JP3499165B2 - ポジ型ホトレジスト組成物、感光性膜付基板、およびレジストパターンの形成方法 - Google Patents
ポジ型ホトレジスト組成物、感光性膜付基板、およびレジストパターンの形成方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高感度、高解像性
であり、かつ焦点深度幅特性、アンダー露光余裕度が改
善されたポジ型ホトレジスト組成物に関するものであ
る。また本発明は、０．２〜０．８μｍの薄膜プロセス
において、パターン形成能に優れるポジ型ホトレジスト
組成物に関するものである。
であり、かつ焦点深度幅特性、アンダー露光余裕度が改
善されたポジ型ホトレジスト組成物に関するものであ
る。また本発明は、０．２〜０．８μｍの薄膜プロセス
において、パターン形成能に優れるポジ型ホトレジスト
組成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ハーフミクロン以下、とくに０．３５μ
ｍ以下の高解像性を必要とする超ＬＳＩの作製において
は、感度、解像性、アンダー露光余裕度、および焦点深
度幅特性に優れ、かつ形状のよいレジストパターンを形
成することができるホトレジスト組成物が望まれてい
る。なお、ここでいうアンダー露光余裕度とは、Ｅｏｐ
／Ｅｓ[Ｅｏｐとは、マスクパターンの設定寸法を忠実
に再現することのできる露光量であり、Ｅｓとは、分離
パターンを形成することのできる最少露光量を表す。]
で表され、この値が大きいほど余裕度が大きく好まし
い。
ｍ以下の高解像性を必要とする超ＬＳＩの作製において
は、感度、解像性、アンダー露光余裕度、および焦点深
度幅特性に優れ、かつ形状のよいレジストパターンを形
成することができるホトレジスト組成物が望まれてい
る。なお、ここでいうアンダー露光余裕度とは、Ｅｏｐ
／Ｅｓ[Ｅｏｐとは、マスクパターンの設定寸法を忠実
に再現することのできる露光量であり、Ｅｓとは、分離
パターンを形成することのできる最少露光量を表す。]
で表され、この値が大きいほど余裕度が大きく好まし
い。
【０００３】また、特開平６−１６７８０５号公報（先
行技術１）は、高解像性のポジ型ホトレジスト組成物と
して、感光性成分に４〜７核体のリニア型ポリフェノー
ル骨格を有するキノンジアジドエステル化物を報告して
いるが、高解像性である一方、そのγ値が極端に高いこ
とからアンダー露光余裕度が非常に小さく、とくに露光
量の低い部分（アンダー露光側）でパターンが形成され
ない傾向にある。したがって、露光工程においては、露
光時間が数ｍｓ最適露光量（Ｅｏｐ露光量）に足りなか
ったり、レジスト膜厚が下地基板の段差により部分的に
数ｎｍ厚くなっただけで露光量不足となり、レジストパ
ターンが形成されないといった欠点を有する。また、当
該感光性成分を用いた材料は、０．３５μｍ以下の微細
なラインアンドスペース（Ｌ＆Ｓ）レジストパターンを
形成する場合において、露光時の光源の焦点がプラス側
にずれた場合（光の焦点がレジスト表面より基板側にあ
る）にパターンが形成されない現象がみられ（図１
（ａ）参照）、４〜７核体のリニア型ではない構造の感
光性成分、例えば下記一般式（i）
行技術１）は、高解像性のポジ型ホトレジスト組成物と
して、感光性成分に４〜７核体のリニア型ポリフェノー
ル骨格を有するキノンジアジドエステル化物を報告して
いるが、高解像性である一方、そのγ値が極端に高いこ
とからアンダー露光余裕度が非常に小さく、とくに露光
量の低い部分（アンダー露光側）でパターンが形成され
ない傾向にある。したがって、露光工程においては、露
光時間が数ｍｓ最適露光量（Ｅｏｐ露光量）に足りなか
ったり、レジスト膜厚が下地基板の段差により部分的に
数ｎｍ厚くなっただけで露光量不足となり、レジストパ
ターンが形成されないといった欠点を有する。また、当
該感光性成分を用いた材料は、０．３５μｍ以下の微細
なラインアンドスペース（Ｌ＆Ｓ）レジストパターンを
形成する場合において、露光時の光源の焦点がプラス側
にずれた場合（光の焦点がレジスト表面より基板側にあ
る）にパターンが形成されない現象がみられ（図１
（ａ）参照）、４〜７核体のリニア型ではない構造の感
光性成分、例えば下記一般式（i）
【０００４】
【化７】
【０００５】で表される化合物のキノンジアジドエステ
ル化物を用いた場合（図１（ｂ）参照）と比べ特異な性
質を示す。その結果、焦点深度幅が狭く、露光工程にお
いて光源と基板との距離がずれたり、レジスト被膜を段
差のある基板上に形成し、レジスト被膜表面が下地基板
の段差により凹凸を有する様な場合に、レジストパター
ンが形成されないといった欠点を有する。
ル化物を用いた場合（図１（ｂ）参照）と比べ特異な性
質を示す。その結果、焦点深度幅が狭く、露光工程にお
いて光源と基板との距離がずれたり、レジスト被膜を段
差のある基板上に形成し、レジスト被膜表面が下地基板
の段差により凹凸を有する様な場合に、レジストパター
ンが形成されないといった欠点を有する。
【０００６】また、特開平１０−２１３９０６号公報
（先行技術２）は、下記一般式（ii）
（先行技術２）は、下記一般式（ii）
【０００７】
【化８】
【０００８】（式中、Ｒ17〜Ｒ24は、独立に、水素、ハ
ロゲン、ヒドロキシ基、アルキル基、アルコキシ基、ア
リール基またはニトロ基を表し、Ｒ25およびＲ26は、独
立に、水素、ハロゲン、アルキル基、アリール基、ニト
ロ基、−（ＣＨ2）n−ＯＲ27または−（ＣＨ2）n−ＣＯ
ＯＲ28を表し、Ｒ27は、水素、アルキル基、アリール基
またはアルカノイル基を表し、Ｒ28は、水素、アルキル
基またはアリール基を表し、そしてｎは０〜３の整数を
表す）で表される化合物、および下記一般式（i）
ロゲン、ヒドロキシ基、アルキル基、アルコキシ基、ア
リール基またはニトロ基を表し、Ｒ25およびＲ26は、独
立に、水素、ハロゲン、アルキル基、アリール基、ニト
ロ基、−（ＣＨ2）n−ＯＲ27または−（ＣＨ2）n−ＣＯ
ＯＲ28を表し、Ｒ27は、水素、アルキル基、アリール基
またはアルカノイル基を表し、Ｒ28は、水素、アルキル
基またはアリール基を表し、そしてｎは０〜３の整数を
表す）で表される化合物、および下記一般式（i）
【０００９】
【化９】
【００１０】で表されるフェノール化合物のキノンジア
ジドエステル化物を含有するポジ型ホトレジスト組成物
を報告している。この組成物は、レジストの膜減りを抑
え、解像性と焦点深度幅特性に優れるとしている。しか
し、上記ポジ型ホトレジスト組成物は、０．３５μｍ以
下の微細なＬ＆Ｓレジストパターンを形成する場合にお
いては、アンダー露光余裕度、焦点深度幅特性が狭くな
るといった欠点を有する。一方、ｉ線（３６５ｎｍ）を
用いたホトリソグラフィにおいては、０．３５μｍ以
下、とくに０．３０μｍ以下の超微細なレジストパター
ンを形成することは困難であることから、ｉ線より波長
の短い光源（ＫｒＦ、ＡｒＦなど）を用い、化学増幅型
と呼ばれる高価なホトレジスト材料を用いることが提案
されている。しかし、ＫｒＦ、ＡｒＦ等のエキシマレー
ザー用露光装置は、非常に高価な装置であり、また、こ
れと共に用いる化学増幅型レジスト材料も高価な材料で
あるため、製造コストが高くなるといった問題がある。
よって、既存のｉ線を用いたホトリソグラフィの延命化
が望まれていた。ｉ線を用い、０．３５μｍ以下、とく
に０．３０μｍ以下の超微細なレジストパターンを形成
しようとする場合、感光性膜を薄膜にして行うことが有
利とされているが、１．０μｍ以下、とくに０．８μｍ
以下の薄膜になると、感光性膜が十分に露光時の光エネ
ルギーを吸収できず、また光干渉を防止することができ
ないことから微細なレジストパターンを形成することが
できないといった問題があり、またレジストパターンが
形成されても、未露光部分の膜減りや、レジストパター
ン底部に現像残り（スカム）を生じ、下地基板のエッチ
ング不良を引き起こすといった問題を有していた。
ジドエステル化物を含有するポジ型ホトレジスト組成物
を報告している。この組成物は、レジストの膜減りを抑
え、解像性と焦点深度幅特性に優れるとしている。しか
し、上記ポジ型ホトレジスト組成物は、０．３５μｍ以
下の微細なＬ＆Ｓレジストパターンを形成する場合にお
いては、アンダー露光余裕度、焦点深度幅特性が狭くな
るといった欠点を有する。一方、ｉ線（３６５ｎｍ）を
用いたホトリソグラフィにおいては、０．３５μｍ以
下、とくに０．３０μｍ以下の超微細なレジストパター
ンを形成することは困難であることから、ｉ線より波長
の短い光源（ＫｒＦ、ＡｒＦなど）を用い、化学増幅型
と呼ばれる高価なホトレジスト材料を用いることが提案
されている。しかし、ＫｒＦ、ＡｒＦ等のエキシマレー
ザー用露光装置は、非常に高価な装置であり、また、こ
れと共に用いる化学増幅型レジスト材料も高価な材料で
あるため、製造コストが高くなるといった問題がある。
よって、既存のｉ線を用いたホトリソグラフィの延命化
が望まれていた。ｉ線を用い、０．３５μｍ以下、とく
に０．３０μｍ以下の超微細なレジストパターンを形成
しようとする場合、感光性膜を薄膜にして行うことが有
