JPH0540336A - 感光性樹脂組成物 - Google Patents

感光性樹脂組成物

Info

Publication number
JPH0540336A
JPH0540336A JP19786791A JP19786791A JPH0540336A JP H0540336 A JPH0540336 A JP H0540336A JP 19786791 A JP19786791 A JP 19786791A JP 19786791 A JP19786791 A JP 19786791A JP H0540336 A JPH0540336 A JP H0540336A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mol
resin
cresol
composition
meta
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP19786791A
Other languages
English (en)
Inventor
Koji Kato
幸治 加藤
Mamoru Sasaki
守 佐々木
Masataka Nunomura
昌隆 布村
Kei Kasuya
圭 粕谷
滋 ▲こい▼渕
Shigeru Koibuchi
Michiaki Hashimoto
通晰 橋本
Asao Isobe
麻郎 磯部
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Showa Denko Materials Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Chemical Co Ltd filed Critical Hitachi Chemical Co Ltd
Priority to JP19786791A priority Critical patent/JPH0540336A/ja
Publication of JPH0540336A publication Critical patent/JPH0540336A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】 【構成】 メタ−クレゾール、パラ−クレゾールおよび
フェノールの図1の三角座標で示される特定の組成の混
合物とアルデヒド類との重縮合した重量平均分子量が
8,000〜25,000のアルカリ可溶性ノボラック
樹脂と7−ヒドロキシ−2(2,4−ジヒドロキシフェ
ニル)−2,4,4−トリメチルクロマンと1,2−ナ
フトキノンジアジド−4−スルホニルクロリドまたは
1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニルクロリ
ドとの縮合物であるキノンジアジド化合物とを含む感光
性樹脂組成物。 【効果】 本発明の感光性樹脂組成物は、解像度と耐熱
性に優れ、高集積回路を作成するためのポジ型レジスト
に好適である。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は感光性樹脂組成物に関
し、更に詳しくは高集積回路を作製するための高解像
度、高耐熱性のポジ型レジストとなる感光性樹脂組成物
に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体製造工程において、ポジ型レジス
トは広範囲に用いられる。近年、集積回路の高集積化に
ともない、高解像度、高感度、高耐熱性、高ドライエッ
チング耐性のポジ型レジストが望まれている。従来よ
り、ポジ型レジストは高解像度化のためにベース樹脂と
して使用するアルカリ可溶性ノボラック樹脂の改良が試
みられている。例えば、アルカリ可溶性ノボラック樹脂
として、米国特許第4529682号明細書には、オル
ト−クレゾール、メタ−クレゾールおよびパラ−クレゾ
ールから成る混合物をホルムアルデヒドと縮合させて得
たノボラック樹脂が提案されている。特開昭60−15
8440号公報には、メタ−クレゾール、パラ−クレゾ
ールおよび2,5−キシレノールから成る混合物をホル
ムアルデヒドと縮合させて得たノボラック樹脂が提案さ
れている。特開昭63−234249号公報には、メタ
