JPH07253664A - 感光性樹脂組成物 - Google Patents
感光性樹脂組成物Info
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- JPH07253664A JPH07253664A JP4371194A JP4371194A JPH07253664A JP H07253664 A JPH07253664 A JP H07253664A JP 4371194 A JP4371194 A JP 4371194A JP 4371194 A JP4371194 A JP 4371194A JP H07253664 A JPH07253664 A JP H07253664A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- sulfonic acid
- acid ester
- naphthoquinonediazide
- general formula
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 感度、解像度、耐熱性、プロファイル及び焦
点深度等の諸性能のバランスに優れた感光性樹脂組成物
を提供する。 【構成】 一般式（Ｉ） 【化１】 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ8 及びＲ9 は水素、アルキル等
を、Ｒ3 、Ｒ4 及びＲ7は水素又は１，２−ナフトキノ
ンジアジドスルホニル基を、Ｒ5 及びＲ6 はシクロアル
キルを、各々表わす。）で示される感光剤及びノボラッ
ク樹脂を含む感光性樹脂組成物。
点深度等の諸性能のバランスに優れた感光性樹脂組成物
を提供する。 【構成】 一般式（Ｉ） 【化１】 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ8 及びＲ9 は水素、アルキル等
を、Ｒ3 、Ｒ4 及びＲ7は水素又は１，２−ナフトキノ
ンジアジドスルホニル基を、Ｒ5 及びＲ6 はシクロアル
キルを、各々表わす。）で示される感光剤及びノボラッ
ク樹脂を含む感光性樹脂組成物。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は紫外線、エキシマーレー
ザー等を含む遠紫外線等を用いた半導体微細加工用感光
性樹脂組成物に関する。
ザー等を含む遠紫外線等を用いた半導体微細加工用感光
性樹脂組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、集積回路については高集積化に伴
う微細化が進み、今やハーフミクロンのパターン形成が
要求されている。この結果、より優れた解像度及び焦点
深度等の性能を有する感光性樹脂組成物が求められてい
る。特開平４−301850号公報には、アルカリ可溶性フェ
ノール樹脂、及び下記一般式〔Ｉ〕及び〔ＩＩ〕で示さ
れる化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種のフ
ェノール化合物の水酸基がキノンジアジドスルホン酸エ
ステル化され、且つ、該水酸基が下記一般式〔ＩＩＩ〕
で示されるようにスルホン酸エステル化及び／又は下記
一般式〔ＩＶ〕で示されるようにカルボン酸エステル化
された混合エステル化物を感光剤として含有することを
特徴とするポジ型レジスト組成物が開示されている。
う微細化が進み、今やハーフミクロンのパターン形成が
要求されている。この結果、より優れた解像度及び焦点
深度等の性能を有する感光性樹脂組成物が求められてい
る。特開平４−301850号公報には、アルカリ可溶性フェ
ノール樹脂、及び下記一般式〔Ｉ〕及び〔ＩＩ〕で示さ
れる化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種のフ
ェノール化合物の水酸基がキノンジアジドスルホン酸エ
ステル化され、且つ、該水酸基が下記一般式〔ＩＩＩ〕
で示されるようにスルホン酸エステル化及び／又は下記
