JP2006072080A - レジストパターンの形成方法ならびにこれを用いた微細パターンの形成方法および液晶表示素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】(A)基体10上にホトレジスト被膜を形成する工程、および(B)選択的露光を含むホトリソグラフィ工程を経て、前記ホトレジスト被膜を、肉厚部r1と肉薄部r2を有する段状レジストパターンRの形状にパターニングする工程を有するレジストパターンの形成方法であって、(a)ゲルパーミエーションクロマトグラフィによるポリスチレン換算質量平均分子量(Mw)が8000を超えるアルカリ可溶性ノボラック樹脂、(b)ナフトキノンジアジド基含有化合物、および(d)有機溶剤を含有してなるポジ型ホトレジスト組成物を用いて前記ホトレジスト被膜を形成することを特徴とするレジストパターンの形成方法。
【選択図】 図1
Description
図2〜15は、図16に示す構造のα−Si(アモルファスシリカ)形TFTアレイ基板を製造する工程の例を示したものである。この例では、まず図2に示すように、ガラス基板1上にゲート電極層2’を形成する。
次に、ゲート電極層2’上にホトレジスト被膜を形成し、該ホトレジスト被膜を、マスクを介して選択的露光する工程含むホトリソグラフィでパターニングして、図3に示すようにレジストパターンR1を形成する(第1のホトリソグラフィ工程)。
そして、得られたレジストパターンR1をマスクとしてゲート電極層2’をエッチングした後、レジストパターンR1を除去することにより、図4に示すようにゲート電極2を形成する。
エッチングストッパ膜5’上にホトレジスト被膜を形成し、該ホトレジスト被膜を、マスクを介して選択的露光する工程含むホトリソグラフィでパターニングして、図6に示すようにレジストパターンR2を形成する(第2のホトリソグラフィ工程)。
そして、得られたレジストパターンR2をマスクとしてエッチングストッパ膜5’および第1のα−Si層4’をエッチングした後、レジストパターンR2を除去することにより、図7に示すようなパターニングされた第1のα−Si層4とエッチングストッパ膜5の積層体を形成する。
その上に、図8に示すように、第2のα−Si層6’およびソースドレイン電極形成用金属膜7’を順に形成する。
この後、得られたレジストパターンR3をマスクとして金属膜7’および第2のα−Si層6’をエッチングした後、レジストパターンR3を除去することにより、図10に示すように、エッチングストッパ膜5上に、パターニングされた第2のα−Si層6とソース電極およびドレイン電極7を形成する。
そして、該第2の絶縁膜8’上にホトレジスト被膜を形成し、該ホトレジスト被膜を、マスクを介して選択的露光する工程含むホトリソグラフィでパターニングして、図12に示すようなレジストパターンR4を形成する(第4のホトリソグラフィ工程)。
この後、得られたレジストパターンR4をマスクとして第2の絶縁膜8’をエッチングした後、レジストパターンR4を除去することにより、図13に示すように、コンタクトホールを有する形状にパターニングされた第2の絶縁膜8を形成する。
そして、該透明導電膜9’上にホトレジスト被膜を形成し、該ホトレジスト被膜を、マスクを介して選択的露光する工程含むホトリソグラフィでパターニングして、図15に示すようなレジストパターンR5を形成する(第5のホトリソグラフィ工程)。
この後、得られたレジストパターンR5をマスクとして透明導電膜9’をエッチングした後、レジストパターンR5を除去することにより、図16に示すようにパターニングされた透明導電膜9が形成され、TFTアレイ基板が得られる。
ところで、近年、液晶表示素子の低価格化が強く求められており、そのために製造工程の簡略化、レジスト消費量の抑制等が求められている。
そこで、このような要望に応えるべく、領域によって厚さを異ならせた段状のレジストパターンを用いることによって、従来は2回のホトリソグラフィ工程を用いていた工程を1回のホトリソグラフィ工程で行う方法が提案されている。この方法では、段状レジストパターンをマスクとしてエッチングを行った後、その厚さの差を利用することによって、ホトリソグラフィ工程によらずにこの段状レジストパターンの平面形状を変形させたものを、再度マスクとして使用してエッチングを行う。
しかしながら、従来の液晶表示素子製造に好適とされてきたレジスト材料で、このような段状レジストパターンを形成しようとしても、耐エッチング性や耐熱性が不十分となり、かかる方法を実現するのは難しい。
また、液晶表示素子製造に用いられるレジストパターンは、エッチングプロセスやインプランテーションプロセスに耐え得るよう、ポストベーク処理を施して耐熱性を高めることが行われる場合があるが、従来の液晶表示素子製造に好適とされてきたレジスト材料は、安価かつ高感度である反面、耐熱性に劣る傾向にあるので、ポストベーク処理によって段状のレジストパターンがフローしてしまい、厚さを異ならせた形状を維持するのが難しい。
また本発明は、本発明のレジストパターンの形成方法を用いた微細パターンの形成方法、およびそれを用いた液晶表示素子の製造方法を提供することを目的とする。
