JPH06167805A - ポジ型レジスト組成物 - Google Patents
ポジ型レジスト組成物Info
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- JPH06167805A JPH06167805A JP4346400A JP34640092A JPH06167805A JP H06167805 A JPH06167805 A JP H06167805A JP 4346400 A JP4346400 A JP 4346400A JP 34640092 A JP34640092 A JP 34640092A JP H06167805 A JPH06167805 A JP H06167805A
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- JP
- Japan
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- formula
- quinonediazide
- resist composition
- hydrogen
- positive resist
- Prior art date
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 解像度、プロファイル及び焦点深度等の諸性
能のバランスに優れたポジ型レジスト組成物を提供す
る。 【構成】 一般式 【化１】 〔式中、Ｒ1 は水素もしくはハロゲン等を表わし、Ｒ3
はアルキル又はフェニルを表わす。x は１〜３である。
Ｑ1 〜Ｑ12は水素、アルキルもしくはフェニルである。
Ｚ1 〜Ｚ5 は 【化２】 （式中、Ｒ2 は水素もしくはハロゲン等を表わし、Ｒ3
は前記と同じ意味を有する。y は１〜３であり、ｐは０
〜１である）を表わす。〕で示されるフェノール化合物
の中の少なくとも１種のキノンジアジドスルホン酸エス
テルを含むキノンジアジド系感光剤及びアルカリ可溶性
樹脂を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成
物。
能のバランスに優れたポジ型レジスト組成物を提供す
る。 【構成】 一般式 【化１】 〔式中、Ｒ1 は水素もしくはハロゲン等を表わし、Ｒ3
はアルキル又はフェニルを表わす。x は１〜３である。
Ｑ1 〜Ｑ12は水素、アルキルもしくはフェニルである。
Ｚ1 〜Ｚ5 は 【化２】 （式中、Ｒ2 は水素もしくはハロゲン等を表わし、Ｒ3
は前記と同じ意味を有する。y は１〜３であり、ｐは０
〜１である）を表わす。〕で示されるフェノール化合物
の中の少なくとも１種のキノンジアジドスルホン酸エス
テルを含むキノンジアジド系感光剤及びアルカリ可溶性
樹脂を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成
物。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は紫外線、エキシマーレー
ザー等を含む遠紫外線、電子線、イオンビーム又はＸ線
等の放射線に感応するポジ型レジスト組成物に関する。
ザー等を含む遠紫外線、電子線、イオンビーム又はＸ線
等の放射線に感応するポジ型レジスト組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、集積回路については高集積化に伴
う微細化が進み、サブミクロンのパターン形成が要求さ
れている。この結果、ポジ型レジスト用に、より優れた
プロファイル、焦点深度及び解像度等を有するポジ型レ
ジスト組成物が求められている。特に、16〜64ＭDRAMの
作製においては0.5 μｍ以下の線幅のパターンを、プロ
ファイル良く且つ広い焦点深度で解像することが必要で
ある。
う微細化が進み、サブミクロンのパターン形成が要求さ
れている。この結果、ポジ型レジスト用に、より優れた
プロファイル、焦点深度及び解像度等を有するポジ型レ
ジスト組成物が求められている。特に、16〜64ＭDRAMの
作製においては0.5 μｍ以下の線幅のパターンを、プロ
ファイル良く且つ広い焦点深度で解像することが必要で
ある。
【０００３】ＳＰＩＥvol.1086 Ａdvances in Ｒesis
t Ｔechnology and ＰrocessingVI(1989)／363-373
頁には、クレゾール／ホルムアルデヒド ノボラック樹
脂、並びに、２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノ
ン、２，６−ビス〔（２−ヒドロキシ−３，５−ジメチ
ルフェニル）メチル〕−４−メチルフェノール又は２，
６−ビス〔（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニ
ル）メチル〕−４−メチルフェノールとナフトキノン−
２−ジアジド−５−スルホン酸との、各々のトリエステ
ルを含有するポジ型レジスト組成物が記載されている。
特開平２−285351号公報には、下式
t Ｔechnology and ＰrocessingVI(1989)／363-373
頁には、クレゾール／ホルムアルデヒド ノボラック樹
脂、並びに、２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノ
ン、２，６−ビス〔（２−ヒドロキシ−３，５−ジメチ
ルフェニル）メチル〕−４−メチルフェノール又は２，
６−ビス〔（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニ
ル）メチル〕−４−メチルフェノールとナフトキノン−
２−ジアジド−５−スルホン酸との、各々のトリエステ
ルを含有するポジ型レジスト組成物が記載されている。
特開平２−285351号公報には、下式
【０００４】
【化３】
【０００５】〔式中、Ｒ1 及びＲ2 は水素、炭素数１〜
４の直鎖もしくは分岐したアルキル基又はアルコキシ基
