JP3671608B2 - 感放射線性樹脂組成物 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、感放射線性樹脂組成物に関する。さらに詳しくは紫外線、遠紫外線、X線、荷電粒子線等の放射線に感応する高集積回路作製用レジストとして好適な感放射線性樹脂組成物に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、ポジ型レジストは高解像度のレジストパターンが得られるため、集積回路製造等の微細加工の分野で広く使用されている。近年における集積回路の高集積化の進行に伴って、より解像度の高いレジストパターンを形成することができるポジ型レジストの開発が強力に推し進められている。
【0003】
微細加工に際しては、通常、縮小投影露光機(ステッパー)を用い、ポジ型レジストに所定のマスクパターンを介して放射線を照射(以下「露光」という。)したのち、現像してレジストパターンを形成している。しかしながら、高集積化が進むに従って、従来のポジ型レジストでは、解像限界に近いところで実用に供されているため、感度が低下し、それに伴ってパターン形状も悪化してしまう。また露光の際、焦点が光軸方向にずれると、パターン形状の変形や設計線幅との差、現像性の低下が著しくなり、十分なフォーカス許容性を有していない。
【0004】
一方、高解像度を必要としないラフな領域では、特に高感度であることが要求される。従来の感放射線性樹脂組成物に使用されるフェノール化合物は、主として疎水基を多く有するクレゾールあるいはキシレノールであるため、樹脂のアルカリ溶解性の低下に伴う感度の低下が著しい。特にフェノール化合物としてm−クレゾールを主成分とし、これに反応性の低いキシレノールを組み合わせたものを使用した場合、得られるアルカリ可溶性樹脂末端に疎水基が分布することになるため、感度の低下が一層著しい。
このように、現在使用されているポジ型フォトレジストは、感度、得られるパターン形状および解像度等の諸性能において改良が求められている。
さらに、近年シリコンウェーハの大口経化に伴い、ポジ型フォトレジストを塗布したときの、膜厚均一性の改良も上記の改良に加え、求められている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
従って、本発明は、特に感度に優れるとともに、解像度、フォーカス許容性、現像性および膜厚均一性が改良され、レジストとして有用なポジ型感放射線性樹脂組成物を提供することを課題とするものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明によると、前記課題は、(A)フェノールおよび少なくとも一種のキシレノールとアルデヒド化合物とを重縮合して得られるアルカリ可溶性樹脂と、(B)キノンジアジド化合物を含有する感放射線性樹脂組成物(以下、「組成物」という。)により達成される。
以下、本発明を具体的に説明するが、これにより、本発明の目的、構成および効果が明確となるであろう。
【0007】
【発明の実施の形態】
(A)アルカリ可溶性樹脂
本発明で(A)成分として用いられるアルカリ可溶性樹脂(以下、「樹脂(A)」という。)は、フェノール化合物としてフェノール(石炭酸)および少なくとも一種のキシレノールを使用し、これとアルデヒド化合物との重縮合物である。
【0008】
キシレノールとしては、3,5−キシレノール、2,3−キシレノール、2,4−キシレノール、2,5−キシレノール、2,6−キシレノールおよび3,4−キシレノールが挙げられる。特に好ましいキシレノールとしては2,3−キシレノール、2,5−キシレノール、3,4−キシレノールを挙げることができる。これらのキシレノールは一種単独でも二種以上を組み合わせても使用することができる。二種のキシレノールを組み合せる場合、その割合に特に制限はないが、特に好ましい組み合せとしては、2,3−キシレノール/3,4−キシレノールの組み合せ、2,5−キシレノール/3,4−キシレノールの組み合せ、等が挙げられる。
【0009】
フェノールとキシレノールの好ましい組み合わせとしては、フェノール/2,3−キシレノール、フェノール/2,5−キシレノール、フェノール/3,4−キシレノール、フェノール/2,3−キシレノール/3,4−キシレノール、フェノール/2,5−キシレノール/3,4−キシレノールが挙げられる。
【0010】
