JP3192548B2 - ポジ型ホトレジスト組成物 - Google Patents
ポジ型ホトレジスト組成物Info
- Publication number
- JP3192548B2 JP3192548B2 JP08510694A JP8510694A JP3192548B2 JP 3192548 B2 JP3192548 B2 JP 3192548B2 JP 08510694 A JP08510694 A JP 08510694A JP 8510694 A JP8510694 A JP 8510694A JP 3192548 B2 JP3192548 B2 JP 3192548B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- bis
- positive photoresist
- photoresist composition
- methyl
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
- G03F7/0226—Quinonediazides characterised by the non-macromolecular additives
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は新規なポジ型ホトレジス
ト組成物、さらに詳しくは、特に凹凸を有する基板や反
射率の高い基板において、高解像性、高感度、かつ焦点
深度幅特性、露光余裕度特性、微細パターンの形成能力
に優れたポジ型ホトレジスト組成物に関するものであ
る。
ト組成物、さらに詳しくは、特に凹凸を有する基板や反
射率の高い基板において、高解像性、高感度、かつ焦点
深度幅特性、露光余裕度特性、微細パターンの形成能力
に優れたポジ型ホトレジスト組成物に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＩＣやＬＳＩなどの半導体デバイ
スやＬＣＤなどの液晶デバイスの製造プロセスにおける
ホトレジストとしては、被膜形成用のアルカリ可溶性樹
脂にキノンジアジド基含有化合物から成る感光性成分と
を組み合わせたポジ型ホトレジスト組成物が実用化され
ている。
スやＬＣＤなどの液晶デバイスの製造プロセスにおける
ホトレジストとしては、被膜形成用のアルカリ可溶性樹
脂にキノンジアジド基含有化合物から成る感光性成分と
を組み合わせたポジ型ホトレジスト組成物が実用化され
ている。
【０００３】被膜形成用のアルカリ可溶性樹脂として
は、現像液であるアルカリ水溶液に対し膨潤することな
く溶解可能で現像特性に優れ、またエッチング時のマス
クとしてもプラズマエッチングに対して優れた耐熱性を
有している点などからノボラック型樹脂が有用である。
は、現像液であるアルカリ水溶液に対し膨潤することな
く溶解可能で現像特性に優れ、またエッチング時のマス
クとしてもプラズマエッチングに対して優れた耐熱性を
有している点などからノボラック型樹脂が有用である。
【０００４】また、感光性成分のキノンジアジド基含有
化合物は、それ自身がノボラック型樹脂のアルカリ溶解
性を抑制する作用がある一方で、紫外線（ｇ線、ｉ
線）、エキシマレーザーを含む遠紫外線などの電磁波、
電子線などの粒子線の照射又は描画を感受すると、アル
カリ可溶性に変化するとともにノボラック型樹脂のアル
カリ溶解性を促進する作用を有する点で特異なものであ
る。このように電磁波や粒子線などの放射線を受けるこ
とによって大きな性質変化を有するキノンジアジド基含
有化合物とアルカリ可溶性ノボラック型樹脂を含有する
多くのポジ型ホトレジスト組成物が開発され、実用化さ
れている（例えば米国特許第４３７７６３１号明細書、
特開昭６２−３５３４９号公報、特開平１−１４２５４
８号公報、特開平１−１７９１４７号公報、特公平３−
４８９７号公報）。
化合物は、それ自身がノボラック型樹脂のアルカリ溶解
性を抑制する作用がある一方で、紫外線（ｇ線、ｉ
線）、エキシマレーザーを含む遠紫外線などの電磁波、
電子線などの粒子線の照射又は描画を感受すると、アル
カリ可溶性に変化するとともにノボラック型樹脂のアル
カリ溶解性を促進する作用を有する点で特異なものであ
る。このように電磁波や粒子線などの放射線を受けるこ
とによって大きな性質変化を有するキノンジアジド基含
有化合物とアルカリ可溶性ノボラック型樹脂を含有する
多くのポジ型ホトレジスト組成物が開発され、実用化さ
れている（例えば米国特許第４３７７６３１号明細書、
特開昭６２−３５３４９号公報、特開平１−１４２５４
８号公報、特開平１−１７９１４７号公報、特公平３−
４８９７号公報）。
【０００５】しかしながら、半導体デバイスや液晶デバ
イスの集積度は近年ますます高まり、超ＬＳＩの製造に
おいては、サブミクロン、ハーフミクロン以下の超微細
パターンの加工精度が要求されるため、使用するポジ型
ホトレジスト組成物に要望される特性としては、高解像
性であること、断面形状に優れていること、ドライエッ
チングや放射線照射後、現像前の加熱操作により熱変形
を起こさない耐熱性に優れたレジストパターンを形成で
きること、高生産性の点から高感度であること、さらに
は基板段差に影響を受けることなくマスクパターンに忠
実なレジストパターンを再現できるための焦点深度幅特
性に優れていること、その他ハレーション防止効果に優
れていること、十分な露光余裕度があることなどが挙げ
られる。
イスの集積度は近年ますます高まり、超ＬＳＩの製造に
おいては、サブミクロン、ハーフミクロン以下の超微細
パターンの加工精度が要求されるため、使用するポジ型
ホトレジスト組成物に要望される特性としては、高解像
性であること、断面形状に優れていること、ドライエッ
チングや放射線照射後、現像前の加熱操作により熱変形
を起こさない耐熱性に優れたレジストパターンを形成で
きること、高生産性の点から高感度であること、さらに
は基板段差に影響を受けることなくマスクパターンに忠
実なレジストパターンを再現できるための焦点深度幅特
性に優れていること、その他ハレーション防止効果に優
れていること、十分な露光余裕度があることなどが挙げ
られる。
【０００６】このような要求特性の改善をはかるべく、
レジスト組成物に特定の添加物を含有させたものが種々
提案されているが、いずれにも問題がある。例えば、ト
リヒドロキシベンゾフェノンを含有させたポジ型ホトレ
ジスト組成物（特開昭６１−１４１４４１号公報）は感
度、現像性は向上しているが、耐熱性に劣る。また、ｏ
‐ナフトキノンジアジドスルホン酸とフェノールノボラ
ック樹脂のエステル化物から成る感光層に光吸収剤（ハ
レーション防止剤）として４，４′‐ジメチルアミノベ
ンゾフェノン、４，４′‐ジエチルアミノベンゾフェノ
ンなどを１〜２０重量％の範囲で添加したもの（特開昭
６１−２４１７５９号公報）は、この添加物が１重量％
未満では十分なハレーション防止効果が得られないし、
１重量％以上では添加物自体が感光層の感光波長領域で
大きな光吸収効果を示すため感度の劣化を引き起こす上
に、この感光層から成るレジスト組成物ではハーフミク
ロン以下の微細パターンの形成が困難であるという問題
がある。さらに、アルカリ可溶性樹脂及び１，２‐ナフ
トキノンジアジド基を含む化合物から成るポジ型ホトレ
ジスト組成物に、４‐アミノベンゾフェノン類、２‐カ
ルボキシ‐４‐アミノベンゾフェノン類あるいはそれら
の誘導体を添加したハレーション防止効果の高いレジス
ト組成物が提案されているが（特開平５−１１９４７４
号公報）、これらの添加物では解像度が０．５〜０．６
μｍ程度が限界であり、ハーフミクロン以下の超微細パ
ターンの形成にはまだ不十分である。
レジスト組成物に特定の添加物を含有させたものが種々
提案されているが、いずれにも問題がある。例えば、ト
リヒドロキシベンゾフェノンを含有させたポジ型ホトレ
ジスト組成物（特開昭６１−１４１４４１号公報）は感
度、現像性は向上しているが、耐熱性に劣る。また、ｏ
‐ナフトキノンジアジドスルホン酸とフェノールノボラ
ック樹脂のエステル化物から成る感光層に光吸収剤（ハ
レーション防止剤）として４，４′‐ジメチルアミノベ
ンゾフェノン、４，４′‐ジエチルアミノベンゾフェノ
ンなどを１〜２０重量％の範囲で添加したもの（特開昭
６１−２４１７５９号公報）は、この添加物が１重量％
未満では十分なハレーション防止効果が得られないし、
１重量％以上では添加物自体が感光層の感光波長領域で
大きな光吸収効果を示すため感度の劣化を引き起こす上
に、この感光層から成るレジスト組成物ではハーフミク
ロン以下の微細パターンの形成が困難であるという問題
がある。さらに、アルカリ可溶性樹脂及び１，２‐ナフ
トキノンジアジド基を含む化合物から成るポジ型ホトレ
ジスト組成物に、４‐アミノベンゾフェノン類、２‐カ
ルボキシ‐４‐アミノベンゾフェノン類あるいはそれら
