응을 실시한 후, 수득된 중축합 생성물(노볼락 수지)를 극성 용매에 용해시키고, 빈 용매, 예컨대 물, 헵탄, 헥산, 펜탄 및 시클로헥산 등을 생성된 용액에 첨가한다. 저분자량 성분은 비교적으로 고 용해성을 갖고 그것은 이 시간에 빈 용매에서 용해되기 때문에, 저분자량 성분의 함량이 감소된 분별된 수지는 침착된 재료를 여과시킴으로써 수득될 수 있다.
상기 극성 용매의 예에는 알콜, 예컨대 메탄올 및 에탄올; 케톤, 예컨대 아세톤 및 메틸 에틸 케톤; 글리콜 에테르 에스테르, 예컨대 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트; 및 시클릭 에테르, 예컨대 테트라히드로푸란 등이 있다.
1,2-나프토퀴논 디아지드 술포닐기에 의한 치환 전 성분 (A)의 알칼리 가용성 노볼락 수지에서 저분자량 성분의 함량은 GPC 측정 결과로 점검될 수 있다. 즉, GPC 차트로부터, 합성된 페놀 노볼락 수지의 분자량 분포는 점검될 수 있고, 함량은 저분자량 성분의 용리 시간에 상응하는 피크의 강도비율을 측정함으로써 계산될 수 있다.
게다가, 저분자량 성분의 용리 시간은 측정 수단에 따라 변하기 때문에, 컬럼, 용출액, 유속, 온도, 검출 원소, 시료 농도, 주입율, 측정 기구 등의 명확한 사항이 그것에 있어서 중요하다. 본 발명에서, 하기 측정 수단을 이용함으로써, 페놀성 단량체의 용리 시간은 약 23 내지 25 분으로 할당될 수 있고, 이량체의 용리 시간은 약 22 분으로 할당될 수 있으며, 삼량체의 용리 시간은 약 21 분으로 각각 할당될 수 있다.
(본 발명에서의 GPC 측정 수단)
(1) 20mg 의 시료를 10 ml 의 테트라히드로푸란(THF) 에 용해시키고 시료 용액을 제조한다.
(2) 10 마이크로리터의 시료 용액 (1)을 하기 GPC 측정 장치에 붓고, 28 분 동안 흘려, UV 파장 λ=280 nm 근처에서 검출된 시료의 용리 시간을 측정한다.
(측정 장치)
가드(guard) 칼럼 (상표명 :"KF-G" ; Shodex 사 제조)이 제공된 GPC 측정 장치 (상표명 : "GPC SYSTEM 11" ; Shodex 사 제조), 및 3 개의 분리 컬럼(상표명: "KF-801"; Shodex사 제조; 컬럼 크기 8 ㎛ (지름) x 300mm (길이); 6 ㎛ 의 입자 크기의 스티렌-디비닐벤젠 공중합체로 패킹됨)이 있고, 상기 분리 컬럼 온도는 40℃로 설정됨.
용리액 테트라히드로푸란(THF)의 용리액 통과 속도는 1.0 ml/분의 조건하에서 실시된다.
분별 수지의 분산도[Mw/수평균분자량(Mn)]는 바람직하게 3.0 이하, 더욱 바람직하게는 2.2 내지 2.8이다. Mw/Mn을 3.0 이하로 함으로써, 레지스트 패턴의 수직성, 해상성 및 본 발명의 포지티브 포토레지스트 조성물의 내열성이 향상된다.
1,2-나프토퀴논 디아지드 술포닐기에 의한 치환 전에, 상기 성분인 (A) 알칼리 가용성 노볼락 수지 성분은, 모든 페놀성 구조 단위 내에서, 현상성, 해상성 및 형태 면에 있어서 상기 화학식 (a-1) 및 상기 화학식 (a-2), (a-3),(a-4) 및 (a-5)로부터 선택된 하나 이상의 구조 단위의 조합을 포함한다.
성분 (A) 내 알칼리 가용성 노볼락 수지의 전체 페놀성 히드록실기 중 수소 원자 내에서, 1,2-나프토퀴논디아지드 술포닐기에 의해 치환된 수소 원자의 비율, 즉, 에스테르화 반응의 반응률은 바람직하게는 2 내지 20 몰%, 더욱 바람직하게는 2 내지 10 몰%, 보다 더욱 바람직하게는 3 내지 7 몰% 이고, 가장 바람직하게는 3 내지 5 몰% 이다.
반응률을 2 몰% 이상으로 함으로써, 비노광 부분의 두께 손실 경향은 제어될 수 있다. 다른 한편으로, 반응율을 20 몰% 이하로 함으로써, 다양한 특징들을 손상시키지 않고, i-선 방사에 대한 투과성 감소 경향이 제어될 수 있고 감도의 감소는 제어될 수 있다. 또한, 형태의 수직성 저하가 제어될 수 있다. 성분 (A)로서, 한 종류 또는 그의 둘 이상 종류의 혼합물이 사용될 수 있다.
유기 용매 (B)
- 프로필렌 글리콜 알킬 에테르 아세테이트
프로필렌 글리콜 알킬 에테르를 성분 (B)로서 이용함으로써, 현상 속도는 증가될 수 있다. 성분 (B)가 사용되는 경우, 용해 속도는 비노광 부분의 두께 손실이 현상에 의해 야기되지 않은 채 증가될 수 있다. 더욱이, 현상 속도는 성분 (A)에 의한 효과, 즉, 양호한 감도 및 레지스트 패턴 형태의 수직성를 유지하면서, 증가될 수 있다.
프로필렌 글리콜 알킬 에테르 아세테이트의 예에는 프로필렌 글리콜 메틸 에테르 아세테이트, 프로필렌 글리콜 에틸 에테르 아세테이트, 프로필렌 글리콜 프로필 에테르 아세테이트 등이 포함된다.
특히 효과 및 입수가능성 등의 측면으로 볼 때, 프로필렌 글리콜 에틸 에테르 아세테이트가 바람직하다. 프로필렌 글리콜 알킬 에테르 아세테이트가 한 종류 또는 그의 둘 이상의 종류의 혼합물로서 사용될 수 있다.
- 혼합 용매
성분 (B)는 프로필렌 글리콜 알킬 에테르 아세테이트 100 중량% 를 포함할 수 있고, 그것은 또한 프로필렌 글리콜 알킬 에테르 아세테이트 이외의 용매와 배합될 수 있다. 프로필렌 글리콜 알킬 에테르 아세테이트 이외의 용매를 배합함으로써, 프로필렌 글리콜 알킬 에테르 아세테이트에 의해 획득되지 않는 양호한 특성들이 추가로 제공될 수 있다.
혼합된 용매를 만들 때, 프로필렌 글리콜 알킬 에테르 아세테이트의 배합 양을 50 내지 90 중량%, 더욱 바람직하게는 70 내지 90 중량% 으로 하는 것이 바람직하다.
상기 범위 내에서는, 프로필렌 글리콜 알킬 에테르 아세테이트에 의한 효과가 완전히 획득된다.