利とされているが、１．０μｍ以下、とくに０．８μｍ
以下の薄膜になると、感光性膜が十分に露光時の光エネ
ルギーを吸収できず、また光干渉を防止することができ
ないことから微細なレジストパターンを形成することが
できないといった問題があり、またレジストパターンが
形成されても、未露光部分の膜減りや、レジストパター
ン底部に現像残り（スカム）を生じ、下地基板のエッチ
ング不良を引き起こすといった問題を有していた。
【００１１】
【本発明が解決しようとする課題】したがって本発明の
目的は、とくに０．３５μｍ以下の高解像性を必要とす
る超ＬＳＩの作製において、高感度、高解像性であり、
かつ焦点深度幅特性、アンダー露光余裕度が改善された
ポジ型ホトレジスト組成物を提供することにある。また
本発明は、０．２〜０．８μｍの薄膜プロセスにおい
て、とくに０．３０μｍ以下の超微細なレジストパター
ンの形成能に優れるポジ型ホトレジスト組成物を提供す
ることにある。
目的は、とくに０．３５μｍ以下の高解像性を必要とす
る超ＬＳＩの作製において、高感度、高解像性であり、
かつ焦点深度幅特性、アンダー露光余裕度が改善された
ポジ型ホトレジスト組成物を提供することにある。また
本発明は、０．２〜０．８μｍの薄膜プロセスにおい
て、とくに０．３０μｍ以下の超微細なレジストパター
ンの形成能に優れるポジ型ホトレジスト組成物を提供す
ることにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明者らは上記問題点
を解決すべく鋭意研究した結果、本発明のポジ型ホトレ
ジスト組成物は、０．３５μｍ以下の微細なＬ＆Ｓレジ
ストパターンを形成する場合においても、焦点深度幅特
性、アンダー露光余裕度の優れたレジストパターンを形
成することを見出した。また、上記ポジ型ホトレジスト
組成物は、０．２〜０．８μｍの薄膜プロセスにおい
て、０．３０μｍ以下の超微細なレジストパターンを形
成する場合においても、良好なレジストパターンを形成
できることを見出した。
を解決すべく鋭意研究した結果、本発明のポジ型ホトレ
ジスト組成物は、０．３５μｍ以下の微細なＬ＆Ｓレジ
ストパターンを形成する場合においても、焦点深度幅特
性、アンダー露光余裕度の優れたレジストパターンを形
成することを見出した。また、上記ポジ型ホトレジスト
組成物は、０．２〜０．８μｍの薄膜プロセスにおい
て、０．３０μｍ以下の超微細なレジストパターンを形
成する場合においても、良好なレジストパターンを形成
できることを見出した。
【００１３】すなわち本発明は、（Ａ）アルカリ可溶性
樹脂、（Ｂ）下記一般式（Ｉ−ａ）
樹脂、（Ｂ）下記一般式（Ｉ−ａ）
【００１４】
【化１０】
【００１５】〔式中、Ｒ１〜Ｒ８はそれぞれ独立に水素
原子、ハロゲン原子、炭素原子数１〜６のアルキル基、
炭素原子数１〜６のアルコキシル基、またはシクロアル
キル基を表し；ａおよびｂは１〜３の整数を表し；ｄは
０〜３の整数を表し；ｍは１〜３の整数を表す〕で表さ
れる化合物の中から選ばれる少なくとも１種のキノンジ
アジドエステル化物を含有する感光性成分、および
（Ｃ）下記一般式（V）、（VI）および（VII）
原子、ハロゲン原子、炭素原子数１〜６のアルキル基、
炭素原子数１〜６のアルコキシル基、またはシクロアル
キル基を表し；ａおよびｂは１〜３の整数を表し；ｄは
０〜３の整数を表し；ｍは１〜３の整数を表す〕で表さ
れる化合物の中から選ばれる少なくとも１種のキノンジ
アジドエステル化物を含有する感光性成分、および
（Ｃ）下記一般式（V）、（VI）および（VII）
【００１６】
【化１１】
【００１７】
【化１２】
【００１８】
【化１３】
【００１９】で表される化合物から選ばれる化合物を含
有して成る（ただし、光酸発生剤を含有しない）ポジ型
ホトレジスト組成物を提供するものである。
有して成る（ただし、光酸発生剤を含有しない）ポジ型
ホトレジスト組成物を提供するものである。
【００２０】また本発明は、（Ａ）成分は、フェノール
化合物とアルデヒド類またはケトン類との縮合反応によ
り合成され、該フェノール化合物として下記一般式（II
I）
化合物とアルデヒド類またはケトン類との縮合反応によ
り合成され、該フェノール化合物として下記一般式（II
I）
【００２１】
【化１４】
【００２２】（式中、Ｒ １４ は水素原子または炭素原子
数１〜５のアルキル基を表す）で表されるフェノール化
合物を１〜２０モル％、ｍ−クレゾールを３０〜９５モ
ル％および２，５−キシレノールを２〜５０モル％の範
囲で使用したアルカリ可溶性ノボラック樹脂であること
を特徴とする前記のポジ型ホトレジスト組成物を提供す
るものである。
数１〜５のアルキル基を表す）で表されるフェノール化
合物を１〜２０モル％、ｍ−クレゾールを３０〜９５モ
ル％および２，５−キシレノールを２〜５０モル％の範
囲で使用したアルカリ可溶性ノボラック樹脂であること
を特徴とする前記のポジ型ホトレジスト組成物を提供す
るものである。
【００２３】また本発明は、（Ａ）成分の合成に使用さ
れるフェノール化合物として、さらにｐ−クレゾール、
３，４−キシレノール、３，５−キシレノールおよびそ
れらのジメチロール誘導体からなる群から選ばれる少な
くとも１種のフェノール化合物を１〜３０モル％の範囲
で使用したことを特徴とする前記のポジ型ホトレジスト
組成物を提供するものである。
れるフェノール化合物として、さらにｐ−クレゾール、
３，４−キシレノール、３，５−キシレノールおよびそ
れらのジメチロール誘導体からなる群から選ばれる少な
くとも１種のフェノール化合物を１〜３０モル％の範囲
で使用したことを特徴とする前記のポジ型ホトレジスト
組成物を提供するものである。
【００２４】また本発明は、（Ａ）成分は、フェノール
化合物として、２，５−キシレノールの代わりに下記一
般式（IV）
化合物として、２，５−キシレノールの代わりに下記一
般式（IV）
【００２５】
【化１５】
【００２６】（式中、ｅは０または１を表す）で表され
るフェノール化合物を１〜２５モル％の範囲で使用した
ことを特徴とする前記のポジ型ホトレジスト組成物を提
供するものである。
るフェノール化合物を１〜２５モル％の範囲で使用した
ことを特徴とする前記のポジ型ホトレジスト組成物を提
供するものである。
【００２７】
【００２８】
【００２９】
【００３０】
【００３１】
【００３２】
【００３３】
【００３４】
【００３５】また本発明は、前記のポジ型ホトレジスト
組成物を基板上に塗布し、乾燥して膜厚０．２〜０．８
μｍの感光性膜を基板上に形成してなることを特徴とす
る感光性膜付基板を提供するものである。
組成物を基板上に塗布し、乾燥して膜厚０．２〜０．８
μｍの感光性膜を基板上に形成してなることを特徴とす
る感光性膜付基板を提供するものである。
【００３６】また本発明は、前記の感光性膜付基板にｉ
線（３６５ｎｍ）の選択的露光をおこない、レジストパ
ターンを形成することを特徴とするレジストパターンの
形成方法を提供するものである。
線（３６５ｎｍ）の選択的露光をおこない、レジストパ
ターンを形成することを特徴とするレジストパターンの
形成方法を提供するものである。
【００３７】
【構成成分の説明】（Ａ）アルカリ可溶性樹脂
（Ａ）成分としてのアルカリ可溶性樹脂は、とくに制限
されるものでないが、とくに一般式（III）で表される
フェノール化合物を、当該アルカリ可溶性樹脂の合成に
使用する全フェノール化合物中、１〜２０モル％、とく
に３〜１５モル％、ｍ−クレゾールを３０〜９５モル
％、とくに５０〜７０モル％、２，５−キシレノールを
２〜５０モル％、とくに１０〜４０モル％（式（IV）の
化合物を用いる場合は１〜２５モル％、とくに５〜２０
モル％）の範囲で用いて合成されたアルカリ可溶性ノボ
ラック樹脂が好ましく、これを用いることにより、１．
０μｍ以下、とくに０．２〜０．８μmの薄膜プロセス
において、未露光部分の膜減りが少なく、かつスカムの
ない、形状の良好なレジストパターンを形成することが
できる。一般式（III）で表されるフェノール化合物が
１モル％未満であると高感度化が充分に発現せず、また
２０モル％を超えると解像性等の諸特性に著しく劣るた
め好ましくない。ｍ−クレゾールが３０モル％未満であ
ると感度が著しく劣り、また９５モル％を超えると解像
性等の諸特性に著しく劣るため好ましくない。さらに
２，５−キシレノールが２モル％未満あるいは一般式
（IV）で表されるフェノール化合物が１モル％未満であ
るとスカムの発生が多く、また２，５−キシレノールが
５０モル％超あるいは一般式（IV）で表されるフェノー
ル化合物が２５モル％超の場合は感度等の諸特性に著し
く劣るため好ましくない。
されるものでないが、とくに一般式（III）で表される
フェノール化合物を、当該アルカリ可溶性樹脂の合成に
使用する全フェノール化合物中、１〜２０モル％、とく
に３〜１５モル％、ｍ−クレゾールを３０〜９５モル
％、とくに５０〜７０モル％、２，５−キシレノールを
２〜５０モル％、とくに１０〜４０モル％（式（IV）の
化合物を用いる場合は１〜２５モル％、とくに５〜２０
モル％）の範囲で用いて合成されたアルカリ可溶性ノボ