の誘導体を添加したハレーション防止効果の高いレジス
ト組成物が提案されているが（特開平５−１１９４７４
号公報）、これらの添加物では解像度が０．５〜０．６
μｍ程度が限界であり、ハーフミクロン以下の超微細パ
ターンの形成にはまだ不十分である。
【０００７】他方、露光装置の面から、レンズの開口数
を大きくすることにより、解像度の向上を期待する向き
もあるが、レンズの開口数の増加は焦点深度幅の狭幅化
を起こすため、レンズの開口数が増大化しても焦点深度
幅特性の狭幅化を起こさないポジ型ホトレジストが強く
要望されている。
を大きくすることにより、解像度の向上を期待する向き
もあるが、レンズの開口数の増加は焦点深度幅の狭幅化
を起こすため、レンズの開口数が増大化しても焦点深度
幅特性の狭幅化を起こさないポジ型ホトレジストが強く
要望されている。
【０００８】このように、従来のポジ型ホトレジスト組
成物では上記要望に対し必ずしも十分に対応しきれてい
ないのが現状である。
成物では上記要望に対し必ずしも十分に対応しきれてい
ないのが現状である。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
事情のもとで、高解像性で、断面形状及び耐熱性に優れ
たレジストパターンを形成でき、かつ高感度で、しかも
焦点深度幅特性及びハレーション防止効果に優れるとと
もに、十分な露光余裕度のあるポジ型ホトレジスト組成
物を提供することを目的としてなされたものである。
事情のもとで、高解像性で、断面形状及び耐熱性に優れ
たレジストパターンを形成でき、かつ高感度で、しかも
焦点深度幅特性及びハレーション防止効果に優れるとと
もに、十分な露光余裕度のあるポジ型ホトレジスト組成
物を提供することを目的としてなされたものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記の好
ましい性質を有するポジ型ホトレジスト組成物を開発す
べく鋭意研究を重ねた結果、アルカリ可溶性樹脂と、ナ
フトキノン‐１，２‐ジアジドスルホン酸のエステル化
合物とから成るポジ型ホトレジスト組成物に、特定のジ
アルキルアミノベンゾフェノンと、特定のヒドロキシベ
ンゾフェノン類、水酸基とアミノ基をもつベンゾフェノ
ン類又はフェニルアゾ基をもつピラゾール類との混合物
を添加物として所定量配合することにより、その目的を
達成しうることを見出し、この知見に基づいて本発明を
完成するに至った。
ましい性質を有するポジ型ホトレジスト組成物を開発す
べく鋭意研究を重ねた結果、アルカリ可溶性樹脂と、ナ
フトキノン‐１，２‐ジアジドスルホン酸のエステル化
合物とから成るポジ型ホトレジスト組成物に、特定のジ
アルキルアミノベンゾフェノンと、特定のヒドロキシベ
ンゾフェノン類、水酸基とアミノ基をもつベンゾフェノ
ン類又はフェニルアゾ基をもつピラゾール類との混合物
を添加物として所定量配合することにより、その目的を
達成しうることを見出し、この知見に基づいて本発明を
完成するに至った。
【００１１】すなわち、本発明は、アルカリ可溶性樹脂
とナフトキノン‐１，２‐ジアジドスルホン酸のエステ
ル化合物とを必須成分として含有するポジ型ホトレジス
トに対し、ハレーション防止剤として、（Ａ）４，４′
‐ビス（ジアルキルアミノ）ベンゾフェノンと（Ｂ）一
般式（Ｉ）
とナフトキノン‐１，２‐ジアジドスルホン酸のエステ
ル化合物とを必須成分として含有するポジ型ホトレジス
トに対し、ハレーション防止剤として、（Ａ）４，４′
‐ビス（ジアルキルアミノ）ベンゾフェノンと（Ｂ）一
般式（Ｉ）
【化４】 （式中のＲ1及びＲ2は水酸基又は低級アルコキシル基で
あり、ｎは１又は２の整数、ｍは０又は１〜３の整数で
ある）で表わされる化合物、一般式（ＩＩ）
あり、ｎは１又は２の整数、ｍは０又は１〜３の整数で
ある）で表わされる化合物、一般式（ＩＩ）
【化５】 （式中のＲ3及びＲ4は水素原子又は低級アルキル基であ
り、ｐは１〜３の整数である）で表わされる化合物及び
一般式（ＩＩＩ）
り、ｐは１〜３の整数である）で表わされる化合物及び
一般式（ＩＩＩ）
【化６】 ［式中のＲ5及びＲ6は水素原子、ハロゲン原子、水酸
基、ニトロ基、カルボキシル基、ヒドロキシアルキル
基、シアノ基、低級アルキル基又は低級アルコキシル
基、Ｒ7はアリール基、低級アルキル基又はジアルキル
アミノフェニル基、Ｒ8は水素原子又は低級アルキル
基、Ｒ9は水酸基、アミノ基又はＯＺ（Ｚはナフトキノ
ン‐１，２‐ジアジドスルホニル基である）である］で
表わされる化合物の中から選ばれた少なくとも１種の化
合物との重量比１：１０ないし２：１の混合物を０．１
〜５．０重量％の割合で配合したことを特徴とするポジ
型ホトレジスト組成物を提供するものである。
基、ニトロ基、カルボキシル基、ヒドロキシアルキル
基、シアノ基、低級アルキル基又は低級アルコキシル
基、Ｒ7はアリール基、低級アルキル基又はジアルキル
アミノフェニル基、Ｒ8は水素原子又は低級アルキル
基、Ｒ9は水酸基、アミノ基又はＯＺ（Ｚはナフトキノ
ン‐１，２‐ジアジドスルホニル基である）である］で
表わされる化合物の中から選ばれた少なくとも１種の化
合物との重量比１：１０ないし２：１の混合物を０．１
〜５．０重量％の割合で配合したことを特徴とするポジ
型ホトレジスト組成物を提供するものである。
【００１２】本発明組成物においては、基材として、被
膜形成物質として用いられるアルカリ可溶性樹脂と感光
性物質として用いられるナフトキノン‐１，２‐ジアジ
ドスルホン酸エステル化合物とを必須成分として含有す
るポジ型ホトレジスト組成物が用いられる。
膜形成物質として用いられるアルカリ可溶性樹脂と感光
性物質として用いられるナフトキノン‐１，２‐ジアジ
ドスルホン酸エステル化合物とを必須成分として含有す
るポジ型ホトレジスト組成物が用いられる。
【００１３】このアルカリ可溶性樹脂については特に制
限はなく、通常使用されているものの中から任意に選ぶ
ことができるが、好ましいものとしては、フェノール、
クレゾールやキシレノールなどの芳香族ヒドロキシ化合
物とホルムアルデヒドなどのアルデヒド類あるいはアセ
トンなどのケトン類との縮合反応生成物、ポリヒドロキ
シスチレン、その誘導体などを挙げることができる。
限はなく、通常使用されているものの中から任意に選ぶ
ことができるが、好ましいものとしては、フェノール、
クレゾールやキシレノールなどの芳香族ヒドロキシ化合
物とホルムアルデヒドなどのアルデヒド類あるいはアセ
トンなどのケトン類との縮合反応生成物、ポリヒドロキ
シスチレン、その誘導体などを挙げることができる。
【００１４】前記芳香族ヒドロキシ化合物としては、例
えばフェノール、ｍ‐クレゾール、ｐ‐クレゾール、ｏ
‐クレゾール、２，３‐キシレノール、２，５‐キシレ
ノール、３，５‐キシレノール、３，４‐キシレノール
などのキシレノール類、ｍ‐エチルフェノール、ｐ‐エ
チルフェノール、ｏ‐エチルフェノール、２，３，５‐
トリメチルフェノール、２，３，５‐トリエチルフェノ
ール、４‐ｔｅｒｔ‐ブチルフェノール、３‐ｔｅｒｔ
‐ブチルフェノール、２‐ｔｅｒｔ‐ブチルフェノー
ル、２‐ｔｅｒｔ‐ブチル‐４‐メチルフェノール、２
‐ｔｅｒｔ‐ブチル‐５‐メチルフェノール、６‐ｔｅ
ｒｔ‐ブチル‐３‐メチルフェノールなどのアルキルフ
ェノール類、ｐ‐メトキシフェノール、ｍ‐メトキシフ
ェノール、ｐ‐エトキシフェノール、ｍ‐エトキシフェ
ノール、ｐ‐プロポキシフェノール、ｍ‐プロポキシフ
ェノールなどのアルコキシフェノール類、ｏ‐イソプロ
ペニルフェノール、ｐ‐イソプロペニルフェノール、２
‐メチル‐４‐イソプロペニルフェノール、２‐エチル
‐４‐イソプロペニルフェノールなどのイソプロペニル
フェノール類、フェニルフェノールなどのアリールフェ
ノール類、４，４′‐ジヒドロキシビフェニル、ビスフ
ェノールＡ、レゾルシノール、ヒドロキノン、ピロガロ
ールなどのポリヒドロキシフェノール類などを挙げるこ
とができる。これらは単独で用いてもよいし、また２種
以上を組み合わせて用いてもよい。これらの芳香族ヒド
ロキシ化合物の中では、特にｍ‐クレゾール、ｐ‐クレ
ゾール、２，５‐キシレノール、３，５‐キシレノー
ル、２，３，５‐トリメチルフェノールが好ましい。
えばフェノール、ｍ‐クレゾール、ｐ‐クレゾール、ｏ
‐クレゾール、２，３‐キシレノール、２，５‐キシレ
ノール、３，５‐キシレノール、３，４‐キシレノール
などのキシレノール類、ｍ‐エチルフェノール、ｐ‐エ
チルフェノール、ｏ‐エチルフェノール、２，３，５‐
トリメチルフェノール、２，３，５‐トリエチルフェノ
ール、４‐ｔｅｒｔ‐ブチルフェノール、３‐ｔｅｒｔ
‐ブチルフェノール、２‐ｔｅｒｔ‐ブチルフェノー
ル、２‐ｔｅｒｔ‐ブチル‐４‐メチルフェノール、２
‐ｔｅｒｔ‐ブチル‐５‐メチルフェノール、６‐ｔｅ
ｒｔ‐ブチル‐３‐メチルフェノールなどのアルキルフ
