JP2003119344A - ハイブリッド化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 - Google Patents
ハイブリッド化合物、レジスト材料及びパターン形成方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【解決手段】 フェノール樹脂と下記一般式（１）
Ｒ1 nＳｉ（ＯＲ2）4-n （１）
（式中、Ｒ1は硫黄原子又は酸素原子を含む一価の炭化
水素基を示し、Ｒ2は一価の炭化水素基を示し、ｎは１
又は２である。）で示されるオルガノオキシシランを加
水分解・縮合して得られるシリコーン樹脂からなるハイ
ブリッド化合物。 【効果】 本発明によれば、レジスト材料のベースポリ
マーに使用されてメタル基板に対して優れた密着性を与
えるハイブリッド化合物を提供することができる。
水素基を示し、Ｒ2は一価の炭化水素基を示し、ｎは１
又は２である。）で示されるオルガノオキシシランを加
水分解・縮合して得られるシリコーン樹脂からなるハイ
ブリッド化合物。 【効果】 本発明によれば、レジスト材料のベースポリ
マーに使用されてメタル基板に対して優れた密着性を与
えるハイブリッド化合物を提供することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フェノール樹脂に
対して、シリコーン樹脂成分が網目状に絡まりあい、分
子レベルで分散したシリコーン樹脂−フェノール樹脂ハ
イブリッド化合物並びにこれを含むレジスト材料及びパ
ターン形成方法に関する。
対して、シリコーン樹脂成分が網目状に絡まりあい、分
子レベルで分散したシリコーン樹脂−フェノール樹脂ハ
イブリッド化合物並びにこれを含むレジスト材料及びパ
ターン形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】従来、
レジスト材料としてノボラック樹脂を用いた有機−無機
ポリマーハイブリッド及びその製造方法が、特開２００
０−４４８７６号公報及び特開２０００−５６４５３号
公報で紹介されており、この材料により、レジスト膜の
耐熱性が向上し、レジスト膜の形状の変化が起こりにく
く、しかもレジスト膜の耐ドライエッチング性が向上す
る旨記載されている。
レジスト材料としてノボラック樹脂を用いた有機−無機
ポリマーハイブリッド及びその製造方法が、特開２００
０−４４８７６号公報及び特開２０００−５６４５３号
公報で紹介されており、この材料により、レジスト膜の
耐熱性が向上し、レジスト膜の形状の変化が起こりにく
く、しかもレジスト膜の耐ドライエッチング性が向上す
る旨記載されている。
【０００３】一方、レジスト材料を塗布する基板として
は、半導体集積回路用はシリコンウェハーが一般的であ
るが、昨今レジスト材料に対する様々な用途が提案さ
れ、シリコン基板上はもとより、銅基板上、金基板上、
アルミニウム基板上、クロム基板上、チタン基板上、タ
ンタル基板上等のメタル基板が使用され、レジスト膜に
ついてこれらのメタル基板に対する密着性が要求されて
いる。
は、半導体集積回路用はシリコンウェハーが一般的であ
るが、昨今レジスト材料に対する様々な用途が提案さ
れ、シリコン基板上はもとより、銅基板上、金基板上、
アルミニウム基板上、クロム基板上、チタン基板上、タ
ンタル基板上等のメタル基板が使用され、レジスト膜に
ついてこれらのメタル基板に対する密着性が要求されて
いる。
【０００４】基板に対する密着性を向上させる方法とし
ては、特に添加剤として、Ｎ−置換イミドに有機ヒドロ
ペルオキシドを添加したもの（特公昭４８−３６１６号
公報）、アミノアルコキシシラン（特開昭５１−５２０
０２号公報）、キレート錯体を形成する水酸基を持つ芳
香族化合物又は脂肪族化合物（特開昭５２−５４５０３
号公報）、シランカップリング剤（特開昭５３−３９１
１５号公報）等の添加が試みられているが、添加剤とし
て使用すると、他のレジスト材料との相溶性からミクロ
相分離を起こす場合がある等の欠点がある。
ては、特に添加剤として、Ｎ−置換イミドに有機ヒドロ
ペルオキシドを添加したもの（特公昭４８−３６１６号
公報）、アミノアルコキシシラン（特開昭５１−５２０
０２号公報）、キレート錯体を形成する水酸基を持つ芳
香族化合物又は脂肪族化合物（特開昭５２−５４５０３
号公報）、シランカップリング剤（特開昭５３−３９１
１５号公報）等の添加が試みられているが、添加剤とし
て使用すると、他のレジスト材料との相溶性からミクロ
相分離を起こす場合がある等の欠点がある。
【０００５】本発明は、上記事情に鑑みなされたもの
で、レジスト材料のベースポリマーとして好適に用いら
れ、基板、特にメタル基板に対して良好な密着性を与え
るハイブリッド化合物、並びにこのハイブリッド化合物
を含むレジスト材料及びそのパターン形成方法を提供す
ることを目的とする。
で、レジスト材料のベースポリマーとして好適に用いら
れ、基板、特にメタル基板に対して良好な密着性を与え
るハイブリッド化合物、並びにこのハイブリッド化合物
を含むレジスト材料及びそのパターン形成方法を提供す
ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】本
発明者は、上記目的を達成するため鋭意検討を行った結
果、フェノール樹脂にシリコーン樹脂成分を分子レベル
で分散させ、フェノール樹脂とシリコーン樹脂成分とが
網目状に絡まりあったシリコーン樹脂−フェノール樹脂
ハイブリッド化合物を用いた場合、分散したシリコーン
樹脂成分が各種金属及びその酸化膜分子と錯体を形成す
ることにより、密着性を向上させることを知見し、本発
明をなすに至ったものである。
発明者は、上記目的を達成するため鋭意検討を行った結
果、フェノール樹脂にシリコーン樹脂成分を分子レベル
で分散させ、フェノール樹脂とシリコーン樹脂成分とが
