JPH06202321A - ポジ型レジスト組成物 - Google Patents
ポジ型レジスト組成物Info
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- JPH06202321A JPH06202321A JP22363493A JP22363493A JPH06202321A JP H06202321 A JPH06202321 A JP H06202321A JP 22363493 A JP22363493 A JP 22363493A JP 22363493 A JP22363493 A JP 22363493A JP H06202321 A JPH06202321 A JP H06202321A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 解像度、プロファイル及び焦点深度等の諸性
能に優れ、且つ現像残さのないポジ型レジスト組成物を
提供する。 【構成】 (a) メタクレゾール、パラクレゾール及び
２，５−キシレノールを含むフェノール類の混合物とア
ルデヒド類とを縮合させて得られるノボラック樹脂、
(b) 高速液体クロマトグラフィーにより測定したパター
ン面積で、フェノール性水酸基を少なくとも３個以上有
する化合物のキノンジアジドスルホン酸ジエステルを40
％以上含むキノンジアジド系感光剤、並びに(c) 分子量
900 未満のアルカリ可溶性化合物を含有することを特徴
とするポジ型レジスト組成物。
能に優れ、且つ現像残さのないポジ型レジスト組成物を
提供する。 【構成】 (a) メタクレゾール、パラクレゾール及び
２，５−キシレノールを含むフェノール類の混合物とア
ルデヒド類とを縮合させて得られるノボラック樹脂、
(b) 高速液体クロマトグラフィーにより測定したパター
ン面積で、フェノール性水酸基を少なくとも３個以上有
する化合物のキノンジアジドスルホン酸ジエステルを40
％以上含むキノンジアジド系感光剤、並びに(c) 分子量
900 未満のアルカリ可溶性化合物を含有することを特徴
とするポジ型レジスト組成物。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は紫外線、エキシマーレー
ザー等を含む遠紫外線等の放射線に感応するポジ型レジ
スト組成物に関する。
ザー等を含む遠紫外線等の放射線に感応するポジ型レジ
スト組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、集積回路については高集積化に伴
う微細化が進み、サブミクロンのパターン形成が要求さ
れている。この結果、ポジ型レジスト用に、より優れた
解像度、プロファイル、焦点深度等を有するポジ型レジ
スト組成物が求められている。特に、16〜64ＭDRAMの作
製においては0.5 μｍ以下の線幅のパターンを、プロフ
ァイル良く且つ広い焦点深度で解像することが必要であ
る。
う微細化が進み、サブミクロンのパターン形成が要求さ
れている。この結果、ポジ型レジスト用に、より優れた
解像度、プロファイル、焦点深度等を有するポジ型レジ
スト組成物が求められている。特に、16〜64ＭDRAMの作
製においては0.5 μｍ以下の線幅のパターンを、プロフ
ァイル良く且つ広い焦点深度で解像することが必要であ
る。
【０００３】特開平１−177032号公報には、(A) (a) パ
ラクレゾール、２，５−キシレノール、３，５−キシレ
ノール及び２，３，５−トリメチルフェノールから選ば
れた少なくとも１種と、(b) メタクレゾールと、(c) ア
ルデヒドとの共縮合物であり、且つ低分子量成分の一部
を除去したアルカリ可溶性ノボラック樹脂、(B) 置換基
を有してもよいトリヒドロキシベンゾフェノンの１，２
−キノンジアジドスルホン酸エステル、置換基を有して
もよいテトラヒドロキシベンゾフェノンの１，２−キノ
ンジアジドスルホン酸エステル、置換基を有してもよい
ペンタヒドロキシベンゾフェノンの１，２−キノンジア
ジドスルホン酸エステル、及び置換基を有してもよいヘ
キサヒドロキシベンゾフェノンの１，２−キノンジアジ
ドスルホン酸エステルから選ばれた少なくとも１種、並
びに(C) 置換基を有してもよいポリヒドロキシベンゾフ
ェノンを含有し、前記(C) ポリヒドロキシベンゾフェノ
ンの含有量が前記アルカリ可溶性ノボラック樹脂100 重
量部に対して１〜50重量部であることを特徴とする感放
射線性樹脂組成物が記載されている。又、特開平２−19
846 号公報には、フェノール化合物のキノンジアジドス
ルホン酸エステルであって、その254 ｎｍの紫外線を使
用した検出器を用いて測定した高速液体クロマトグラフ
ィーパターンにおいて、３価以上のフェノール化合物の
キノンジアジドスルホン酸エステルのジエステル体のパ
ターン面積が全パターン面積の50％以上であるとの特徴
を有するものと、ノボラック樹脂からなるポジ型レジス
ト組成物が記載されている。しかしながら、これらの組
成物では、広い焦点深度で0.5 μｍ以下の線幅のパター
ンをプロファイル良く解像することができなかった。
ラクレゾール、２，５−キシレノール、３，５−キシレ
ノール及び２，３，５−トリメチルフェノールから選ば
れた少なくとも１種と、(b) メタクレゾールと、(c) ア
ルデヒドとの共縮合物であり、且つ低分子量成分の一部
を除去したアルカリ可溶性ノボラック樹脂、(B) 置換基
を有してもよいトリヒドロキシベンゾフェノンの１，２
−キノンジアジドスルホン酸エステル、置換基を有して
もよいテトラヒドロキシベンゾフェノンの１，２−キノ
ンジアジドスルホン酸エステル、置換基を有してもよい
ペンタヒドロキシベンゾフェノンの１，２−キノンジア
ジドスルホン酸エステル、及び置換基を有してもよいヘ
キサヒドロキシベンゾフェノンの１，２−キノンジアジ
ドスルホン酸エステルから選ばれた少なくとも１種、並
びに(C) 置換基を有してもよいポリヒドロキシベンゾフ
ェノンを含有し、前記(C) ポリヒドロキシベンゾフェノ
ンの含有量が前記アルカリ可溶性ノボラック樹脂100 重
量部に対して１〜50重量部であることを特徴とする感放
射線性樹脂組成物が記載されている。又、特開平２−19
846 号公報には、フェノール化合物のキノンジアジドス
ルホン酸エステルであって、その254 ｎｍの紫外線を使
用した検出器を用いて測定した高速液体クロマトグラフ
ィーパターンにおいて、３価以上のフェノール化合物の
キノンジアジドスルホン酸エステルのジエステル体のパ
ターン面積が全パターン面積の50％以上であるとの特徴
を有するものと、ノボラック樹脂からなるポジ型レジス