一般式〔ＩＶ〕で示されるようにカルボン酸エステル化
された混合エステル化物を感光剤として含有することを
特徴とするポジ型レジスト組成物が開示されている。
【０００３】一般式〔Ｉ〕
【０００４】
【化３】
【０００５】（Ｒ1 〜Ｒ6 ：水素、ハロゲン、水酸基、
炭素数１〜４のアルキル基、置換アルキル基、炭素数２
〜５のアルケニル基、置換アルケニル基、炭素数６〜15
のアリール基、置換アリール基、炭素数１〜６のアルコ
キシ基、又は炭素数１〜５のアシル基であり、同一又は
異なっていてもよい。 Ｒ7 ：水素、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数２〜５
のアルケニル基、又は炭素数６〜15のアリール基であ
る。） 一般式〔ＩＩ〕
炭素数１〜４のアルキル基、置換アルキル基、炭素数２
〜５のアルケニル基、置換アルケニル基、炭素数６〜15
のアリール基、置換アリール基、炭素数１〜６のアルコ
キシ基、又は炭素数１〜５のアシル基であり、同一又は
異なっていてもよい。 Ｒ7 ：水素、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数２〜５
のアルケニル基、又は炭素数６〜15のアリール基であ
る。） 一般式〔ＩＩ〕
【０００６】
【化４】
【０００７】（Ｒ8 〜Ｒ9 ：水素、ハロゲン、水酸基、
炭素数１〜４のアルキル基、置換アルキル基、炭素数２
〜５のアルケニル基、置換アルケニル基、炭素数６〜15
のアリール基、置換アリール基、炭素数１〜６のアルコ
キシ基、又は炭素数１〜５のアシル基であり、同一又は
異なっていてもよい。 Ｒ10〜Ｒ12：水素、ハロゲン、炭素数１〜４のアルキル
基、置換アルキル基、炭素数２〜５のアルケニル基、置
換アルケニル基、炭素数６〜15のアリール基、置換アリ
ール基、炭素数１〜６のアルコキシ基、又は炭素数１〜
５のアシル基であり、同一又は異なっていてもよい。 Ｒ13：水素、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数２〜５
のアルケニル基、又は炭素数６〜15のアリール基であ
る。） 一般式〔ＩＩＩ〕 −ＯＳＯ2 Ｒ14 〔ＩＩＩ〕 （Ｒ14：アルキル基、置換アルキル基、アリール基、又
は置換アリール基） 一般式〔ＩＶ〕 −ＯＣＯＲ15 〔ＩＶ〕 （Ｒ15：アルキル基、置換アルキル基、アリール基、又
は置換アリール基）
炭素数１〜４のアルキル基、置換アルキル基、炭素数２
〜５のアルケニル基、置換アルケニル基、炭素数６〜15
のアリール基、置換アリール基、炭素数１〜６のアルコ
キシ基、又は炭素数１〜５のアシル基であり、同一又は
異なっていてもよい。 Ｒ10〜Ｒ12：水素、ハロゲン、炭素数１〜４のアルキル
基、置換アルキル基、炭素数２〜５のアルケニル基、置
換アルケニル基、炭素数６〜15のアリール基、置換アリ
ール基、炭素数１〜６のアルコキシ基、又は炭素数１〜
５のアシル基であり、同一又は異なっていてもよい。 Ｒ13：水素、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数２〜５
のアルケニル基、又は炭素数６〜15のアリール基であ
る。） 一般式〔ＩＩＩ〕 −ＯＳＯ2 Ｒ14 〔ＩＩＩ〕 （Ｒ14：アルキル基、置換アルキル基、アリール基、又
は置換アリール基） 一般式〔ＩＶ〕 −ＯＣＯＲ15 〔ＩＶ〕 （Ｒ15：アルキル基、置換アルキル基、アリール基、又
は置換アリール基）
【０００８】しかしながら、上記ポジ型レジスト組成物
は感度、解像度、耐熱性、プロファイル及び焦点深度等
の諸性能のバランスの観点から、必ずしも満足できるも
のではない。
は感度、解像度、耐熱性、プロファイル及び焦点深度等
の諸性能のバランスの観点から、必ずしも満足できるも
のではない。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記従来技
術の問題点を解決して、感度、解像度、耐熱性、プロフ
ァイル及び焦点深度等の諸性能のバランスに優れ、且つ