혼합될 다른 용매는 한 종류 또는 그의 둘 종류 이상의 혼합물일 수 있다. 그것들은 특별히 한정되지는 않지만, 그것들이 레지스트 조성물용으로 사용될 수 있는한, 에틸 락테이트, 예를 들어, 내열성 개선을 위한 에틸 락테이트를 배합하는 것이 바람직하다. 에틸 락테이트는 프로필렌 글리콜 알킬 에테르 아세테이트의 현상 속도의 향상 효과를 크게 손상시키지 않으면서 본 발명의 포지티브 포토레지스트 조성물의 내열성을 향상시킬 수 있으므로, 우수하다.
배합될 수 있는 다른 용매의 예로는, 케톤, 예컨대 아세톤, 메틸 에틸 케톤, 시클로헥사논, 메틸 이소아밀켑톤, 2-헵타논; 폴리히드릭 알콜 및 그의 유도체 (프로필렌 글리콜 모노-아세테이트 유도체, 프로필렌 글리콜 알킬 에테르-아세테이트 제외), 예컨대 에틸렌 글리콜, 프로필렌 글리콜, 디에틸렌 글리콜, 에틸렌 글리콜 모노-아세테이트, 프로필렌 글리콜 모노-아세테이트, 디에틸렌 글리콜 모노-아세테이트, 또는 모노-메틸 에테르, 모노-에틸 에테르, 모노-프로필 에테르, 모노-부틸 에테르, 또는 그의 모노-페닐 에테르; 고리형 에테르, 예컨대 디옥산; 및 에스테르, 예컨대 메틸 아세테이트, 에틸 아세테이트, 부틸 아세테이트, 메틸 피루베이트, 에틸 피루베이트, 메톡시 메틸 프로피오네이트 및 에톡시 에틸 프로피오네이트가 있다.
상기는 독립적으로 사용될 수 있거나 또는 그것들 중 둘 이상이 혼합되어 사용될 수 있다.
사용된 성분 (B) 량이 한정되지는 않지만, 포지티브 포토레지스트 조성물 중 고체 함량 농도의 범위가 30 중량% 내지 65 중량% 인 것이 바람직하다.
배합될 수 있는 다른 성분
본 발명의 포지티브 포토레지스트 조성물은 필요하다면, 알칼리 가용성 아크릴레이트 수지와 같은 가소제, 기판과의 밀착성을 증가시키는 밀착성 향상제, 증감제, 고비등점 유기 용매, 산발생제를 포함할 수 있거나, 또는 당 기술 분야에서 공통적으로 사용되는 다양한 기타 성분이 추가로 본 발명의 포지티브 포토레지스트 조성물과 배합될 수 있다.
- 알칼리 가용성 아크릴레이트 수지
본 발명의 포지티브 포토레지스트 조성물은, 후막 레지스트 층 형성 용도에서 항-도금성, 예컨대 틈 생성을 방지하는 것을 향상시키기 위해, 가소제로서 알칼리 가용성 아크릴레이트 수지 (이하 "성분 (C)"로 지칭함)를 포함할 수 있고 도금이 적용된다.
성분 (C) 로서는, 가소제로서의 포지티브 포토레지스트 조성물과 일반적으로 배합되는 재료가 사용될 수 있다.
성분 (C) 로서는, 에테르 결합을 가진 중합성 화합물로부터 유도된 구조 단위 30 내지 90 중량% 및 카르복실기를 가진 중합성 화합물로부터 유도된 구조 단위 50 내지 2 중량%를 함유하는 것이 있다.
에테르 결합을 가진 중합성 화합물의 예에는 라디칼 중합성 화합물, 예컨대 에테르 결합 및 에스테르 결합을 가진 (메트) 아크릴산 유도체, 예컨대 2-메톡시 에틸 (메트) 아크릴레이트, 메톡시 트리에틸렌 글리콜 (메트) 아크릴레이트, 3-메톡시 부틸 (메트) 아크릴레이트, 에틸 카르비톨 (메트) 아크릴레이트, 페녹시 폴리에틸렌 글리콜 (메트) 아크릴레이트, 메톡시 폴리프로필렌 글리콜 (메트) 아크릴레이트, 테트라-히드로푸르푸릴 (메트) 아크릴레이트가 포함된다. 그것들은 2-메톡시에틸 아크릴레이트 및 메톡시 트리에틸렌 글리콜 아크릴레이트가 바람직하다.
상기 화합물은 독립적으로 또는 그것들의 둘 이상의 조합으로 사용될 수 있다.
카르복실기를 가진 중합성 화합물의 예에는 라디칼 중합성 화합물, 예컨대 모노카르복실산, 예컨대 아크릴산, 메타크릴산 및 크로톤산; 디카르복실산, 예컨대 말레산, 푸마르산, 및 이타콘산; 및 카르복실기 및 에스테르 결합을 가진 메타크릴산 유도체, 예컨대 2-메타크릴오일옥시 에틸 숙신산, 2-메타크릴오일옥시 에틸 말레이트, 2-메타크릴오일 에틸 프탈산, 및 2-메타크릴오일옥시 에틸 헥사히드로 프탈산이 포함된다. 아크릴산 및 메타크릴산이 바람직하다.
상기 화합물은 독립적으로 또는 그들 중 둘 이상이 조합되어 사용될 수 있다.
성분 (C) 중 에테르 결합을 가진 중합성 화합물의 함량은 바람직하게 30 내지 90 중량%, 더욱 바람직하게는 40 내지 80 중량% 이다. 함량을 90 중량% 미만으로 함으로써, 균일한 레지스트 막의 수득을 곤란하게 하는 성분 (A)의 용액에 대한 상용성의 악화로 인한 프리베이킹시 베나드 셀(BENARD CELLS)(중력 또는 표면 장력 구배로 인해 박막 표면 상에 생성된 불균질성을 가진 5각 내지 7각형의 네트워크 패턴)의 생성 경향이 제어될 수 있다. 함량을 30 중량% 이상으로 함으로써, 틈 생성은 두꺼운 레지스트 막 레지스트 층 형성 및 도금적용으로 사용시에 제어될 수 있다.
성분 (C) 중 카르복실기를 가진 중합성 화합물의 함량은 바람직하게는 2 내지 50 중량%, 더욱 바람직하게는 5 내지 40 중량% 이다. 함량을 2 중량% 이상으로 함으로써, 본 발명의 포지티브 포토레지스트 조성물의 알칼리 용해성이 감소하는 경향 및 충분한 현상성이 수득되지 않는 경향이 방지될 수 있다. 더욱이, 함량을 2 중량% 이상으로 함으로써, 본 발명의 포지티브 포토레지스트 조성물의 방출성이 감소되고 레지스트의 일부 잔류물이 기판 상에 남는 경향이 제어될 수 있다. 함량을 50 중량% 이하로 함으로써, 현상 후 막의 잔류율이 감소하고 도금 저항성이 감소되는 경향이 제어될 수 있다.