ト組成物が記載されている。しかしながら、これらの組
成物では、広い焦点深度で0.5 μｍ以下の線幅のパター
ンをプロファイル良く解像することができなかった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は解像度、プロ
ファイル及び焦点深度等の諸性能に優れ、且つ現像残さ
（スカム）のないポジ型レジスト組成物を提供する。
ファイル及び焦点深度等の諸性能に優れ、且つ現像残さ
（スカム）のないポジ型レジスト組成物を提供する。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、(a) メタクレ
ゾール、パラクレゾール及び２，５−キシレノールを含
むフェノール類の混合物とアルデヒド類とを縮合させて
得られるノボラック樹脂、(b) 高速液体クロマトグラフ
ィーにより測定したパターン面積で、フェノール性水酸
基を少なくとも３個以上有する化合物のキノンジアジド
スルホン酸ジエステルを40％以上含むキノンジアジド系
感光剤、並びに(c) 分子量900 未満のアルカリ可溶性化
合物を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物
である。
ゾール、パラクレゾール及び２，５−キシレノールを含
むフェノール類の混合物とアルデヒド類とを縮合させて
得られるノボラック樹脂、(b) 高速液体クロマトグラフ
ィーにより測定したパターン面積で、フェノール性水酸
基を少なくとも３個以上有する化合物のキノンジアジド
スルホン酸ジエステルを40％以上含むキノンジアジド系
感光剤、並びに(c) 分子量900 未満のアルカリ可溶性化
合物を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物
である。
【０００６】ノボラック樹脂として好ましくは、２，５
−キシレノールの比率が10モル％以上、50モル％以下で
あるフェノール類の混合物（メタクレゾール、パラクレ
ゾール及び２，５−キシレノールを含む）とアルデヒド
類（ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、ベンズアル
デヒド、グリオキサール及びサリチルアルデヒド等から
選ばれた少なくとも１種以上）とを縮合させて得られる
ものが挙げられる。フェノール類の混合物中、２，５−
キシレノールの比率が10モル％未満の場合にはスカムが
発生しやすくなる傾向があり、一方、50モル％を越える
と感度が低下する傾向がある。又、メタクレゾール及び
パラクレゾールの好ましい比率は30／70〜95／５であ
る。アルデヒド類としてはホルムアルデヒドが好まし
い。縮合は常法により行われる。反応温度及び時間は通
常60〜120 ℃・２〜30時間であり、触媒としては無機酸
（塩酸、硫酸もしくは燐酸等）、有機酸（蓚酸、酢酸も
しくはｐ−トルエンスルホン酸等）又は二価金属塩（酢
酸亜鉛等）が用いられ、反応溶媒の存在下もしくは無存
在下に縮合が行われる。縮合により得られたノボラック
樹脂は分別等の手段を用いて、そのポリスチレン換算分
子量900 以下の範囲のGPC パターン面積比（検出器：UV
２５４ｎｍ）が、未反応フェノール類のパターン面積を
除く全パターン面積に対して好ましくは25％以下（より
好ましくは20％以下）に調製される。分別は縮合により
得られたノボラック樹脂を、良溶媒（例えばメタノール
もしくはエタノール等のアルコール類、アセトン、メチ
ルエチルケトンもしくはメチルイソブチルケトン等のケ
トン類、エチレングリコールエーテル類、エチルセロソ
ルブアセテート等のエーテルエステル類又はテトラヒド
ロフラン等）に溶解し、次いで得られた溶液を水中に注
いで沈澱させる方法、或いはペンタン、ヘキサンもしく
はヘプタン等の溶媒に注いで分液させる方法により行わ
れる。本発明のポジ型レジスト組成物には、その効果を
損なわない限りにおいて、上記以外のノボラック樹脂を
混合してもよい。
−キシレノールの比率が10モル％以上、50モル％以下で
あるフェノール類の混合物（メタクレゾール、パラクレ
ゾール及び２，５−キシレノールを含む）とアルデヒド
類（ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、ベンズアル
デヒド、グリオキサール及びサリチルアルデヒド等から
選ばれた少なくとも１種以上）とを縮合させて得られる
ものが挙げられる。フェノール類の混合物中、２，５−
キシレノールの比率が10モル％未満の場合にはスカムが
発生しやすくなる傾向があり、一方、50モル％を越える
と感度が低下する傾向がある。又、メタクレゾール及び
パラクレゾールの好ましい比率は30／70〜95／５であ
る。アルデヒド類としてはホルムアルデヒドが好まし
い。縮合は常法により行われる。反応温度及び時間は通
常60〜120 ℃・２〜30時間であり、触媒としては無機酸
（塩酸、硫酸もしくは燐酸等）、有機酸（蓚酸、酢酸も
しくはｐ−トルエンスルホン酸等）又は二価金属塩（酢
酸亜鉛等）が用いられ、反応溶媒の存在下もしくは無存
在下に縮合が行われる。縮合により得られたノボラック
樹脂は分別等の手段を用いて、そのポリスチレン換算分
子量900 以下の範囲のGPC パターン面積比（検出器：UV
２５４ｎｍ）が、未反応フェノール類のパターン面積を
除く全パターン面積に対して好ましくは25％以下（より
好ましくは20％以下）に調製される。分別は縮合により
得られたノボラック樹脂を、良溶媒（例えばメタノール
もしくはエタノール等のアルコール類、アセトン、メチ
ルエチルケトンもしくはメチルイソブチルケトン等のケ
トン類、エチレングリコールエーテル類、エチルセロソ
ルブアセテート等のエーテルエステル類又はテトラヒド
ロフラン等）に溶解し、次いで得られた溶液を水中に注
いで沈澱させる方法、或いはペンタン、ヘキサンもしく
はヘプタン等の溶媒に注いで分液させる方法により行わ
れる。本発明のポジ型レジスト組成物には、その効果を
損なわない限りにおいて、上記以外のノボラック樹脂を
混合してもよい。
【０００７】キノンジアジド系感光剤として好ましく
は、高速液体クロマトグラフィーにより測定したパター
ン面積で、フェノール性水酸基を少なくとも３個以上有
する化合物のキノンジアジドスルホン酸ジエステルを50
％以上含むものが好ましい。キノンジアジド系感光剤と
しては、フェノール性水酸基を少なくとも３個以上有す
る化合物のキノンジアジドスルホン酸エステル以外に、
２価以上のフェノール化合物のキノンジアジドスルホン
酸エステルを含んでいてもよい。この場合、２価以上の
フェノール化合物のキノンジアジドスルホン酸エステル