網目状に絡まりあったシリコーン樹脂−フェノール樹脂
ハイブリッド化合物を用いた場合、分散したシリコーン
樹脂成分が各種金属及びその酸化膜分子と錯体を形成す
ることにより、密着性を向上させることを知見し、本発
明をなすに至ったものである。
【０００７】従って、本発明は、（１）フェノール樹脂
と下記一般式（１） Ｒ1 nＳｉ（ＯＲ2）4-n （１） （式中、Ｒ1は硫黄原子又は酸素原子を含む一価の炭化
水素基を示し、Ｒ2は一価の炭化水素基を示し、ｎは１
又は２である。）で示されるオルガノオキシシランを加
水分解・縮合して得られるシリコーン樹脂からなるハイ
ブリッド化合物、（２）フェノール樹脂が、下記一般式
（２）で示される繰り返し単位を有し、ポリスチレン換
算重量平均分子量が１，０００〜１０，０００であるノ
ボラック樹脂の水酸基の水素原子を１〜５０モル％の割
合で１，２−ナフトキノンジアジドスルホニルエステル
基で置換した樹脂であることを特徴とする（１）記載の
ハイブリッド化合物、
と下記一般式（１） Ｒ1 nＳｉ（ＯＲ2）4-n （１） （式中、Ｒ1は硫黄原子又は酸素原子を含む一価の炭化
水素基を示し、Ｒ2は一価の炭化水素基を示し、ｎは１
又は２である。）で示されるオルガノオキシシランを加
水分解・縮合して得られるシリコーン樹脂からなるハイ
ブリッド化合物、（２）フェノール樹脂が、下記一般式
（２）で示される繰り返し単位を有し、ポリスチレン換
算重量平均分子量が１，０００〜１０，０００であるノ
ボラック樹脂の水酸基の水素原子を１〜５０モル％の割
合で１，２−ナフトキノンジアジドスルホニルエステル
基で置換した樹脂であることを特徴とする（１）記載の
ハイブリッド化合物、
【化２】
（式中、ｍは０〜３の整数を示す。）
（３）（１）又は（２）記載のハイブリッド化合物を含
むことを特徴とするレジスト材料、（４）（ｉ）（３）
記載のレジスト材料を基板に塗布する工程、（ｉｉ）フ
ォトマスクを介して波長１５０〜４５０ｎｍの光で露光
する工程、（ｉｉｉ）現像液にて現像する工程を含むこ
とを特徴とするパターン形成方法を提供する。
むことを特徴とするレジスト材料、（４）（ｉ）（３）
記載のレジスト材料を基板に塗布する工程、（ｉｉ）フ
ォトマスクを介して波長１５０〜４５０ｎｍの光で露光
する工程、（ｉｉｉ）現像液にて現像する工程を含むこ
とを特徴とするパターン形成方法を提供する。
【０００８】以下、本発明につき更に詳しく説明する。
本発明のシリコーン樹脂−フェノール樹脂ハイブリッド
化合物は、フェノール樹脂に下記一般式（１）で示され
るオルガノオキシシランを添加し、該オルガノオキシシ
ランを加水分解・縮合し、ゾル−ゲル反応させることに
より得られる、このオルガノオキシシランに由来するシ
リコーン樹脂がフェノール樹脂に網目状に絡まりあった
化合物である。 Ｒ1 nＳｉ（ＯＲ2）4-n （１） ここで、Ｒ1は硫黄原子又は酸素原子を含む一価の炭化
水素基を示し、Ｒ2は一価の炭化水素基を示し、ｎは１
又は２である。
本発明のシリコーン樹脂−フェノール樹脂ハイブリッド
化合物は、フェノール樹脂に下記一般式（１）で示され
るオルガノオキシシランを添加し、該オルガノオキシシ
ランを加水分解・縮合し、ゾル−ゲル反応させることに
より得られる、このオルガノオキシシランに由来するシ
リコーン樹脂がフェノール樹脂に網目状に絡まりあった
化合物である。 Ｒ1 nＳｉ（ＯＲ2）4-n （１） ここで、Ｒ1は硫黄原子又は酸素原子を含む一価の炭化
水素基を示し、Ｒ2は一価の炭化水素基を示し、ｎは１
又は２である。
【０００９】上記一般式（１）において、Ｒ1の硫黄原
子を含む一価の炭化水素基としては、例えばメルカプト
メチル基、メルカプトエチル基、メルカプトプロピル
基、メルカプトブチル基、メルカプトペンチル基、メル
カプトヘキシル基、メルカプトヘプチル基、メルカプト
オクチル基等の炭素数１〜８のメルカプト基を有するア
ルキル基、メルカプトフェニル基、メルカプトメチルフ
ェニル基等の炭素数６〜１０のメルカプト基を有するア
リール基、メルカプトベンジル基、メルカプトメチルベ
ンジル基、２−フェニル−１−メルカプトエチル基等の
炭素数７〜１２のメルカプト基を有するアラルキル基な
どが挙げられる。
子を含む一価の炭化水素基としては、例えばメルカプト
メチル基、メルカプトエチル基、メルカプトプロピル
基、メルカプトブチル基、メルカプトペンチル基、メル
カプトヘキシル基、メルカプトヘプチル基、メルカプト
オクチル基等の炭素数１〜８のメルカプト基を有するア
ルキル基、メルカプトフェニル基、メルカプトメチルフ
ェニル基等の炭素数６〜１０のメルカプト基を有するア
リール基、メルカプトベンジル基、メルカプトメチルベ
ンジル基、２−フェニル−１−メルカプトエチル基等の
炭素数７〜１２のメルカプト基を有するアラルキル基な
どが挙げられる。
【００１０】また、Ｒ1の酸素原子を含む一価の炭化水
素基としては、例えばグリシドキシメチル基、グリシド
キシエチル基、グリシドキシプロピル基、グリシドキシ
ブチル基、グリシドキシペンチル基、（３，４−エポキ
シシクロヘキシル）エチル基等の炭素数４〜８のグリシ
ドキシ基又はエポキシ基を有するアルキル基、メタクリ
ロキシメチル基、メタクリロキシエチル基、メタクリロ
キシプロピル基、メタクリロキシブチル基等の炭素数４
〜８のメタクリロキシ基を有するアルキル基などが挙げ
られる。
素基としては、例えばグリシドキシメチル基、グリシド
キシエチル基、グリシドキシプロピル基、グリシドキシ
ブチル基、グリシドキシペンチル基、（３，４−エポキ
シシクロヘキシル）エチル基等の炭素数４〜８のグリシ
ドキシ基又はエポキシ基を有するアルキル基、メタクリ
ロキシメチル基、メタクリロキシエチル基、メタクリロ
キシプロピル基、メタクリロキシブチル基等の炭素数４
〜８のメタクリロキシ基を有するアルキル基などが挙げ
られる。
【００１１】一方、Ｒ2の一価の炭化水素基としては、
