TWI312442B - Method for forming resist pattern, method for fine pattern using the same, and method for producing liquid crystal display element - Google Patents

Method for forming resist pattern, method for fine pattern using the same, and method for producing liquid crystal display element Download PDF

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Description

1312442 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關光阻圖型之形成方法、使用其微細圖型 之形成方法及液晶顯示元件之製造方法。又，係有關適用 於該光阻圖型之形成方法及微細圖型之形成方法的正型光 阻組成物。 Φ 【先前技術】 例如製造液晶顯示元件之TFT (薄膜晶體）數組基板 時係利用，使用光阻被膜之光微影蝕刻步驟。 圖2至15爲，製造圖16所示構造之a -Si (非晶質 二氧化矽）形TFT數組基板的步驟例。該例中首先如圖2 所示，於玻璃基板1上形成閘門電極層2 ’。 其次以具有閘門電極層2’上形成光阻被膜後，介有 圖罩對該光阻被膜選擇性曝光之步驟的光微影蝕刻法製圖 φ ，而形成如圖3所示之光阻圖型R1 (第1光微影蝕刻步 驟）。 接著以所得光阻圖型R1爲圖罩蝕刻閘門電極層2’後 ，去除光阻圖型R1，而如圖4所示形成閘門電極2。 其後如圖5所示，於形成閘門電極2之玻璃基板1上 形成第1絕緣膜3後，再於其上依序形成第1 a -Si層4’ 及蝕刻抑制膜。 以具有蝕刻抑制膜5 ’上形成光阻被膜後，介有圖罩 對該光阻膜選擇性曝光之步驟的光微影蝕刻法製圖，而如 -4- (2) 1312442 圖6所示形成光阻圖型R2(第2光微影蝕刻步驟）。 接著以所得光阻圖型R2爲圖罩蝕刻蝕刻抑制膜5 ’及 第1 a _Si層4’，再去除光阻圖型R2，而形成如圖7所 示製圖化第1 α-Si層4及蝕刻抑制膜5之層合體。 其上如圖8所示依序形成第2 a -Si層6’及源汲電極 形成用金屬膜7 ’。 其後以具有金屬膜7’上形成光阻被膜後，介有圖罩 φ 對該光阻被膜選擇性曝光之步驟的光微影蝕刻法製圖，而 形成如圖9所示光阻圖型R3 (第3光微影蝕刻步驟）。 接著以所得光阻圖型R3爲圖罩蝕刻金屬膜7’及第2 α-Si層6’後，去除光阻圖型R3，而如圖10所示於蝕刻 抑制膜5上形成製圖化第2 α-Si層6及源電極與汲電極 Ί。 其次如圖11所示，於玻璃基板1上形成第2絕緣膜 8、 φ 接著以具有第2絕緣膜8’上形成光阻被膜後，介有 圖罩對該光阻被膜選擇性曝光之步驟的光微影蝕刻法製圖 ，而形成如圖1 2所示光阻圖型R4 (第4光微影蝕刻步驟 )° 其後以所得光阻圖型R4爲圖罩蝕刻第2絕緣膜8 ’， 再去除光阻圖型R4，而如圖13所示形成製圖爲具有接觸 孔形狀之第2絕緣膜8。 其次如圖1 4所示，於玻璃基板1上形成透明導電膜 -5- (3) 1312442 接著以具有透明導電膜9’上形成光阻被膜後，介有 圖罩對該光阻被膜選擇性曝光之步驟的光微影蝕刻法製圖 ，而形成如圖1 5所示光阻圖型R5 (第5光微影蝕刻步驟 )° 其後以所得光阻圖型R5爲圖罩蝕刻透明導電膜9 ’， 再去除光阻圖型R5，而如圖16所示形成製圖化透明導電 膜9，得TFT數組基板。 P 因此上述步驟製作TFT數組基板之方法中，使用光 圖罩選擇性曝光之光微影蝕刻步驟合計爲5次（第1至第 5光微影蝕刻步驟）。 但近年來強烈要求液晶顯示元件低價格化，因此需求 製造步驟簡略化及抑制光阻消耗量等。 爲了因應該需求曾提案，使用厚度因應領域而不同之 段狀光阻圖型，而以1次光微影蝕刻步驟取代先前2次光 微影蝕刻步驟之方法。該方法爲，以段狀光阻圖型爲圖罩 |進行蝕刻後，利用其厚度差而無需光微影蝕刻步驟下使段 狀光阻圖型之平面形狀變形，再作爲圖罩進行蝕刻。 專利文獻1至4記載削減光微影鈾刻步驟之次數的技 術，專利文獻5至6記載對光阻圖型進行紫外線照射處理 〇 專利文獻1 :特開2004-1 7 1 002號公報 專利文獻2 :特開2002-334830號公報 專利文獻3 :特開2000- 1 3 3 63 6號公報 專利文獻4 :特開2000- 1 3 1 7 1 9號公報 (4) 1312442 專利文獻5 :特開平9· 1 5 8 5 1號公報 專利文獻6:特開第2552648號公報 【發明內容】 發明所欲解決之課題 理論上上述方法可減低光微影蝕刻步驟，因此可抑制 光阻消耗量及簡化步驟，故可期待有效製造低價液晶顯示 φ 元件。 但以先前適用於製造液晶顯示元件之光阻材料形成該 段狀光阻圖型時耐蝕刻性及耐熱性將不足，故難實現上述 方法。 具體上如上述般，係以變形前及變形後之段狀光阻圖 型作爲圖罩用，因此其需具備高耐蝕性，但不易形成具有 這般高耐蝕性之段狀光阻圖型。 又，製造液晶顯示元件用之光阻圖型爲了承受鈾刻步 〇驟及入植步驟，而需進行曝光後加熱處理以提高耐熱性， 但先前適用於製造液晶顯示元件之光阻材料價格雖低且具 高敏感度，相反地耐熱性差，因此曝光後加熱處理會使段 狀光阻圖型液化而難維持厚度不同之形狀。 有鑑於此本發明之目的爲，提供具有優良耐蝕刻性及 耐熱性，可形成段狀光阻圖型之光阻圖型的形成方法。 