JPH06236030A - ポジ型レジスト組成物 - Google Patents
ポジ型レジスト組成物Info
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- JPH06236030A JPH06236030A JP2277293A JP2277293A JPH06236030A JP H06236030 A JPH06236030 A JP H06236030A JP 2277293 A JP2277293 A JP 2277293A JP 2277293 A JP2277293 A JP 2277293A JP H06236030 A JPH06236030 A JP H06236030A
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- Japan
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- group
- resist composition
- alkali
- type resist
- positive type
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 感度、解像度、プロファイル等の諸性能のバ
ランスに優れ、且つスカムのないポジ型レジスト組成物
を提供する。 【構成】 アルカリ可溶性樹脂、及び下記一般式（Ｉ）
で示されるフェノール化合物のキノンジアジドスルホン
酸エステルの１種又は２種以上を含有するポジ型レジス
ト組成物。 【化１】 〔式中、Ｙ1 、Ｙ2 、Ｚ1 、Ｚ2 、Ｚ3 、Ｚ4 、Ｚ5 、
Ｚ6 、及びＺ7 はそれぞれハロゲン原子で置換されてい
てもよいＣ1 〜Ｃ4 のアルキル基、水素原子又は−ＯＨ
基を表し、Ｙ1 、Ｙ2 のうち少なくとも１つは−ＯＨ基
であり、Ｚ1 、Ｚ 2 、Ｚ3 、Ｚ4 、Ｚ5 、Ｚ6 、Ｚ7 の
うち少なくとも２つは−ＯＨ基である。また、Ｒ1 、Ｒ
2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 およびＲ6 は水素原子、Ｃ1 〜Ｃ
10のアルキル基、Ｃ2 〜Ｃ4 のアルケニル基、シクロア
ルキル基又はアリール基を表す。〕
ランスに優れ、且つスカムのないポジ型レジスト組成物
を提供する。 【構成】 アルカリ可溶性樹脂、及び下記一般式（Ｉ）
で示されるフェノール化合物のキノンジアジドスルホン
酸エステルの１種又は２種以上を含有するポジ型レジス
ト組成物。 【化１】 〔式中、Ｙ1 、Ｙ2 、Ｚ1 、Ｚ2 、Ｚ3 、Ｚ4 、Ｚ5 、
Ｚ6 、及びＺ7 はそれぞれハロゲン原子で置換されてい
てもよいＣ1 〜Ｃ4 のアルキル基、水素原子又は−ＯＨ
基を表し、Ｙ1 、Ｙ2 のうち少なくとも１つは−ＯＨ基
であり、Ｚ1 、Ｚ 2 、Ｚ3 、Ｚ4 、Ｚ5 、Ｚ6 、Ｚ7 の
うち少なくとも２つは−ＯＨ基である。また、Ｒ1 、Ｒ
2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 およびＲ6 は水素原子、Ｃ1 〜Ｃ
10のアルキル基、Ｃ2 〜Ｃ4 のアルケニル基、シクロア
ルキル基又はアリール基を表す。〕
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、IC又はLSI 等の集積回
路の作製に用いられるポジ型レジスト組成物に関する。
路の作製に用いられるポジ型レジスト組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、集積回路の高集積化に伴い、サブ
ミクロンのパターン形成が要求されている。解像度を向
上させるには、キノンジアジドスルホン酸エステルの量
を増やすことが考えられる。しかしながら、キノンジア
ジドスルホン酸エステルの量を増やすことは、感度の低
下やスカム（現像残さ）の増加といった不都合が生じや
すい。
ミクロンのパターン形成が要求されている。解像度を向
上させるには、キノンジアジドスルホン酸エステルの量
を増やすことが考えられる。しかしながら、キノンジア
ジドスルホン酸エステルの量を増やすことは、感度の低
下やスカム（現像残さ）の増加といった不都合が生じや
すい。
【０００３】解像度と感度を両立させるために、例えば
特開平3-185447号公報には、下式
特開平3-185447号公報には、下式