また本発明は、本発明のレジストパターンの形成方法および微細パターンの形成方法に用いられるポジ型レジスト組成物を提供することを目的とする。
また本発明は、(a)ゲルパーミエーションクロマトグラフィによるポリスチレン換算質量平均分子量(Mw)が8000を超えるアルカリ可溶性ノボラック樹脂、(b)ナフトキノンジアジド基含有化合物、および(d)有機溶剤を含有してなり、本発明のレジストパターンの形成方法における前記ホトレジスト被膜の形成に用いられるポジ型レジスト組成物を提供する。
また本発明は、(a)ゲルパーミエーションクロマトグラフィによるポリスチレン換算質量平均分子量(Mw)が8000を超えるアルカリ可溶性ノボラック樹脂、(b)ナフトキノンジアジド基含有化合物、および(d)有機溶剤を含有してなり、本発明の微細パターンの形成方法における前記ホトレジスト被膜の形成に用いられるポジ型レジスト組成物を提供する。
または、本発明の液晶表示素子の製造方法は、前記多層構造を有する基体を用いる本発明の微細パターンの形成方法で微細パターンを形成した後、(I)該微細パターン上に第2の絶縁膜を設ける工程、(J)第2の絶縁膜をホトリソグラフィによりパターニングする工程、(K)パターニングされた第2の絶縁膜上に透明導電膜を形成する工程、(L)透明導電膜をホトリソグラフィによりパターニングする工程を有することを特徴とする。
その結果、ホトレジストの消費量を抑制することができ、比較的高価なホトマスクの費用も削減することができ、さらに工程も簡略化することができる。
[(a)成分]
本発明に係るポジ型レジスト組成物のアルカリ可溶性ノボラック樹脂(a)は、ポジ型ホトレジスト組成物において被膜形成物質として通常用いられ得るものの中から任意に選択して利用することができ、(a)成分全体として、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(本明細書においてGPCと略記することもある。)によるポリスチレン換算質量平均分子量(本明細書においてMwとのみ記載することもある。)が8000を超えるように調製されているものであればよい。
(a)成分のMwを8000超えとすることによって、ポストベーク処理時の加熱などおいてフロー現象が生じない程度の高耐熱性を有するとともに、耐エッチング性が良好であり、特に耐ドライエッチング性に優れた段状レジストパターンを実現することができる。Mwの値が大きいほど、より高い耐熱性および耐エッチング性を達成することができる。(a)成分のMwのより好ましい範囲は10000以上である。ただし、(a)成分のMwが大きすぎるとレジスト感度が劣る傾向にあるので、(a)成分のMwの上限値は80000以下とすることが好ましく、より好ましくは50000以下である。
前記フェノール類としては、例えばフェノール;m−クレゾール、p−クレゾール、o−クレゾール等のクレゾール類;2,3−キシレノール、2,5−キシレノール、3,5−キシレノール、3,4−キシレノール等のキシレノール類;m−エチルフェノール、p−エチルフェノール、o−エチルフェノール、2,3,5−トリメチルフェノール、2,3,5−トリエチルフェノール、4−tert−ブチルフェノール、3−tert−ブチルフェノール、2−tert−ブチルフェノール、2−tert−ブチル−4−メチルフェノール、2−tert−ブチル−5−メチルフェノール等のアルキルフェノール類;p−メトキシフェノール、m−メトキシフェノール、p−エトキシフェノール、m−エトキシフェノール、p−プロポキシフェノール、m−プロポキシフェノール等のアルコキシフェノール類;o−イソプロペニルフェノール、p−イソプロペニルフェノール、2−メチル−4−イソプロペニルフェノール、2−エチル−4−イソプロペニルフェノール等のイソプロペニルフェノール類;フェニルフェノール等のアリールフェノール類;4,4’−ジヒドロキシビフェニル、ビスフェノールA、レゾルシノール、ヒドロキノン、ピロガロール等のポリヒドロキシフェノール類等を挙げることができる。これらは単独で用いてもよいし、また2種以上を組み合わせて用いてもよい。これらのフェノール類の中では、特にm−クレゾール、p−クレゾール、2,3,5−トリメチルフェノールが好ましい。
前記酸性触媒としては、塩酸、硫酸、ギ酸、シュウ酸、パラトルエンスルホン酸等を使用することができる。
装置名:SYSTEM 11(製品名、昭和電工社製)
プレカラム:KF−G(製品名、Shodex社製)
カラム:KF−802(製品名、Shodex社製)
検出器:UV41(製品名、Shodex社製)、280nmで測定。
溶媒等:流量1.0ml/分でテトラヒドロフランを流し、35℃にて測定。
(a)成分のMwおよび2核体含有量は、通常のノボラック樹脂の合成反応によりフェノール類と、アルデヒド類の縮合物を合成し、しかる後に既知の分別等の操作により低分子領域をカットすることによって調整可能である。
分別等の処理は、例えば、縮合反応により得られたノボラック樹脂を良溶媒、例えばメタノール、エタノール等のアルコール、アセトン、メチルエチルケトン等のケトンや、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、テトラヒドロフラン等に溶解し、次いで水中に注ぎ沈殿させる等の方法により行うことができる。