ェノール類、ｐ‐メトキシフェノール、ｍ‐メトキシフ
ェノール、ｐ‐エトキシフェノール、ｍ‐エトキシフェ
ノール、ｐ‐プロポキシフェノール、ｍ‐プロポキシフ
ェノールなどのアルコキシフェノール類、ｏ‐イソプロ
ペニルフェノール、ｐ‐イソプロペニルフェノール、２
‐メチル‐４‐イソプロペニルフェノール、２‐エチル
‐４‐イソプロペニルフェノールなどのイソプロペニル
フェノール類、フェニルフェノールなどのアリールフェ
ノール類、４，４′‐ジヒドロキシビフェニル、ビスフ
ェノールＡ、レゾルシノール、ヒドロキノン、ピロガロ
ールなどのポリヒドロキシフェノール類などを挙げるこ
とができる。これらは単独で用いてもよいし、また２種
以上を組み合わせて用いてもよい。これらの芳香族ヒド
ロキシ化合物の中では、特にｍ‐クレゾール、ｐ‐クレ
ゾール、２，５‐キシレノール、３，５‐キシレノー
ル、２，３，５‐トリメチルフェノールが好ましい。
【００１５】前記アルデヒド類としては、例えばホルム
アルデヒド、パラホルムアルデヒド、トリオキサン、ア
セトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、ブチルアルデ
ヒド、トリメチルアセトアルデヒド、アクロレイン、ク
ロトンアルデヒド、シクロヘキサンアルデヒド、フルフ
ラール、フリルアクロレイン、ベンズアルデヒド、テレ
フタルアルデヒド、フェニルアセトアルデヒド、α‐フ
ェニルプロピルアルデヒド、β‐フェニルプロピルアル
デヒド、ｏ‐ヒドロキシベンズアルデヒド、ｍ‐ヒドロ
キシベンズアルデヒド、ｐ‐ヒドロキシベンズアルデヒ
ド、ｏ‐メチルベンズアルデヒド、ｍ‐メチルベンズア
ルデヒド、ｐ‐メチルベンズアルデヒド、ｏ‐クロロベ
ンズアルデヒド、ｍ‐クロロベンズアルデヒド、ｐ‐ク
ロロベンズアルデヒド、ケイ皮アルデヒドなどが挙げら
れる。これらは単独で用いてもよいし、また２種以上を
組み合わせて用いてもよい。これらのアルデヒド類の中
では、入手のしやすさからホルムアルデヒドが好ましい
が、特に耐熱性を向上させるためにはヒドロキシベンズ
アルデヒド類とホルムアルデヒドを組み合わせて用いる
と好ましい。
アルデヒド、パラホルムアルデヒド、トリオキサン、ア
セトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、ブチルアルデ
ヒド、トリメチルアセトアルデヒド、アクロレイン、ク
ロトンアルデヒド、シクロヘキサンアルデヒド、フルフ
ラール、フリルアクロレイン、ベンズアルデヒド、テレ
フタルアルデヒド、フェニルアセトアルデヒド、α‐フ
ェニルプロピルアルデヒド、β‐フェニルプロピルアル
デヒド、ｏ‐ヒドロキシベンズアルデヒド、ｍ‐ヒドロ
キシベンズアルデヒド、ｐ‐ヒドロキシベンズアルデヒ
ド、ｏ‐メチルベンズアルデヒド、ｍ‐メチルベンズア
ルデヒド、ｐ‐メチルベンズアルデヒド、ｏ‐クロロベ
ンズアルデヒド、ｍ‐クロロベンズアルデヒド、ｐ‐ク
ロロベンズアルデヒド、ケイ皮アルデヒドなどが挙げら
れる。これらは単独で用いてもよいし、また２種以上を
組み合わせて用いてもよい。これらのアルデヒド類の中
では、入手のしやすさからホルムアルデヒドが好ましい
が、特に耐熱性を向上させるためにはヒドロキシベンズ
アルデヒド類とホルムアルデヒドを組み合わせて用いる
と好ましい。
【００１６】前記ケトン類としては、例えばアセトン、
メチルエチルケトン、ジエチルケトン、ジフェニルケト
ンなとが挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、
また２種以上を組み合わせて用いてもよい。芳香族ヒド
ロキシ化合物とケトン類との組み合わせにおいては、ピ
ロガロールとアセトンとのそれが好ましい。
メチルエチルケトン、ジエチルケトン、ジフェニルケト
ンなとが挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、
また２種以上を組み合わせて用いてもよい。芳香族ヒド
ロキシ化合物とケトン類との組み合わせにおいては、ピ
ロガロールとアセトンとのそれが好ましい。
【００１７】芳香族ヒドロキシ化合物とアルデヒド類ま
たはケトン類との縮合反応生成物は、酸性触媒の存在下
公知の方法で製造することができる。その際の酸性触媒
としては、塩酸、硫酸、ギ酸、酢酸、シュウ酸、パラト
ルエンスルホン酸などを使用することができる。このよ
うにして得られた縮合生成物は、分別などの処理を施す
ことによって低分子領域をカットしたものが耐熱性に優
れているので好ましい。分別などの処理は、縮合反応に
より得られた樹脂を良溶媒、例えばメタノール、エタノ
ールなどのアルコール、アセトン、メチルエチルケトン
などのケトン、エチレングリコールモノエチルエーテル
アセテート、テトラヒドロフランなどに溶解し、次いで
水中に注ぎ沈殿させるなどの方法により行われる。縮合
反応生成物の好適な重量平均分子量は、２０００〜２５
０００、好ましくは２５００〜２００００の範囲で選ば
れる。ここで重量平均分子量は、ゲルパーミエーション
クロマトグラフィー法によるポリスチレン換算値であ
る。
たはケトン類との縮合反応生成物は、酸性触媒の存在下
公知の方法で製造することができる。その際の酸性触媒
としては、塩酸、硫酸、ギ酸、酢酸、シュウ酸、パラト
ルエンスルホン酸などを使用することができる。このよ
うにして得られた縮合生成物は、分別などの処理を施す
ことによって低分子領域をカットしたものが耐熱性に優
れているので好ましい。分別などの処理は、縮合反応に
より得られた樹脂を良溶媒、例えばメタノール、エタノ
ールなどのアルコール、アセトン、メチルエチルケトン
などのケトン、エチレングリコールモノエチルエーテル
アセテート、テトラヒドロフランなどに溶解し、次いで
水中に注ぎ沈殿させるなどの方法により行われる。縮合
反応生成物の好適な重量平均分子量は、２０００〜２５
０００、好ましくは２５００〜２００００の範囲で選ば
れる。ここで重量平均分子量は、ゲルパーミエーション
クロマトグラフィー法によるポリスチレン換算値であ
る。
【００１８】前記ポリヒドロキシスチレン及びその誘導
体としては、例えばビニルフェノールの単独重合体、ビ
ニルフェノールとそれと共重合しうるコモノマーとの共
重合体などが挙げられる。このコモノマーとしては、例
えばアクリル酸誘導体、アクリロニトリル、メタクリル
酸誘導体、メタクリロニトリル、スチレン、α‐メチル
スチレン、ｐ‐メチルスチレン、ｏ‐メチルスチレン、
ｐ‐メトキシスチレン、ｐ‐クロロスチレンなどのスチ
レン誘導体などが挙げられる。
体としては、例えばビニルフェノールの単独重合体、ビ
ニルフェノールとそれと共重合しうるコモノマーとの共
重合体などが挙げられる。このコモノマーとしては、例
えばアクリル酸誘導体、アクリロニトリル、メタクリル
酸誘導体、メタクリロニトリル、スチレン、α‐メチル
スチレン、ｐ‐メチルスチレン、ｏ‐メチルスチレン、
ｐ‐メトキシスチレン、ｐ‐クロロスチレンなどのスチ
レン誘導体などが挙げられる。
【００１９】本発明組成物の基材として用いられるポジ
型ホトレジスト組成物において、感光性物質として用い
られるナフトキノン‐１，２‐ジアジドスルホン酸エス
テル化合物については特に制限はなく、通常使用されて
いるものの中から任意に選ぶことができるが、好ましい
ものとしては、ナフトキノン‐１，２‐ジアジド‐５‐
スルホン酸、ナフトキノン‐１，２‐ジアジド‐４‐ス
ルホン酸、ナフトキノン‐１，２‐ジアジド‐６‐スル
ホン酸などのナフトキノン‐１，２‐ジアジドスルホン
酸とヒドロキシ化合物とのエステル化物が用いられる。
このエステル化合物としては完全エステル化物であって
もよいし、また部分エステル化物であってもよい。
型ホトレジスト組成物において、感光性物質として用い
られるナフトキノン‐１，２‐ジアジドスルホン酸エス
テル化合物については特に制限はなく、通常使用されて
いるものの中から任意に選ぶことができるが、好ましい
ものとしては、ナフトキノン‐１，２‐ジアジド‐５‐
スルホン酸、ナフトキノン‐１，２‐ジアジド‐４‐ス
ルホン酸、ナフトキノン‐１，２‐ジアジド‐６‐スル
ホン酸などのナフトキノン‐１，２‐ジアジドスルホン
酸とヒドロキシ化合物とのエステル化物が用いられる。
このエステル化合物としては完全エステル化物であって
もよいし、また部分エステル化物であってもよい。
【００２０】また、前記のヒドロキシ化合物としては、
例えば以下に示す（イ）〜（ニ）の化合物を挙げること
ができる。 （イ）ポリヒドロキシベンゾフェノン類； これに属する化合物の例としては、２，３，４‐トリヒ
ドロキシベンゾフェノン、２，４，４′‐トリヒドロキ
シベンゾフェノン、２，４，６‐トリヒドロキシベンゾ
フェノン、２，３，４，４′‐テトラヒドロキシベンゾ
フェノン、２，２′，４，４′‐テトラヒドロキシベン
ゾフェノン、２，３′，４，４′，６‐ペンタヒドロキ