又，本發明之目的爲，提供使用本發明之光阻圖型形 成方法的微細圖型形成方法，及使用其之液晶顯示元件的 製造方法。 -7- (5) 1312442 另外本發明之目的爲，使用於本發明之光阻圖型形成 方法及微細圖型成形方法的正型光阻組成物。 解決課題之手段 爲了達成上述目的，本發明之光阻圖型的形成方法爲 具有經（A)於基體上形成光阻被膜之步驟，及（B)含 選擇性曝光之光微影蝕刻步驟，而將光阻被膜製圖爲具有 g 肉厚部及肉薄部之段狀光阻圖型形狀的步驟之光阻圖型的 形成方法，又，其係使用含有凝膠滲透色譜法求取之聚苯 乙烯換算質量平均分子量（Mw)超過80 00之鹼可溶性酚 醛清漆樹脂、含萘醌二疊氮基化合物及有機溶劑之正型光 阻組成物形成光阻被膜。 本發明之光阻圖型的形成方法所使用的基體可爲，玻 璃基板上由玻璃基板側依序層合閘門電極、第1絕緣膜、 第1非晶質二氧化矽膜、蝕刻抑制膜、第2非晶質二氧化 φ矽膜及源汲電極形成用金屬膜之多層構造物。 又，本發明可提供本發明之光阻圖型形成方法中形成 光阻被膜用之正型光阻組成物，其爲含有（a)凝膠滲透 色譜法求取之聚苯乙烯換算質量平均分子量（Mw)超過 8000之鹼可溶性酚醛清漆樹脂、（b)含萘醌二疊氮基化 合物及（d )有機溶劑。 本發明之微細圖型的形成方法可爲，以本發明之光阻 圖型形成方法形成具有肉厚部及肉薄部之段狀光阻圖型後 具有，（E )以該段狀光阻圖型爲圖罩對基體進行蝕刻處 -8- (6) 1312442 胃後’ （F)對該段狀光阻圖型進行拋光處理（灰化處理 )以去除肉薄部，（G)去除肉薄部後以肉厚部爲圖罩對 基體進行蝕刻處理，（H)再去除段狀光阻圖型之肉厚部 的步驟。 又，本發明之微細圖型的形成方法可爲，以使用上述 胃有多層構造基體的本發明之光阻圖型形成方法，形成具 有肉厚部及肉薄部之段狀光阻圖型後具有，（E’）以該段 φ 狀光阻圖型爲圖罩對源汲電極形成用金屬膜、第2非晶質 =氧化矽膜、蝕刻抑制膜及第1非晶質二氧化矽膜進行蝕 刻處理後，（F)對該段狀光阻圖型進行拋光處理（灰化 處理）以去除肉薄部，（G’）去除肉薄部後以肉厚部爲圖 罩對源汲電極形成用金屬膜及第2非晶質二氧化矽膜進行 蝕刻處理，以露出蝕刻抑制膜層，（Η)再去除段狀光阻 圖型之肉厚部的步驟。 另外本發明可提供使用於本發明之微細圖型形成方法 0中形成光阻被膜用的正型光阻組成物，其爲含有（a)凝 膠滲透色譜法求取之聚苯乙烯換算質量平均分子量（Mw )超過8000之鹼可溶性酚醛清漆樹脂、（b)含萘醌二疊 氮基化合物及（d)有機溶劑。 本發明之液晶顯示元件的製造方法爲，具有於玻璃基 板上形成畫素圖型之步驟的液晶顯示元件之製造方法，其 中部分畫素圖型係由本發明之微細圖型的形成方法形成。 又，本發明之液晶顯示元件的製造方法爲，使用多層 構造基體以本發明的微細圖型形成方法形成微細圖型後具 -9- (7) 1312442 有，（I)於微細圖型上設置第2絕緣膜之步驟’ （J)以 光微影蝕刻法對第2絕緣膜製圖之步驟’ （K)於製圖化 第2絕緣膜上形成透明導電膜之步驟，及（L)以光微影 蝕刻法對透明導電膜製圖之步驟。 發明之效果 因本發明之光阻圖型的形成方法係使用樹脂成份爲鹼 φ 可溶性酚醛清漆樹脂、感光性成份爲含氫醌二叠氮基化合 物之正型光阻組成物，特別是鹼可溶性酚醛清漆樹脂之 Mw爲上述特定範圍的正型光阻組成物，故可形成具有良 好耐熱性、耐蝕性及優良形狀安定性之段狀光阻圖型。 本發明之微細圖型的形成方法所形成之段狀光阻圖型 因具有優良耐蝕性，故以該段狀光阻圖型爲圖罩蝕刻基體 後，可以拋光處理去除段狀圖型之肉薄部，再以所得物爲 圖罩蝕刻基體。因此可減少使用光圖罩對光阻被膜製圖之 φ光微影蝕刻步驟次數。 結果可抑制光阻消耗量，及削減高價光圖罩之費用， 且可使步驟簡略化。 因本發明之正型光阻組成物爲，以鹼可溶性酚醛清漆 樹脂爲樹脂成份，及以含氫醌二疊氮基化合物爲感光性成 份之正型光阻組成物，特別是鹼可溶性酚醛清漆樹脂之 Mw具有上述特定範圍的高分子量物，因此對該組成物所 形成之光阻被膜製圖而得的光阻圖型具有良好耐熱性、耐 蝕性及優良形狀安定性。故該正型光阻組成物適用爲，本 -10- (8) 1312442 發明之光阻圖型形成方法及微細圖型形成方法中形成段狀 光阻圖型之光阻被膜材料。 本發明之液晶顯示元件的製造方法因可減少玻璃基板 上形成畫素圖型之過程中光微影蝕刻步驟的次數，故可實 現抑制光阻消耗量及削減光圖罩使用量。又，可簡略化製 造步驟，故可有效製造低價液晶顯示元件。 φ 實施發明之最佳形態 <正型光阻組成物>〔（a )成份〕 本發明之正型光阻組成物的鹼可溶性酚醛清漆樹脂（ a)可任意選用一般正型光阻組成物作爲被膜形成物用， 且可將（a)成份全體調製爲凝膠滲透色譜法（本說明書 亦簡稱爲GPC)求取之聚苯乙烯換算質量平均分子量（本 說明書亦僅以Mw記載）超過8000之物。 (a)成份之Mw超過8000時可具有曝光後加熱處理 φ時不因加熱等而產生液化現象之程度的高耐熱性，及良好 耐蝕性，特別是可實現耐乾蝕性優良之段狀光阻圖型。 Mw値愈大代表可達成愈高之耐熱性及耐蝕性。（a)成 份之Mw較佳爲1 0000以上。但（a )成份之Mw太大時 會傾向光阻敏感度變差’故（a)成份之Mw上限値較佳 爲80000以下，更佳爲50000以下。 鹼可溶性酚醛清漆樹脂（a)之具體例如，酸觸媒下 下列苯酚類與醛類反應而得之酚醛清漆樹脂。 