または、ノボラック樹脂の合成反応(縮合反応)の途中で例えば水蒸気蒸留を行うことによっても2核体含有量を減少させることができる(特開2000−13185号公報)。
[(b)成分]
(b)ナフトキノンジアジド基含有化合物は、感光性成分である。該(b)成分としては、例えば、従来より液晶表示素子製造用ポジ型ホトレジスト組成物の感光性成分として用いられてきたものを用いることができる。
例えば、(b)成分として、下記式(I)で表わされるフェノール性水酸基含有化合物と1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸化合物とのエステル化反応生成物(b1)および/または下記式(II)で表されるフェノール性水酸基含有化合物と1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸化合物とのエステル化反応生成物(b2)を好ましく用いることができる。上記1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸化合物は、好ましくは1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニル化合物である。
(b2)成分の平均エステル化率は40〜60%、好ましくは45〜55%であり、40%未満では現像後の膜減りが発生し易く、残膜率が低くなり易い。60%を超えると、感度が著しく劣化する傾向がある。
(b2)成分としては、下記式(IV)で表わされるフェノール性水酸基含有化合物と1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸化合物とのエステル化反応生成物(b3)が特に高解像性のレジストパターンの形成能に優れていて好ましい。
また(b)成分は、現像工程で使用する露光波長に応じて好ましいものを選択することができる。例えば選択露光を行なう工程で、ghi線(g線、h線、およびi線)露光を行なう場合は(b1)を好適に用いることができ、i線露光を行なう場合は、(b2)成分を用いるか、または(b1)と(b2)を併用することが好ましい。
特にi線露光を行なう際に、(b1)と(b2)を併用する場合には、これらの配合割合を、(b2)に対して(b1)を50質量部以下とすることが好ましい。(b1)の配合量が多すぎると解像性や感度の低下が大きくなるおそれがある。
本発明に係るポジ型ホトレジスト組成物に、分子量が1000以下のフェノール性水酸基含有化合物(c)を含有させることが好ましく、これにより感度向上効果が得られる。特に、液晶表示素子製造の分野においては、スループットの向上が非常に大きい問題であり、またレジスト消費量が多いため、ホトレジスト組成物にあっては高感度でしかも安価であることが望ましく、該(c)成分を用いると、比較的安価で高感度化を達成できるので好ましい。また(c)成分を含有させると、レジストパターンにおいて表面難溶化層が強く形成されるため、現像時に未露光部分のレジスト膜の膜減り量が少なく、現像時間の差から生じる現像ムラの発生が抑えられて好ましい。
該(c)成分としては、従来液晶表示素子製造用のポジ型ホトレジスト組成物に用いられている分子量1000以下のフェノール性水酸基含有化合物を適宜用いることができるが、下記一般式(II)で表わされるフェノール性水酸基含有化合物は、感度を効果的に向上でき、耐熱性も良好であるのでより好ましい。
これらは、いずれか1種を用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
本発明に係るホトレジスト組成物は、(a)および(b)成分、好ましくは(a)〜(c)成分と、各種添加成分を、有機溶剤(d)に溶解して溶液の形で用いるのが好ましい。
有機溶剤(d)としては、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)が塗布性に優れ、大型ガラス基板上でのレジスト被膜の膜厚均一性に優れている点で好ましい。
PGMEAは単独溶媒で用いることが最も好ましいが、PGMEA以外の溶媒も用いることができ、例えば乳酸エチル、γ−ブチロラクトン、プロピレングリコールモノブチルエーテルなどが挙げられる。
乳酸エチルを用いる場合は、PGMEAに対して質量比で0.1〜10倍量、好ましくは1〜5倍量の範囲で配合することが望ましい。
また、γ−ブチロラクトンを用いる場合は、PGMEAに対して質量比で0.01〜1倍量、好ましくは0.05〜0.5倍量の範囲で配合することが望ましい。