−クレゾール、パラ−クレゾール及び3,5−キシレノ
ールから成る混合物をホルムアルデヒドと縮合させて得
たノボラック樹脂が提案されている。特開平1−276
130号公報には、メタ−クレゾール、パラ−クレゾー
ルおよびフェノールから成る混合物をアルデヒド類と縮
合させて得たノボラック樹脂が提案されている。一方、
ポジ型レジストの耐熱性向上のためにもアルカリ可溶性
ノボラック樹脂の改良が試みられている。例えば、特開
昭64−14229号公報および特開平2−60915
号公報には、ノボラック樹脂の低分子量成分を除去して
耐熱性を向上させることが提案されている。しかし、ノ
ボラック樹脂の低分子量の除去は、プロセス上複雑とな
り工業上簡便な方法ではない。また、ノボラック樹脂の
低分子量成分の除去により、ポジ型レジストの耐熱性向
上を図ることはできても、解像度がかなり劣化する。こ
のように、ポジ型レジストの高解像度と高耐熱性を両立
させることはむずかしく、従来の技術では達成できなか
った。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、前記従来技
術の欠点を除去して、高解像度、高耐熱性のポジ型レジ
ストとなる感光性樹脂組成物を提供するものである。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記目的
を達成するために鋭意検討した結果、メタ−クレゾー
ル、パラ−クレゾールおよびフェノールとをアルデヒド
類を用いて重縮合した特定のアルカリ可溶性ノボラック
樹脂と特定のキノンジアジド化合物を使用することによ
り高解像度と高耐熱性を両立させるポジ型レジストとな
る感光性樹脂組成物を得ることができた。本発明は、ア
ルカリ可溶性ノボラック樹脂およびキノンジアジド化合
物を含有する感光性樹脂組成物において、該アルカリ可
溶性ノボラック樹脂が、メタ−クレゾール、パラ−クレ
ゾールおよびフェノールからなる組成を示す三角座標に
おいて下記の点A.B.CおよびDを結ぶ線上またはこ
の線で囲まれた範囲に当てはまる組成の混合物とアルデ
ヒド類との重縮合した重量平均分子量が8,000〜2
5,000である樹脂であり、かつ、該キノンジアジド
化合物が、7−ヒドロキシ−2(2,4−ジヒドロキシ
フェニル)−2,4,4−トリメチルクロマンと1,2
−ナフトキノンジアジド−4−スルホニルクロリドまた
は1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニルクロ
リドとの縮合物である感光性樹脂組成物に関する。 メタ−クレゾール パラ−クレゾール フェノール A 50モル% 47モル% 3モル% B 35モル% 62モル% 3モル% C 35モル% 58モル% 7モル% D 50モル% 43モル% 7モル%
【0005】なお、本発明でのアルカリ可溶性ノボラッ
ク樹脂の重量平均分子量は単分散ポリスチレンを標準と
するゲルパーミェーショングラフ法(GPC)で求めた
値である。GPCの測定は、(株)日立製作所製液体ク
ロマトグラム635A型HLCにカラムとして日立化成
工業(株)製ゲルパックR420、R430およびR4
40のそれぞれ1本を直列に連結して装着し、キャリア
溶媒としてテトラヒドロフランを1.75ml/分の流
速で流して行った。重量平均分子量は、単分散ポリスチ
レンを用いて得られる検量線から求めた。
【0006】以下、本発明について詳述する。本発明に
用いるアルカリ可溶性ノボラック樹脂は、メタ−クレゾ
ール、パラ−クレゾールおよびフェノール(以下フェノ
ール類とする)は、上記した図1に示される三角座標の
斜線及び境界線上の部分に当てはまる組成の混合物を、
酸性触媒の存在下、アルデヒド類と重縮合させることに
より得られる。アルデヒド類としては、例えば、ホルム
アルデヒド、パラホルムアルデヒド等を挙げることがで
きる。アルデヒド類の使用量は、フェノール類1モルに
対して0.5〜1.5モルの範囲が好ましい。酸性触媒
としては、例えば、塩酸、硝酸、硫酸などの無機酸、蟻
酸、蓚酸などの有機酸等を挙げることができる。酸触媒
の使用量は、フェノール類1モルに対して1×10-5
10-1モルが好ましい。
【0007】重縮合の方法としては、フェノール類、ア
ルデヒド類および酸性触媒を一括して仕込む方法、酸性