中の全エステル体（全ての水酸基がエステル化されたも
の）の含有量については、高速液体クロマトグラフィー
により測定したパターン面積において、全キノンジアジ
ド系感光剤のパターン面積に対して５％以上であること
が好ましい。２価以上のフェノール化合物としては、例
えば特開平２−103543号公報の３頁に一般式で記載され
た化合物、特開平２−32352 号公報に一般式(I) 又は(I
I)で記載された化合物、並びに特開平２−269351号公報
に一般式(I) で記載された化合物等が挙げられる。
は、高速液体クロマトグラフィーにより測定したパター
ン面積で、フェノール性水酸基を少なくとも３個以上有
する化合物のキノンジアジドスルホン酸ジエステルを50
％以上含むものが好ましい。キノンジアジド系感光剤と
しては、フェノール性水酸基を少なくとも３個以上有す
る化合物のキノンジアジドスルホン酸エステル以外に、
２価以上のフェノール化合物のキノンジアジドスルホン
酸エステルを含んでいてもよい。この場合、２価以上の
フェノール化合物のキノンジアジドスルホン酸エステル
中の全エステル体（全ての水酸基がエステル化されたも
の）の含有量については、高速液体クロマトグラフィー
により測定したパターン面積において、全キノンジアジ
ド系感光剤のパターン面積に対して５％以上であること
が好ましい。２価以上のフェノール化合物としては、例
えば特開平２−103543号公報の３頁に一般式で記載され
た化合物、特開平２−32352 号公報に一般式(I) 又は(I
I)で記載された化合物、並びに特開平２−269351号公報
に一般式(I) で記載された化合物等が挙げられる。
【０００８】フェノール性水酸基を少なくとも３個以上
有する化合物として好ましくは、例えば特開平４−5085
1 号公報の４頁に式
有する化合物として好ましくは、例えば特開平４−5085
1 号公報の４頁に式
【０００９】
【化１】
【００１０】（式中、ｑは０〜４の整数を、ｒは１〜５
の整数を、各々表わす。Ｒ1 0、Ｒ2 0およびＲ3 0は各々独
立して水素、アルキル、アルケニル、シクロヘキシル又
はアリール基を表わす。）で記載されている化合物及び
特開平３−185447号公報に一般式(I)
の整数を、各々表わす。Ｒ1 0、Ｒ2 0およびＲ3 0は各々独
立して水素、アルキル、アルケニル、シクロヘキシル又
はアリール基を表わす。）で記載されている化合物及び
特開平３−185447号公報に一般式(I)
【００１１】
【化２】
【００１２】（式中、Ｙ1 、Ｙ2 およびＺ1 −Ｚ7 は各
々独立して水素、水酸基又はハロゲンで置換されていて
もよいＣ1 −Ｃ4 アルキル基を表わす。但し、Ｙ1 およ
びＹ2の中少なくとも１つは水酸基であり、且つ、Ｚ1
−Ｚ7 の中少なくとも２つは水酸基である。Ｒ1 −Ｒ6
は各々独立して水素、Ｃ1 −Ｃ10アルキル、Ｃ2 −Ｃ4
アルケニル、シクロアルキル又はアリール基を表わ
す。）で記載された化合物を含むオキシフラバン類、又
は３〜７個のフェノール核を有する、フェノール化合物
及びアルデヒド化合物のノボラック型反応生成物である
もの等が挙げられる。前記ノボラック型反応生成物の具
体例としては、下式
々独立して水素、水酸基又はハロゲンで置換されていて
もよいＣ1 −Ｃ4 アルキル基を表わす。但し、Ｙ1 およ
びＹ2の中少なくとも１つは水酸基であり、且つ、Ｚ1
−Ｚ7 の中少なくとも２つは水酸基である。Ｒ1 −Ｒ6
は各々独立して水素、Ｃ1 −Ｃ10アルキル、Ｃ2 −Ｃ4
アルケニル、シクロアルキル又はアリール基を表わ
す。）で記載された化合物を含むオキシフラバン類、又
は３〜７個のフェノール核を有する、フェノール化合物
及びアルデヒド化合物のノボラック型反応生成物である
もの等が挙げられる。前記ノボラック型反応生成物の具
体例としては、下式
【００１３】
【化３】
【００１４】（式中、Ｒ1 及びＲ2 は各々独立して水素
もしくはハロゲン原子、−ＯＣＯＲ3或いは置換されて
いてもよいアルキルもしくはアルコキシ基を表わし、Ｒ
3 は置換されていてもよいアルキルもしくはフェニル基
を表わす。x 及びy は各々独立して１〜３の整数を表わ
す。Ｒ、Ｒ0 、Ｒ’及びＲ'0は各々独立して水素原子、
アルキルもしくはフェニル基を表わす。）で示される化
合物、並びに下式
もしくはハロゲン原子、−ＯＣＯＲ3或いは置換されて
いてもよいアルキルもしくはアルコキシ基を表わし、Ｒ
3 は置換されていてもよいアルキルもしくはフェニル基
を表わす。x 及びy は各々独立して１〜３の整数を表わ
す。Ｒ、Ｒ0 、Ｒ’及びＲ'0は各々独立して水素原子、
アルキルもしくはフェニル基を表わす。）で示される化
合物、並びに下式
【００１５】
【化４】
【００１６】〔式中、Ｒ1 及びx は上記と同じ意味を有
し、Ｑ1 〜Ｑ4 は各々独立して水素原子、アルキルもし
くはフェニル基を表わす。Ｚは下式
し、Ｑ1 〜Ｑ4 は各々独立して水素原子、アルキルもし
くはフェニル基を表わす。Ｚは下式
【００１７】
【化５】
【００１８】（式中、Ｒ2 、Ｒ3 及びy は上記と同じ意
味を有する。）で示される基を表わし、n は２〜５の整
数を表わす。〕で示される化合物が挙げられる。
味を有する。）で示される基を表わし、n は２〜５の整
数を表わす。〕で示される化合物が挙げられる。
【００１９】フェノール性水酸基を少なくとも３個以上
有する化合物のキノンジアジドスルホン酸エステルもし
くは２価以上のフェノール化合物のキノンジアジドスル
ホン酸エステル等のキノンジアジド系感光剤は、各々、
例えば１，２−ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライ
ドもしくはベンゾキノンジアジドスルホン酸ハライド
と、フェノール性水酸基を少なくとも３個以上有する化
合物もしくは２価以上のフェノール化合物とを、例えば
弱塩基の存在下に反応させることにより製造することが
できる。キノンジアジド系感光剤の好ましい使用量はポ
ジ型レジスト組成物中の全固形分（ノボラック樹脂、キ
ノンジアジド系感光剤並びに分子量900 未満のアルカリ
可溶性化合物等）中、10〜50重量％である。
有する化合物のキノンジアジドスルホン酸エステルもし
くは２価以上のフェノール化合物のキノンジアジドスル
ホン酸エステル等のキノンジアジド系感光剤は、各々、
例えば１，２−ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライ
ドもしくはベンゾキノンジアジドスルホン酸ハライド
と、フェノール性水酸基を少なくとも３個以上有する化
合物もしくは２価以上のフェノール化合物とを、例えば
弱塩基の存在下に反応させることにより製造することが