本発明に係るホトレジスト組成物には、さらに本発明の目的を損なわない範囲において、界面活性剤、保存安定剤などの各種添加剤を用いることができる。例えばハレーション防止のための紫外線吸収剤、例えば2,2',4,4'−テトラヒドロキシベンゾフェノン、4−ジメチルアミノ−2',4'−ジヒドロキシベンゾフェノン、5−アミノ−3−メチル−1−フェニル−4−(4−ヒドロキシフェニルアゾ)ピラゾール、4−ジメチルアミノ−4'−ヒドロキシアゾベンゼン、4−ジエチルアミノ−4'−エトキシアゾベンゼン、4−ジエチルアミノアゾベンゼン、クルクミン等や、またストリエーション防止のための界面活性剤、例えばフロラードFC−430、FC431(商品名、住友3M(株)製)、エフトップEF122A、EF122B、EF122C、EF126(商品名、トーケムプロダクツ(株)製)等のフッ素系界面活性剤、メガファックR−60(商品名、大日本インキ化学工業社製)等のフッ素−ケイ素系界面活性、BYK−310(商品名、ビックケミー社製)などを適宜含有させることができる。
まず基体を用意する。本発明における基体は、特に限定されないが、基板上にエッチングされるべき層が2層以上積層されている基体を用いると、本発明による効果が有効に得られるので好ましい。
液晶表示素子を製造する場合は、基体10として、例えば図1(a)に示すように、ガラス基板1上に、ゲート電極2、第1の絶縁膜3、第1のアモルファスシリカ膜4’、エッチングストッパ膜5’、第2のアモルファスシリカ膜6’、およびソースドレイン電極形成用金属膜7’が、ガラス基板1側から順に積層された多層構造を有するものが用いられる。ゲート電極2のパターニングは、前述の図2〜図4に示した手順(第1のホトリソグラフィ工程を含む)で行うことができる。
ガラス基板の大きさは特に限定されないが、500×600mm2以上、特には、550×650mm2以上の大型基板とすることもできる。
第1の絶縁膜3は、例えばSiNXで形成される。
エッチングストッパ膜5’は、例えばSiNXで形成される。
ソースドレイン電極形成用金属膜7’は、例えばチタン(Ti)とアルミニウム(Al)とチタン(Ti)をこの順で積層した積層膜で構成される。
ホトレジスト被膜R’の厚さは1.0〜3.0μm程度とすることが好ましい。ホトレジスト被膜R’の厚さをこの範囲内とすることはレジスト感度と製造安定性の両立の点で好ましい。
(B)次いで、ホトリソグラフィ工程を経て、図1(b)に示すように、ホトレジスト被膜R’を肉厚部r1と肉薄部r2を有するパターン形状にパターニングする。具体的には、例えばハーフトーンマスク等の透過率が設定されたマスク(レチクル)を介してホトレジスト被膜R’に対して選択的露光を行い、続いて現像、水洗を行うことにより、領域によって厚さが異なっており、肉厚部r1と肉薄部r2を有する段状レジストパターンRを形成する。(第2のホトリソグラフィ工程)
段状レジストパターンRにおける肉厚部r1と肉薄部r2との厚さの差は、後のアッシング処理により肉薄部r2のみを除去して肉厚部r1を好適な厚さで残すためには、0.5〜1.5μm程度とするのが好ましく、より好ましい範囲は0.7〜1.3μm程度である。
本発明において、UVキュア処理は必須ではないが、これを行うことにより段状レジストパターンRの耐エッチング性および耐熱性をさらに向上させることができる。
UVキュアは公知の方法を用いて行うことができる。例えばウシオ電機社製「製品名:UMA−802−HC552」などの紫外線照射装置を用いて、段状レジストパターンR全面に紫外線を照射する。
紫外線の照射条件は、UVキュアによってレジストパターンの形状を変形させることなく、耐エッチング性に優れ、耐熱性が良好な段状レジストパターンRを得るには、特にDeep UV領域から可視光領域にわたる波長(波長200〜500nm程度)の紫外線を約1000〜50000mJ/cm2程度の照射量で照射することが好ましい。より好ましい照射量は2000〜20000mJ/cm2程度である。照射量は、照射する紫外線の強度と照射時間によって制御することができる。
なお、UVキュア(照射)に際しては、照射部にしわの発生が起こらないように、急激な照射や照射による温度上昇をコントロールすることが望ましい。
UVキュア処理を行った場合には、ポストベーク処理は必須ではないが、ポストベークを行うことにより段状レジストパターンRの耐熱性および耐エッチング性、特にドライエッチング性がさらに向上する。また、ポストベーク処理により、段状レジストパターンRと基体10との密着性が向上するため、ウェットエッチング処理に対しても高い耐性を得るのに有効である。
本発明においてはホトレジスト被膜の形成に用いられるポジ型レジスト組成物自体の耐エッチング性が高いので、ポストベーク処理工程における温度条件を低めに設定しても、ポストベークによる耐エッチング性を効果的に向上させることができる。
例えばポストベーク処理における加熱条件は、温度条件が100〜150℃で、加熱時間が1〜5分間程度に好ましく設定することができる。より好ましい加熱条件は110〜130℃、1〜2分間程度である。なお、特に段状レジストパターンRの形状変化を確実に防止するためには、120℃以下の温度条件で行うことが好ましい。
なお、ホトレジスト被膜の形成に用いられるポジ型レジスト組成物自体の耐熱性が高いので、この点からもポストベーク処理工程における段状レジストパターンRの変形は抑えられる。また、UVキュア処理を行った後にポストベーク処理を行う場合には、UVキュア処理によって段状レジストパターンRの耐熱性がより向上しているので、ポストベーク処理によるパターン変形はより確実に抑えられる。