該苯酚類如’苯酚：m -甲酚、p_甲酚、〇_甲酚等甲酧 -11 - (9) 1312442 ;2,3-二甲苯酚、2,5-二甲苯酚、3,5-二甲苯酚、3,4-二甲 ‘苯酚等二甲苯酚類；m-乙基苯酚、p-乙基苯酚、〇·乙基苯 酚、2,3,5-三甲基苯酚、2,3,5·三乙基苯酚、4-tert-丁基苯 酚、3-tert-丁基苯酚、2-tert-丁基苯酚、2-tert-丁基-4-甲 基苯酚、2-tert-丁基-5-甲基苯酚等烷基苯酚類；P-甲氧基 苯酚、m-甲氧基苯酚、p-乙氧基苯酚、m-乙氧基苯酚、p-丙氧基苯酚、m-丙氧基苯酚等烷氧基苯酚類；〇-異丙烯基 g苯酚、P-異丙烯基苯酚、2-甲基-4-異丙烯基苯酚、2-乙 基-4·異丙烯基苯酚等異丙烯基苯酚類；苯基苯酚等芳基 苯酚類；4,4’-二羥基聯苯、雙酚A、間苯二酚、氫醌、焦 掊酚等聚羥基苯酚類等。其可單獨使用或2種以上組合使 用。該苯酚類中特佳爲m-甲酚、p-甲酚、2，3,5-三甲基苯 酚。 上述醛類如，甲醛、對甲醛、三噁烷、乙醛、丙醛、 丁醛、三甲基乙醛、丙烯醛、巴豆醛、環己醛、糠醛、呋 φ喃基丙烯醛、苯甲醛、對二甲苯醛、苯基乙醛、α-苯基 丙基醛、/3-苯基丙基醛、〇-羥基苯甲醛、ρ-羥基苯甲醛 、Ρ-羥基苯甲醛、〇-甲基苯甲醛、m-甲基苯甲醛、ρ-甲基 苯甲醛、〇-氯苯甲醛、m-氯苯甲醛、p-氯苯甲醛、肉桂醛 等。其可單獨使用或2種以上組合使用。該醛類中又以易 取得之甲醛爲佳，爲了提升耐熱性特佳爲羥基苯甲醛類及 甲醛之組合物。 上述酸性觸媒如，鹽酸、硫酸、甲酸、草酸、對甲苯 磺酸等。 -12- (10) 1312442 又，壓低（a)成份中之雙核體含量時，於曝光後加 熱等加熱處理時可降低脫氣量，而防止段狀光阻圖型之收 縮現象、多巨孔、裂化等發生，及抑制段狀光阻圖型所產 生之脫氣污染處理室而爲佳。 本發明之雙核體爲具有2個苯酚核之縮合體分子，雙 核體含量爲GPC之檢驗波長280nm下色譜上的存在率。 具體上本說明書係使用下列GPC系統測定雙核體含量》 B 裝置名：SYSTEM 11 (製品名、昭和電工公司製）， 前柱：KF-G (製品名、Shodex公司製），柱：KF-802 ( 製品名、Shodex公司製），檢驗器：UV41 (製品名、 Shodex公司製），以280nm測定。溶劑等：以流量1.0ml /分流動四氫呋喃，35 °C下測定。 (a)成份中之雙核體含量較佳爲4.0%以下。（a) 成份之雙核體含量愈小代表加熱時愈能降低脫氣量，但雙 核體含量愈小製造成本愈高，因此（a)成份中之雙核體 φ含量的下限値較佳爲0.1%。（a)成份中之雙核體含量更 佳爲 1.0_至 3.0%。. 調製（a)成份之Mw及雙核體含量方式可爲，一般 以酚醛清漆樹脂之合成反應合成苯酚類及醛類後，以已知 之分別等操作法取出低分子領域。 分別等操作如，將縮合反應所得之酚醛清漆樹脂溶解 於良好溶劑，例如甲醇、乙醇等醇、丙醇、甲基乙基酮等 酮、乙二醇-乙基醚乙酸酯、四氫呋喃等，再注入水中沈 澱等方法進行。 -13- (11) 1312442 又，酚醛清漆樹脂之合成反應（縮合反應）途中 如可以水蒸氣蒸餾法減少雙核體含量（特開2000-1 號公報）。 (a)成份可由1種酚醛清漆樹脂或2種以上之 清漆樹脂形成。由2種以上之酚醛清漆樹脂形成時可 ，Mw超過80 0 0之不包含於雙核體含量4 %以下範圍 酚醛清漆樹脂，又，（a)成份全體之Mw超過8000 核體含量可爲4%以下。因此可適當混用Mw及雙核 量相異之2種以上酚醛清漆樹脂，以調整（a)成 Mw及雙核體含量。 〔（b )成份〕 (b)含氫醌二疊氮基化合物爲感光性成份、該< 成份可爲，例如先前製造液晶顯示元件用正型光阻組 中，作爲感光性成份之物。 例如（b )成份較佳爲’下列式（I )所示含苯酚 基化合物及1，2 -氫醌二疊氮磺酸化合物之酯化反應生 (b 1 ) ’及/或下列式（II )所示含苯酚性羥基化合 1，2 -氫醌二疊氮磺酸化合物之酯化反應生成物（b2) 1，2·氫醌二疊氮磺酸化合物較佳爲l52_氫醌二疊氮基_ 醯化合物。 ，例 3 185 酚醛 含有 內的 時雙 體含 份之 ：b) 成物 性羥 成物 物及 。該 5-磺 -14- (12) 1312442
化2 R 10 (〇H)a
R9
(〇H)b Q (Π) 〔式中，R1至R8各自獨立爲氫原子、鹵原子、碳原 子數1至6之烷基、碳原子數1至6之烷氧基或碳原子數 3至6之環烷基；r9至Rl1各自獨立爲氫原子或碳原子數 1至6之院基；Q爲氫原子、碳原子數〗至6之院基、鍵 結R9的碳原子鏈3至6之環烷基或下列化學式（III )所 示殘基 〔化3〕
(IH) (式中，R12及R13各自獨立爲氫原子、鹵原子、碳 原子數1至6之烷基、碳原子數1至6之院氧基或碳原子 之環烷基；c爲1至3之整數）；a、b爲1至3之整數； d爲0至3之整數；η爲0至3之整數〕 -15- (13) 1312442 (bl )成份之平均酯化率爲50至70%，較佳爲55至 65%。低於50%時易使顯像後之膜減少，而降低殘膜率， 又，超過70%時傾向降低保存安定性而不宜》 (b2 )成份之平均酯化率爲40至60%，較佳爲45至 55%。低於40%時易使顯像後之膜減少，而降低殘膜率， 又，超過60%時傾向敏感度明顯惡化。 (b2)成份又以高解像性光阻圖型之形成時特別優良 φ 的下列式（IV )所示含苯酚性羥基化合物，及1，2-萘醌二 叠氮磺酸化合物之酯化反應生成物（b3)爲佳。 〔化4〕
