JP2003233174A - ポジ型ホトレジスト組成物及び液晶表示素子製造用レジストパターンの形成方法 - Google Patents
ポジ型ホトレジスト組成物及び液晶表示素子製造用レジストパターンの形成方法Info
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 安価で、大型ガラス基板を用いたプロセスに
おいても、マクロ的な特性（塗布性、加熱ムラ特性、現
像ムラ特性）に優れたレジスト材料を提供すること。ま
た、システムＬＣＤの製造に好適な、リニアリティに優
れ、ｉ線露光に適したレジスト材料を提供すること。 【解決手段】 （Ａ）アルカリ可溶性樹脂１００質量部
に対し、（Ｂ）特定の化学構造を有する増感剤としての
フェノール化合物５〜２５質量部、及び（Ａ）、（Ｂ）
両成分の総質量１００質量部に対して（Ｃ）特定の化学
構造を有する２種の１，２−ナフトキノンジアジド−５
−スルホニル基を有するキノンジアジド化合物１５〜４
０質量部を含有するポジ型ホトレジスト組成物。
おいても、マクロ的な特性（塗布性、加熱ムラ特性、現
像ムラ特性）に優れたレジスト材料を提供すること。ま
た、システムＬＣＤの製造に好適な、リニアリティに優
れ、ｉ線露光に適したレジスト材料を提供すること。 【解決手段】 （Ａ）アルカリ可溶性樹脂１００質量部
に対し、（Ｂ）特定の化学構造を有する増感剤としての
フェノール化合物５〜２５質量部、及び（Ａ）、（Ｂ）
両成分の総質量１００質量部に対して（Ｃ）特定の化学
構造を有する２種の１，２−ナフトキノンジアジド−５
−スルホニル基を有するキノンジアジド化合物１５〜４
０質量部を含有するポジ型ホトレジスト組成物。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はポジ型ホトレジスト
組成物に関し、とりわけ液晶表示素子、特に５００×６
００ｍｍ2以上の大型ガラス基板を用いた液晶表示素子
の製造に適したポジ型ホトレジスト組成物、及びシステ
ムＬＣＤの製造に適したポジ型ホトレジスト組成物に関
する。
組成物に関し、とりわけ液晶表示素子、特に５００×６
００ｍｍ2以上の大型ガラス基板を用いた液晶表示素子
の製造に適したポジ型ホトレジスト組成物、及びシステ
ムＬＣＤの製造に適したポジ型ホトレジスト組成物に関
する。
【０００２】
【従来の技術】これまでガラス基板を用いた液晶表示素
子製造の分野においては、比較的安価であり、感度、解
像性、そして形状に優れたレジストパターンを形成でき
ることから、半導体素子の製造に用いられているノボラ
ック樹脂−キノンジアジド基含有化合物の系からなるポ
ジ型ホトレジスト材料が多く利用されている。
子製造の分野においては、比較的安価であり、感度、解
像性、そして形状に優れたレジストパターンを形成でき
ることから、半導体素子の製造に用いられているノボラ
ック樹脂−キノンジアジド基含有化合物の系からなるポ
ジ型ホトレジスト材料が多く利用されている。
【０００３】しかし、半導体素子の製造においては、最
大、直径８インチ（約２００ｍｍ）〜１２インチ（約３
００ｍｍ）の円板型シリコンウェーハが用いられるのに
対し、液晶表示素子の製造においては、５００×６００
ｍｍ2以上の角型のガラス基板が用いられている。この
ように液晶表示素子の製造分野においては、レジスト組
成物を塗布する基板が、材質、形状の面で異なることは
勿論であるが、その大きさの点でシリコンウェーハとは
大きく異なっている。そのため液晶表示素子製造用のレ
ジスト材料には、半導体素子製造分野に求められる微視
的な特性より、むしろマクロ的な特性の改善に重点が置
かれていた。
大、直径８インチ（約２００ｍｍ）〜１２インチ（約３
００ｍｍ）の円板型シリコンウェーハが用いられるのに
対し、液晶表示素子の製造においては、５００×６００
ｍｍ2以上の角型のガラス基板が用いられている。この
ように液晶表示素子の製造分野においては、レジスト組
成物を塗布する基板が、材質、形状の面で異なることは
勿論であるが、その大きさの点でシリコンウェーハとは
大きく異なっている。そのため液晶表示素子製造用のレ
ジスト材料には、半導体素子製造分野に求められる微視
的な特性より、むしろマクロ的な特性の改善に重点が置
かれていた。
【０００４】このようなマクロ的な特性としては、広い
基板面全面に対して塗布ムラの無い塗布膜を形成するこ
と、基板が大きいことに起因する加熱処理時の加熱ムラ
に対して形状及び寸法安定性の良いレジストパターンを
形成すること、現像処理時において、基板が大きいこと
に起因する現像ムラが少なく、形状及び寸法安定性の良
いレジストパターンを形成すること、などが挙げられ
る。また液晶表示素子の製造には、非常に多くのレジス
ト材料が消費されるため、これらの特性に加え安価な材
料であることが望まれる。
基板面全面に対して塗布ムラの無い塗布膜を形成するこ
と、基板が大きいことに起因する加熱処理時の加熱ムラ
に対して形状及び寸法安定性の良いレジストパターンを
形成すること、現像処理時において、基板が大きいこと
に起因する現像ムラが少なく、形状及び寸法安定性の良
いレジストパターンを形成すること、などが挙げられ
る。また液晶表示素子の製造には、非常に多くのレジス
ト材料が消費されるため、これらの特性に加え安価な材
料であることが望まれる。
【０００５】このような特性は、従来の半導体素子製造
用のレジスト材料では十分に得ることができず、例えば
特開平１０−１４２７８３号公報に具体的に記載されて
いる材料では、上記のマクロ的な特性を十分に発現する
ことはできない。
用のレジスト材料では十分に得ることができず、例えば
特開平１０−１４２７８３号公報に具体的に記載されて
いる材料では、上記のマクロ的な特性を十分に発現する
ことはできない。
【０００６】一方、これまで液晶素子製造用のレジスト
材料として多くの報告があり、例えば、特開平９−１６
０２３１号公報、特開平９−２１１８５５号公報、特開
２０００−１１２１２０号公報、特開２０００−１３１
８３５号公報、特開２０００−１８１０５５号公報、及
び特開２００１−７５２７２号公報などが挙げられる。
材料として多くの報告があり、例えば、特開平９−１６
０２３１号公報、特開平９−２１１８５５号公報、特開
２０００−１１２１２０号公報、特開２０００−１３１
８３５号公報、特開２０００−１８１０５５号公報、及
び特開２００１−７５２７２号公報などが挙げられる。
【０００７】これらの材料は、安価であり、また３６０
×４６０ｍｍ2程度の比較的小型の基板に対しては、塗
布性、感度、解像性、形状及び寸法安定性に優れるレジ
ストパターンを形成できる。しかし、基板サイズが５０
０×６００ｍｍ2以上の大型基板に対しては、塗布性に
課題があり、基板周縁部と中心部とで加熱ムラによるパ
ターン寸法の変化、また基板の端部と端部とでの現像時
間の差から生じる現像ムラの発生が大きくなる問題があ
る。
×４６０ｍｍ2程度の比較的小型の基板に対しては、塗
布性、感度、解像性、形状及び寸法安定性に優れるレジ
ストパターンを形成できる。しかし、基板サイズが５０
０×６００ｍｍ2以上の大型基板に対しては、塗布性に
課題があり、基板周縁部と中心部とで加熱ムラによるパ
ターン寸法の変化、また基板の端部と端部とでの現像時
間の差から生じる現像ムラの発生が大きくなる問題があ
る。
【０００８】よって、日々大型化が進む、液晶表示素子
製造の分野において、５００×６００ｍｍ2以上のガラ
ス基板を用いたプロセスにおいても、上記のマクロ的な
特性に優れたレジスト材料の実現が望まれていた。
製造の分野において、５００×６００ｍｍ2以上のガラ
ス基板を用いたプロセスにおいても、上記のマクロ的な
特性に優れたレジスト材料の実現が望まれていた。
【０００９】一方、次世代のＬＣＤ（液晶表示素子）と
して、１枚のガラス基板上にドライバ、ＤＡＣ、画像プ
ロセッサ、ビデオコントローラ、ＲＡＭなどの集積回路
がディスプレイ部分と同時に形成される、「システムＬ
ＣＤ」と呼ばれる高機能ＬＣＤに対する技術開発が、現
在盛んに行われている（Semiconductor FPD World 200
1.9, pp.50-67）。
して、１枚のガラス基板上にドライバ、ＤＡＣ、画像プ
ロセッサ、ビデオコントローラ、ＲＡＭなどの集積回路
がディスプレイ部分と同時に形成される、「システムＬ
ＣＤ」と呼ばれる高機能ＬＣＤに対する技術開発が、現
在盛んに行われている（Semiconductor FPD World 200
1.9, pp.50-67）。
【００１０】しかし、ディスプレイ部分のパターン寸法
が３〜１０μｍ程度であるのに対し、集積部分のパター
ン寸法は０．５〜２．５μｍ程度と微細な寸法で形成す
る必要があるため、同一露光条件で、これら集積部分と
ディスプレイ部分を形成しようとした場合には、リニア
リティ[同一露光条件（レチクル上のマスク寸法は異な
るが露光量が同じ条件）で、露光した場合にレチクル上
のマスク寸法を再現する特性]が優れていることが望ま
れる。
が３〜１０μｍ程度であるのに対し、集積部分のパター
ン寸法は０．５〜２．５μｍ程度と微細な寸法で形成す
る必要があるため、同一露光条件で、これら集積部分と
ディスプレイ部分を形成しようとした場合には、リニア
リティ[同一露光条件（レチクル上のマスク寸法は異な
るが露光量が同じ条件）で、露光した場合にレチクル上
のマスク寸法を再現する特性]が優れていることが望ま
れる。
【００１１】また、０．５〜２．５μｍ程度の微細なレ
ジストパターンを形成する場合には、従来のｇ線（４３
６ｎｍ）露光から、より短波長のｉ線（３６５ｎｍ）露
光を用いたホトリソグラフィ技術が必要となる。しか
し、従来の液晶表示素子製造用のレジスト材料では、リ
ニアリティに優れ、ｉ線露光に適した材料がなく、これ
らの点を解決しうる材料の開発が望まれていた。
ジストパターンを形成する場合には、従来のｇ線（４３
６ｎｍ）露光から、より短波長のｉ線（３６５ｎｍ）露
光を用いたホトリソグラフィ技術が必要となる。しか
し、従来の液晶表示素子製造用のレジスト材料では、リ
ニアリティに優れ、ｉ線露光に適した材料がなく、これ
らの点を解決しうる材料の開発が望まれていた。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的の１つ
は、安価であって、５００×６００ｍｍ2以上の大型ガ
ラス基板を用いたプロセスにおいても、マクロ的な特性
（塗布性、加熱ムラ特性、現像ムラ特性）に優れたレジ
スト材料を提供することである。本発明の他の目的は、
システムＬＣＤの製造に好適な、リニアリティに優れ、
ｉ線露光に適したレジスト材料を提供することである。
は、安価であって、５００×６００ｍｍ2以上の大型ガ
ラス基板を用いたプロセスにおいても、マクロ的な特性
（塗布性、加熱ムラ特性、現像ムラ特性）に優れたレジ
スト材料を提供することである。本発明の他の目的は、
システムＬＣＤの製造に好適な、リニアリティに優れ、
ｉ線露光に適したレジスト材料を提供することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決すべく鋭
意研究した結果、本発明者らは、特定の配合比で、アル
カリ可溶性樹脂、特定のフェノール化合物（感度向上
剤）、及び特定の２種のキノンジアジドエステル化物
（感光性成分）を含有してなるポジ型ホトレジスト組成
物は、上記課題を解決しうる材料であることを見いだ
し、本発明をなすに至った。
意研究した結果、本発明者らは、特定の配合比で、アル
カリ可溶性樹脂、特定のフェノール化合物（感度向上
剤）、及び特定の２種のキノンジアジドエステル化物
（感光性成分）を含有してなるポジ型ホトレジスト組成
物は、上記課題を解決しうる材料であることを見いだ
し、本発明をなすに至った。
【００１４】即ち、本発明は、（Ａ）アルカリ可溶性樹
脂１００質量部に対し、（Ｂ）下記一般式（Ｉ）
脂１００質量部に対し、（Ｂ）下記一般式（Ｉ）
【００１５】
【化９】
【００１６】〔式中、Ｒ1〜Ｒ8はそれぞれ独立に水素原
子、ハロゲン原子、炭素原子数１〜６のアルキル基、炭
素原子数１〜６のアルコキシ基、又は炭素原子鎖３〜６
のシクロアルキル基を表し；Ｒ9〜Ｒ11はそれぞれ独立
に水素原子又は炭素原子数１〜６のアルキル基を表し；
Ｑは水素原子、炭素原子数１〜６のアルキル基、Ｒ9と
結合して炭素原子鎖３〜６のシクロアルキル基を形成す
る基、又は下記の化学式（II）で表される基
子、ハロゲン原子、炭素原子数１〜６のアルキル基、炭