であり（但し、Ｒ1 及びＲ2 が同時に水素になることは
ない）、Ｘは２価の有機基である。〕で示される基を１
分子中に少なくとも１個有するポリヒドロキシ化合物と
１，２−ナフトキノン−５−（及び／又は−４−）スル
ホニルクロリドを反応させて得られる感光物、及びアル
カリ可溶性ノボラック樹脂を含有することを特徴とする
ポジ型フォトレジスト組成物が記載されている。又、特
開平２−296249号公報には、下式
４の直鎖もしくは分岐したアルキル基又はアルコキシ基
であり（但し、Ｒ1 及びＲ2 が同時に水素になることは
ない）、Ｘは２価の有機基である。〕で示される基を１
分子中に少なくとも１個有するポリヒドロキシ化合物と
１，２−ナフトキノン−５−（及び／又は−４−）スル
ホニルクロリドを反応させて得られる感光物、及びアル
カリ可溶性ノボラック樹脂を含有することを特徴とする
ポジ型フォトレジスト組成物が記載されている。又、特
開平２−296249号公報には、下式
【０００６】
【化４】
【０００７】〔式中、Ｒ1 〜Ｒ5 は水素、ハロゲン、炭
素数１〜４のアルキル基、アルケニル基、アルコキシ基
又は水酸基である（但し少なくとも１つは下式の基であ
る）。
素数１〜４のアルキル基、アルケニル基、アルコキシ基
又は水酸基である（但し少なくとも１つは下式の基であ
る）。
【０００８】
【化５】
【０００９】（Ｒ6 及びＲ7 はハロゲン、アルキル基又
はアルケニル基であり、ｎは０、１又は２である。）〕
で示される化合物のキノンジアジドスルホン酸エステル
を含む感光剤、並びにアルカリ可溶性フェノール樹脂を
含有するポジ型レジスト組成物が記載されている。さら
に、特開昭62−10646 号公報には、下式
はアルケニル基であり、ｎは０、１又は２である。）〕
で示される化合物のキノンジアジドスルホン酸エステル
を含む感光剤、並びにアルカリ可溶性フェノール樹脂を
含有するポジ型レジスト組成物が記載されている。さら
に、特開昭62−10646 号公報には、下式
【００１０】
【化６】
【００１１】〔式中、Ｒ1 〜Ｒ3 は各々水素又は低級ア
ルキル基である。〕で示されるフェノール化合物とｏ−
キノンジアジドスルホニルクロリドとの縮合物を含む感
光剤及びアルカリ可溶性フェノール樹脂を含有するポジ
型フォトレジスト組成物が記載されている。又、特開平
２−296248号公報には、アルカリ可溶性フェノール樹脂
と、感光剤として下式
ルキル基である。〕で示されるフェノール化合物とｏ−
キノンジアジドスルホニルクロリドとの縮合物を含む感
光剤及びアルカリ可溶性フェノール樹脂を含有するポジ
型フォトレジスト組成物が記載されている。又、特開平
２−296248号公報には、アルカリ可溶性フェノール樹脂
と、感光剤として下式
【００１２】
【化７】
【００１３】〔式中、Ｒ1 〜Ｒ5 は水素、ハロゲン、Ｃ
1 〜Ｃ4 のアルキル、アルケニルもしくはアルコキシ基
又は水酸基であり、但し、少なくとも一つは
1 〜Ｃ4 のアルキル、アルケニルもしくはアルコキシ基
又は水酸基であり、但し、少なくとも一つは
【００１４】
【化８】
【００１５】である。Ａは−Ｓ−、−Ｏ−、−Ｃ（Ｏ）
−、−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−、−Ｓ（Ｏ）−、−（Ｏ）Ｓ
（Ｏ）−又は−Ｃ（Ｒ7 ）（Ｒ8 ）−を、Ｒ6 はハロゲ
ン、アルキル基又はアルケニル基を、Ｒ7 及びＲ8 は水
素、アルキル基、アルケニル基又はフェニル基を、ｎは
０、１又は２を、各々表わす。〕
−、−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−、−Ｓ（Ｏ）−、−（Ｏ）Ｓ
（Ｏ）−又は−Ｃ（Ｒ7 ）（Ｒ8 ）−を、Ｒ6 はハロゲ
ン、アルキル基又はアルケニル基を、Ｒ7 及びＲ8 は水
素、アルキル基、アルケニル基又はフェニル基を、ｎは
０、１又は２を、各々表わす。〕
【００１６】で示される化合物のキノンジアジドスルホ
ン酸エステルを含有するポジ型レジスト組成物が記載さ
れている。しかしながら、これらの組成物では、広い焦
点深度で0.5 μｍ以下の線幅のパターンをプロファイル
良く解像することができなかった。
ン酸エステルを含有するポジ型レジスト組成物が記載さ
れている。しかしながら、これらの組成物では、広い焦
点深度で0.5 μｍ以下の線幅のパターンをプロファイル
良く解像することができなかった。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は解像度、プロ
ファイル及び焦点深度等の諸性能のバランスに優れたポ
ジ型レジスト組成物を提供する。
ファイル及び焦点深度等の諸性能のバランスに優れたポ
ジ型レジスト組成物を提供する。
【００１８】
【課題を解決するための手段】本発明は、一般式
【００１９】
【化９】
【００２０】〔式中、Ｒ1 は水素もしくはハロゲン原
子、−ＯＣＯＲ3 或いは置換されていてもよいアルキル
もしくはアルコキシ基を表わし、Ｒ3 は置換されていて
もよいアルキルもしくはフェニル基を表わす。x は１〜
３の整数を表わす。Ｑ1 〜Ｑ12は各々独立して水素原
子、アルキルもしくはフェニル基を表わす。Ｚ1 〜Ｚ5
は各々独立して
子、−ＯＣＯＲ3 或いは置換されていてもよいアルキル
もしくはアルコキシ基を表わし、Ｒ3 は置換されていて
もよいアルキルもしくはフェニル基を表わす。x は１〜
３の整数を表わす。Ｑ1 〜Ｑ12は各々独立して水素原
子、アルキルもしくはフェニル基を表わす。Ｚ1 〜Ｚ5
は各々独立して
【００２１】
【化１０】
【００２２】（式中、Ｒ2 は水素もしくはハロゲン原
子、−ＯＣＯＲ3 或いは置換されていてもよいアルキル
もしくはアルコキシ基を表わし、Ｒ3 は前記と同じ意味
を有する。y は１〜３の整数を、ｐは０又は１を、各々
表わす。）を表わす。〕で示されるフェノール化合物の
中の少なくとも１種のキノンジアジドスルホン酸エステ
ルを含むキノンジアジド系感光剤及びアルカリ可溶性樹