できる。キノンジアジド系感光剤の好ましい使用量はポ
ジ型レジスト組成物中の全固形分（ノボラック樹脂、キ
ノンジアジド系感光剤並びに分子量900 未満のアルカリ
可溶性化合物等）中、10〜50重量％である。
【００２０】分子量900 未満のアルカリ可溶性化合物と
しては、340nm −375nm の波長域での吸収が小さく、且
つフェノール性水酸基を少なくとも２個以上有する化合
物が好ましい。より好ましいアルカリ可溶性化合物とし
ては特開平２−275955号公報に一般式（Ｉ） Ｘ−α−Ｈ （Ｉ） 〔式中、Ｘは
しては、340nm −375nm の波長域での吸収が小さく、且
つフェノール性水酸基を少なくとも２個以上有する化合
物が好ましい。より好ましいアルカリ可溶性化合物とし
ては特開平２−275955号公報に一般式（Ｉ） Ｘ−α−Ｈ （Ｉ） 〔式中、Ｘは
【００２１】
【化６】
【００２２】を、αは繰り返し単位
【００２３】
【化７】
【００２４】を含む２価基を、各々表わす。ここで、ｎ
0 は１以上の整数であり、ａ−ｆは各々独立して０〜３
の整数を表わす。但し、ｄ＋ｆ≧１である。Ｒ1'−Ｒ3'
は各々独立してＣ1 −Ｃ18アルキル、Ｃ1 −Ｃ18アルコ
キシ、カルボキシル又はハロゲンを、Ｒ4 は水素、Ｃ1
−Ｃ18アルキル又はアリール基を、それぞれ表わす。〕
で記載されている化合物、特開平４−50851 号公報に一
般式（Ｉ）
0 は１以上の整数であり、ａ−ｆは各々独立して０〜３
の整数を表わす。但し、ｄ＋ｆ≧１である。Ｒ1'−Ｒ3'
は各々独立してＣ1 −Ｃ18アルキル、Ｃ1 −Ｃ18アルコ
キシ、カルボキシル又はハロゲンを、Ｒ4 は水素、Ｃ1
−Ｃ18アルキル又はアリール基を、それぞれ表わす。〕
で記載されている化合物、特開平４−50851 号公報に一
般式（Ｉ）
【００２５】
【化８】
【００２６】（式中、Ｒは水素、低級アルキル又はフェ
ニル基を、Ｒ’はアルキル又はアルコキシ基を、ｎは０
〜３の整数を、それぞれ表わす。）で記載されている化
合物又は特開平３−179353号公報に一般式（Ｉ）
ニル基を、Ｒ’はアルキル又はアルコキシ基を、ｎは０
〜３の整数を、それぞれ表わす。）で記載されている化
合物又は特開平３−179353号公報に一般式（Ｉ）
【００２７】
【化９】
【００２８】（式中、Ｒ”はＣ1 −Ｃ5 アルキル又はＣ
1 −Ｃ5 アルコキシ基を、ｎ’は０〜３の整数を、それ
ぞれ表わす。）で記載されている化合物等が挙げられ
る。分子量900 未満のアルカリ可溶性化合物の好ましい
使用量はポジ型レジスト組成物の全固形分中、３〜40重
量％である。本発明のポジ型レジスト組成物には必要に
応じて染料、接着性改良剤等の当該技術分野で慣用され
ている添加物を加えてもよい。
1 −Ｃ5 アルコキシ基を、ｎ’は０〜３の整数を、それ
ぞれ表わす。）で記載されている化合物等が挙げられ
る。分子量900 未満のアルカリ可溶性化合物の好ましい
使用量はポジ型レジスト組成物の全固形分中、３〜40重
量％である。本発明のポジ型レジスト組成物には必要に
応じて染料、接着性改良剤等の当該技術分野で慣用され
ている添加物を加えてもよい。
【００２９】ポジ型レジスト液の調製に用いる溶媒とし
ては適当な乾燥速度を有し、溶媒が蒸発して均一で平滑
な塗膜を与えるものがよい。このような溶媒としては、
例えばエチルセロソルブアセテート、プロピレングリコ
ールモノメチルエーテルアセテート等のグリコールエー
テルエステル類、特開平２−220056号公報の(6) 頁に記
載の溶媒、ピルビン酸エチル、酢酸ｎ−アミルもしくは
乳酸エチル等のエステル類、２−ヘプタノン、γ−ブチ
ロラクトン等のケトン類が挙げられる。これらの溶媒は
単独で、或いは２種以上混合して使用される。
ては適当な乾燥速度を有し、溶媒が蒸発して均一で平滑
な塗膜を与えるものがよい。このような溶媒としては、
例えばエチルセロソルブアセテート、プロピレングリコ
ールモノメチルエーテルアセテート等のグリコールエー
テルエステル類、特開平２−220056号公報の(6) 頁に記
載の溶媒、ピルビン酸エチル、酢酸ｎ−アミルもしくは
乳酸エチル等のエステル類、２−ヘプタノン、γ−ブチ
ロラクトン等のケトン類が挙げられる。これらの溶媒は
単独で、或いは２種以上混合して使用される。
【００３０】
【発明の効果】本発明のポジ型レジスト組成物は解像
度、プロファイル、感度及び焦点深度等の諸性能に優
れ、且つスカムがない。
度、プロファイル、感度及び焦点深度等の諸性能に優
れ、且つスカムがない。
【００３１】
【実施例】以下、本発明を実施例により具体的に説明す
るが、本発明はこれらの実施例により何ら限定されるも
のではない。例中、部は重量部を示す。
るが、本発明はこれらの実施例により何ら限定されるも
のではない。例中、部は重量部を示す。
【００３２】合成例１ 内容積３０００mlの三ツ口フラスコにｍ−クレゾール３
８９．３ｇ、ｐ−クレゾール９７．３ｇ、２，５−キレ
シレノール２１９．９ｇ、メチルイソブチルケトン６５
７．１ｇ、１０％シュウ酸水１３３．３ｇ、酢酸１３
７．７ｇを仕込み１００℃の油浴で加熱攪拌しながら３
７．０％ホルマリン水溶液４３６．２ｇを４０分かけて
滴下し、その後、さらに１５時間反応させた。その後水
洗脱水してノボラック樹脂のメチルイソブチルケトン溶
液１４４９ｇを得た。ＧＰＣによるポリスチレン換算重
量平均分子量は４３００であった。 合成例２ 内容積２０００mlの三ツ口フラスコにｍ−クレゾール２
７９．２ｇ、ｐ−クレゾール１１９．６ｇ、２，５−キ
シレノール１７１．０ｇ、メチルイソブチルケトン５１
１ｇ、１０％シュウ酸水５１．８ｇ、酢酸１０７ｇを仕
込み１００℃の油浴で加熱攪拌しながら３７．０％ホル
マリン水溶液３１６ｇを４０分かけて滴下し、その後、
さらに１５時間反応させた。その後水洗脱水してノボラ
ック樹脂のメチルイソブチルケトン溶液１１７５ｇを得
た。ＧＰＣによるポリスチレン換算重量平均分子量は４
５００であった。 合成例３ 内容積３０００mlの三ツ口フラスコにｍ−クレゾール３
１６．３ｇ、ｐ−クレゾール１７０．３ｇ、２，５−キ
レシレノール１０９．９ｇ、メチルイソブチルケトン５
５５ｇ、１０％シュウ酸水６６ｇ、酢酸１３８ｇを仕込
み１００℃の油浴で加熱攪拌しながら３７．０％ホルマ
リン水溶液３３１ｇを４０分かけて滴下し、その後、さ
らに１５時間反応させた。その後水洗脱水してノボラッ
ク樹脂のメチルイソブチルケトン溶液１２００ｇを得
た。ＧＰＣによるポリスチレン換算重量平均分子量は４
２００であった。 合成例４ 内容積２０００mlの三ツ口フラスコにｍ−クレゾール２
９９．１ｇ、ｐ−クレゾール９９．７ｇ、２，５−キレ