炭素数１〜８のアルキル基、炭素数６〜１０のフェニル
基、トリル基等のアリール基、炭素数７〜１２のベンジ
ル基、フェニルエチル基等のアラルキル基等が挙げられ
る。
炭素数１〜８のアルキル基、炭素数６〜１０のフェニル
基、トリル基等のアリール基、炭素数７〜１２のベンジ
ル基、フェニルエチル基等のアラルキル基等が挙げられ
る。
【００１２】本発明のフェノール樹脂としては、置換あ
るいは無置換のノボラック樹脂、ポリヒドロキシスチレ
ン樹脂を挙げることができるが、下記一般式（２）で示
される繰り返し単位を有し、ポリスチレン換算重量平均
分子量が１，０００〜１０，０００であるノボラック樹
脂の水酸基の水素原子を１〜５０モル％、特に３〜３０
モル％の割合で１，２−ナフトキノンジアジドスルホニ
ルエステル基で置換した樹脂が好適に用いられる。
るいは無置換のノボラック樹脂、ポリヒドロキシスチレ
ン樹脂を挙げることができるが、下記一般式（２）で示
される繰り返し単位を有し、ポリスチレン換算重量平均
分子量が１，０００〜１０，０００であるノボラック樹
脂の水酸基の水素原子を１〜５０モル％、特に３〜３０
モル％の割合で１，２−ナフトキノンジアジドスルホニ
ルエステル基で置換した樹脂が好適に用いられる。
【００１３】
【化３】
（式中、ｍは０〜３の整数を示す。）
【００１４】感光基が置換基としてノボラック樹脂に置
換されている場合、置換基としてナフトキノンジアジド
基が好ましいが、これに限定されるものではない。
換されている場合、置換基としてナフトキノンジアジド
基が好ましいが、これに限定されるものではない。
【００１５】本発明のシリコーン樹脂−フェノール樹脂
ハイブリッド化合物は次の方法により調製することがで
きる。
ハイブリッド化合物は次の方法により調製することがで
きる。
【００１６】本発明のシリコーン樹脂−フェノール樹脂
ハイブリッド化合物の製造方法は、フェノール樹脂をメ
タノールやエタノールのような炭素数１〜８のアルコー
ル類に溶解させ、これに上記一般式（１）で示されるオ
ルガノオキシシラン成分を添加して水分の存在下、加水
分解・縮合してゾル−ゲル反応をさせる。この場合、触
媒として塩酸、ｐ−トルエンスルホン酸等の酸を加えて
もよいが、フェノール樹脂の水酸基が本質的には酸性で
あるため、必ずしも追加の酸を加えなくてもよい。な
お、上記式（１）のオルガノオキシシランの使用量は、
フェノール樹脂に対して１〜６０重量％、特に３〜５０
重量％が好ましい。オルガノオキシシランの使用量が１
重量％より少ないと本発明の目的を達成することができ
ず、６０重量％より多いと塗布均一性及び解像力の劣化
が顕著になる場合がある。
ハイブリッド化合物の製造方法は、フェノール樹脂をメ
タノールやエタノールのような炭素数１〜８のアルコー
ル類に溶解させ、これに上記一般式（１）で示されるオ
ルガノオキシシラン成分を添加して水分の存在下、加水
分解・縮合してゾル−ゲル反応をさせる。この場合、触
媒として塩酸、ｐ−トルエンスルホン酸等の酸を加えて
もよいが、フェノール樹脂の水酸基が本質的には酸性で
あるため、必ずしも追加の酸を加えなくてもよい。な
お、上記式（１）のオルガノオキシシランの使用量は、
フェノール樹脂に対して１〜６０重量％、特に３〜５０
重量％が好ましい。オルガノオキシシランの使用量が１
重量％より少ないと本発明の目的を達成することができ
ず、６０重量％より多いと塗布均一性及び解像力の劣化
が顕著になる場合がある。
【００１７】また、反応は、オルガノオキシシランの加
水分解・縮合反応の常法によって行うことができるが、
２０〜８０℃、特に３０〜６０℃において、通常０．５
〜５時間、特に１〜３時間反応させることが好ましい。
水分解・縮合反応の常法によって行うことができるが、
２０〜８０℃、特に３０〜６０℃において、通常０．５
〜５時間、特に１〜３時間反応させることが好ましい。
【００１８】反応後、生成したアルコール及び余分の水
を溜去することにより、レジスト材料用成分として使用
することができる。これらのアルコールや水分を溜去す
るには、４０℃以下の温度で減圧蒸留するのが好まし
い。温度を上げすぎると、感光基が置換されている場合
には、そのナフトキノンジアジド基が分解反応し、レジ
スト材料として用いる時の特性が損なわれる可能性があ
るためである。
を溜去することにより、レジスト材料用成分として使用
することができる。これらのアルコールや水分を溜去す
るには、４０℃以下の温度で減圧蒸留するのが好まし
い。温度を上げすぎると、感光基が置換されている場合
には、そのナフトキノンジアジド基が分解反応し、レジ
スト材料として用いる時の特性が損なわれる可能性があ
るためである。
【００１９】本発明のシリコーン樹脂−フェノール樹脂
ハイブリッド化合物は、レジスト材料として用いること
ができるが、上記シリコーン樹脂−フェノール樹脂ハイ
ブリッド化合物を含むレジスト材料においては、シリコ
ーン樹脂−フェノール樹脂ハイブリッド化合物がシリコ
ーン樹脂−フェノール樹脂ハイブリッド化合物を除くレ
ジスト材料中の固形分に対して、１〜６０重量％、特に
３〜５０重量％であることが好ましい。１重量％より少
ないと、本発明の目的を達成できないおそれがあり、５
０重量％より多いと塗布均一性及び解像力の劣化が顕著
になるおそれがある。
ハイブリッド化合物は、レジスト材料として用いること
ができるが、上記シリコーン樹脂−フェノール樹脂ハイ
ブリッド化合物を含むレジスト材料においては、シリコ
ーン樹脂−フェノール樹脂ハイブリッド化合物がシリコ
ーン樹脂−フェノール樹脂ハイブリッド化合物を除くレ
ジスト材料中の固形分に対して、１〜６０重量％、特に
３〜５０重量％であることが好ましい。１重量％より少
ないと、本発明の目的を達成できないおそれがあり、５
０重量％より多いと塗布均一性及び解像力の劣化が顕著
になるおそれがある。
【００２０】また、このシリコーン樹脂−フェノール樹
脂ハイブリッド化合物を含むレジスト材料において、更