성분 (C)의 평균분자량은 바람직하게 10,000 내지 800, 000, 더욱 바람직하게는 30,000 내지 500,000 이다. 분자량을 10,000 이상으로 함으로써, 레지스트 막이 충분한 강도를 수득할 수 없어 도금시에 프로파일의 기포 및 틈 생성을 야기하는 경향이 제어될 수 있다. 분자량을 800,000 이하로 함으로써, 레지스트 막의 방출성이 감소되는 경향이 제어될 수 있다.
더욱이, 성분 (C)에서, 기타 라디칼 중합성 화합물은 적절하게 물리적 특성 및 화학적 특성을 제어하기 위해 단량체로서 포함될 수 있다. 상기에서 언급된 "기타 라디칼 중합성 화합물"이란 상기에서 언급된 중합성 화합물 이외의 라디칼 중합성 화합물을 의미한다.
상기 기타 라디칼 중합성 화합물의 예에는 알킬 (메트)아크릴 에스테르, 예컨대 메틸 (메트)아크릴레이트, 에틸 (메트)아크릴레이트, 부틸 (메트)아크릴레이트; 히드록시 알킬 (메트)아크릴레이트, 예컨대 2-히드록시 에틸 (메트)아크릴레이트, 2-히드록시 프로필 (메트)아크릴레이트; 아릴 (메트)아크릴레이트, 예컨대 페닐 (메트)아크릴레이트, 벤질 (메트)아크릴레이트; 디카르복실산 디에스테르, 예컨대 디에틸 말레이트, 디부틸 푸마레이트; 비닐기 함유 방향족 화합물, 예컨대 스티렌 및 α-메틸 스티렌; 비닐기 함유 지방족 화합물, 예컨대 비닐 아세테이트; 컨쥬게이션 디올레핀, 예컨대 부타디엔 및 이소프렌; 니트릴기 함유 중합성 화합물, 예컨대 아크릴로니트릴 및 메타크릴로니트릴; 염소 함유 중합성 화합물, 예컨대 비닐 클로라이드 및 비닐리덴 클로라이드; 아미드 결합 함유 중합성 화합물, 예컨대 아크릴아미드 및 메타크릴아미드 등이 포함된다.
상기 화합물은 독립적으로 사용될 수 있거나, 그것들 중 둘 이상이 조합되어 사용될 수 있다. 상기 중에서, n-부틸 아크릴레이트, 벤질 메타크릴레이트, 메틸 메타크릴레이트 등이 특히 바람직하다.
성분 (C) 에서, 기타 라디칼 중합성 화합물은 바람직하게는 50 중량% 이하, 더욱 바람직하게는 40 중량% 이하이다.
성분 (C)의 합성에 사용되는 중합 용매의 예에는 알콜, 예컨대 에탄올 및 디에틸렌 글리콜; 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르; 폴리히드릭 알콜의 알킬 에테르, 예컨대 디에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르 및 디에틸렌 글리콜 에틸 메틸 에테르; 폴리히드릭 알콜의 알킬 에테르 아세테이트, 예컨대 에틸렌 글리콜 에틸 에테르 아세테이트, 프로필렌 글리콜 메틸 에테르 아세테이트; 방향족 탄화수소, 예컨대 톨루엔, 자일렌; 케톤, 예컨대 아세톤 및 메틸 이소부틸 케톤; 에스테르, 예컨대 에틸 아세테이트 및 부틸 아세테이트가 포함된다. 이것들 중에서, 폴리히드릭 알콜의 알킬 에테르 및 폴리히드릭 알콜의 알킬 에테르 아세테이트가 특히 바람직하다.
성분 (C) 합성용의 중합 촉매로서, 통상의 라디칼 중합체 개시제가 사용될 수 있으며, 그의 예에는 아조 화합물, 예컨대 2,2'-아조비스 이소부티로니트릴, 및 유기 퍼옥시드, 예컨대 벤조일 퍼옥시드 및 디-tert-부틸 퍼옥시드퍼옥시드함된다.
본 발명의 포지티브 포토레지스트 조성물에서, 성분 (C)의 배합량은 성분 (A) 를 기준으로 할 때, 20 중량% 이하, 더욱 바람직하게는 10 중량% 이하이다. 상기 범위 내의 배합량으로 함으로써, 형성된 레지스트 막의 강도는 충분해질 것이며, 기포 등은 쉽게 발생되지 않으며, 분명한 프로파일이 수득되고, 해상도가 향상된다.
더욱이, 성분 (C)이 필수적인 것은 아니고, 배합이 반드시 필요한 것은 아니나, 그것이 배합될 때, 성분 (A)를 기준으로 하는 3 중량% 이상이 바람직하다.
- 밀착성 향상제
밀착성 향상제의 예에는 일본 특허 공개 공보 제 S62-262043 호, 일본 특허 공개 공보 제 H11-223937 등에 개시된 것이 포함된다.
예를 들면, 6-메틸-8-히드록시퀴놀린, 6-에틸-8-히드록시퀴놀린, 5-메틸-8-히드록시퀴놀린, 8-히드록시퀴놀린, 8-아세틸옥시퀴놀린, 4-히드록시프테리딘, 2,4-디히드록시프테리딘, 4-히드록시 프테리딘-2-술폰산, 2-에틸-4-히드록시프테리딘, 2-메틸-4-히드록시프테리딘, 1,10-페난트롤린, 5,6-디메틸-1,10-페난트롤린, 3,8-디메틸-1, 10-페난트롤린, 3,8-디히드록시-1, 10-페난트롤린, 5-카르복시-1,10-페난트롤린, 5,6-디히드록시-1,10-페난트롤린, 1,10-페난트롤린-5-술폰산, 4,4'-디메틸-2,2'-비피리딜, 2,2'-비피리딜, 2,2'-비피리딜-5-카르복실산, 5,5'-디클로로-2,2'-비피리딜, 3,3'-디히드록시-2, 2'-비피리딜, 3,3'-디메르캅토-2,2'-비피리딜 등이 언급될 수 있다.
포지티브 포토레지스트 조성물의 기판 위의 밀착성은, 고리 상에 하기 화학식 (d-3)으로 나타낸 결합에서 선택된 하나 이상의 결합 및 하기 화학식 (d-1) 및 (d-2)로 나타낸 결합에서 선택된 하나 이상의 결합을 가진 헤테로시클릭 방향족 화합물을 배합함으로써 두드러지게 향상될 수 있다:
Figure 112006016675117-PCT00002
[식 중, R34 는 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 3 인 알킬기이다];
Figure 112006016675117-PCT00003
[식 중 R35 는 히드록실기 또는 히드록실기 치환기를 가진 탄소수 1 내지 5 의 선형 또는 분지형 사슬의 알킬기를 나타낸다].