ラック樹脂が好ましく、これを用いることにより、１．
０μｍ以下、とくに０．２〜０．８μmの薄膜プロセス
において、未露光部分の膜減りが少なく、かつスカムの
ない、形状の良好なレジストパターンを形成することが
できる。一般式（III）で表されるフェノール化合物が
１モル％未満であると高感度化が充分に発現せず、また
２０モル％を超えると解像性等の諸特性に著しく劣るた
め好ましくない。ｍ−クレゾールが３０モル％未満であ
ると感度が著しく劣り、また９５モル％を超えると解像
性等の諸特性に著しく劣るため好ましくない。さらに
２，５−キシレノールが２モル％未満あるいは一般式
（IV）で表されるフェノール化合物が１モル％未満であ
るとスカムの発生が多く、また２，５−キシレノールが
５０モル％超あるいは一般式（IV）で表されるフェノー
ル化合物が２５モル％超の場合は感度等の諸特性に著し
く劣るため好ましくない。
【００３８】一般式（III）で表されるフェノール化合
物としては、カテコール、レゾルシノール、ヒドロキノ
ン、３−メチルカテコール、４−メチルカテコール、２
−メチルレゾルシノール、４−メチルレゾルシノール、
５−メチルレゾルシノール、２−メチルヒドロキノン等
が挙げられるが、中でも一般式（VIII）
物としては、カテコール、レゾルシノール、ヒドロキノ
ン、３−メチルカテコール、４−メチルカテコール、２
−メチルレゾルシノール、４−メチルレゾルシノール、
５−メチルレゾルシノール、２−メチルヒドロキノン等
が挙げられるが、中でも一般式（VIII）
【００３９】
【化１６】
【００４０】（式中、Ｒ15は炭素原子数１〜５のアルキ
ル基を表す）で表されるレゾルシノール型化合物や一般
式（IX）
ル基を表す）で表されるレゾルシノール型化合物や一般
式（IX）
【００４１】
【化１７】
【００４２】（式中、Ｒ16は炭素原子数１〜５のアルキ
ル基を表す）で表されるヒドロキノン型化合物が好適で
ある。具体的には、ヒドロキノン、２−メチルレゾルシ
ノール、５−メチルレゾルシノール、２−メチルヒドロ
キノンが感度、解像性、耐熱性等の諸特性に優れている
点で好ましく、とくにヒドロキノンは、解像性に優れて
好ましい。
ル基を表す）で表されるヒドロキノン型化合物が好適で
ある。具体的には、ヒドロキノン、２−メチルレゾルシ
ノール、５−メチルレゾルシノール、２−メチルヒドロ
キノンが感度、解像性、耐熱性等の諸特性に優れている
点で好ましく、とくにヒドロキノンは、解像性に優れて
好ましい。
【００４３】本発明の（Ａ）成分としてアルカリ可溶性
樹脂の合成に使用されるフェノール化合物としては、さ
らにｐ−クレゾール、３，４−キシレノール、３，５−
キシレノールおよびそれらのジメチロール誘導体からな
る群から選ばれる少なくとも１種を、該アルカリ可溶性
樹脂の合成に使用する全フェノール化合物中、１〜３０
モル％、とくに５〜２０モル％使用することがポジ型ホ
トレジスト組成物の解像性を向上させるのに好ましい。
なお、１モル％未満であると解像性の向上効果が十分に
得られず、３０モル％を超えると感度が著しく劣るため
好ましくない。
樹脂の合成に使用されるフェノール化合物としては、さ
らにｐ−クレゾール、３，４−キシレノール、３，５−
キシレノールおよびそれらのジメチロール誘導体からな
る群から選ばれる少なくとも１種を、該アルカリ可溶性
樹脂の合成に使用する全フェノール化合物中、１〜３０
モル％、とくに５〜２０モル％使用することがポジ型ホ
トレジスト組成物の解像性を向上させるのに好ましい。
なお、１モル％未満であると解像性の向上効果が十分に
得られず、３０モル％を超えると感度が著しく劣るため
好ましくない。
【００４４】また、本発明におけるアルカリ可溶性樹脂
の合成には、上記以外のフェノール化合物も使用でき
る。例えばフェノール、ｏ−クレゾール、２，３−キシ
レノール等のキシレノール類；ｍ−エチルフェノール、
ｐ−エチルフェノール、ｏ−エチルフェノール、２，
３，５−トリメチルフェノール、２，３，５−トリエチ
ルフェノール、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、３−
ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、２−ｔｅｒｔ−ブチルフ
ェノール、２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノー
ル、２−ｔｅｒｔ−ブチル−５−メチルフェノール等の
アルキルフェノール類；ｐ−メトキシフェノール、ｍ−
メトキシフェノール、ｐ−エトキシフェノール、ｍ−エ
トキシフェノール、ｐ−プロポキシフェノール、ｍ−プ
ロポキシフェノール等のアルコキシフェノール類；ｏ−
イソプロペニルフェノール、ｐ−イソプロペニルフェノ
ール、２−メチル−４−イソプロペニルフェノール、２
−エチル−４−イソプロペニルフェノール等のイソプロ
ペニルフェノール類；フェニルフェノール等のアリール
フェノール類；４，４’−ジヒドロキシビフェニル、ビ
スフェノールＡ、ピロガロール等のその他のポリヒドロ
キシフェノール類等を挙げることができる。これらは単
独で用いてもよいし、また２種以上を組み合わせて用い
てもよい。なお、それらは、本発明におけるアルカリ可
溶性樹脂の合成に用いられる全フェノール化合物中１０
モル％以下の範囲で用いられることが、ポジ型ホトレジ
スト組成物の諸特性を損なわない点で望ましい。
の合成には、上記以外のフェノール化合物も使用でき
る。例えばフェノール、ｏ−クレゾール、２，３−キシ
レノール等のキシレノール類；ｍ−エチルフェノール、
ｐ−エチルフェノール、ｏ−エチルフェノール、２，
３，５−トリメチルフェノール、２，３，５−トリエチ
ルフェノール、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、３−
ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、２−ｔｅｒｔ−ブチルフ
ェノール、２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノー
ル、２−ｔｅｒｔ−ブチル−５−メチルフェノール等の
アルキルフェノール類；ｐ−メトキシフェノール、ｍ−
メトキシフェノール、ｐ−エトキシフェノール、ｍ−エ
トキシフェノール、ｐ−プロポキシフェノール、ｍ−プ
ロポキシフェノール等のアルコキシフェノール類；ｏ−
イソプロペニルフェノール、ｐ−イソプロペニルフェノ
ール、２−メチル−４−イソプロペニルフェノール、２
−エチル−４−イソプロペニルフェノール等のイソプロ
ペニルフェノール類；フェニルフェノール等のアリール
フェノール類；４，４’−ジヒドロキシビフェニル、ビ
スフェノールＡ、ピロガロール等のその他のポリヒドロ
キシフェノール類等を挙げることができる。これらは単
独で用いてもよいし、また２種以上を組み合わせて用い
てもよい。なお、それらは、本発明におけるアルカリ可
溶性樹脂の合成に用いられる全フェノール化合物中１０
モル％以下の範囲で用いられることが、ポジ型ホトレジ
スト組成物の諸特性を損なわない点で望ましい。
【００４５】本発明におけるアルカリ可溶性樹脂の合成
方法（バルク重合、溶液重合等）、各フェノール化合物
の配合時期、反応経路等は、いかようにも選択可能であ
るが、各フェノール化合物が仕込み比通りに樹脂の構成
単位として組み込まれ、未反応物が少なく、樹脂を収率
よく合成できる方法であることが望ましい。そのような
合成方法として一例を挙げると、まず反応性の低いフェ
ノール化合物、例えばｐ−クレゾール等はジメチロール
化し、他の大量のフェノール化合物の中に時間をかけて
添加し反応を行うことで、反応性の低いフェノール化合
物をポリマー骨格中に組み込むことができる。また、反
応性の低いフェノール化合物の繰り返し単位を含有する
オリゴマーをまず合成し、これに反応性の高いフェノー
ル化合物、例えばｍ−クレゾール等を、アルデヒド類ま
たはケトン類を用いて縮合反応させて樹脂を合成するこ
ともできる。
方法（バルク重合、溶液重合等）、各フェノール化合物
の配合時期、反応経路等は、いかようにも選択可能であ
るが、各フェノール化合物が仕込み比通りに樹脂の構成
単位として組み込まれ、未反応物が少なく、樹脂を収率
よく合成できる方法であることが望ましい。そのような
合成方法として一例を挙げると、まず反応性の低いフェ
ノール化合物、例えばｐ−クレゾール等はジメチロール
化し、他の大量のフェノール化合物の中に時間をかけて
添加し反応を行うことで、反応性の低いフェノール化合
物をポリマー骨格中に組み込むことができる。また、反
応性の低いフェノール化合物の繰り返し単位を含有する
オリゴマーをまず合成し、これに反応性の高いフェノー
ル化合物、例えばｍ−クレゾール等を、アルデヒド類ま
たはケトン類を用いて縮合反応させて樹脂を合成するこ
ともできる。
【００４６】本発明におけるアルカリ可溶性樹脂は、こ
れを薄膜としたときに２３℃における２．３８重量％テ
トラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶
