JP3377265B2 - 感光性樹脂組成物の製造方法 - Google Patents
感光性樹脂組成物の製造方法Info
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Description
シマーレーザー等を含む)、電子線、イオンビーム、X
線等の放射線に感応する感光性樹脂組成物の製造方法に
関する。
ミクロンのパターン形成が要求され、感度、解像度、プ
ロファイル、焦点深度及び耐熱性等の諸性能に優れ、し
かもスカム(現像残さ)のないポジ型レジストが要望さ
れている。特に16〜64MDRAMの製作においては、0.5 μ
m以下の線幅のパターンを、プロファイル良く且つ広い
焦点深度で解像することが必要である。ところで、特開
平2−84414 号公報の請求項5には、ノボラック樹脂及
び光増感剤を含んで成るポジ型感光性フォトレジストで
あって、ノボラック樹脂として、(a) フェノール、フェ
ノール誘導体又はその混合物及び(b) アルデヒドの縮合
生成物であるノボラック樹脂であって、アルデヒドとし
てホルムアルデヒド又はホルムアルデヒド前駆体及びモ
ノヒドロキシ芳香族アルデヒドを含んで成るアルデヒド
の混合物の縮合生成物を使用することを特徴とするポジ
型感光性フォトレジストが記載されている。しかしなが
ら、このポジ型感光性フォトレジストは解像度、プロフ
ァイル、焦点深度等の観点から満足できるものではな
い。
度、プロファイル、焦点深度及び耐熱性等の諸性能に優
れ、しかもスカムがなく、生産性が向上する感光性樹脂
組成物の製造方法を提供する。
脂とo−ナフトキノンジアジド化合物とを含む感光性樹
脂組成物の製造方法において、該ノボラック樹脂とし
て、一般式(Ia)
子、炭素数1〜6のアルキルもしくはアルケニル基又は
アリール基を表わし、mは0、1又は2を表わす。)或
いは一般式(Ib)
子、炭素数1〜6のアルキルもしくはアルケニル基又は
アリール基を表わす。k’は0、1又は2を表わし、p
は2又は3を表わす。)で示される芳香族アルデヒドを
含むアルデヒド類とフェノール化合物とを酸触媒の存在
下に反応させて得られる低分子量成分を単離せずに、さ
らにフェノール類及びホルムアルデヒドと縮合させて得
られるノボラック樹脂を用いることを特徴とする感光性
樹脂組成物の製造方法である。
香族アルデヒドとして好ましくは、例えばベンズアルデ
ヒド、4−メチルベンズアルデヒド等のメチルベンズア
ルデヒド類、テレフタルアルデヒド等のポリアルデヒド
類、o−、m−もしくはp−ヒドロキシベンズアルデヒ
ド等のヒドロキシベンズアルデヒド類、又はo−、m−
もしくはp−メトキシベンズアルデヒド等のメトキシベ
ンズアルデヒド類が挙げられ、より好ましくはヒドロキ
シベンズアルデヒド類が挙げられる。これらの芳香族ア
ルデヒドは単独で、又は2種以上組合わせて用いられ
る。又、アルデヒド類としては、上記一般式(Ia)及
び(Ib)で示される芳香族アルデヒドと、ホルムアル
デヒド以外の1種もしくは2種以上の脂肪族アルデヒド
(例えばアセトアルデヒドもしくはグリオキサール等)
との混合物を用いてもよい。
ば一般式(II)
子、水酸基、炭素数1〜6のアルキルもしくはアルケニ
ル基、又はアリール基を表わす。)で示される、少なく
とも1種の化合物が挙げられ、より好ましくはm−もし
くはp−クレゾール、3−メチル−6−t−ブチルフェ
ノール又は下式
るフェノールが挙げられる。上式で示されるフェノール
として好ましくは、例えば2,5−キシレノール、3,
5−キシレノール、3,4−キシレノールもしくは2,
3,5−トリメチルフェノールが挙げられる。
香族アルデヒドと一般式(II)で示される化合物との
好ましい反応モル比は1:2〜1:10である。反応は好
ましくは溶剤の共存下に行なわれる。好ましい有機溶剤
としては上記芳香族アルデヒド及びフェノール化合物を
比較的溶解しにくい貧溶剤(例えばメタノール、トルエ
ン、ヘキサン、ヘプタンもしくはシクロヘキサン等)が
挙げられる。より好ましい有機溶剤としては沸点が50〜
160 ℃の溶剤であり、特に好ましい有機溶剤としては沸
点が60〜120 ℃の溶剤である。とりわけ好ましい有機溶
剤は上記貧溶剤であって、且つ沸点が60〜120 ℃のもの
である。酸触媒としては、例えば有機酸(酢酸、蓚酸も
しくはp−トルエンスルホン酸等)、無機酸(塩酸、硫
酸もしくは燐酸等)又は二価金属塩(酢酸亜鉛等)が挙
げられる。反応は通常、2〜30時間で終了する。
れる化合物との反応で得られる低分子量成分は下式
味を有する。)或いは下式