フェノールとキシレノールとのモル比は、一般にフェノール/キシレノール=90/10〜40/60の範囲が好ましく、特に好ましくは、80/20〜50/50である。フェノールの配合量が少なすぎると、得られる組成物の感度が低く、レジストとして用いたときに十分な残膜率が得られない傾向にある。また、フェノールが多すぎると、現像性が悪化する場合もあり、十分な解像度が得られない傾向にある。
【0011】
各組み合わせにおける好ましいモル比は、二成分系ではフェノール/2,3−キシレノール=80/20〜50/50、フェノール/2,5−キシレノール=80/20〜50/50、フェノール/3,4−キシレノール=80/20〜70/30であり、三成分系では、フェノール/キシレノール=80/20〜50/50かつ2,3−キシレノール/3,4−キシレノール=90/10〜20/80、2,5−キシレノール/3,4−キシレノール=90/10〜20/80である。
【0012】
本発明で用いられるアルデヒド化合物としては、例えばホルムアルデヒド、トリオキサン、パラホルムアルデヒド、ベンズアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピルアルデヒド、フェニルアセトアルデヒド、α−フェニルプロピルアルデヒド、β−フェニルプロピルアルデヒド、o−ヒドロキシベンズアルデヒド、m−ヒドロキシベンズアルデヒド、o−ヒドロキシベンズアルデヒド、o−メチルベンズアルデヒド、m−メチルベンズアルデヒド、p−メチルベンズアルデヒド、p−エチルベンズアルデヒド、p−n−プロピルベンズアルデヒド、フルフラール等を挙げることができ、特にホルムアルデヒド、o−ヒドロキシベンズアルデヒド、パラホルムアルデヒドを好適に用いることができる。
【0013】
これらのアルデヒド化合物も一種単独で、または2種以上を組み合わせて用いることができる。上記アルデヒド化合物の使用量は、フェノール化合物の合計量1モルに対し、0.5〜2.0モルが好ましく、より好ましくは0.6〜1.5モルである。
【0014】
フェノール化合物とアルデヒド化合物との重縮合に通常用いられる触媒としては、塩酸、硝酸、硫酸、ギ酸、シュウ酸、酢酸、p-トルエンスルホン酸等の酸性触媒、ピリジン、2−メチルピリジン、4−メチルピリジン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム等の塩基性触媒を挙げることができる。これらの触媒の使用量は、通常、フェノール化合物1モルに対し、1×10-5〜1.0モルである。
【0015】
重縮合の温度は、反応原料の反応性に応じて適宜調整することができるが、通常70〜200℃、好ましくは90〜150℃である。
重縮合は特に溶剤を添加することなしに実施可能であるが、重縮合の素反応をコントロールし、重縮合したノボラック樹脂の分子量、メチレン結合位置等をコントロールする目的で有機溶剤を添加してもよい。
【0016】
重縮合の有機溶剤としては、例えばメタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、1,2−ジメトキシエタン、トルエン、キシレン、エチルメチルケトン、メチルイソブチルケトン、2−ヘプタノン等が挙げられる。反応溶剤は、単独であるいは2種以上混合して使用できる。
【0017】
溶剤の使用量は、通常、反応原料(フェノール化合物とアルデヒド化合物)100重量部当り、20〜1,000重量部である。好ましくは50〜600重量部である。
【0018】
重縮合の方法としては、フェノール化合物、アルデヒド化合物、触媒等を一括して反応容器に仕込む方法、および触媒の存在下にフェノール化合物、アルデヒド化合物、触媒等を反応の進行とともに徐々に加えていく方法を採用することができる。
【0019】
重縮合の反応終了後、系内に存在する未反応原料、触媒、溶剤等を除去するために、一般的には、反応系の温度を130〜230℃に上昇させ、減圧下、例えば20〜50mmHgで揮発分を留去し、生成した樹脂(A)を回収する。
【0020】
本発明に用いられる樹脂(A)は、ポリスチレン換算重量平均分子量(以下、「Mw」と称する。)が、通常、3,000〜20,000であり、特に4,000〜15,000の範囲にあることが望ましい。Mwが大きすぎると、本発明の組成物をウェハーに均一に塗布しにくく、さらに現像性および感度が低下する傾向があり、またMwが小さすぎると、耐熱性が低下する傾向がある。
【0021】