に感光剤を配合することができる。ここで用いられる感
光剤は、１，２−キノンジアジド化合物が好ましく、特
に限定されるものではないが、例えば１，２−ナフトキ
ノンジアジド−４−スルホン酸エステル、１，２−ナフ
トキノンジアジド−５−スルホン酸エステル等を挙げる
ことができる。
脂ハイブリッド化合物を含むレジスト材料において、更
に感光剤を配合することができる。ここで用いられる感
光剤は、１，２−キノンジアジド化合物が好ましく、特
に限定されるものではないが、例えば１，２−ナフトキ
ノンジアジド−４−スルホン酸エステル、１，２−ナフ
トキノンジアジド−５−スルホン酸エステル等を挙げる
ことができる。
【００２１】その配合量は、上記シリコーン樹脂−フェ
ノール樹脂ハイブリッド化合物１００重量部に対して５
〜５０重量部、特に１０〜４０重量部が好ましい。
ノール樹脂ハイブリッド化合物１００重量部に対して５
〜５０重量部、特に１０〜４０重量部が好ましい。
【００２２】本発明のシリコーン樹脂−フェノール樹脂
ハイブリッド化合物をレジスト材料として用いる場合、
通常、有機溶剤に溶解して用いられる。この場合、有機
溶剤としては本発明のレジスト材料に対して十分な溶解
度を持ち、良好な塗膜性を与える溶媒であれば特に制限
なく使用することができる。例えば、メチルセロソル
ブ、エチルセロソルブ、メチルセロソルブアセテート、
エチルセロソルブアセテート等のセロソルブ系溶媒、プ
ロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレング
リコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモ
ノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールジ
メチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエー
テルアセテート等のプロピレングリコール系溶媒、酢酸
ブチル、酢酸アミル、乳酸メチル、乳酸エチル、３−メ
トキシプロピオン酸、３−エトキシプロピオン酸エチル
等のエステル系溶媒、ヘキサノール、ジアセトンアルコ
ール等のアルコール系溶媒、シクロヘキサノン、メチル
アミルケトン等のケトン系溶媒、メチルフェニルエーテ
ル、ジエチレングリコールジメチルエーテル等のエーテ
ル系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチル
ピロリドン等の高極性溶媒あるいはこれらの混合溶媒等
が挙げられる。
ハイブリッド化合物をレジスト材料として用いる場合、
通常、有機溶剤に溶解して用いられる。この場合、有機
溶剤としては本発明のレジスト材料に対して十分な溶解
度を持ち、良好な塗膜性を与える溶媒であれば特に制限
なく使用することができる。例えば、メチルセロソル
ブ、エチルセロソルブ、メチルセロソルブアセテート、
エチルセロソルブアセテート等のセロソルブ系溶媒、プ
ロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレング
リコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモ
ノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールジ
メチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエー
テルアセテート等のプロピレングリコール系溶媒、酢酸
ブチル、酢酸アミル、乳酸メチル、乳酸エチル、３−メ
トキシプロピオン酸、３−エトキシプロピオン酸エチル
等のエステル系溶媒、ヘキサノール、ジアセトンアルコ
ール等のアルコール系溶媒、シクロヘキサノン、メチル
アミルケトン等のケトン系溶媒、メチルフェニルエーテ
ル、ジエチレングリコールジメチルエーテル等のエーテ
ル系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチル
ピロリドン等の高極性溶媒あるいはこれらの混合溶媒等
が挙げられる。
【００２３】溶剤の使用量は、シリコーン樹脂−フェノ
ール樹脂ハイブリッド化合物に対して重量比で１〜２０
倍、特に１〜１５倍の範囲が好ましい。
ール樹脂ハイブリッド化合物に対して重量比で１〜２０
倍、特に１〜１５倍の範囲が好ましい。
【００２４】なお、本発明のレジスト材料は、上記感光
剤及び溶剤のほか、添加剤としてレベリング剤、各種界
面活性剤、染料等を添加することができる。
剤及び溶剤のほか、添加剤としてレベリング剤、各種界
面活性剤、染料等を添加することができる。
【００２５】本発明のレジスト材料を用いてパターンを
形成する場合は、公知のリソグラフィー技術を採用して
行うことができ、例えばシリコンウェハー等の基板上に
スピンコーティング等の手法で膜厚が０．５〜２．０μ
ｍとなるように塗布し、これをホットプレート上で６０
〜１５０℃、１〜１０分間、好ましくは８０〜１２０
℃、１〜５分間プリベークする。
形成する場合は、公知のリソグラフィー技術を採用して
行うことができ、例えばシリコンウェハー等の基板上に
スピンコーティング等の手法で膜厚が０．５〜２．０μ
ｍとなるように塗布し、これをホットプレート上で６０
〜１５０℃、１〜１０分間、好ましくは８０〜１２０
℃、１〜５分間プリベークする。
【００２６】次いで、目的のパターンを形成するための
マスクを上記のレジスト膜上にかざし、波長５００ｎｍ
以下の高エネルギー線もしくは電子線を露光量１〜２０
０ｍＪ／ｃｍ2程度、好ましくは１〜１００ｍＪ／ｃｍ2
程度となるように照射した後、必要に応じてホットプレ
ート上で６０〜１５０℃、１〜１０分間、好ましくは８
０〜１２０℃、１〜５分間ポストエクスポージャベーク
（ＰＥＢ）する。更に、０．１〜５重量％、好ましくは