【０００４】
【化２】
【０００５】〔式中、Ｙ1 、Ｙ2 、Ｚ1 、Ｚ2 、Ｚ3 、
Ｚ4 、Ｚ5 、Ｚ6 及びＺ7 はそれぞれハロゲン原子で置
換されていてもよいＣ1 〜Ｃ4 のアルキル基、水素原子
又は−ＯＨ基を表し、Ｙ1 、Ｙ2 のうち少なくとも１つ
は−ＯＨ基であり、Ｚ1 、Ｚ2、Ｚ3 、Ｚ4 、Ｚ5 、Ｚ
6 、Ｚ7 のうち少なくとも２つは−ＯＨ基である。
Ｒ1、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 及びＲ6 は水素原子、Ｃ
1 〜Ｃ10のアルキル基、Ｃ2〜Ｃ4 のアルケニル基、シ
クロアルキル基又はアリール基を表わす。）で示される
フェノール化合物のキノンジアジドスルホン酸エステル
の１種又は２種以上、並びにアルカリ可溶性樹脂を含有
するポジ型レジスト組成物が記載されている。しかしな
がら、上記ポジ型レジスト組成物においても、解像度と
感度との性能バランスが必ずしも充分なものではなかっ
た。
Ｚ4 、Ｚ5 、Ｚ6 及びＺ7 はそれぞれハロゲン原子で置
換されていてもよいＣ1 〜Ｃ4 のアルキル基、水素原子
又は−ＯＨ基を表し、Ｙ1 、Ｙ2 のうち少なくとも１つ
は−ＯＨ基であり、Ｚ1 、Ｚ2、Ｚ3 、Ｚ4 、Ｚ5 、Ｚ
6 、Ｚ7 のうち少なくとも２つは−ＯＨ基である。
Ｒ1、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 及びＲ6 は水素原子、Ｃ
1 〜Ｃ10のアルキル基、Ｃ2〜Ｃ4 のアルケニル基、シ
クロアルキル基又はアリール基を表わす。）で示される
フェノール化合物のキノンジアジドスルホン酸エステル
の１種又は２種以上、並びにアルカリ可溶性樹脂を含有
するポジ型レジスト組成物が記載されている。しかしな
がら、上記ポジ型レジスト組成物においても、解像度と
感度との性能バランスが必ずしも充分なものではなかっ
た。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述した従
来技術の問題点を解決して、諸性能のバランスに優れた
ポジ型レジスト組成物を提供する。
来技術の問題点を解決して、諸性能のバランスに優れた
ポジ型レジスト組成物を提供する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、アルカリ可溶
性樹脂、及び一般式（Ｉ）
性樹脂、及び一般式（Ｉ）
【０００８】
【化３】
【０００９】〔式中、Ｙ1 、Ｙ2 、Ｚ1 、Ｚ2 、Ｚ3 、
Ｚ4 、Ｚ5 、Ｚ6 及びＺ7 はそれぞれハロゲン原子で置
換されていてもよいＣ1 〜Ｃ4 のアルキル基、水素原子
又は−ＯＨ基を表し、Ｙ1 、Ｙ2 のうち少なくとも１つ
は−ＯＨ基であり、Ｚ1 、Ｚ2、Ｚ3 、Ｚ4 、Ｚ5 、Ｚ
6 、Ｚ7 のうち少なくとも２つは−ＯＨ基である。
Ｒ1、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 及びＲ6 はそれぞれ水素
原子、Ｃ1 〜Ｃ10のアルキル基、Ｃ2 〜Ｃ4 のアルケニ
ル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。）で示
されるフェノール化合物のキノンジアジドスルホン酸エ
ステルの１種又は２種以上を含有することを特徴とする
ポジ型レジスト組成物である。
Ｚ4 、Ｚ5 、Ｚ6 及びＺ7 はそれぞれハロゲン原子で置
換されていてもよいＣ1 〜Ｃ4 のアルキル基、水素原子
又は−ＯＨ基を表し、Ｙ1 、Ｙ2 のうち少なくとも１つ
は−ＯＨ基であり、Ｚ1 、Ｚ2、Ｚ3 、Ｚ4 、Ｚ5 、Ｚ
6 、Ｚ7 のうち少なくとも２つは−ＯＨ基である。
Ｒ1、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 及びＲ6 はそれぞれ水素
原子、Ｃ1 〜Ｃ10のアルキル基、Ｃ2 〜Ｃ4 のアルケニ
ル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。）で示
されるフェノール化合物のキノンジアジドスルホン酸エ
ステルの１種又は２種以上を含有することを特徴とする
ポジ型レジスト組成物である。
【００１０】一般式（Ｉ）において、Ｚ1 、Ｚ2 、
Ｚ3 、Ｚ4 、Ｚ5 、Ｚ6 及びＺ7 のうち、２つのみが−
ＯＨ基であるフェノール化合物がレジストの解像度が高