なお、上記の重縮合により得られた樹脂(A)のMwを所望範囲に高めるには、例えば重縮合終了後に回収された樹脂(A)を、例えばプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、3−メトキシプロピオン酸メチル、3−エトキシプロピオン酸メチル、3−メトキシプロピオン酸エチル、3−エトキシプロピオン酸エチル、エチルセロソルブアセテート、ジオキサン、メタノール、酢酸エチル、酢酸ブチル、メチルイソブチルケトン等の良溶媒に溶解した後、得られた溶液を水、n−ヘキサン、n−ヘプタン等の貧溶媒を混合し、次いで析出する樹脂溶液層を分離、回収すればよく、高分子量の樹脂(A)が得られる。
本発明の組成物において、上述した樹脂(A)を、一種単独でまたは2種以上の混合物として使用することができる。
【0022】
(B)キノンジアジドスルホン酸エステル化合物
本発明に使用されるキノンジアジドスルホン酸エステル化合物としては、ポリヒドロキシ化合物の1,2−ベンゾキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステルおよび1,2−ナフトキノンジアジド−6−スルホン酸エステルなどが挙げられ、特に、1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステルが好ましい。
【0023】
前記キノンジアジドスルホン酸エステル化合物は、例えばポリヒドロキシ化合物とキノンジアジドスルホニルクロリドとを塩基性触媒の存在下で反応させることにより得られる。通常、ポリヒドロキシ化合物の全水酸基に対するキノンジアジドスルホン酸エステルの割合(平均エステル化率)は、10〜100%であり、好ましくは20〜95%である。平均エステル化率が低すぎると、パターン形成が難しく、高すぎると感度の低下を招くことがある。
【0024】
ここで、用いられるポリヒドロキシ化合物としては、特に限定されるものではないが、具体例として下記式(1−1)〜(1−8)で示される化合物が挙げられる。
【0025】
【化1】
【0026】
【化2】
【0027】
【化3】
【0028】
【化4】
【0029】
上の式(1−1)〜式(1−8)の説明において、炭素数1〜4のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、およびブチル基が挙げられ、炭素数1〜4のアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基およびブトキシ基が挙げられ、炭素数6〜10のアリール基としては、例えば、フェニル基およびナフチル基が挙げられ、炭素数5〜7のシクロアルキル基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基およびシクロヘプチル基が挙げられ、ハロゲン原子としては例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子およびヨウ素原子が挙げられる。
【0030】
キノンジアジドスルホン酸エステル化合物(B)として好ましいものは、式(1−1)〜式(1−6)のポリヒドロキシ化合物の1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、及び1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステルである。
【0031】
前記式(1−1)〜(1−6)のポリヒドロキシ化合物のうち、特に好ましいものは、1−α,α−ビス(2−メチル−4−ヒドロキシ−5−tert−ブチルフェノール)メチルベンゼン、4,4’− [1−[4−{1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル}フェニル]エチリデン]ビスフェノール、4,6−ビス{1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル}−1,3−ジヒドロキシベンゼン、4−(1−フェニル−1−メチルエチル)−6−{1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル}−1,3−ジヒドロキシベンゼン、4,6−ビス{1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル}−1−ヒドロキシ−3−メトキシベンゼン、2−メチル−2−(2,4−ジヒドロキシフェニル)−4−(4−ヒドロキシフェニル)−7−ヒドロキシクロマン、1,3−ビス[1−[3−{1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル}−4、6−ジヒドロキシフェニル]−1−メチルエチル]ベンゼンおよび2,6−ビス{ビス(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)メチル}−4−メチルフェノールである。