現像残さ（スカム）のない感光性樹脂組成物を提供す
る。
術の問題点を解決して、感度、解像度、耐熱性、プロフ
ァイル及び焦点深度等の諸性能のバランスに優れ、且つ
現像残さ（スカム）のない感光性樹脂組成物を提供す
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、一般式（Ｉ）
【００１１】
【化５】
【００１２】（式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ8 及びＲ9 は各々
独立して水素原子又はアルキル、アルケニルもしくはア
リール基を表わし、Ｒ3 、Ｒ4 及びＲ7 は各々独立して
水素原子又は１，２−ナフトキノンジアジドスルホニル
基を表わし、Ｒ5 及びＲ6 はシクロアルキル基を表わ
す。但し、Ｒ3 、Ｒ4 及びＲ7 の中少なくとも１つは
１，２−ナフトキノンジアジドスルホニル基である。）
で示される１，２−ナフトキノンジアジドスルホン酸エ
ステルを含有する感光剤及びアルカリ可溶性ノボラック
樹脂を含むことを特徴とする感光性樹脂組成物である。
一般式（Ｉ）で示される１，２−ナフトキノンジアジド
スルホン酸エステルは一般式（ＩＩＩ）
独立して水素原子又はアルキル、アルケニルもしくはア
リール基を表わし、Ｒ3 、Ｒ4 及びＲ7 は各々独立して
水素原子又は１，２−ナフトキノンジアジドスルホニル
基を表わし、Ｒ5 及びＲ6 はシクロアルキル基を表わ
す。但し、Ｒ3 、Ｒ4 及びＲ7 の中少なくとも１つは
１，２−ナフトキノンジアジドスルホニル基である。）
で示される１，２−ナフトキノンジアジドスルホン酸エ
ステルを含有する感光剤及びアルカリ可溶性ノボラック
樹脂を含むことを特徴とする感光性樹脂組成物である。
一般式（Ｉ）で示される１，２−ナフトキノンジアジド
スルホン酸エステルは一般式（ＩＩＩ）
【００１３】
【化６】
【００１４】（式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ5 、Ｒ6 、Ｒ8 及
びＲ9 は上記と同じ意味である。）で示されるポリヒド
ロキシアルカンに１，２−ナフトキノンジアジドスルホ
ン酸クロリドを常法により反応させることにより製造す
ることができる。１，２−ナフトキノンジアジドスルホ
ン酸クロリドとしては１，２−ナフトキノンジアジド−
５−スルホン酸クロリドが好ましい。一般式（ＩＩＩ）
で示されるポリヒドロキシアルカンは、例えばJ.E.Driv
er等（J.Chem.Soc.,1954, p.985 〜989 ）の方法によ
り、シクロアルキル置換フェノール類と置換芳香族カル
ボニル化合物とを縮合させることにより製造することが
できる。一般式（Ｉ）において、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ8 及び
Ｒ9 で表わされる好ましいアルキルもしくはアルケニル
基としては直鎖又は分岐状の炭素数６以下のものが挙げ
られ、同じく好ましいアリール基としてはフェニル基等
が挙げられる。又、Ｒ 5 及びＲ6 で表わされるシクロア
ルキル基としては炭素数３〜12のものが挙げられる。好
ましい一般式（Ｉ）で示される１，２−ナフトキノンジ
アジドスルホン酸エステルとしては、例えば一般式（Ｉ
Ｉ）
びＲ9 は上記と同じ意味である。）で示されるポリヒド
ロキシアルカンに１，２−ナフトキノンジアジドスルホ
ン酸クロリドを常法により反応させることにより製造す
ることができる。１，２−ナフトキノンジアジドスルホ
ン酸クロリドとしては１，２−ナフトキノンジアジド−
５−スルホン酸クロリドが好ましい。一般式（ＩＩＩ）
で示されるポリヒドロキシアルカンは、例えばJ.E.Driv
er等（J.Chem.Soc.,1954, p.985 〜989 ）の方法によ
り、シクロアルキル置換フェノール類と置換芳香族カル
ボニル化合物とを縮合させることにより製造することが
できる。一般式（Ｉ）において、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ8 及び