く、好ましい。又、Ｚ1 、Ｚ2 、Ｚ3 、Ｚ4 のうち少な
くとも１つが−ＯＨ基であり、且つＺ5 、Ｚ6 、Ｚ7 の
うち少なくとも１つが−ＯＨ基であるフェノール化合物
が好ましい。Ｒ1 〜Ｒ6 で表わされるアルキル基として
は、メチル、エチル等のＣ1 〜Ｃ4のアルキル基が好ま
しい。同じくシクロアルキル基としてはＣ5 〜Ｃ7 のも
のが好ましく、アリール基としてはフェニル基が好まし
い。一般式（Ｉ）で示されるフェノール化合物として
は、下式
Ｚ3 、Ｚ4 、Ｚ5 、Ｚ6 及びＺ7 のうち、２つのみが−
ＯＨ基であるフェノール化合物がレジストの解像度が高
く、好ましい。又、Ｚ1 、Ｚ2 、Ｚ3 、Ｚ4 のうち少な
くとも１つが−ＯＨ基であり、且つＺ5 、Ｚ6 、Ｚ7 の
うち少なくとも１つが−ＯＨ基であるフェノール化合物
が好ましい。Ｒ1 〜Ｒ6 で表わされるアルキル基として
は、メチル、エチル等のＣ1 〜Ｃ4のアルキル基が好ま
しい。同じくシクロアルキル基としてはＣ5 〜Ｃ7 のも
のが好ましく、アリール基としてはフェニル基が好まし
い。一般式（Ｉ）で示されるフェノール化合物として
は、下式
【００１１】
【化４】
【００１２】で示される化合物等が例示される。一般式
（Ｉ）で示されるフェノール化合物のキノンジアジドス
ルホン酸エステルは、例えばナフトキノンジアジドスル
ホン酸ハロゲン化物又はベンゾキノンジアジドスルホン
酸ハロゲン化物と、上記のフェノール化合物とを、炭酸
ソーダ等の弱アルカリの存在下に縮合させることにより
製造される。上述のキノンジアジドスルホン酸エステル
は単独で、或いは２種類以上の混合物として用いられ
る。本発明のポジ型レジスト組成物には、他の多価フェ
ノール化合物のキノンジアジドスルホン酸エステルを加
えてもよい。他の多価フェノール化合物としては、ハイ
ドロキノン、レゾルシン、フロログルシン、２，４−ジ
ヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４−トリヒドロキ
シベンゾフェノン、２，２’，３−トリヒドロキシベン
ゾフェノン、２，２’，４−トリヒドロキシベンゾフェ
ノン、２，２’，５−トリヒドロキシベンゾフェノン、
２，３，３’−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，
３，４’−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，３’，
４−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，３’，５−ト
リヒドロキシベンゾフェノン、２，４，４’−トリヒド
ロキシベンゾフェノン、２，４’，５−トリヒドロキシ
ベンゾフェノン、２’，３，４−トリヒドロキシベンゾ
フェノン、３，３’，４−トリヒドロキシベンゾフェノ
ン、３，４，４’−トリヒドロキシベンゾフェノンなど
のトリヒドロキシベンゾフェノン類、２，３，３’，４
−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４，４’
−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，２’，４，
４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，２’，
３，４−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，２’，
３，４−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，２’，
３，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，
２’，５，５’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、
２，３’，４，５−テトラヒドロキシベンゾフェノン、
２，３’，５，５’−テトラヒドロキシベンゾフェノン
などのテトラヒドロキシベンゾフェノン類、２，２’，
３，４，４’−ペンタヒドロキシベンゾフェノン、２，
２’，３，４，５’−ペンタヒドロキシベンゾフェノ
ン、２，２’，３，３’，４−ペンタヒドロキシベンゾ
フェノン、２，３，３’，４，５’−ペンタヒドロキシ
ベンゾフェノンなどのペンタヒドロキシベンゾフェノン