同じ意味を有する。)で示される。芳香族アルデヒドを
含むアルデヒド類とフェノール化合物との反応で得られ
る低分子量成分は単離せずに、フェノール類及びホルム
アルデヒドとの縮合に用いられる。
びホルムアルデヒドの3者を同時に仕込み後、行なって
もよく、或いは低分子量成分及びフェノール類の混合物
中にホルムアルデヒドを添加して行なってもよい。上記
フェノール類として好ましくは、例えばm−クレゾー
ル、p−クレゾール、2,5−キシレノール又はこれら
の2種以上の混合物等が挙げられる。縮合反応条件は通
常、前記反応の場合と同じである。低分子量成分及びフ
ェノール類の合計1モルに対するホルムアルデヒドの縮
合反応モル数は通常0.4 〜1(好ましくは0.6 〜0.95)
であり、低分子量成分及びフェノール類の好ましいモル
比は100 :10〜100 :50の範囲である。縮合により得ら
れるノボラック樹脂を例えば分別等の操作を加えて、ノ
ボラック樹脂の分子量900 以下の範囲のGPC パターン面
積比(検出器UV254nm )が未反応のフェノール類のパタ
ーン面積を除く全パターン面積に対して25%以下(ポリ
スチレン換算)であるように調製することが好ましく、
20%以下に調製することがより好ましい。
は、例えばフェノール性水酸基を2個以上有する化合物
と1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸ハラ
イドもしくは1,2−ナフトキノンジアジド−5−スル
ホン酸ハライドとを、弱アルカリもしくは有機塩基の存
在下に反応させて得られるものが挙げられる。
分子量900 未満のアルカリ可溶性多価フェノールを含有
してもよく、該多価フェノールとしては、例えば特開平
2−275955号公報に記載されているものが挙げられる。
グリコールモノメチルエーテルアセテート、エチルセロ
ソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート等のグ
リコールエステル類、特開平2−220056号公報に記載さ
れている溶剤、ピルビン酸エチル、酢酸n−アミル、乳
酸エチル等のエステル類、2−ヘプタノン、γ−ブチロ
ラクトン等のケトン類が挙げられる。
フトキノンジアジド化合物及び分子量900 未満のアルカ
リ可溶性多価フェノールの割合は通常、各々10〜50及び
0〜40(好ましくは3〜40)重量%である。
ロファイル、耐熱性、感度及び焦点深度等の諸性能のバ
ランスに優れ、且つスカムがない感光性樹脂組成物が得
られ、生産性が大きく向上する。
的に説明するが、本発明はこれらの実施例により何ら限
定されるものではない。例中、部は重量部を示す。
トルエンスルホン酸6.2g及びサリチルアルデヒド36.6g
の混合物を80℃・4時間加熱攪拌した。反応終了後、得
られた反応混合物にメチルイソブチルケトン376gを加
え、次いで内温が85℃になるまで蒸留してメタノールを
系外に留出させた。次いで、m−クレゾール97.3g 及び
p−クレゾール118.9gを添加後、37%ホルマリン122gを
40分で滴下した。滴下終了後、15時間反応した。次い
で、水洗、脱水してノボラック樹脂のメチルイソブチル
ケトン溶液を得た。GPC によるポリスチレン換算重量平
均分子量は4100であった。
る)、サリチルアルデヒド(下表中、アルデヒドと略称
する)、m−クレゾール(下表中、m−CLと略称す
る)、p−クレゾール(下表中、p−CLと略称する)及
び37%ホルマリン(下表中、ホルマリンと略称する)の
添加量を下表に記載のとおり変更する以外は、合成例1
と同様にしてノボラック樹脂のメチルイソブチルケトン
溶液を得た。GPC によるポリスチレン換算重量平均分子
量(下表中、Mwと略称する)は下表のとおりであった。
ン溶液(樹脂分40重量%)300gを3Lの底抜きセパラブ
ルフラスコに仕込み、メチルイソブチルケトン554g及び
n−ヘプタン692gを加えて60℃・30分攪拌後、静置・分
液した。分液で得られた下層に2−ヘプタノン300gを加
え、次いでメチルイソブチルケトン及びn−ヘプタンを
エバポレーターにより留出させてノボラック樹脂の2−
ヘプタノン溶液を得た。GPC によるポリスチレン換算重
量平均分子量は8000であり、分子量900 以下の範囲の面
積比は全パターン面積に対して17%であった。
ケトン溶液の各々を、合成例8に準じて分別してノボラ
ック樹脂の2−ヘプタノン溶液を得た。メチルイソブチ
ルケトン溶液中の樹脂分(下表中、樹脂分と略記す
る)、分別後のGPCによるポリスチレン換算重量平均分