又，（b)成份除了上述感光性成份外，可使用其他 醌二疊氮酯化物，其使用量較佳爲（b )成份中之3 0質量 %以下，特佳爲25質量％以下。 光阻組成物之（b)成份添加量較佳爲，對鹼可溶性 酚醛清漆樹脂（a)及後述含苯酚性羥基化合物（c)之合 計量100質量份爲15至40質量份，更佳爲20至30質量 份。（b )成份含量小於該範圍時會明顯降低複印性，而 無法得到所希望之光阻圖型形狀。又，多於該範圍時會使 敏感度及解像性變差，且顯像處理後易有殘渣物。 -16- (14) 1312442 (b)成份特佳爲，價格極低且可調製高敏感度之光 阻組成物及具有優良耐熱性的（bl)。 (b)成份可因應顯像步驟所使用之曝光波長作選擇 。例如選擇性曝光之步驟係使用ghi線（g線、h線及i 線）曝光時適用（bl)，又，使用i線曝光時可使用（b2 )成份，但較佳爲倂用（bl )及（b2 )。 特別是使用i線曝光時倂用（b 1 )及（b2 )之情形下 φ ，對（b2)之（bl)添加量較佳爲50質量份以下。（bl )之添加量太多時恐降低解像性及敏感度。 〔（c )成份〕 本發明之正型光阻組成物較佳爲，含有分子量1000 以下之含苯酚性羥基化合物（C )，如此可得到提升敏感 度之效果。 特別是製造液晶顯示元件之領域上，如何提升生產量 Φ係重大問題，且光阻消耗量龐大’因此寄望於光阻組成物 具高敏感度的同時價格低，而使用該（C)成份可以低價 達成高敏感度故而爲佳。另外含有（c)成份時可於光阻 圖型形成強力表面難溶化層，因此可減少顯像時未曝光部 之光阻膜減少量，及抑制因顯像時間差而產生的顯像斑。 (C)成份之分子量超過1000時將無法得到提升敏感 度之效果而不宜。 該（C)成份適用先前製造液晶顯示元件用之正型光 阻組成物所使用，分子量1 〇〇〇以下之含苯酣性經基化合 -17- (15) 1312442 物，但以下列一般式（11 )所示含苯酚性羥基化合物可有 效提升敏感度及具有良0 Κ熱性S佳°
〔式中，R1至R8各自獨立爲氫原子、鹵原子、碳原 子數1至6之烷基、碳原子數1至6之烷氧基或碳原子數 3至6之環烷基；以至Rl1各自獨立爲氫原子或碳原子數 1至6之烷基；Q爲氫原子、碳原子數1至6之烷基、鍵 結R9的碳原子鏈3至6之環烷基’或下列化學式（ΠΙ) 所示殘基
(式中，R12及R13各自獨立爲氫原子、鹵原子、碳 原子數1至6之烷基、碳原子數1至6之烷氧基或碳原子 數3至6之環院基；c爲1至3之整數）；3及1)爲1至 3之整數；3爲0至3之整數；11爲0至3之整數〕 其可單獨使用或2種以上倂用。 上述苯酚化合物中又以下列式（V )所示化合物（I _ -18- (16) 1312442 〔卜（4-羥基苯基）異丙基〕-4-〔1，1-雙（4·羥基苯基） 乙基〕苯），及雙（2,3,5-三甲基-4-羥基苯基）-2-羥基苯 基甲烷具有優良高敏感化及高殘膜變化而爲佳，特佳爲具 有優良敏感度之式（V)所示化合物。 〔化7〕
OH
OH (c)成份添加量對（a)成份用之鹼可溶性酚醛清漆 樹脂100質量份爲1至25質量份，較佳爲5至20重量》/〇 。正型光阻組成物（c )成份含量太少時，將無法得到充 φ分提升高敏感度化及高殘膜率化，又，太多時易使顯像後 基板表面產生殘渣物，及提高原料成本而不宜。 〔（d )成份〕 本發明之正型光阻組成物的使用形態又以，將（a ) 及（b)成份，較佳爲（a)至（c)成份溶解於有機溶劑 (d )之溶液爲佳。 有機溶劑（d)又以丙二醇-甲基醚乙酸酯（pGMEA) 具有優良塗佈性’及大型基板上具有優良之光阻被膜膜厚 _ 19 - (17) 1312442 均勻性而爲佳。 最佳以PGMEA爲單獨溶劑使用，但可使用 PGMEA 以外之溶劑，例如乳酸乙酯、r -丁內酯、丙二醇-丁基醚 等。 使用乳酸乙酯時，其添加量對PGMEA之質量比爲 0.1至10倍量，較佳爲1至5倍量。 又，使用r-丁內酯時，其添加量對PGMEA之質量比 φ 爲0.01至1倍量，較佳爲0.05至0.5倍量。 本發明於形成段狀光阻圖型形成用之光阻被膜時，該 光阻被膜之厚度爲1.0至3.0/zm，特佳爲1.5至2.5/im ，因此將使用上述有機溶劑的正型光阻組成物中，對組成 物全部質量之（a)至（c)成份合計量調整爲30質量％ 以下，較佳爲20至28質量％時可得良好塗佈性而爲佳。 〔其他成份〕 φ 又，無損本發明目的之範圍內，本發明之正型光阻組 成物可使用表面活性劑、保存安定劑等各種添加劑。例如 可適當含有防止光暈用之紫外線吸收劑，其例如 2,2’，4,4’-四羥基二苯甲酮、4-二甲基胺基-2’，4’-二羥基二 苯甲酮、5-胺基-3-甲基-1-苯基-4-(4-羥基苯基偶氮）吡 唑、4-二甲基胺基_4’·羥基偶氮苯、4·二乙基胺基·4’_乙氧 基偶氮苯、4_二乙基胺基偶氮苯、薑黃素等，或防止條紋 用之表面活性劑，其例如佛洛拉F C - 4 3 0、F C 4 3 1 (商品名 、住友 3Μ (股）製）、耶普特 EF1 22Α、EF122Β、 -20- (18) 1312442 EF122C、EF126(商品名、特肯姆（股）製）等氟系表面 活性劑、梅格芳R-60 (商品名、大日本油墨化學工業公 司製）等氟-矽系表面活性劑、BYK-310C商品名、比肯 密公司製）等。 下面將舉適用於製造液晶顯示元件用之例，且參考圖 1說明本發明之光阻圖型的形成方法，及使用其的微細圖 型形成方法的實施形態。 φ 首先準備基體，本發明之基體並無特別限制，但以使 用基板上層合2層以上經蝕刻燒烤層之基體，可更有效得 到效果而爲佳。 製造液晶顯示元件時，基體10如圖1(a)所示爲， 基板1上依序層合閘門電極2、第1絕緣膜3、第1非晶 質二氧化矽膜4’、蝕刻抑制膜5’、第2非晶質二氧化矽 膜6’及源汲電極形成用金屬膜7’之多層構造物。將閘門 電極2製圖時可依上述圖2至圖4所示順序（具有第1光 φ微影蝕刻步驟）進行。 玻璃基板大小並無特別限制，可爲500x600mm2以上 ’特佳爲55〇x650mm2以上之大型基板。 形成閘門電極2之材料如，鋁（A1 )、鉻（Cr)、鈦 (Ti)或鉬（Mo)等金屬等導電性材料。 第1絕緣膜3例如可由SiNx而成。 蝕刻抑制膜5 ’例如可由s i N x所形成。 