２〜３重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド
（ＴＭＡＨ）等のアルカリ水溶液の現像液を用い、０．
１〜３分間、好ましくは０．５〜２分間、浸漬（ｄｉｐ
法）、パドル（ｐｕｄｄｌｅ）法、スプレー（ｓｐｒａ
ｙ）法等の常法により現像することにより基板上に目的
のパターンが形成される。
マスクを上記のレジスト膜上にかざし、波長５００ｎｍ
以下の高エネルギー線もしくは電子線を露光量１〜２０
０ｍＪ／ｃｍ2程度、好ましくは１〜１００ｍＪ／ｃｍ2
程度となるように照射した後、必要に応じてホットプレ
ート上で６０〜１５０℃、１〜１０分間、好ましくは８
０〜１２０℃、１〜５分間ポストエクスポージャベーク
（ＰＥＢ）する。更に、０．１〜５重量％、好ましくは
２〜３重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド
（ＴＭＡＨ）等のアルカリ水溶液の現像液を用い、０．
１〜３分間、好ましくは０．５〜２分間、浸漬（ｄｉｐ
法）、パドル（ｐｕｄｄｌｅ）法、スプレー（ｓｐｒａ
ｙ）法等の常法により現像することにより基板上に目的
のパターンが形成される。
【００２７】
【実施例】以下、実施例と比較例を示し、本発明を具体
的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるも
のではない。
的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるも
のではない。
【００２８】［合成例１］ ノボラック樹脂の合成
撹拌機、コンデンサー、温度計を装着した３つ口フラス
コにｐ−クレゾール５９．５ｇ（０．５５ｍｏｌ）、ｍ
−クレゾール４８．７ｇ（０．４５ｍｏｌ）、３７重量
％ホルムアルデヒド水溶液４８．７ｇ（０．５２ｍｏ
ｌ）及び重縮合触媒であるシュウ酸２水和物０．３０ｇ
（２．４０×１０-3ｍｏｌ）を仕込み、フラスコをオイ
ルバスに浸し、内温を１００℃に保持し、１時間重縮合
を行った。反応終了後５００ｍｌのＭＩＢＫ（メチルイ
ソブチルケトン）を加え、３０分撹拌した後、水層を分
離し、ＭＩＢＫ層に抽出された生成物を３００ｍｌの純
水で５回水洗、分液し、エバポレーターにて４ｍｍＨｇ
で１５０℃の減圧ストリップを行い、アルカリ可溶性ノ
ボラック樹脂（８７ｇ）を得た。
コにｐ−クレゾール５９．５ｇ（０．５５ｍｏｌ）、ｍ
−クレゾール４８．７ｇ（０．４５ｍｏｌ）、３７重量
％ホルムアルデヒド水溶液４８．７ｇ（０．５２ｍｏ
ｌ）及び重縮合触媒であるシュウ酸２水和物０．３０ｇ
（２．４０×１０-3ｍｏｌ）を仕込み、フラスコをオイ
ルバスに浸し、内温を１００℃に保持し、１時間重縮合
を行った。反応終了後５００ｍｌのＭＩＢＫ（メチルイ
ソブチルケトン）を加え、３０分撹拌した後、水層を分
離し、ＭＩＢＫ層に抽出された生成物を３００ｍｌの純
水で５回水洗、分液し、エバポレーターにて４ｍｍＨｇ
で１５０℃の減圧ストリップを行い、アルカリ可溶性ノ
ボラック樹脂（８７ｇ）を得た。
【００２９】［合成例２］ １，２−ナフトキノンジア
ジドスルホニルエステル基で置換されたノボラック樹脂
の合成 遮光下にて、撹拌機、滴下ロート、コンデンサー、温度
計を装着した３つ口フラスコに合成例１で得たアルカリ
可溶性ノボラック樹脂Ａ１２０ｇ（１ｍｏｌ）、１，２
−ナフトキノンジアジドスルホニルクロリド２６．９ｇ
（０．１０ｍｏｌ）、アセトン４００ｇを仕込み、１時
間撹拌しながら溶解させた。フラスコを２５℃に調整し
たウォーターバスに浸し、トリエチルアミン１０．６ｇ
（０．１１ｍｏｌ）を内温が３０℃を超えないように滴
下した。その後、１時間熟成させ、０．１Ｎ塩酸水５０
００ｍｌ中に注ぎ込んで、析出物を濾過し、更に８００
ｇのメチルイソブチルケトンに溶解させ、水洗、分液し
た後、４０℃で減圧ストリップを行い、ノボラック樹脂
の水酸基の水素原子を１，２−ナフトキノンジアジドス
ルホニルエステル基（置換率１０モル％）を置換したノ
ボラック樹脂を１４２ｇ得た。
ジドスルホニルエステル基で置換されたノボラック樹脂
の合成 遮光下にて、撹拌機、滴下ロート、コンデンサー、温度
計を装着した３つ口フラスコに合成例１で得たアルカリ
可溶性ノボラック樹脂Ａ１２０ｇ（１ｍｏｌ）、１，２
−ナフトキノンジアジドスルホニルクロリド２６．９ｇ
（０．１０ｍｏｌ）、アセトン４００ｇを仕込み、１時
間撹拌しながら溶解させた。フラスコを２５℃に調整し
たウォーターバスに浸し、トリエチルアミン１０．６ｇ
（０．１１ｍｏｌ）を内温が３０℃を超えないように滴
下した。その後、１時間熟成させ、０．１Ｎ塩酸水５０
００ｍｌ中に注ぎ込んで、析出物を濾過し、更に８００
ｇのメチルイソブチルケトンに溶解させ、水洗、分液し
た後、４０℃で減圧ストリップを行い、ノボラック樹脂
の水酸基の水素原子を１，２−ナフトキノンジアジドス
ルホニルエステル基（置換率１０モル％）を置換したノ
ボラック樹脂を１４２ｇ得た。
【００３０】［実施例１］合成例２で得たノボラック樹
脂４ｇに、メタノール１０ｍｌ及びγ−グリシドキシプ
ロピルトリエトキシシラン１．２ｇを加え、撹拌溶解し
た。次いで撹拌しながら、滴下漏斗より１．５ｍｌの純
水を約５分かけて滴下した。滴下後、１時間熟成し、そ
の後ロータリーエバポレーターにて４０℃、２ｍｍＨｇ
の減圧下で、溶剤のメタノール及び生成したエタノール
及び過剰の水を溜去し、５ｇの生成物を得た。
脂４ｇに、メタノール１０ｍｌ及びγ−グリシドキシプ
ロピルトリエトキシシラン１．２ｇを加え、撹拌溶解し
た。次いで撹拌しながら、滴下漏斗より１．５ｍｌの純
水を約５分かけて滴下した。滴下後、１時間熟成し、そ
の後ロータリーエバポレーターにて４０℃、２ｍｍＨｇ
の減圧下で、溶剤のメタノール及び生成したエタノール
及び過剰の水を溜去し、５ｇの生成物を得た。
【００３１】これにプロピレングリコールモノメチルエ