子量(下表中、分別後Mwと略記する)及び分別後の分子
量900 以下の範囲の面積比(下表中、分別後面積比と略
記する)を各々下表に示した。
ルエンスルホン酸5.4g及びサリチルアルデヒド27.5g の
混合物を80℃・7時間加熱攪拌した。反応終了後、得ら
れた反応混合物に2−ヘプタノン350gを加え、次いで内
温が90℃になるまで蒸留してメタノールを系外に留出さ
せた。次いで、m−クレゾール162.2g及び2,5−キシ
レノール73.3g を添加後、37%ホルマリン186gを40分で
滴下した。滴下終了後、15時間反応した。次いで、水
洗、脱水してノボラック樹脂の2−ヘプタノン溶液を得
た。GPC によるポリスチレン換算重量平均分子量は4300
であった。
ゾール、2,5−キシレノール及び37%ホルマリン(下
表中、ホルマリンと略称する)の添加量を下表に記載の
とおり変更する以外は、合成例15と同様にしてノボラッ
ク樹脂の2−ヘプタノン溶液を得た。GPC によるポリス
チレン換算重量平均分子量(下表中、Mwと略称する)は
下表のとおりであった。
分子量900 未満のアルカリ可溶性多価フェノール(下表
中、各々、樹脂、感光剤及び添加剤と略記)を、下表に
示す組成で且つ2−ヘプタノンが50部になるように混合
後、孔径0.2 μmのテフロン製フィルターで濾過してレ
ジスト液を調製した。常法により洗浄したシリコンウエ
ハーに回転塗布器を用いて上記レジスト液を1.1 μm厚
に塗布後、ホットプレートで90℃・1分ベークした。次
いで、365nm (i線)の露光波長を有する縮小投影露光
器(ニコン社製、NSR1755i7A NA =0.5 )を用いて露光
量を段階的に変化させて露光した。次いで、このウエハ
ーをホットプレートで110℃・1分ベークした。これをS
OPD(住友化学工業製アルカリ現像液)で1分現像して
ポジ型パターンを得た。解像度はラインアンドスペース
パターンが1:1になる露光量(実効感度)で膜減り無
く分離するラインアンドスペースパターンの寸法を走査
型電子顕微鏡で観察した。プロファイルは実効感度にお
ける0.45μmラインアンドスペースパターンの断面形状
を走査型電子顕微鏡で観察した。耐熱性は124 ℃のホッ
トプレート上で5分加熱し、パターンのダレ具合を5段
階で評価した(耐熱性に関しては5が最も良く、1が最
も悪い)。焦点深度は実効感度において0.40μmライン
アンドスペースパターンが膜減り無く分離する焦点の幅
を走査型電子顕微鏡で観察した。尚、下表中、添加剤
B、F及びGは各々、下記アルカリ可溶性多価フェノー
ルであり、感光剤C、D、E、H、I及びJは各々、下
記のフェノール性水酸基を2個以上有する化合物C’、
D’、E’、H’、I’及びJ’と1,2−ナフトキノ
ンジアジド−5−スルホン酸クロリドとの縮合生成物
(縮合時のモル比は各々2.0 、2.6 、2.0 、3.0 、2.0
及び4.0)である。
Claims (7)
- 【請求項1】ノボラック樹脂とo−ナフトキノンジアジ
ド化合物とを含む感光性樹脂組成物の製造方法におい
て、該ノボラック樹脂として、一般式(Ia) 【化1】 (式中、R1 〜R3 は各々独立して水素原子、炭素数1
〜6のアルキルもしくはアルケニル基又はアリール基を
表わし、mは0、1又は2を表わす。)或いは一般式
(Ib) 【化2】 (式中、R1 〜R3 は各々独立して水素原子、炭素数1
〜6のアルキルもしくはアルケニル基又はアリール基を
表わす。k’は0、1又は2を表わし、pは2又は3を
表わす。)で示される芳香族アルデヒドを含むアルデヒ
ド類とフェノール化合物とを酸触媒の存在下に反応させ
て得られる低分子量成分を単離せずに、さらにフェノー
ル類及びホルムアルデヒドと縮合させて得られるノボラ
ック樹脂を用いることを特徴とする感光性樹脂組成物の
製造方法。 - 【請求項2】フェノール化合物が一般式(II) 【化3】 (式中、R4 〜R6 は各々独立して水素原子、水酸基、
炭素数1〜6のアルキルもしくはアルケニル基、又はア
リール基を表わす。)で示される、少なくとも1種の化
合物である請求項1に記載の感光性樹脂組成物の製造方
法。 - 【請求項3】一般式(II)で示される、少なくとも1
種の化合物がフェノール、m−クレゾール、p−クレゾ
ール、2,5−キシレノール、3,5−キシレノール、
3,4−キシレノール、2,3,5−トリメチルフェノ
ール及び3−メチル−6−t−ブチルフェノールの群れ
から選ばれる化合物である請求項1又は2に記載の感光
性樹脂組成物の製造方法。 - 【請求項4】フェノール類がm−クレゾール、p−クレ