素原子数１〜６のアルコキシ基、又は炭素原子鎖３〜６
のシクロアルキル基を表し；Ｒ9〜Ｒ11はそれぞれ独立
に水素原子又は炭素原子数１〜６のアルキル基を表し；
Ｑは水素原子、炭素原子数１〜６のアルキル基、Ｒ9と
結合して炭素原子鎖３〜６のシクロアルキル基を形成す
る基、又は下記の化学式（II）で表される基
【００１７】
【化１０】
【００１８】（式中、Ｒ12及びＲ13はそれぞれ独立に水
素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１〜６のアルキル
基、炭素原子数１〜６のアルコキシ基、又は炭素原子鎖
３〜６のシクロアルキル基を表し；ｃは１〜３の整数を
示す）を表し；ａ、ｂは１〜３の整数を表し；ｄは０〜
３の整数を表し；ｎは０〜３の整数を表す〕で表される
フェノール化合物を５〜２５質量部含有し、（Ａ）成分
と（Ｂ）成分の総質量１００質量部に対し、（Ｃ）下記
一般式（III）
素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１〜６のアルキル
基、炭素原子数１〜６のアルコキシ基、又は炭素原子鎖
３〜６のシクロアルキル基を表し；ｃは１〜３の整数を
示す）を表し；ａ、ｂは１〜３の整数を表し；ｄは０〜
３の整数を表し；ｎは０〜３の整数を表す〕で表される
フェノール化合物を５〜２５質量部含有し、（Ａ）成分
と（Ｂ）成分の総質量１００質量部に対し、（Ｃ）下記
一般式（III）
【００１９】
【化１１】
【００２０】（式中、Ｒ14は、独立に炭素原子数１〜５
のアルキル基を表わし、Ｄは、独立に水素原子、又は
１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニル基を表
し、Ｄの少なくとも１つは１，２−ナフトキノンジアジ
ド−５−スルホニル基を表し、ｌ、ｍは、それぞれ独立
に１又は２を表わす）で表されるキノンジアジドエステ
ル化物（感光性成分１）、及び下記一般式（IV）
のアルキル基を表わし、Ｄは、独立に水素原子、又は
１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニル基を表
し、Ｄの少なくとも１つは１，２−ナフトキノンジアジ
ド−５−スルホニル基を表し、ｌ、ｍは、それぞれ独立
に１又は２を表わす）で表されるキノンジアジドエステ
ル化物（感光性成分１）、及び下記一般式（IV）
【００２１】
【化１２】
【００２２】（式中、Ｄは、独立に水素原子、又は１，
２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニル基を表し、
Ｄの少なくとも１つは１，２−ナフトキノンジアジド−
５−スルホニル基である。）で表されるキノンジアジド
エステル化物（感光性成分２）からなる感光性成分の混
合物を１５〜４０質量部の範囲で含有し、更に（Ｄ）有
機溶媒を含有することを特徴とするポジ型ホトレジスト
組成物である。
２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニル基を表し、
Ｄの少なくとも１つは１，２−ナフトキノンジアジド−
５−スルホニル基である。）で表されるキノンジアジド
エステル化物（感光性成分２）からなる感光性成分の混
合物を１５〜４０質量部の範囲で含有し、更に（Ｄ）有
機溶媒を含有することを特徴とするポジ型ホトレジスト
組成物である。
【００２３】上記本発明によれば、安価であって、５０
０×６００ｍｍ2以上の大型ガラス基板を用いたプロセ
スにおいても、マクロ的な特性（塗布性、加熱ムラ特
性、現像ムラ特性）に優れたレジスト材料を提供するこ
とができる。更に、システムＬＣＤの製造に好適な、リ
ニアリティに優れ、ｉ線露光に適したレジスト材料を提
供することができる。
０×６００ｍｍ2以上の大型ガラス基板を用いたプロセ
スにおいても、マクロ的な特性（塗布性、加熱ムラ特
性、現像ムラ特性）に優れたレジスト材料を提供するこ
とができる。更に、システムＬＣＤの製造に好適な、リ
ニアリティに優れ、ｉ線露光に適したレジスト材料を提
供することができる。
【００２４】前記（Ｂ）成分は、下記式（Ｖ）又は（V
I）
I）
【００２５】
【化１３】
【００２６】で表されるフェノール化合物であることが
好ましい。これら化合物は、ホトレジスト膜に高感度
化、高残膜率化、及びリニアリティの向上効果に特に優
れる。
好ましい。これら化合物は、ホトレジスト膜に高感度
化、高残膜率化、及びリニアリティの向上効果に特に優
れる。
【００２７】前記（Ａ）成分は、全フェノール系繰り返
し単位中、ｐ−クレゾール系繰り返し単位を６０モル％
以上含有し、かつｍ−クレゾール系繰り返し単位を３０
モル％以上含有し、ポリスチレン換算重量平均分子量
（Ｍｗ）が２０００〜８０００のノボラック樹脂である
ことが好ましい。このような樹脂は、特に感度が良好で
あり、かつ、加熱処理時の温度ムラに対する感度変化が
起こりにくい。
し単位中、ｐ−クレゾール系繰り返し単位を６０モル％
以上含有し、かつｍ−クレゾール系繰り返し単位を３０
モル％以上含有し、ポリスチレン換算重量平均分子量
（Ｍｗ）が２０００〜８０００のノボラック樹脂である
ことが好ましい。このような樹脂は、特に感度が良好で
あり、かつ、加熱処理時の温度ムラに対する感度変化が
起こりにくい。
【００２８】前記感光性成分１は、下記式（VII）
【００２９】
【化１４】
【００３０】で表わされるフェノール化合物と１，２−
ナフトキノンジアジド−５−スルホニル化合物との平均
エステル化率４０〜６０％のキノンジアジドエステル化
物であり、感光性成分２は、下記式（VIII）
ナフトキノンジアジド−５−スルホニル化合物との平均
エステル化率４０〜６０％のキノンジアジドエステル化
物であり、感光性成分２は、下記式（VIII）
【００３１】
【化１５】
【００３２】で表わされるフェノール化合物と１，２−
ナフトキノンジアジド−５−スルホニル化合物との平均
エステル化率５０〜７０％のキノンジアジドエステル化
物であることが好ましい。このような２種の感光成分を
用いることにより、本発明のポジ型ホトレジストに、マ
クロ的な特性（塗布性、加熱ムラ特性、現像ムラ特性）
に優れ、残膜率が高く、感度が良好であり、かつ保存安
定性のよいレジスト材料を提供することができる。
ナフトキノンジアジド−５−スルホニル化合物との平均
エステル化率５０〜７０％のキノンジアジドエステル化
物であることが好ましい。このような２種の感光成分を
用いることにより、本発明のポジ型ホトレジストに、マ
クロ的な特性（塗布性、加熱ムラ特性、現像ムラ特性）
に優れ、残膜率が高く、感度が良好であり、かつ保存安
定性のよいレジスト材料を提供することができる。
【００３３】本発明レジスト組成物は、（Ｄ）成分とし
てプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
（ＰＧＭＥＡ）を含有することが好ましい。ＰＧＭＥＡ
を含有することにより、本発明レジスト組成物は、塗布
性に優れ、大型ガラス基板上でのレジスト被膜の膜厚均
一性に優れるものとなる。
てプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
（ＰＧＭＥＡ）を含有することが好ましい。ＰＧＭＥＡ
を含有することにより、本発明レジスト組成物は、塗布
性に優れ、大型ガラス基板上でのレジスト被膜の膜厚均
一性に優れるものとなる。
【００３４】前記（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）成分の総質
量が前記ポジ型ホトレジスト組成物の全質量に対して３
０質量％以下であることが好ましい。このように前記ポ
ジ型ホトレジスト組成物中の有機溶媒の含量を多くし、
（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）成分の総量を少なくすること
により、特に前記ポジ型ホトレジスト組成物の塗布性に
優れるものとすることができる。
量が前記ポジ型ホトレジスト組成物の全質量に対して３
０質量％以下であることが好ましい。このように前記ポ
ジ型ホトレジスト組成物中の有機溶媒の含量を多くし、
（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）成分の総量を少なくすること
により、特に前記ポジ型ホトレジスト組成物の塗布性に
優れるものとすることができる。
【００３５】本発明のポジ型ホトレジスト組成物は、液
晶表示素子の製造用のものであることが特に好ましい。
本発明のポジ型ホトレジスト組成物は、マクロ的な特性
（塗布性、加熱ムラ特性、現像ムラ特性）に優れ、残膜
率が高く、感度が良好であるからである。
晶表示素子の製造用のものであることが特に好ましい。
本発明のポジ型ホトレジスト組成物は、マクロ的な特性
（塗布性、加熱ムラ特性、現像ムラ特性）に優れ、残膜
率が高く、感度が良好であるからである。
【００３６】また、前記液晶表示素子は、５００×６０
０ｍｍ2以上の大型ガラス基板を用いて作られるもので
あることが好ましい。
０ｍｍ2以上の大型ガラス基板を用いて作られるもので
あることが好ましい。
【００３７】本発明のポジ型ホトレジスト組成物は、シ
ステムＬＣＤの製造用のものであることが特に好まし
い。本発明のポジ型ホトレジスト組成物は、リニアリテ
ィに優れ、ｉ線露光によって小さなパターンと大きなパ
ターンとを同時に露光し、レジストパターンを形成する
ことができるからである。
ステムＬＣＤの製造用のものであることが特に好まし
い。本発明のポジ型ホトレジスト組成物は、リニアリテ
ィに優れ、ｉ線露光によって小さなパターンと大きなパ
ターンとを同時に露光し、レジストパターンを形成する
ことができるからである。
【００３８】前記システムＬＣＤは、５００×６００ｍ
ｍ2以上の大型ガラス基板を用いて作られるものである
ことが好ましい。
ｍ2以上の大型ガラス基板を用いて作られるものである
ことが好ましい。
【００３９】前記システムＬＣＤは、ｉ線（３６５ｎ
ｍ）露光プロセスを用いて作られるものであることが好
ましい。０．５〜２．５μｍ程度の微細なレジストパタ
ーンをも良好に形成することができるからである。
ｍ）露光プロセスを用いて作られるものであることが好
ましい。０．５〜２．５μｍ程度の微細なレジストパタ
ーンをも良好に形成することができるからである。
【００４０】本発明は、また、（１）上記ポジ型ホトレ
ジスト組成物を５００×６００ｍｍ 2以上の大型ガラス
基板上に塗布し、塗膜を形成する工程、（２）上記塗膜
が形成されたガラス基板を加熱処理（プリベーク）し、
ガラス基板上にレジスト被膜を形成する工程、（３）上
記レジスト被膜に対し選択的露光を行う工程、（４）上
記選択的露光後のレジスト被膜に対しアルカリ水溶液を
用いた現像処理を施し、上記ガラス基板上にレジストパ
ターンを形成する工程、及び（５）上記レジストパター
ン表面に残った現像液を洗い落とすリンス工程、を含む
ことを特徴とする液晶表示素子製造用レジストパターン
の形成方法である。
ジスト組成物を５００×６００ｍｍ 2以上の大型ガラス
基板上に塗布し、塗膜を形成する工程、（２）上記塗膜
が形成されたガラス基板を加熱処理（プリベーク）し、
ガラス基板上にレジスト被膜を形成する工程、（３）上
記レジスト被膜に対し選択的露光を行う工程、（４）上
記選択的露光後のレジスト被膜に対しアルカリ水溶液を
用いた現像処理を施し、上記ガラス基板上にレジストパ
ターンを形成する工程、及び（５）上記レジストパター
ン表面に残った現像液を洗い落とすリンス工程、を含む
ことを特徴とする液晶表示素子製造用レジストパターン
の形成方法である。
【００４１】このようにして形成された液晶表示素子製
造用レジストパターンは、５００×６００ｍｍ2以上の
大型ガラス基板を用いて作られたものであっても、寸法
精度の高いものとすることができる。
造用レジストパターンは、５００×６００ｍｍ2以上の
大型ガラス基板を用いて作られたものであっても、寸法
精度の高いものとすることができる。
【００４２】本発明は、また、上記（３）選択的露光を
行う工程が、パターン寸法の異なるレジストパターン形
成用マスクパターンが描かれたマスクを用いて行われる
ものであり、前記ガラス基板上にパターン寸法の異なる
レジストパターンを同時に形成することを特徴とする液
晶表示素子製造用レジストパターンの形成方法である。
前記パターン寸法の異なるレジストパターン形成用マス
クパターンが描かれたマスクは、パターン寸法０．５パ