Ｒ9 で表わされる好ましいアルキルもしくはアルケニル
基としては直鎖又は分岐状の炭素数６以下のものが挙げ
られ、同じく好ましいアリール基としてはフェニル基等
が挙げられる。又、Ｒ 5 及びＲ6 で表わされるシクロア
ルキル基としては炭素数３〜12のものが挙げられる。好
ましい一般式（Ｉ）で示される１，２−ナフトキノンジ
アジドスルホン酸エステルとしては、例えば一般式（Ｉ
Ｉ）
【００１５】
【化７】
【００１６】（式中、Ｒ3 及びＲ7 は上記と同じ意味を
表わし、Ｒ10はシクロペンチル又はシクロヘキシル基を
表わす。）で示される１，２−ナフトキノンジアジドス
ルホン酸エステル等が挙げられる。一般式（Ｉ）で示さ
れる１，２−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル
は単独で、或いは他の１，２−ナフトキノンジアジドス
ルホン酸エステルと混合して用いられる。混合して用い
る場合の両者の割合は、本発明の効果を損なわない限り
において適宜設定される。
表わし、Ｒ10はシクロペンチル又はシクロヘキシル基を
表わす。）で示される１，２−ナフトキノンジアジドス
ルホン酸エステル等が挙げられる。一般式（Ｉ）で示さ
れる１，２−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル
は単独で、或いは他の１，２−ナフトキノンジアジドス
ルホン酸エステルと混合して用いられる。混合して用い
る場合の両者の割合は、本発明の効果を損なわない限り
において適宜設定される。
【００１７】アルカリ可溶性ノボラック樹脂としては、
半導体微細加工用ポジ型レジスト組成物に通常用いられ
るものであれば特に制限されないが、例えばｍ−クレゾ
ール、ｐ−クレゾール、ｏ−クレゾール、２，５−キシ
レノール、３，５−キシレノール、３，４−キシレノー
ル、２，３，５−トリメチルフェノール及び３−メチル
−６−ｔ−ブチルフェノール等より選ばれるフェノール
類の１種もしくは２種以上と、ホルムアルデヒド、アセ
トアルデヒド、グリオキサール、ベンズアルデヒド及び
サリチルアルデヒド等より選ばれるアルデヒド類の１種
もしくは２種以上とを、有機酸、無機酸又は二価金属塩
等の触媒（及び好ましくは溶媒）の存在下に、常法によ
り縮合させたノボラック樹脂等が挙げられる。縮合によ
り得られたノボラック樹脂は、例えば分別等の操作を加
えて、分子量900 以下の範囲の成分をゲルパーミエーシ
ョンクロマトグラフ（GPC ）パターンにおける面積比で
表わしたときに、未反応フェノール類を除く全パターン
面積に対して好ましくは25％以下、より好ましくは20％
以下にされる。ここで、パターン面積はuv(254nm)検出
器を用いて測定した面積を意味し、分子量はポリスチレ
ン換算分子量を意味する。
半導体微細加工用ポジ型レジスト組成物に通常用いられ
るものであれば特に制限されないが、例えばｍ−クレゾ
ール、ｐ−クレゾール、ｏ−クレゾール、２，５−キシ
レノール、３，５−キシレノール、３，４−キシレノー
ル、２，３，５−トリメチルフェノール及び３−メチル
−６−ｔ−ブチルフェノール等より選ばれるフェノール
類の１種もしくは２種以上と、ホルムアルデヒド、アセ
トアルデヒド、グリオキサール、ベンズアルデヒド及び
サリチルアルデヒド等より選ばれるアルデヒド類の１種
もしくは２種以上とを、有機酸、無機酸又は二価金属塩
等の触媒（及び好ましくは溶媒）の存在下に、常法によ
り縮合させたノボラック樹脂等が挙げられる。縮合によ
り得られたノボラック樹脂は、例えば分別等の操作を加
えて、分子量900 以下の範囲の成分をゲルパーミエーシ
ョンクロマトグラフ（GPC ）パターンにおける面積比で
表わしたときに、未反応フェノール類を除く全パターン
面積に対して好ましくは25％以下、より好ましくは20％
以下にされる。ここで、パターン面積はuv(254nm)検出
器を用いて測定した面積を意味し、分子量はポリスチレ
ン換算分子量を意味する。
【００１８】本発明の感光性樹脂組成物には、一般式