상기에서 언급된 헤테로시클릭 화합물은 "유기 화합물 구조 화학식 색인" (Maruzen Co., Ltd.사 1977년 12월 20일 발행)의 pp.362-401에 기재된 화합물, 예컨대, 1 개의 질소 원자를 가진 5원 고리틀을 가진 것, 예컨대 인돌 화합물, 인돌린 화합물 및 인디고 화합물; 1 개의 질소 원자를 가진 6원 고리틀을 가진 것, 예컨대 피리딘 화합물, 퀴놀린 화합물, 히드로퀴놀린 화합물, 이소퀴놀린 화합물, 아크리딘 화합물, 벤조퀴놀린 화합물, 나프토퀴놀린 화합물, 페난트롤린 화합물; 2 개의 질소 원자를 가진 5 원 고리틀을 가진 것, 예컨대 피라졸 화합물, 이미다졸 화합물, 이미다졸린 화합물, 및 벤조이미다졸 화합물; 2 개의 질소 원자를 가진 6 원 고리 틀을 가진 것, 예컨대 디아진 화합물, 히드로피리딘 화합물, 벤조디아진 화합물, 및 디벤조디아진 화합물; 3 개의 질소 원자를 가진 5 원 고리틀을 가진 것, 예컨대 트리아졸 화합물, 벤조트리아졸 화합물; 3 개의 질소 원자를 가진 6 원 고리틀을 가진 것, 예컨대 트리아진 화합물; 4 개의 질소 원자를 가진 5 원 고리틀을 가진 것, 예컨대 테트라졸 및 펜테트라졸; 4 개의 질소 원자를 가진 6 원 고리틀을 가진 것, 예컨대 1,2,4,5-테트라진이 포함된다. 이것들에 덧붙여, 퓨린 화합물, 프테리딘 화합물, 알록사진 화합물, 2H-피롤 등이 사용될 수 있다.
상기 화합물 중에서, 하기 화학식 (d-4)로 나타낸 화합물이 스컴의 생성을 제어하는 포지티브 포토레지스트 조성물을 제공하고 기판위의 밀착성이 우수하다는 점에서 바람직하다. 특히, 2-(2-히드록시 에틸) 피리딘이 바람직하다:
Figure 112006016675117-PCT00004
[식 중, k 는 1 내지 3 의 정수를 나타내고, R35 는 상기에서 정의한 것과 동일하다].
밀착성 향상제의 추가량은 상기 성분 (A) 및 성분 (C)의 총 량을 기준으로 할 때 0.1 내지 1.0 중량%, 더욱 바람직하게는 0.2 내지 0.7 중량%이다. 0.1 중량% 이상의 양으로 함으로써, 포지티브 포토레지스트 조성물의 기판 위의 밀착 향상성 효과가 완전히 획득될 수 있다. 1.0 중량% 이하의 양으로 함으로써, 해상성 감소 및 현상 후 기판 상에 스컴이 생성되는 경향이 제어될 수 있다.
- 증감제
본 발명에 따라서, 필요에 따라 증감제가 배합될 수 있다. 본 발명에 의해 사용될 수 있는 증감제는 특별히 제한되지 않는다. 포지티브 포토레지스트 조성물에 통상적으로 사용된 증감제는 자의적으로 선택될 수 있다. 예를 들면, 하기 화학식 (e-1)로 나타낸 페놀성 화합물이 사용될 수 있다:
Figure 112006016675117-PCT00005
[식 중, R41 내지 R48 각각은 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1 내지 6 인 알킬기, 탄소수 1 내지 6 인 알콕실기 또는 시클로알킬기를 나타내고; R50 내지 R51 각각은 독립적으로, 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 6인 알킬기 각각을 나타내며; R49 는 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 6인 알킬기를 나타낼 수 있으며, 상기 경우에서, Q 는 수소 원자, 탄소수 1 내지 6 인 알킬기, 또는 하기 화학식 (e-2)로 나타낸 잔기이거나:
Figure 112006016675117-PCT00006
{식 중, R52 및 R53 각각은 독립적으로, 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1 내지 6 인 알킬기, 탄소수 1 내지 6 인 알콕실기 또는 시클로알킬기이고; t 는 정수 1 내지 3 이다} 또는 Q 가 R49에 결합될 수 있어, 상기 경우에는, Q 및 R49 는 R49 및 Q 사이의 탄소 원자와 함께,탄소수 3 내지 6 의 시클로알킬기를 형성하고; w 및 s 는 정수 1 내지 3 이고 u 는 정수 0 내지 3 을 나타내나; w, s 또는 u 가 3 인 경우에는, R43, R46 또는 R48 각각은 존재하지 않고; v 는 정수 0 내지 3 이다].
상기 화학식 (e-1)로 나타낸 페놀성 화합물의 예에는
비스(4-히드록시-2,3,5-트리메틸페닐)-2-히드록시페닐메탄,
1,4-비스[l-(3,5-디메틸-4-히드록시페닐)이소프로필] 벤젠,
2,4-비스(3,5-디메틸-4-히드록시페닐메틸)-6-메틸페놀,
비스(4-히드록시-3,5-디메틸페닐)-2-히드록시페닐메탄,
비스(4-히드록시-2,5-디메틸페닐)-2-히드록시페닐메탄,
비스(4-히드록시-3,5-디메틸페닐)-3,4-디히드록시페닐메탄,
1-[1-(4-히드록시페닐)이소프로필]-4-[1,1-비스(4-히드록시페닐)에틸]벤젠,
1-[1-(3-메틸-4-히드록시페닐)이소프로필]-4-[1,1-비스(3-메틸-4-히드록시페닐)에틸]벤젠,
2,6-비스[1-(2,4-디히드록시페닐)이소프로필]-4-메틸페놀,
4,6-비스 [1-(4-히드록시페닐) 이소프로필] 레소르신,
4,6-비스(3,5-디메톡시-4-히드록시페닐메틸)피로갈롤,
4,6-비스(3,5-디메틸-4-히드록시페닐메틸)피로갈롤,
2,6-비스(3-메틸-4,6-디히드록시페닐메틸)-4-메틸 페놀,
2,6-비스(2,3,4-트리히드록시페닐메틸)-4-메틸 페놀,
1,1-비스(4-히드록시페닐)시클로헥산 등이 언급될 수 있다.
상기에 더하여, 6-히드록시-4a-(2,4-디히드록시페닐)-9-1'-스피로시클로헥실-1,2,3,4,4a,9a-헥사히드로잔텐, 6-히드록시-5-메틸-4a-(2,4-디히드록시-3-메틸페닐)-9-1'-스피로시클로헥실-1,2,3,4,4a,9a-헥사히드로잔텐 등이 사용될 수 있다.
상기 증감제는 독립적으로, 또는 그들 중 둘 이상이 혼합되어 사용될 수 있다. 상기 중, 1-[1-(4-히드록시페닐)이소프로필]-4-[1,1-비스(4-히드록시페닐)에틸]벤젠 및 비스(4-히드록시-2,3,5-트리메틸페닐)-2-히드록시페닐메탄의 조합이 감도 증가 및 공간 패턴의 수직성에 있어서 특히 우수하다.
증감제로서, 하기 (e-3) 으로 나타낸 페놀성 화합물이 사용될 수 있다.
Figure 112006016675117-PCT00007
상기 식 중, R61 내지 R63 각각은 독립적으로, 저급 알킬기(선형 또는 분지형일 수 있고, 바람직하게 탄소수 1 내지 5, 더욱 바람직하게는 1 내지 3 인 것), 시클로알킬기 (바람직하게 탄소수 5 내지 7 인 것) 또는 저급 알콕시기(선형 또는 분지형일 수 있고, 바람직하게 탄소수 1 내지 5, 더욱 바람직하게는 1 내지 3 인 것)을 나타낸다. q 및 r 은 정수 1 내지 3, 바람직하게는 1 내지 2이다. l, o, 및 p 는 정수 0, 또는 1 내지 3 이다.