シレノール１７１．０ｇ、メチルイソブチルケトン５１
１ｇ、１０％シュウ酸水５１．８ｇ、酢酸１０７ｇを仕
込み１００℃の油浴で加熱攪拌しながら３７．０％ホル
マリン水溶液３２８ｇを４０分かけて滴下し、その後、
さらに１５時間反応させた。その後水洗脱水してノボラ
ック樹脂のメチルイソブチルケトン溶液１４２０ｇを得
た。ＧＰＣによるポリスチレン換算重量平均分子量は４
５００であった。
８９．３ｇ、ｐ−クレゾール９７．３ｇ、２，５−キレ
シレノール２１９．９ｇ、メチルイソブチルケトン６５
７．１ｇ、１０％シュウ酸水１３３．３ｇ、酢酸１３
７．７ｇを仕込み１００℃の油浴で加熱攪拌しながら３
７．０％ホルマリン水溶液４３６．２ｇを４０分かけて
滴下し、その後、さらに１５時間反応させた。その後水
洗脱水してノボラック樹脂のメチルイソブチルケトン溶
液１４４９ｇを得た。ＧＰＣによるポリスチレン換算重
量平均分子量は４３００であった。 合成例２ 内容積２０００mlの三ツ口フラスコにｍ−クレゾール２
７９．２ｇ、ｐ−クレゾール１１９．６ｇ、２，５−キ
シレノール１７１．０ｇ、メチルイソブチルケトン５１
１ｇ、１０％シュウ酸水５１．８ｇ、酢酸１０７ｇを仕
込み１００℃の油浴で加熱攪拌しながら３７．０％ホル
マリン水溶液３１６ｇを４０分かけて滴下し、その後、
さらに１５時間反応させた。その後水洗脱水してノボラ
ック樹脂のメチルイソブチルケトン溶液１１７５ｇを得
た。ＧＰＣによるポリスチレン換算重量平均分子量は４
５００であった。 合成例３ 内容積３０００mlの三ツ口フラスコにｍ−クレゾール３
１６．３ｇ、ｐ−クレゾール１７０．３ｇ、２，５−キ
レシレノール１０９．９ｇ、メチルイソブチルケトン５
５５ｇ、１０％シュウ酸水６６ｇ、酢酸１３８ｇを仕込
み１００℃の油浴で加熱攪拌しながら３７．０％ホルマ
リン水溶液３３１ｇを４０分かけて滴下し、その後、さ
らに１５時間反応させた。その後水洗脱水してノボラッ
ク樹脂のメチルイソブチルケトン溶液１２００ｇを得
た。ＧＰＣによるポリスチレン換算重量平均分子量は４
２００であった。 合成例４ 内容積２０００mlの三ツ口フラスコにｍ−クレゾール２
９９．１ｇ、ｐ−クレゾール９９．７ｇ、２，５−キレ
シレノール１７１．０ｇ、メチルイソブチルケトン５１
１ｇ、１０％シュウ酸水５１．８ｇ、酢酸１０７ｇを仕
込み１００℃の油浴で加熱攪拌しながら３７．０％ホル
マリン水溶液３２８ｇを４０分かけて滴下し、その後、
さらに１５時間反応させた。その後水洗脱水してノボラ
ック樹脂のメチルイソブチルケトン溶液１４２０ｇを得
た。ＧＰＣによるポリスチレン換算重量平均分子量は４
５００であった。
【００３３】合成例５ 合成例１で得られたノボラック樹脂のメチルイソブチル
ケトン溶液（ノボラック樹脂の含有量４８．６重量％）
３００ｇを３Ｌの底抜きセパラブルフラスコに仕込み、
さらにメチルイソブチルケトン９９６ｇとノルマルヘプ
タン９０８ｇを加えて６０℃で３０分間攪拌後、静置、
分液した。分液後、得られた下層に２−ヘプタノン２９
０ｇを仕込み、次いでメチルイソブチルケトン及びノル
マルヘプタンをエバポレーターにより除去してノボラッ
ク樹脂の２−ヘプタノン溶液を得た。ＧＰＣによるポリ
スチレン換算重量平均分子量は９６００でありポリスチ
レン換算分子量で９００以下の範囲の面積比は全パター
ン面積に対して１６％であった。 合成例６ 合成例２で得られたノボラック樹脂のメチルイソブチル
ケトン溶液（ノボラック樹脂の含有量４２．３重量％）
４５０ｇを５Ｌの底抜きセパラブルフラスコに仕込み、
さらにメチルイソブチルケトン１１３５ｇとノルマルヘ
プタン１０９６ｇを加えて６０℃で３０分間攪拌後、静
置、分液した。分液後、得られた下層に２−ヘプタノン
３８０ｇを仕込み、次いでメチルイソブチルケトン及び
ノルマルヘプタンをエバポレーターにより除去してノボ
ラック樹脂の２−ヘプタノン溶液を得た。ＧＰＣによる
ポリスチレン換算重量平均分子量は９０００でありポリ
スチレン換算分子量で９００以下の範囲の面積比は全パ
ターン面積に対して１７％であった。 合成例７ 合成例３で得られたノボラック樹脂のメチルイソブチル
ケトン溶液（ノボラック樹脂の含有量４４．６重量％）
３２７ｇを３Ｌの底抜きセパラブルフラスコに仕込み、
さらにメチルイソブチルケトン９４２ｇとノルマルヘプ
タン８８３ｇを加えて６０℃で３０分間攪拌後、静置、
分液した。分液後、得られた下層に２−ヘプタノン２９
０ｇを仕込み、次いでメチルイソブチルケトン及びノル
マルヘプタンをエバポレーターにより除去してノボラッ
ク樹脂の２−ヘプタノン溶液を得た。ＧＰＣによるポリ
スチレン換算重量平均分子量は８４００でありポリスチ
レン換算分子量で９００以下の範囲の面積比は全パター
ン面積に対して１８％であった。 合成例８ 合成例４で得られたノボラック樹脂のメチルイソブチル
ケトン溶液（ノボラック樹脂の含有量３８．１重量％）
３５１ｇを３Ｌの底抜きセパラブルフラスコに仕込み、
さらにメチルイソブチルケトン７６３ｇとノルマルヘプ
タン７７０ｇを加えて６０℃で３０分間攪拌後、静置、
分液した。分液後、得られた下層に２−ヘプタノン２５
０ｇを仕込み、次いでメチルイソブチルケトン及びノル
マルヘプタンをエバポレーターにより除去してノボラッ
ク樹脂の２−ヘプタノン溶液を得た。ＧＰＣによるポリ
スチレン換算重量平均分子量は８７００でありポリスチ
レン換算分子量で９００以下の範囲の面積比は全パター
ン面積に対して１７％であった。
ケトン溶液（ノボラック樹脂の含有量４８．６重量％）
３００ｇを３Ｌの底抜きセパラブルフラスコに仕込み、
さらにメチルイソブチルケトン９９６ｇとノルマルヘプ
タン９０８ｇを加えて６０℃で３０分間攪拌後、静置、
分液した。分液後、得られた下層に２−ヘプタノン２９
０ｇを仕込み、次いでメチルイソブチルケトン及びノル
マルヘプタンをエバポレーターにより除去してノボラッ
ク樹脂の２−ヘプタノン溶液を得た。ＧＰＣによるポリ
スチレン換算重量平均分子量は９６００でありポリスチ
レン換算分子量で９００以下の範囲の面積比は全パター
ン面積に対して１６％であった。 合成例６ 合成例２で得られたノボラック樹脂のメチルイソブチル
ケトン溶液（ノボラック樹脂の含有量４２．３重量％）
４５０ｇを５Ｌの底抜きセパラブルフラスコに仕込み、
さらにメチルイソブチルケトン１１３５ｇとノルマルヘ
プタン１０９６ｇを加えて６０℃で３０分間攪拌後、静
置、分液した。分液後、得られた下層に２−ヘプタノン
３８０ｇを仕込み、次いでメチルイソブチルケトン及び
ノルマルヘプタンをエバポレーターにより除去してノボ
ラック樹脂の２−ヘプタノン溶液を得た。ＧＰＣによる