脂を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物で
ある。
子、−ＯＣＯＲ3 或いは置換されていてもよいアルキル
もしくはアルコキシ基を表わし、Ｒ3 は前記と同じ意味
を有する。y は１〜３の整数を、ｐは０又は１を、各々
表わす。）を表わす。〕で示されるフェノール化合物の
中の少なくとも１種のキノンジアジドスルホン酸エステ
ルを含むキノンジアジド系感光剤及びアルカリ可溶性樹
脂を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物で
ある。
【００２３】Ｒ1 〜Ｒ3 で表わされる置換されていても
よいアルキル基及びＲ1 〜Ｒ2 で表わされる置換されて
いてもよいアルコキシ基として好ましくは直鎖もしくは
分岐状の炭素数１〜４のものが挙げられる。Ｑ1 〜Ｑ12
で表わされるアルキル基として好ましくは直鎖もしくは
分岐状の炭素数１〜４のものが挙げられる。好ましいＲ
1 〜Ｒ3 としてはメチル、エチルもしくはｔ−ブチル基
等が挙げられる。好ましいＱ1 〜Ｑ12としては水素原子
もしくはメチル基等が挙げられる。一般式（Ｉａ）〜
（Ｉｄ）で示されるフェノール化合物として好ましく
は、例えば
よいアルキル基及びＲ1 〜Ｒ2 で表わされる置換されて
いてもよいアルコキシ基として好ましくは直鎖もしくは
分岐状の炭素数１〜４のものが挙げられる。Ｑ1 〜Ｑ12
で表わされるアルキル基として好ましくは直鎖もしくは
分岐状の炭素数１〜４のものが挙げられる。好ましいＲ
1 〜Ｒ3 としてはメチル、エチルもしくはｔ−ブチル基
等が挙げられる。好ましいＱ1 〜Ｑ12としては水素原子
もしくはメチル基等が挙げられる。一般式（Ｉａ）〜
（Ｉｄ）で示されるフェノール化合物として好ましく
は、例えば
【００２４】
【化１１】
【００２５】
【化１２】
【００２６】
【化１３】
【００２７】
【化１４】
【００２８】
【化１５】
【００２９】
【化１６】
【００３０】等が挙げられる。一般式（Ｉａ）〜（Ｉ
ｄ）で示されるフェノール化合物は例えば下式
ｄ）で示されるフェノール化合物は例えば下式
【００３１】
【化１７】
【００３２】（式中、Ｑ1 〜Ｑ2 、Ｒ1 及びx は前記と
同じ意味である。）で示される化合物並びに、Ｈ−Ｚ1
−Ｃ（Ｑ3 ）（Ｑ4 ）−Ｚ2 −Ｈ、Ｈ−Ｚ1 −Ｃ（Ｑ
3 ）（Ｑ4 ）−Ｚ2 −Ｃ（Ｑ5 ）（Ｑ6 ）−Ｚ3 −Ｈ、
Ｈ−Ｚ1 −Ｃ（Ｑ3 ）（Ｑ4 ）−Ｚ2 −Ｃ（Ｑ5 ）（Ｑ
6 ）−Ｚ3 −Ｃ（Ｑ7 ）（Ｑ8 ）−Ｚ4 −Ｈ又はＨ−Ｚ
1 −Ｃ（Ｑ3 ）（Ｑ4 ）−Ｚ2 −Ｃ（Ｑ5 ）（Ｑ6 ）−
Ｚ3 −Ｃ（Ｑ7 ）（Ｑ8 ）−Ｚ4 −Ｃ（Ｑ9 ）（Ｑ10）
−Ｚ5 −Ｈ 〔各式中、Ｚ1 〜Ｚ5 及びＱ3 〜Ｑ10は前記と同じ意味
を有する。〕で示される化合物の各々を、ｐ−トルエン
スルホン酸又は硫酸等の酸触媒の存在下で反応させるこ
とにより製造することができる。
同じ意味である。）で示される化合物並びに、Ｈ−Ｚ1
−Ｃ（Ｑ3 ）（Ｑ4 ）−Ｚ2 −Ｈ、Ｈ−Ｚ1 −Ｃ（Ｑ
3 ）（Ｑ4 ）−Ｚ2 −Ｃ（Ｑ5 ）（Ｑ6 ）−Ｚ3 −Ｈ、
Ｈ−Ｚ1 −Ｃ（Ｑ3 ）（Ｑ4 ）−Ｚ2 −Ｃ（Ｑ5 ）（Ｑ
6 ）−Ｚ3 −Ｃ（Ｑ7 ）（Ｑ8 ）−Ｚ4 −Ｈ又はＨ−Ｚ
1 −Ｃ（Ｑ3 ）（Ｑ4 ）−Ｚ2 −Ｃ（Ｑ5 ）（Ｑ6 ）−
Ｚ3 −Ｃ（Ｑ7 ）（Ｑ8 ）−Ｚ4 −Ｃ（Ｑ9 ）（Ｑ10）
−Ｚ5 −Ｈ 〔各式中、Ｚ1 〜Ｚ5 及びＱ3 〜Ｑ10は前記と同じ意味
を有する。〕で示される化合物の各々を、ｐ−トルエン
スルホン酸又は硫酸等の酸触媒の存在下で反応させるこ
とにより製造することができる。
【００３３】一般式（Ｉａ）〜（Ｉｄ）で示されるフェ
ノール化合物のキノンジアジドスルホン酸ジエステル量
の全キノンジアジド系感光剤量に対する比は、高速液体
クロマトグラフィーにより測定したパターン面積比（25
4 ｎｍの紫外線で検出）が大きい程好ましく（より好ま
しくは、該パターン面積比が0.5 ／１以上である）、解
像度、プロファイル及びγ値等の優れたポジ型レジスト
が得られる。例えば、全キノンジアジド系感光剤中、一
般式（Ｉａ）〜（Ｉｄ）で示されるフェノール化合物の
キノンジアジドスルホン酸トリエステル〜ヘプタエステ
ル量が増加すると、感度が低下し、且つ現像残さ（スカ
ム）が増加するので好ましくない。又、一般式（Ｉａ）
〜（Ｉｄ）で示されるフェノール化合物のキノンジアジ
ドスルホン酸モノエステル量が増加すると、残膜率及び
解像度の観点から好ましくない。キノンジアジド系感光
剤としては一般式（Ｉａ）〜（Ｉｄ）で示されるフェノ
ール化合物のキノンジアジドスルホン酸エステルが好ま
しく、該エステルを用いる場合には、一般式（Ｉａ）〜
（Ｉｄ）中、左右両端のベンゼン環に位置する水酸基が
共にエステル化されているキノンジアジドスルホン酸ジ
エステル量が相対的に多い方が好ましい。一般式（Ｉ
ａ）〜（Ｉｄ）で示されるフェノール化合物のキノンジ
アジドスルホン酸エステルは公知の方法、例えば一般式
（Ｉａ）〜（Ｉｄ）で示されるフェノール化合物と、
１，２−ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドもし
くは１，２−ベンゾキノンジアジドスルホン酸ハライド
とを、弱アルカリの存在下に反応させることにより製造
することができる。この際、例えば、上記フェノール化
合物及び上記ハライドのモル比等の反応条件を適宜選択
することにより、一般式（Ｉａ）〜（Ｉｄ）で示される
フェノール化合物のキノンジアジドスルホン酸ジエステ
ルを高い選択率で得ることができる。
ノール化合物のキノンジアジドスルホン酸ジエステル量
の全キノンジアジド系感光剤量に対する比は、高速液体
クロマトグラフィーにより測定したパターン面積比（25
4 ｎｍの紫外線で検出）が大きい程好ましく（より好ま
しくは、該パターン面積比が0.5 ／１以上である）、解