ターン寸法０．５〜２．５μｍのレジストパターン形成
用マスクパターンとパターン寸法３〜１０μｍのレジス
トパターン形成用マスクパターンが少なくとも混在して
描かれたマスク（レチクル）を用いて行われるものであ
ることが好ましい。この場合、上記ガラス基板上にパタ
ーン寸法０．５〜２．５μｍのレジストパターンとパタ
ーン寸法３〜１０μｍのレジストパターンを同時に形成
することが更に好ましい。
行う工程が、パターン寸法の異なるレジストパターン形
成用マスクパターンが描かれたマスクを用いて行われる
ものであり、前記ガラス基板上にパターン寸法の異なる
レジストパターンを同時に形成することを特徴とする液
晶表示素子製造用レジストパターンの形成方法である。
前記パターン寸法の異なるレジストパターン形成用マス
クパターンが描かれたマスクは、パターン寸法０．５パ
ターン寸法０．５〜２．５μｍのレジストパターン形成
用マスクパターンとパターン寸法３〜１０μｍのレジス
トパターン形成用マスクパターンが少なくとも混在して
描かれたマスク（レチクル）を用いて行われるものであ
ることが好ましい。この場合、上記ガラス基板上にパタ
ーン寸法０．５〜２．５μｍのレジストパターンとパタ
ーン寸法３〜１０μｍのレジストパターンを同時に形成
することが更に好ましい。
【００４３】本発明のポジ型ホトレジスト組成物は、こ
のように寸法の異なるパターンを同時に形成することが
出来る。
のように寸法の異なるパターンを同時に形成することが
出来る。
【００４４】上記（３）選択的露光を行う工程は、ｉ線
（３６５ｎｍ）を光源に用いた露光プロセスにより行う
ことが好ましい。ｉ線を用いることにより寸法精度の高
いパターンを形成することができるからであり、本発明
のポジ型ホトレジスト組成物は、このようなｉ線を用い
る露光及びその後の現像を可能にする。
（３６５ｎｍ）を光源に用いた露光プロセスにより行う
ことが好ましい。ｉ線を用いることにより寸法精度の高
いパターンを形成することができるからであり、本発明
のポジ型ホトレジスト組成物は、このようなｉ線を用い
る露光及びその後の現像を可能にする。
【００４５】
【発明の実施の形態】（Ａ）成分（アルカリ可溶性樹
脂）について：（Ａ）成分としてのアルカリ可溶性樹脂
は、特に制限されるものでなく、ポジ型ホトレジスト組
成物において被膜形成物質として通常用いられ得るもの
の中から任意に選ぶことができる。例えば、ポジ型ホト
レジスト組成物の被膜形成用樹脂として知られているフ
ェノール樹脂、アクリル樹脂、スチレンとアクリル酸と
の共重合体、ヒドロキシスチレンの重合体、ポリビニル
フェノール、ポリα−メチルビニルフェノール等が挙げ
られる。これらの中でも特にフェノール樹脂が好ましく
用いられ、中でも膨潤することなくアルカリ水溶液に容
易に溶解し現像性に優れるノボラック樹脂が好適であ
る。
脂）について：（Ａ）成分としてのアルカリ可溶性樹脂
は、特に制限されるものでなく、ポジ型ホトレジスト組
成物において被膜形成物質として通常用いられ得るもの
の中から任意に選ぶことができる。例えば、ポジ型ホト
レジスト組成物の被膜形成用樹脂として知られているフ
ェノール樹脂、アクリル樹脂、スチレンとアクリル酸と
の共重合体、ヒドロキシスチレンの重合体、ポリビニル
フェノール、ポリα−メチルビニルフェノール等が挙げ
られる。これらの中でも特にフェノール樹脂が好ましく
用いられ、中でも膨潤することなくアルカリ水溶液に容
易に溶解し現像性に優れるノボラック樹脂が好適であ
る。
【００４６】フェノール樹脂の例としては、フェノール
類とアルデヒド類との縮合反応生成物、フェノール類と
ケトン類との縮合反応生成物、ビニルフェノール系重合
体、イソプロペニルフェノール系重合体、これらのフェ
ノール樹脂の水素添加反応生成物等が挙げられる。
類とアルデヒド類との縮合反応生成物、フェノール類と
ケトン類との縮合反応生成物、ビニルフェノール系重合
体、イソプロペニルフェノール系重合体、これらのフェ
ノール樹脂の水素添加反応生成物等が挙げられる。
【００４７】前記フェノール樹脂を形成するフェノール
類としては、例えばフェノール、ｍ−クレゾール、ｐ−
クレゾール、ｏ−クレゾール、２，３−キシレノール、
２，５−キシレノール、３，５−キシレノール、３，４
−キシレノール等のキシレノール類；ｍ−エチルフェノ
ール、ｐ−エチルフェノール、ｏ−エチルフェノール、
２，３，５−トリメチルフェノール、２，３，５−トリ
エチルフェノール、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、
３−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、２−ｔｅｒｔ−ブチ
ルフェノール、２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェ
ノール、２−ｔｅｒｔ−ブチル−５−メチルフェノール
等のアルキルフェノール類；ｐ−メトキシフェノール、
ｍ−メトキシフェノール、ｐ−エトキシフェノール、ｍ
−エトキシフェノール、ｐ−プロポキシフェノール、ｍ
−プロポキシフェノール等のアルコキシフェノール類；
ｏ−イソプロペニルフェノール、ｐ−イソプロペニルフ
ェノール、２−メチル−４−イソプロペニルフェノー
ル、２−エチル−４−イソプロペニルフェノール等のイ
ソプロペニルフェノール類；フェニルフェノール等のア
リールフェノール類；４，４’−ジヒドロキシビフェニ
ル、ビスフェノールＡ、レゾルシノール、ヒドロキノ
ン、ピロガロール等のポリヒドロキシフェノール類等を
挙げることができる。これらは単独で用いてもよいし、
また２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらのフ
ェノール類の中では、特にｍ−クレゾール、ｐ−クレゾ
ール、２，５−キシレノール、３，５−キシレノール、
２，３，５−トリメチルフェノールが好ましい。
類としては、例えばフェノール、ｍ−クレゾール、ｐ−
クレゾール、ｏ−クレゾール、２，３−キシレノール、
２，５−キシレノール、３，５−キシレノール、３，４
−キシレノール等のキシレノール類；ｍ−エチルフェノ
ール、ｐ−エチルフェノール、ｏ−エチルフェノール、
２，３，５−トリメチルフェノール、２，３，５−トリ
エチルフェノール、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、
３−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、２−ｔｅｒｔ−ブチ
ルフェノール、２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェ
ノール、２−ｔｅｒｔ−ブチル−５−メチルフェノール
等のアルキルフェノール類；ｐ−メトキシフェノール、
ｍ−メトキシフェノール、ｐ−エトキシフェノール、ｍ
−エトキシフェノール、ｐ−プロポキシフェノール、ｍ
−プロポキシフェノール等のアルコキシフェノール類；
ｏ−イソプロペニルフェノール、ｐ−イソプロペニルフ
ェノール、２−メチル−４−イソプロペニルフェノー
ル、２−エチル−４−イソプロペニルフェノール等のイ
ソプロペニルフェノール類；フェニルフェノール等のア
リールフェノール類；４，４’−ジヒドロキシビフェニ
ル、ビスフェノールＡ、レゾルシノール、ヒドロキノ
ン、ピロガロール等のポリヒドロキシフェノール類等を
挙げることができる。これらは単独で用いてもよいし、
また２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらのフ
ェノール類の中では、特にｍ−クレゾール、ｐ−クレゾ
ール、２，５−キシレノール、３，５−キシレノール、
２，３，５−トリメチルフェノールが好ましい。
【００４８】前記アルデヒド類としては、例えばホルム
アルデヒド、パラホルムアルデヒド、トリオキサン、ア
セトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、ブチルアルデ
ヒド、トリメチルアセトアルデヒド、アクロレイン、ク
ロトンアルデヒド、シクロヘキサンアルデヒド、フルフ
ラール、フリルアクロレイン、ベンズアルデヒド、テレ
フタルアルデヒド、フェニルアセトアルデヒド、α−フ
ェニルプロピルアルデヒド、β−フェニルプロピルアル
デヒド、ｏ−ヒドロキシベンズアルデヒド、ｍ−ヒドロ
キシベンズアルデヒド、ｐ−ヒドロキシベンズアルデヒ
ド、ｏ−メチルベンズアルデヒド、ｍ−メチルベンズア
ルデヒド、ｐ−メチルベンズアルデヒド、ｏ−クロロベ
ンズアルデヒド、ｍ−クロロベンズアルデヒド、ｐ−ク
ロロベンズアルデヒド、ケイ皮アルデヒド等が挙げられ
る。これらは単独で用いてもよいし、また２種以上を組
み合わせて用いてもよい。これらのアルデヒド類の中で
は、入手のしやすさからホルムアルデヒドが好ましい
が、特に耐熱性を向上させるためにはヒドロキシベンズ
アルデヒド類とホルムアルデヒドを組み合わせて用いる
のが好ましい。
アルデヒド、パラホルムアルデヒド、トリオキサン、ア
セトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、ブチルアルデ
ヒド、トリメチルアセトアルデヒド、アクロレイン、ク
ロトンアルデヒド、シクロヘキサンアルデヒド、フルフ
ラール、フリルアクロレイン、ベンズアルデヒド、テレ
フタルアルデヒド、フェニルアセトアルデヒド、α−フ
ェニルプロピルアルデヒド、β−フェニルプロピルアル
デヒド、ｏ−ヒドロキシベンズアルデヒド、ｍ−ヒドロ
キシベンズアルデヒド、ｐ−ヒドロキシベンズアルデヒ
ド、ｏ−メチルベンズアルデヒド、ｍ−メチルベンズア
ルデヒド、ｐ−メチルベンズアルデヒド、ｏ−クロロベ
ンズアルデヒド、ｍ−クロロベンズアルデヒド、ｐ−ク
ロロベンズアルデヒド、ケイ皮アルデヒド等が挙げられ
る。これらは単独で用いてもよいし、また２種以上を組
み合わせて用いてもよい。これらのアルデヒド類の中で
は、入手のしやすさからホルムアルデヒドが好ましい
が、特に耐熱性を向上させるためにはヒドロキシベンズ
アルデヒド類とホルムアルデヒドを組み合わせて用いる
のが好ましい。
【００４９】前記ケトン類としては、例えばアセトン、
メチルエチルケトン、ジエチルケトン、ジフェニルケト
ン等が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、ま
た２種以上を組み合わせて用いてもよい。フェノール類
とケトン類との組み合わせにおいては、ピロガロールと
アセトンとの組み合わせが特に好ましい。
メチルエチルケトン、ジエチルケトン、ジフェニルケト
ン等が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、ま
た２種以上を組み合わせて用いてもよい。フェノール類
とケトン類との組み合わせにおいては、ピロガロールと
アセトンとの組み合わせが特に好ましい。
【００５０】フェノール類とアルデヒド類又はケトン類
との縮合反応生成物は、酸性触媒の存在下公知の方法で
製造することができる。その際の酸性触媒としては、塩
酸、硫酸、ギ酸、シュウ酸、パラトルエンスルホン酸等
を使用することができる。このようにして得られた縮合
生成物は、分別等の処理を施すことによって低分子領域
をカットしたものが耐熱性に優れているので好ましい。
分別等の処理は、縮合反応により得られた樹脂を良溶
媒、例えばメタノール、エタノール等のアルコール、ア
セトン、メチルエチルケトン等のケトンや、エチレング
リコールモノエチルエーテルアセテート、テトラヒドロ
フラン等に溶解し、次いで水中に注ぎ沈殿させる等の方
法により行われる。
との縮合反応生成物は、酸性触媒の存在下公知の方法で
製造することができる。その際の酸性触媒としては、塩
酸、硫酸、ギ酸、シュウ酸、パラトルエンスルホン酸等
を使用することができる。このようにして得られた縮合
生成物は、分別等の処理を施すことによって低分子領域
をカットしたものが耐熱性に優れているので好ましい。
分別等の処理は、縮合反応により得られた樹脂を良溶
媒、例えばメタノール、エタノール等のアルコール、ア
セトン、メチルエチルケトン等のケトンや、エチレング
リコールモノエチルエーテルアセテート、テトラヒドロ
フラン等に溶解し、次いで水中に注ぎ沈殿させる等の方
法により行われる。
【００５１】本発明においては、上記のものの中でも特
に全フェノール系繰り返し単位中、ｐ−クレゾール系繰