ポリスチレン換算重量平均分子量は９０００でありポリ
スチレン換算分子量で９００以下の範囲の面積比は全パ
ターン面積に対して１７％であった。 合成例７ 合成例３で得られたノボラック樹脂のメチルイソブチル
ケトン溶液（ノボラック樹脂の含有量４４．６重量％）
３２７ｇを３Ｌの底抜きセパラブルフラスコに仕込み、
さらにメチルイソブチルケトン９４２ｇとノルマルヘプ
タン８８３ｇを加えて６０℃で３０分間攪拌後、静置、
分液した。分液後、得られた下層に２−ヘプタノン２９
０ｇを仕込み、次いでメチルイソブチルケトン及びノル
マルヘプタンをエバポレーターにより除去してノボラッ
ク樹脂の２−ヘプタノン溶液を得た。ＧＰＣによるポリ
スチレン換算重量平均分子量は８４００でありポリスチ
レン換算分子量で９００以下の範囲の面積比は全パター
ン面積に対して１８％であった。 合成例８ 合成例４で得られたノボラック樹脂のメチルイソブチル
ケトン溶液（ノボラック樹脂の含有量３８．１重量％）
３５１ｇを３Ｌの底抜きセパラブルフラスコに仕込み、
さらにメチルイソブチルケトン７６３ｇとノルマルヘプ
タン７７０ｇを加えて６０℃で３０分間攪拌後、静置、
分液した。分液後、得られた下層に２−ヘプタノン２５
０ｇを仕込み、次いでメチルイソブチルケトン及びノル
マルヘプタンをエバポレーターにより除去してノボラッ
ク樹脂の２−ヘプタノン溶液を得た。ＧＰＣによるポリ
スチレン換算重量平均分子量は８７００でありポリスチ
レン換算分子量で９００以下の範囲の面積比は全パター
ン面積に対して１７％であった。
【００３４】合成例９ 内容積３０００mlの三ツ口フラスコにｍ−クレゾール２
４３．３ｇ、ｐ−クレゾール２４３．３ｇ、２，５−キ
シレノール２１９．９ｇ、メチルイソブチルケトン６５
７ｇ、１０％シュウ酸水１３３．３ｇ、酢酸１３８ｇを
仕込み１００℃の油浴で加熱攪拌しながら３７．０％ホ
ルマリン水溶液３７３ｇを４０分かけて滴下し、その
後、さらに１５時間反応させた。その後水洗脱水してノ
ボラック樹脂のメチルイソブチルケトン溶液１４３０ｇ
を得た。ＧＰＣによるポリスチレン換算重量平均分子量
は４３００であった。 合成例１０ 内容積２０００mlの三ツ口フラスコにｍ−クレゾール２
３９．３ｇ、ｐ−クレゾール１５９．５ｇ、２，５−キ
レシレノール１７１ｇ、メチルイソブチルケトン５１１
ｇ、１０％シュウ酸水５２ｇ、酢酸１０７ｇを仕込み１
００℃の油浴で加熱攪拌しながら３７．０％ホルマリン
水溶液３０９ｇを４０分かけて滴下し、その後、さらに
１５時間反応させた。その後水洗脱水してノボラック樹
脂のメチルイソブチルケトン溶液１２５０ｇを得た。Ｇ
ＰＣによるポリスチレン換算重量平均分子量は４５００
であった。 合成例１１ 内容積３０００mlの三ツ口フラスコにｍ−クレゾール２
５９．２ｇ、ｐ−クレゾール１３９．６ｇ、２，５−キ
レシレノール２１９．９ｇ、メチルイソブチルケトン６
７５ｇ、１０％シュウ酸水１３３ｇ、酢酸１３８ｇを仕
込み１００℃の油浴で加熱攪拌しながら３７．０％ホル
マリン水溶液３３１ｇを４０分かけて滴下し、その後、
さらに１５時間反応させた。その後水洗脱水してノボラ
ック樹脂のメチルイソブチルケトン溶液１５００ｇを得
た。ＧＰＣによるポリスチレン換算重量平均分子量は４
２００であった。 合成例１２ 内容積２０００mlの三ツ口フラスコにｍ−クレゾール２
７９．２ｇ、ｐ−クレゾール１１９．６ｇ、２，５−キ
レシレノール１７１ｇ、メチルイソブチルケトン５１１
ｇ、１０％シュウ酸水５１．８ｇ、酢酸１０７ｇを仕込
み１００℃の油浴で加熱攪拌しながら３７．０％ホルマ
リン水溶液３１６ｇを４０分かけて滴下し、その後、さ
らに１５時間反応させた。その後水洗脱水してノボラッ
ク樹脂のメチルイソブチルケトン溶液１１７５ｇを得
た。ＧＰＣによるポリスチレン換算重量平均分子量は４
５００であった。 合成例１３ 合成例９で得られたノボラック樹脂のメチルイソブチル
ケトン溶液（ノボラック樹脂の含有量４３．５重量％）
３００ｇを３Ｌの底抜きセパラブルフラスコに仕込み、
さらにメチルイソブチルケトン３４５ｇとノルマルヘプ
タン４４０ｇを加えて６０℃で３０分間攪拌後、静置、
分液した。分液後、得られた下層に２−ヘプタノン２９
０ｇを仕込み、次いでメチルイソブチルケトン及びノル
マルヘプタンをエバポレーターにより除去してノボラッ
ク樹脂の２−ヘプタノン溶液を得た。ＧＰＣによるポリ
スチレン換算重量平均分子量は６９００でありポリスチ
レン換算分子量で９００以下の範囲の面積比は全パター
ン面積に対して１８％であった。 合成例１４ 合成例１０で得られたノボラック樹脂のメチルイソブチ
ルケトン溶液（ノボラック樹脂の含有量４２．５重量
％）３３０ｇを３Ｌの底抜きセパラブルフラスコに仕込
み、さらにメチルイソブチルケトン３８０ｇとノルマル
ヘプタン４８４ｇを加えて６０℃で３０分間攪拌後、静
置、分液した。分液後、得られた下層に２−ヘプタノン
２９０ｇを仕込み、次いでメチルイソブチルケトン及び
ノルマルヘプタンをエバポレーターにより除去してノボ
ラック樹脂の２−ヘプタノン溶液を得た。ＧＰＣによる
ポリスチレン換算重量平均分子量は７１００でありポリ
スチレン換算分子量で９００以下の範囲の面積比は全パ
ターン面積に対して２０％であった。 合成例１５ 合成例１１で得られたノボラック樹脂のメチルイソブチ
ルケトン溶液（ノボラック樹脂の含有量３７．５重量
％）３３０ｇを３Ｌの底抜きセパラブルフラスコに仕込
み、さらにメチルイソブチルケトン２８９ｇとノルマル
ヘプタン４２２ｇを加えて６０℃で３０分間攪拌後、静
置、分液した。分液後、得られた下層に２−ヘプタノン
２５０ｇを仕込み、次いでメチルイソブチルケトン及び
ノルマルヘプタンをエバポレーターにより除去してノボ
ラック樹脂の２−ヘプタノン溶液を得た。ＧＰＣによる
ポリスチレン換算重量平均分子量は７０００でありポリ
スチレン換算分子量で９００以下の範囲の面積比は全パ
ターン面積に対して２０％であった。 合成例１６ 合成例１２で得られたノボラック樹脂のメチルイソブチ
ルケトン溶液（ノボラック樹脂の含有量４２．３重量
％）４５０ｇを５Ｌの底抜きセパラブルフラスコに仕込
み、さらにメチルイソブチルケトン５０２ｇとノルマル
ヘプタン６４９ｇを加えて６０℃で３０分間攪拌後、静
置、分液した。分液後、得られた下層に２−ヘプタノン
３８０ｇを仕込み、次いでメチルイソブチルケトン及び
ノルマルヘプタンをエバポレーターにより除去してノボ
ラック樹脂の２−ヘプタノン溶液を得た。ＧＰＣによる
ポリスチレン換算重量平均分子量は６７００でありポリ
スチレン換算分子量で９００以下の範囲の面積比は全パ
ターン面積に対して２１％であった。
４３．３ｇ、ｐ−クレゾール２４３．３ｇ、２，５−キ