像度、プロファイル及びγ値等の優れたポジ型レジスト
が得られる。例えば、全キノンジアジド系感光剤中、一
般式（Ｉａ）〜（Ｉｄ）で示されるフェノール化合物の
キノンジアジドスルホン酸トリエステル〜ヘプタエステ
ル量が増加すると、感度が低下し、且つ現像残さ（スカ
ム）が増加するので好ましくない。又、一般式（Ｉａ）
〜（Ｉｄ）で示されるフェノール化合物のキノンジアジ
ドスルホン酸モノエステル量が増加すると、残膜率及び
解像度の観点から好ましくない。キノンジアジド系感光
剤としては一般式（Ｉａ）〜（Ｉｄ）で示されるフェノ
ール化合物のキノンジアジドスルホン酸エステルが好ま
しく、該エステルを用いる場合には、一般式（Ｉａ）〜
（Ｉｄ）中、左右両端のベンゼン環に位置する水酸基が
共にエステル化されているキノンジアジドスルホン酸ジ
エステル量が相対的に多い方が好ましい。一般式（Ｉ
ａ）〜（Ｉｄ）で示されるフェノール化合物のキノンジ
アジドスルホン酸エステルは公知の方法、例えば一般式
（Ｉａ）〜（Ｉｄ）で示されるフェノール化合物と、
１，２−ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドもし
くは１，２−ベンゾキノンジアジドスルホン酸ハライド
とを、弱アルカリの存在下に反応させることにより製造
することができる。この際、例えば、上記フェノール化
合物及び上記ハライドのモル比等の反応条件を適宜選択
することにより、一般式（Ｉａ）〜（Ｉｄ）で示される
フェノール化合物のキノンジアジドスルホン酸ジエステ
ルを高い選択率で得ることができる。
【００３４】キノンジアジド系感光剤の使用量はポジ型
レジスト組成物の全固形分中、通常５〜50重量％、好ま
しくは10〜40重量％である。
レジスト組成物の全固形分中、通常５〜50重量％、好ま
しくは10〜40重量％である。
【００３５】アルカリ可溶性樹脂はフェノール類とアル
デヒド類とを付加縮合させて得られる。フェノール類と
しては、例えばフェノール、ｏ−、ｍ−もしくはｐ−ク
レゾール、２，５−キシレノール、３，５−キシレノー
ル、３，４−キシレノール、２，３，５−トリメチルフ
ェノール、４−ｔ−ブチルフェノール、２−ｔ−ブチル
フェノール、３−ｔ−ブチルフェノール、３−エチルフ
ェノール、２−エチルフェノール、４−エチルフェノー
ル、３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール、４−メチ
ル−２−ｔ−ブチルフェノール、２−ナフトール、１，
３−ジヒドロキシナフタレン、１，７−ジヒドロキシナ
フタレン、１，５−ジヒドロキシナフタレン、或いは一
般式（ＩＩＩ）
デヒド類とを付加縮合させて得られる。フェノール類と
しては、例えばフェノール、ｏ−、ｍ−もしくはｐ−ク
レゾール、２，５−キシレノール、３，５−キシレノー
ル、３，４−キシレノール、２，３，５−トリメチルフ
ェノール、４−ｔ−ブチルフェノール、２−ｔ−ブチル
フェノール、３−ｔ−ブチルフェノール、３−エチルフ
ェノール、２−エチルフェノール、４−エチルフェノー
ル、３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール、４−メチ
ル−２−ｔ−ブチルフェノール、２−ナフトール、１，
３−ジヒドロキシナフタレン、１，７−ジヒドロキシナ
フタレン、１，５−ジヒドロキシナフタレン、或いは一
般式（ＩＩＩ）
【００３６】
【化１８】
【００３７】（式中、Ｒ4 〜Ｒ6 は各々独立して水素原
子又は炭素数１〜４のアルキルもしくはアルコキシ基を
表わし、k は１又は２を表わす。）で示されるフェノー
ルの１種若しくは２種以上及び一般式（ＩＶ）
子又は炭素数１〜４のアルキルもしくはアルコキシ基を
表わし、k は１又は２を表わす。）で示されるフェノー
ルの１種若しくは２種以上及び一般式（ＩＶ）
【００３８】
【化１９】
【００３９】（式中、Ｒ7 〜Ｒ12は各々独立して水素原
子又は炭素数１〜４のアルキルもしくはアルコキシ基を
表わし、Ｒ13は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基又
はアリール基を表わす。a 〜c は各々０、１又は２を表
わし、a ＋b ＋c ＞２である。）で示される化合物の１
種若しくは２種以上の混合物等が挙げられる。これらの
フェノール類は単独で、或いは２種以上混合して用いら
れる。
子又は炭素数１〜４のアルキルもしくはアルコキシ基を
表わし、Ｒ13は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基又
はアリール基を表わす。a 〜c は各々０、１又は２を表
わし、a ＋b ＋c ＞２である。）で示される化合物の１
種若しくは２種以上の混合物等が挙げられる。これらの
フェノール類は単独で、或いは２種以上混合して用いら
れる。
【００４０】アルデヒド類としては、例えばホルムアル
デヒド、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プ
ロピルアルデヒド、ベンズアルデヒド、フェニルアルデ
ヒド、α−もしくはβ−フェニルプロピルアルデヒド、
ｏ−、ｍ−もしくはｐ−ヒドロキシベンズアルデヒド、
グルタルアルデヒド、グリオキサール又はｏ−もしくは
ｐ−メチルベンズアルデヒド等が挙げられる。フェノー
ル類とアルデヒド類との付加縮合は触媒の存在下に常法
により行われ、反応条件は通常60〜250 ℃・２〜30時間
である。触媒としては、例えば有機酸（蓚酸、蟻酸、ト
リクロロ酢酸もしくはｐ−トルエンスルホン酸等）、無
機酸（塩酸、硫酸、過塩素酸もしくは燐酸等）又は二価
金属塩（酢酸亜鉛もしくは酢酸マグネシウム等）等が挙
げられる。付加縮合はバルクで、或いは適当な溶媒中で
行われる。付加縮合で得たアルカリ可溶性樹脂の好まし
いポリスチレン換算重量平均分子量は2000〜50000 であ
る。
デヒド、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プ