源汲電極形成用金屬膜7,例如可由依序層合鈦（Ti) 、銘（A1 )及鈦（Ti )之層合膜所構成。 -21 - (19〉 1312442 (A) 首先於基體10上形成光阻被膜R’。具體而言 爲，將上述本發明之光阻組成物塗佈於基體1 0上，以 100至140 °C加熱乾燥（預烤）後形成光阻被膜R’。 光阻被膜R’之厚度較佳爲1.0至3.0"m。光阻被膜 R’之厚度爲該範圍時可使光阻敏感度及製造安定性兩立而 爲佳。 (B) 其次經由光微影蝕刻步驟如圖1(b)所示，對 φ 光阻被膜R’製作具有肉厚部rl及肉薄部12之圖型形狀。 具體而言爲，例如介有設定爲半度圖罩等之透光率的圖罩 (網）對光阻被膜R’進行選擇性曝光後顯像、水洗，而 形成領域上厚度不同之具有肉厚部rl及肉薄部r2之段狀 光阻圖型R(第2光微影蝕刻步驟）。 爲了使後述拋光處理僅去除肉薄部r2而殘留適當厚 度之肉厚部rl，段狀光阻圖型R之肉厚部rl與肉薄部Γ2 之差較佳爲0.5至1.5/zm，更佳爲0.7至】.3//m。 φ ( C )製圖後較佳爲進行UV (紫外線）固化處理。 本發明非必須進行UV固化處理，但該處理可提升段 狀光阻圖型R之耐蝕性及耐熱性。 UV固化處理可使用己知之方法進行。例如使用烏西 歐電機公司製「製品名：UMA-802-HC552」等紫外線照射 裝置全面照射段狀光阻圖型R。 紫外線照射條件又以UV固化時不會使光阻圖型形狀 變形，且可得具有優良耐蝕性及良好耐熱性之光阻圖型R ，特別是以Deep UV領域至可視光領域之波長（波長200 -22- (20) 1312442 至5 00nm)紫外線，以照射量約1 000至5 0000mJ/cm2照 射爲佳。照射量更佳爲2000至20000mJ/cm2。又，照射 量可以照射用紫外線之強度及照射時間控制。 UV固化（照射）時較佳爲，能控制激烈照射或照射 時溫度上升，而使照射部不產生皺折。 (D)其後較佳爲，對段狀光阻圖型R進行曝光後加 熱處理。 B 實施UV固化處理時，可於UV固化處理後進行曝光 後加熱處理" 實施UV固化處理時非必須進行曝光後加熱處理，但 該加熱處理可提升段狀光阻圖型R之耐蝕性及耐熱性，特 別是乾蝕性。又，曝光後加熱處理可提升段狀光阻圖型R 與基體10之密合性，因此既使對濕蝕處理也能有效得到 高耐性。 因形成本發明之光阻被膜用的正型光阻組成物本身具 φ有高耐蝕性，故既使曝光後加熱處理步驟設定之溫度較低 ，也能有效提升處理後之耐蝕性。 例如曝光後加熱處理之加熱條件較佳設定爲，溫度條 件1 00至1 50°c、加熱時間1至5分鐘。加熱條件更佳爲 1 10至130°C、1至2分鐘。又，爲了確實防止段狀光阻 圖型R之形狀變化，特佳爲〗20 °C以下之溫度條件下進行 〇 另外因形成光阻被膜用之正型光阻組成物本身具有高 耐熱性，故可抑制曝光後加熱處理時段狀光阻圖型R變形 -23- (21) 1312442 。又，UV固化處理後進行曝光後加熱處理時，可更進一 步提升UV固化處理後段狀光阻圖型R之耐熱性，因此曝 光後加熱處理可確實抑制圖型變形。 (E) 接著以該段狀光阻圖型R爲圖罩，如圖1(c) 所示蝕刻基體10之金屬膜7’。蝕刻金屬膜7’可以已知方 法進行。一般係使用濕蝕處理，但可使用乾蝕。 其後以相同段狀光阻圖型R爲圖罩，如圖1(d)所 φ 示蝕刻上述金屬膜7’蝕刻後所露出之第2非晶質二氧化 矽膜6’、其下方之蝕刻抑制膜5 ’及第1非晶質二氧化矽 膜4’。蝕刻該層可以已知方法進行，一般爲乾蝕處理。 該乾蝕處理可爲物理式方法或化學式方法，且本發明 可使用任何方法，因此可因應蝕刻對象之材質作適當選擇 〇 (F) 其次對段狀光阻圖型R進行拋光處理，如圖1 (e)所示去除肉薄部r2。拋光處理可以已知方法進行^ φ 對段狀光阻圖型R進行拋光處理時會同時減少肉厚部 rl及肉薄部r2之膜，因此當完全去除肉薄部r2而露出下 方金屬膜7’及殘留肉厚部rl之狀態時需停止拋光處理， 方可僅去除肉薄部r2。殘留之肉厚部rl太薄時會使蝕刻 圖罩用之機能不足，因此肉厚部rl之厚度較佳爲0.5/zm 以上。 (G )接著如圖1 ( f)所示，以殘留之內厚部r 1爲 圖罩對去除肉薄部r2後露出之金屬膜7’進行蝕刻處理， 而形成源電極及汲電極7。 -24- (22) 1312442 其後如圖1 (g)所示’以殘留之肉厚部rl爲圖罩對 金屬膜7’蝕刻後露出之第2非晶質二氧化砂膜6’進行蝕 刻，而形成製圖化之第2非晶質二氧化矽膜6 ° (Η)其次去除肉厚度rl。去除肉厚部rl之方法可 爲拋光處理等已知方法。 經上述步驟可得同圖10所示構造之微細圖型。 接著可以同上述圖11至圖15所示之步驟製造TFT Φ 數組基板。即如（I)圖11所示’於所得微細圖型上形成 第2絕緣膜8’。該第2絕緣膜8’例如可由SiNx形成。 (J)於第2絕緣膜8’上形成光阻被膜後，利用具有 介由光阻被膜爲圖罩進行選擇性曝光之步驟的光微影蝕刻 法製圖，而如圖12所示形成光阻圖型R4(第3光微影蝕 刻步驟）。以所得光阻圖型R4爲圖罩對第2絕緣膜8 ’進 行蝕刻，以去除光阻圖型R4後，如圖1 3所示得製圖化具 有接觸孔形狀的第2絕緣膜。 φ (K)如圖14所示於製圖化第2絕緣膜8上形成透 明導電膜9’。透明導電膜9’例如可由ITO (氧化銦錫） 形成。 (L )於透明導電膜9，上形成光阻被膜後，利用具有 該光阻被膜爲圖罩選擇性曝光之步驟的光微影蝕法製圖， 而如圖15所示形成光阻圖型r5(第4光微影蝕刻步驟） 〇 其後以所得光阻圖型R5爲圖罩蝕刻透明導電膜9，， 再去除光阻圖型R5，而如圖〗6所示形成製圖化透明導電 -25- (23) 1312442 膜9，得TFT數組基板。 