り返し単位を６０モル％以上含有し、かつｍ−クレゾー
ル系繰り返し単位を３０モル％以上含有し、ポリスチレ
ン換算重量平均分子量（Ｍｗ）が２０００〜８０００の
ノボラック樹脂が好ましい。
に全フェノール系繰り返し単位中、ｐ−クレゾール系繰
り返し単位を６０モル％以上含有し、かつｍ−クレゾー
ル系繰り返し単位を３０モル％以上含有し、ポリスチレ
ン換算重量平均分子量（Ｍｗ）が２０００〜８０００の
ノボラック樹脂が好ましい。
【００５２】ｐ−クレゾール系繰り返し単位が６０モル
％未満では加熱処理時の温度ムラに対する感度変化が起
こりやすく、またｍ−クレゾール系繰り返し単位が３０
モル％未満では、感度が劣る傾向があるため好ましくな
い。
％未満では加熱処理時の温度ムラに対する感度変化が起
こりやすく、またｍ−クレゾール系繰り返し単位が３０
モル％未満では、感度が劣る傾向があるため好ましくな
い。
【００５３】なお、本発明のアルカリ可溶性樹脂には、
キシレノール系繰り返し単位や、トリメチルフェノール
系繰り返し単位などの、他のフェノール系繰り返し単位
を含有していても良いが、最も好ましくは、ｐ−クレゾ
ール系繰り返し単位６０〜７０モル％、ｍ−クレゾール
系繰り返し単位４０〜３０モル％とからなる２成分系の
ノボラック樹脂であり、フェノール類の２核体（２個の
フェノール核を有する縮合体分子）含有量がＧＰＣ（ゲ
ル・パーミエーション・クロマトグラフィー）法におい
て１０％以下であるようなフェノール類の低分子量体含
有量が少ないノボラック樹脂が好ましい。前記２核体は
高温（例えば１３０℃）のプリべークやポストベーク中
に昇華して炉の天板などを汚し、更にはレジストを塗布
したガラス基板を汚してその歩留まりを下げる原因とな
るからである。
キシレノール系繰り返し単位や、トリメチルフェノール
系繰り返し単位などの、他のフェノール系繰り返し単位
を含有していても良いが、最も好ましくは、ｐ−クレゾ
ール系繰り返し単位６０〜７０モル％、ｍ−クレゾール
系繰り返し単位４０〜３０モル％とからなる２成分系の
ノボラック樹脂であり、フェノール類の２核体（２個の
フェノール核を有する縮合体分子）含有量がＧＰＣ（ゲ
ル・パーミエーション・クロマトグラフィー）法におい
て１０％以下であるようなフェノール類の低分子量体含
有量が少ないノボラック樹脂が好ましい。前記２核体は
高温（例えば１３０℃）のプリべークやポストベーク中
に昇華して炉の天板などを汚し、更にはレジストを塗布
したガラス基板を汚してその歩留まりを下げる原因とな
るからである。
【００５４】（Ｂ）成分（感度向上剤）について：本発
明の組成物には、（Ｂ）成分として、上記一般式（Ｉ）
で表されるフェノール化合物を用いる。
明の組成物には、（Ｂ）成分として、上記一般式（Ｉ）
で表されるフェノール化合物を用いる。
【００５５】（Ｂ）成分の例としては、トリス（４−ヒ
ドロシキフェニル）メタン、ビス（４−ヒドロキシ−３
−メチルフェニル）−２−ヒドロキシフェニルメタン、
ビス（４−ヒドロキシ−２，３，５−トリメチルフェニ
ル）−２−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒド
ロキシ−３，５−ジメチルフェニル）−４−ヒドロキシ
フェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメ
チルフェニル）−３−ヒドロキシフェニルメタン、ビス
（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）−２−
ヒドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシ−
２，５−ジメチルフェニル）−４−ヒドロキシフェニル
メタン、ビス（４−ヒドロキシ−２，５−ジメチルフェ
ニル）−３−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒ
ドロキシ−２，５−ジメチルフェニル）−２−ヒドロキ
シフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジ
メチルフェニル）−３，４−ジヒドロキシフェニルメタ
ン、ビス（４−ヒドロキシ−２，５−ジメチルフェニ
ル）−３，４−ジヒドロキシフェニルメタン、ビス（４
−ヒドロキシ−２，５−ジメチルフェニル）−２，４−
ジヒドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシフ
ェニル）−３−メトキシ−４−ヒドロキシフェニルメタ
ン、ビス（５−シクロヘキシル−４−ヒドロキシ−２−
メチルフェニル）−４−ヒドロキシフェニルメタン、ビ
ス（５−シクロヘキシル−４−ヒドロキシ−２−メチル
フェニル）−３−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（５
−シクロヘキシル−４−ヒドロキシ−２−メチルフェニ
ル）−２−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（５−シク
ロヘキシル−４−ヒドロキシ−２−メチルフェニル）−
３，４−ジヒドロキシフェニルメタン、１−［１−（４
−ヒドロキシフェニル）イソプロピル］−４−［１，１
−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エチル］ベンゼン、
１−［１−（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）イ
ソプロピル］−４−［１，１−ビス（３−メチル−４−
ヒドロキシフェニル）エチル］ベンゼン、２−（２，
３，４−トリヒドロキシフェニル）−２−（２’，
３’，４’−トリヒドロキシフェニル）プロパン、２−
（２，４−ジヒドロキシフェニル）−２−（２’，４’
−ジヒドロキシフェニル）プロパン、２−（４−ヒドロ
キシフェニル）−２−（４’−ヒドロキシフェニル）プ
ロパン、２−（３−フルオロ−４−ヒドロキシフェニ
ル）−２−（３’−フルオロ−４’−ヒドロキシフェニ
ル）プロパン、２−（２，４−ジヒドロキシフェニル）
−２−（４’−ヒドロキシフェニル）プロパン、２−
（２，３，４−トリヒドロキシフェニル）−２−（４’
−ヒドロキシフェニル）プロパン、２−（２，３，４−
トリヒドロキシフェニル）−２−（４’−ヒドロキシ−
３’，５’−ジメチルフェニル）プロパン、ビス（２，
３，４−トリヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２，
４−ジヒドロキシフェニル）メタン、２，３，４−トリ
ヒドロキシフェニル−４’−ヒドロキシフェニルメタ
ン、１，１−ジ（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキ
サン、２，４−ビス［１−（４−ヒドロキシフェニル）
イソプロピル］−５−ヒドロキシフェノール等が挙げら
れる。
ドロシキフェニル）メタン、ビス（４−ヒドロキシ−３
−メチルフェニル）−２−ヒドロキシフェニルメタン、
ビス（４−ヒドロキシ−２，３，５−トリメチルフェニ
ル）−２−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒド
ロキシ−３，５−ジメチルフェニル）−４−ヒドロキシ
フェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメ
チルフェニル）−３−ヒドロキシフェニルメタン、ビス
（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）−２−
ヒドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシ−
２，５−ジメチルフェニル）−４−ヒドロキシフェニル
メタン、ビス（４−ヒドロキシ−２，５−ジメチルフェ
ニル）−３−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒ
ドロキシ−２，５−ジメチルフェニル）−２−ヒドロキ
シフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジ
メチルフェニル）−３，４−ジヒドロキシフェニルメタ
ン、ビス（４−ヒドロキシ−２，５−ジメチルフェニ
ル）−３，４−ジヒドロキシフェニルメタン、ビス（４
−ヒドロキシ−２，５−ジメチルフェニル）−２，４−
ジヒドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシフ
ェニル）−３−メトキシ−４−ヒドロキシフェニルメタ
ン、ビス（５−シクロヘキシル−４−ヒドロキシ−２−
メチルフェニル）−４−ヒドロキシフェニルメタン、ビ
ス（５−シクロヘキシル−４−ヒドロキシ−２−メチル
フェニル）−３−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（５
−シクロヘキシル−４−ヒドロキシ−２−メチルフェニ
ル）−２−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（５−シク
ロヘキシル−４−ヒドロキシ−２−メチルフェニル）−
３，４−ジヒドロキシフェニルメタン、１−［１−（４
−ヒドロキシフェニル）イソプロピル］−４−［１，１
−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エチル］ベンゼン、
１−［１−（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）イ
ソプロピル］−４−［１，１−ビス（３−メチル−４−
ヒドロキシフェニル）エチル］ベンゼン、２−（２，
３，４−トリヒドロキシフェニル）−２−（２’，
３’，４’−トリヒドロキシフェニル）プロパン、２−
（２，４−ジヒドロキシフェニル）−２−（２’，４’
−ジヒドロキシフェニル）プロパン、２−（４−ヒドロ
キシフェニル）−２−（４’−ヒドロキシフェニル）プ
ロパン、２−（３−フルオロ−４−ヒドロキシフェニ
ル）−２−（３’−フルオロ−４’−ヒドロキシフェニ
ル）プロパン、２−（２，４−ジヒドロキシフェニル）
−２−（４’−ヒドロキシフェニル）プロパン、２−
（２，３，４−トリヒドロキシフェニル）−２−（４’
−ヒドロキシフェニル）プロパン、２−（２，３，４−
トリヒドロキシフェニル）−２−（４’−ヒドロキシ−
３’，５’−ジメチルフェニル）プロパン、ビス（２，
３，４−トリヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２，
４−ジヒドロキシフェニル）メタン、２，３，４−トリ
ヒドロキシフェニル−４’−ヒドロキシフェニルメタ
ン、１，１−ジ（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキ
サン、２，４−ビス［１−（４−ヒドロキシフェニル）
イソプロピル］−５−ヒドロキシフェノール等が挙げら
れる。
【００５６】これらの中でも、感度向上効果に特に優れ
ることから、ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニ
ル）−２−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒド
ロキシ−２，３，５−トリメチルフェニル）−２−ヒド
ロキシフェニルメタン、２，４−ビス［１−（４−ヒド
ロキシフェニル）イソプロピル］−５−ヒドロキシフェ
ノール、１，１−ジ（４−ヒドロキシフェニル）シクロ
ヘキサン、１−［１−（４−ヒドロキシフェニル）イソ
プロピル］−４−［１，１−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）エチル］ベンゼン等が好ましい。
ることから、ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニ
ル）−２−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒド
ロキシ−２，３，５−トリメチルフェニル）−２−ヒド
ロキシフェニルメタン、２，４−ビス［１−（４−ヒド
ロキシフェニル）イソプロピル］−５−ヒドロキシフェ
ノール、１，１−ジ（４−ヒドロキシフェニル）シクロ
ヘキサン、１−［１−（４−ヒドロキシフェニル）イソ