ロピルアルデヒド、ベンズアルデヒド、フェニルアルデ
ヒド、α−もしくはβ−フェニルプロピルアルデヒド、
ｏ−、ｍ−もしくはｐ−ヒドロキシベンズアルデヒド、
グルタルアルデヒド、グリオキサール又はｏ−もしくは
ｐ−メチルベンズアルデヒド等が挙げられる。フェノー
ル類とアルデヒド類との付加縮合は触媒の存在下に常法
により行われ、反応条件は通常60〜250 ℃・２〜30時間
である。触媒としては、例えば有機酸（蓚酸、蟻酸、ト
リクロロ酢酸もしくはｐ−トルエンスルホン酸等）、無
機酸（塩酸、硫酸、過塩素酸もしくは燐酸等）又は二価
金属塩（酢酸亜鉛もしくは酢酸マグネシウム等）等が挙
げられる。付加縮合はバルクで、或いは適当な溶媒中で
行われる。付加縮合で得たアルカリ可溶性樹脂の好まし
いポリスチレン換算重量平均分子量は2000〜50000 であ
る。
【００４１】付加縮合で得たアルカリ可溶性樹脂は解像
度、耐熱性及びスカムの観点から、例えば分別等の操作
を加えて、ポリスチレン換算分子量1000以下の成分のＧ
ＰＣによるパターン面積（UV-254nm、以下同じ）が未反
応フェノール類のパターン面積を除く全パターン面積に
対して、各々、好ましくは25％以下に、より好ましくは
20％以下に、特に好ましくは15％以下にされる。分別は
付加縮合で得たアルカリ可溶性樹脂を良溶媒、例えばア
ルコール（メタノールもしくはエタノール等）、ケトン
（アセトン、メチルエチルケトンもしくはメチルイソブ
チルケトン等）、エチレングリコール及びそのエーテル
類、エーテルエステル類（エチルセロソルブアセテート
等）又はテトラヒドロフラン等に溶解し、次いで、得ら
れた溶液を水中に注いで沈澱させる方法、或いはペンタ
ン、ヘキサン、ヘプタンもしくはシクロヘキサン等の溶
媒に注いで分液させる方法等により行われる。分別後の
アルカリ可溶性樹脂の重量平均分子量は3000〜20000 が
好ましい。アルカリ可溶性樹脂の好ましい添加量はポジ
型レジスト組成物中の全固形分中、60〜90重量％であ
る。又、本発明のポジ型レジスト組成物には、感度調整
剤として分子量900 未満のアルカリ可溶性化合物を添加
することもできる。分子量900 未満のアルカリ可溶性化
合物としては、フェノール性水酸基を少なくとも２個以
上有する化合物が好ましい。より好ましいアルカリ可溶
性化合物としては、例えば前記の一般式（ＩＶ）で示さ
れる化合物、特開平４−50851 号公報に一般式（Ｉ）で
記載されている化合物又は特開平３−179353号公報に一
般式（Ｉ）で記載されている化合物等が挙げられる。分
子量900 未満のアルカリ可溶性化合物の好ましい使用量
はポジ型レジスト組成物の全固形分中、３〜40重量％で
ある。ポジ型レジスト組成物にはさらに、例えば増感
剤、他の樹脂、界面活性剤、安定剤或いは形成像を一層
可視的にするための染料等の各種添加剤を添加すること
ができる。
度、耐熱性及びスカムの観点から、例えば分別等の操作
を加えて、ポリスチレン換算分子量1000以下の成分のＧ
ＰＣによるパターン面積（UV-254nm、以下同じ）が未反
応フェノール類のパターン面積を除く全パターン面積に
対して、各々、好ましくは25％以下に、より好ましくは
20％以下に、特に好ましくは15％以下にされる。分別は
付加縮合で得たアルカリ可溶性樹脂を良溶媒、例えばア
ルコール（メタノールもしくはエタノール等）、ケトン
（アセトン、メチルエチルケトンもしくはメチルイソブ
チルケトン等）、エチレングリコール及びそのエーテル
類、エーテルエステル類（エチルセロソルブアセテート
等）又はテトラヒドロフラン等に溶解し、次いで、得ら
れた溶液を水中に注いで沈澱させる方法、或いはペンタ
ン、ヘキサン、ヘプタンもしくはシクロヘキサン等の溶
媒に注いで分液させる方法等により行われる。分別後の
アルカリ可溶性樹脂の重量平均分子量は3000〜20000 が
好ましい。アルカリ可溶性樹脂の好ましい添加量はポジ
型レジスト組成物中の全固形分中、60〜90重量％であ
る。又、本発明のポジ型レジスト組成物には、感度調整
剤として分子量900 未満のアルカリ可溶性化合物を添加
することもできる。分子量900 未満のアルカリ可溶性化
合物としては、フェノール性水酸基を少なくとも２個以
上有する化合物が好ましい。より好ましいアルカリ可溶
性化合物としては、例えば前記の一般式（ＩＶ）で示さ
れる化合物、特開平４−50851 号公報に一般式（Ｉ）で
記載されている化合物又は特開平３−179353号公報に一
般式（Ｉ）で記載されている化合物等が挙げられる。分
子量900 未満のアルカリ可溶性化合物の好ましい使用量
はポジ型レジスト組成物の全固形分中、３〜40重量％で
ある。ポジ型レジスト組成物にはさらに、例えば増感
剤、他の樹脂、界面活性剤、安定剤或いは形成像を一層
可視的にするための染料等の各種添加剤を添加すること
ができる。
【００４２】ポジ型レジスト液の調製に用いる溶媒とし
ては適当な乾燥速度を有し、溶媒が蒸発して均一で平滑
な塗膜を与えるものがよい。このような溶媒としては、
例えばエチルセロソルブアセテート、プロピレングリコ
ールモノメチルエーテルアセテート等のグリコールエー
テルエステル類、特開平２−220056号に記載の溶媒、ピ
ルビン酸エチル、酢酸ｎ−アミル、乳酸エチル等のエス
テル類、２−ヘプタノン、γ−ブチロラクトン等のケト
ン類等が挙げられる。これらの溶媒は単独で、或いは２
種以上混合して用いられる。溶媒量はウエハー上に均質
で、ピンホール及び塗りむらの無い塗布膜ができるよう
な塗布が可能であれば特に制限されないが、通常、固形
分（即ち、キノンジアジド系感光剤、アルカリ可溶性樹
脂及び各種添加剤）が３〜50重量％になるようにポジ型
レジスト液を調製する。
ては適当な乾燥速度を有し、溶媒が蒸発して均一で平滑
な塗膜を与えるものがよい。このような溶媒としては、
例えばエチルセロソルブアセテート、プロピレングリコ
ールモノメチルエーテルアセテート等のグリコールエー