触媒の存在下でフェノール類およびアルデヒド類を反応
の進行とともに加えていく方法等を挙げることができ
る。反応温度は、通常、70〜130℃である。重縮合
反応終了後は、反応系内に存在する未反応原料、縮合
水、酸性触媒等を除去するために、一般的に、減圧下例
えば20〜50mmHgで、反応系内の温度を150〜
200℃に上昇させる。樹脂は金属バットにあけて回収
されるか、適当な溶剤に直溶させて回収される。アルカ
リ可溶性ノボラック樹脂の製造において、メタ−クレゾ
ール、パラ−クレゾールおよびフェノールの組成が上記
の三角座標の斜線部および境界線上の配合割合とされる
理由は、この配合割合によって得られるフォトレジスト
の感度、解像度および耐熱性が優れるからである。得ら
れるアルカリ可溶性ノボラック樹脂の重量平均分子量は
8,000〜25,000、好ましくは10,000〜
18,000である。重量平均分子量が8,000未満
では耐熱性が劣化し、一方25,000を越えると感度
と解像度が低下し、好ましくない。
【0008】本発明に用いるキノンジアジド化合物は、
7−ヒドロキシ−2(2,4−ジヒドロキシフェニル)
−2,4,4−トリメチルクロマンと1,2−ナフトキ
ノンジアジド−4−スルホニルクロリドあるいは1,2
−ナフトキノンジアジド−5−スルホニルクロリドと
を、ジオキサン、テトラヒドロフラン、アセトン、メチ
ルエチルケトン、水、セロソルブ等の溶剤中で塩基性触
媒下で縮合反応させて得られる。反応温度は特に制限は
ないが、縮合物の安定性の点から0〜40℃が好まし
い。また、縮合反応は黄色光下または赤色光下で行うこ
とが好ましい。塩基性触媒としては、炭酸ナトリウム、
水酸化カリウム等の無機塩基、トリエチルアミン、トリ
エタノールアミン、ジエチルアミン、ピリジン、ジメチ
ルアミノピリジン等の有機塩基が通常用いられる。キノ
ンジアジド化合物の配合量は、アルカリ可溶性ノボラッ
ク樹脂100重量部に対して5〜50重量部の範囲が好
ましい。
【0009】また、本発明の組成物には、塗布性、例え
ばストリエーション(膜厚のむら)や現像性を良くする
ための界面活性剤を配合することができる。更に、本発
明の組成物には、露光時のハレーションの影響を少なく
するための染料や顔料を配合することができる。その
他、必要に応じて保存安定剤、溶解抑止剤なども配合す
ることができる。
【0010】本発明の組成物は、溶剤に溶解させて半導
体の製造に供される。この際に用いられる溶剤として
は、例えばエチレングリコールモノメチルエーテル等の
グリコールエーテル類、エチルセロソルブアセテート等
のエチレングリコールアルキルエーテルアセテート類、
ジエチレングリコールモノメチルエーテル等のジエチレ
ングリコール類、プロピレングリコールメチルエーテル
アセテート等のプロピレングリコールアルキルエーテル
アセテート類、トルエン等の芳香族炭化水素類、シクロ
ヘキサノン等のケトン類、2−ヒドロキシプロピオンサ
ンメチル等のエステル類を用いることができる。
【0011】本発明の組成物の現像液としては、例えば
水酸下ナトリウム等の無機アルカリ類、エチルアミン等
の第1級アミン類、ジエチルアミン等の第2級アミン、
トリエチルアミン等の第3級アミン類、ジメチルエタノ
ールアミン等のアルコールアミン類、テトラメチルアン
モニウムヒドロキシド、コリンなどの第4級アンモニウ
ム塩またはピペリジンなどの環状アミン類を溶解させた
アルカリ性水溶液が使用される。
【0012】
【実施例】以下、実施例により本発明を説明する。合成
例中、樹脂の特性として、重量平均分子量と現像液に対
する溶解時間を挙げた。その特性の評価は、下記の方法
により行った。 重量平均分子量;日立化成工業(株)製GPC低分子ポ
リマー測定用カラムゲルパック (R420+R430
+R440)を用いて、流量1.75ml/分、溶出溶
媒テトラヒドロフラン、カラム温度室温の分析条件で単
分散ポリスチレンを標準として、(株)日立製作所製液
体クロマトグラム635A型HLCで測定した。 現像液に対する溶解時間;エチルセロソルブアセテート
に溶解させた樹脂をシリコンウエハー上に回転塗布機で
塗布膜厚が1μmとなるように塗布し、これを250℃
の現像液(テトラメチルアンモニウムヒドロキシド2.