プロピル］−４−［１，１−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）エチル］ベンゼン等が好ましい。
【００５７】液晶表示素子製造の分野においては、スル
ープットの向上が非常に大きい問題であるが、当該フェ
ノール化合物を配合することにより、高感度化が達成さ
れスループットの向上に寄与するので好ましい。また、
当該フェノール化合物を配合することにより、レジスト
膜に表面難溶化層が強く形成されるため、現像時に未露
光部分のレジスト膜の膜減り量が少なく、現像時間の差
から生じる現像ムラの発生が抑えられて好ましい。
ープットの向上が非常に大きい問題であるが、当該フェ
ノール化合物を配合することにより、高感度化が達成さ
れスループットの向上に寄与するので好ましい。また、
当該フェノール化合物を配合することにより、レジスト
膜に表面難溶化層が強く形成されるため、現像時に未露
光部分のレジスト膜の膜減り量が少なく、現像時間の差
から生じる現像ムラの発生が抑えられて好ましい。
【００５８】当該フェノール化合物の中でも、上記式
（Ｖ）で示される化合物（１−［１−（４−ヒドロキシ
フェニル）イソプロピル］−４−［１，１−ビス（４−
ヒドロキシフェニル）エチル］ベンゼン）と上記式（V
I）で示される化合物（ビス（２，３，５―トリメチル
―４−ヒドロキシフェニル）−２−ヒドロキシフェニル
メタン）は、高感度化、高残膜率化、及びリニアリティ
の向上効果に優れる点で特に好ましい。
（Ｖ）で示される化合物（１−［１−（４−ヒドロキシ
フェニル）イソプロピル］−４−［１，１−ビス（４−
ヒドロキシフェニル）エチル］ベンゼン）と上記式（V
I）で示される化合物（ビス（２，３，５―トリメチル
―４−ヒドロキシフェニル）−２−ヒドロキシフェニル
メタン）は、高感度化、高残膜率化、及びリニアリティ
の向上効果に優れる点で特に好ましい。
【００５９】（Ｂ）成分を本発明の組成物に配合する場
合、その含有量は（Ａ）成分であるアルカリ可溶性樹脂
１００質量部に対し５〜２５質量部、好ましくは１０〜
２０質量部の範囲で選ばれる。この範囲を下回ると高感
度化、高残膜率化の向上効果が十分に得られず、この範
囲を上回ると現像後の基板表面に残渣物が発生しやす
く、また原料コストも高くなる点で好ましくない。
合、その含有量は（Ａ）成分であるアルカリ可溶性樹脂
１００質量部に対し５〜２５質量部、好ましくは１０〜
２０質量部の範囲で選ばれる。この範囲を下回ると高感
度化、高残膜率化の向上効果が十分に得られず、この範
囲を上回ると現像後の基板表面に残渣物が発生しやす
く、また原料コストも高くなる点で好ましくない。
【００６０】なお、システムＬＣＤ用のレジスト組成物
を調整する場合には、（Ａ）成分であるアルカリ可溶性
樹脂１００質量部に対し（Ｂ）成分の割合を５〜２０質
量部、好ましくは７〜１５質量部の範囲で選ぶのがよ
い。寸法の異なるパターン形成においても、この範囲で
あれば、高感度化、高残膜率化の向上効果が十分に得ら
れるからである。
を調整する場合には、（Ａ）成分であるアルカリ可溶性
樹脂１００質量部に対し（Ｂ）成分の割合を５〜２０質
量部、好ましくは７〜１５質量部の範囲で選ぶのがよ
い。寸法の異なるパターン形成においても、この範囲で
あれば、高感度化、高残膜率化の向上効果が十分に得ら
れるからである。
【００６１】（Ｃ）成分（感光性成分）について：上記
一般式（III）で表されるキノンジアジドエステル化物
（感光性成分１）と、上記一般式（IV）で表されるキノ
ンジアジドエステル化物（感光性成分２）とを混合して
用いることにより、５００×６００ｍｍ2以上の大型ガ
ラス基板を用いたプロセスにおいても、マクロ的な特性
（塗布性、加熱ムラ特性、現像ムラ特性）に優れたレジ
スト材料を提供することができ、また、システムＬＣＤ
の製造に好適な、リニアリティに優れ、ｉ線露光に適し
たレジスト材料を提供することができる。
一般式（III）で表されるキノンジアジドエステル化物
（感光性成分１）と、上記一般式（IV）で表されるキノ
ンジアジドエステル化物（感光性成分２）とを混合して
用いることにより、５００×６００ｍｍ2以上の大型ガ
ラス基板を用いたプロセスにおいても、マクロ的な特性
（塗布性、加熱ムラ特性、現像ムラ特性）に優れたレジ
スト材料を提供することができ、また、システムＬＣＤ
の製造に好適な、リニアリティに優れ、ｉ線露光に適し
たレジスト材料を提供することができる。
【００６２】なお、感光性成分１の平均エステル化率は
４０〜６０％が好ましく、更に好ましくは４５〜５５％
である。４０％未満では現像後の膜減りが発生し易く、
残膜率が低くなりやすい。６０％を超えると、著しく感
度が劣る傾向がある。
４０〜６０％が好ましく、更に好ましくは４５〜５５％
である。４０％未満では現像後の膜減りが発生し易く、
残膜率が低くなりやすい。６０％を超えると、著しく感
度が劣る傾向がある。
【００６３】当該感光性成分１としては、上記式（VI
I）で示される化合物（ビス（２−メチル−４−ヒドロ
キシ−５−シクロヘキシルフェニル）−３，４−ジヒド
ロキシフェニルメタン）の１，２−ナフトキノンジアジ
ト−５−スルホニル化合物によるキノンジアジドエステ
ル化物が比較的安価で、感度、解像性、リニアリティに
優れたレジスト組成物を調整できる点で好ましい。この
内エステル化率５０％が最も好ましい。
I）で示される化合物（ビス（２−メチル−４−ヒドロ
キシ−５−シクロヘキシルフェニル）−３，４−ジヒド
ロキシフェニルメタン）の１，２−ナフトキノンジアジ
ト−５−スルホニル化合物によるキノンジアジドエステ
ル化物が比較的安価で、感度、解像性、リニアリティに
優れたレジスト組成物を調整できる点で好ましい。この
内エステル化率５０％が最も好ましい。
【００６４】一方、感光性成分２としては、上記式（VI
II）で示される２，３，４，４′−テトラヒドロキシベ
ンゾフェノンの１，２−ナフトキノンジアジト−５−ス
ルホニル化合物によるキノンジアジドエステル化物が好
ましい。その内平均エステル化率５０〜７０％のものが
好ましく、更に好ましくは５５〜６５％である。５０％
未満では現像後の膜減りが発生し易く、残膜率が低くな
りやすい。一方、７０％を超えると、保存安定性が低下
する傾向にある。当該感光性成分２は、非常に安価で、
感度に優れたレジスト組成物を調整できる点で好まし
い。この内、エステル化率５９％のものが最も好まし
い。
II）で示される２，３，４，４′−テトラヒドロキシベ
ンゾフェノンの１，２−ナフトキノンジアジト−５−ス
ルホニル化合物によるキノンジアジドエステル化物が好
ましい。その内平均エステル化率５０〜７０％のものが
好ましく、更に好ましくは５５〜６５％である。５０％
未満では現像後の膜減りが発生し易く、残膜率が低くな
りやすい。一方、７０％を超えると、保存安定性が低下
する傾向にある。当該感光性成分２は、非常に安価で、
感度に優れたレジスト組成物を調整できる点で好まし
い。この内、エステル化率５９％のものが最も好まし
い。
【００６５】（Ｃ）感光性成分は、上記感光性成分１，
２の他に、他のキノンジアジドエステル化物、例えば上
記一般式（Ｉ）で表されるフェノール化合物と１，２−
ナフトキノンジアジド−５（４）−スルホニル化合物と
のエステル化物も用いることができる。
２の他に、他のキノンジアジドエステル化物、例えば上
記一般式（Ｉ）で表されるフェノール化合物と１，２−
ナフトキノンジアジド−５（４）−スルホニル化合物と
のエステル化物も用いることができる。
【００６６】上記一般式（Ｉ）で表される化合物のフェ
ノール性水酸基の全部又は一部をナフトキノンジアジド
スルホン酸エステル化する方法は、常法により行うこと
ができ、例えば、ナフトキノンジアジドスルホニルクロ
ライドを上記一般式（Ｉ）で表される化合物と縮合させ
ることにより得ることができる。具体的には、上記一般
式（Ｉ）で表される化合物とナフトキノン−１，２−ジ
アジド−４（又は５）−スルホニルクロライドとを、ジ
オキサン、ｎ−メチルピロリドン、ジメチルアセトアミ
ド、テトラヒドロフラン等の有機溶媒に所定量溶解し、
ここにトリエチルアミン、トリエタノールアミン、ピリ
ジン、炭酸アルカリ、炭酸水素アルカリ等の塩基性触媒
を加えて反応させ、得られた生成物を水洗、乾燥して調
製することができる。
ノール性水酸基の全部又は一部をナフトキノンジアジド
スルホン酸エステル化する方法は、常法により行うこと
ができ、例えば、ナフトキノンジアジドスルホニルクロ
ライドを上記一般式（Ｉ）で表される化合物と縮合させ
ることにより得ることができる。具体的には、上記一般
式（Ｉ）で表される化合物とナフトキノン−１，２−ジ
アジド−４（又は５）−スルホニルクロライドとを、ジ
オキサン、ｎ−メチルピロリドン、ジメチルアセトアミ
ド、テトラヒドロフラン等の有機溶媒に所定量溶解し、
ここにトリエチルアミン、トリエタノールアミン、ピリ
ジン、炭酸アルカリ、炭酸水素アルカリ等の塩基性触媒
を加えて反応させ、得られた生成物を水洗、乾燥して調
製することができる。
【００６７】上記他のキノンジアジドエステル化物の使
用量は（Ｃ）感光性成分中、３０質量％以下、特には２
５質量％以下であることが、本発明の効果を損なわない
点で好ましい。
用量は（Ｃ）感光性成分中、３０質量％以下、特には２
５質量％以下であることが、本発明の効果を損なわない
点で好ましい。
【００６８】感光性成分１と２との混合割合は、感光性
成分１の５０質量部に対して感光性成分２を４０〜６０
質量部、特には４５〜５５質量部の範囲であることが望
ましい。感光性成分２の配合量がこの範囲より少ないと
感度が劣る傾向があり、この範囲より多いとレジスト組
成物の解像性、リニアリティが劣る傾向がある。
成分１の５０質量部に対して感光性成分２を４０〜６０
質量部、特には４５〜５５質量部の範囲であることが望
ましい。感光性成分２の配合量がこの範囲より少ないと
感度が劣る傾向があり、この範囲より多いとレジスト組
成物の解像性、リニアリティが劣る傾向がある。
【００６９】本発明の組成物において、（Ｃ）成分の配
合量は、（Ａ）成分であるアルカリ可溶性樹脂と（Ｂ）
成分との合計量１００質量部に対し１５〜４０質量部、
好ましくは２０〜３０質量部の範囲で選ぶのがよい。
（Ｃ）成分の配合量が上記範囲を下回るとパターンに忠
実な画像が得られず、転写性も低下する。一方、（Ｃ）
成分の配合量が上記範囲を上回ると、感度や解像性が劣
化し、また現像処理後に残渣物が発生する傾向がある。
合量は、（Ａ）成分であるアルカリ可溶性樹脂と（Ｂ）
成分との合計量１００質量部に対し１５〜４０質量部、
好ましくは２０〜３０質量部の範囲で選ぶのがよい。
（Ｃ）成分の配合量が上記範囲を下回るとパターンに忠
実な画像が得られず、転写性も低下する。一方、（Ｃ）
成分の配合量が上記範囲を上回ると、感度や解像性が劣
化し、また現像処理後に残渣物が発生する傾向がある。
【００７０】なお、システムＬＣＤ用のレジスト組成物
を調整する場合には、（Ａ）成分であるアルカリ可溶性
樹脂と（Ｂ）成分との合計量１００質量部に対し２０〜
４０質量部、好ましくは２５〜３５質量部の範囲で選ば
れる。
を調整する場合には、（Ａ）成分であるアルカリ可溶性
樹脂と（Ｂ）成分との合計量１００質量部に対し２０〜
４０質量部、好ましくは２５〜３５質量部の範囲で選ば
れる。
【００７１】本発明組成物は、（Ａ）〜（Ｃ）成分及び
各種添加成分とを、有機溶媒である下記（Ｄ）成分に溶
解して溶液の形で用いるのが好ましい。
各種添加成分とを、有機溶媒である下記（Ｄ）成分に溶
解して溶液の形で用いるのが好ましい。
【００７２】（Ｄ）成分（有機溶媒）について：本発明
に用いられる有機溶媒の例としては、アセトン、メチル
エチルケトン、シクロヘキサノン、メチルイソアミルケ
トン、２−ヘプタノン等のケトン類；エチレングリコー
ル、プロピレングリコール、ジエチレングリコール、エ
チレングリコールモノアセテート、プロピレングリコー
ルモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテー
ト、あるいはこれらのモノメチルエーテル、モノエチル
エーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル
またはモノフェニルエーテル等の多価アルコール類およ
びその誘導体；ジオキサンのような環式エーテル類；お
よび乳酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチ
ル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプ
ロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル等のエ
ステル類を挙げることができる。これらは単独で用いて
もよいし、２種以上を混合して用いてもよい。
に用いられる有機溶媒の例としては、アセトン、メチル
エチルケトン、シクロヘキサノン、メチルイソアミルケ
トン、２−ヘプタノン等のケトン類；エチレングリコー
ル、プロピレングリコール、ジエチレングリコール、エ
チレングリコールモノアセテート、プロピレングリコー
ルモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテー
ト、あるいはこれらのモノメチルエーテル、モノエチル
エーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル
またはモノフェニルエーテル等の多価アルコール類およ
びその誘導体；ジオキサンのような環式エーテル類；お
よび乳酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチ
ル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプ
ロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル等のエ
ステル類を挙げることができる。これらは単独で用いて
もよいし、２種以上を混合して用いてもよい。
【００７３】それらの内でもプロピレングリコールモノ
メチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）が、本発明レ
ジスト組成物に優れた塗布性を与え、大型ガラス基板上
でのレジスト被膜に優れた膜厚均一性を与える点で好ま
しい。ＰＧＭＥＡは単独溶媒で用いることが最も好まし
いが、ＰＧＭＥＡ以外の溶媒もこれと混合して用いるこ
とができる。そのような溶媒としては、例えば乳酸エチ
ル、γ−ブチロラクトン、プロピレングリコールモノブ
チルエーテルなどが挙げられる。
メチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）が、本発明レ
ジスト組成物に優れた塗布性を与え、大型ガラス基板上
でのレジスト被膜に優れた膜厚均一性を与える点で好ま
しい。ＰＧＭＥＡは単独溶媒で用いることが最も好まし
いが、ＰＧＭＥＡ以外の溶媒もこれと混合して用いるこ
とができる。そのような溶媒としては、例えば乳酸エチ
ル、γ−ブチロラクトン、プロピレングリコールモノブ
チルエーテルなどが挙げられる。
【００７４】乳酸エチルを用いる場合は、ＰＧＭＥＡに
対して質量比で０．１〜１０倍量、好ましくは１〜５倍
量の範囲で配合することが望ましい。また、γ−ブチロ
ラクトンを用いる場合は、ＰＧＭＥＡに対して質量比で
０．０１〜１倍量、好ましくは０．０５〜０．５倍量の
範囲で配合することが望ましい。
対して質量比で０．１〜１０倍量、好ましくは１〜５倍
量の範囲で配合することが望ましい。また、γ−ブチロ
ラクトンを用いる場合は、ＰＧＭＥＡに対して質量比で
０．０１〜１倍量、好ましくは０．０５〜０．５倍量の
範囲で配合することが望ましい。
【００７５】液晶表示素子製造の分野においては、通常
レジスト被膜を０．５〜２．５μｍ、特には１．０〜
２．０μｍの膜厚でガラス基板上に形成する必要がある
が、そのためには、これら有機溶媒を使用して、組成物
中の上記（Ａ）〜（Ｃ）成分の総量が、組成物の全質量
に対して３０質量％以下、好ましくは２０〜２８質量％
になるように調整することが、塗布性に優れる液晶表示
素子製造用レジスト材料として好ましい。この場合任意
に用いられる下記（Ｅ）成分の量も勘案して、溶媒
（Ｄ）の使用量は、組成物の全質量に対して６５〜８５
質量％、好ましくは７０〜７５質量％であることが好ま
しい。
レジスト被膜を０．５〜２．５μｍ、特には１．０〜
２．０μｍの膜厚でガラス基板上に形成する必要がある
が、そのためには、これら有機溶媒を使用して、組成物
中の上記（Ａ）〜（Ｃ）成分の総量が、組成物の全質量
に対して３０質量％以下、好ましくは２０〜２８質量％
になるように調整することが、塗布性に優れる液晶表示
素子製造用レジスト材料として好ましい。この場合任意
に用いられる下記（Ｅ）成分の量も勘案して、溶媒
（Ｄ）の使用量は、組成物の全質量に対して６５〜８５
質量％、好ましくは７０〜７５質量％であることが好ま
しい。
【００７６】（Ｅ）成分（その他の添加剤）について
本発明においては、本発明の目的を損なわない範囲にお
いて、ハレーション防止のための紫外線吸収剤、例えば
２，２′，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノ
ン、４−ジメチルアミノ−２′，４′−ジヒドロキシベ
ンゾフェノン、５−アミノ−３−メチル−１−フェニル
−４−（４−ヒドロキシフェニルアゾ）ピラゾール、４
−ジメチルアミノ−４’−ヒドロキシアゾベンゼン、４
−ジエチルアミノ−４’−エトキシアゾベンゼン、４−
ジエチルアミノアゾベンゼン、クルクミン等や、またス
トリエーション防止のための界面活性剤、例えばフロラ
ードＦＣ−４３０、ＦＣ４３１（商品名、住友３Ｍ
（株）製）、エフトップＥＦ１２２Ａ、ＥＦ１２２Ｂ、
ＥＦ１２２Ｃ、ＥＦ１２６（商品名、トーケムプロダク
ツ（株）製）等のフッ素系界面活性剤、ベンゾキノン、
ナフトキノン、ｐ−トルエンスルホン酸等の保存安定化
剤、さらに必要に応じて付加的樹脂、可塑剤、安定化
剤、コントラスト向上剤等の慣用の添加剤を本発明の目
的に支障のない範囲で添加含有させることができる。
いて、ハレーション防止のための紫外線吸収剤、例えば
２，２′，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノ
ン、４−ジメチルアミノ−２′，４′−ジヒドロキシベ
ンゾフェノン、５−アミノ−３−メチル−１−フェニル
−４−（４−ヒドロキシフェニルアゾ）ピラゾール、４
−ジメチルアミノ−４’−ヒドロキシアゾベンゼン、４
−ジエチルアミノ−４’−エトキシアゾベンゼン、４−
ジエチルアミノアゾベンゼン、クルクミン等や、またス
トリエーション防止のための界面活性剤、例えばフロラ
ードＦＣ−４３０、ＦＣ４３１（商品名、住友３Ｍ
（株）製）、エフトップＥＦ１２２Ａ、ＥＦ１２２Ｂ、
ＥＦ１２２Ｃ、ＥＦ１２６（商品名、トーケムプロダク
ツ（株）製）等のフッ素系界面活性剤、ベンゾキノン、
ナフトキノン、ｐ−トルエンスルホン酸等の保存安定化
剤、さらに必要に応じて付加的樹脂、可塑剤、安定化
剤、コントラスト向上剤等の慣用の添加剤を本発明の目
的に支障のない範囲で添加含有させることができる。
【００７７】本発明の組成物を用いた液晶表示素子製造
用レジストパターンの好適な形成方法について一例を示
す。まず、ガラス角基板上に、（Ａ）〜（Ｃ）成分、お
よび必要に応じて用いられる添加成分（Ｅ）を前記した
ような適当な溶媒（Ｄ）に溶かした溶液をスピンナー等
で塗布し、塗膜を形成する。このとき用いるガラス基板
は５００×６００mm2以上、特には、５５０〜６５０mm2
以上の大型板であることができる。
用レジストパターンの好適な形成方法について一例を示
す。まず、ガラス角基板上に、（Ａ）〜（Ｃ）成分、お
よび必要に応じて用いられる添加成分（Ｅ）を前記した
ような適当な溶媒（Ｄ）に溶かした溶液をスピンナー等
で塗布し、塗膜を形成する。このとき用いるガラス基板
は５００×６００mm2以上、特には、５５０〜６５０mm2
以上の大型板であることができる。
【００７８】本発明の組成物を用いれば、このように大
型のガラス基板を用いた液晶表示素子（システムＬＣＤ
を含む）の製造においても、マクロ的（塗布性、加熱ム
ラ特性、現像ムラ特性）に優れ、リニアリティにも優れ
たレジストパターンを得ることができる。
型のガラス基板を用いた液晶表示素子（システムＬＣＤ
を含む）の製造においても、マクロ的（塗布性、加熱ム
ラ特性、現像ムラ特性）に優れ、リニアリティにも優れ
たレジストパターンを得ることができる。
【００７９】次いで、この塗膜が形成されたガラス基板
を１００〜１４０℃程度で加熱乾燥（プリべーク）して
感光層を形成させる。次いで紫外線を発光する光源、例
えば低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、キセノン
ランプ等を用い、所望のマスクパターンを介して選択的
露光を行う。
を１００〜１４０℃程度で加熱乾燥（プリべーク）して
感光層を形成させる。次いで紫外線を発光する光源、例
えば低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、キセノン
ランプ等を用い、所望のマスクパターンを介して選択的
露光を行う。
【００８０】なお、システムＬＣＤ等の製造において、
この選択的露光はパターン寸法の異なるレジストパター
ン形成用マスクパターンが描かれたマスクを用いて行わ
れるものであり、前記ガラス基板上にパターン寸法の異
なるレジストパターンを同時に形成することができる。
例えば、この選択的露光はパターン寸法０．５〜２．５
μｍのレジストパターン形成用マスクパターンと、パタ
ーン寸法３〜１０μｍのレジストパターン形成用マスク
パターンとが描かれたマスク（レチクル）を用いて行う
ことが出来る。このような寸法の異なるパターンを同時
に形成するときも、本発明レジスト組成物は優れたリニ
アリティの効果を発揮する。このとき、微細なパターン
を形成するために、ｉ線（３６５nm）を用いることが好
ましい。
この選択的露光はパターン寸法の異なるレジストパター
ン形成用マスクパターンが描かれたマスクを用いて行わ
れるものであり、前記ガラス基板上にパターン寸法の異
なるレジストパターンを同時に形成することができる。
例えば、この選択的露光はパターン寸法０．５〜２．５
μｍのレジストパターン形成用マスクパターンと、パタ
ーン寸法３〜１０μｍのレジストパターン形成用マスク
パターンとが描かれたマスク（レチクル）を用いて行う
ことが出来る。このような寸法の異なるパターンを同時
に形成するときも、本発明レジスト組成物は優れたリニ
アリティの効果を発揮する。このとき、微細なパターン
を形成するために、ｉ線（３６５nm）を用いることが好
ましい。
【００８１】次にこの露光済みレジスト被覆ガラス基板
を現像液、例えば１〜１０質量％テトラメチルアンモニ
ウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶液のようなアルカリ
性水溶液を基板の一方の端部から他方の端部に液盛り
し、又は中心付近の上部に設置された現像液滴下ノズル
より基板表面全体に現像液を行き渡らせる。上記基板の
一方の端部から他方の端部にアルカリ性水溶液を液盛り
する方法は大型のガラス基板を用いたレジストパターン
の形成の場合に装置をコンパクトにすることができて、
極めて有用であるが、一方の端部から他方の端部に液盛
りしたとき、それぞれの端部での液盛りの時期にずれが
あるから、それら端部でのレジスト組成物とアルカリ性
水溶液の接触の時間が異なり、現像ムラの原因となる。
本発明レジスト組成物を用いると、この現像ムラが極め
て小さく実用上問題とならない程にすることができる。
を現像液、例えば１〜１０質量％テトラメチルアンモニ
ウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶液のようなアルカリ
性水溶液を基板の一方の端部から他方の端部に液盛り
し、又は中心付近の上部に設置された現像液滴下ノズル
より基板表面全体に現像液を行き渡らせる。上記基板の
一方の端部から他方の端部にアルカリ性水溶液を液盛り
する方法は大型のガラス基板を用いたレジストパターン
の形成の場合に装置をコンパクトにすることができて、
極めて有用であるが、一方の端部から他方の端部に液盛
りしたとき、それぞれの端部での液盛りの時期にずれが
あるから、それら端部でのレジスト組成物とアルカリ性
水溶液の接触の時間が異なり、現像ムラの原因となる。
本発明レジスト組成物を用いると、この現像ムラが極め
て小さく実用上問題とならない程にすることができる。
【００８２】そして５０〜６０秒間程度静置して現像
し、上記ガラス基板上にレジストパターンを形成する。
その後、このレジストパターン表面に残った現像液を純