シベンゾフェノン、２，２′，３，４，４′‐ペンタヒ
ドロキシベンゾフェノン、２，２′，３，４，５′‐ペ
ンタヒドロキシベンゾフェノン、２，３′，４，５，
５′‐ペンタヒドロキシベンゾフェノン、２，３，
３′，４，４′，５′‐ヘキサヒドロキシベンゾフェノ
ンなどがある。
例えば以下に示す（イ）〜（ニ）の化合物を挙げること
ができる。 （イ）ポリヒドロキシベンゾフェノン類； これに属する化合物の例としては、２，３，４‐トリヒ
ドロキシベンゾフェノン、２，４，４′‐トリヒドロキ
シベンゾフェノン、２，４，６‐トリヒドロキシベンゾ
フェノン、２，３，４，４′‐テトラヒドロキシベンゾ
フェノン、２，２′，４，４′‐テトラヒドロキシベン
ゾフェノン、２，３′，４，４′，６‐ペンタヒドロキ
シベンゾフェノン、２，２′，３，４，４′‐ペンタヒ
ドロキシベンゾフェノン、２，２′，３，４，５′‐ペ
ンタヒドロキシベンゾフェノン、２，３′，４，５，
５′‐ペンタヒドロキシベンゾフェノン、２，３，
３′，４，４′，５′‐ヘキサヒドロキシベンゾフェノ
ンなどがある。
【００２１】（ロ）一般式
【化７】 （式中のＲ10〜Ｒ12は水素原子又は低級アルキル基、Ｒ
13〜Ｒ18は水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基、
低級アルコキシル基、低級アルケニル基又はシクロアル
キル基、Ｒ19及びＲ20は水素原子、ハロゲン原子又は低
級アルキル基、ｘ、ｙ及びｚは１〜３の整数、ｎ′は０
又は１である）で表わされるヒドロキシアリール化合
物； これに属する化合物の例としては、トリス（４‐ヒドロ
キシフェニル）メタン、ビス（４‐ヒドロキシ‐３，５
‐ジメチルフェニル）‐４‐ヒドロキシフェニルメタ
ン、ビス（４‐ヒドロキシ‐３，５‐ジメチルフェニ
ル）‐３‐ヒドロキシフェニルメタン、ビス（４‐ヒド
ロキシ‐３，５‐ジメチルフェニル）‐２‐ヒドロキシ
フェニルメタン、ビス（４‐ヒドロキシ‐２，５‐ジメ
チルフェニル）‐４‐ヒドロキシフェニルメタン、ビス
（４‐ヒドロキシ‐２，５‐ジメチルフェニル）‐３‐
ヒドロキシフェニルメタン、ビス（４‐ヒドロキシ‐
２，５‐ジメチルフェニル）‐２‐ヒドロキシフェニル
メタン、ビス（４‐ヒドロキシ‐３，５‐ジメチルフェ
ニル）‐３，４‐ジヒドロキシフェニルメタン、ビス
（４‐ヒドロキシ‐２，５‐ジメチルフェニル）‐３，
４‐ジヒドロキシフェニルメタン、ビス（４‐ヒドロキ
シ‐３，５‐ジメチルフェニル）‐２，４‐ジヒドロキ
シフェニルメタン、ビス（４‐ヒドロキシ‐２，５‐ジ
メチルフェニル）‐２，４‐ジヒドロキシフェニルメタ
ン、ビス（４‐ヒドロキシフェニル）‐３‐メトキシ‐
４‐ヒドロキシフェニルメタン、ビス（３‐シクロヘキ
シル‐４‐ヒドロキシフェニル）‐３‐ヒドロキシフェ
ニルメタン、ビス（３‐シクロヘキシル‐４‐ヒドロキ
シフェニル）‐２‐ヒドロキシフェニルメタン、ビス
（３‐シクロヘキシル‐４‐ヒドロキシフェニル）‐４
‐ヒドロキシフェニルメタン、ビス（３‐シクロヘキシ
ル‐４‐ヒドロキシ‐６‐メチルフェニル）‐２‐ヒド
ロキシフェニルメタン、ビス（３‐シクロヘキシル‐４
‐ヒドロキシ‐６‐メチルフェニル）‐３‐ヒドロキシ
フェニルメタン、ビス（３‐シクロヘキシル‐４‐ヒド
ロキシ‐６‐メチルフェニル）‐４‐ヒドロキシフェニ
ルメタン、ビス（３‐シクロヘキシル‐４‐ヒドロキシ
‐６‐メチルフェニル）‐３，４‐ジヒドロキシフェニ
ルメタン、ビス（３‐シクロヘキシル‐６‐ヒドロキシ
フェニル）‐３‐ヒドロキシフェニルメタン、ビス（３
‐シクロヘキシル‐６‐ヒドロキシフェニル）‐４‐ヒ
ドロキシフェニルメタン、ビス（３‐シクロヘキシル‐
６‐ヒドロキシフェニル）‐２‐ヒドロキシフェニルメ
タン、ビス（３‐シクロヘキシル‐６‐ヒドロキシ‐４
‐メチルフェニル）‐２‐ヒドロキシフェニルメタン、
ビス（３‐シクロヘキシル‐６‐ヒドロキシ‐４‐メチ
ルフェニル）‐４‐ヒドロキシフェニルメタン、ビス
（３‐シクロヘキシル‐６‐ヒドロキシ‐４‐メチルフ
ェニル）‐３，４‐ジヒドロキシフェニルメタン、１‐
［１‐（４‐ヒドロキシフェニル）イソプロピル］‐４
‐［１，１‐ビス（４‐ヒドロキシフェニル）エチル］
ベンゼン、１‐［１‐（３‐メチル‐４‐ヒドロキシフ
ェニル）イソプロピル］‐４‐［１，１‐ビス（３‐メ
チル‐４‐ヒドロキシフェニル）エチル］ベンゼンなど
がある。
13〜Ｒ18は水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基、
低級アルコキシル基、低級アルケニル基又はシクロアル
キル基、Ｒ19及びＲ20は水素原子、ハロゲン原子又は低
級アルキル基、ｘ、ｙ及びｚは１〜３の整数、ｎ′は０
又は１である）で表わされるヒドロキシアリール化合
物； これに属する化合物の例としては、トリス（４‐ヒドロ
キシフェニル）メタン、ビス（４‐ヒドロキシ‐３，５
‐ジメチルフェニル）‐４‐ヒドロキシフェニルメタ
ン、ビス（４‐ヒドロキシ‐３，５‐ジメチルフェニ
ル）‐３‐ヒドロキシフェニルメタン、ビス（４‐ヒド
ロキシ‐３，５‐ジメチルフェニル）‐２‐ヒドロキシ
フェニルメタン、ビス（４‐ヒドロキシ‐２，５‐ジメ
チルフェニル）‐４‐ヒドロキシフェニルメタン、ビス
（４‐ヒドロキシ‐２，５‐ジメチルフェニル）‐３‐
ヒドロキシフェニルメタン、ビス（４‐ヒドロキシ‐
２，５‐ジメチルフェニル）‐２‐ヒドロキシフェニル
メタン、ビス（４‐ヒドロキシ‐３，５‐ジメチルフェ
ニル）‐３，４‐ジヒドロキシフェニルメタン、ビス
（４‐ヒドロキシ‐２，５‐ジメチルフェニル）‐３，
４‐ジヒドロキシフェニルメタン、ビス（４‐ヒドロキ
シ‐３，５‐ジメチルフェニル）‐２，４‐ジヒドロキ
シフェニルメタン、ビス（４‐ヒドロキシ‐２，５‐ジ
メチルフェニル）‐２，４‐ジヒドロキシフェニルメタ
ン、ビス（４‐ヒドロキシフェニル）‐３‐メトキシ‐
４‐ヒドロキシフェニルメタン、ビス（３‐シクロヘキ
シル‐４‐ヒドロキシフェニル）‐３‐ヒドロキシフェ
ニルメタン、ビス（３‐シクロヘキシル‐４‐ヒドロキ
シフェニル）‐２‐ヒドロキシフェニルメタン、ビス
（３‐シクロヘキシル‐４‐ヒドロキシフェニル）‐４
‐ヒドロキシフェニルメタン、ビス（３‐シクロヘキシ
ル‐４‐ヒドロキシ‐６‐メチルフェニル）‐２‐ヒド
ロキシフェニルメタン、ビス（３‐シクロヘキシル‐４
‐ヒドロキシ‐６‐メチルフェニル）‐３‐ヒドロキシ
フェニルメタン、ビス（３‐シクロヘキシル‐４‐ヒド
ロキシ‐６‐メチルフェニル）‐４‐ヒドロキシフェニ
ルメタン、ビス（３‐シクロヘキシル‐４‐ヒドロキシ
‐６‐メチルフェニル）‐３，４‐ジヒドロキシフェニ
ルメタン、ビス（３‐シクロヘキシル‐６‐ヒドロキシ
フェニル）‐３‐ヒドロキシフェニルメタン、ビス（３
‐シクロヘキシル‐６‐ヒドロキシフェニル）‐４‐ヒ
ドロキシフェニルメタン、ビス（３‐シクロヘキシル‐
６‐ヒドロキシフェニル）‐２‐ヒドロキシフェニルメ
タン、ビス（３‐シクロヘキシル‐６‐ヒドロキシ‐４
‐メチルフェニル）‐２‐ヒドロキシフェニルメタン、
ビス（３‐シクロヘキシル‐６‐ヒドロキシ‐４‐メチ
ルフェニル）‐４‐ヒドロキシフェニルメタン、ビス
（３‐シクロヘキシル‐６‐ヒドロキシ‐４‐メチルフ
ェニル）‐３，４‐ジヒドロキシフェニルメタン、１‐
［１‐（４‐ヒドロキシフェニル）イソプロピル］‐４
‐［１，１‐ビス（４‐ヒドロキシフェニル）エチル］
ベンゼン、１‐［１‐（３‐メチル‐４‐ヒドロキシフ
ェニル）イソプロピル］‐４‐［１，１‐ビス（３‐メ
チル‐４‐ヒドロキシフェニル）エチル］ベンゼンなど
がある。
【００２２】（ハ）一般式
【化８】 （式中のＲ21及びＲ22は水素原子又は低級アルキル基、
ｘ′及びｙ′は１〜３の整数である）で表わされるビス
（ヒドロキシフェニル）アルカン類； これに属する化合物の例としては、２‐（２，３，４‐
トリヒドロキシフェニル）‐２‐（２′，３′，４′‐
トリヒドロキシフェニル）プロパン、２‐（２，４‐ジ
ヒドロキシフェニル）‐２‐（２′，４′‐ジヒドロキ
シフェニル）プロパン、２‐（４‐ヒドロキシフェニ
ル）‐２‐（４′‐ヒドロキシフェニル）プロパン、ビ
ス（２，３，４‐トリヒドロキシフェニル）メタン、ビ
ス（２，４‐ジヒドロキシフェニル）メタンなどがあ
る。
ｘ′及びｙ′は１〜３の整数である）で表わされるビス
（ヒドロキシフェニル）アルカン類； これに属する化合物の例としては、２‐（２，３，４‐
トリヒドロキシフェニル）‐２‐（２′，３′，４′‐
トリヒドロキシフェニル）プロパン、２‐（２，４‐ジ
ヒドロキシフェニル）‐２‐（２′，４′‐ジヒドロキ
シフェニル）プロパン、２‐（４‐ヒドロキシフェニ
ル）‐２‐（４′‐ヒドロキシフェニル）プロパン、ビ
ス（２，３，４‐トリヒドロキシフェニル）メタン、ビ
ス（２，４‐ジヒドロキシフェニル）メタンなどがあ