シレノール２１９．９ｇ、メチルイソブチルケトン６５
７ｇ、１０％シュウ酸水１３３．３ｇ、酢酸１３８ｇを
仕込み１００℃の油浴で加熱攪拌しながら３７．０％ホ
ルマリン水溶液３７３ｇを４０分かけて滴下し、その
後、さらに１５時間反応させた。その後水洗脱水してノ
ボラック樹脂のメチルイソブチルケトン溶液１４３０ｇ
を得た。ＧＰＣによるポリスチレン換算重量平均分子量
は４３００であった。 合成例１０ 内容積２０００mlの三ツ口フラスコにｍ−クレゾール２
３９．３ｇ、ｐ−クレゾール１５９．５ｇ、２，５−キ
レシレノール１７１ｇ、メチルイソブチルケトン５１１
ｇ、１０％シュウ酸水５２ｇ、酢酸１０７ｇを仕込み１
００℃の油浴で加熱攪拌しながら３７．０％ホルマリン
水溶液３０９ｇを４０分かけて滴下し、その後、さらに
１５時間反応させた。その後水洗脱水してノボラック樹
脂のメチルイソブチルケトン溶液１２５０ｇを得た。Ｇ
ＰＣによるポリスチレン換算重量平均分子量は４５００
であった。 合成例１１ 内容積３０００mlの三ツ口フラスコにｍ−クレゾール２
５９．２ｇ、ｐ−クレゾール１３９．６ｇ、２，５−キ
レシレノール２１９．９ｇ、メチルイソブチルケトン６
７５ｇ、１０％シュウ酸水１３３ｇ、酢酸１３８ｇを仕
込み１００℃の油浴で加熱攪拌しながら３７．０％ホル
マリン水溶液３３１ｇを４０分かけて滴下し、その後、
さらに１５時間反応させた。その後水洗脱水してノボラ
ック樹脂のメチルイソブチルケトン溶液１５００ｇを得
た。ＧＰＣによるポリスチレン換算重量平均分子量は４
２００であった。 合成例１２ 内容積２０００mlの三ツ口フラスコにｍ−クレゾール２
７９．２ｇ、ｐ−クレゾール１１９．６ｇ、２，５−キ
レシレノール１７１ｇ、メチルイソブチルケトン５１１
ｇ、１０％シュウ酸水５１．８ｇ、酢酸１０７ｇを仕込
み１００℃の油浴で加熱攪拌しながら３７．０％ホルマ
リン水溶液３１６ｇを４０分かけて滴下し、その後、さ
らに１５時間反応させた。その後水洗脱水してノボラッ
ク樹脂のメチルイソブチルケトン溶液１１７５ｇを得
た。ＧＰＣによるポリスチレン換算重量平均分子量は４
５００であった。 合成例１３ 合成例９で得られたノボラック樹脂のメチルイソブチル
ケトン溶液（ノボラック樹脂の含有量４３．５重量％）
３００ｇを３Ｌの底抜きセパラブルフラスコに仕込み、
さらにメチルイソブチルケトン３４５ｇとノルマルヘプ
タン４４０ｇを加えて６０℃で３０分間攪拌後、静置、
分液した。分液後、得られた下層に２−ヘプタノン２９
０ｇを仕込み、次いでメチルイソブチルケトン及びノル
マルヘプタンをエバポレーターにより除去してノボラッ
ク樹脂の２−ヘプタノン溶液を得た。ＧＰＣによるポリ
スチレン換算重量平均分子量は６９００でありポリスチ
レン換算分子量で９００以下の範囲の面積比は全パター
ン面積に対して１８％であった。 合成例１４ 合成例１０で得られたノボラック樹脂のメチルイソブチ
ルケトン溶液（ノボラック樹脂の含有量４２．５重量
％）３３０ｇを３Ｌの底抜きセパラブルフラスコに仕込
み、さらにメチルイソブチルケトン３８０ｇとノルマル
ヘプタン４８４ｇを加えて６０℃で３０分間攪拌後、静
置、分液した。分液後、得られた下層に２−ヘプタノン
２９０ｇを仕込み、次いでメチルイソブチルケトン及び
ノルマルヘプタンをエバポレーターにより除去してノボ
ラック樹脂の２−ヘプタノン溶液を得た。ＧＰＣによる
ポリスチレン換算重量平均分子量は７１００でありポリ
スチレン換算分子量で９００以下の範囲の面積比は全パ
ターン面積に対して２０％であった。 合成例１５ 合成例１１で得られたノボラック樹脂のメチルイソブチ
ルケトン溶液（ノボラック樹脂の含有量３７．５重量
％）３３０ｇを３Ｌの底抜きセパラブルフラスコに仕込
み、さらにメチルイソブチルケトン２８９ｇとノルマル
ヘプタン４２２ｇを加えて６０℃で３０分間攪拌後、静
置、分液した。分液後、得られた下層に２−ヘプタノン
２５０ｇを仕込み、次いでメチルイソブチルケトン及び
ノルマルヘプタンをエバポレーターにより除去してノボ
ラック樹脂の２−ヘプタノン溶液を得た。ＧＰＣによる
ポリスチレン換算重量平均分子量は７０００でありポリ
スチレン換算分子量で９００以下の範囲の面積比は全パ
ターン面積に対して２０％であった。 合成例１６ 合成例１２で得られたノボラック樹脂のメチルイソブチ
ルケトン溶液（ノボラック樹脂の含有量４２．３重量
％）４５０ｇを５Ｌの底抜きセパラブルフラスコに仕込
み、さらにメチルイソブチルケトン５０２ｇとノルマル
ヘプタン６４９ｇを加えて６０℃で３０分間攪拌後、静
置、分液した。分液後、得られた下層に２−ヘプタノン
３８０ｇを仕込み、次いでメチルイソブチルケトン及び
ノルマルヘプタンをエバポレーターにより除去してノボ
ラック樹脂の２−ヘプタノン溶液を得た。ＧＰＣによる
ポリスチレン換算重量平均分子量は６７００でありポリ
スチレン換算分子量で９００以下の範囲の面積比は全パ
ターン面積に対して２１％であった。
【００３５】実施例（例番号１〜１１） ノボラック樹脂、キノンジアジド系感光剤及びアルカリ
可溶性化合物（表中、添加剤と略記する）を下表に示す
組成で２−ヘプタノン５０部に、混合・溶解した。溶液
を孔径０．２μｍのテフロン製フィルターで濾過してレ
ジスト液を調製した。常法により洗浄したシリコウェハ
ーに回転塗布器を用いて上記レジスト液を１．１μｍ厚
に塗布し、ホットプレートで９０℃１分ベークした。次
いで３６５ｎｍ（ｉ線）の露光波長を有する縮小投影露
光器（ニコン社製品，ＮＳＲ１７５５ｉ７Ａ ＮＡ＝
０．５）を用いて露光量を段階的に変化させて露光し
た。次いで、このウェハーをホットプレートで１１０℃
・１分ベークした。これをＳＯＰＤ〔現像液；住友化学
工業（株）製品〕で１分現像してポジ型パターンを得
た。解像度はラインアンドスペースパターンが１：１に
なる露光量（実効感度）で膜減り無く分離するラインア
ンドスペースパターンの寸法を走査型電子顕微鏡で評価
した。プロファイル及びスカムは実効感度における０．
４５μｍラインアンドスペースパターンの断面形状を走
査型電子顕微鏡で観察した。焦点深度は実効感度におい
て０．４０μｍラインアンドスペースパターンが膜減り
無く分離する焦点の幅を走査型電子顕微鏡で観察した。
可溶性化合物（表中、添加剤と略記する）を下表に示す
組成で２−ヘプタノン５０部に、混合・溶解した。溶液
を孔径０．２μｍのテフロン製フィルターで濾過してレ
ジスト液を調製した。常法により洗浄したシリコウェハ
ーに回転塗布器を用いて上記レジスト液を１．１μｍ厚
に塗布し、ホットプレートで９０℃１分ベークした。次
いで３６５ｎｍ（ｉ線）の露光波長を有する縮小投影露