水などのリンス液を用いて洗い落とすリンス工程を行
う。
し、上記ガラス基板上にレジストパターンを形成する。
その後、このレジストパターン表面に残った現像液を純
水などのリンス液を用いて洗い落とすリンス工程を行
う。
【００８３】
【実施例】ポジ型ホトレジスト組成物の諸物性は次のよ
うにして求めた。 （１）加熱ムラ評価：試料をスピンナーを用いてＣｒ膜
が形成されたガラス基板（５５０×６５０ｍｍ2）上に
塗布したのち、ホットプレートの温度を１３０℃とし、
約１ｍｍの間隔をあけたプロキシミティベークにより６
０秒間の第１回目の乾燥を行い、次いでホットプレート
の温度を１２０℃とし、０．５ｍｍの間隔をあけたプロ
キシミティベークにより６０秒間の第２回目の乾燥を施
し、膜厚１．５μｍのレジスト被膜を形成した。
うにして求めた。 （１）加熱ムラ評価：試料をスピンナーを用いてＣｒ膜
が形成されたガラス基板（５５０×６５０ｍｍ2）上に
塗布したのち、ホットプレートの温度を１３０℃とし、
約１ｍｍの間隔をあけたプロキシミティベークにより６
０秒間の第１回目の乾燥を行い、次いでホットプレート
の温度を１２０℃とし、０．５ｍｍの間隔をあけたプロ
キシミティベークにより６０秒間の第２回目の乾燥を施
し、膜厚１．５μｍのレジスト被膜を形成した。
【００８４】なお第２回目の乾燥工程において、基板周
縁部Ａでは基板温度は約１０５℃であり、基板中心部Ｂ
では基板温度は約１１０℃であり、基板コア部Ｃでは基
板温度は約１１５℃であった（図１参照）。
縁部Ａでは基板温度は約１０５℃であり、基板中心部Ｂ
では基板温度は約１１０℃であり、基板コア部Ｃでは基
板温度は約１１５℃であった（図１参照）。
【００８５】次いで３．０μｍＬ＆Ｓ（ラインアンドス
ペース）のレジストパターンを再現するためのマスクパ
ターンが描かれたテストチャートマスク（レチクル）を
介してミラープロジェクション・アライナーＭＰＡ−６
００ＦＡ（商品名、キャノン社製）を用い、基板中心部
Ｂにおいて３．０μｍＬ＆Ｓを寸法通りに再現すること
のできる露光量で選択的露光を行った。但し、露光量は
３０ｍＪ以下の条件で行った。次いで、２３℃、２．３
８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭ
ＡＨ）水溶液に６０秒間接触させ、３０秒間水洗し、ス
ピン乾燥した。
ペース）のレジストパターンを再現するためのマスクパ
ターンが描かれたテストチャートマスク（レチクル）を
介してミラープロジェクション・アライナーＭＰＡ−６
００ＦＡ（商品名、キャノン社製）を用い、基板中心部
Ｂにおいて３．０μｍＬ＆Ｓを寸法通りに再現すること
のできる露光量で選択的露光を行った。但し、露光量は
３０ｍＪ以下の条件で行った。次いで、２３℃、２．３
８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭ
ＡＨ）水溶液に６０秒間接触させ、３０秒間水洗し、ス
ピン乾燥した。
【００８６】その後、得られたレジストパターンの断面
形状を、上記基板周縁部Ａ、中心部Ｂ、コア部Ｃについ
てＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）写真にて観察し、パター
ン寸法が２．９０〜３．１０μｍであったものを○、
２．９０μｍ未満であったものを×、３．１０μｍ超で
あったものを××として表し、その結果を表２に示す。
形状を、上記基板周縁部Ａ、中心部Ｂ、コア部Ｃについ
てＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）写真にて観察し、パター
ン寸法が２．９０〜３．１０μｍであったものを○、
２．９０μｍ未満であったものを×、３．１０μｍ超で
あったものを××として表し、その結果を表２に示す。
【００８７】（２）現像ムラ評価：試料をスピンナーを
用いてＣｒ膜が形成されたガラス基板（５５０×６５０
ｍｍ2）上に塗布したのち、ホットプレートの温度を１
３０℃とし、約１ｍｍの間隔をあけたプロキシミティベ
ークにより６０秒間の第１回目の乾燥を行い、次いでホ
ットプレートの温度を１２０℃とし、０．５ｍｍの間隔
をあけたプロキシミティベークにより６０秒間の第２回
目の乾燥を施し、膜厚１．５μｍのレジスト被膜を形成
した。
用いてＣｒ膜が形成されたガラス基板（５５０×６５０
ｍｍ2）上に塗布したのち、ホットプレートの温度を１
３０℃とし、約１ｍｍの間隔をあけたプロキシミティベ
ークにより６０秒間の第１回目の乾燥を行い、次いでホ
ットプレートの温度を１２０℃とし、０．５ｍｍの間隔
をあけたプロキシミティベークにより６０秒間の第２回
目の乾燥を施し、膜厚１．５μｍのレジスト被膜を形成
した。
【００８８】次いで３．０μｍＬ＆Ｓのレジストパター
ンを再現するためのマスクパターンが描かれたテストチ
ャートマスク（レチクル）を介してミラープロジェクシ
ョン・アライナーＭＰＡ−６００ＦＡ（キャノン社製）
を用い、基板中心部Ｙにおいて３．０μｍＬ＆Ｓを寸法
通りに再現することのできる露光量で選択的露光を行っ
た。但し、露光量は３０ｍＪ以下の条件で行った。
ンを再現するためのマスクパターンが描かれたテストチ
ャートマスク（レチクル）を介してミラープロジェクシ
ョン・アライナーＭＰＡ−６００ＦＡ（キャノン社製）
を用い、基板中心部Ｙにおいて３．０μｍＬ＆Ｓを寸法
通りに再現することのできる露光量で選択的露光を行っ
た。但し、露光量は３０ｍＪ以下の条件で行った。
【００８９】次いで、２３℃、２．３８質量％ＴＭＡＨ
水溶液をスリットコータノズルを有する現像装置（装置
名：ＴＤ−３９０００デモ機、東京応化工業（株）製）
を用いて、基板端部ＸからＺ（図２参照）にかけて、１
０秒間を掛けて基板上に液盛りし、５５秒間保持した
後、３０秒間水洗し、スピン乾燥した。なお基板と現像
液との接触時間は、基板端部Ｘでは６５秒間、基板中心
部Ｙでは６０秒間、基板端部Ｚでは５５秒間であった。
水溶液をスリットコータノズルを有する現像装置（装置
名：ＴＤ−３９０００デモ機、東京応化工業（株）製）
を用いて、基板端部ＸからＺ（図２参照）にかけて、１
０秒間を掛けて基板上に液盛りし、５５秒間保持した
後、３０秒間水洗し、スピン乾燥した。なお基板と現像
液との接触時間は、基板端部Ｘでは６５秒間、基板中心
部Ｙでは６０秒間、基板端部Ｚでは５５秒間であった。
【００９０】その後、得られたレジストパターンの断面
形状を、上記基板端部Ｘ、中心部Ｙ、端部ＺについてＳ
ＥＭ（走査型電子顕微鏡）写真にて観察し、パターン寸
法が２．８０〜３．２０μｍであったものを○、２．８
０μｍ未満であったものを×、３．２０μｍ超であった
ものを××として表し、その結果を表２に示す。
形状を、上記基板端部Ｘ、中心部Ｙ、端部ＺについてＳ
ＥＭ（走査型電子顕微鏡）写真にて観察し、パターン寸
法が２．８０〜３．２０μｍであったものを○、２．８
０μｍ未満であったものを×、３．２０μｍ超であった
ものを××として表し、その結果を表２に示す。
【００９１】（３）リニアリティ評価：試料をスピンナ
ーを用いてＣｒ膜が形成されたガラス基板（５５０×６
５０ｍｍ2）上に塗布したのち、ホットプレートの温度
を１３０℃とし、約１ｍｍの間隔をあけたプロキシミテ
ィベークにより６０秒間の第１回目の乾燥を行い、次い
でホットプレートの温度を１２０℃とし、０．５ｍｍの
間隔をあけたプロキシミティベークにより６０秒間の第
２回目の乾燥を施し、膜厚１．５μｍのレジスト被膜を
形成した。
ーを用いてＣｒ膜が形成されたガラス基板（５５０×６
５０ｍｍ2）上に塗布したのち、ホットプレートの温度
を１３０℃とし、約１ｍｍの間隔をあけたプロキシミテ
ィベークにより６０秒間の第１回目の乾燥を行い、次い
でホットプレートの温度を１２０℃とし、０．５ｍｍの
間隔をあけたプロキシミティベークにより６０秒間の第
２回目の乾燥を施し、膜厚１．５μｍのレジスト被膜を
形成した。
【００９２】次いで３．０μｍＬ＆Ｓ、２．０μｍＬ＆
Ｓ、及び１．５μｍＬ＆Ｓのレジストパターンを再現す
るためのマスクパターンが一つのマスク上に描かれたテ
ストチャートマスク（レチクル）を介してｉ線露光装置
（装置名：ＦＸ−７０２Ｊ、ニコン社製）を用い、３．
０μｍＬ＆Ｓを寸法通りに再現することのできる露光量
にて選択的露光を行った。
Ｓ、及び１．５μｍＬ＆Ｓのレジストパターンを再現す
るためのマスクパターンが一つのマスク上に描かれたテ
ストチャートマスク（レチクル）を介してｉ線露光装置
（装置名：ＦＸ−７０２Ｊ、ニコン社製）を用い、３．
０μｍＬ＆Ｓを寸法通りに再現することのできる露光量
にて選択的露光を行った。
【００９３】次いで、２３℃、２．３８質量％ＴＭＡＨ
水溶液をスリットコータノズルを有する現像装置（装置
名：ＴＤ−３９０００デモ機、東京応化工業（株）製）
を用いて、基板端部ＸからＺ（図２参照）にかけて、１
０秒間を掛けて基板上に液盛りし、５５秒間保持した
後、３０秒間水洗し、スピン乾燥した。
水溶液をスリットコータノズルを有する現像装置（装置
名：ＴＤ−３９０００デモ機、東京応化工業（株）製）
を用いて、基板端部ＸからＺ（図２参照）にかけて、１
０秒間を掛けて基板上に液盛りし、５５秒間保持した
後、３０秒間水洗し、スピン乾燥した。
【００９４】その後、得られたレジストパターンの断面
形状をＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）写真にて観察し、
３．０μｍＬ＆Ｓ、２．０μｍＬ＆Ｓ、及び１．５μｍ
Ｌ＆Ｓのレジストパターンの再現性を実際にレジストパ
ターン寸法を求めることにより評価した。その結果を表
３に示す。
形状をＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）写真にて観察し、
３．０μｍＬ＆Ｓ、２．０μｍＬ＆Ｓ、及び１．５μｍ
Ｌ＆Ｓのレジストパターンの再現性を実際にレジストパ
ターン寸法を求めることにより評価した。その結果を表
３に示す。
【００９５】(実施例１)
（Ａ）成分：
アルカリ可溶性樹脂 １００質量部
[ｍ−クレゾール３５モル％とｐ−クレゾール６５モル
％の混合物にシュウ酸とホルムアルデヒドを加え縮合反
応して得られた重量平均分子量（Ｍｗ）４０００のクレ
ゾールノボラック樹脂に分別処理を施して得られた、Ｍ
ｗ＝４５００、フェノール類の２核体含有量が約６％の
クレゾールノボラック樹脂（製品名：ＧＴＲ−Ｍ２、群
栄化学社製）を使用した。なお、フェノール類の２核体
含有量は、下記の装置と条件によるＧＰＣ測定で行っ
た。]
％の混合物にシュウ酸とホルムアルデヒドを加え縮合反
応して得られた重量平均分子量（Ｍｗ）４０００のクレ
ゾールノボラック樹脂に分別処理を施して得られた、Ｍ
ｗ＝４５００、フェノール類の２核体含有量が約６％の
クレゾールノボラック樹脂（製品名：ＧＴＲ−Ｍ２、群
栄化学社製）を使用した。なお、フェノール類の２核体
含有量は、下記の装置と条件によるＧＰＣ測定で行っ
た。]
【００９６】
装置名：ＳＹＳＴＥＭ １１（昭和電工社製）
プレカラム：ＫＦ−Ｇ（ＳＨＯＤＥＸ社製）
カラム：ＫＦ−８０２（ＳＨＯＤＥＸ社製）
検出器：ＵＶ４１（２８０ｎｍで測定）
溶媒等の条件：流量１．０ｍｌ／ｍｉｎでテトラヒドロ
フランを流し、３５℃にて測定した。
フランを流し、３５℃にて測定した。
【００９７】（Ｂ）成分：
感度向上剤（Ｂ１：上記式（Ｖ）で表されるフェノール
化合物）：１５質量部 （Ｃ）成分： 感光性成分１／感光性成分２[５０／５０（質量比）]：
２６質量部 （感光性成分１：Ｃ１：上記式（VII）で示される化合
物１モルと１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホ
ン酸クロリド（以下「５−ＮＱＤ」と記述する）２モル
とのエステル化物（エステル化率５０％）；感光性成分
２：Ｃ２：上記式（VIII）で示される化合物１モルと５
−ＮＱＤ２．３４モルとのエステル化物（エステル化率
５９％） （Ｄ）成分： 溶媒（ＰＧＭＥＡ）：４２３質量部
化合物）：１５質量部 （Ｃ）成分： 感光性成分１／感光性成分２[５０／５０（質量比）]：
２６質量部 （感光性成分１：Ｃ１：上記式（VII）で示される化合
物１モルと１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホ
ン酸クロリド（以下「５−ＮＱＤ」と記述する）２モル
とのエステル化物（エステル化率５０％）；感光性成分
２：Ｃ２：上記式（VIII）で示される化合物１モルと５