【0032】
本発明の組成物においては、前記キノンジアジドスルホン酸エステル化合物(B)は、樹脂(A)100重量部当たり、5〜60重量部、特に10〜50重量部の割合で使用することが好ましい。また、キノンジアジドスルホン酸エステル化合物は一種単独であるいは2種以上を組み合わせて使用することができる。
【0033】
また、本発明の組成物中に占める1,2−キノンジアジドスルホニル残基の総重量は、組成物の全固形分に対する割合として、好ましくは5〜50重量%、より好ましくは10〜30重量%となるように調節される。
その他の成分
本発明の組成物には、必要に応じて上記の(A)成分及び(B)成分以外の成分を配合することができる。
【0034】
溶解促進剤:
前記樹脂(A)のアルカリ溶解性を促進する目的で、低分子量のフェノール化合物(以下、「溶解促進剤」という。)を添加することができる。この溶解促進剤としては、ベンゼン環数が2〜5のフェノール化合物が好適であり、例えば下記式(2−1)〜(2−9)で表される化合物を例示することができる。
【0035】
【化5】
【0036】
【化6】
【0037】
〔式(2−1)〜(2−9)において、a、bおよびcは、それぞれ0〜3の整数であり(但し、同時に0にはならない。)、x、yおよびzはそれぞれ0〜3の整数であり、そしてa+x≦5、b+y≦5およびc+z≦5(但し、式(2−3)および(2−4)についてはb+y≦4である。)である。〕
溶解促進剤として好ましいものは、式(2−4)、(2−5)、(2−6)、および(2−7)で表わされる化合物である。特に好ましくは、4、4’−[1−[4−{1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル}フェニル]エチリデン]ビスフェノール、
1,1−ビス(4−ヒドロキシ−2,5−ジメチルフェニル)アセトン、
1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−1−フェニルエタン、
4,6−ビス{1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル}−1,3−ジヒドロキシベンゼン、および
1,1−ビス(2,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)−2−ヒドロキシフェニルメタンである。
【0038】
かかる溶解促進剤の配合量は、通常、樹脂(A)100重量部当り、50重量部以下、特に、5から40重量部の割合で使用されることが好ましい。また、溶解促進剤は1種単独であるいは2種以上を組み合わせて使用することができる。
【0039】
界面活性剤:
界面活性剤は、組成物の塗布性や現像性を改良するために必要に応じて配合されるものである。このような界面活性剤としては、例えばポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル、ポリエチレングリコールジラウリエート、ポリエチレングリコールジステアレート、メガファックスF171、F172、F173、F471、R−07、R−08(商品名、大日本インキ社製)、フロラードFC430、FC431(商品名、住友スリーエム社製)、アサヒガードAG710、サーフロンS−382、SC−101、SC−102、SC−103、SC−104、SC−105、SC−106(商品名、旭硝子社製)、KP341(商品名、信越化学工業社製)、ポリフロー No.75、No.95(商品名、共栄社油脂化学工業社製)、NBX−7、NBX−8、NBX−15(商品名、ネオス社製)等が挙げられる。
これらの界面活性剤の配合量は、組成物の固形分100重量部当たり、好ましくは2重量部以下である。
【0040】
さらに本発明の組成物には、レジストの放射線照射部の潜像を可視化させ、放射線照射時のハレーションの影響を少なくするために、染料や顔料を配合することができ、また接着性を改善するために接着助剤を配合することもできる。さらに必要に応じて保存安定剤、消泡剤等も配合することもできる。