ーテルアセテートを５ｇ及び界面活性剤Ｘ−７０−０９
３（商品名、信越化学工業社製）０．０１ｇを溶解させ
た後、０．２μｍの孔径のメンブレンフィルターにて濾
過し、シリコーン樹脂−ノボラック樹脂ハイブリッド化
合物を主材とするレジスト材料Ａ１０ｇを得た。
ーテルアセテートを５ｇ及び界面活性剤Ｘ−７０−０９
３（商品名、信越化学工業社製）０．０１ｇを溶解させ
た後、０．２μｍの孔径のメンブレンフィルターにて濾
過し、シリコーン樹脂−ノボラック樹脂ハイブリッド化
合物を主材とするレジスト材料Ａ１０ｇを得た。
【００３２】次いで、これを６インチベアシリコンウェ
ハー上にクロムをスパッタした基板にスピンナーを用い
て塗布し、ホットプレート上で１００℃／１２０秒にて
プリベークし、厚さ６．０μｍのレジスト膜を形成し、
ｉ線ステッパー（ニコン社製ＮＳＲ−１７５５ｉ７、Ｎ
Ａ＝０．５）を用いて露光し、現像、純水リンスした
後、パターンの評価を行った。なお、パターン評価は日
立社製ＳＥＭにて１．５μｍライン＆スペースを観察し
てパターンの流れの有無で基板に対する密着性を判断し
た。
ハー上にクロムをスパッタした基板にスピンナーを用い
て塗布し、ホットプレート上で１００℃／１２０秒にて
プリベークし、厚さ６．０μｍのレジスト膜を形成し、
ｉ線ステッパー（ニコン社製ＮＳＲ−１７５５ｉ７、Ｎ
Ａ＝０．５）を用いて露光し、現像、純水リンスした
後、パターンの評価を行った。なお、パターン評価は日
立社製ＳＥＭにて１．５μｍライン＆スペースを観察し
てパターンの流れの有無で基板に対する密着性を判断し
た。
【００３３】［実施例２］実施例１と同様に、合成例２
で得たノボラック樹脂４ｇにメタノール１０ｍｌ及びγ
−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン１．６ｇ
を加え、撹拌溶解した。次いで、撹拌しながら、滴下漏
斗より２ｍｌの純水を約５分かけて滴下した。滴下後、
１時間熟成し、その後ロータリーエバポレーターにて４
０℃、２ｍｍＨｇの減圧下で、溶剤のメタノール及び生
成したエタノール及び過剰の水を溜去し、５．２ｇの生
成物を得た。
で得たノボラック樹脂４ｇにメタノール１０ｍｌ及びγ
−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン１．６ｇ
を加え、撹拌溶解した。次いで、撹拌しながら、滴下漏
斗より２ｍｌの純水を約５分かけて滴下した。滴下後、
１時間熟成し、その後ロータリーエバポレーターにて４
０℃、２ｍｍＨｇの減圧下で、溶剤のメタノール及び生
成したエタノール及び過剰の水を溜去し、５．２ｇの生
成物を得た。
【００３４】これに実施例１と同様に、プロピレングリ
コールモノメチルエーテルアセテート５ｇ及び界面活性
剤Ｘ−７０−０９３を０．０１ｇ溶解させた後、０．２
μｍの孔径のメンブレンフィルターにて濾過し、シリコ
ーン樹脂−ノボラック樹脂ハイブリッド化合物を主材と
するレジスト材料Ｂ１０ｇを得た。次いで、これを６イ
ンチベアシリコンウェハー上にタンタルをスパッタした
基板にスピンナーを用いて塗布し、実施例１と同様に密
着性を判断した。
コールモノメチルエーテルアセテート５ｇ及び界面活性
剤Ｘ−７０−０９３を０．０１ｇ溶解させた後、０．２
μｍの孔径のメンブレンフィルターにて濾過し、シリコ
ーン樹脂−ノボラック樹脂ハイブリッド化合物を主材と
するレジスト材料Ｂ１０ｇを得た。次いで、これを６イ
ンチベアシリコンウェハー上にタンタルをスパッタした
基板にスピンナーを用いて塗布し、実施例１と同様に密
着性を判断した。
【００３５】［実施例３］実施例１と同様に、合成例２
で得たノボラック樹脂４ｇにメタノール１０ｍｌ及びγ
−メルカプトプロピルトリメトキシシラン０．８ｇを加
え、撹拌溶解した。次いで、撹拌しながら、滴下漏斗よ
り１．２ｍｌの純水を約５分かけて滴下した。滴下後、
１時間熟成し、その後ロータリーエバポレーターにて４
０℃、２ｍｍＨｇの減圧下で、溶剤のメタノール及び生
成したエタノール及び過剰の水を溜去し、４．６ｇの生
成物を得た。
で得たノボラック樹脂４ｇにメタノール１０ｍｌ及びγ
−メルカプトプロピルトリメトキシシラン０．８ｇを加
え、撹拌溶解した。次いで、撹拌しながら、滴下漏斗よ
り１．２ｍｌの純水を約５分かけて滴下した。滴下後、
１時間熟成し、その後ロータリーエバポレーターにて４
０℃、２ｍｍＨｇの減圧下で、溶剤のメタノール及び生
成したエタノール及び過剰の水を溜去し、４．６ｇの生
成物を得た。
【００３６】これに実施例１と同様に、プロピレングリ
コールモノメチルエーテルアセテート５ｇ及び界面活性
剤Ｘ−７０−０９３を０．０１ｇ溶解させた後、０．２
μｍの孔径のメンブレンフィルターにて濾過し、シリコ
ーン樹脂−ノボラック樹脂ハイブリッド化合物を主材と
するレジスト材料Ｃ１０ｇを得た。次いで、これを６イ
ンチベアシリコンウェハー上に金をスパッタした基板に
スピンナーを用いて塗布し、実施例１と同様に密着性を
判断した。
コールモノメチルエーテルアセテート５ｇ及び界面活性
剤Ｘ−７０−０９３を０．０１ｇ溶解させた後、０．２
μｍの孔径のメンブレンフィルターにて濾過し、シリコ
ーン樹脂−ノボラック樹脂ハイブリッド化合物を主材と
するレジスト材料Ｃ１０ｇを得た。次いで、これを６イ
ンチベアシリコンウェハー上に金をスパッタした基板に
スピンナーを用いて塗布し、実施例１と同様に密着性を
判断した。
【００３７】［実施例４］合成例１で得たノボラック樹
脂４ｇに、メタノール１０ｍｌ及びγ−グリシドキシプ
ロピルトリエトキシシラン１．２ｇを加え、撹拌溶解し
た。次いで撹拌しながら、滴下漏斗より１．５ｍｌの純
水を約５分かけて滴下した。滴下後、１時間熟成し、そ
の後ロータリーエバポレーターにて４０℃、２ｍｍＨｇ
の減圧下で、溶剤のメタノール及び生成したエタノール
及び過剰の水を溜去し、５ｇの生成物を得た。