液に対する溶解速度が１〜５０ｎｍ／ｓｅｃ．、とくに
２〜１０ｎｍ／ｓｅｃ．の範囲にあることが好ましい。
１ｎｍ／ｓｅｃ．未満であると、感度が著しく劣る点で
好ましくなく、また５０ｎｍ／ｓｅｃ．を超えると解像
性等の諸特性が著しく劣る点で好ましくない。また重量
平均分子量は、２０００〜２００００、とくには３００
０〜１５０００の範囲であることが好ましく、２０００
未満であると、成膜性、耐熱性等の諸特性が著しく劣る
点で好ましくなく、また２００００を超えると感度が著
しく劣る点で好ましくない。本発明におけるアルカリ可
溶性樹脂は、低分子量体をカットすることが望ましい。
低分子量体のカットの方法はとくに制限されないが、例
えば次のような方法が好適である。まず、樹脂溶液を、
メチルアミルケトン（ＭＡＫ）に溶解させ、これを水洗
することにより、触媒、未反応物を除く。次いで、これ
にヘキサン、ヘプタン等の貧溶媒または、ヘキサン−Ｍ
ＡＫ混合溶媒、ヘプタン−ＭＡＫ混合溶媒を加え攪拌
後、静置すると、上層が貧溶媒層、下層がＭＡＫ層に分
離され、上層に低分子量体、下層に高分子量体が分離さ
れる。よって、下層を抽出することにより、高分子量の
樹脂を得ることができる。
れを薄膜としたときに２３℃における２．３８重量％テ
トラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶
液に対する溶解速度が１〜５０ｎｍ／ｓｅｃ．、とくに
２〜１０ｎｍ／ｓｅｃ．の範囲にあることが好ましい。
１ｎｍ／ｓｅｃ．未満であると、感度が著しく劣る点で
好ましくなく、また５０ｎｍ／ｓｅｃ．を超えると解像
性等の諸特性が著しく劣る点で好ましくない。また重量
平均分子量は、２０００〜２００００、とくには３００
０〜１５０００の範囲であることが好ましく、２０００
未満であると、成膜性、耐熱性等の諸特性が著しく劣る
点で好ましくなく、また２００００を超えると感度が著
しく劣る点で好ましくない。本発明におけるアルカリ可
溶性樹脂は、低分子量体をカットすることが望ましい。
低分子量体のカットの方法はとくに制限されないが、例
えば次のような方法が好適である。まず、樹脂溶液を、
メチルアミルケトン（ＭＡＫ）に溶解させ、これを水洗
することにより、触媒、未反応物を除く。次いで、これ
にヘキサン、ヘプタン等の貧溶媒または、ヘキサン−Ｍ
ＡＫ混合溶媒、ヘプタン−ＭＡＫ混合溶媒を加え攪拌
後、静置すると、上層が貧溶媒層、下層がＭＡＫ層に分
離され、上層に低分子量体、下層に高分子量体が分離さ
れる。よって、下層を抽出することにより、高分子量の
樹脂を得ることができる。
【００４７】（Ｂ）感光性成分
一般式（I）で表される化合物の中から選ばれる少なく
とも１種のキノンジアジドエステル化物を用いることに
より解像性に優れたポジ型ホトレジスト組成物を提供す
ることができるが、中でも下記一般式（I-a）
とも１種のキノンジアジドエステル化物を用いることに
より解像性に優れたポジ型ホトレジスト組成物を提供す
ることができるが、中でも下記一般式（I-a）
【００４８】
【化１８】
【００４９】（式中、Ｒ1〜Ｒ8、ａ、ｂおよびｄは前記
と同義であり、ｍは１〜３の整数を表す）で表される直
鎖状のポリフェノール化合物や、下記一般式（I-b）
と同義であり、ｍは１〜３の整数を表す）で表される直
鎖状のポリフェノール化合物や、下記一般式（I-b）
【００５０】
【化１９】
【００５１】（式中、Ｒ1〜Ｒ6、Ｒ12、Ｒ13、ａ、ｂお
よびｃは前記と同義である）で表されるトリスフェノー
ル型のポリフェノール化合物のキノンジアジドエステル
化物は、レジスト組成物の高解像性化の点で好ましく、
０．３５μｍ以下の微細なパターンの形成に好適であ
る。当該エステル化物は、上記一般式（I）で表される
化合物と１，２−ナフトキノンジアジドスルホン酸ハロ
ゲン化物とのエステル化反応により合成される。
よびｃは前記と同義である）で表されるトリスフェノー
ル型のポリフェノール化合物のキノンジアジドエステル
化物は、レジスト組成物の高解像性化の点で好ましく、
０．３５μｍ以下の微細なパターンの形成に好適であ
る。当該エステル化物は、上記一般式（I）で表される
化合物と１，２−ナフトキノンジアジドスルホン酸ハロ
ゲン化物とのエステル化反応により合成される。
【００５２】なお、一般式（I）のキノンジアジドエス
テル化物の平均エステル化率は２０〜８０％、好ましく
は４０〜６０％であり、２０％未満では残膜率及び解像
性が低下し、８０％を超えると、感度の低下が著しく、
またスカムが増加するので好ましくない。（Ｂ）感光性
成分は、上記一般式（I）で表される化合物の他に、他
のキノンジアジドエステル化物も用いることができ、例
えば、２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン、
２，４，４’−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，
３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，
２’，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、
２，３’，４，４’，６−ペンタヒドロキシベンゾフェ
ノン、２，２’，３，４，４’−ペンタヒドロキシベン
ゾフェノン、２，２’，３，４，５’−ペンタヒドロキ
シベンゾフェノン、２，３’，４，５，５’−ペンタヒ
ドロキシベンゾフェノン、２，３，３’，４，４’，
５’−ヘキサヒドロキシベンゾフェノンなどのポリヒド
ロキシベンゾフェノン類のキノンジアジドエステル化物
や、フェノール、ｐ−メトキシフェノール、ジメチルフ
ェノール、ヒドロキノン、ナフトール、ピロカテコー
ル、ピロガロールモノメチルエーテル、ピロガロール−
１，３−ジメチルエーテル、没食子酸、部分エステル化
または部分エーテル化没食子酸などのフェノール類のキ
ノンジアジドエステル化物が挙げられる。他のキノンジ
アジドエステル化物を用いる場合、その配合量は、
（Ｂ）成分中、５０重量％以下、とくには４０重量％以
下が好ましく、５０重量％を超えると解像性が著しく劣
り好ましくない。本発明のポジ型ホトレジスト組成物に
おいて、（Ｂ）成分の配合量は、（Ａ）成分であるアル
カリ可溶性樹脂と所望に応じて添加される下記（Ｄ）感
度向上剤との合計量に対し１０〜６０重量％、好ましく
は２０〜５０重量％の範囲で選ぶのが好ましい。（Ｂ）
成分の配合量が上記範囲を下回るとパターンに忠実な画
像が得られず、転写性も低下する。一方、（Ｂ）成分の
配合量が上記範囲を上回ると感度劣化と形成されるレジ
スト膜の均質性が低下し、解像性が劣化する。
テル化物の平均エステル化率は２０〜８０％、好ましく
は４０〜６０％であり、２０％未満では残膜率及び解像
性が低下し、８０％を超えると、感度の低下が著しく、
またスカムが増加するので好ましくない。（Ｂ）感光性
成分は、上記一般式（I）で表される化合物の他に、他
のキノンジアジドエステル化物も用いることができ、例
えば、２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン、
２，４，４’−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，
３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，
２’，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、
２，３’，４，４’，６−ペンタヒドロキシベンゾフェ
ノン、２，２’，３，４，４’−ペンタヒドロキシベン
ゾフェノン、２，２’，３，４，５’−ペンタヒドロキ
シベンゾフェノン、２，３’，４，５，５’−ペンタヒ
ドロキシベンゾフェノン、２，３，３’，４，４’，
５’−ヘキサヒドロキシベンゾフェノンなどのポリヒド
ロキシベンゾフェノン類のキノンジアジドエステル化物
や、フェノール、ｐ−メトキシフェノール、ジメチルフ
ェノール、ヒドロキノン、ナフトール、ピロカテコー
ル、ピロガロールモノメチルエーテル、ピロガロール−
１，３−ジメチルエーテル、没食子酸、部分エステル化
または部分エーテル化没食子酸などのフェノール類のキ
ノンジアジドエステル化物が挙げられる。他のキノンジ
アジドエステル化物を用いる場合、その配合量は、
（Ｂ）成分中、５０重量％以下、とくには４０重量％以
下が好ましく、５０重量％を超えると解像性が著しく劣
り好ましくない。本発明のポジ型ホトレジスト組成物に
おいて、（Ｂ）成分の配合量は、（Ａ）成分であるアル
カリ可溶性樹脂と所望に応じて添加される下記（Ｄ）感
度向上剤との合計量に対し１０〜６０重量％、好ましく
は２０〜５０重量％の範囲で選ぶのが好ましい。（Ｂ）
成分の配合量が上記範囲を下回るとパターンに忠実な画
像が得られず、転写性も低下する。一方、（Ｂ）成分の
配合量が上記範囲を上回ると感度劣化と形成されるレジ
スト膜の均質性が低下し、解像性が劣化する。
【００５３】（Ｃ）成分