組成物の調製
本発明の組成物は、前述した樹脂(A)、キノンジアジドスルホン酸エステル(B)の固形分を、例えば固形分濃度が20〜40重量%となるように溶剤に溶解し、孔径0.2μm程度のフィルターで濾過することによって調製される。
【0041】
この際に用いられる溶剤としては、例えばエチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、トルエン、キシレン、メチルエチルケトン、2−ヘプタノン、3−ヘプタノン、4−ヘプタノン、シクロヘキサノン、2−ヒドロキシプロピオン酸エチル、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオン酸エチル、エトキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸エチル、2−ヒドロキシ−3−メチルブタン酸メチル、3−メトキシプロピオン酸メチル、3−エトキシプロピオン酸エチル、3−メトキシプロピオン酸エチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル等を挙げることができる。さらに、N−メチルホルムアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、N−メチルホルムアニリド、N−メチルアセトアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、ベンジルエチルエーテル、ジヘキシルエーテル、アセトニルアセトン、イソホロン、カプロン酸、カプリル酸、1−オクタノール、1−ノナノール、ベンジルアルコール、酢酸ベンジル、安息香酸エチル、シュウ酸ジエチル、マレイン酸ジエチル、γ−ブチロラクトン、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、エチレングリコールモノフェニルエーテルアセテート等の高沸点溶剤を添加することもできる。これらの溶剤は、一種単独でまたは2種以上を組み合わせて使用される。
【0042】
レジスト被膜の形成
溶液として調製された本発明の組成物は、これを回転塗布、流延塗布、ロール塗布等によって、例えばシリコンウエハーまたはアルミニウム等が被覆されたウエハーに塗布される。次いでこれをプレベークすることによりレジスト被膜を形成し、所望のレジストパターンを形成するようにレジスト被膜に放射線を照射し、現像液で現像することによりパターンの形成が行われる。
【0043】
この際用いられる放射線としては、g線、i線等の紫外線が好ましく用いられるが、エキシマレーザー等の遠紫外線、シンクロトロン放射線等のX線、電子線等の荷電粒子線の如き各種放射線を用いることもできる。
【0044】
また本発明の組成物は、レジスト被膜を形成し、プレベークおよび放射線照射を行った後、70〜140℃で加熱する操作(以下、「ポストベーク」という。)を行い、その後に現像することによって、本発明の効果をさらに向上させることもできる。
【0045】
上記レジスト被膜に対し使用する現像液としては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、硅酸ナトリウム、メタ硅酸ナトリウム、アンモニア水、エチルアミン、n−プロピルアミン、ジエチルアミン、ジ−n−プロピルアミン、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、コリン、ピロール、ピペリジン、1,8−ジアザビシクロ−(5,4,0)−7−ウンデセン、1,5−ジアザビシクロ−(4,3,0)−5−ノナン等のアルカリ性化合物を、濃度が、例えば1〜10重量%となるように水に溶解してなるアルカリ性水溶液が使用される。
【0046】
また、前記現像液には、水溶性有機溶媒、例えばメタノール、エタノール等のアルコール類や界面活性剤を適量添加して使用することもできる。
なお、このようなアルカリ性水溶液からなる現像液を使用した場合は、一般的には、現像後、水で洗浄する。
【0047】
【実施例】
以下、実施例により本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例によって、なんら限定されるものではない。
なお、合成例におけるMwの測定は次の方法により行った。
Mwの測定方法:
東ソー社製GPCカラム(G2,000HXL2本、G3,000HXL1本、G4,000HXL1本)を用い、流量1.0ml/分、溶出溶媒テトラヒドロフラン、カラム温度40℃の分析条件で、単分散ポリスチレンを標準とするゲルパーミエーションクロマトグラフ法により測定した。
【0048】
合成例1
冷却管、攪拌機および温度計を装着したフラスコに、
フェノール 56.5g(0.6モル)
2,3−キシレノール 48.9g(0.4モル)
37重量%ホルムアルデヒド水溶液 75.5g
(ホルムアルデヒド分 0.93モル)
シュウ酸2水和物 0.63g(0.005モル)
メチルイソブチルケトン 264g
を仕込んだ後、フラスコを油浴中に浸し、反応液を還流させながら、攪拌下、4時間重縮合を行った。次いで油浴の温度を180℃まで3時間かけて昇温し、その後にフラスコ内の圧力を30〜50mmHgまで減圧して、揮発分を除去し、溶融している樹脂を室温まで冷却して回収した。この樹脂を酢酸エチルに樹脂分が30重量%になるように溶解した後、得られた溶液にその重量の1.3倍量のメタノールと0.9倍量の水を加え、攪拌後放置したところ、2層に分離した。次いで下層を取り出し、濃縮し、乾燥して樹脂(A)を回収した。こうして得られた樹脂(A)のMwは8,700と測定された。この樹脂(A)を以下樹脂(A1)という。
【0049】
合成例2
フラスコに仕込む原料成分を、
フェノール 75.3g(0.8モル)
3,4−キシレノール 24.4g(0.2モル)
37重量%ホルムアルデヒド水溶液 75.5g
(ホルムアルデヒド分 0.93モル)
p-トルエンスルホン酸 1.90g(0.01モル)
プロピレングリコールモノメチルエーテル 249gに変え、処理工程において得られた樹脂の酢酸エチル溶液を中性になるまで水洗した後にメタノールと水を該溶液に加えた以外は、合成例1と同様にして樹脂(A)を得た。この樹脂(A)のMwは8,500)と測定され、以下において樹脂(A2)という。
【0050】
合成例3
フラスコに仕込む原料成分を、
フェノール 56.5g(0.6モル)
2,3−キシレノール 36.7g(0.3モル)
3,4−キシレノール 12.2g(0.1モル)
37重量%ホルムアルデヒド水溶液 74.7g
(ホルムアルデヒド 0.92モル)
水酸化カリウム 3.37g(0.060モル)
プロピレングリコールモノメチルエーテル 316g
と変えた以外は、合成例2と同様にして樹脂(A)を合成し、処理した。得られた樹脂(A)のMwは8,400と測定された。該樹脂を、以下、樹脂(A3)という。
【0051】
合成例4
フラスコに仕込む原料成分を、
フェノール 47.1g(0.5モル)
2,5−キシレノール 48.9g(0.4モル)
3,4−キシレノール 12.2g(0.1モル)
37重量%ホルムアルデヒド水溶液 74.7g
(ホルムアルデヒド 0.90モル)
p-トルエンスルホン酸 1.90g(0.01モル)
メチルイソブチルケトン 325g
に変えた以外は、合成例2と同様にして樹脂(A)を合成し、処理した。得られた樹脂(A)のMwは8,500と測定された。この樹脂を、以下、樹脂(A4)という。
【0052】
実施例1〜4
各実施例において、表1に示すように、上の合成例で得られた樹脂(A)、キノンジアジド化合物、溶解促進剤および溶剤を、同表に示す量(ただし、部は重量部を意味する)で混合し、均一な溶液とした。次いで、得られた溶液を孔径0.2μmのメンブランフィルターで瀘過して、溶液状のレジスト組成物を調製した。
【0053】
【表1】
ここで使用したキノンジアジド化合物、溶解促進剤および溶剤は、下記のとおりである。
キノンジアジド化合物
【0054】
【化7】
【0055】
【化8】
【0056】
溶解促進剤
(C1)1,1−ビス(4−ヒドロキシ−2、5−ジメチルフェニル)アセトン
(C2)4、6−ビス{1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル}−1、3−ジヒドロキシベンゼン
溶 剤
(α)2−ヒドロキシプロピオン酸エチル
(β)3−エトキシプロピオン酸エチル
(γ)メチル−n−アミルケトン