脂４ｇに、メタノール１０ｍｌ及びγ−グリシドキシプ
ロピルトリエトキシシラン１．２ｇを加え、撹拌溶解し
た。次いで撹拌しながら、滴下漏斗より１．５ｍｌの純
水を約５分かけて滴下した。滴下後、１時間熟成し、そ
の後ロータリーエバポレーターにて４０℃、２ｍｍＨｇ
の減圧下で、溶剤のメタノール及び生成したエタノール
及び過剰の水を溜去し、５ｇの生成物を得た。
【００３８】これに実施例１と同様、プロピレングリコ
ールモノメチルエーテルアセテート５ｇ及び界面活性剤
Ｘ−７０−０９３を０．０１ｇと、更に感光剤として下
記一般式（３）に示す感光剤Ｐ１．５ｇを溶解させた
後、０．２μｍの孔径のメンブレンフィルターにて濾過
し、シリコーン樹脂−ノボラック樹脂ハイブリッド化合
物を主材とするレジスト材料Ｄ１０ｇを得た。
ールモノメチルエーテルアセテート５ｇ及び界面活性剤
Ｘ−７０−０９３を０．０１ｇと、更に感光剤として下
記一般式（３）に示す感光剤Ｐ１．５ｇを溶解させた
後、０．２μｍの孔径のメンブレンフィルターにて濾過
し、シリコーン樹脂−ノボラック樹脂ハイブリッド化合
物を主材とするレジスト材料Ｄ１０ｇを得た。
【００３９】
【化４】
（式中、Ｒは水素原子もしくは１，２−ナフトキノンジ
アジド−５−スルホニル基であり、Ｒのうち平均値で２
個が１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニル基
である。）
アジド−５−スルホニル基であり、Ｒのうち平均値で２
個が１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニル基
である。）
【００４０】次いで、これを６インチベアシリコンウェ
ハー上にクロムをスパッタした基板にスピンナーを用い
て塗布し、実施例１と同様に密着性を判断した。
ハー上にクロムをスパッタした基板にスピンナーを用い
て塗布し、実施例１と同様に密着性を判断した。
【００４１】［実施例５］実施例４と同様に、合成例１
で得たノボラック樹脂４ｇにメタノール１０ｍｌ及びγ
−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン１．６ｇ
を加え、撹拌溶解した。次いで撹拌しながら、滴下漏斗
より２ｍｌの純水を約５分かけて滴下した。滴下後、１
時間熟成し、その後ロータリーエバポレーターにて４０
℃、２ｍｍＨｇの減圧下で、溶剤のメタノール及び生成
したエタノール及び過剰の水を溜去し、５．２ｇの生成
物を得た。
で得たノボラック樹脂４ｇにメタノール１０ｍｌ及びγ
−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン１．６ｇ
を加え、撹拌溶解した。次いで撹拌しながら、滴下漏斗
より２ｍｌの純水を約５分かけて滴下した。滴下後、１
時間熟成し、その後ロータリーエバポレーターにて４０
℃、２ｍｍＨｇの減圧下で、溶剤のメタノール及び生成
したエタノール及び過剰の水を溜去し、５．２ｇの生成
物を得た。
【００４２】これに実施例１と同様に、プロピレングリ
コールモノメチルエーテルアセテート５ｇ及び界面活性
剤Ｘ−７０−０９３を０．０１ｇと、更に感光剤として
上記式（３）に示す感光剤Ｐ１．５ｇを溶解させた後、
０．２μｍの孔径のメンブレンフィルターにて濾過し、
シリコーン樹脂−ノボラック樹脂ハイブリッド化合物を
主材とするレジスト材料Ｅ１０ｇを得た。次いで、これ
を６インチベアシリコンウェハー上にタンタルをスパッ
タした基板にスピンナーを用いて塗布し、実施例１と同
様に密着性を判断した。
コールモノメチルエーテルアセテート５ｇ及び界面活性
剤Ｘ−７０−０９３を０．０１ｇと、更に感光剤として
上記式（３）に示す感光剤Ｐ１．５ｇを溶解させた後、
０．２μｍの孔径のメンブレンフィルターにて濾過し、
シリコーン樹脂−ノボラック樹脂ハイブリッド化合物を
主材とするレジスト材料Ｅ１０ｇを得た。次いで、これ
を６インチベアシリコンウェハー上にタンタルをスパッ
タした基板にスピンナーを用いて塗布し、実施例１と同
様に密着性を判断した。
【００４３】［実施例６］実施例４と同様に、合成例１
で得たノボラック樹脂４ｇにメタノール１０ｍｌ及びγ
−メルカプトプロピルトリメトキシシラン０．８ｇを加
え、撹拌溶解した。次いで撹拌しながら、滴下漏斗より
１．２ｍｌの純水を約５分かけて滴下した。滴下後、１
時間熟成し、その後ロータリーエバポレーターにて４０
℃、２ｍｍＨｇの減圧下で、溶剤のメタノール及び生成
したエタノール及び過剰の水を溜去し、４．６ｇの生成
物を得た。
で得たノボラック樹脂４ｇにメタノール１０ｍｌ及びγ
−メルカプトプロピルトリメトキシシラン０．８ｇを加
え、撹拌溶解した。次いで撹拌しながら、滴下漏斗より
１．２ｍｌの純水を約５分かけて滴下した。滴下後、１
時間熟成し、その後ロータリーエバポレーターにて４０
℃、２ｍｍＨｇの減圧下で、溶剤のメタノール及び生成
したエタノール及び過剰の水を溜去し、４．６ｇの生成
物を得た。
【００４４】これに実施例１と同様に、プロピレングリ
コールモノメチルエーテルアセテート５ｇ及び界面活性
剤Ｘ−７０−０９３を０．０１ｇ溶解させた後、０．２
μｍの孔径のメンブレンフィルターにて濾過し、シリコ
ーン樹脂−ノボラック樹脂ハイブリッド化合物を主材と
するレジスト材料Ｆ１０ｇを得た。次いで、これを６イ
ンチベアシリコンウェハー上に金をスパッタした基板に
スピンナーを用いて塗布し、実施例１と同様に密着性を
判断した。
コールモノメチルエーテルアセテート５ｇ及び界面活性
剤Ｘ−７０−０９３を０．０１ｇ溶解させた後、０．２
μｍの孔径のメンブレンフィルターにて濾過し、シリコ
ーン樹脂−ノボラック樹脂ハイブリッド化合物を主材と
するレジスト材料Ｆ１０ｇを得た。次いで、これを６イ
ンチベアシリコンウェハー上に金をスパッタした基板に
スピンナーを用いて塗布し、実施例１と同様に密着性を
判断した。
【００４５】［比較例１］実施例１と同様に、合成例２