（Ｉ）で示される１，２−ナフトキノンジアジドスルホ
ン酸エステルを含有する感光剤及びアルカリ可溶性ノボ
ラック樹脂に加えて、さらに、フェノール性水酸基を２
個以上有する分子量900 未満のアルカリ可溶性化合物を
含んでいてもよい。好ましいアルカリ可溶性化合物とし
ては、例えば一般式（ＩＶ）
（Ｉ）で示される１，２−ナフトキノンジアジドスルホ
ン酸エステルを含有する感光剤及びアルカリ可溶性ノボ
ラック樹脂に加えて、さらに、フェノール性水酸基を２
個以上有する分子量900 未満のアルカリ可溶性化合物を
含んでいてもよい。好ましいアルカリ可溶性化合物とし
ては、例えば一般式（ＩＶ）
【００１９】
【化８】
【００２０】（式中、Ｒ11〜Ｒ16は各々独立して水素原
子又は炭素数１〜４のアルキルもしくはアルコキシ基を
表わし、Ｒ17は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基又
はアリール基を表わす。ａ〜ｃは各々０、１又は２を表
わし、ａ＋ｂ＋ｃ＞２である。）で示される化合物等が
挙げられる。
子又は炭素数１〜４のアルキルもしくはアルコキシ基を
表わし、Ｒ17は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基又
はアリール基を表わす。ａ〜ｃは各々０、１又は２を表
わし、ａ＋ｂ＋ｃ＞２である。）で示される化合物等が
挙げられる。
【００２１】感光剤の好ましい添加量は感光性樹脂組成
物の全固形分中、10〜50重量％であり、上記の分子量90
0 未満のアルカリ可溶性化合物を添加する場合の好まし
い添加量は同じく３〜40重量％である。
物の全固形分中、10〜50重量％であり、上記の分子量90
0 未満のアルカリ可溶性化合物を添加する場合の好まし
い添加量は同じく３〜40重量％である。
【００２２】感光性樹脂液を調製する際の溶剤は、適当
な乾燥速度を有し、均一で平滑な塗膜を与えるものであ
ればよく、特に限定されない。好ましい溶剤としては、
例えばプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテ
ート、エチルセロソルブアセテート、ピルビン酸エチ
ル、乳酸エチル、酢酸ｎ−アミル、２−ヘプタノン及び
γ−ブチロラクトン等が挙げられる。これらの溶剤は単
独で、或いは２種以上混合して用いられる。
な乾燥速度を有し、均一で平滑な塗膜を与えるものであ
ればよく、特に限定されない。好ましい溶剤としては、
例えばプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテ
ート、エチルセロソルブアセテート、ピルビン酸エチ
ル、乳酸エチル、酢酸ｎ−アミル、２−ヘプタノン及び
γ−ブチロラクトン等が挙げられる。これらの溶剤は単
独で、或いは２種以上混合して用いられる。
【００２３】
【発明の効果】本発明の感光性樹脂組成物は感度、解像
度、耐熱性、プロファイル及び焦点深度等の諸性能のバ
ランスに優れ、且つスカムが無い。
度、耐熱性、プロファイル及び焦点深度等の諸性能のバ
ランスに優れ、且つスカムが無い。
【００２４】
【実施例】次に実施例を挙げて本発明をさらに具体的に
説明する。例中、部は重量部を示す。
説明する。例中、部は重量部を示す。
【００２５】合成例１ ３−メチル−６−シクロヘキシルフェノール48.9g 、バ
ニリン17.1g 、ｐ−トルエンスルホン酸2.7g及びメタノ
ール105.6gの混合物を還流条件で４時間反応させた。冷
却後、析出した結晶を濾過し、次いで50％メタノール水
溶液で洗浄した。得られたケーキを75℃で一昼夜減圧乾
燥して41g の下記化合物を得た。 FD-MS ：ｍ／ｅ＝５１４
ニリン17.1g 、ｐ−トルエンスルホン酸2.7g及びメタノ
ール105.6gの混合物を還流条件で４時間反応させた。冷
却後、析出した結晶を濾過し、次いで50％メタノール水
溶液で洗浄した。得られたケーキを75℃で一昼夜減圧乾
燥して41g の下記化合物を得た。 FD-MS ：ｍ／ｅ＝５１４
【００２６】