類、２，３，３’，４，４’，５’−ヘキサヒドロキシ
ベンゾフェノン、２，２’，３，３’，４，５’−ヘキ
サヒドロキシベンゾフェノンなどのヘキサヒドロキシベ
ンゾフェノン類、没食子酸アルキルエステル等が例示さ
れる。本発明に用いられるアルカリ可溶性樹脂として
は、ノボラック樹脂が好ましい。ノボラック樹脂として
は、フェノール類とホルムアルデヒドとを付加縮合反応
させて得られるものが挙げられる。フェノール類の具体
例としては、フェノール、クレゾール、キシレノール、
エチルフェノール、トリメチルフェノール、プロピルフ
ェノール、メチルブチルフェノール、ブチルフェノー
ル、ジヒドロキシベンゼン、ナフトール類等が挙げられ
る。これらのフェノール類は単独で、又は混合物として
使用される。フェノール類と付加縮合反応させるホルム
アルデヒドとしてはホルムアルデヒド水溶液（ホルマリ
ン）やパラホルムアルデヒドが用いられる。特に３７％
ホルマリンは工業的に量産されており、好都合である。
フェノール類とホルムアルデヒドとの付加縮合反応は常
法に従って行われ、付加縮合温度は通常６０〜１２０
℃、付加縮合時間は通常２〜３０時間である。触媒とし
ては有機酸もしくは無機酸或いは二価金属塩等が用いら
れる。触媒の具体例としては硫酸、過塩素酸、リン酸、
ｐ−トルエンスルホン酸、トリクロル酢酸、蓚酸、蟻
酸、酢酸亜鉛もしくは酢酸マグネシウム等があげられ
る。付加縮合反応はバルクで、或いは適当な溶剤中で行
われる。アルカリ可溶性樹脂の好ましい重量平均分子量
は2000〜20000 であり、より好ましくは5000〜15000 で
ある。本発明のポジ型レジスト組成物において、好まし
いキノンジアジドスルホン酸エステル量は上記レジスト
組成物の全固形分中、１５〜５０重量％である。又、好
ましいアルカリ可溶性樹脂量は上記全固型分中、５０〜
８５重量％である。レジスト液の調製は、キノンジアジ
ドスルホン酸エステル及びアルカリ可溶性樹脂を溶剤と
混合することにより行われる。溶剤としては、適当な乾
燥速度を有し、蒸発後、均一且つ平滑な塗膜を与えるも
のがよい。溶剤の具体例としては、エチルセロソルブア
セテート、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソ
ルブ、メチルセロソルブ、プロピレングリコールモノメ
チルエーテルアセテート、酢酸ブチル、メチルイソブチ
ルケトン、２−ヘプタノン、３−オクタノンもしくはキ
シレン等が挙げられる。溶剤量はその種類等により若干
異なるが、例えばエチルセロソルブアセテートを溶剤と
して用いた場合には、レジスト液中、５０〜８０重量％
である。以上の方法で得られたレジスト液には、必要に
応じて添加物として少量の樹脂や染料等を添加してもよ
い。さらに、レジスト液には、例えば分子量９００未満
のアルカリ可溶性化合物を添加してもよい。分子量９０
０未満のアルカリ可溶性化合物としては、フェノール性
水酸基を少なくとも２個以上有する化合物が好ましい。
より好ましいアルカリ可溶性化合物としては特開平2-27
5955号公報に一般式（Ｉ）で記載されている化合物、特
開平4-50851 号公報に一般式（Ｉ）で記載されている化
合物又は特開平3-179353号公報に一般式（Ｉ）で記載さ
れている化合物等が挙げられる。分子量９００未満のア
ルカリ可溶性化合物の好ましい使用量はポジ型レジスト
組成物の全固形分中、３〜４０重量％である。
（Ｉ）で示されるフェノール化合物のキノンジアジドス
ルホン酸エステルは、例えばナフトキノンジアジドスル
ホン酸ハロゲン化物又はベンゾキノンジアジドスルホン
酸ハロゲン化物と、上記のフェノール化合物とを、炭酸
ソーダ等の弱アルカリの存在下に縮合させることにより
製造される。上述のキノンジアジドスルホン酸エステル
は単独で、或いは２種類以上の混合物として用いられ
る。本発明のポジ型レジスト組成物には、他の多価フェ
ノール化合物のキノンジアジドスルホン酸エステルを加
えてもよい。他の多価フェノール化合物としては、ハイ
ドロキノン、レゾルシン、フロログルシン、２，４−ジ
ヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４−トリヒドロキ
シベンゾフェノン、２，２’，３−トリヒドロキシベン
ゾフェノン、２，２’，４−トリヒドロキシベンゾフェ
ノン、２，２’，５−トリヒドロキシベンゾフェノン、