テルエステル類、特開平２−220056号に記載の溶媒、ピ
ルビン酸エチル、酢酸ｎ−アミル、乳酸エチル等のエス
テル類、２−ヘプタノン、γ−ブチロラクトン等のケト
ン類等が挙げられる。これらの溶媒は単独で、或いは２
種以上混合して用いられる。溶媒量はウエハー上に均質
で、ピンホール及び塗りむらの無い塗布膜ができるよう
な塗布が可能であれば特に制限されないが、通常、固形
分（即ち、キノンジアジド系感光剤、アルカリ可溶性樹
脂及び各種添加剤）が３〜50重量％になるようにポジ型
レジスト液を調製する。
【００４３】
【発明の効果】本発明のポジ型レジスト組成物はレジス
トとして要求される解像度、プロファイル及び焦点深度
等の諸性能のバランスに優れている。
トとして要求される解像度、プロファイル及び焦点深度
等の諸性能のバランスに優れている。
【００４４】
【実施例】以下、本発明を実施例により具体的に説明す
るが、本発明はこれらの実施例により、何ら限定される
ものではない。例中、部は重量部を示す。
るが、本発明はこれらの実施例により、何ら限定される
ものではない。例中、部は重量部を示す。
【００４５】合成例１−１ ２，５−キシレノール733.2g、水酸化ナトリウム60.0g
及び水540gの混合物に37％ホルマリン162.2gを70〜75℃
・３時間で滴下した。滴下終了後、同温度で４時間攪拌
した。55℃まで冷却後、36％塩酸172gを添加して10分攪
拌し、次いでメチルイソブチルケトン1500g を加えて反
応混合物を完溶させた。次いで、同温度でイオン交換水
150gで洗浄後、分液した。得られた油層を濃縮後、トル
エン500gを加えて室温で一晩攪拌した。析出した結晶を
濾過し、得られたケーキをトルエン800gで洗浄してウエ
ットケーキ425.1gを得た。このウエットケーキに酢酸エ
チル425g及びトルエン300gを加え、75〜80℃で２時間攪
拌・洗浄した。次いで、溶媒を濃縮後、トルエン500gを
加えて75〜80℃で１時間攪拌・洗浄した。次いで、室温
まで冷却後、濾過した。得られたケーキをトルエン800g
で攪拌・洗浄した後、濾過・乾燥して下式で示される化
合物193.5gを得た。
及び水540gの混合物に37％ホルマリン162.2gを70〜75℃
・３時間で滴下した。滴下終了後、同温度で４時間攪拌
した。55℃まで冷却後、36％塩酸172gを添加して10分攪
拌し、次いでメチルイソブチルケトン1500g を加えて反
応混合物を完溶させた。次いで、同温度でイオン交換水
150gで洗浄後、分液した。得られた油層を濃縮後、トル
エン500gを加えて室温で一晩攪拌した。析出した結晶を
濾過し、得られたケーキをトルエン800gで洗浄してウエ
ットケーキ425.1gを得た。このウエットケーキに酢酸エ
チル425g及びトルエン300gを加え、75〜80℃で２時間攪
拌・洗浄した。次いで、溶媒を濃縮後、トルエン500gを
加えて75〜80℃で１時間攪拌・洗浄した。次いで、室温
まで冷却後、濾過した。得られたケーキをトルエン800g
で攪拌・洗浄した後、濾過・乾燥して下式で示される化
合物193.5gを得た。
【００４６】
【化２０】
【００４７】合成例１−２ フェノール188g、水46g 及び96％硫酸0.9gの混合物を30
〜35℃に保温しながら、合成例１−１で得た化合物31.6
g を30分おきに10分割仕込みした。仕込み終了後、同温
度で２時間攪拌した。次いで、トルエン200ml 、酢酸エ
チル200ml 及び水300ml の混合物を加え、洗浄・分液し
た。得られた油層を濃縮後、酢酸エチル9.3g及びトルエ
ン186gを加えて室温で一晩攪拌した。析出した結晶を濾
過し、得られたケーキをトルエン60mlで攪拌・洗浄し
た。次いで、濾過後、得られたケーキをアセトン32.7g
に50〜55℃で溶解し、トルエン68g を添加後、アセトン
を濃縮した後、濾過した。得られたケーキをトルエン50
mlで攪拌・洗浄した。次いで、濾過後、得られたケーキ
をアセトンに溶解し、トルエンを添加し、次いでアセト
ンを濃縮後、濾過した。得られたケーキをトルエンで攪
拌・洗浄し、濾過後のケーキを乾燥して下式で示される
化合物18.5g を得た。
〜35℃に保温しながら、合成例１−１で得た化合物31.6
g を30分おきに10分割仕込みした。仕込み終了後、同温
度で２時間攪拌した。次いで、トルエン200ml 、酢酸エ
チル200ml 及び水300ml の混合物を加え、洗浄・分液し
た。得られた油層を濃縮後、酢酸エチル9.3g及びトルエ
ン186gを加えて室温で一晩攪拌した。析出した結晶を濾
過し、得られたケーキをトルエン60mlで攪拌・洗浄し
た。次いで、濾過後、得られたケーキをアセトン32.7g
に50〜55℃で溶解し、トルエン68g を添加後、アセトン
を濃縮した後、濾過した。得られたケーキをトルエン50
mlで攪拌・洗浄した。次いで、濾過後、得られたケーキ
をアセトンに溶解し、トルエンを添加し、次いでアセト
ンを濃縮後、濾過した。得られたケーキをトルエンで攪
拌・洗浄し、濾過後のケーキを乾燥して下式で示される
化合物18.5g を得た。
【００４８】
【化２１】
【００４９】合成例２ 合成例１−２で得た化合物14g 、１，２−ナフトキノン
ジアジド−５−スルホニルクロリド16.08g及びジオキサ
ン150.4gの混合物にトリエチルアミン7.27g を20〜30℃
・30分で滴下した。滴下終了後、30℃で６時間攪拌し
た。次いで、酢酸2.44g を添加後、同温度で１時間攪拌
した。次いで、反応混合物を濾過し、得られた濾過残を
ジオキサン16.1g で洗浄した。濾液及び洗液を酢酸（５
g ）及びイオン交換水（500g）混合液中に注入し、１時
間攪拌した。析出した結晶を濾過後、得られたケーキを
イオン交換水500gで攪拌・洗浄した。次いで、濾過して
得られたケーキを40℃で乾燥後、28g の感光剤Ａを得
た。
ジアジド−５−スルホニルクロリド16.08g及びジオキサ
ン150.4gの混合物にトリエチルアミン7.27g を20〜30℃