続いて、同じ段状レジストパターンRをマスクとして、図1(d)に示すように、前記金属膜7’のエッチングにより露出された第2のアモルファスシリカ膜6’とその下のエッチングストッパ膜5’、および第1のアモルファスシリカ膜4’をエッチングする。これらの層のエッチングは、周知の手法で行うことができる。一般的にはドライエッチング処理が用いられる。
ここで、ドライエッチング処理には、物理的方法と化学的方法があるが、本発明ではいずれも使用可能であり、エッチングされる対象の材質に応じて適宜選択できる。
続いて、図1(g)に示すように、前回の金属膜7’のエッチング処理によって露出された第2のアモルファスシリカ膜6’を、残った肉厚部r1をマスクとしてエッチング処理して、パターニングされた第2のアモルファスシリカ膜6を形成する。
(H)しかる後、肉厚部r1を除去する。肉厚部r1の除去方法は、アッシング処理など周知の手法で行うことができる。
ここまでの工程で、前述の図10に示す構造と同じ構造の微細パターンが得られる。
(I)図11に示すように、前回の工程で得られた微細パターン上に第2の絶縁膜8’を形成する。第2の絶縁膜8’は、例えばSiNXで形成される。
(J)第2の絶縁膜8’上にホトレジスト被膜を形成し、該ホトレジスト被膜を、マスクを介して選択的露光する工程含むホトリソグラフィでパターニングして、図12に示すようなレジストパターンR4を形成する(第3のホトリソグラフィ工程)。得られたレジストパターンR4をマスクとして第2の絶縁膜8’をエッチングした後、レジストパターンR4を除去することにより、図13に示すように、コンタクトホールを有する形状にパターンニングされた第2の絶縁膜8を得る。
(K)図14に示すように、パターンニングされた第2の絶縁膜8上に透明導電膜9’を形成する。透明導電膜9’は、例えばITO(酸化インジウムスズ)で形成される。
(L)透明導電膜9’上にホトレジスト被膜を形成し、該ホトレジスト被膜を、マスクを介して選択的露光する工程を含むホトリソグラフィでパターニングして、図15に示すようなレジストパターンR5を形成する(第4のホトリソグラフィ工程)。
この後、得られたレジストパターンR5をマスクとして透明導電膜9’をエッチングした後、レジストパターンR5を除去することにより、図16に示すようにパターニングされた透明導電膜9を形成し、TFTアレイ基板が得られる。
このようにして得られたTFTアレイ基板と対向基板との間に液晶を挟持させるように、周知の方法で組み立てることにより液晶表示素子が得られる。
したがって、TFTアレイ基板の製造工程におけるホトリソグラフィ工程の回数を減らすことができる。例えば図2〜図15に示す従来の方法では、TFTアレイ基板を製造するのにホトリソグラフィ工程が5回必要であったのが(第1〜第5のホトリソグラフィ工程)、本実施形態では、同じ構造のTFTアレイ基板を4回のホトリソグラフィ工程(第1〜第4のホトリソグラフィ工程)で製造することができる。これによりホトレジストの消費量を抑制することができ、工程も簡略化するため、TFTアレイ基板の製造コスト削減を図ることができる。
また、本実施形態において形成される段状レジストパターンRは、耐熱性も良好であるのでポストベーク処理における変形が防止される。
さらにUVキュア処理および/またはポストベーク処理を施すことにより、段状レジストパターンRの耐熱性および耐エッチング性をより向上させることができる。UVキュア処理とポストベーク処理の両方を行えば、段状レジストパターンRの耐熱性および耐エッチング性をさらに向上させることができる。
また、本実施形態では、本発明を図16に示す構造のα−Si(アモルファスシリカ)形TFTアレイ基板を製造する工程に適用したが、この例に限られるものではない。本発明は各種の駆動素子を備えた画素パターンを有する液晶パネル基板の製造に適用可能であり、特に、各種構造のTFT素子を備えた画素パターンを有するTFTアレイ基板の製造に好適である。本発明の微細パターンの形成方法を用いて画素パターンの一部を形成することにより、本実施形態と同様の効果が得られる。
調製したポジ型ホトレジスト組成物を、中央滴下&スピン塗布法によるレジスト塗布装置〔TR−36000(東京応化工業(株)製)〕を用いて、所定の膜厚(50μm)で液盛りし、次いで1000rpmにて10秒間回転することにより、Ti膜が形成されたガラス基板(360mm×460mm)上にレジスト層を形成した。
次いで、ホットプレートの温度を130℃とし、約1mmの間隔をあけたプロキシミティベークにより60秒間の第1回目の乾燥を行い、次いでホットプレートの温度を120℃とし、0.5mmの間隔をあけたプロキシミティベークにより60秒間の第2回目の乾燥を施し、膜厚2.0μmのホトレジスト被膜を形成した。
当該ホトレジスト被膜に対しマスクを介した選択的露光を行い、現像処理、洗浄を行なって、図1に示すような断面凹状で、肉厚部の厚さ2.0μm、肉薄部の厚さ1.0μm、全体の幅15μm、肉薄部の幅5μmの段状のレジストパターンの形状にパターニングした。