２，３，３’−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，
３，４’−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，３’，
４−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，３’，５−ト
リヒドロキシベンゾフェノン、２，４，４’−トリヒド
ロキシベンゾフェノン、２，４’，５−トリヒドロキシ
ベンゾフェノン、２’，３，４−トリヒドロキシベンゾ
フェノン、３，３’，４−トリヒドロキシベンゾフェノ
ン、３，４，４’−トリヒドロキシベンゾフェノンなど
のトリヒドロキシベンゾフェノン類、２，３，３’，４
−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４，４’
−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，２’，４，
４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，２’，
３，４−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，２’，
３，４−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，２’，
３，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，
２’，５，５’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、
２，３’，４，５−テトラヒドロキシベンゾフェノン、
２，３’，５，５’−テトラヒドロキシベンゾフェノン
などのテトラヒドロキシベンゾフェノン類、２，２’，
３，４，４’−ペンタヒドロキシベンゾフェノン、２，
２’，３，４，５’−ペンタヒドロキシベンゾフェノ
ン、２，２’，３，３’，４−ペンタヒドロキシベンゾ
フェノン、２，３，３’，４，５’−ペンタヒドロキシ
ベンゾフェノンなどのペンタヒドロキシベンゾフェノン
類、２，３，３’，４，４’，５’−ヘキサヒドロキシ
ベンゾフェノン、２，２’，３，３’，４，５’−ヘキ
サヒドロキシベンゾフェノンなどのヘキサヒドロキシベ
ンゾフェノン類、没食子酸アルキルエステル等が例示さ
れる。本発明に用いられるアルカリ可溶性樹脂として
は、ノボラック樹脂が好ましい。ノボラック樹脂として
は、フェノール類とホルムアルデヒドとを付加縮合反応
させて得られるものが挙げられる。フェノール類の具体
例としては、フェノール、クレゾール、キシレノール、
エチルフェノール、トリメチルフェノール、プロピルフ
ェノール、メチルブチルフェノール、ブチルフェノー
ル、ジヒドロキシベンゼン、ナフトール類等が挙げられ
る。これらのフェノール類は単独で、又は混合物として
使用される。フェノール類と付加縮合反応させるホルム
アルデヒドとしてはホルムアルデヒド水溶液（ホルマリ
ン）やパラホルムアルデヒドが用いられる。特に３７％
ホルマリンは工業的に量産されており、好都合である。
フェノール類とホルムアルデヒドとの付加縮合反応は常
法に従って行われ、付加縮合温度は通常６０〜１２０
℃、付加縮合時間は通常２〜３０時間である。触媒とし
ては有機酸もしくは無機酸或いは二価金属塩等が用いら
れる。触媒の具体例としては硫酸、過塩素酸、リン酸、
ｐ−トルエンスルホン酸、トリクロル酢酸、蓚酸、蟻
酸、酢酸亜鉛もしくは酢酸マグネシウム等があげられ
る。付加縮合反応はバルクで、或いは適当な溶剤中で行
われる。アルカリ可溶性樹脂の好ましい重量平均分子量
は2000〜20000 であり、より好ましくは5000〜15000 で
ある。本発明のポジ型レジスト組成物において、好まし
いキノンジアジドスルホン酸エステル量は上記レジスト
組成物の全固形分中、１５〜５０重量％である。又、好
ましいアルカリ可溶性樹脂量は上記全固型分中、５０〜
８５重量％である。レジスト液の調製は、キノンジアジ
ドスルホン酸エステル及びアルカリ可溶性樹脂を溶剤と
混合することにより行われる。溶剤としては、適当な乾
燥速度を有し、蒸発後、均一且つ平滑な塗膜を与えるも
のがよい。溶剤の具体例としては、エチルセロソルブア