・30分で滴下した。滴下終了後、30℃で６時間攪拌し
た。次いで、酢酸2.44g を添加後、同温度で１時間攪拌
した。次いで、反応混合物を濾過し、得られた濾過残を
ジオキサン16.1g で洗浄した。濾液及び洗液を酢酸（５
g ）及びイオン交換水（500g）混合液中に注入し、１時
間攪拌した。析出した結晶を濾過後、得られたケーキを
イオン交換水500gで攪拌・洗浄した。次いで、濾過して
得られたケーキを40℃で乾燥後、28g の感光剤Ａを得
た。
【００５０】合成例３ ２，３，５−トリメチルフェノール50.46g、２，６−ビ
スヒドロキシメチル−ｐ−クレゾール50.46g、メタノー
ル132.46g 及び96％硫酸3.06g の混合物を40℃・24時間
反応させた。反応混合物に酢酸エチル１kg及びイオン交
換水２kgを加えて攪拌・洗浄した。分液後、有機層をさ
らにイオン交換水２kgで洗浄した。得られた有機層にト
ルエン300gを加えて室温で約36時間放置した。生じた結
晶を濾過し、さらにｎ−ヘキサンで洗浄後、酢酸エチル
／トルエンで再結晶して下式
スヒドロキシメチル−ｐ−クレゾール50.46g、メタノー
ル132.46g 及び96％硫酸3.06g の混合物を40℃・24時間
反応させた。反応混合物に酢酸エチル１kg及びイオン交
換水２kgを加えて攪拌・洗浄した。分液後、有機層をさ
らにイオン交換水２kgで洗浄した。得られた有機層にト
ルエン300gを加えて室温で約36時間放置した。生じた結
晶を濾過し、さらにｎ−ヘキサンで洗浄後、酢酸エチル
／トルエンで再結晶して下式
【００５１】
【化２２】
【００５２】で示される化合物を得た。 合成例４ 合成例３で得た化合物13.44g、ナフトキノン−（１，
２）−ジアジド−(2) −５−スルホン酸クロリド10.75
g （反応モル比１：２）及びジオキサン168 ｇの混合物
中に、20〜25℃でトリエチルアミン4.45 gを30分かけて
滴下し、滴下終了後、さらに同温度で４時間攪拌した。
反応混合物をイオン交換水に注ぎ、生じた結晶を濾過
後、イオン交換水で洗浄し、次いで乾燥して感光剤Ｆを
得た。
２）−ジアジド−(2) −５−スルホン酸クロリド10.75
g （反応モル比１：２）及びジオキサン168 ｇの混合物
中に、20〜25℃でトリエチルアミン4.45 gを30分かけて
滴下し、滴下終了後、さらに同温度で４時間攪拌した。
反応混合物をイオン交換水に注ぎ、生じた結晶を濾過
後、イオン交換水で洗浄し、次いで乾燥して感光剤Ｆを
得た。
【００５３】合成例５ 下式
【００５４】
【化２３】
【００５５】で示される化合物12.3g 、ナフトキノン
（１，２）−ジアジド−（２）−５−スルホン酸クロリ
ド10.75g（反応モル比１：２）及びジオキサン168gの混
合物中に、20〜25℃でトリエチルアミン4.45g を30分か
けて滴下し、滴下終了後、さらに同温度で４時間攪拌し
た。反応混合物をイオン交換水に注ぎ、生じた結晶を濾
過後、イオン交換水で洗浄し、次いで乾燥して感光剤Ｊ
を得た。
（１，２）−ジアジド−（２）−５−スルホン酸クロリ
ド10.75g（反応モル比１：２）及びジオキサン168gの混
合物中に、20〜25℃でトリエチルアミン4.45g を30分か
けて滴下し、滴下終了後、さらに同温度で４時間攪拌し
た。反応混合物をイオン交換水に注ぎ、生じた結晶を濾
過後、イオン交換水で洗浄し、次いで乾燥して感光剤Ｊ
を得た。
【００５６】合成例６ 上式で示される化合物に代えて下式
【００５７】
【化２４】
【００５８】で示される化合物を用いる以外は、合成例
５と同様にして感光剤Ｋを得た。
５と同様にして感光剤Ｋを得た。
【００５９】実施例（例番号１〜７及び10〜11）及び比
較例（例番号８〜９） アルカリ可溶性樹脂（表中、樹脂と略記する）、キノン
ジアジド系感光剤（表中、感光剤と略記する）及び添加
剤を下表に示す組成で、２−ヘプタノン50部に混合し
た。混合液を孔径0.2 μｍのテフロン製フィルターで濾
過してレジスト液を調製した。常法により洗浄したシリ
コンウエハーに、回転塗布機を用いて上記レジスト液を
1.1 μｍ厚に塗布し、ホットプレートで90℃・１分ベー
クした。次いで、365nm （ｉ線）の露光波長を有する縮
小投影露光機（ニコン社製品、NSR1755i7A NA＝0.5 ）
を用いて露光量を段階的に変化させて露光した。次い
で、このウエハーをホットプレートで110 ℃・１分ベー
クした。これをSOPD〔現像液；住友化学工業（株）製
品〕で１分現像してポジ型パターンを得た。解像度は0.
50μｍラインアンドスペースパターンが１：１になる露
光量（実効感度）で、膜減りなく分離するラインアンド
スペースパターンの寸法を走査型電子顕微鏡で評価し
た。プロファイルは実効感度における0.45μｍラインア
ンドスペースパターンの断面形状を走査型電子顕微鏡で
観察した。焦点深度は実効感度において0.45μｍライン
アンドスペースパターンが膜減りなく分離する焦点の幅
を走査型電子顕微鏡で断面観察して測定した。スカムに
ついては実効感度におけるベストフォーカスでの0.45μ
ｍラインアンドスペースの線間の残さの有無を調べた。
較例（例番号８〜９） アルカリ可溶性樹脂（表中、樹脂と略記する）、キノン
ジアジド系感光剤（表中、感光剤と略記する）及び添加
剤を下表に示す組成で、２−ヘプタノン50部に混合し
た。混合液を孔径0.2 μｍのテフロン製フィルターで濾
過してレジスト液を調製した。常法により洗浄したシリ
コンウエハーに、回転塗布機を用いて上記レジスト液を
1.1 μｍ厚に塗布し、ホットプレートで90℃・１分ベー
クした。次いで、365nm （ｉ線）の露光波長を有する縮
小投影露光機（ニコン社製品、NSR1755i7A NA＝0.5 ）
を用いて露光量を段階的に変化させて露光した。次い
で、このウエハーをホットプレートで110 ℃・１分ベー
クした。これをSOPD〔現像液；住友化学工業（株）製
品〕で１分現像してポジ型パターンを得た。解像度は0.