더 상세하게, 상기 화학식 (e-3)으로 나타낸 페놀성 화합물로서는, 하기 화학식 (e-4) 또는 (e-8) 로 나타낸 화합물이 언급될 수 있다:
Figure 112006016675117-PCT00008
.
증감제로서, 하기 화학식 (e-9) 로 나타낸 페놀성 화합물이 또한 사용될 수 있다:
Figure 112006016675117-PCT00009
.
상기 식 중, R71 내지 R79 각각은 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 할로겐 원자 또는 히드록실기를 나타낸다. 그것들 중 하나 이상은 히드록실기이고, 바람직하게는 R71 내지 R74 중 하나 이상 및 R75 내지 R79 중 하나 이상이 히드록실기이다. R71 내지 R79 중의 임의 알킬기는 선형 또는 분지형일 수 있고, 바람직하게는 탄소수 1 내지 5 이며, 더욱 바람직하게는 탄소수 1 내지 3 이다.
R80 내지 R85 각각은 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 알케닐기, 시클로알킬기 또는 아릴기를 나타낸다. R80 내지 R85 중의 임의 알킬기는 선형 또는 분지형일 수 있고, 바람직하게는 탄소수 1 내지 5 이다. 알케닐기로서, 탄소수 1 내지 4 인 알케닐기가 바람직하다.
더 상세하게, 상기 화학식 (e-9)로 나타낸 페놀성 화합물로서는, 하기 화학식 (e-10)으로 나타낸 화합물이 언급될 수 있다:
Figure 112006016675117-PCT00010
상기 식 중, R86 및 R87 각각은 독립적으로 알킬기를 나타낸다. 알킬기는 선형 또는 분지형일 수 있고, 바람직하게는 탄소수 1 내지 5 이며, 더욱 바람직하게는 1 내지 3 이다. f 및 g 는 정수 1 내지 3, 바람직하게는 1 또는 2 를 나타낸다. j 및 z 는 정수 0, 또는 1 내지 3 을 나타낸다.
더욱 상세하게, 화학식 (e-9)로 나타낸 페놀성 화합물로서는, 하기 화학식 (e-11) 또는 (e-12)로 나타낸 화합물이 언급될 수 있다.
Figure 112006016675117-PCT00011
Figure 112006016675117-PCT00012
증감제의 배합량은 상기 성분 (A)를 기준으로 할 때 바람직하게 1 내지 30 중량%, 더욱 바람직하게는 3 내지 20 중량%이다.
- 고비등점 유기 용매
더욱이, 본 발명에서, 비등점 200 내지 350℃인 고비등점 유기 용매로 이루어진 군으로부터 선택된 임의의 유기 용매를 첨가함으로써, 포지티브 포토레지스트 조성물이 수준차가 있게 기질 표면 상에 두꺼운 레지스트막을 형성하는데 사용되는 경우에서조차도, 뛰어난 수직성을 가진 레지스트 패턴이 여전히 형성될 수 있다는 것을 의미하는 레지스트막의 벌크(bulk) 효과, 즉, 막 밀도내 치우침이 감소될 수 있다. 더욱이, 유리한 레지스트 패턴이 프리베이킹 처리 및 PEB(노광후 가열)처리의 조건(가열 시간, 가열 장치 등)에 관계없이 형성될 수 있다.
상기 고비등점 유기 용매의 예에는 벤질 아세테이트, 이소아밀 살리실레이트, 메틸 살리실레이트, 벤질 살리실레이트, 디에틸 프탈레이트, 디부틸 프탈레이트, 디메틸 프탈레이트, γ-부티로락톤, 에틸 벤조에이트, 부틸 벤조에이트, 프로필 벤조에이트, 벤질 벤조에이트, 에틸렌 글리콜 모노-페닐 에테르, 에틸렌 글리콜 모노-헥실 에테르, 1,3-옥틸렌 글리콜, 디에틸렌 글리콜, 디에틸렌 글리콜 디아세테이트, 디에틸렌 글리콜 디부틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트, 디에틸렌 글리콜 모노 부틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르 아세테이트, 디프로필렌 글리콜, 디프로필렌 글리콜 모노 부틸 에테르, 트리에틸렌 글리콜, 트리에틸렌 글리콜 디-2-에틸 부틸레이트, 트리에틸렌 글리콜 디메틸 에테르, 트리에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르, 트리에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 트리프로필렌 글리콜, 트리프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르, 2-에틸 헥산산, 카프릴산, 카프로산, 카테콜, 옥틸페놀 및 N-메틸 피롤리돈이 포함된다. 상기 유기 용매가 단독으로 사용될 수 있거나, 둘 이상의 상이한 용매의 조합으로 사용될 수 있다. 상기 용매 중에서, 250 내지 350 ℃ 의 비등점을 가진 것이 바람직하며, 벤질 살리실레이트가 특히 바람직하다.
고비등점 유기 용매의 첨가량은 성분 (A), 및 첨가된다면 상기 증감제의 조합량을 기준으로 전형적으로 3 내지 15 중량%, 바람직하게 6 내지 12 중량% 범위에 있다. 상기 양이 3 중량% 이상인 경우, 상기 효과는 충분할 수 있는 반면에, 상기 양이 15 중량% 이하인 경우, 공간 패턴의 상부 단면이 확장되는 경향이 제어하며, 단면 모양의 수직성을 바람직하지 못하기 악화시키는 경향이 있다.
포지티브 포토레지스트 조성물의 제조 방법
본 발명의 포지티브 포토레지스트 조성물은 상기 성분 (A) 및 필요하다면 첨가된 각종 성분을 (B) 성분 중에 용해시킴으로써 제조되며, 용액의 형태로 그것은 사용된다. 본 발명에 따른 포지티브 포토레지스트 조성물은 일반 방법을 이용해 단순히 상기에서 기재된 조성물들 각각을 함께 혼합하고 교반하거나 또는 필요하다면, 용해제, 균질제 또는 3 롤밀(roll mill)과 같은 분산 장치를 이용하여 분산하고 혼합함으로써 제조된다. 더욱이, 성분들을 혼합한 후, 조성물은 또한 그물 또는 막 필터 등을 이용해 여과될 수 있다.
[레지스트 패턴 형성 방법]
본 발명에 따른 레지스트 패턴 형성 방법의 바람직한 실시예를 하기에 기재했다.
우선, 상기 포지티브 포토레지스트 조성물은 방적기 등을 이용해, Au, Si 및 Cu 등과 같은 재료로부터 형성된 표면에 적용되고, 이어서 건조되어 감광성층을 형성한다. 상기 감광성 층이 이어서 고압 수은 램프, 초고압 수은 램프 또는 저압 수은 램프와 같은 광원을 이용해 바람직한 마스크 패턴을 통해 노광된다. 요구되는 경우, PEB(노광후 베이킹) 처리가 이어서 실시되고, 막의 노광된 부분은 이어서 현상액, 예컨대 알칼리수용액, 예컨대 1 내지 10 중량% 의 테트라메틸수산화암모늄 (TMAH)의 수용액 중에 기질을 침지시킴으로써 용해되고 제거되어 마스크 패턴에 충실한 이미지를 형성한다.