この後、120℃、180秒間のポストベーク処理を行って段状レジストパターンを得た。
前記レジストパターン形成方法1において、ポストベーク処理温度を130℃に変更した他は同様にして、段状レジストパターンを形成した。
(レジストパターン形成方法3:UVキュア 有、ポストベーク 無)
前記レジストパターン形成方法1において、パターニング後にポストベーク処理を行わず、代わりに波長200〜500nm、照射量3000mJ/cm2のUVキュア(照射)処理を施した他は同様にして段状レジストパターンを形成した。
(レジストパターン形成方法4:UVキュア 有、ポストベーク 120℃)
前記レジストパターン形成方法1において、パターニング後に波長200〜500nm、照射量3000mJ/cm2のUVキュア(照射)処理を施し、さらに120℃、180秒間のポストベーク処理を行った他は同様にして段状レジストパターンを形成した。
実施例および比較例で得られたレジストパターンに対して、130℃、300秒間の加熱処理を行い、レジストパターンの形状が変形しなかったものを○、変形したものを×として表した。
(2)耐ドライエッチング性評価:
実施例および比較例で得られたレジストパターンに対して、ドライエッチング装置「TCE−7612X」(装置名;東京応化工業社製)を用い、エッチングガスとしてCF4、CF3、Heを、各々40ミリリットル/min、40ミリリットル/min、160ミリリットル/minで用い、300mTorr−1の減圧雰囲気下、700W−400kHz、ステージ温度:20℃、ターゲット温度:25℃の処理条件によるドライエッチング処理を行い、処理前後でレジストパターンの形状が変形しなかったものを○、やや変形したものを△として表した。
(3)耐ウェットエッチング性評価:
実施例および比較例で得られたレジストパターンに対して、当該レジストパターンが形成された基板を20℃に設定されたウェットエッチング液[フッ化水素酸(HF)/フッ化アンモニウム(NH4F)=1/6(質量比)の混合液を含有する20質量%水溶液]中に10分間浸漬することでウェットエッチング処理を行い、処理後のレジストパターンが、下地基板から剥離しなかったものを○、わずかに剥離したものを△、剥離してしまったものを×として表した。
ポジ型ホトレジスト組成物を調製した。
(a)成分:クレゾールノボラック樹脂[m−クレゾール/p−クレゾール=4/6(モル比)の混合フェノール類とホルムアルデヒドとを常法により縮合反応して得られた、質量平均分子量(Mw)=30000の樹脂] 100質量部
(b)成分:2,3,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン1モルと1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニルクロライド2.34モルとのエステル化反応生成物 27.5質量部
(c)成分:1−[1−(4−ヒドロキシフェニル)イソプロピル]−4−[1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)エチル]ベンゼン 10質量部
(d)成分:PGMEA 372.5質量部
上記(a)〜(d)成分を均一に溶解した後、これに界面活性剤としてBYK−310、(ビックケミー社製)を400ppm配合し、これを孔径0.2μmのメンブランフィルターを用いてろ過して、ポジ型ホトレジスト組成物を調製した。
得られたポジ型ホトレジスト組成物を用い、前記レジストパターン形成方法1〜4のそれぞれの方法で段状レジストパターンを形成した。
得られた段状レジストパターンのそれぞれについて、耐熱性、耐ドライエッチング性、および耐ウェットエッチング性を評価した。その結果を下記表1に示す。
ポジ型ホトレジスト組成物の組成を下記に変更した他は実施例と同様に段状レジストパターンを形成し、その特性を評価した。
(a)成分:クレゾールノボラック樹脂[m−クレゾール/p−クレゾール=4/6(モル比)の混合フェノール類とホルムアルデヒドとを常法により縮合反応して得られた、質量平均分子量(Mw)=30000の樹脂] 100質量部
(b)成分:上記式(IV)で表されるフェノール化合物[ビス(2−メチル−4−ヒドロキシ−5−シクロヘキシルフェニル)−3,4−ジヒドロキシフェニルメタン]1モルと1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニルクロライド2.34モルとのエステル化反応生成物 27.5質量部
(c)成分:1−[1−(4−ヒドロキシフェニル)イソプロピル]−4−[1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)エチル]ベンゼン 10質量部
(d)成分:PGMEA 372.5質量部
上記(a)〜(d)成分を均一に溶解した後、これに界面活性剤としてBYK−310、(ビックケミー社製)を400ppm配合し、これを孔径0.2μmのメンブランフィルターを用いてろ過して、ポジ型ホトレジスト組成物を調製した。
ポジ型ホトレジスト組成物の組成を下記に変更した他は実施例と同様に段状レジストパターンを形成し、その特性を評価した。