セテート、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソ
ルブ、メチルセロソルブ、プロピレングリコールモノメ
チルエーテルアセテート、酢酸ブチル、メチルイソブチ
ルケトン、２−ヘプタノン、３−オクタノンもしくはキ
シレン等が挙げられる。溶剤量はその種類等により若干
異なるが、例えばエチルセロソルブアセテートを溶剤と
して用いた場合には、レジスト液中、５０〜８０重量％
である。以上の方法で得られたレジスト液には、必要に
応じて添加物として少量の樹脂や染料等を添加してもよ
い。さらに、レジスト液には、例えば分子量９００未満
のアルカリ可溶性化合物を添加してもよい。分子量９０
０未満のアルカリ可溶性化合物としては、フェノール性
水酸基を少なくとも２個以上有する化合物が好ましい。
より好ましいアルカリ可溶性化合物としては特開平2-27
5955号公報に一般式（Ｉ）で記載されている化合物、特
開平4-50851 号公報に一般式（Ｉ）で記載されている化
合物又は特開平3-179353号公報に一般式（Ｉ）で記載さ
れている化合物等が挙げられる。分子量９００未満のア
ルカリ可溶性化合物の好ましい使用量はポジ型レジスト
組成物の全固形分中、３〜４０重量％である。
【００１３】
【実施例】次に実施例をあげて、本発明をさらに具体的
に説明するが、本発明はこれらの実施例によって何ら限
定されるものではない。 合成例１ レゾルシン１２１ｇ、水２４２ｇ及び３６％塩酸５６ｇ
の混合物中に、室温でシクロペンタノン４２ｇを６０分
かけて滴下した。滴下終了後、同温度で６時間反応させ
た。反応混合物を水６００ｇに注ぎ、析出した結晶を濾
別し、これを５０℃で水１００ｇと混合した。得られた
油状物をｎ−ヘキサン中で結晶化させた。得られた結晶
を酢酸エチル／トルエンから再結晶後、乾燥して下式
（II）で示される化合物を得た。
に説明するが、本発明はこれらの実施例によって何ら限
定されるものではない。 合成例１ レゾルシン１２１ｇ、水２４２ｇ及び３６％塩酸５６ｇ
の混合物中に、室温でシクロペンタノン４２ｇを６０分
かけて滴下した。滴下終了後、同温度で６時間反応させ
た。反応混合物を水６００ｇに注ぎ、析出した結晶を濾
別し、これを５０℃で水１００ｇと混合した。得られた
油状物をｎ−ヘキサン中で結晶化させた。得られた結晶
を酢酸エチル／トルエンから再結晶後、乾燥して下式
（II）で示される化合物を得た。
【００１４】
【化５】
【００１５】ＦＤＭＳ ３５２ 融 点 ２０１〜２０２℃1 Ｈ−ＮＭＲスペクトルを図１に示す。
【００１６】参考例１ 合成例１で得られた化合物（II）5.56ｇ、ナフトキノン
−（１，２）−ジアジド−（２）−５−スルホン酸クロ
リド 10.19ｇ及びジオキサン８４ｇの混合物中に、２０
〜２５℃で、トリエチルアミン５ｇを３０分間で滴下し
た。滴下終了後、同温度で４時間反応〔化合物（ＩＩ）
と上記スルホン酸クロリドとの反応モル比は１：2.４〕
させた。反応混合物をイオン交換水中に注加後、生じた
結晶を濾過し、次いで乾燥させて感放射線性成分Ａを得
た。 参考例２及び３ 式（II）で示される化合物の代わりに２，３，４，４’
−テトラヒドロキシベンゾフェノン及び下式(III）で示
される化合物を用いる以外は参考例１と同様（但し、反
応モル比は各々１：3.８及び１：2.４）にして感放射線
性成分を得た。得られた感放射線性成分をそれぞれＢ及
びＣとする。
−（１，２）−ジアジド−（２）−５−スルホン酸クロ
リド 10.19ｇ及びジオキサン８４ｇの混合物中に、２０
〜２５℃で、トリエチルアミン５ｇを３０分間で滴下し
た。滴下終了後、同温度で４時間反応〔化合物（ＩＩ）
と上記スルホン酸クロリドとの反応モル比は１：2.４〕
させた。反応混合物をイオン交換水中に注加後、生じた
結晶を濾過し、次いで乾燥させて感放射線性成分Ａを得
た。 参考例２及び３ 式（II）で示される化合物の代わりに２，３，４，４’
−テトラヒドロキシベンゾフェノン及び下式(III）で示
される化合物を用いる以外は参考例１と同様（但し、反
応モル比は各々１：3.８及び１：2.４）にして感放射線
性成分を得た。得られた感放射線性成分をそれぞれＢ及
びＣとする。
【００１７】
【化６】
【００１８】実施例および比較例 参考例１〜３で得られた各感放射線性成分を、ノボラッ
ク樹脂及び添化剤とともに、下表に示す組成で、エチル
セロソルブアセテート４８重量部に溶かした。これを0.