너비 0.8 ㎛ 이하의 고도의 영상비를 가진 레지스트 패턴이 3 ㎛ 이상 및 특히 6 내지 8 ㎛의 후막 조건하에서 형성되는 경우에 있어서, 산가교성 재료를 이용한 종래의 패턴 형성 방법이 필요하다면 사용될 수도 있다.
상기 종래의 방법의 예에는 하기 단계를 포함하는 레지스트 패턴 형성 방법이 포함된다: 레지스트 패턴이 그려지는 기판의 전 표면에 걸쳐 산의 작용 하에서 가교반응을 야기하는 산가교성 재료의 막을 형성하는 단계, 레지스트 패턴 표면으로부터 확산되는 산의 작용이 레지스트 패턴과 접촉하는 부위에서 산가교성 재료의 가교성을 야기하기 위한 열처리시행 단계, 및 현상액을 이용해 산가교되지 않은 영역으로부터 산가교성 재료를 제거하여, 산가교성재료막 형성 전의 레지스트 패턴보다 더 좁은 공간 너비를 가진 레지스트 패턴을 형성하는 단계. 기타 예시에는 하기 단계를 포함하는 레지스트 패턴 형성 방법이 포함된다: 레지스트 패턴이 그려지는 기판의 전 표면에 걸쳐 산의 작용 하에서 가교반응을 야기하는 산가교성 재료의 막을 형성하는 단계, 자외선 방사를 이용하여 기판 표면에 선택적으로 또는 완전히 노광하여 레지스트 표면 또는 내부에서의 산 발생 단계, 레지스트 패턴 표면으로부터 확산되는 산의 작용이 레지스트 패턴과 접촉하는 부위에서 산가교성 재료의 가교성을 야기하기 위한 열처리시행 단계, 및 현상액을 이용해 산가교되지 않은 영역으로부터 산가교성 재료를 제거하여, 산가교성재료막 형성 전에 레지스트 패턴보다 더 좁은 공간 너비를 가진 레지스트 패턴을 형성하는 단계.
이용되는 산가교성 재료 및 현상액에 대해서는 특별한 제한은 없고, 적합한 예에는 일본 특허 공개 공보 제 평 11-204399 호에 기재된 재료가 포함된다.
본 발명에서, 현상 속도는 포지티브 포토레지스트 조성물 중 성분 (B) 의 이용 및 레지스트 패턴 형성 방법으로 증가될 수 있다. 더욱이, 현상에 의한 두께 손실이 방지될 수 있다. 양호한 감도는 성분 (A)를 이용함으로써 수득된다.
더욱이, 계면활성제는 또한 도포 수행, 항-발포성, 레벨링성(leveling property) 등을 향상시키기 위해, 필요하다면 본 발명의 조성물과 배합될 수 있다. 계면활성제, 예컨대 BM-1000, BM-1100 (상표명, BM Chemie 사 제조), MEGAFAC F142D, MEGAFAC F172, MEGAFAC F173, MEGAFAC F183 (Dainippon Ink & Chemicals, Inc.제조), FLUORAD FC-135, FLUORAD FC-170C, FLUORAD FC-430, FLUOLAD FC-431 (Sumitomo 3M Co., Ltd. 제조), SURFRON S-112, SURFRON S-113, SURFRON S-131, SURFRON S-141, SURFRONS-145 (상표명, Asahi Glass Co., Ltd. 제조), SH-28PA, SH-190, SH-193, SZ-6032, SF-8428 (상표명, Dow Corning Toray Silicone Co., Ltd. 제조)등과 같은 불소계 계면활성제가 본 발명에서 사용될 수 있다. 사용되는 상기 계면활성제의 양은 총 레지스트 고체 성분을 기준으로 바람직하게는 1 중량% 이하이다.
(합성예)
m-크레솔, p-크레솔 (몰비 = 36: 64) 및 포르말린의 탈수 축합 반응에 의해 합성된 50 g 의 중축합 산물 (1) (Mw=4000, 분산도 (Mw/Mn) =5.0), 및 5 g 의 1, 2-나프토퀴논디아지드-5-술포닐 클로라이드를 온도계, 교반기 및 적하 깔때기가 장착된 1 리터 3-구 플라스크에 넣었다. 150 g 의 2-헵타논을 이어서 첨가해 혼합물을 용해시키고, 3.8 g 의 트리에틸아민을 적하 깔때기로 첨가했다. 반응 혼합물을 이어서 1 시간 동안 실온에서 교반해 반응을 진행시켰다.
후속적으로, 5.8 g 의 35% 염산수용액을 첨가하고, 추가로 교반을 실온에서 30분간 계속했다. 그 다음에, 상기 반응물 용액에 150g 의 물을 첨가하고 휘젓고, 그 이후에 반응물 용액을 방치하고 분리된 수성 층을 제거함으로써 여분의 염산을 제거했다. 상기 조작에 의해, 모든 페놀성 히드록실기의 4.5 몰% 의 수소 원자가 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술포닐기에 의해 치환되어 형성된 감광성 노볼락 수지 (2)의 2-헵타논용액을 수득했다.
(실시예 1)
상기 감광성 노볼락 수지 (2)의 2-헵타논 용액을 농축시키고, 거기에 프로필 렌 글리콜 메틸 에테르 아세테이트를 첨가하고, 농축한 조작을 3회 반복실시하고, 프로필렌 글리콜 메틸 에테르 아세테이트 중 55 중량% 용액의 노볼락 수지 (2)을 수득했다.
후속적으로, 감광성 노볼락 수지 (2)의 농도가 42 중량%가 될 수 있도록 프로필렌 글리콜 메틸 에테르 아세테이트를 100 중량부의 감광성 노볼락 수지 (2) (182 중량부의 55 중량% 용액의 프로필렌 글리콜 메틸 에테르 아세테이트)에 첨가해, 용매로서 프로필렌 글리콜 메틸 에테르 아세테이트를 함유하는 포지티브 포토레지스트 조성물을 제조했다.
(실시예 2)
감광성 노볼락 수지 (2) 의 농도가 42 중량%가 되도록, 프로필렌 글리콜 메틸 에테르 아세테이트 및 에틸 락테이트를 100 중량부의 감광성 노볼락 수지 (2) (182 중량부의 55 중량% 용액의 프로필렌 글리콜 메틸 에테르 아세테이트)에 첨가하고, 용매로서 프로필렌 글리콜 메틸 에테르 아세테이트 및 에틸 락테이트 (중량비 = 70/30)를 함유하는 포지티브 포토레지스트 조성물을 제조했다.
(비교예 1)
상기 감광성 노볼락 수지 (2)의 2-헵타논 용액을 농축하고, 거기에 에틸 락테이트를 첨가하고 농축한 조작을 3회 반복 실시해, 에틸 락테이트 중 55 중량% 용액의 감광성 노볼락 수지 (2)를 수득했다.