(a)成分:クレゾールノボラック樹脂[m−クレゾール/p−クレゾール=4/6(モル比)の混合フェノール類とホルムアルデヒドとを常法により縮合反応して得られた、質量平均分子量(Mw)=15000の樹脂] 100質量部
(b)成分:2,3,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン1モルと1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニルクロライド2.34モルとのエステル化反応生成物 27.5質量部
(c)成分:1−[1−(4−ヒドロキシフェニル)イソプロピル]−4−[1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)エチル]ベンゼン 10質量部
(d)成分:PGMEA 372.5質量部
上記(a)〜(d)成分を均一に溶解した後、これに界面活性剤としてBYK−310、(ビックケミー社製)を400ppm配合し、これを孔径0.2μmのメンブランフィルターを用いてろ過して、ポジ型ホトレジスト組成物を調製した。
ポジ型ホトレジスト組成物の組成を下記に変更した他は実施例と同様に段状レジストパターンを形成し、その特性を評価した。
(a)成分:クレゾールノボラック樹脂[m−クレゾール/p−クレゾール=4/6(モル比)の混合フェノール類とホルムアルデヒドとを常法により縮合反応して得られた、質量平均分子量(Mw)=8000の樹脂] 100質量部
(b)成分:2,3,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン1モルと1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニルクロライド2.34モルとのエステル化反応生成物 27.5質量部
(c)成分:1−[1−(4−ヒドロキシフェニル)イソプロピル]−4−[1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)エチル]ベンゼン 10質量部
(d)成分:PGMEA 372.5質量部
上記(a)〜(d)成分を均一に溶解した後、これに界面活性剤としてBYK−310、(ビックケミー社製)を400ppm配合し、これを孔径0.2μmのメンブランフィルターを用いてろ過して、ポジ型ホトレジスト組成物を調製した。
ポジ型ホトレジスト組成物の組成を下記に変更した他は実施例と同様に段状レジストパターンを形成し、その特性を評価した。
(a)成分:クレゾールノボラック樹脂[m−クレゾール/p−クレゾール=4/6(モル比)の混合フェノール類とホルムアルデヒドとを常法により縮合反応して得られた、質量平均分子量(Mw)=8000の樹脂] 100質量部
(b)成分:上記式(IV)で表されるフェノール化合物[ビス(2−メチル−4−ヒドロキシ−5−シクロヘキシルフェニル)−3,4−ジヒドロキシフェニルメタン]1モルと1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニルクロライド2.34モルとのエステル化反応生成物 27.5質量部
(c)成分:1−[1−(4−ヒドロキシフェニル)イソプロピル]−4−[1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)エチル]ベンゼン 10質量部
(d)成分:PGMEA 372.5質量部
上記(a)〜(d)成分を均一に溶解した後、これに界面活性剤としてBYK−310、(ビックケミー社製)を400ppm配合し、これを孔径0.2μmのメンブランフィルターを用いてろ過して、ポジ型ホトレジスト組成物を調製した。
ポジ型ホトレジスト組成物の組成を下記に変更した他は実施例と同様に段状レジストパターンを形成し、その特性を評価した。
(a)成分:クレゾールノボラック樹脂[m−クレゾール/p−クレゾール=4/6(モル比)の混合フェノール類とホルムアルデヒドとを常法により縮合反応して得られた、質量平均分子量(Mw)=5000の樹脂] 100質量部
(b)成分:2,3,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン1モルと1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニルクロライド2.34モルとのエステル化反応生成物 27.5質量部
(c)成分:1−[1−(4−ヒドロキシフェニル)イソプロピル]−4−[1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)エチル]ベンゼン 10質量部
(d)成分:PGMEA 372.5質量部
上記(a)〜(d)成分を均一に溶解した後、これに界面活性剤としてBYK−310、(ビックケミー社製)を400ppm配合し、これを孔径0.2μmのメンブランフィルターを用いてろ過して、ポジ型ホトレジスト組成物を調製した。
2…ゲート電極
3…第1の絶縁膜
4’…第1のアモルファスシリカ膜
5’…エッチングストッパ膜
6’…第2のアモルファスシリカ膜