38重量%水溶液)に入れ、塗膜の無くなる時間を測定
した。実施例中、レジスト特性の評価は、下記の方法に
より行った。 感度;(株)日立製作所製LD−50110i縮小投影
露光機で、露光時間を変化させて露光を行い、次いでテ
トラメチルアンモニウムヒドロキシド2.38重量%水
溶液を用い25℃で60秒間現像し水でリンスし乾燥し
てウエハー上にレジストパターンを形成させ、0.7μ
mのライン・アンド・スペースを1対1の幅で形成する
露光量を求めた。 解像度;最適露光時間において、レジスト像が得られる
最小のレジストパターンの寸法を求めた。 耐熱性;ホットプレート上にレジストパターンを形成し
たウエハーを5分間のせて、50μmのパターンが変形
し始める温度を測定した。
【0013】合成例1 撹拌機、冷却管及び温度計を装着したセパラブルフラス
コに、 メタ−クレゾール 102.6g パラ−クレゾール 153.9g フェノール 11.8g 37重量%ホルマリン 133.8g 蓚酸 1.12g を仕込み、セパラブルフラスコを油浴に浸し、内温を9
7℃に保ち撹拌しながら3時間重縮合を行った。その
後、内温を180℃まで上げ、同時に反応容器内の圧力
を10〜20mmHgまで減圧し、未反応のフェノール
類、ホルムアルデヒド、水及び蓚酸を除去した。次い
で、溶融した樹脂を金属バットにあけ樹脂を回収した
(以下、この樹脂を「樹脂1」とする)。樹脂1の重量
平均分子量を測定したところ、11,000であった。
また、現像液に対する溶解時間は、56秒/μmであっ
た。
【0014】合成例2 合成例1と同様のセパラブルフラスコに、 メタ−クレゾール 128.3g パラ−クレゾール 128.3g フェノール 11.8g 37重量%ホルマリン 145.0g 蓚酸 1.12g を仕込み、セパラブルフラスコを油浴に浸し、内温を9
7℃に保ち撹拌しながら3時間重縮合を行った。その
後、内温を180℃まで上げ、同時に反応容器内の圧力
を10〜20mmHgまで減圧し、未反応のフェノール
類、ホルムアルデヒド、水及び蓚酸を除去した。次い
で、溶融した樹脂を金属バットにあけ樹脂を回収した
(以下、この樹脂を「樹脂2」とする)。樹脂2の重量
平均分子量を測定したところ、15,000であった。
また、現像液に対する溶解時間は、80秒/μmであっ
た。
【0015】合成例3 合成例1と同様のセパラブルフラスコに メタ−クレゾール 115.5g パラ−クレゾール 141.1g 37重量%ホルマリン 130.0g 蓚酸 1.12g を仕込み、セパラブルフラスコを油浴に浸し、内温を9
7℃に保ち撹拌しながら3時間重縮合を行った。その
後、内温を180℃まで上げ、同時に反応容器内の圧力
を10〜20mmHgまで減圧し、未反応のフェノール
類、ホルムアルデヒド、水及び蓚酸を除去した。次い
で、溶融した樹脂を金属バットにあけ樹脂を回収した
(以下、この樹脂を「樹脂3」とする)。樹脂3の重量
平均分子量を測定したところ、11,000であった。
また、アルカリ現像液に対する溶解時間は、65秒/μ
mであった。
【0016】合成例4 合成例1と同様のセパラブルフラスコに メタ−クレゾール 103.3g パラ−クレゾール 126.2g フェノール 35.3g 37重量%ホルマリン 139.9g 蓚酸 1.12g を仕込み、セパラブルフラスコを油浴に浸し、内温を9
7℃に保ち撹拌しながら3時間重縮合を行った。その
後、内温を180℃まで上げ、同時に反応容器内の圧力
を10〜20mmHgまで減圧し、未反応のフェノール
類、ホルムアルデヒド、水及び蓚酸を除去した。次い
で、溶融した樹脂を金属バットにあけ樹脂を回収した
(以下、この樹脂を「樹脂4」とする)。樹脂4の重量
平均分子量を測定したところ、15,000であった。
また、現像液に対する溶解時間は、40秒/μmであっ
た。
【0017】合成例5 合成例1と同様のセパラブルフラスコに メタ−クレゾール 115.5g パラ−クレゾール 141.1g 37重量%ホルマリン 122.3g 蓚酸 1.12g を仕込み、セパラブルフラスコを油浴に浸し、内温を9
7℃に保ち撹拌しながら3時間重縮合を行った。その
後、内温を180℃まで上げ、同時に反応容器内の圧力
を10〜20mmHgまで減圧し、未反応のフェノール
類、ホルムアルデヒド、水及び蓚酸を除去した。次い
で、溶融した樹脂を金属バットにあけ樹脂を回収した。
回収した樹脂約150gを乳鉢ですりつぶし、粉末と
し、これを約600mlのトルエン中に分散し、水浴上
で80℃に加熱し、4時間行った。樹脂固形分をろ別
し、トルエンで洗浄した後、減圧下で乾燥した(以下、
この樹脂を「樹脂5」とする)。樹脂5の重量平均分子
量を測定したところ、11,000であった。また、現