감광성 노볼락 수지 (2) 농도가 42 중량% 용액의 감광성 노볼락 수지 (2)( 182 중량부의 55 중량% 용액의 에틸 락테이트)가 될 수 있도록 에틸 락테이트를 첨가하고, 에틸 락테이트를 용매로서 함유하는 포지티브 포토레지스트 조성물을 제조했다.
(비교예 2)
감광성 노볼락 수지 (2) 의 2-헵타논 용액을 농축함으로써, 55 중량% 용액의 2-헵타논 용액을 수득했다.
노볼락 수지 (2) 농도가 42 중량% 용액의 감광성 노볼락 수지 (2) (182 중량부의 55 중량% 용액의 2-헵타논)이 될 수 있도록, 2-헵타논을 첨가하고, 용매로서 2-헵타논을 함유하는 포지티브 포토레지스트 조성물을 제조했다.
(비교예 3)
성분 (A-1): 중축합 재료 (1) 100 중량부
성분 (A-2): 1-[1-(4-히드록시페닐)이소프로필]-4-[1,1-비스(4-히드록시페닐)에틸]벤젠의 전체 페놀성 히드록실기 중 수소 원자 2 몰을 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술포닐기로 대체함으로써 형성된 감광제 18 중량부
상기 성분 각각의 총 농도 합계가 42 중량%가 될 수 있도록, 프로필렌 글리콜 메틸 에테르 아세테이트를 첨가함으로써, 프로필렌 글리콜 메틸 에테르 아세테이트를 용매로서 함유한 포지티브 포토레지스트 조성물을 제조했다.
상기 방법으로 제조한 실시예 및 비교예의 포지티브 포토레지스트 조성물을 평가하고, 그 결과를 표 1 에 나타냈다.
(현상성 평가)
시료를 헥사메틸 디실라잔(HMDS)에 의해 처리된 Si 기판 상에 방적기로 적용시키고, 이어서 90초 동안 100 ℃ 전열기상에서 건조시켜 막 두께가 50 ㎛인 레지스트 막을 형성했다.
후속적으로, 축소투영노광장치 NSR-2005i10D (NIKON CORP. 제조, NA = 0.50)를 이용해 미리 결정된 음영 패턴(5 ㎛ 선 및 공간)이 그려진 마스크를 통해 선: 공간이 상기 막 상에서 1:1로 마무리될 수 있도록 막을 노출시켰다.
후속적으로, 현상 조작으로서, 23 ℃에서 2.38 중량%의 테트라-메틸수산화암모늄 (TMAH) 수용액을 기판상에 적용시키고, 30 초 접촉 후 방적기로 회전시킴으로써 제거했다. 상기 회전 제거 처리를, 회전 제거후 공간 부분이 제거되고 선: 공간이 1:1이 되는 패턴을 보이는 것이 관찰될 때까지 반복했다.
현상성을 회전 제거시의 횟수로 평가했다. 2 이하 횟수는 A로; 3 횟수는 B로; 4 횟수는 C로; 5 이상 횟수는 D로 등급을 정했다.
(감도 평가)
상기 현상성 평가와 동일한 양태로 적용, 노광 및 현상을 실시하고, 5 ㎛을 형성하기 위해 필요한 노광(E)량을 기록했다. 감도를 E≤ 500ms 일 때 A 로서; 500ms<E 일 때 C 로서 평가했다.
(레지스트 형태 평가)
노광 및 현상을 상기 현상성 평가와 동일한 방식으로 실시하고 5㎛ 선의 측 벽 및 기질간 각(R)을 측정했다. 레지스트 형태를 85°<R 일 때 A로, 70°<R≤85°일 때 B 로, R≤70°일 때 C 로 평가했다.
(내열성 평가)
HMDS 로 처리된 기판 상에 방적기로 시료를 적용하고 이어서 100 ℃ 에서 90초간 전열기 상에서 건조해 막 두께가 3.0 ㎛인 레지스트 막을 형성했다.
후속적으로, 축소투영노광장치 NSR-2005i10D (NIKON CORP. 사 제조, NA = 0.50)를 이용해 직경이 5㎛인 마스크를 통해 막을 노광시켜 5 ㎛ 선 패턴을 형성하고 막을 이어서 90초간 100℃ 에서 PEB 처리하였다.
현상 조작으로서, 2.38중량%의 테트라메틸수산화암모늄(TMAH) 수용액을 기판 표면에 23 ℃에서 적용시키고, 60초 접촉 후에, 방적기를 회전해 제거했다. 막을 이어서 물로 30 초간 세척하고 건조해, 그 위에 5 ㎛ 선 패턴을 가진 생성된 기판을 600 초간 120 ℃ 에서 전열기 상에서 열 처리했다.
5 ㎛ 선 패턴의 단면모양을 이어서 SEM(주사 전자 현미경)사진을 통해 관찰하고, 레지스트 패턴의 측벽 및 기질 경계면 간의 교점(도 1 에서 점 (a)) 및 레지스트 패턴의 상부에서의 교점(도 1 에서 점 (b))을 연결하는 직선 및 기판 경계면의 각을 θ로 불렀다. θ>80°인 패턴을 "A"로서 기록하고, 80°
Figure 112006016675117-PCT00013
θ인 패턴이고 교점이 여전히 레지스트 패턴의 상부에 존재하는 패턴을 "B"로서 기록하고, 레지스트 패턴의 상부에 교점이 더이상 존재하지 않아 패턴으로 측정이 불가능한 것을 "C"로 기록했다.
현상성 평가 감도 평가 레지스트 형태 평가 내열성 평가
실시예 1 A A A B
실시예 2 B A A A
비교예 1 C A A A
비교예 2 D A B A
비교예 3 A C C C
표 1 의 결과로부터 알 수 있듯이, 본 발명의 포지티브 포토레지스트 조성물이 현상 속도 및 감도 모두에서 양호한 결과를 제공하고, 성분 (A)의 특징을 유지하면서 현상속도를 향상시킨다는 것이 명백하다. 더욱이, 레지스트 형태 평가에서, 패턴의 두부가 둥글게 되는 현상이 관찰되지 않았으나, 고 수직성이 수득되었다. 게다가, 프로필렌 글리콜 메틸 에테르 아세테이트 및 에틸 락테이트의 혼합된 용매가 사용된 실시예 2 에서의 내열성 평가가 향상되었다. 실시예 2 에서, 포지티브 포토레지스트 조성물의 현상성 평가가 약간 감소하였지만, 실용적 용도에서는 만족스러웠다.

Claims (7)

  1. 알칼리 가용성 노볼락 수지의 전체 페놀성 히드록실기 중 일부 수소 원자가 1,2-나프토퀴논 디아지드 술포닐기에 의해 치환된 알칼리 가용성 노볼락 수지를 포함하는 감광성 노볼락 수지 (A) 를 프로필렌 글리콜 알킬 에테르 아세테이트를 함유하는 유기 용매 (B) 중에 용해시킴으로써 형성된 포지티브 포토레지스트 조성물.