で得たノボラック樹脂４ｇにメタノール１０ｍｌ及びフ
ェニルトリエトキシシラン１．２ｇを加え、撹拌溶解し
た。次いで撹拌しながら、滴下漏斗より１．５ｍｌの純
水を約５分かけて滴下した。滴下後、１時間熟成し、そ
の後ロータリーエバポレーターにて４０℃、２ｍｍＨｇ
の減圧下で、溶剤のメタノール及び生成したエタノール
及び過剰の水を溜去し、５ｇの生成物を得た。
で得たノボラック樹脂４ｇにメタノール１０ｍｌ及びフ
ェニルトリエトキシシラン１．２ｇを加え、撹拌溶解し
た。次いで撹拌しながら、滴下漏斗より１．５ｍｌの純
水を約５分かけて滴下した。滴下後、１時間熟成し、そ
の後ロータリーエバポレーターにて４０℃、２ｍｍＨｇ
の減圧下で、溶剤のメタノール及び生成したエタノール
及び過剰の水を溜去し、５ｇの生成物を得た。
【００４６】これに実施例１と同様に、プロピレングリ
コールモノメチルエーテルアセテート５ｇ及び界面活性
剤Ｘ−７０−０９３を０．０１ｇ溶解させた後、０．２
μｍの孔径のメンブレンフィルターにて濾過し、シリコ
ーン樹脂−ノボラック樹脂ハイブリッド化合物を主材と
するレジスト材料Ｇ１０ｇを得た。次いで、これを６イ
ンチベアシリコンウェハー上にクロムをスパッタした基
板にスピンナーを用いて塗布し、実施例１と同様に密着
性を判断した。
コールモノメチルエーテルアセテート５ｇ及び界面活性
剤Ｘ−７０−０９３を０．０１ｇ溶解させた後、０．２
μｍの孔径のメンブレンフィルターにて濾過し、シリコ
ーン樹脂−ノボラック樹脂ハイブリッド化合物を主材と
するレジスト材料Ｇ１０ｇを得た。次いで、これを６イ
ンチベアシリコンウェハー上にクロムをスパッタした基
板にスピンナーを用いて塗布し、実施例１と同様に密着
性を判断した。
【００４７】［比較例２］実施例４と同様に、合成例１
で得たノボラック樹脂４ｇにメタノール１０ｍｌ及びフ
ェニルトリエトキシシラン１．２ｇを加え、撹拌溶解し
た。次いで撹拌しながら、滴下漏斗より１．５ｍＬの純
水を約５分かけて滴下した。滴下後、１時間熟成し、そ
の後ロータリーエバポレーターにて４０℃、２ｍｍＨｇ
の減圧下で、溶剤のメタノール及び生成したエタノール
及び過剰の水を溜去し、５ｇの生成物を得た。
で得たノボラック樹脂４ｇにメタノール１０ｍｌ及びフ
ェニルトリエトキシシラン１．２ｇを加え、撹拌溶解し
た。次いで撹拌しながら、滴下漏斗より１．５ｍＬの純
水を約５分かけて滴下した。滴下後、１時間熟成し、そ
の後ロータリーエバポレーターにて４０℃、２ｍｍＨｇ
の減圧下で、溶剤のメタノール及び生成したエタノール
及び過剰の水を溜去し、５ｇの生成物を得た。
【００４８】これに実施例１と同様に、プロピレングリ
コールモノメチルエーテルアセテート５ｇ及び界面活性
剤Ｘ−７０−０９３を０．０１ｇ溶解させた後、０．２
μｍの孔径のメンブレンフィルターにて濾過し、シリコ
ーン樹脂−ノボラック樹脂ハイブリッド化合物を主材と
するレジスト材料Ｇ１０ｇを得た。次いで、これを６イ
ンチベアシリコンウェハー上にタンタルをスパッタした
基板にスピンナーを用いて塗布し、実施例１と同様に密
着性を判断した。
コールモノメチルエーテルアセテート５ｇ及び界面活性
剤Ｘ−７０−０９３を０．０１ｇ溶解させた後、０．２
μｍの孔径のメンブレンフィルターにて濾過し、シリコ
ーン樹脂−ノボラック樹脂ハイブリッド化合物を主材と
するレジスト材料Ｇ１０ｇを得た。次いで、これを６イ
ンチベアシリコンウェハー上にタンタルをスパッタした
基板にスピンナーを用いて塗布し、実施例１と同様に密
着性を判断した。
【００４９】
【表１】
【００５０】
【発明の効果】本発明によれば、レジスト材料のベース
ポリマーに使用されてメタル基板に対して優れた密着性
を与えるハイブリッド化合物を提供することができる。
ポリマーに使用されてメタル基板に対して優れた密着性
を与えるハイブリッド化合物を提供することができる。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５０２Ｒ
(72)発明者 降▲旗▼ 智欣
群馬県碓氷郡松井田町大字人見１番地10
信越化学工業株式会社新機能材料技術研究
所内
Ｆターム(参考） 2H025 AA09 AA10 AA14 AB16 AC01
AD03 BE02 CB33
4J002 CC07W CP03X GP03
4J033 AA01 BA01 CA02 CA12 CA29
CA31 CA44 CB03 CB18 CC09
HA02 HA12 HA28 HB10
Claims (4)
- 【請求項１】 フェノール樹脂と下記一般式（１） Ｒ1 nＳｉ（ＯＲ2）4-n （１） （式中、Ｒ1は硫黄原子又は酸素原子を含む一価の炭化
水素基を示し、Ｒ2は一価の炭化水素基を示し、ｎは１
又は２である。）で示されるオルガノオキシシランを加
水分解・縮合して得られるシリコーン樹脂からなるハイ
ブリッド化合物。 - 【請求項２】 フェノール樹脂が、下記一般式（２）で
示される繰り返し単位を有し、ポリスチレン換算重量平
均分子量が１，０００〜１０，０００であるノボラック
樹脂の水酸基の水素原子を１〜５０モル％の割合で１，
２−ナフトキノンジアジドスルホニルエステル基で置換
した樹脂であることを特徴とする請求項１記載のハイブ
リッド化合物。 【化１】 （式中、ｍは０〜３の整数を示す。） - 【請求項３】 請求項１又は２記載のハイブリッド化合
物を含むことを特徴とするレジスト材料。 - 【請求項４】 （ｉ）請求項３記載のレジスト材料を基
板に塗布する工程、（ｉｉ）フォトマスクを介して波長
１５０〜４５０ｎｍの光で露光する工程、（ｉｉｉ）現
像液にて現像する工程を含むことを特徴とするパターン
形成方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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