次いで、各組成物の溶液を、シリコンウェハー上にスピナーを用いて塗布したのち、90℃(実施例3以外)または100℃(実施例3)に保持したホットプレート上で、90℃で2分間プレベークを行なって、厚さ1.1μmのレジスト膜を形成した。このレジスト膜をマスクパターンを介し、(株)ニコン製NSR−2005i9C縮小投影露光機(レンズ開口数=0.57)を用いて、波長365nm(i線)により露光した後、110℃に保持したホットプレート上で1分間ポストベークを行った。次いで、2、38重量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で現像したのち、超純水で洗浄し、次いで乾燥を行い、レジストパターンを得た。得られたレジストパターンの特性を下記の方法により評価した。表2に評価結果を示す。
【0057】
感度:
ニコン社製 NSR−1505i9C縮小投影露光機(レンズの開口数:0.57)で露光時間を変化させ、波長365nmのi線を用いて露光を行ない、次いでテトラメチルアンモニウムヒドロキシド2.38重量%水溶液を現像液として用い、25℃で60秒間現像し、超純水でリンスし、乾燥してウェハー上にポジ型レジストパターンを形成させた。その際、0.4μmのライン・アンド・スペースパターン(1LIS)を1対1の幅に形成する露光時間(以下、「最適露光時間」という。)を求めた。単位はミリ秒(msecond)にて表わした。
解像度:
最適露光時間で露光した時に解像されている最小のレジストパターンの寸法を測定した。
フォーカス許容性:
線幅0.35μmのライン・アンド・スペースパターン(1LIS)を、走査型電子顕微鏡を用いて観察し、解像されるパターン寸法がマスクの設計寸法の±10%以内であり、かつレジストパターンの現像前の膜厚に対する現像後の膜厚の割合(以下、「残膜率」という。)が90%以上である場合の焦点の振れ幅により、フォーカス許容性を評価した。この振れ幅の大きいほど、フォーカス許容性が良好であることを示す。
【0058】
現像性:
感度の評価と同様にして形成したポジ型レジストパターンについて、現像後のスカムや現像残りの程度を、走査型電子顕微鏡にて観察した。
膜厚均一性:
東京エレクトロン(株)製現像塗布装置MARK−8を用い、組成物を直径6インチのウエハーに回転塗布して、平均膜厚1.00μmのレジスト被膜を形成した。このレジスト被膜について、大日本スクリーン(株)製ラムダエース、モデルVL−M6000−LSを用いて、1図にしめすように、ウエハー中心よりオリフラ方向に水平方向および垂直方向に1cm間隔で順次ずらした点と中心点との計25の測定点で膜厚を測定し、(最大膜厚−平均膜厚)≦10Åおよび(平均膜厚−最小膜厚)≦10Åともに満足する場合を、膜厚均一性が良好とし、(最大膜厚−平均膜厚)≦10Åおよび(平均膜厚−最小膜厚)≦10Åの少なくとも何れか一方を満足しない場合を、膜厚均一性が不良とした。
【0059】
【表2】
表2に示されるように、本発明の組成物は、特に感度が優れるとともに、フォーカス許容性および解像度にも優れていた。
【0060】
【発明の効果】
本発明の感放射線性樹脂組成物は、特に感度が優れるとともに、フォーカス許容性、解像度および現像性にも優れている。さらに、レジストを塗布したときの膜厚均一性にも優れている。したがって、本発明の感放射線性樹脂組成物は、今後さらに高集積化が進む高集積回路製造用ポジ型レジストとして極めて有用である。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施例において形成されたレジスト被膜の膜厚均一性評価の説明に用いたウェーハの平面図である。
Claims (3)
- (A)アルカリ可溶性樹脂と(B)キノンジアジド化合物を含有する感放射線性樹脂組成物において、アルカリ可溶性樹脂が、フェノール及び少なくとも一種のキシレノールとホルムアルデヒドとの重縮合物であり、そのポリスチレン換算重量平均分子量が 3,000 〜 20,000であることを特徴とする高集積回路製造用感放射線性樹脂組成物。
- 前記(A)アルカリ可溶性樹脂において、フェノールとキシレノールとのモル比が、フェノール/キシレノール=90/10〜40/60であることを特徴とする請求項1に記載の組成物。
- 前記(A)アルカリ可溶性樹脂において、フェノールとキシレノールとのモル比がフェノール/キシレノール=80/20〜50/50であり、かつ該キシレノールが2,3−キシレノールと3,4−キシレノールとからなり、それらのモル比が2,3−キシレノール/3,4−キシレノール=90/10〜20/80であることを特徴とする請求項1または2に記載の組成物。
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