２μｍのテフロン製フィルターで濾過することにより、
レジスト液を調製した。これを常法により洗浄したシリ
コンウエハーに回転塗布機を用いて1.３μｍ厚に塗布し
た。ついで、このシリコンウエハーを１００℃のホット
プレートで６０秒間ベークした。ついで、このウエハー
に４３６ｎｍ（ｇ線）の露光波長を有する縮小投影露光
機〔ニコン社製、ＮＳＲ1505Ｇ３Ｃ（ＮＡ＝0.42）〕を
用いてラインアンドスペースパターンの露光量を段階的
に変化させて露光した。次いで、ウエハーを１１０℃の
ホットプレートで１分ベークした。これを住友化学工業
（株）製現像液ＳＯＰＤで１分間現像することにより、
ポジ型パターンを得た。実効感度は0.８μｍのラインア
ンドスペースパターンが１対１になる露光量を走査型電
子顕微鏡（ＳＥＭ）で測定した。解像度は、実効感度に
おいて膜減りなく分離する最小のラインアンドスペース
パターンの線幅で表わした。プロファイルは、実効感度
における0.８μｍラインアンドスペースパターンの断面
形状で表わした。スカムの有無については、実効感度に
おけるラインアンドスペースパターンの線間を観察し
た。
ク樹脂及び添化剤とともに、下表に示す組成で、エチル
セロソルブアセテート４８重量部に溶かした。これを0.
２μｍのテフロン製フィルターで濾過することにより、
レジスト液を調製した。これを常法により洗浄したシリ
コンウエハーに回転塗布機を用いて1.３μｍ厚に塗布し
た。ついで、このシリコンウエハーを１００℃のホット
プレートで６０秒間ベークした。ついで、このウエハー
に４３６ｎｍ（ｇ線）の露光波長を有する縮小投影露光
機〔ニコン社製、ＮＳＲ1505Ｇ３Ｃ（ＮＡ＝0.42）〕を
用いてラインアンドスペースパターンの露光量を段階的
に変化させて露光した。次いで、ウエハーを１１０℃の
ホットプレートで１分ベークした。これを住友化学工業
（株）製現像液ＳＯＰＤで１分間現像することにより、
ポジ型パターンを得た。実効感度は0.８μｍのラインア
ンドスペースパターンが１対１になる露光量を走査型電
子顕微鏡（ＳＥＭ）で測定した。解像度は、実効感度に
おいて膜減りなく分離する最小のラインアンドスペース
パターンの線幅で表わした。プロファイルは、実効感度
における0.８μｍラインアンドスペースパターンの断面
形状で表わした。スカムの有無については、実効感度に
おけるラインアンドスペースパターンの線間を観察し
た。
【００１９】
【表１】
【００２０】 ノボラック樹脂 メタクレゾール／パラクレゾール＝７／３，クレゾール
／ホルマリン＝１／0.８のモル比で、シュウ酸触媒を用
い還流下に反応させることにより得られた重量平均分子
量8000（ポリスチレン換算）のノボラック樹脂。但し、
GPC パターンにおける分子量6000以下及び分子量1000以
下の面積比が、未反応フェノール類のパターン面積を除
いた全パターン面積に対して、各々34％及び15％である
（uv 254nmで検出）。 添加剤
／ホルマリン＝１／0.８のモル比で、シュウ酸触媒を用
い還流下に反応させることにより得られた重量平均分子
量8000（ポリスチレン換算）のノボラック樹脂。但し、
GPC パターンにおける分子量6000以下及び分子量1000以
下の面積比が、未反応フェノール類のパターン面積を除
いた全パターン面積に対して、各々34％及び15％である
（uv 254nmで検出）。 添加剤
【００２１】
【化７】
【００２２】
【発明の効果】本発明のポジ型レジスト組成物は、感
度、解像度、プロファイル等の諸性能のバランスに優
れ、且つスカムがない。
度、解像度、プロファイル等の諸性能のバランスに優
れ、且つスカムがない。
【図１】合成例１で得られた式（ＩＩ）で示される化合
物の 1Ｈ−ＮＭＲスペクトルである。
物の 1Ｈ−ＮＭＲスペクトルである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 桑名 耕治 大阪府大阪市此花区春日出中３丁目１番98 号 住友化学工業株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】アルカリ可溶性樹脂、及び下記一般式
（Ｉ） 【化１】 〔式中、Ｙ1 、Ｙ2 、Ｚ1 、Ｚ2 、Ｚ3 、Ｚ4 、Ｚ5 、
Ｚ6 及びＺ7 はそれぞれハロゲン原子で置換されていて
もよいＣ1 〜Ｃ4 のアルキル基、水素原子又は−ＯＨ基
を表し、Ｙ1 、Ｙ2 のうち少なくとも１つは−ＯＨ基で
あり、Ｚ1 、Ｚ2、Ｚ3 、Ｚ4 、Ｚ5 、Ｚ6 、Ｚ7 のう
ち少なくとも２つは−ＯＨ基である。Ｒ1、Ｒ2 、
Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 およびＲ6 はそれぞれ水素原子、Ｃ1
〜Ｃ10のアルキル基、Ｃ2 〜Ｃ4 のアルケニル基、シク
ロアルキル基又はアリール基を表す。）で示されるフェ
ノール化合物のキノンジアジドスルホン酸エステルの１
種又は２種以上を含有することを特徴とするポジ型レジ
スト組成物。 - 【請求項２】Ｚ1 、Ｚ2 、Ｚ3 、Ｚ4 、Ｚ5 、Ｚ6 及び
Ｚ7 のうち２つが−ＯＨ基である請求項１のポジ型レジ
スト組成物。 - 【請求項３】Ｚ1 、Ｚ2 、Ｚ3 およびＺ4 のうち少なく
とも１つが−ＯＨ基であり、且つＺ 5 、Ｚ6 およびＺ7
のうち少なくとも１つが−ＯＨ基である請求項１のポジ
型レジスト組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2277293A JPH06236030A (ja) | 1993-02-10 | 1993-02-10 | ポジ型レジスト組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2277293A JPH06236030A (ja) | 1993-02-10 | 1993-02-10 | ポジ型レジスト組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06236030A true JPH06236030A (ja) | 1994-08-23 |
Family
ID=12091964
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2277293A Pending JPH06236030A (ja) | 1993-02-10 | 1993-02-10 | ポジ型レジスト組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06236030A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11643355B2 (en) | 2016-01-12 | 2023-05-09 | Corning Incorporated | Thin thermally and chemically strengthened glass-based articles |
| US11697617B2 (en) | 2019-08-06 | 2023-07-11 | Corning Incorporated | Glass laminate with buried stress spikes to arrest cracks and methods of making the same |
| US11891324B2 (en) | 2014-07-31 | 2024-02-06 | Corning Incorporated | Thermally strengthened consumer electronic glass and related systems and methods |
-
1993
- 1993-02-10 JP JP2277293A patent/JPH06236030A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11891324B2 (en) | 2014-07-31 | 2024-02-06 | Corning Incorporated | Thermally strengthened consumer electronic glass and related systems and methods |
| US11643355B2 (en) | 2016-01-12 | 2023-05-09 | Corning Incorporated | Thin thermally and chemically strengthened glass-based articles |
| US11697617B2 (en) | 2019-08-06 | 2023-07-11 | Corning Incorporated | Glass laminate with buried stress spikes to arrest cracks and methods of making the same |
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