像液に対する溶解時間は、110秒/μmであつた。
【0018】合成例6 撹拌機、温度計を装着したセパラブルフラスコに、7−
ヒドロキシ−2(2,4−ジヒドロキシフェニル)−
2,4,4−トリメチルクロマン94.8gとナフトキ
ノン−1,2−ジアジド−5−スルホニルクロリド7
0.0gをジオキサン750gとアセトン250gの混
合液中に仕込み、撹拌しながらジメチルアミノピリジン
4.0gとアセトン30gの混合溶液を徐々に滴下し
た。さらに、トリエチルアミン80.0gとジオキサン
140gの混合溶液を徐々に滴下し2時間反応させた。
反応終了後、フラスコ内容物を希塩酸中に滴下し、生じ
た沈殿物をろ別水洗しメタノールで洗浄後乾燥した(以
下、この感光剤を「感光剤1」とする)。
【0019】実施例1 「樹脂1」20gと「感光剤1」4gとをエチルセロソ
ルブアセテート60gに溶解させた後、孔径0.2μm
メンブランフィルタでろ過し、ポジ型レジスト溶液を調
製した。得られた溶液をシリコンウエハー上に、(株)
大日本スクリーン製D−SPINを用いて塗布、プリベ
ーク(90℃・90秒間)し、膜厚1.22μmのレジ
スト膜を形成し、レジスト特性の測定を行った。結果を
表1に示す。
【0020】実施例2 実施例1において、「樹脂1」の代わりに「樹脂2」を
用いた以外は、実施例1と同様にしてポジ型レジストを
調製しレジスト特性の試験を行った。結果を表1に示
す。
【0021】比較例1 実施例1において、「感光剤1」の代わりに2,3,
4,4′−テトラヒドロキシベンゾフェノン1モルと
1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸3.5
モルとの縮合物(東洋合成工業(株))を用いた以外
は、実施例1と同様にしてポジ型レジストを調製し、レ
ジスト特性の試験を行った。結果を表1に示す。耐熱性
は良いが、解像度に劣っている。
【0022】比較例2 実施例1において、「樹脂1」の代わりに「樹脂3」を
用いた以外は、実施例1と同様にしてポジ型レジストを
調製し、レジスト特性の試験を行った。結果を表1に示
す。解像度は良いが、耐熱性に劣っている。
【0023】比較例3 実施例1において、「樹脂1」の代わりに「樹脂4」を
用いた以外は、実施例1と同様にしてポジ型レジストを
調製し、レジスト特性の試験を行った。結果を表1に示
す。解像度、耐熱性とも実施例と比較して劣っている。
【0024】比較例4 実施例1において、「樹脂1」の代わりに「樹脂5」を
用いた以外は、実施例1と同様にしてポジ型レジストを
調製し、レジスト特性の試験を行った。結果を表1に示
す。耐熱性は良いが、解像度に劣っている。
【0025】
【表1】
【0026】
【発明の効果】本発明の感光性樹脂組成物は、解像度と
耐熱性に優れ、高集積回路を作製するためのポジ型レジ
ストに好適である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明で用いられるメタ−クレゾール、パラ−
クレゾールおよびフェノールの混合物の組成を示す三角
座標である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 粕谷 圭 茨城県日立市東町四丁目13番1号 日立化 成工業株式会社山崎工場内 (72)発明者 ▲こい▼渕 滋 茨城県日立市東町四丁目13番1号 日立化 成工業株式会社山崎工場内 (72)発明者 橋本 通晰 茨城県日立市東町四丁目13番1号 日立化 成工業株式会社山崎工場内 (72)発明者 磯部 麻郎 茨城県日立市東町四丁目13番1号 日立化 成工業株式会社山崎工場内

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 アルカリ可溶性ノボラック樹脂およびキ
    ノンジアジド化合物を含有する感光性樹脂組成物におい
    て、該アルカリ可溶性ノボラック樹脂が、メタ−クレゾ
    ール、パラ−クレゾールおよびフェノールからなる組成
    を示す三角座標において下記の点A.B.CおよびDを
    結ぶ線上またはこの線で囲まれた範囲に当てはまる組成
    の混合物とアルデヒド類との重縮合した重量平均分子量
    が8,000〜25,000である樹脂であり、かつ、
    該キノンジアジド化合物が、7−ヒドロキシ−2(2,
    4−ジヒドロキシフェニル)−2,4,4−トリメチル
    クロマンと1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホ
    ニルクロリドまたは1,2−ナフトキノンジアジド−5
    −スルホニルクロリドとの縮合物であることを特徴とす