利用已知方法組裝使所得TFT數組基板及對向基板 間挾持液晶後，得液晶顯示元件。 本實施形態可形成具有高耐蝕性之段狀光阻圖型R， 因此以該段狀光阻圖型R爲圖罩下蝕刻基體之金屬膜 7’、第2非晶質二氧化矽膜6’、蝕刻抑制膜5’及第1非 晶質二氧化矽膜4’後，可以段狀光阻圖型R之肉厚部rl φ 爲圖罩蝕刻金屬膜7’及第2非晶質二氧化矽膜6’。 故可減少TFT數組基板製造過程中的光微影蝕刻步 驟之次數。例如圖2至圖15所示之先前方法中，製造 TFT數組基板時需進行5次光微影蝕刻步驟（第1至第5 光微影蝕刻步驟），但本實施形態製造相同構造之TFT 數組基板時只需4次光微影蝕刻步驟（第1至第4光微影 蝕刻步騾）。因此可抑制光阻消耗量及簡化步驟，故可削 減TFT數組基板之製造成本。 φ 又，本實施形態所形成之段狀光阻圖型R具有良好耐 熱性，故可防止曝光後加熱處理時變形。 另外進行UV固化處理及/或曝光後加熱處理可提升 段狀光阻圖型R之耐熱性及耐蝕性。因此同時進行UV固 化處理及曝光後加熱處理時可更進一步提升段狀光阻圖型 R之耐熱性及耐鈾刻性。 本實施形態之段狀光阻圖型爲剖面凹狀，但段狀光阻 圖型可爲領域上厚度不同之具有肉厚部及肉薄部的形狀， 故可因應蝕刻後所形成之微細圖型形狀適當設計。例如肉 -26- (24) 1312442 厚部外圍設肉薄部之剖面凸狀，或剖面山型狀。 本實施形態適用於製造圖16所示構造之a_si (非晶 質二氧化政）型T F T數組基板之步驟，但非限於該例。 本發明適用於製造具有備驅動兀件之畫素圖型的液晶面板 ，特別是具有備各種構造之TFT元件的畫素圖型之TFT 數組基板。以本發明之微細圖型形成方法形成部分畫素圖 型時可得同本實施形態之效果。 【實施方式】 下列實施例及比較例中係以下列光阻圖型形成方法1 至4之各方法形成段狀光阻圖型後，以下列方法評估耐熱 性、耐乾蝕性及耐濕蝕性。 (光阻圖型形成方法1:UV固化無、曝光後加熱120°C ) 使用光阻塗佈裝置〔TR_36000 (東京應化工業（股） 製）〕以中央滴液&旋轉塗佈法，將所得正型光阻組成物 φ以一定膜厚（50μιη)方式盛液後以〗〇〇〇rpm回轉1〇秒 ，而於形成Ti膜之玻璃基板（ 360mmx460mm)上形成光 阻層。 其次使用130°C之熱板溫度，以間隔約lmm之近似 烘烤法進行60秒第1次乾燥後，使用120°C之熱板溫度 以間隔0.5mm之近似烘烤法進行60秒第2次乾燥，形成 膜厚2.0// m之光阻被膜。 對該光阻被膜介由圖罩進行選擇性曝光，顯像處理、 洗淨後製圖爲，如圖1所示剖面凹狀。肉厚部厚度2.0 -27- (25) 1312442 ym、肉薄部厚度l_〇/zm、全體幅寬15#m、肉薄部幅寬 5//m之段狀光阻圖型形狀。 其後以120°C進行180秒曝光後加熱處理，得段狀光 阻圖型。 (光阻圖型形成方法2 : UV固化無、曝光後加熱1 3 (TC ) 除了將曝光後加熱處理溫度改爲13 0°C外，其他同光 阻圖型形成方法1形成段狀光阻圖型》 φ (光阻圖型形成方法3: UV固化有、曝光後加熱無） 除了製圖後不進行曝光後加熱處理，取代進行波長 2 00至5 00nm、照射量300 0mJ/cm2之UV固化處理外，其 他同光阻圖型形成方法1形成段狀光阻圖型。 (光阻圖型形成方法4:UV固化有、曝光後加熱120°C ) 除了製圖後進行波長200至5 00nm、照射量3000 mJ/cm2之UV固化後（照射）處理後，再進行120°C、 180秒之曝光後加熱處理外，其他同光阻圖型形成方法1 φ形成段狀光阻圖型。 (1 )評估耐熱性： 對實施例及比較例所得之光阻圖型進行130°C、300 秒之加熱處理後，視光阻圖型形狀未變形之物爲〇，視變 形之物爲X。 (2 )評估耐乾蝕性： 對實施例及比較例所得之光阻圖型使用乾蝕裝置「 -28- (26) 1312442 TCE-7612X」（裝置名、東京應化工業公司製），以各自 爲4 0毫升/ m i η、4 0毫升/ m i η、1 6 0毫升/ m i η之c F 4 、CF3、He作爲蝕刻氣體，於SOOmTorr·1之減壓下以 70 0W-400kHz、等級溫度：20°C、目標溫度：25°C之處理 條件進行乾飩處理後，視處理前後光阻圖型形狀未變形之 物爲〇，視稍有變形之物爲△。 φ ( 3 )評估耐濕蝕性： 對實施例及比較例所得之光阻圖型進行，將形成該光 阻圖型之基板浸漬於設定爲2(TC之濕蝕液〔含氟化氫酸 (HF ) /氟化銨（NH4F ) =1/6(質量比）之混合液20質 量％的水溶液〕中10分鐘之濕蝕處理，處理後視光阻圖 型由基底板剝離之物爲〇，視稍爲剝離之物爲△，視剝離 之物爲X。 _ (實施例1 ) 以下列方法調製正型光阻組成物。 (a) 成份：甲酚酚醛清漆樹脂〔以常法使m-甲酚/ p_甲酚=4/6 (莫耳比）之混合苯酚類及甲醛縮合反應而得 ，質量平均分子量（Mw) =30000之樹脂〕 1〇〇質量份 (b) 成份：2,3,4,4，-四羥基二苯甲酮1莫耳與1，2-萘醌二疊氮-5-磺醯氯化物2.34莫耳之酯化反應生成物 2 7.5質量份。 (c) 成份：ΐ·〔ι·(4-羥基苯基）異丙基〕-4-〔1，1· -29- (27) 1312442 雙（4-羥基苯基）乙基〕苯 10質量份 (d )成份：PGMEA 3 72.5質量份 將（a )至（d )成份均勻溶解後，加入表面活性劑 BYK-310C比肯密公司製）400ppm，再以孔徑0.2/zm之 膜濾器過濾，得正型光阻組成物。 使用所得正型光阻組成物各自以上述光阻圖型形成方 法1至4形成段狀光阻圖型。 B 評估各自所得之段狀光阻圖型的耐熱性、耐乾蝕性及 耐濕鈾性，結果如表1所示。 (實施例2) 除了依下列變更正型光阻組成物之組成外，其他同實 施例形成段狀光阻圖型，及評估其特性。 (a) 成份：甲酚酚醛清漆樹脂〔以常法使m-甲酚/ p-甲酚=4/6 (莫耳比）之混合苯酚類及甲醛縮合反應而得 φ的，質量平均分子量（Mw) =30000之樹脂〕 100質量 份 (b) 成份：上述式（IV)所示苯酚化合物〔雙（2-甲基-4-羥基-5-環己基苯基）-3,4-二羥基苯基甲烷〕1莫 耳與1，2·萘醌二疊氮-5-磺醢氯化物2.34莫耳之酯化反應 生成物 2?·5質量份 (c) 成份：1-〔1-(4-羥基苯基）異丙基〕-4-〔1，1-雙（4-羥基苯基）乙基〕苯 10質量份 (d) 成份：PGMEA 372.5質量份 -30- (28) 1312442 將（a )至（d )成份均勻溶解後，加入表面活性劑 BYK-310(比肯密公合製）400ppm，再以孔徑〇.2/zm之 膜濾器過濾，得正型光阻組成物。 (實施例3) 除了依下列變更正型光阻組成物之組成物外，其他同 實施例所形成段狀光阻圖型，及評估其特性。 | (a)成份：甲酚酚醛清漆樹脂〔以常法使m-甲酚/ P-甲酚=4/6 (莫耳比）之混合苯酚類及甲醛縮合反應而得 的，質量平均分子量（Mw) =15000之樹脂〕 100質量 份 (b )成份：2,3,4,4’-四羥基二苯甲酮1莫耳與1，2-萘醌二疊氮-5 -磺醯氯化物2.34莫耳之酯化反應生成物 27.5質量份 (c) 成份：1-〔1·(4 -羥基苯基）異丙基〕-4-〔l，l-φ雙（4-羥基苯基）乙基〕苯 〗0質量份 (d) 成份：PGMEA 372.5質量份 將（a )至（d )成份均勻溶解後，加入表面活性劑 BYK-3 10 (比肯密公合製）400ppm，再以孑L徑0.2 // m之 膜濾器過濾，得正型光阻組成物。 (比較例1 ) 除了依下列變更正型光阻組成物之組成外，其他同實 施例形成段狀光阻圖型，及評估其特性。 -31 - (29) 1312442 (a) 成份：甲酚酚醛清漆樹脂〔以常法使m-甲酚/ p-甲酣=4/6 (莫耳比）之混合苯酚類及甲醛縮合反應而得 的，質量平均分子量（Mw) =8000之樹脂〕 1〇〇質量 份 (b) 成份：2,3,4,4’-四羥基二苯甲酮1莫耳與1，2-萘醌二疊氮-5·磺醢氯化物2_34莫耳之酯化反應生成物 2 7.5質量份 (c) 成份：1-〔 1- ( 4-羥基苯基）異丙基〕-4-〔 1，1-雙（4-羥基苯基）乙基〕苯 〗〇質量份 (d) 成份：PGMEA 372.5質量份 將（a )至（d )成份均勻溶解後，加入表面活性劑 BYK-310 (比肯密公合製）4 00ppm，再以孔徑0.2//m之 膜濾器過濾，得正型光阻組成物。 (比較例2) 除了依下列變更正型光阻組成物之組成外，其他同實 施例形成段狀光阻圖型，及評估其特性。 (a)成份：甲酚酚醛清漆樹脂〔以常法使m-甲酚/ p_甲酚=4/6 (莫耳比）之混合苯酚類及甲醛縮合反應而得 的，質量平均分子量（Mw) =8000之樹脂〕 1〇〇質量 份 (b )成份：上述式（IV )所示苯酚化合物〔雙（2-甲基-4-羥基-5-環己基苯基）-3,4-二羥基苯基甲烷〕1莫 耳與1,2-萘醌二疊氮-5-磺醯氯化物2.34莫耳之酯化反應 -32- (30) 1312442 生成物 27.5質量份 (c) 成份：i-〔i-(4 -羥基苯基）異丙基〕·4·〔ι，ΐ-雙（4 -羥基苯基）乙基〕苯 1〇質量份 (d) 成份：PGMEA 372.5質量份 將（a )至（d )成份均勻溶解後，加入表面活性劑 BYK-310 (比肯密公合製）400ppm，再以孔徑0.2ym2 膜濾器過濾，得正型光阻組成物。 (比較例3 ) 除了依下列變更正型光阻組成物之組成外，其他同實 施例形成段狀光阻圖型，及評估其特性。 (a)成份：甲酚酚醛清漆樹脂〔以常法使甲酚/ p-甲酣=4/6 (莫耳比）之混合苯酚類及甲醛縮合反應而得 的，質量平均分子量（Mw) =5000之樹脂〕 100質量 份 φ ( b )成份：2,3,4,4’-四羥基二苯甲嗣1莫耳與ι，2- 萘醌二疊氮-5·磺醯氯化物2.34莫耳之酯化反應生成物 2 7.5質量份 (c)成份：i-〔i-(4.羥基苯基）異丙基〕-4_〔丨，卜 雙（4 -羥基苯基）乙基〕苯 10質量份 (d )成份：PGMEA 372_5質量份 將（a )至（d )成份均勻溶解後，加入表面活性劑 BYK-3 10 (比肯密公合製）4〇〇ppm，再以孔徑〇·2 " m之 膜濾器過濾’得正型光阻組成物。 -33- (31) 1312442 〔表1〕 光阻圖型形成 耐熱 耐乾 耐濕 方法 UV固化 曝光後加熱 性 蝕性 蝕性 1 4m. > t、、 120°C 〇 Δ 〇 2 Μ 〆》、、 1 3 0 °C 〇 〇 〇 實施例 1 3 有 4E j\\\ 〇 〇 X 4 有 120°C 〇 〇 Δ 1 ^ΤΤΓ ΙΙΙΓ 1 20°C 〇 Δ 〇 2 Μ 13 0°C 〇 〇 〇 實施例 2 3 有 M jw\ 〇 〇 X 4 有 1 20°c 〇 〇 Δ 1 Μ V (、、 1 20°C 〇 Δ 〇 2 Μ /»>> 1 3 0°C 〇 〇 〇 實施例 3 3 有 ΑπΤ. Illl: 〇 〇 X 4 有 1 20°c 〇 〇 Δ 1 4Ε y»» 120°C X Δ 〇 2 Arrt III· 13 0°C X 〇 〇 比較例 1 3 有 M 〇 〇 X 4 有 1 20°C 〇 〇 Δ 1 Μ "、、 1 20°C X Δ 〇 2 Μ «η、、 1 3 0°C X 〇 〇 比較例 2 3 有 Arrr. Illl 〇 〇 X 4 有 1 20°C 〇 〇 Δ 1 ite y»\> 120°C X Δ 〇 2 Am illl. 13 0°C X 〇 〇 比較例 3 3 有 M yi\\ 〇 〇 X 4 有 120。。 