50μｍラインアンドスペースパターンが１：１になる露
光量（実効感度）で、膜減りなく分離するラインアンド
スペースパターンの寸法を走査型電子顕微鏡で評価し
た。プロファイルは実効感度における0.45μｍラインア
ンドスペースパターンの断面形状を走査型電子顕微鏡で
観察した。焦点深度は実効感度において0.45μｍライン
アンドスペースパターンが膜減りなく分離する焦点の幅
を走査型電子顕微鏡で断面観察して測定した。スカムに
ついては実効感度におけるベストフォーカスでの0.45μ
ｍラインアンドスペースの線間の残さの有無を調べた。
【００６０】
【表１】
【００６１】
【表２】
【００６２】
【表３】
【００６３】上表中の感光剤A 〜I は下記のフェノール
化合物Ａ’〜Ｉ’とナフトキノン−（１，２）−ジアジ
ド−(2) −５−スルホン酸クロリドとを合成例２と同様
に反応させて得られたものである〔上記フェノール化合
物に対するナフトキノン−（１，２）−ジアジド−(2)
−５−スルホン酸クロリドの反応モル比はいずれも2.0
〕。
化合物Ａ’〜Ｉ’とナフトキノン−（１，２）−ジアジ
ド−(2) −５−スルホン酸クロリドとを合成例２と同様
に反応させて得られたものである〔上記フェノール化合
物に対するナフトキノン−（１，２）−ジアジド−(2)
−５−スルホン酸クロリドの反応モル比はいずれも2.0
〕。
【００６４】
【化２５】
【００６５】
【化２６】
【００６６】樹脂ａ：ｍ−クレゾール／ｐ−クレゾール
＝70／30、クレゾール／ホルマリン＝１／0.8 のモル比
で蓚酸触媒を用い、還流下に反応させて得られたノボラ
ック樹脂〔GPC パターンにおける未反応フェノール類の
パターン面積を除いた全パターン面積に対する分子量60
00以下の面積比が34％であり、且つ分子量1000以下の面
積比が15％であり、しかも重量平均分子量が8000である
アルカリ可溶性樹脂（分子量はいずれもポリスチレン換
算）〕。 樹脂ｂ：ｍ−クレゾール／ｐ−クレゾール＝60／40に変
える以外は上記と同様にして得られたノボラック樹脂 樹脂ｃ：ｍ−クレゾール／ｐ−クレゾール＝50／50に変
える以外は上記と同様にして得られたノボラック樹脂
＝70／30、クレゾール／ホルマリン＝１／0.8 のモル比
で蓚酸触媒を用い、還流下に反応させて得られたノボラ
ック樹脂〔GPC パターンにおける未反応フェノール類の
パターン面積を除いた全パターン面積に対する分子量60
00以下の面積比が34％であり、且つ分子量1000以下の面
積比が15％であり、しかも重量平均分子量が8000である
アルカリ可溶性樹脂（分子量はいずれもポリスチレン換
算）〕。 樹脂ｂ：ｍ−クレゾール／ｐ−クレゾール＝60／40に変
える以外は上記と同様にして得られたノボラック樹脂 樹脂ｃ：ｍ−クレゾール／ｐ−クレゾール＝50／50に変
える以外は上記と同様にして得られたノボラック樹脂
【００６７】添加剤：下式で示される化合物。
【００６８】
【化２７】
【００６９】又、高速液体クロマトグラフィーによる測
定結果〔キノンジアジドスルホン酸ジエステルの、キノ
ンジアジドスルホン酸エステル（全感光剤）に対するパ
ターン面積比（ジエステル比と略記する）〕を下表に示
す。
定結果〔キノンジアジドスルホン酸ジエステルの、キノ
ンジアジドスルホン酸エステル（全感光剤）に対するパ
ターン面積比（ジエステル比と略記する）〕を下表に示
す。
【００７０】
【表４】
Claims (3)
- 【請求項１】一般式 【化１】 〔式中、Ｒ1 は水素もしくはハロゲン原子、−ＯＣＯＲ
3 或いは置換されていてもよいアルキルもしくはアルコ
キシ基を表わし、Ｒ3 は置換されていてもよいアルキル
もしくはフェニル基を表わす。x は１〜３の整数を表わ
す。Ｑ1 〜Ｑ12は各々独立して水素原子、アルキルもし
くはフェニル基を表わす。Ｚ1 〜Ｚ5 は各々独立して 【化２】 （式中、Ｒ2 は水素もしくはハロゲン原子、−ＯＣＯＲ
3 或いは置換されていてもよいアルキルもしくはアルコ
キシ基を表わし、Ｒ3 は前記と同じ意味を有する。y は
１〜３の整数を、ｐは０又は１を、各々表わす。）を表
わす。〕で示されるフェノール化合物の中の少なくとも
１種のキノンジアジドスルホン酸エステルを含むキノン
ジアジド系感光剤及びアルカリ可溶性樹脂を含有するこ
とを特徴とするポジ型レジスト組成物。 - 【請求項２】高速液体クロマトグラフィーにより測定し
た、全キノンジアジド系感光剤に対するキノンジアジド
スルホン酸ジエステルのパターン面積比が0.5 以上であ
る、請求項１に記載のポジ型レジスト組成物。 - 【請求項３】一般式（Ｉａ）〜（Ｉｄ）において、Ｒ1
がハロゲン原子、−ＯＣＯＲ3 或いは置換されていても
よいアルキルもしくはアルコキシ基を表わし、且つ、ｘ
が２又は３である、請求項１に記載のポジ型レジスト組
成物。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34640092A JP3466218B2 (ja) | 1992-06-04 | 1992-12-25 | ポジ型レジスト組成物 |
| CA002096214A CA2096214A1 (en) | 1992-06-04 | 1993-05-13 | Positive resist composition |
| KR1019930009409A KR100292796B1 (ko) | 1992-06-04 | 1993-05-29 | 포지티브형레지스트조성물 |
| EP93109004A EP0573056B1 (en) | 1992-06-04 | 1993-06-04 | Positive resist composition |
| DE69329408T DE69329408T2 (de) | 1992-06-04 | 1993-06-04 | Positiv arbeitende Photolackzusammensetzung |
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