【化９】
【００２７】合成例２ 合成例１で得た化合物9.0g、１，２−ナフトキノンジア
ジド−５−スルホン酸クロリド9.4g及びジオキサン92.1
g の混合物中に、20〜30℃で１時間かけてトリエチルア
ミン4.25g を滴下した。滴下終了後、30℃で７時間反応
させた。次いで、酢酸1.5gを添加後、同温度で１時間攪
拌した。反応混合物を濾過後、得られた残さを少量のジ
オキサンで洗浄した。酢酸5.1g及びイオン交換水508g中
に、濾洗液を注ぎ、１時間攪拌した。析出した結晶を濾
過後、得られた残さをイオン交換水で洗浄した。次い
で、得られたケーキを40℃で乾燥して感光剤Ａを得た。 合成例３ 合成例１で得た化合物9.0g、１，２−ナフトキノンジア
ジド−５−スルホン酸クロリド14.1g 及びジオキサン11
5.5gの混合物中に、20〜30℃で１時間かけてトリエチル
アミン6.37g を滴下した。滴下終了後、30℃で７時間反
応させた。次いで、酢酸３g を添加後、同温度で１時間
攪拌した。反応混合物を濾過後、得られた残さを少量の
ジオキサンで洗浄した。酢酸64.8g 及びイオン交換水64
8g中に、濾洗液を注ぎ、１時間攪拌した。析出した結晶
を濾過後、得られた残さをイオン交換水で洗浄した。次
いで、得られたケーキを40℃で乾燥して感光剤Ｂを得
た。
ジド−５−スルホン酸クロリド9.4g及びジオキサン92.1
g の混合物中に、20〜30℃で１時間かけてトリエチルア
ミン4.25g を滴下した。滴下終了後、30℃で７時間反応
させた。次いで、酢酸1.5gを添加後、同温度で１時間攪
拌した。反応混合物を濾過後、得られた残さを少量のジ
オキサンで洗浄した。酢酸5.1g及びイオン交換水508g中
に、濾洗液を注ぎ、１時間攪拌した。析出した結晶を濾
過後、得られた残さをイオン交換水で洗浄した。次い
で、得られたケーキを40℃で乾燥して感光剤Ａを得た。 合成例３ 合成例１で得た化合物9.0g、１，２−ナフトキノンジア
ジド−５−スルホン酸クロリド14.1g 及びジオキサン11
5.5gの混合物中に、20〜30℃で１時間かけてトリエチル
アミン6.37g を滴下した。滴下終了後、30℃で７時間反
応させた。次いで、酢酸３g を添加後、同温度で１時間
攪拌した。反応混合物を濾過後、得られた残さを少量の
ジオキサンで洗浄した。酢酸64.8g 及びイオン交換水64
8g中に、濾洗液を注ぎ、１時間攪拌した。析出した結晶
を濾過後、得られた残さをイオン交換水で洗浄した。次
いで、得られたケーキを40℃で乾燥して感光剤Ｂを得
た。
【００２８】合成例４ ｍ−クレゾール148.5g、ｐ−クレゾール121.5g、メチル
イソブチルケトン252g、10％蓚酸37g 及び90％酢酸84.8
g の混合物中に、100 ℃で40分かけて37％ホルマリン12
9.5gを滴下した。滴下終了後、同温度で15時間反応させ
た。室温まで冷却後、水洗し、次いで脱水してノボラッ
ク樹脂のメチルイソブチルケトン溶液（42.3％）466gを
得た。GPC によるポリスチレン換算重量平均分子量は43
00であった。この溶液450g、メチルイソブチルケトン91
0g及びｎ−ヘプタン996gの混合物を60℃で30分攪拌後、
放置、分液した。得られた下層に２−ヘプタノン380gを
仕込み、メチルイソブチルケトン及びｎ−ヘプタンをエ
バポレーターにより除去してノボラック樹脂の２−ヘプ
タノン溶液を得た。GPC によるポリスチレン換算重量平
均分子量は9000であり、ポリスチレン換算分子量で900
以下の範囲の成分の面積比は全パターン面積に対して17
％であった。
イソブチルケトン252g、10％蓚酸37g 及び90％酢酸84.8
g の混合物中に、100 ℃で40分かけて37％ホルマリン12
9.5gを滴下した。滴下終了後、同温度で15時間反応させ
た。室温まで冷却後、水洗し、次いで脱水してノボラッ
ク樹脂のメチルイソブチルケトン溶液（42.3％）466gを
得た。GPC によるポリスチレン換算重量平均分子量は43
00であった。この溶液450g、メチルイソブチルケトン91