〇 〇 Δ -34- (32) 1312442 【圖式簡單說明】 圖1(a)〜（g)爲，本發明之光阻圖型的形成方法 及微細圖型之形成方法的實施形態之步驟順序剖面圖。 圖2爲，先前製造TFT數組基板之部分步驟剖面圖 〇 圖3爲，接續前圖的先前製造TFT數組基板之部分 步驟剖面圖。 圖4爲，接續前圖的先前製造TFT數組基板之部分 步驟剖面圖。 圖5爲，接續前圖的先前製造TFT數組基板之部分 步驟剖面圖。 圖6爲，接續前圖的先前製造TFT數組基板之部分 步驟剖面圖。 圖7爲，接續前圖的先前製造TFT數組基板之部分 步驟剖面圖。 圖8爲，接續前圖的先前製造TFT數組基板之部分 步驟剖面圖。 圖9爲，接續前圖的先前製造TFT數組基板之部分 步驟剖面圖。 圖10爲，接續前圖的先前製造TFT數組基板之部分 步驟剖面圖。 圖11爲，接續前圖的先前製造TFT數組基板之部分 步驟剖面圖。 圖12爲，接續前圖的先前製造TFT數組基板之部分 -35- (33) 1312442 步驟剖面圖。 圖13爲，接續前圖的先前製造TFT數組基板之部分 步驟剖面圖。 圖14爲，接續前圖的先前製造TFT數組基板之部分 步驟剖面圖。 圖15爲，接續前圖的先前製造TFT數組基板之部分 步驟剖面圖。 圖1 6爲，TFT數組基板例之剖面圖。 【主要元件符號說明】 1 :玻璃基板 2 :閘門電極 3 :第1絕緣膜 4’ ：第1非晶質二氧化矽膜 5 ’ ：蝕刻抑制膜 6 ’··第2非晶質二氧化矽膜 7’：源汲電極形成用金屬膜 10 :基體 R :段狀光阻圖型 rl :肉厚部 r2 :肉薄部 -36-

Claims (1)

1312442 (1) 十、申請專利範圍 1. 一種光阻圖型之形成方法，其爲具有經（A)基體 上形成光阻被膜之步驟’及（B)含選擇性曝光之光微影 蝕刻步驟’而將光阻被膜製圖爲具有肉厚部與肉薄部之段 狀光阻圖型形狀的步驟之光阻圖型形成方法， 其特徵係使用含有（a)凝膠滲透色譜法求取之聚苯 乙烯換算質量平均分子量（Mw )超過8000之鹼可溶性酚 φ 醛清漆樹脂、含萘醌二疊氮基化合物及（d)有機溶 劑之正型光阻組成物形成光阻被膜。 2. 如申請專利範圍第1項的光阻圖型之形成方法，其 中鹼可溶性酚醛清漆樹脂之聚苯乙烯換算質量平均分子量 (Mw )爲 1 0000 以上。 3·如申請專利範圍第1項的光阻圖型之形成方法，其 中（B)將光阻被膜製圖之步驟後具有（D)曝光後加熱 處理之步驟。 φ 4.如申請專利範圍第3項的光阻圖型之形成方法，其 中（D )曝光後加熱處理之溫度條件爲1 2(TC以下。 5. 如申請專利範圍第3項的光阻圖型之形成方法，其 中於（B)將光阻被膜製圖之步驟與（D)曝光後加熱處 理之步驟間，具有（C ) UV固化處理之步驟。 6. 如申請專利範圍第1項的光阻圖型之形成方法，其 中所使用之基體爲，玻璃基板上由玻璃基板側依序層合閘 門電極、第1絕緣膜、第1非晶質二氧化矽膜、鈾刻抑制 膜、第2非晶質二氧化矽膜及源汲電極形成用金屬膜之多 -37- (2) 1312442 層構造物。 7. —種正型光阻組成物，其特徵爲如申請專利範圍第 1項的光阻圖型之形成方法中形成光阻被膜用，又，其含 有（a)凝膠滲透色譜法求取之聚苯乙烯換算質量平均分 子量（Mw)超過8000的驗可溶性酚醛清漆樹脂、（b) 含萘醌二#氮基化合物及（d)有機溶劑。 8. —種微細圖型之形成方法，其爲以如申請專利範圔 •第1項之方法形成具有肉厚部及肉薄部的段狀光阻圖型後 ’具有（E)以段狀光阻圖型爲圖罩對基體進行蝕刻之步 驟後，（F)對段狀光阻圖型進行拋光處理（灰化處理） 以去除肉薄部，（G)於去除肉薄部後以肉厚部爲圖罩對 基體進行蝕刻處理，及（H)再去除段狀光阻圖型之肉厚 部的步驟。 9·—種微細圖型之形成方法，其特徵爲以如申請專利 範圍第6項之方法形成具有肉厚部及肉薄部之段狀光阻圖 φ型後，具有（E’）以段狀光阻圖型爲圖罩對源汲電極形成 用金屬膜、第2非晶質二氧化矽膜、蝕刻抑制膜及第〗非 晶質二氧化矽膜進行蝕刻處理後，（F )對段狀光阻圖型 進行拋光處理（灰化處理）以去除肉薄部，（G，）去除肉 薄部後以肉厚部爲圖罩對源汲電極形成用金屬膜及第2非 晶質二氧化矽膜進行蝕刻處理以露出蝕刻抑制膜層，（Η )再去除段狀光阻圖型之肉厚部的步驟。 10.如申請專利範圍第9項的微細圖型之形成方法， 其中源汲電極形成用金屬膜之蝕刻處理爲濕蝕處理或乾蝕 -38- (3) 1312442 處理，又，第2非晶質二氧化矽膜之蝕刻處理爲乾蝕處理 〇 11 ·—種正型光阻組成物，其特徵爲如申請專利範圍 第8至1 0項中任何一項的微細圖型之形成方法中形成光 阻被膜用，又，其含有（a)凝膠滲透色譜法求取之聚苯 乙烯換算質量平均分子量（Mw)超過8000之鹼可溶性酚 醛清漆樹脂、（b)含萘醌二疊氮基化合物及（d)有機溶 φ 劑。 12. —種液晶顯示元件之製造方法，其爲具有玻璃上 形成畫素圖型之步驟的液晶顯示元件之製造方法中，其特 徵係以如申請專利範圍第8項的微細圖型之形成方法形成 部分畫素圖型。 13. —種液晶顯示元件之製造方法，其特徵爲以如申 請專利範圍第9項之方法形成微細圖型後，具有（I)於 微細圖型上設置第2絕緣膜之步驟，（J)以光微影蝕刻 φ法將第2絕緣膜製圖之步驟，（K)於製圖化第2絕緣膜 上形成透明薄電膜之步驟，及（L )以光微影蝕刻法將透 明導電膜製圖之步驟。 -39-
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