本発明では、３６５ｎｍの波長の光に対するグラム吸光
係数が５〜６０、好ましくは２０〜５０の化合物を添加
することにより、露光時の光源の焦点がプラス側にずれ
た場合のパターン形成能、およびアンダー露光余裕度の
改善に好適である。また（Ｃ）成分の添加により、１．
０μｍ以下、とくに０．２〜０．８μｍの薄膜プロセス
においても、基板上に形成した感光性膜が露光時の光エ
ネルギーを十分に吸収することができ、０．３μｍ以下
の超微細なレジストパターンを形成することが可能とな
る。なお、グラム吸光係数が５未満であると、露光時の
光源の焦点がプラス側にずれた場合のパターン形成能、
およびアンダー露光余裕度の改善効果に乏しく、６０を
超えると、感度の低下が著しく、また露光時の光源の焦
点がプラス側にずれた場合のパターン形成能に劣る傾向
にあるので好ましくない。なお、本発明でいうグラム吸
光係数とは、単に吸光係数とも呼ばれるものであって、
吸光度を（Ａｓ）、試料厚み（セル内部の厚み）をｂ
（ｃｍ）、試料の濃度をｃ（ｇ／ｌ）としたときに、グ
ラム吸光係数（ａｓ）＝（Ａｓ）／（ｂ・ｃ）で定義さ
れるものである（化学大辞典１、ｐ.９５０、昭和４６
年２月５日発行、共立出版（株）参照）。なお、セルと
しては、セル内部の厚みが１ｃｍの石英セルを用いるの
が好ましく、その測定方法としては、例えば機器分析の
てびき（１）（ｐ.９７〜ｐ.１１５、１９８９年、４月
１日発行、（株）化学同人）に記載されているような方
法で測定することができる。このような化合物として
は、例えば、２，２’，４，４’−テトラヒドロキシベ
ンゾフェノン（グラム吸光係数４７．４）、一般式
（V）で示される
係数が５〜６０、好ましくは２０〜５０の化合物を添加
することにより、露光時の光源の焦点がプラス側にずれ
た場合のパターン形成能、およびアンダー露光余裕度の
改善に好適である。また（Ｃ）成分の添加により、１．
０μｍ以下、とくに０．２〜０．８μｍの薄膜プロセス
においても、基板上に形成した感光性膜が露光時の光エ
ネルギーを十分に吸収することができ、０．３μｍ以下
の超微細なレジストパターンを形成することが可能とな
る。なお、グラム吸光係数が５未満であると、露光時の
光源の焦点がプラス側にずれた場合のパターン形成能、
およびアンダー露光余裕度の改善効果に乏しく、６０を
超えると、感度の低下が著しく、また露光時の光源の焦
点がプラス側にずれた場合のパターン形成能に劣る傾向
にあるので好ましくない。なお、本発明でいうグラム吸
光係数とは、単に吸光係数とも呼ばれるものであって、
吸光度を（Ａｓ）、試料厚み（セル内部の厚み）をｂ
（ｃｍ）、試料の濃度をｃ（ｇ／ｌ）としたときに、グ
ラム吸光係数（ａｓ）＝（Ａｓ）／（ｂ・ｃ）で定義さ
れるものである（化学大辞典１、ｐ.９５０、昭和４６
年２月５日発行、共立出版（株）参照）。なお、セルと
しては、セル内部の厚みが１ｃｍの石英セルを用いるの
が好ましく、その測定方法としては、例えば機器分析の
てびき（１）（ｐ.９７〜ｐ.１１５、１９８９年、４月
１日発行、（株）化学同人）に記載されているような方
法で測定することができる。このような化合物として
は、例えば、２，２’，４，４’−テトラヒドロキシベ
ンゾフェノン（グラム吸光係数４７．４）、一般式
（V）で示される
【００５４】
【化２０】
【００５５】、一般式（VI）で示される
【００５６】
【化２１】
【００５７】および一般式（VII）で示される
【００５８】
【化２２】
【００５９】などが挙げられる。（Ｃ）成分の配合量
は、１．０μｍを越える膜厚の場合、（Ａ）成分、
（Ｂ）成分および所望により添加される（Ｄ）感度向上
剤の合計量に対し０．１〜５．０重量％、とくに０．５
〜３．０重量％が好ましく、１．０μｍ以下、とくに
０．２〜０．８μｍの薄膜の場合、０．５〜１５重量
％、とくに５〜１０重量％が好ましい。この範囲未満で
あると、解像性が低下する傾向があり、また露光時の光
源の焦点がプラス側にずれた場合のパターン形成能、お
よびアンダー露光余裕度の改善効果に乏しく、この範囲
を超えると、感度が低下する傾向があり、また露光時の
光源の焦点がプラス側にずれた場合のパターン形成能の
改善効果に乏しく好ましくない。
は、１．０μｍを越える膜厚の場合、（Ａ）成分、
（Ｂ）成分および所望により添加される（Ｄ）感度向上
剤の合計量に対し０．１〜５．０重量％、とくに０．５
〜３．０重量％が好ましく、１．０μｍ以下、とくに
０．２〜０．８μｍの薄膜の場合、０．５〜１５重量
％、とくに５〜１０重量％が好ましい。この範囲未満で
あると、解像性が低下する傾向があり、また露光時の光
源の焦点がプラス側にずれた場合のパターン形成能、お
よびアンダー露光余裕度の改善効果に乏しく、この範囲
を超えると、感度が低下する傾向があり、また露光時の
光源の焦点がプラス側にずれた場合のパターン形成能の
改善効果に乏しく好ましくない。
【００６０】（Ｄ）感度向上剤（増感剤）
（Ｄ）感度向上剤（増感剤）としては、とくに制限はな
く公知のものを用いることができる。例えば、（Ｄ）成
分としては、上記の一般式（I）で表される化合物を使
用することができ、例えばビス（４−ヒドロキシ−２，
３，５−トリメチルフェニル）−２−ヒドロキシフェニ
ルメタン、１，４−ビス［１−（３，５−ジメチル−４
−ヒドロキシフェニル）イソプロピル］ベンゼン、２，
４−ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル
メチル）−６−メチルフェノール、ビス（４−ヒドロキ
シ−３，５−ジメチルフェニル）−２−ヒドロキシフェ
ニルメタン、ビス（４−ヒドロキシ−２，５−ジメチル
フェニル）−２−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（４
−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）−３，４−
ジヒドロキシフェニルメタン、１−［１−（４−ヒドロ
キシフェニル）イソプロピル］−４−［１，１−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）エチル］ベンゼン、１−
［１−（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）イソプ
ロピル］−４−［１，１−ビス（３−メチル−４−ヒド
ロキシフェニル）エチル］ベンゼン、２，６−ビス［１
−（２，４−ジヒドロキシフェニル）イソプロピル］−
４−メチルフェノール、４，６−ビス［１−（４−ヒド
ロキシフェニル）イソプロピル］レゾルシン、４，６−
ビス（３，５−ジメトキシ−４−ヒドロキシフェニルメ
チル）ピロガロール、４，６−ビス（３，５−ジメチル
−４−ヒドロキシフェニルメチル）ピロガロール、２，
６−ビス（３−メチル−４，６−ジヒドロキシフェニル
メチル）−４−メチルフェノール、２，６−ビス（２，
３，４−トリヒドロキシフェニルメチル）−４−メチル
フェノール、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）
シクロヘキサン等が挙げられる。またその他、６−ヒド
ロキシ−４ａ−（２，４−ジヒドロキシフェニル）−９
−１’−スピロシクロヘキシル−１，２，３，４，４
ａ，９ａ−ヘキサヒドロキサンテン、６−ヒドロキシ−
５−メチル−４ａ−（２，４−ジヒドロキシ−３−メチ
ルフェニル）−９−１’−スピロシクロヘキシル−１，
２，３，４，４ａ，９ａ−ヘキサヒドロキサンテン等も
用いることができる。中でも１，１−ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）シクロヘキサン、ビス（４−ヒドロキシ
−３，５−ジメチルフェニル）−３，４−ジヒドロキシ
フェニルメタン、２，６−ビス（３，５−ジメチル−４
−ヒドロキシベンジル）−４−メチルフェノールなどが
好ましい。これら（Ｄ）成分を配合する場合、その含有
量は（Ａ）成分であるアルカリ可溶性樹脂成分に対し５
〜５０重量％、好ましくは１０〜３５重量％の範囲で選
ばれる。
く公知のものを用いることができる。例えば、（Ｄ）成
分としては、上記の一般式（I）で表される化合物を使
用することができ、例えばビス（４−ヒドロキシ−２，
３，５−トリメチルフェニル）−２−ヒドロキシフェニ
ルメタン、１，４−ビス［１−（３，５−ジメチル−４
−ヒドロキシフェニル）イソプロピル］ベンゼン、２，
４−ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル
メチル）−６−メチルフェノール、ビス（４−ヒドロキ
シ−３，５−ジメチルフェニル）−２−ヒドロキシフェ
ニルメタン、ビス（４−ヒドロキシ−２，５−ジメチル
フェニル）−２−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（４
−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）−３，４−
ジヒドロキシフェニルメタン、１−［１−（４−ヒドロ