  2. 제 1 항에 있어서, 알칼리 가용성 노볼락 수지가 하기 특징 (1)~(3) 을 가진 포지티브 포토레지스트 조성물:
    (1) 폴리스티렌 당량의 중량평균분자량이 1000 내지 30000 이고,
    (2) 분산도는 25 이하이고,
    (3) 2.38 중량%의 TMAH (테트라메틸 수산화암모늄) 수용액의 용해 속도가 23℃에서 10 내지 100OÅ/s이고, 1,2-나프토퀴논 디아지드 술포닐기에 의해 알칼리 가용성 노볼락 수지의 전체 페놀성 히드록실기 중 수소 원자가 치환된 비율이 2 내지 20 몰%임.
  3. 제 1 항에 있어서, 프로필렌 글리콜 알킬 에테르 아세테이트가 프로필렌 글리콜 메틸 에테르 아세테이트인 포지티브 포토레지스트 조성물.
  4. 제 1 항에 있어서, 유기 용매 (B) 가 프로필렌 글리콜 알킬 에테르 아세테이 트 이외의 용매를 함유하는 포지티브 포토레지스트 조성물.
  5. 제 4 항에 있어서, 유기 용매 (B) 중 프로필렌 글리콜 알킬 에테르 아세테이트의 비율이 50 내지 90 중량% 인 포지티브 포토레지스트 조성물.
  6. 제 4 항에 있어서, 프로필렌 글리콜 알킬 에테르 아세테이트 이외의 용매가 에틸 락테이트인 포지티브 포토레지스트 조성물.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 따른 포지티브 포토레지스트 조성물의 도포 단계, 도포된 막의 프리베이킹(prebaking) 단계, 및 막의 선택적 노광 후 막의 알칼리 현상 단계를 포함하는 레지스트 패턴 형성 방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130069426A (ko) * 2011-12-16 2013-06-26 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 후막 포토레지스트 패턴의 제조 방법

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101271271B (zh) * 2007-03-21 2012-01-11 新应材股份有限公司 正型光阻剂
JP5090833B2 (ja) * 2007-09-11 2012-12-05 東京応化工業株式会社 ポジ型ホトレジスト組成物、及びそれを用いた感光性膜付基板
JP5115205B2 (ja) * 2008-01-15 2013-01-09 Ｊｎｃ株式会社 ポジ型感光性重合体組成物
KR101632965B1 (ko) * 2008-12-29 2016-06-24 삼성디스플레이 주식회사 포토레지스트 조성물 및 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법
CN107797384B (zh) * 2016-09-07 2020-10-09 上海飞凯电子材料有限公司 一种感光树脂、正性光刻胶及应用

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62262043A (ja) * 1986-05-08 1987-11-14 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ポジ型感光性樹脂組成物
GB2240549B (en) * 1990-01-31 1993-01-13 Sony Corp Photoresist materials
US5145763A (en) * 1990-06-29 1992-09-08 Ocg Microelectronic Materials, Inc. Positive photoresist composition
JP2711590B2 (ja) * 1990-09-13 1998-02-10 富士写真フイルム株式会社 ポジ型フオトレジスト組成物
JP3010963B2 (ja) * 1993-02-17 2000-02-21 信越化学工業株式会社 レジスト組成物
US5314782A (en) * 1993-03-05 1994-05-24 Morton International, Inc. Deep UV sensitive resistant to latent image decay comprising a diazonaphthoquinone sulfonate of a nitrobenzyl derivative
KR100466301B1 (ko) * 1996-04-03 2005-09-28 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈, 엘.엘.씨 포토레지스트조성물
US5719004A (en) * 1996-08-07 1998-02-17 Clariant Finance (Bvi) Limited Positive photoresist composition containing a 2,4-dinitro-1-naphthol
JP3287234B2 (ja) * 1996-09-19 2002-06-04 信越化学工業株式会社 リフトオフ法用ポジ型レジスト組成物及びパターン形成方法
JPH10195568A (ja) * 1997-01-10 1998-07-28 Konica Corp 平版印刷版用アルミニウム合金板
JP3652071B2 (ja) * 1997-07-25 2005-05-25 東京応化工業株式会社 ノボラック樹脂前駆体およびノボラック樹脂の製造方法
JP3189773B2 (ja) * 1998-01-09 2001-07-16 三菱電機株式会社 レジストパターン形成方法及びこれを用いた半導体装置の製造方法並びに半導体装置
EP1055969A4 (en) * 1998-12-10 2002-01-16 Clariant Finance Bvi Ltd PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION
JP4068253B2 (ja) * 1999-01-27 2008-03-26 Ａｚエレクトロニックマテリアルズ株式会社 ポジ型感光性樹脂組成物
JP4068260B2 (ja) * 1999-04-02 2008-03-26 Ａｚエレクトロニックマテリアルズ株式会社 感放射線性樹脂組成物
JP2001220420A (ja) * 2000-02-08 2001-08-14 Shin Etsu Chem Co Ltd 高分子化合物及びポジ型レジスト材料
JP3659624B2 (ja) 2000-05-01 2005-06-15 東京応化工業株式会社 ポジ型ホトレジスト組成物、感光性膜付基板およびレジストパターンの形成方法
JP2001312060A (ja) 2000-05-01 2001-11-09 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ポジ型ホトレジスト組成物、感光性膜付基板およびレジストパターンの形成方法
JP3577442B2 (ja) 2000-05-01 2004-10-13 東京応化工業株式会社 ポジ型ホトレジスト組成物、感光性膜付基板、レジストパターンの形成方法およびポジ型ホトレジスト組成物の製造方法
JP3609322B2 (ja) 2000-05-01 2005-01-12 東京応化工業株式会社 ポジ型ホトレジスト組成物、感光性膜付基板およびレジストパターンの形成方法
JP3710717B2 (ja) * 2001-03-06 2005-10-26 東京応化工業株式会社 厚膜用ポジ型ホトレジスト組成物、ホトレジスト膜およびこれを用いたバンプ形成方法
JP2002296772A (ja) * 2001-04-02 2002-10-09 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ポジ型ホトレジスト組成物
JP2003119344A (ja) * 2001-10-12 2003-04-23 Shin Etsu Chem Co Ltd ハイブリッド化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
JP3738420B2 (ja) * 2001-11-16 2006-01-25 東京応化工業株式会社 ポジ型ホトレジスト組成物および傾斜インプランテーションプロセス用薄膜レジストパターンの形成方法
KR100783603B1 (ko) * 2002-01-05 2007-12-07 삼성전자주식회사 포토레지스트 조성물 및 이를 사용한 패턴의 형성방법
JP3894477B2 (ja) * 2002-02-27 2007-03-22 Ａｚエレクトロニックマテリアルズ株式会社 感光性樹脂組成物

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130069426A (ko) * 2011-12-16 2013-06-26 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 후막 포토레지스트 패턴의 제조 방법

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Publication number Publication date
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EP1664928A2 (en) 2006-06-07
CN1849559B (zh) 2010-06-16
TWI299104B (en) 2008-07-21
WO2005029184A3 (en) 2005-06-02

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