る。
【００２３】（ニ）ヒドロキシ芳香族化合物類； これに属する化合物の例としては、フェノール、ｐ‐メ
トキシフェノール、ジメチルフェノール、ヒドロキノ
ン、ビスフェノールＡ、ナフトール、ピロカテコール、
ピロガロールモノメチルエーテル、ピロガロール‐１，
３‐ジメチルエーテル、没食子酸、部分エステル化又は
部分エーテル化没食子酸などがある。
トキシフェノール、ジメチルフェノール、ヒドロキノ
ン、ビスフェノールＡ、ナフトール、ピロカテコール、
ピロガロールモノメチルエーテル、ピロガロール‐１，
３‐ジメチルエーテル、没食子酸、部分エステル化又は
部分エーテル化没食子酸などがある。
【００２４】本発明組成物の感光性成分として用いるキ
ノンジアジド基含有化合物は、例えばナフトキノン‐
１，２‐ジアジド‐４（又は５）‐スルホニルハライド
と前記した（イ）〜（ニ）のヒドロキシ化合物とを縮合
反応させ、完全エステル化又は部分エステル化すること
によって製造することができる。この縮合反応は、通常
例えばジオキサン、Ｎ‐メチルピロリドン、ジメチルア
セトアミドなどの有機溶媒中、トリエタノールアミン、
炭酸アルカリ又は炭酸水素アルカリのような塩基性縮合
剤の存在下行うのが有利である。
ノンジアジド基含有化合物は、例えばナフトキノン‐
１，２‐ジアジド‐４（又は５）‐スルホニルハライド
と前記した（イ）〜（ニ）のヒドロキシ化合物とを縮合
反応させ、完全エステル化又は部分エステル化すること
によって製造することができる。この縮合反応は、通常
例えばジオキサン、Ｎ‐メチルピロリドン、ジメチルア
セトアミドなどの有機溶媒中、トリエタノールアミン、
炭酸アルカリ又は炭酸水素アルカリのような塩基性縮合
剤の存在下行うのが有利である。
【００２５】この際、ヒドロキシ化合物の水酸基の合計
モル数に対し、５０％以上、好ましくは６０％以上のモ
ル数のナフトキノン‐１，２‐ジアジド‐４（又は５）
‐スルホニルハライドを縮合させたエステルすなわちエ
ステル化度５０％以上、好ましくは６０％以上のものを
用いると高解像度を得ることができるので好ましい。
モル数に対し、５０％以上、好ましくは６０％以上のモ
ル数のナフトキノン‐１，２‐ジアジド‐４（又は５）
‐スルホニルハライドを縮合させたエステルすなわちエ
ステル化度５０％以上、好ましくは６０％以上のものを
用いると高解像度を得ることができるので好ましい。
【００２６】本発明組成物においては、その好ましい性
能をそこなわない範囲において、所望に応じ前記一般式
（ＩＶ）で表わされるポリヒドロキシ化合物又は
能をそこなわない範囲において、所望に応じ前記一般式
（ＩＶ）で表わされるポリヒドロキシ化合物又は
【化９】 （式中のＲ23〜Ｒ26は水素原子又は低級アルキル基、Ｒ
27〜Ｒ31は水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基又
は低級アルコキシル基、ｌ′，ｍ′，ｐ，ｑは１〜３の
整数、ただしｌ′＋ｍ′＝４である）で表わされるポリ
ヒドロキシ化合物を含有させることができる。
27〜Ｒ31は水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基又
は低級アルコキシル基、ｌ′，ｍ′，ｐ，ｑは１〜３の
整数、ただしｌ′＋ｍ′＝４である）で表わされるポリ
ヒドロキシ化合物を含有させることができる。
【００２７】一般式（ＶＩ）で表わされるポリヒドロキ
シ化合物の例としては、２，６‐ビス［１‐（２，４‐
ジヒドロキシフェニル）イソプロピル］‐４‐メチルフ
ェノール、４，６‐ビス［１‐（４‐ヒドロキシフェニ
ル）イソプロピル］‐レゾルシンすなわち１，３‐ジヒ
ドロキシ‐４，６‐ビス［α‐メチル‐α‐（４′‐ヒ
ドロキシフェニル）エチル］ベンゼン、４，６‐ビス
（３，５‐ジメトキシ‐４‐ヒドロキシフェニルメチ
ル）ピロガロール、４，６‐ビス（３，５‐ジメチル‐
４‐ヒドロキシフェニルメチル）ピロガロール、２，６
‐ビス（３‐メチル‐４，６‐ジヒドロキシフェニルメ
チル）‐４‐メチルフェノール、２，６‐ビス（２，
３，４‐トリヒドロキシフェニルメチル）‐４‐メチル
フェノールなどが好ましい。
シ化合物の例としては、２，６‐ビス［１‐（２，４‐
ジヒドロキシフェニル）イソプロピル］‐４‐メチルフ
ェノール、４，６‐ビス［１‐（４‐ヒドロキシフェニ
ル）イソプロピル］‐レゾルシンすなわち１，３‐ジヒ
ドロキシ‐４，６‐ビス［α‐メチル‐α‐（４′‐ヒ
ドロキシフェニル）エチル］ベンゼン、４，６‐ビス
（３，５‐ジメトキシ‐４‐ヒドロキシフェニルメチ
ル）ピロガロール、４，６‐ビス（３，５‐ジメチル‐
４‐ヒドロキシフェニルメチル）ピロガロール、２，６
‐ビス（３‐メチル‐４，６‐ジヒドロキシフェニルメ
チル）‐４‐メチルフェノール、２，６‐ビス（２，
３，４‐トリヒドロキシフェニルメチル）‐４‐メチル
フェノールなどが好ましい。
【００２８】また、前記一般式（ＩＶ）で表わされるポ
リヒドロキシ化合物としては、先に例示したビス（４‐
ヒドロキシ‐３，５‐ジメチルフェニル）‐２‐ヒドロ
キシフェニルメタン、ビス（４‐ヒドロキシ‐２，５‐
ジメチルフェニル）‐２‐ヒドロキシフェニルメタン、
ビス（４‐ヒドロキシ‐３，５‐ジメチルフェニル）‐
３，４‐ジヒドロキシフェニルメタン、１‐［１‐（４
‐ヒドロキシフェニル）イソプロピル］‐４‐［１，１
‐ビス（４‐ヒドロキシフェニル）エチル］ベンゼン、
１‐［１‐（３‐メチル‐４‐ヒドロキシフェニル）イ
ソプロピル］‐４‐［１，１‐ビス（３‐メチル‐４‐
ヒドロキシフェニル）エチル］ベンゼンが好ましい。こ
れらの化合物を含有させる場合、その含有量はアルカリ
可溶性樹脂成分に対し、５〜５０重量％、好ましくは１
０〜３５重量％の範囲で選ばれる。
リヒドロキシ化合物としては、先に例示したビス（４‐
ヒドロキシ‐３，５‐ジメチルフェニル）‐２‐ヒドロ
キシフェニルメタン、ビス（４‐ヒドロキシ‐２，５‐
ジメチルフェニル）‐２‐ヒドロキシフェニルメタン、
ビス（４‐ヒドロキシ‐３，５‐ジメチルフェニル）‐
３，４‐ジヒドロキシフェニルメタン、１‐［１‐（４
‐ヒドロキシフェニル）イソプロピル］‐４‐［１，１
‐ビス（４‐ヒドロキシフェニル）エチル］ベンゼン、
１‐［１‐（３‐メチル‐４‐ヒドロキシフェニル）イ
ソプロピル］‐４‐［１，１‐ビス（３‐メチル‐４‐
ヒドロキシフェニル）エチル］ベンゼンが好ましい。こ
れらの化合物を含有させる場合、その含有量はアルカリ
可溶性樹脂成分に対し、５〜５０重量％、好ましくは１
０〜３５重量％の範囲で選ばれる。
【００２９】次に、本発明組成物における感光性成分の
配合量は、アルカリ可溶性樹脂と所望に応じて添加され
るポリヒドロキシ化合物との合計量に対し５〜１００重
量％、好ましくは１０〜５０重量％の範囲で選ぶのが好
ましい。この配合量が５重量％未満ではパターンに忠実
な画像が得られず、転写性も低下するし、また１００重
量部を超えると形成されるレジスト膜の均質性が低下
し、解像性が劣化する。
配合量は、アルカリ可溶性樹脂と所望に応じて添加され
るポリヒドロキシ化合物との合計量に対し５〜１００重
量％、好ましくは１０〜５０重量％の範囲で選ぶのが好
ましい。この配合量が５重量％未満ではパターンに忠実
な画像が得られず、転写性も低下するし、また１００重
量部を超えると形成されるレジスト膜の均質性が低下
し、解像性が劣化する。
【００３０】本発明組成物においては、前記基材として
用いられるポジ型ホトレジスト組成物に、前記（Ａ）成
分と前記（Ｂ）成分との混合物をハレーション防止剤と
して配合することが必要である。
用いられるポジ型ホトレジスト組成物に、前記（Ａ）成
分と前記（Ｂ）成分との混合物をハレーション防止剤と
して配合することが必要である。
【００３１】この（Ａ）成分は４，４′‐ビス（ジアル
キルアミノ）ベンゾフェノンであって、例えば４，４′
‐ビス（ジメチルアミノ）ベンゾフェノン、４，４′‐
ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン、４，４′‐ビ
ス（ジ‐ｎ‐プロピルアミノ）ベンゾフェノン、４，
４′‐ビス（ジ‐イソプロピルアミノ）ベンゾフェノ
ン、４，４′‐ビス（ジブチルアミノ）ベンゾフェノ
ン、４‐ジメチルアミノ‐４′‐ジエチルアミノベンゾ
フェノン、４‐（Ｎ‐メチル‐Ｎ‐エチルアミノ）‐
４′‐（Ｎ‐メチル‐Ｎ‐エチルアミノ）ベンゾフェノ
ンなどが挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、
２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中でも
特に４，４′‐ビス（ジメチルアミノ）ベンゾフェノ
ン、４，４′‐ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン
が好ましい。
キルアミノ）ベンゾフェノンであって、例えば４，４′
‐ビス（ジメチルアミノ）ベンゾフェノン、４，４′‐
ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン、４，４′‐ビ
ス（ジ‐ｎ‐プロピルアミノ）ベンゾフェノン、４，
４′‐ビス（ジ‐イソプロピルアミノ）ベンゾフェノ
ン、４，４′‐ビス（ジブチルアミノ）ベンゾフェノ
ン、４‐ジメチルアミノ‐４′‐ジエチルアミノベンゾ
フェノン、４‐（Ｎ‐メチル‐Ｎ‐エチルアミノ）‐
４′‐（Ｎ‐メチル‐Ｎ‐エチルアミノ）ベンゾフェノ
ンなどが挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、
２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中でも
特に４，４′‐ビス（ジメチルアミノ）ベンゾフェノ
ン、４，４′‐ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン
が好ましい。
【００３２】この（Ｂ）成分は前記一般式（Ｉ）、（Ｉ
Ｉ）及び（ＩＩＩ）で表わされる化合物の中から選ばれ
た少なくとも１種の化合物からなるものである。
Ｉ）及び（ＩＩＩ）で表わされる化合物の中から選ばれ
た少なくとも１種の化合物からなるものである。
【００３３】一般式（Ｉ）で表わされるヒドロキシベン
ゾフェノン類としては、例えば２，３，４‐トリヒドロ
キシベンゾフェノン、２，４，４′‐トリヒドロキシベ
ンゾフェノン、２，４，５‐トリヒドロキシベンゾフェ
ノン、２，４，６‐トリヒドロキシベンゾフェノン、
２，２′，３，４‐テトラヒドロキシベンゾフェノン、
２，３，４，４′‐テトラヒドロキシベンゾフェノン、
２，２′，４，４′‐テトラヒドロキシベンゾフェノ
ン、２，２′，３，４，４′‐ペンタヒドロキシベンゾ
フェノン、２，３′，４，４′，６‐ペンタヒドロキシ
ベンゾフェノン、２，３′，４，５，５′，６‐ヘキサ
ヒドロキシベンゾフェノン、２，３，３′，４，４′，
５′‐ヘキサヒドロキシベンゾフェノン、２‐ヒドロキ
シ‐４‐メトキシベンゾフェノン、２，２′‐ジヒドロ
キシ‐４，４′‐ジメトキシベンゾフェノンなどが挙げ
られる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上を組
み合わせて用いてもよい。これらの中で、２，４，５‐
トリヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４，４′‐テ
トラヒドロキシベンゾフェノン、２，２′，４，４′‐
テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，２′，３，４，
４′‐ペンタヒドロキシベンゾフェノン、２，３，
３′，４，４′，５′‐ヘキサヒドロキシベンゾフェノ
ン、２，２′‐ジヒドロキシ‐４，４′‐ジメトキシベ
ンゾフェノンがその吸光特性上ハレーション防止効果が
高く、また感度、露光余裕度特性に優れているため、好
ましい。中でも特に２，２′，４，４′‐テトラヒドロ
キシベンゾフェノンが好ましい。
ゾフェノン類としては、例えば２，３，４‐トリヒドロ
キシベンゾフェノン、２，４，４′‐トリヒドロキシベ
ンゾフェノン、２，４，５‐トリヒドロキシベンゾフェ
ノン、２，４，６‐トリヒドロキシベンゾフェノン、
２，２′，３，４‐テトラヒドロキシベンゾフェノン、
２，３，４，４′‐テトラヒドロキシベンゾフェノン、
２，２′，４，４′‐テトラヒドロキシベンゾフェノ
ン、２，２′，３，４，４′‐ペンタヒドロキシベンゾ
フェノン、２，３′，４，４′，６‐ペンタヒドロキシ
ベンゾフェノン、２，３′，４，５，５′，６‐ヘキサ
ヒドロキシベンゾフェノン、２，３，３′，４，４′，
５′‐ヘキサヒドロキシベンゾフェノン、２‐ヒドロキ
シ‐４‐メトキシベンゾフェノン、２，２′‐ジヒドロ
キシ‐４，４′‐ジメトキシベンゾフェノンなどが挙げ
られる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上を組
み合わせて用いてもよい。これらの中で、２，４，５‐
トリヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４，４′‐テ
トラヒドロキシベンゾフェノン、２，２′，４，４′‐
テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，２′，３，４，
４′‐ペンタヒドロキシベンゾフェノン、２，３，
３′，４，４′，５′‐ヘキサヒドロキシベンゾフェノ
ン、２，２′‐ジヒドロキシ‐４，４′‐ジメトキシベ
ンゾフェノンがその吸光特性上ハレーション防止効果が
高く、また感度、露光余裕度特性に優れているため、好
ましい。中でも特に２，２′，４，４′‐テトラヒドロ
キシベンゾフェノンが好ましい。
【００３４】一般式（ＩＩ）で表わされる水酸基とアミ
ノ基をもつベンゾフェノン類としては、例えば４‐アミ
ノ‐２′‐ヒドロキシベンゾフェノン、４‐アミノ‐
４′‐ヒドロキシベンゾフェノン、４‐ジメチルアミノ
‐２′‐ヒドロキシベンゾフェノン、４‐ジメチルアミ
ノ‐４′‐ヒドロキシベンゾフェノン、４‐ジエチルア
ミノ‐２′‐ヒドロキシベンゾフェノン、４‐ジエチル
アミノ‐４′‐ヒドロキシベンゾフェノン、４‐ジメチ
ルアミノ‐２′，４′‐ジヒドロキシベンゾフェノン、
４‐ジエチルアミノ‐２′，４′‐ジヒドロキシベンゾ
フェノン、４‐アミノ‐２′，４′，６′‐トリヒドロ
キシベンゾフェノン、４‐ジメチルアミノ‐２′，
４′，６′‐トリヒドロキシベンゾフェノン、６‐ジメ
チルアミノ‐２′，４′，６′‐トリヒドロキシベンゾ
フェノンなどが挙げられる。これらは単独で用いてもよ
いし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの
うちで、４‐ジメチルアミノ‐２′‐ヒドロキシベンゾ
フェノン、４‐ジエチルアミノ‐２′‐ヒドロキシベン
ゾフェノンのような４‐ジアルキルアミノ‐２′‐ヒド
ロキシベンゾフェノン類や、４‐ジメチルアミノ‐
２′，４′‐ジヒドロキシベンゾフェノン、４‐ジエチ
ルアミノ‐２′，４′‐ジヒドロキシベンゾフェノンの
ような４‐ジアルキルアミノ‐２′，４′‐ジヒドロキ
シベンゾフェノン類がその吸光特性上ハレーション防止
効果が高く、また感度、露光余裕度特性に優れているた
め、特に好ましい。
ノ基をもつベンゾフェノン類としては、例えば４‐アミ
ノ‐２′‐ヒドロキシベンゾフェノン、４‐アミノ‐
４′‐ヒドロキシベンゾフェノン、４‐ジメチルアミノ
‐２′‐ヒドロキシベンゾフェノン、４‐ジメチルアミ
ノ‐４′‐ヒドロキシベンゾフェノン、４‐ジエチルア
ミノ‐２′‐ヒドロキシベンゾフェノン、４‐ジエチル
アミノ‐４′‐ヒドロキシベンゾフェノン、４‐ジメチ
ルアミノ‐２′，４′‐ジヒドロキシベンゾフェノン、
４‐ジエチルアミノ‐２′，４′‐ジヒドロキシベンゾ
フェノン、４‐アミノ‐２′，４′，６′‐トリヒドロ
キシベンゾフェノン、４‐ジメチルアミノ‐２′，
４′，６′‐トリヒドロキシベンゾフェノン、６‐ジメ
チルアミノ‐２′，４′，６′‐トリヒドロキシベンゾ
フェノンなどが挙げられる。これらは単独で用いてもよ
いし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの
うちで、４‐ジメチルアミノ‐２′‐ヒドロキシベンゾ
フェノン、４‐ジエチルアミノ‐２′‐ヒドロキシベン
ゾフェノンのような４‐ジアルキルアミノ‐２′‐ヒド
ロキシベンゾフェノン類や、４‐ジメチルアミノ‐
２′，４′‐ジヒドロキシベンゾフェノン、４‐ジエチ
ルアミノ‐２′，４′‐ジヒドロキシベンゾフェノンの
ような４‐ジアルキルアミノ‐２′，４′‐ジヒドロキ
シベンゾフェノン類がその吸光特性上ハレーション防止
効果が高く、また感度、露光余裕度特性に優れているた
め、特に好ましい。
【００３５】一般式（ＩＩＩ）で表わされるフェニルア
ゾ基をもつピラゾール類としては、４‐フェニルアゾ‐
５‐アミノピラゾール類や４‐フェニルアゾ‐５‐ヒド
ロキシピラゾール類や４‐フェニルアゾ‐５‐（ＯＺ）
ピラゾール類（Ｚは前記したとおり、ナフトキノン‐
１，２‐ジアジドスルホニル基である）が挙げられる。
ゾ基をもつピラゾール類としては、４‐フェニルアゾ‐
５‐アミノピラゾール類や４‐フェニルアゾ‐５‐ヒド
ロキシピラゾール類や４‐フェニルアゾ‐５‐（ＯＺ）
ピラゾール類（Ｚは前記したとおり、ナフトキノン‐
１，２‐ジアジドスルホニル基である）が挙げられる。
【００３６】４‐フェニルアゾ‐５‐アミノピラゾール
類としては、例えば５‐アミノ‐１‐フェニル‐４‐フ
ェニルアゾピラゾール、５‐アミノ‐３‐メチル‐１‐