キシフェニル）イソプロピル］−４−［１，１−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）エチル］ベンゼン、１−
［１−（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）イソプ
ロピル］−４−［１，１−ビス（３−メチル−４−ヒド
ロキシフェニル）エチル］ベンゼン、２，６−ビス［１
−（２，４−ジヒドロキシフェニル）イソプロピル］−
４−メチルフェノール、４，６−ビス［１−（４−ヒド
ロキシフェニル）イソプロピル］レゾルシン、４，６−
ビス（３，５−ジメトキシ−４−ヒドロキシフェニルメ
チル）ピロガロール、４，６−ビス（３，５−ジメチル
−４−ヒドロキシフェニルメチル）ピロガロール、２，
６−ビス（３−メチル−４，６−ジヒドロキシフェニル
メチル）−４−メチルフェノール、２，６−ビス（２，
３，４−トリヒドロキシフェニルメチル）−４−メチル
フェノール、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）
シクロヘキサン等が挙げられる。またその他、６−ヒド
ロキシ−４ａ−（２，４−ジヒドロキシフェニル）−９
−１’−スピロシクロヘキシル−１，２，３，４，４
ａ，９ａ−ヘキサヒドロキサンテン、６−ヒドロキシ−
５−メチル−４ａ−（２，４−ジヒドロキシ−３−メチ
ルフェニル）−９−１’−スピロシクロヘキシル−１，
２，３，４，４ａ，９ａ−ヘキサヒドロキサンテン等も
用いることができる。中でも１，１−ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）シクロヘキサン、ビス（４−ヒドロキシ
−３，５−ジメチルフェニル）−３，４−ジヒドロキシ
フェニルメタン、２，６−ビス（３，５−ジメチル−４
−ヒドロキシベンジル）−４−メチルフェノールなどが
好ましい。これら（Ｄ）成分を配合する場合、その含有
量は（Ａ）成分であるアルカリ可溶性樹脂成分に対し５
〜５０重量％、好ましくは１０〜３５重量％の範囲で選
ばれる。
【００６１】本発明のポジ型ホトレジスト組成物には、
解像度、露光余裕度、残膜率の向上を目的として、ｐ−
トルエンスルホン酸クロライド（ＰＴＳＣ）、４，４’
−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン、１，４−ビ
ス〔１−（２−メチル−４−ヒドロキシ−５−シクロヘ
キシルフェニル）イソプロピル〕ベンゼン、１，３−ビ
ス〔１−（２−メチル−４−ヒドロキシ−５−シクロヘ
キシルフェニル）イソプロピル〕ベンゼン等を、組成物
に対しそれぞれ０．０１〜１０重量％程度の範囲内で添
加してもよい。
解像度、露光余裕度、残膜率の向上を目的として、ｐ−
トルエンスルホン酸クロライド（ＰＴＳＣ）、４，４’
−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン、１，４−ビ
ス〔１−（２−メチル−４−ヒドロキシ−５−シクロヘ
キシルフェニル）イソプロピル〕ベンゼン、１，３−ビ
ス〔１−（２−メチル−４−ヒドロキシ−５−シクロヘ
キシルフェニル）イソプロピル〕ベンゼン等を、組成物
に対しそれぞれ０．０１〜１０重量％程度の範囲内で添
加してもよい。
【００６２】また本発明のポジ型ホトレジスト組成物に
は、さらに必要に応じて、相容性のある添加物、例えば
ハレーション防止のための紫外線吸収剤、例えば４−ジ
メチルアミノ−２’，４’−ジヒドロキシベンゾフェノ
ン、５−アミノ−３−メチル−１−フェニル−４−（４
−ヒドロキシフェニルアゾ）ピラゾール、４−ジメチル
アミノ−４’−ヒドロキシアゾベンゼン、４−ジエチル
アミノ−４’−エトキシアゾベンゼン、４,４’−ジエ
チルアミノアゾベンゼン、クルクミン等や、またストリ
エーション防止のための界面活性剤、例えばフロラード
ＦＣ−４３０、ＦＣ４３１（商品名、住友３Ｍ（株）
製）、エフトップＥＦ１２２Ａ、ＥＦ１２２Ｂ、ＥＦ１
２２Ｃ、ＥＦ１２６（商品名、トーケムプロダクツ
（株）製）等のフッ素系界面活性剤などを本発明の目的
に支障のない範囲で添加含有させることができる。
は、さらに必要に応じて、相容性のある添加物、例えば
ハレーション防止のための紫外線吸収剤、例えば４−ジ
メチルアミノ−２’，４’−ジヒドロキシベンゾフェノ
ン、５−アミノ−３−メチル−１−フェニル−４−（４
−ヒドロキシフェニルアゾ）ピラゾール、４−ジメチル
アミノ−４’−ヒドロキシアゾベンゼン、４−ジエチル
アミノ−４’−エトキシアゾベンゼン、４,４’−ジエ
チルアミノアゾベンゼン、クルクミン等や、またストリ
エーション防止のための界面活性剤、例えばフロラード
ＦＣ−４３０、ＦＣ４３１（商品名、住友３Ｍ（株）
製）、エフトップＥＦ１２２Ａ、ＥＦ１２２Ｂ、ＥＦ１
２２Ｃ、ＥＦ１２６（商品名、トーケムプロダクツ
（株）製）等のフッ素系界面活性剤などを本発明の目的
に支障のない範囲で添加含有させることができる。
【００６３】本発明のポジ型ホトレジスト組成物は、
（Ａ）〜（Ｄ）成分および各種添加成分とを、適当な溶
剤に溶解して溶液の形で用いるのが好ましい。このよう
な溶剤の例としては、従来のポジ型ホトレジスト組成物
に用いられる溶剤を挙げることができ、例えばアセト
ン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルイ
ソアミルケトン、２−ヘプタノン等のケトン類；エチレ
ングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリ
コール、エチレングリコールモノアセテート、プロピレ
ングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモ
ノアセテート、あるいはこれらのモノメチルエーテル、
モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチ
ルエーテルまたはモノフェニルエーテル等の多価アルコ
ール類およびその誘導体；ジオキサンのような環式エー
テル類；および乳酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、
酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メ
トキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチ
ル等のエステル類を挙げることができる。これらは単独
で用いてもよいし、２種以上を混合して用いてもよい。
とくにアセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノ
ン、メチルイソアミルケトン、２−ヘプタノン等のケト
ン類；乳酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチ
ル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプ
ロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル等のエ
ステル類が好ましい。
（Ａ）〜（Ｄ）成分および各種添加成分とを、適当な溶
剤に溶解して溶液の形で用いるのが好ましい。このよう
な溶剤の例としては、従来のポジ型ホトレジスト組成物
に用いられる溶剤を挙げることができ、例えばアセト
ン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルイ
ソアミルケトン、２−ヘプタノン等のケトン類；エチレ
ングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリ
コール、エチレングリコールモノアセテート、プロピレ
ングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモ
ノアセテート、あるいはこれらのモノメチルエーテル、
モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチ
ルエーテルまたはモノフェニルエーテル等の多価アルコ
ール類およびその誘導体；ジオキサンのような環式エー
テル類；および乳酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、
酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メ
トキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチ
ル等のエステル類を挙げることができる。これらは単独
で用いてもよいし、２種以上を混合して用いてもよい。
とくにアセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノ
ン、メチルイソアミルケトン、２−ヘプタノン等のケト
ン類；乳酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチ
ル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプ
ロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル等のエ
ステル類が好ましい。
【００６４】本発明の組成物の好適な使用方法について
一例を示すと、まず、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）
成分または（Ｄ）成分並びに必要に応じて添加される各
種成分を、前記したような適当な溶剤に溶解し、これを
スピンナー等でシリコーンウェーハ、あるいは反射防止
膜が形成された支持体上に塗布し、乾燥して感光層を形
成させ、次いで紫外線を発光する光源、例えば低圧水銀
灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、アーク等、キセノンラ
ンプ等を用い、所望のマスクパターンを介して露光する
か、あるいは電子線を走査しながら照射する。次にこれ
を現像液、例えば１〜１０重量％テトラメチルアンモニ
ウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶液のようなアルカリ
性水溶液に浸漬すると、露光部が溶解除去されてマスク
パターンに忠実な画像を得ることができる。
一例を示すと、まず、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）
成分または（Ｄ）成分並びに必要に応じて添加される各
種成分を、前記したような適当な溶剤に溶解し、これを
スピンナー等でシリコーンウェーハ、あるいは反射防止
膜が形成された支持体上に塗布し、乾燥して感光層を形
成させ、次いで紫外線を発光する光源、例えば低圧水銀
灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、アーク等、キセノンラ
ンプ等を用い、所望のマスクパターンを介して露光する
か、あるいは電子線を走査しながら照射する。次にこれ
を現像液、例えば１〜１０重量％テトラメチルアンモニ
ウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶液のようなアルカリ
性水溶液に浸漬すると、露光部が溶解除去されてマスク
パターンに忠実な画像を得ることができる。
【００６５】
【実施例】以下本発明を実施例および比較例によりさら
に説明する。本発明のポジ型ホトレジスト組成物を用い
て１．０μｍを越える膜厚での評価を行った。なお、ポ
ジ型ホトレジスト組成物の諸物性は次のようにして求め
た。
に説明する。本発明のポジ型ホトレジスト組成物を用い
て１．０μｍを越える膜厚での評価を行った。なお、ポ
ジ型ホトレジスト組成物の諸物性は次のようにして求め
た。
【００６６】（１）感度：試料をスピンナーを用いてシ
リコンウェーハ上に塗布し、これをホットプレート上で
９０℃、９０秒間乾燥して膜厚１．０５μmのレジスト
膜を得た。この膜にラインアンドスペース（Ｌ＆Ｓ）が
１：１の０．３５μｍレジストパターン対応のマスク
（レチクル）を介して縮小投影露光装置ＮＳＲ−２００
５ｉ１０Ｄ（ニコン社製、ＮＡ＝０．５７）を用いて、
０．１秒から０．０１秒間隔で露光したのち、１１０
℃、９０秒間のＰＥＢ（露光後加熱）処理を行い、２．
３８重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶
液で２３℃にて６０秒間現像し、３０秒間水洗して乾燥
したとき、０．３５μｍＬ＆Ｓ幅が１：１に形成される
最適露光時間（Ｅｏｐ）を感度としてミリ秒（ｍｓ）単
位で表した。
リコンウェーハ上に塗布し、これをホットプレート上で
９０℃、９０秒間乾燥して膜厚１．０５μmのレジスト
膜を得た。この膜にラインアンドスペース（Ｌ＆Ｓ）が
１：１の０．３５μｍレジストパターン対応のマスク
（レチクル）を介して縮小投影露光装置ＮＳＲ−２００
５ｉ１０Ｄ（ニコン社製、ＮＡ＝０．５７）を用いて、
０．１秒から０．０１秒間隔で露光したのち、１１０
℃、９０秒間のＰＥＢ（露光後加熱）処理を行い、２．
３８重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶
液で２３℃にて６０秒間現像し、３０秒間水洗して乾燥
したとき、０．３５μｍＬ＆Ｓ幅が１：１に形成される
最適露光時間（Ｅｏｐ）を感度としてミリ秒（ｍｓ）単
位で表した。
【００６７】（２）アンダー露光余裕度：試料をスピン
ナーを用いてシリコンウェーハ上に塗布し、これをホッ
トプレート上で９０℃、９０秒間乾燥して膜厚１．０５
μmのレジスト膜を得た。この膜にＬ＆Ｓが１：１の
０．３５μｍレジストパターン対応のマスク（レチク
ル）を介して縮小投影露光装置ＮＳＲ−２００５ｉ１０
Ｄ（ニコン社製、ＮＡ＝０．５７）を用いて、０．１秒
から０．０１秒間隔で露光したのち、１１０℃、９０秒
間のＰＥＢ（露光後加熱）処理を行い、２．３８重量％
テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で２３℃
にて６０秒間現像し、３０秒間水洗して乾燥したとき、
現像後に分離パターンを形成することができる最小露光
量（Ｅｓ）をミリ秒（ｍｓ）単位で表し、アンダー露光
余裕度をＥｏｐ／Ｅｓとして表した。
ナーを用いてシリコンウェーハ上に塗布し、これをホッ
トプレート上で９０℃、９０秒間乾燥して膜厚１．０５
μmのレジスト膜を得た。この膜にＬ＆Ｓが１：１の
０．３５μｍレジストパターン対応のマスク（レチク
ル）を介して縮小投影露光装置ＮＳＲ−２００５ｉ１０
Ｄ（ニコン社製、ＮＡ＝０．５７）を用いて、０．１秒
から０．０１秒間隔で露光したのち、１１０℃、９０秒
間のＰＥＢ（露光後加熱）処理を行い、２．３８重量％
テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で２３℃
にて６０秒間現像し、３０秒間水洗して乾燥したとき、
現像後に分離パターンを形成することができる最小露光
量（Ｅｓ）をミリ秒（ｍｓ）単位で表し、アンダー露光
余裕度をＥｏｐ／Ｅｓとして表した。
【００６８】（３−１）プラス側焦点深度幅特性：Ｅｏ
ｐ露光量において、焦点をプラス側（基板側）にずらし
たときに、Ｌ＆Ｓが１：１の０．３５μｍのレジストパ
ターンを、設定寸法の±１０％の変化率の範囲内で形成
することができる限界のずれ幅をプラス側焦点深度幅特
性とし、μｍ単位で表した。
ｐ露光量において、焦点をプラス側（基板側）にずらし
たときに、Ｌ＆Ｓが１：１の０．３５μｍのレジストパ
ターンを、設定寸法の±１０％の変化率の範囲内で形成
することができる限界のずれ幅をプラス側焦点深度幅特
性とし、μｍ単位で表した。
【００６９】（３−２）トータル焦点深度幅特性：Ｅｏ
ｐ露光量において、焦点を適宜上下にずらしたときに、
Ｌ＆Ｓが１：１の０．３５μｍのレジストパターンを、
設定寸法の±１０％の変化率の範囲内で形成することが
できる限界のずれ幅をトータル焦点深度幅特性とし、μ
ｍ単位で表した。
ｐ露光量において、焦点を適宜上下にずらしたときに、
Ｌ＆Ｓが１：１の０．３５μｍのレジストパターンを、
設定寸法の±１０％の変化率の範囲内で形成することが
できる限界のずれ幅をトータル焦点深度幅特性とし、μ
ｍ単位で表した。
【００７０】（４）解像性：０．３５μｍのマスクパタ
ーンを再現する露光量における限界解像度で表した。
ーンを再現する露光量における限界解像度で表した。
【００７１】
（実施例１）
（Ａ）成分：樹脂成分
アルカリ可溶性ノボラック樹脂 １００重量部
[ｍ−クレゾール：ｐ−クレゾール：２，５−キシレノール＝５：１：４（モル
比）で構成される低分子量フラクションを除去したもの（Ｍｗ＝６８００）]
（Ｂ）成分：感光剤
ｂ１／ｂ２＝７／１（重量比） ５７重量部
〔ｂ１：ビス[２，５−ジメチル−３−（２−ヒドロキシ−５−メチルベンジル
）−４−ヒドロキシフェニル]メタン１モルと１，２−ナフトキノンジアジド−
５−スルホン酸クロライド（５−ＮＱＤ）２モルとのエステル化物、ｂ２：没食
子酸メチル１モルと５−ＮＱＤ３モルとのエステル化物〕
（Ｃ）成分：（Ａ＋Ｂ＋Ｄの１．０重量％）
下記一般式（V）で表される化合物 １．９重量部
【００７２】
【化２３】
【００７３】
（Ｄ）成分：感度向上剤（増感剤）
ｄ１／ｄ２＝１／１ ３３重量部
〔ｄ１：下記一般式（ｄ1）
【００７４】
【化２４】
【００７５】で表されるフェノール化合物、およびｄ
２：下記一般式（ｄ２）
２：下記一般式（ｄ２）
【００７６】
【化２５】
【００７７】で表されるフェノール化合物]
上記（Ａ）〜（Ｄ）を２−ヘプタノン４７０重量部に溶
解した後、これを孔径０．２μｍのメンブランフィルタ
ーを用いてろ過し、ポジ型ホトレジスト組成物を調製し
た。
解した後、これを孔径０．２μｍのメンブランフィルタ
ーを用いてろ過し、ポジ型ホトレジスト組成物を調製し
た。
【００７８】（実施例２）（Ｃ）成分を下記一般式（V
I）で表される化合物に代えた以外は実施例１と同様に
してポジ型ホトレジスト組成物を調製した。