光器（ニコン社製品，ＮＳＲ１７５５ｉ７Ａ ＮＡ＝
０．５）を用いて露光量を段階的に変化させて露光し
た。次いで、このウェハーをホットプレートで１１０℃
・１分ベークした。これをＳＯＰＤ〔現像液；住友化学
工業（株）製品〕で１分現像してポジ型パターンを得
た。解像度はラインアンドスペースパターンが１：１に
なる露光量（実効感度）で膜減り無く分離するラインア
ンドスペースパターンの寸法を走査型電子顕微鏡で評価
した。プロファイル及びスカムは実効感度における０．
４５μｍラインアンドスペースパターンの断面形状を走
査型電子顕微鏡で観察した。焦点深度は実効感度におい
て０．４０μｍラインアンドスペースパターンが膜減り
無く分離する焦点の幅を走査型電子顕微鏡で観察した。
【００３６】
【表１】
【００３７】
【表２】
【００３８】
【表３】
【００３９】
【表４】
【００４０】上表中、添加剤Ａ、Ｂ及びＧは下式
【００４１】
【化１０】
【００４２】で示される分子量900 未満のアルカリ可溶
性化合物である。
性化合物である。
【００４３】上表中、感光剤Ｃ〜ＦおよびＩ〜Ｊは１，
２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸クロライド
と、下式
２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸クロライド
と、下式
【００４４】
【化１１】
【００４５】
【化１２】
【００４６】で示されるフェノール性水酸基を少なくと
も３個以上有する化合物（Ｃ’〜Ｆ’およびＩ’〜
Ｊ’）の各々とを反応させて得られたものであり、ジエ
ステル体比率は上記感光剤中の１，２−ナフトキノンジ
アジド−５−スルホン酸ジエステルの高速液体クロマト
グラフィー（検出器はUV254nm を使用）により測定した
パターン面積比である。
も３個以上有する化合物（Ｃ’〜Ｆ’およびＩ’〜
Ｊ’）の各々とを反応させて得られたものであり、ジエ
ステル体比率は上記感光剤中の１，２−ナフトキノンジ
アジド−５−スルホン酸ジエステルの高速液体クロマト
グラフィー（検出器はUV254nm を使用）により測定した
パターン面積比である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 上谷 保則 大阪府大阪市此花区春日出中３丁目１番98 号 住友化学工業株式会社内
Claims (7)
- 【請求項１】(a) メタクレゾール、パラクレゾール及び
２，５−キシレノールを含むフェノール類の混合物とア
ルデヒド類とを縮合させて得られるノボラック樹脂、 (b) 高速液体クロマトグラフィーにより測定したパター
ン面積で、フェノール性水酸基を少なくとも３個以上有
する化合物のキノンジアジドスルホン酸ジエステルを40
％以上含むキノンジアジド系感光剤、並びに (c) 分子量900 未満のアルカリ可溶性化合物を含有する
ことを特徴とするポジ型レジスト組成物。 - 【請求項２】フェノール類の混合物中、２，５−キシレ
ノールの比率が10モル％以上、50モル％以下である請求
項１に記載のポジ型レジスト組成物。 - 【請求項３】ノボラック樹脂のポリスチレン換算分子量
900 以下の範囲のGPC パターン面積比が、未反応フェノ
ール類のパターン面積を除く全パターン面積に対して25
％以下である請求項１に記載のポジ型レジスト組成物。 - 【請求項４】フェノール性水酸基を少なくとも３個以上
有する化合物がオキシフラバン類である請求項１に記載
のポジ型レジスト組成物。 - 【請求項５】フェノール性水酸基を少なくとも３個以上
有する化合物が３〜７個のフェノール核を有する、フェ
ノール化合物及びアルデヒド化合物のノボラック型反応
生成物である請求項１に記載のポジ型レジスト組成物。 - 【請求項６】分子量900 未満のアルカリ可溶性化合物
が、フェノール性水酸基を少なくとも２個以上有する化
合物である請求項１に記載のポジ型レジスト組成物。 - 【請求項７】分子量900 未満のアルカリ可溶性化合物の
含量が、ノボラック樹脂、キノンジアジド系感光剤及び
分子量900 未満のアルカリ可溶性化合物の合計100 重量
部に対して３〜40重量部である請求項１に記載のポジ型
レジスト組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22363493A JPH06202321A (ja) | 1992-11-11 | 1993-09-08 | ポジ型レジスト組成物 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30090292 | 1992-11-11 | ||
| JP4-300902 | 1992-11-11 | ||
| JP22363493A JPH06202321A (ja) | 1992-11-11 | 1993-09-08 | ポジ型レジスト組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06202321A true JPH06202321A (ja) | 1994-07-22 |
Family
ID=26525603
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22363493A Pending JPH06202321A (ja) | 1992-11-11 | 1993-09-08 | ポジ型レジスト組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06202321A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0710886A1 (en) | 1994-10-31 | 1996-05-08 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Positive photoresist composition |
-
1993
- 1993-09-08 JP JP22363493A patent/JPH06202321A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0710886A1 (en) | 1994-10-31 | 1996-05-08 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Positive photoresist composition |
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