0g及びｎ−ヘプタン996gの混合物を60℃で30分攪拌後、
放置、分液した。得られた下層に２−ヘプタノン380gを
仕込み、メチルイソブチルケトン及びｎ−ヘプタンをエ
バポレーターにより除去してノボラック樹脂の２−ヘプ
タノン溶液を得た。GPC によるポリスチレン換算重量平
均分子量は9000であり、ポリスチレン換算分子量で900
以下の範囲の成分の面積比は全パターン面積に対して17
％であった。
【００２９】実施例（例番号１〜３） ノボラック樹脂、感光剤及び添加剤を下表に示す組成で
２−ヘプタノンが50部になるように混合した。混合液を
孔径0.2 μｍのテフロン製フィルターで濾過して感光性
樹脂（レジスト）液を調製した。常法により洗浄したシ
リコンウエハーにスピンナーを用いて上記レジスト液を
1.1 μｍ厚に塗布し、ホットプレート上で90℃で１分ベ
ークした。次いで、365nm （ｉ線）の露光波長を有する
縮小投影露光器（ニコン社製、NSR1755i7A、NA＝0.5 ）
でショット毎に露光量を段階的に変えて露光した。露光
後、このウエハーをホットプレート上で110 ℃で１分ベ
ークした。次いで、SOPD〔住友化学工業（株）製アルカ
リ性現像液〕で１分現像してポジ型パターンを得た。感
度は50μｍのラインアンドスペースパターンが１：１に
なる露光量で測定した。解像度はラインアンドスペース
パターンが１：１になる露光量（実効感度）で膜減り無
く分離するラインアンドスペースパターンの寸法を走査
型電子顕微鏡で観察した。プロファイルは実効感度にお
ける0.45μｍラインアンドスペースパターンの断面形状
を走査型電子顕微鏡で観察した。耐熱性は124 ℃のホッ
トプレート上で５分加熱したときのレジストパターンの
ダレ具合を５段階で評価した（５が耐熱性が最も良く、
１が耐熱性が最も悪い）。焦点深度は実効感度における
0.40μｍラインアンドスペースパターンが膜減り無く分
離する焦点の幅を走査型電子顕微鏡で観察した。
２−ヘプタノンが50部になるように混合した。混合液を
孔径0.2 μｍのテフロン製フィルターで濾過して感光性
樹脂（レジスト）液を調製した。常法により洗浄したシ
リコンウエハーにスピンナーを用いて上記レジスト液を
1.1 μｍ厚に塗布し、ホットプレート上で90℃で１分ベ
ークした。次いで、365nm （ｉ線）の露光波長を有する
縮小投影露光器（ニコン社製、NSR1755i7A、NA＝0.5 ）
でショット毎に露光量を段階的に変えて露光した。露光
後、このウエハーをホットプレート上で110 ℃で１分ベ
ークした。次いで、SOPD〔住友化学工業（株）製アルカ
リ性現像液〕で１分現像してポジ型パターンを得た。感
度は50μｍのラインアンドスペースパターンが１：１に
なる露光量で測定した。解像度はラインアンドスペース
パターンが１：１になる露光量（実効感度）で膜減り無
く分離するラインアンドスペースパターンの寸法を走査
型電子顕微鏡で観察した。プロファイルは実効感度にお
ける0.45μｍラインアンドスペースパターンの断面形状
を走査型電子顕微鏡で観察した。耐熱性は124 ℃のホッ
トプレート上で５分加熱したときのレジストパターンの
ダレ具合を５段階で評価した（５が耐熱性が最も良く、
１が耐熱性が最も悪い）。焦点深度は実効感度における
0.40μｍラインアンドスペースパターンが膜減り無く分
離する焦点の幅を走査型電子顕微鏡で観察した。
【００３０】
【表１】
【００３１】上表中、添加剤は下記アルカリ可溶性化合
物である。
物である。
【００３２】
【化１０】
【００３３】上表中、感光剤D は下記化合物
【００３４】
【化１１】
【００３５】と１，２−ナフトキノンジアジド−５−ス
ルホン酸クロリドとの縮合物である。
ルホン酸クロリドとの縮合物である。
【図１】合成例１で得た化合物の 1Ｈ−ＮＭＲスペクト
ルである。
ルである。
Claims (5)
- 【請求項１】一般式（Ｉ） 【化１】 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ8 及びＲ9 は各々独立して水素