    る感光性樹脂組成物。 メタ−クレゾール パラ−クレゾール フェノール A 50モル% 47モル% 3モル% B 35モル% 62モル% 3モル% C 35モル% 58モル% 7モル% D 50モル% 43モル% 7モル%
JP19786791A 1991-08-07 1991-08-07 感光性樹脂組成物 Pending JPH0540336A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19786791A JPH0540336A (ja) 1991-08-07 1991-08-07 感光性樹脂組成物

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19786791A JPH0540336A (ja) 1991-08-07 1991-08-07 感光性樹脂組成物

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0540336A true JPH0540336A (ja) 1993-02-19

Family

ID=16381655

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP19786791A Pending JPH0540336A (ja) 1991-08-07 1991-08-07 感光性樹脂組成物

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0540336A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006072080A (ja) * 2004-09-03 2006-03-16 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd レジストパターンの形成方法ならびにこれを用いた微細パターンの形成方法および液晶表示素子の製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006072080A (ja) * 2004-09-03 2006-03-16 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd レジストパターンの形成方法ならびにこれを用いた微細パターンの形成方法および液晶表示素子の製造方法
JP4611690B2 (ja) * 2004-09-03 2011-01-12 東京応化工業株式会社 レジストパターンの形成方法ならびにこれを用いた微細パターンの形成方法および液晶表示素子の製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH01105243A (ja) ポジ型フォトレジスト用ノボラック樹脂
JPH1097066A (ja) リフトオフ法用ポジ型レジスト組成物及びパターン形成方法
JP3010963B2 (ja) レジスト組成物
JPH0654381B2 (ja) 集積回路作製用ポジ型レジスト
EP0458988B1 (en) Positive resist composition
JPH042181B2 (ja)
JPH0148532B2 (ja)
WO1992012205A1 (en) Positive resist composition
JPH0869111A (ja) リフトオフ法用ポジ型レジスト組成物及びパターン形成方法
JPH0588466B2 (ja)
JPH0540336A (ja) 感光性樹脂組成物
JP2000131835A (ja) ポジ型ホトレジスト組成物
JPH06242599A (ja) 感放射線性樹脂組成物
JPH05113663A (ja) 感光性樹脂組成物およびレジスト像の製造法
JPH05204143A (ja) 感光性樹脂組成物
JPH04360146A (ja) ポジ型ホトレジスト組成物およびレジストパターンの製造方法
JPH05113662A (ja) 感光性樹脂組成物およびレジスト像の製造法
JP2002244285A (ja) 感放射線性樹脂組成物
JPH04298751A (ja) 感光性樹脂組成物およびレジスト像の製造法
JPH04284454A (ja) ポジ型レジスト組成物
JPH07104467A (ja) ポジ型レジスト組成物及びパターン形成方法
JPH0247656A (ja) ポジ型フォトレジスト
JPH0798506A (ja) ポジ型電子線レジスト組成物およびこれを用いた微細パターン形成方法
JPH05323598A (ja) ポジ型ホトレジスト組成物およびレジストパターンの製造法
JPH04299349A (ja) 感光性樹脂組成物およびレジスト像の製造法