−ＮＱＤ２．３４モルとのエステル化物（エステル化率
５９％） （Ｄ）成分： 溶媒（ＰＧＭＥＡ）：４２３質量部
【００９８】上記（Ａ）〜（Ｄ）成分を均一に溶解した
後、これを孔径０．２μｍのメンブランフィルターを用
いてろ過し、ポジ型ホトレジスト組成物を調製した。こ
の組成物について、上記加熱ムラ及び現像ムラを測定し
た。その結果を上述のように表２に示す。
後、これを孔径０．２μｍのメンブランフィルターを用
いてろ過し、ポジ型ホトレジスト組成物を調製した。こ
の組成物について、上記加熱ムラ及び現像ムラを測定し
た。その結果を上述のように表２に示す。
【００９９】（実施例２〜６、比較例１〜１０）（Ａ）
〜（Ｄ）の各成分を下記表１に記載したものに代えた以
外は実施例１と同様にして各種ポジ型ホトレジスト組成
物を調製した。この組成物について、上記加熱ムラ、現
像ムラ、及びリニアリティを測定した。その結果を上述
のように表２、３に示す。
〜（Ｄ）の各成分を下記表１に記載したものに代えた以
外は実施例１と同様にして各種ポジ型ホトレジスト組成
物を調製した。この組成物について、上記加熱ムラ、現
像ムラ、及びリニアリティを測定した。その結果を上述
のように表２、３に示す。
【０１００】各実施例及び比較例において用いた化合物
の略号及びその内容については、Ｂ１，Ｃ１，Ｃ２は上
記のとおりであるが、Ｂ２，Ｃ２’，Ｃ３，Ｃ４及びＥ
Ｌは次の通りである。
の略号及びその内容については、Ｂ１，Ｃ１，Ｃ２は上
記のとおりであるが、Ｂ２，Ｃ２’，Ｃ３，Ｃ４及びＥ
Ｌは次の通りである。
【０１０１】
【化１６】
（但し、Ｃ２’，Ｃ３及びＣ４のエステル化率はそれぞ
れ７５％、６６％、及び６６％である。）
れ７５％、６６％、及び６６％である。）
【０１０２】
【表１】
【０１０３】
【表２】
【０１０４】表２から明らかなように、本発明で特定さ
れる成分を用いないときはホトレジスト組成物膜の現像
ムラの良い場合はあるが、加熱ムラが悪いことが明らか
である。
れる成分を用いないときはホトレジスト組成物膜の現像
ムラの良い場合はあるが、加熱ムラが悪いことが明らか
である。
【０１０５】
【表３】
【０１０６】表３から明らかなように、本発明で特定さ
れる成分を用いないときはホトレジスト組成物膜のリニ
アリティが悪いことが明らかである。
れる成分を用いないときはホトレジスト組成物膜のリニ
アリティが悪いことが明らかである。
【０１０７】
【発明の効果】本発明によれば、安価であって、５００
×６００ｍｍ2以上の大型ガラス基板を用いたプロセス
においても、マクロ的な特性（塗布性、加熱ムラ特性、
現像ムラ特性）に優れたレジスト材料を提供することが
できる。更に、本発明によれば、システムＬＣＤの製造
に好適な、リニアリティに優れ、ｉ線露光に適したレジ
スト材料を提供することができる。
×６００ｍｍ2以上の大型ガラス基板を用いたプロセス
においても、マクロ的な特性（塗布性、加熱ムラ特性、
現像ムラ特性）に優れたレジスト材料を提供することが
できる。更に、本発明によれば、システムＬＣＤの製造
に好適な、リニアリティに優れ、ｉ線露光に適したレジ
スト材料を提供することができる。
【図１】 加熱ムラ評価のために、ポジ型ホトレジスト
組成物をガラス基板に塗布し、べークし乾燥したときの
基板周辺部Ａ、基板中心部Ｂ、及び基板コア部Ｃの各領
域を表す図。
組成物をガラス基板に塗布し、べークし乾燥したときの
基板周辺部Ａ、基板中心部Ｂ、及び基板コア部Ｃの各領
域を表す図。
【図２】 現像ムラ評価及びリニアリティ評価のため
に、ポジ型ホトレジスト組成物をガラス基板に塗布し、
べークし乾燥し、パターン露光した後、スリットコータ
ーを有する現像装置で現像液を基板端部ＸからＺにかけ
て液盛りする旨の説明図。
に、ポジ型ホトレジスト組成物をガラス基板に塗布し、
べークし乾燥し、パターン露光した後、スリットコータ
ーを有する現像装置で現像液を基板端部ＸからＺにかけ
て液盛りする旨の説明図。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 青木 知三郎
神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 東
京応化工業株式会社内
Ｆターム(参考） 2H025 AA04 AA10 AA18 AB14 AB17
AC01 AD03 BE01 CB29 CC03
CC20 FA17
Claims (16)
- 【請求項１】（Ａ）アルカリ可溶性樹脂１００質量部に
対し、（Ｂ）下記一般式（Ｉ） 【化１】 〔式中、Ｒ1〜Ｒ8はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン
原子、炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数１〜
６のアルコキシ基、又は炭素原子数３〜６のシクロアル
キル基を表し；Ｒ9〜Ｒ11はそれぞれ独立に水素原子又
は炭素原子数１〜６のアルキル基を表し；Ｑは水素原
子、炭素原子数１〜６のアルキル基、Ｒ9と結合して炭
素原子鎖３〜６のシクロアルキル基を形成する基、又は
下記の化学式（II）で表される基 【化２】 （式中、Ｒ12及びＲ13はそれぞれ独立に水素原子、ハロ
ゲン原子、炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数
１〜６のアルコキシ基、又は炭素原子数３〜６のシクロ
アルキル基を表し；ｃは１〜３の整数を示す。）を表
し；ａ、ｂは１〜３の整数を表し；ｄは０〜３の整数を
表し；ｎは０〜３の整数を表す。〕で表されるフェノー
ル化合物を５〜２５質量部含有し、（Ａ）成分と（Ｂ）
成分の総質量１００質量部に対し、（Ｃ）下記一般式
（III） 【化３】 （式中、Ｒ14は、独立に炭素原子数１〜５のアルキル基
を表わし；Ｄは、独立に水素原子、又は１，２−ナフト
キノンジアジド−５−スルホニル基を表し、Ｄの少なく
とも１つは１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホ
ニル基を表し；ｌ、ｍは、それぞれ独立に１又は２を表
わす。）で表されるキノンジアジドエステル化物（感光
性成分１）、及び下記一般式（IV） 【化４】 （式中、Ｄは、独立に水素原子、又は１，２−ナフトキ
ノンジアジド−５−スルホニル基を表し、Ｄの少なくと
も１つは１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニ
ル基である。）で表されるキノンジアジドエステル化物
（感光性成分２）からなる感光性成分の混合物を１５〜
４０質量部の範囲で含有し、更に（Ｄ）有機溶媒を含有
することを特徴とするポジ型ホトレジスト組成物。 - 【請求項２】 （Ｂ）成分は、下記式（Ｖ） 【化５】 で表されるフェノール化合物であることを特徴とする請
求項１記載のポジ型ホトレジスト組成物。 - 【請求項３】 （Ｂ）成分は、下記式（VI） 【化６】 で表わされるフェノール化合物であることを特徴とする
請求項１記載のポジ型ホトレジスト組成物。 - 【請求項４】 （Ａ）成分は、全フェノール系繰り返し
単位中、ｐ−クレゾール系繰り返し単位を６０モル％以
上含有し、かつｍ−クレゾール系繰り返し単位を３０モ
ル％以上含有し、ポリスチレン換算重量平均分子量（Ｍ
ｗ）が２０００〜８０００のノボラック樹脂であること
を特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のポジ型ホ
トレジスト組成物。 - 【請求項５】 感光性成分１は、下記式（VII） 【化７】 で表わされるフェノール化合物と１，２−ナフトキノン
ジアジド−５−スルホニル化合物との平均エステル化率
４０〜６０％のキノンジアジドエステル化物であり、感
光性成分２は、下記式（VIII） 【化８】 で表わされるフェノール化合物と１，２−ナフトキノン
ジアジド−５−スルホニル化合物との平均エステル化率
５０〜７０％のキノンジアジドエステル化物であること
を特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のポジ型ホ
トレジスト組成物。 - 【請求項６】 （Ｄ）成分としてプロピレングリコール
モノメチルエーテルアセテートを更に含有することを特
徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載のポジ型ホ
トレジスト組成物。 - 【請求項７】 （Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）成分の総量が
組成物の全質量に対して３０質量％以下であることを特
徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載のポジ型ホ
トレジスト組成物。 - 【請求項８】 液晶表示素子の製造用の請求項１〜７の
いずれか１項に記載のポジ型ホトレジスト組成物。 - 【請求項９】 前記液晶表示素子が５００×６００ｍｍ
2以上の大型ガラス基板を用いて作られるものである請
求項８に記載のポジ型ホトレジスト組成物。 - 【請求項１０】 システムＬＣＤの製造用の請求項１〜
７のいずれか１項に記載のポジ型ホトレジスト組成物。 - 【請求項１１】 前記システムＬＣＤが５００×６００
ｍｍ2以上の大型ガラス基板を用いて作られるものであ
る請求項１０に記載のポジ型ホトレジスト組成物。 - 【請求項１２】 前記システムＬＣＤがｉ線（３６５ｎ
ｍ）露光プロセスを用いて作られるものである請求項１
０又は１１に記載のポジ型ホトレジスト組成物。 - 【請求項１３】 （１）請求項１〜７のいずれか１項に
記載のポジ型ホトレジスト組成物を５００×６００ｍｍ
2以上の大型ガラス基板上に塗布し、塗膜を形成する工
程、（２）上記塗膜が形成されたガラス基板を加熱処理
（プリベーク）し、ガラス基板上にレジスト被膜を形成
する工程、（３）上記レジスト被膜に対し選択的露光を
行う工程、（４）上記選択的露光後のレジスト被膜に対
しアルカリ水溶液を用いた現像処理を施し、上記ガラス
基板上にレジストパターンを形成する工程、及び（５）
上記レジストパターン表面に残った現像液を洗い落とす
リンス工程、を含むことを特徴とする液晶表示素子製造
用レジストパターンの形成方法。 - 【請求項１４】 前記（３）選択的露光を行う工程が、
パターン寸法の異なるレジストパターン形成用マスクパ
ターンが描かれたマスクを用いて行われるものであり、
前記ガラス基板上にパターン寸法の異なるレジストパタ
ーンを同時に形成することを特徴とする請求項１３に記
載の液晶表示素子製造用レジストパターンの形成方法。 - 【請求項１５】 前記パターン寸法の異なるレジストパ
ターン形成用マスクパターンが描かれたマスクが、パタ
ーン寸法０．５〜２．５μｍのレジストパターン形成用
マスクパターンとパターン寸法３〜１０μｍのレジスト
パターン形成用マスクパターンが少なくとも混在して描
かれたマスク（レチクル）であることを特徴とする請求
項１４に記載の液晶表示素子製造用レジストパターンの
形成方法。 - 【請求項１６】 上記（３）選択的露光を行う工程が、
ｉ線（３６５ｎｍ）を光源に用いた露光プロセスにより
行うものであることを特徴とする請求項１３〜１５のい
ずれかに記載の液晶表示素子製造用レジストパターンの
形成方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001382127A JP3640638B2 (ja) | 2001-12-05 | 2001-12-14 | 液晶表示素子製造用レジストパターンの形成方法 |
| KR10-2002-0076257A KR100499983B1 (ko) | 2001-12-05 | 2002-12-03 | 포지티브형 포토레지스트 조성물 및 액정표시소자 제조용레지스트패턴의 형성방법 |
| TW091135081A TW591333B (en) | 2001-12-05 | 2002-12-03 | Positive photoresist composition and forming method for resist pattern for manufacturing liquid crystal display |
Applications Claiming Priority (3)
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