原子又はアルキル、アルケニルもしくはアリール基を表
わし、Ｒ3 、Ｒ4 及びＲ7 は各々独立して水素原子又は
１，２−ナフトキノンジアジドスルホニル基を表わし、
Ｒ5 及びＲ6 はシクロアルキル基を表わす。但し、
Ｒ3 、Ｒ4 及びＲ7 の中少なくとも１つは１，２−ナフ
トキノンジアジドスルホニル基である。）で示される
１，２−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルを含
有する感光剤及びアルカリ可溶性ノボラック樹脂を含む
ことを特徴とする感光性樹脂組成物。 - 【請求項２】一般式（Ｉ）で示される１，２−ナフトキ
ノンジアジドスルホン酸エステルが、一般式（ＩＩ） 【化２】 （式中、Ｒ3 及びＲ7 は請求項１に記載の意味を表わ
し、Ｒ10はシクロペンチル又はシクロヘキシル基を表わ
す。）で示される１，２−ナフトキノンジアジドスルホ
ン酸エステルである、請求項１に記載の組成物。 - 【請求項３】１，２−ナフトキノンジアジドスルホン酸
エステルが１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホ
ン酸エステルである、請求項１又は２に記載の組成物。 - 【請求項４】アルカリ可溶性ノボラック樹脂が、その分
子量900 以下の範囲の成分をゲルパーミエーションクロ
マトグラフパターンにおける面積比で表したときに、未
反応フェノール類のパターン面積を除く全パターン面積
に対して25％以下である、請求項１〜３のいずれかに記
載の組成物。 - 【請求項５】さらに、フェノール性水酸基を２個以上有
する分子量900 未満のアルカリ可溶性化合物を含む、請
求項１〜４のいずれかに記載の組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4371194A JPH07253664A (ja) | 1994-03-15 | 1994-03-15 | 感光性樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4371194A JPH07253664A (ja) | 1994-03-15 | 1994-03-15 | 感光性樹脂組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07253664A true JPH07253664A (ja) | 1995-10-03 |
Family
ID=12671395
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4371194A Pending JPH07253664A (ja) | 1994-03-15 | 1994-03-15 | 感光性樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07253664A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100499983B1 (ko) * | 2001-12-05 | 2005-07-07 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 포지티브형 포토레지스트 조성물 및 액정표시소자 제조용레지스트패턴의 형성방법 |
-
1994
- 1994-03-15 JP JP4371194A patent/JPH07253664A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100499983B1 (ko) * | 2001-12-05 | 2005-07-07 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 포지티브형 포토레지스트 조성물 및 액정표시소자 제조용레지스트패턴의 형성방법 |
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