ゾール、2,5−キシレノール又はこれらの2種以上の
混合物である請求項1〜3のいずれかに記載の感光性樹
脂組成物の製造方法。 - 【請求項5】低分子量成分が、50〜160 ℃の沸点を有す
る有機溶剤の共存下に芳香族アルデヒドとフェノール化
合物とを反応させて得られたものである請求項1に記載
の感光性樹脂組成物の製造方法。 - 【請求項6】ノボラック樹脂の分子量900 以下の範囲の
GPC パターン面積比が未反応のフェノール類のパターン
面積を除く全パターン面積に対して25%以下(ポリスチ
レン換算)である請求項1〜5のいずれかに記載の感光
性樹脂組成物の製造方法。 - 【請求項7】分子量900 未満のアルカリ可溶性多価フェ
ノールを含有する請求項1〜6のいずれかに記載の感光
性樹脂組成物の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30531993A JP3377265B2 (ja) | 1992-12-24 | 1993-12-06 | 感光性樹脂組成物の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4-344342 | 1992-12-24 | ||
JP34434292 | 1992-12-24 | ||
JP30531993A JP3377265B2 (ja) | 1992-12-24 | 1993-12-06 | 感光性樹脂組成物の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06242601A JPH06242601A (ja) | 1994-09-02 |
JP3377265B2 true JP3377265B2 (ja) | 2003-02-17 |
Family
ID=26564253
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30531993A Expired - Fee Related JP3377265B2 (ja) | 1992-12-24 | 1993-12-06 | 感光性樹脂組成物の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3377265B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101324645B1 (ko) * | 2006-05-08 | 2013-11-01 | 주식회사 동진쎄미켐 | 포토레지스트 조성물 |
TWI662018B (zh) | 2014-03-13 | 2019-06-11 | 日商三菱瓦斯化學股份有限公司 | 抗蝕組成物及抗蝕圖型形成方法 |
SG11201607444VA (en) | 2014-03-13 | 2016-10-28 | Mitsubishi Gas Chemical Co | Compound, resin, material for forming underlayer film for lithography, underlayer film for lithography, pattern forming method, and method for purifying the compound or resin |
CN107428646B (zh) | 2015-03-30 | 2021-03-02 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 化合物、树脂、和它们的纯化方法、及其应用 |
KR20170131636A (ko) * | 2015-03-30 | 2017-11-29 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 감방사선성 조성물, 아몰퍼스막 및 레지스트패턴 형성방법 |
KR102527656B1 (ko) | 2015-03-30 | 2023-05-02 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 레지스트 기재, 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴 형성방법 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JPH06242601A (ja) | 1994-09-02 |
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