7’…ソースドレイン電極形成用金属膜
10…基体
R…段状レジストパターン
r1…肉厚部
r2…肉薄部
Claims (13)
- (A)基体上にホトレジスト被膜を形成する工程、および(B)選択的露光を含むホトリソグラフィ工程を経て、前記ホトレジスト被膜を、肉厚部と肉薄部を有する段状レジストパターンの形状にパターニングする工程を有するレジストパターンの形成方法であって、
(a)ゲルパーミエーションクロマトグラフィによるポリスチレン換算質量平均分子量(Mw)が8000を超えるアルカリ可溶性ノボラック樹脂、(b)ナフトキノンジアジド基含有化合物、および(d)有機溶剤を含有してなるポジ型ホトレジスト組成物を用いて前記ホトレジスト被膜を形成することを特徴とするレジストパターンの形成方法。 - 前記アルカリ可溶性ノボラック樹脂の前記ポリスチレン換算質量平均分子量(Mw)が10000以上である請求項1記載のレジストパターンの形成方法。
- 前記(B)ホトレジスト被膜をパターニングする工程の後に、(D)ポストベーク処理を行う工程を有することを特徴とする請求項1または2記載のレジストパターンの形成方法。
- 前記(D)ポストベーク処理における温度条件を120℃以下とすることを特徴とする請求項3記載のレジストパターンの形成方法。
- 前記(B)ホトレジスト被膜をパターニングする工程と、前記(D)ポストベーク処理を行う工程との間に、(C)UVキュア処理を行う工程を有することを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載のレジストパターンの形成方法。
- 上記基体として、ガラス基板上にゲート電極、第1の絶縁膜、第1のアモルファスシリカ膜、エッチングストッパ膜、第2のアモルファスシリカ膜、およびソースドレイン電極形成用金属膜が、ガラス基板側から順に積層された多層構造を有するものを用いることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載のレジストパターン形成方法。
- (a)ゲルパーミエーションクロマトグラフィによるポリスチレン換算質量平均分子量(Mw)が8000を超えるアルカリ可溶性ノボラック樹脂、(b)ナフトキノンジアジド基含有化合物、および(d)有機溶剤を含有してなり、請求項1〜6のいずれか一項に記載のレジストパターンの形成方法における前記ホトレジスト被膜の形成に用いられるポジ型ホトレジスト組成物。
- 請求項1〜6のいずれか一項に記載の方法で、肉厚部と肉薄部を有する段状レジストパターンを形成した後、(E)該段状レジストパターンをマスクとして前記基体にエッチング処理を施した後、(F)該段状レジストパターンに対してアッシング処理(灰化処理)を行って、前記肉薄部を除去し、(G)前記肉薄部を除去した後、肉厚部をマスクとして前記基体にエッチング処理を施し、しかる後に(H)前記段状レジストパターンの肉厚部を除去する工程を有することを特徴とする微細パターンの形成方法。
- 請求項6に記載の方法で、肉厚部と肉薄部を有する段状レジストパターンを形成した後、(E’)該段状レジストパターンをマスクとして前記ソースドレイン電極形成用金属膜、前記第2のアモルファスシリカ膜、前記エッチングストッパ膜、および前記第1のアモルファスシリカ膜をエッチング処理した後、(F)前記段状レジストパターンに対してアッシング処理(灰化処理)を行って、前記肉薄部を除去し、(G’)前記肉薄部を除去した後、肉厚部をマスクとして前記ソースドレイン電極形成用金属膜および前記第2のアモルファスシリカ膜をエッチング処理して前記エッチングストッパ膜層を露出させ、しかる後に(H)前記段状レジストパターンの肉厚部を除去する工程を有すること特徴とする微細パターンの形成方法。
- 上記前記ソースドレイン電極形成用金属膜のエッチング処理がウエットエッチング処理もしくはドライエッチング処理であり、前記第2のアモルファスシリカ膜のエッチング処理がドライエッチング処理であることを特徴とする請求項9記載の微細パターンの形成方法。
- (a)ゲルパーミエーションクロマトグラフィによるポリスチレン換算質量平均分子量(Mw)が8000を超えるアルカリ可溶性ノボラック樹脂、(b)ナフトキノンジアジド基含有化合物、および(d)有機溶剤を含有してなり、請求項8〜10のいずれか一項に記載の微細パターンの形成方法における前記ホトレジスト被膜の形成に用いられるポジ型ホトレジスト組成物。
- ガラス基板上に画素パターンを形成する工程を有する液晶表示素子の製造方法であって、
前記画素パターンの一部を、請求項8に記載の微細パターンの形成方法により形成することを特徴とする液晶表示素子の製造方法。 - 請求項9または10に記載の方法で微細パターンを形成した後、(I)該微細パターン上に第2の絶縁膜を設ける工程、(J)第2の絶縁膜をホトリソグラフィによりパターニングする工程、(K)パターニングされた第2の絶縁膜上に透明導電膜を形成する工程、(L)透明導電膜をホトリソグラフィによりパターニングする工程を有することを特徴とする液晶表示素子の製造方法。
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