フェニル‐４‐フェニルアゾピラゾール、５‐アミノ‐
３‐メチル‐１‐フェニル‐４‐（４‐ヒドロキシフェ
ニルアゾ）ピラゾール、５‐アミノ‐３‐メチル‐１‐
フェニル‐４‐（２‐ヒドロキシフェニルアゾ）ピラゾ
ール、５‐アミノ‐３‐メチル‐１‐フェニル‐４‐
（４‐カルボキシフェニルアゾ）ピラゾール、５‐アミ
ノ‐３‐メチル‐１‐フェニル‐４‐（３‐カルボキシ
フェニルアゾ）ピラゾール、５‐アミノ‐３‐メチル‐
１‐フェニル‐４‐（４‐エチロールフェニルアゾ）ピ
ラゾール、５‐アミノ‐１‐エチル‐３‐メチル‐４‐
（４‐ニトロフェニルアゾ）ピラゾール、５‐アミノ‐
３‐メチル‐１‐フェニル‐４‐（４‐ヒドロキシ‐２
‐ニトロフェニルアゾ）ピラゾール、５‐アミノ‐３‐
メチル‐１‐フェニル‐４‐（４‐クロロ‐２‐メチル
フェニルアゾ）ピラゾール、５‐アミノ‐３‐メチル‐
１‐フェニル‐４‐（４‐シアノフェニルアゾ）ピラゾ
ール、５‐アミノ‐３‐メチル‐１‐フェニル‐４‐
（４‐エトキシフェニルアゾ）ピラゾール、５‐アミノ
‐３‐ジメチルアミノフェニル‐４‐フェニルアゾピラ
ゾールなどを挙げることができる。
類としては、例えば５‐アミノ‐１‐フェニル‐４‐フ
ェニルアゾピラゾール、５‐アミノ‐３‐メチル‐１‐
フェニル‐４‐フェニルアゾピラゾール、５‐アミノ‐
３‐メチル‐１‐フェニル‐４‐（４‐ヒドロキシフェ
ニルアゾ）ピラゾール、５‐アミノ‐３‐メチル‐１‐
フェニル‐４‐（２‐ヒドロキシフェニルアゾ）ピラゾ
ール、５‐アミノ‐３‐メチル‐１‐フェニル‐４‐
（４‐カルボキシフェニルアゾ）ピラゾール、５‐アミ
ノ‐３‐メチル‐１‐フェニル‐４‐（３‐カルボキシ
フェニルアゾ）ピラゾール、５‐アミノ‐３‐メチル‐
１‐フェニル‐４‐（４‐エチロールフェニルアゾ）ピ
ラゾール、５‐アミノ‐１‐エチル‐３‐メチル‐４‐
（４‐ニトロフェニルアゾ）ピラゾール、５‐アミノ‐
３‐メチル‐１‐フェニル‐４‐（４‐ヒドロキシ‐２
‐ニトロフェニルアゾ）ピラゾール、５‐アミノ‐３‐
メチル‐１‐フェニル‐４‐（４‐クロロ‐２‐メチル
フェニルアゾ）ピラゾール、５‐アミノ‐３‐メチル‐
１‐フェニル‐４‐（４‐シアノフェニルアゾ）ピラゾ
ール、５‐アミノ‐３‐メチル‐１‐フェニル‐４‐
（４‐エトキシフェニルアゾ）ピラゾール、５‐アミノ
‐３‐ジメチルアミノフェニル‐４‐フェニルアゾピラ
ゾールなどを挙げることができる。
【００３７】また、４‐フェニルアゾ‐５‐ヒドロキシ
ピラゾール類としては、例えば１‐フェニル‐４‐フェ
ニルアゾ‐５‐ヒドロキシピラゾール、３‐メチル‐１
‐フェニル‐４‐フェニルアゾ‐５‐ヒドロキシピラゾ
ール、１‐フェニル‐４‐（２，５‐ジクロロフェニル
アゾ）‐５‐ヒドロキシピラゾール、１‐エチル‐３‐
メチル‐４‐（４‐クロロ‐２‐メチルフェニルアゾ）
‐５‐ヒドロキシピラゾール、３‐メチル‐１‐ｐ‐ト
リル‐４‐（３‐ニトロフェニルアゾ）‐５‐ヒドロキ
シピラゾール、３‐メチル‐１‐ｐ‐トリル‐４‐（４
‐エチロールフェニルアゾ）‐５‐ヒドロキシピラゾー
ル、３‐メチル‐１‐ｐ‐トリル‐４‐（２‐メトキシ
‐４‐ニトロフェニルアゾ）‐５‐ヒドロキシピラゾー
ル、３‐エチル‐１‐フェニル‐４‐（４‐メトキシ‐
２‐ニトロフェニルアゾ）‐５‐ヒドロキシピラゾー
ル、３‐メチル‐１‐フェニル‐４‐（４‐クロロ‐２
‐ニトロフェニルアゾ）‐５‐ヒドロキシピラゾール、
１‐ｐ‐ジメチルアミノフェニル‐３‐メチル‐４‐フ
ェニルアゾ‐５‐ヒドロキシピラゾール、１‐ｐ‐ジメ
チルアミノフェニル‐３‐メチル‐４‐（４‐メチル‐
２‐クロロフェニルアゾ）‐５‐ヒドロキシピラゾー
ル、１‐ｐ‐ジメチルアミノフェニル‐３‐メチル‐４
‐（４‐メチル‐２‐ニトロフェニルアゾ）‐５‐ヒド
ロキシピラゾール、１‐フェニル‐４‐（４‐メトキシ
フェニルアゾ）‐５‐ヒドロキシピラゾール、Ｃ．Ｉ．
Ｓｏｌｖｅｎｔ Ｙｅｌｌｏｗ １６、Ｃ．Ｉ．Ｓｏｌ
ｖｅｎｔＹｅｌｌｏｗ ２１などを挙げることができ
る。
ピラゾール類としては、例えば１‐フェニル‐４‐フェ
ニルアゾ‐５‐ヒドロキシピラゾール、３‐メチル‐１
‐フェニル‐４‐フェニルアゾ‐５‐ヒドロキシピラゾ
ール、１‐フェニル‐４‐（２，５‐ジクロロフェニル
アゾ）‐５‐ヒドロキシピラゾール、１‐エチル‐３‐
メチル‐４‐（４‐クロロ‐２‐メチルフェニルアゾ）
‐５‐ヒドロキシピラゾール、３‐メチル‐１‐ｐ‐ト
リル‐４‐（３‐ニトロフェニルアゾ）‐５‐ヒドロキ
シピラゾール、３‐メチル‐１‐ｐ‐トリル‐４‐（４
‐エチロールフェニルアゾ）‐５‐ヒドロキシピラゾー
ル、３‐メチル‐１‐ｐ‐トリル‐４‐（２‐メトキシ
‐４‐ニトロフェニルアゾ）‐５‐ヒドロキシピラゾー
ル、３‐エチル‐１‐フェニル‐４‐（４‐メトキシ‐
２‐ニトロフェニルアゾ）‐５‐ヒドロキシピラゾー
ル、３‐メチル‐１‐フェニル‐４‐（４‐クロロ‐２
‐ニトロフェニルアゾ）‐５‐ヒドロキシピラゾール、
１‐ｐ‐ジメチルアミノフェニル‐３‐メチル‐４‐フ
ェニルアゾ‐５‐ヒドロキシピラゾール、１‐ｐ‐ジメ
チルアミノフェニル‐３‐メチル‐４‐（４‐メチル‐
２‐クロロフェニルアゾ）‐５‐ヒドロキシピラゾー
ル、１‐ｐ‐ジメチルアミノフェニル‐３‐メチル‐４
‐（４‐メチル‐２‐ニトロフェニルアゾ）‐５‐ヒド
ロキシピラゾール、１‐フェニル‐４‐（４‐メトキシ
フェニルアゾ）‐５‐ヒドロキシピラゾール、Ｃ．Ｉ．
Ｓｏｌｖｅｎｔ Ｙｅｌｌｏｗ １６、Ｃ．Ｉ．Ｓｏｌ
ｖｅｎｔＹｅｌｌｏｗ ２１などを挙げることができ
る。
【００３８】また、４‐フェニルアゾ‐５‐（ＯＺ）ピ
ラゾール類としては、例えば上記の４‐フェニルアゾ‐
５‐ヒドロキシピラゾール類の例示化合物の５位のヒド
ロキシル基がナフトキノン‐１，２‐ジアジド‐４‐ス
ルホン酸やナフトキノン‐１，２‐ジアジド‐５‐スル
ホン酸のようなナフトキノン‐１，２‐ジアジドスルホ
ン酸でエステル化された所定ピラゾール化合物のナフト
キノン‐１，２‐ジアジドスルホン酸エステルなどを挙
げることができる。これは、吸光剤としての作用だけで
なく、レジストパターンのコントラストを向上させるこ
とができ、従来のものと比べて、形状安定性や寸法安定
性の極めて優れたレジストパターンを形成することがで
きる。
ラゾール類としては、例えば上記の４‐フェニルアゾ‐
５‐ヒドロキシピラゾール類の例示化合物の５位のヒド
ロキシル基がナフトキノン‐１，２‐ジアジド‐４‐ス
ルホン酸やナフトキノン‐１，２‐ジアジド‐５‐スル
ホン酸のようなナフトキノン‐１，２‐ジアジドスルホ
ン酸でエステル化された所定ピラゾール化合物のナフト
キノン‐１，２‐ジアジドスルホン酸エステルなどを挙
げることができる。これは、吸光剤としての作用だけで
なく、レジストパターンのコントラストを向上させるこ
とができ、従来のものと比べて、形状安定性や寸法安定
性の極めて優れたレジストパターンを形成することがで
きる。
【００３９】これらのピラゾールは単独で用いてもよい
し、２種以上を組合せて用いてもよい。これらのピラゾ
ール中でも特に５‐アミノ‐３‐メチル‐１‐フェニル
‐４‐（４‐カルボキシフェニルアゾ）ピラゾール、５
‐アミノ‐３‐メチル‐１‐フェニル‐４‐（３‐カル
ボキシフェニルアゾ）ピラゾール、５‐アミノ‐３‐メ
チル‐１‐フェニル‐４‐（４‐ヒドロキシフェニルア
ゾ）ピラゾール、３‐メチル‐１‐ｐ‐トリル‐４‐
（３‐ニトロフェニルアゾ）‐５‐ヒドロキシピラゾー
ル、３‐メチル‐１‐ｐ‐トリル‐４‐（４‐エチロー
ルフェニルアゾ）‐５‐ヒドロキシピラゾールが好まし
い。
し、２種以上を組合せて用いてもよい。これらのピラゾ
ール中でも特に５‐アミノ‐３‐メチル‐１‐フェニル
‐４‐（４‐カルボキシフェニルアゾ）ピラゾール、５
‐アミノ‐３‐メチル‐１‐フェニル‐４‐（３‐カル
ボキシフェニルアゾ）ピラゾール、５‐アミノ‐３‐メ
チル‐１‐フェニル‐４‐（４‐ヒドロキシフェニルア
ゾ）ピラゾール、３‐メチル‐１‐ｐ‐トリル‐４‐
（３‐ニトロフェニルアゾ）‐５‐ヒドロキシピラゾー
ル、３‐メチル‐１‐ｐ‐トリル‐４‐（４‐エチロー
ルフェニルアゾ）‐５‐ヒドロキシピラゾールが好まし
い。
【００４０】本発明組成物においては、基材として用い
られるポジ型ホトレジスト組成物、例えばアルカリ可溶
性樹脂とナフトキノン‐１，２‐ジアジドスルホン酸エ
ステル化合物と必要に応じて用いられる添加剤、例えば
前記一般式（ＩＶ）ないし（ＶＩ）で表わされるポリヒ
ドロキシ化合物から成る組成物に対して、ハレーション
防止剤として用いられる（Ａ）成分と（Ｂ）成分を合計
で０．１〜５．０重量％、好ましくは０．５〜３．０重
量％の範囲で配合することが必要である。この配合量が
０．１重量％未満では、ハレーション防止などの添加効
果が不十分であるし、また５．０重量％を超えると解像
性、感度などが劣化する。
られるポジ型ホトレジスト組成物、例えばアルカリ可溶