I）で表される化合物に代えた以外は実施例１と同様に
してポジ型ホトレジスト組成物を調製した。
【００７９】
【化２６】
【００８０】（実施例３）（Ｃ）成分を下記一般式（VI
I）で表される化合物に代えた以外は実施例１と同様に
してポジ型ホトレジスト組成物を調製した。
I）で表される化合物に代えた以外は実施例１と同様に
してポジ型ホトレジスト組成物を調製した。
【００８１】
【化２７】
【００８２】
【００８３】（実施例４）
（Ｃ）成分の添加量を０．９５重量部（Ａ＋Ｂ＋Ｄの
０．５重量％）に代えた以外は実施例１と同様にしてポ
ジ型ホトレジスト組成物を調製した。
０．５重量％）に代えた以外は実施例１と同様にしてポ
ジ型ホトレジスト組成物を調製した。
【００８４】（実施例５）
（Ｃ）成分の添加量を５．７重量部（Ａ＋Ｂ＋Ｄの３．
０重量％）に代えた以外は実施例１と同様にしてポジ型
ホトレジスト組成物を調製した。
０重量％）に代えた以外は実施例１と同様にしてポジ型
ホトレジスト組成物を調製した。
【００８５】（実施例６）
実施例１の（Ｂ）成分で使用したｂ１の代わりに２，６
−ビス[２，５−ジメチル−３−（２−ヒドロキシ−５
−メチルベンジル）−４−ヒドロキシベンジル]−４−
メチルフェノール１モルと５−ＮＱＤ２モルとのエステ
ル化物（ｂ３）を用いた以外は実施例１と同様にしてポ
ジ型ホトレジスト組成物を調製した。
−ビス[２，５−ジメチル−３−（２−ヒドロキシ−５
−メチルベンジル）−４−ヒドロキシベンジル]−４−
メチルフェノール１モルと５−ＮＱＤ２モルとのエステ
ル化物（ｂ３）を用いた以外は実施例１と同様にしてポ
ジ型ホトレジスト組成物を調製した。
【００８６】
【００８７】
【００８８】
【００８９】（比較例１）（Ｃ）成分を添加しなかった
以外は実施例１と同様にしてポジ型ホトレジスト組成物
を調製した。
以外は実施例１と同様にしてポジ型ホトレジスト組成物
を調製した。
【００９０】（比較例２）実施例１の（Ｂ）成分で使用
したｂ１の代わりにｂ５すなわち、下記一般式（i）
したｂ１の代わりにｂ５すなわち、下記一般式（i）
【００９１】
【化２９】
【００９２】で表されるフェノール化合物１モルと５−
ＮＱＤ２モルとのエステル化物（ｂ５）を用いた以外は
実施例１と同様にしてポジ型ホトレジスト組成物を調製
した。
ＮＱＤ２モルとのエステル化物（ｂ５）を用いた以外は
実施例１と同様にしてポジ型ホトレジスト組成物を調製
した。
【００９３】 上記の実施例１〜６および比較例１、２
で調製した塗布液についての上記（１）〜（４）の物性
を表１に示した。また、実施例１および比較例１、２の
組成物を用いた場合のアンダー露光余裕度および焦点深
度幅の関係を図２〜図４に示す（プロセスウィンド
ウ）。図２〜図４において、横欄は露光時間（ミリ秒）
であり、縦欄は焦点深度幅（μｍ）である。なお、斜線
部分は、設定寸法（ラインアンドスペースが０．３５μ
ｍで１：１）の±１０％の範囲を表す。図２の実施例１
では、斜線部分が広く、焦点深度幅特性およびアンダー
露光余裕度に優れているのがわかる。これに比べて比較
例１の図３および比較例２の図４では、実施例１の図２
に比べて、斜線部分が狭く、焦点深度幅特性およびアン
ダー露光余裕度に劣っていることが分かる。
で調製した塗布液についての上記（１）〜（４）の物性
を表１に示した。また、実施例１および比較例１、２の
組成物を用いた場合のアンダー露光余裕度および焦点深
度幅の関係を図２〜図４に示す（プロセスウィンド
ウ）。図２〜図４において、横欄は露光時間（ミリ秒）
であり、縦欄は焦点深度幅（μｍ）である。なお、斜線
部分は、設定寸法（ラインアンドスペースが０．３５μ
ｍで１：１）の±１０％の範囲を表す。図２の実施例１
では、斜線部分が広く、焦点深度幅特性およびアンダー
露光余裕度に優れているのがわかる。これに比べて比較
例１の図３および比較例２の図４では、実施例１の図２
に比べて、斜線部分が狭く、焦点深度幅特性およびアン
ダー露光余裕度に劣っていることが分かる。
【００９４】
【表１】
【００９５】
【００９６】
【００９７】
【００９８】
【００９９】
【発明の効果】本発明によれば、とくに０．３５μｍ以
下の高解像性を必要とする超ＬＳＩの作製において、高
感度、高解像性であり、かつ焦点深度幅特性、アンダー
露光余裕度が改善されたポジ型ホトレジスト組成物が提
供される。また本発明は、０．２〜０．８μｍの薄膜プ
ロセスにおいて、とくに０．３０μｍ以下の超微細なレ
ジストパターンの形成能に優れるポジ型ホトレジスト組
成物が提供される。
下の高解像性を必要とする超ＬＳＩの作製において、高
感度、高解像性であり、かつ焦点深度幅特性、アンダー
露光余裕度が改善されたポジ型ホトレジスト組成物が提
供される。また本発明は、０．２〜０．８μｍの薄膜プ
ロセスにおいて、とくに０．３０μｍ以下の超微細なレ
ジストパターンの形成能に優れるポジ型ホトレジスト組
成物が提供される。
【図１】露光時の光源の焦点位置とレジストパターン形
成の関係を示す図である。
成の関係を示す図である。
【図２】実施例１の組成物を用いた場合のプロセスウィ
ンドウを示す図である。
ンドウを示す図である。
【図３】比較例１の組成物を用いた場合のプロセスウィ
ンドウを示す図である。
ンドウを示す図である。
【図４】比較例２の組成物を用いた場合のプロセスウィ
ンドウを示す図である。
ンドウを示す図である。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 中山 寿昌
神奈川県川崎市中原区中丸子150番地
東京応化工業株式会社内
(56)参考文献 特開 平９−15850（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−320554（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−295214（ＪＰ，Ａ)
特開 平10−213905（ＪＰ，Ａ)
特開 平10−213906（ＪＰ，Ａ)
特開 平１−44439（ＪＰ，Ａ)
特開 平11−249311（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−286370（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G03F 7/00 - 7/42
Claims (6)
- 【請求項１】 （Ａ）アルカリ可溶性樹脂、（Ｂ）下記
一般式（Ｉ−ａ） 【化１】 〔式中、Ｒ１〜Ｒ８はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲ
ン原子、炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数１
〜６のアルコキシル基、またはシクロアルキル基を表
し；ａおよびｂは１〜３の整数を表し；ｄは０〜３の整
数を表し；ｍは１〜３の整数を表す〕で表される化合物
の中から選ばれる少なくとも１種のキノンジアジドエス
テル化物を含有する感光性成分、および（Ｃ）下記一般
式（V）、（VI）および（VII） 【化２】 【化３】 【化４】 で表される化合物から選ばれる化合物を含有して成る
（ただし、光酸発生剤を含有しない）ポジ型ホトレジス
ト組成物。 - 【請求項２】 （Ａ）成分は、フェノール化合物とアル
デヒド類またはケトン類との縮合反応により合成され、
該フェノール化合物として下記一般式（III） 【化５】 （式中、Ｒ１４は水素原子または炭素原子数１〜５のア
ルキル基を表す）で表されるフェノール化合物を１〜２
０モル％、ｍ−クレゾールを３０〜９５モル％および
２，５−キシレノールを２〜５０モル％の範囲で使用し
たアルカリ可溶性ノボラック樹脂であることを特徴とす
る請求項１に記載のポジ型ホトレジスト組成物。 - 【請求項３】 （Ａ）成分の合成に使用されるフェノー
ル化合物として、さらにｐ−クレゾール、３，４−キシ
レノール、３，５−キシレノールおよびそれらのジメチ
ロール誘導体からなる群から選ばれる少なくとも１種の
フェノール化合物を１〜３０モル％の範囲で使用したこ
とを特徴とする請求項２に記載のポジ型ホトレジスト組
成物。 - 【請求項４】 （Ａ）成分は、フェノール化合物とし
て、２，５−キシレノールの代わりに下記一般式（IV） 【化６】 （式中、ｅは０または１を表す）で表されるフェノール
化合物を１〜２５モル％の範囲で使用したことを特徴と
する請求項２に記載のポジ型ホトレジスト組成物。 - 【請求項５】 請求項１ないし４のいずれか１項に記載
のポジ型ホトレジスト組成物を基板上に塗布し、乾燥し
て膜厚０．２〜０．８μｍの感光性膜を基板上に形成し
てなることを特徴とする感光性膜付基板。 - 【請求項６】 請求項５に記載の感光性膜付基板にｉ線
（３６５ｎｍ）の選択的露光をおこない、レジストパタ
ーンを形成することを特徴とするレジストパターンの形
成方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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