性樹脂とナフトキノン‐１，２‐ジアジドスルホン酸エ
ステル化合物と必要に応じて用いられる添加剤、例えば
前記一般式（ＩＶ）ないし（ＶＩ）で表わされるポリヒ
ドロキシ化合物から成る組成物に対して、ハレーション
防止剤として用いられる（Ａ）成分と（Ｂ）成分を合計
で０．１〜５．０重量％、好ましくは０．５〜３．０重
量％の範囲で配合することが必要である。この配合量が
０．１重量％未満では、ハレーション防止などの添加効
果が不十分であるし、また５．０重量％を超えると解像
性、感度などが劣化する。
【００４１】本発明組成物においては、さらに（Ａ）成
分と（Ｂ）成分とを重量基準で１：１０ないし２：１の
範囲の混合比として配合することが必要である。この混
合比を逸脱すると感度が劣化したり、ハレーション防止
効果が不十分となる。特に（Ａ）成分は、その添加量が
多すぎると感度の劣化が著しいので、（Ａ）成分だけの
添加量で、１．５重量％未満、好ましくは１．０重量％
以下にすることが望ましい。なお、実施例から推測され
るように、（Ａ）成分と（Ｂ）成分の合計量が少ないと
きは、（Ａ）成分を多めに、（Ａ）成分と（Ｂ）成分の
合計量が多いときは、（Ａ）成分を少なめにするのが好
ましい。
分と（Ｂ）成分とを重量基準で１：１０ないし２：１の
範囲の混合比として配合することが必要である。この混
合比を逸脱すると感度が劣化したり、ハレーション防止
効果が不十分となる。特に（Ａ）成分は、その添加量が
多すぎると感度の劣化が著しいので、（Ａ）成分だけの
添加量で、１．５重量％未満、好ましくは１．０重量％
以下にすることが望ましい。なお、実施例から推測され
るように、（Ａ）成分と（Ｂ）成分の合計量が少ないと
きは、（Ａ）成分を多めに、（Ａ）成分と（Ｂ）成分の
合計量が多いときは、（Ａ）成分を少なめにするのが好
ましい。
【００４２】本発明組成物には、さらに必要に応じて相
容性のある添加物、例えばレジスト膜の性能などを改良
するための付加的樹脂、可塑剤、安定剤あるいは現像し
た像をより一層可視的にするための着色料などの慣用さ
れていものを添加含有させることができる。
容性のある添加物、例えばレジスト膜の性能などを改良
するための付加的樹脂、可塑剤、安定剤あるいは現像し
た像をより一層可視的にするための着色料などの慣用さ
れていものを添加含有させることができる。
【００４３】本発明組成物は、アルカリ可溶性樹脂とナ
フトキノン‐１，２‐ジアジドスルホン酸エステル化合
物と（Ａ）成分と（Ｂ）成分と所望に応じて用いられる
各種添加成分とを、適当な溶剤に溶解して溶液の形で用
いるのが好ましい。
フトキノン‐１，２‐ジアジドスルホン酸エステル化合
物と（Ａ）成分と（Ｂ）成分と所望に応じて用いられる
各種添加成分とを、適当な溶剤に溶解して溶液の形で用
いるのが好ましい。
【００４４】このような溶剤の例としては、アセトン、
メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルイソア
ミルケトンなどのケトン類；エチレングリコール、プロ
ピレングリコール、ジエチレングリコール、エチレング
リコールモノアセテート、プロピレングリコールモノア
セテート、ジエチレングリコールモノアセテート、ある
いはこれらのモノメチルエーテル、モノエチルエーテ
ル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル又はモ
ノフェニルエーテルなどの多価アルコール類及びその誘
導体；ジオキサンのような環式エーテル類；及び乳酸エ
チル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン
酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メ
チル、エトキシプロピオン酸エチルなどのエステル類を
挙げることができる。これらは単独で用いてもよいし、
２種以上混合して用いてもよい。
メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルイソア
ミルケトンなどのケトン類；エチレングリコール、プロ
ピレングリコール、ジエチレングリコール、エチレング
リコールモノアセテート、プロピレングリコールモノア
セテート、ジエチレングリコールモノアセテート、ある
いはこれらのモノメチルエーテル、モノエチルエーテ
ル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル又はモ
ノフェニルエーテルなどの多価アルコール類及びその誘
導体；ジオキサンのような環式エーテル類；及び乳酸エ
チル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン
酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メ
チル、エトキシプロピオン酸エチルなどのエステル類を
挙げることができる。これらは単独で用いてもよいし、
２種以上混合して用いてもよい。
【００４５】本発明組成物の好適な使用方法について１
例を示すと、まずシリコンウエーハのような支持体上
に、該アルカリ可溶性樹脂成分、感光性成分、（Ａ）成
分と（Ｂ）成分及び必要に応じて用いられる添加成分を
前記したような適当な溶剤に溶かした溶液をスピンナー
などで塗布し、乾燥して感光層を形成させ、次いで紫外
線を発光する光源、例えば低圧水銀灯、高圧水銀灯、超
高圧水銀灯、アーク灯、キセノンランプなどを用い、所
要のマスクパターンを介して露光するか、あるいは電子
線を走査しながら照射する。次にこれを現像液、例えば
１〜１０重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド
水溶液のような弱アルカリ性水溶液に浸せきすると、露
光部は溶解除去されてマスクパターンに忠実な画像を得
ることができる。
例を示すと、まずシリコンウエーハのような支持体上
に、該アルカリ可溶性樹脂成分、感光性成分、（Ａ）成
分と（Ｂ）成分及び必要に応じて用いられる添加成分を
前記したような適当な溶剤に溶かした溶液をスピンナー
などで塗布し、乾燥して感光層を形成させ、次いで紫外
線を発光する光源、例えば低圧水銀灯、高圧水銀灯、超
高圧水銀灯、アーク灯、キセノンランプなどを用い、所
要のマスクパターンを介して露光するか、あるいは電子
線を走査しながら照射する。次にこれを現像液、例えば
１〜１０重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド
水溶液のような弱アルカリ性水溶液に浸せきすると、露
光部は溶解除去されてマスクパターンに忠実な画像を得
ることができる。
【００４６】
【発明の効果】本発明のポジ型ホトレジスト組成物は、
高解像性で、断面形状及び耐熱性に優れたレジストパタ
ーンを形成でき、かつ高感度で、しかも焦点深度幅特性
及びハレーション防止効果に優れるとともに、十分な露
光余裕度を有し、特に凹凸を有する基板や反射率の高い
基板に用いて好適であり、中でもＩＣやＬＳＩなどの半
導体デバイスの製造において、超微細加工用レジストと
して好適に用いられる。
高解像性で、断面形状及び耐熱性に優れたレジストパタ
ーンを形成でき、かつ高感度で、しかも焦点深度幅特性
及びハレーション防止効果に優れるとともに、十分な露
光余裕度を有し、特に凹凸を有する基板や反射率の高い
基板に用いて好適であり、中でもＩＣやＬＳＩなどの半
導体デバイスの製造において、超微細加工用レジストと
して好適に用いられる。
【００４７】
【実施例】次に、実施例により本発明をさらに詳細に説
明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定され
るものではない。
明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定され
るものではない。
【００４８】ホトレジスト組成物の諸物性は次のように
して求めた。 （１）感度： 試料をスピンナーを用いてシリコンウエーハ上に塗布
し、ホットプレートで１１０℃、９０秒間乾燥して膜厚
１．０５μｍのレジスト膜を得た。この膜に縮小投影露
光装置ＮＳＲ‐１７５５ｉ７Ｂ（ニコン社製、ＮＡ＝
０．５４）を用いて、０．１秒から０．０１秒間隔で露
光したのち、２．３８重量％テトラメチルアンモニウム
ヒドロキシド水溶液で２３℃にて６０秒間現像し、３０
秒間水洗して乾燥したとき、現像後の露光部の膜厚が０
となる最小露光時間を感度としてミリ秒（ｍｓ）単位で
測定した。
して求めた。 （１）感度： 試料をスピンナーを用いてシリコンウエーハ上に塗布
し、ホットプレートで１１０℃、９０秒間乾燥して膜厚
１．０５μｍのレジスト膜を得た。この膜に縮小投影露
光装置ＮＳＲ‐１７５５ｉ７Ｂ（ニコン社製、ＮＡ＝
０．５４）を用いて、０．１秒から０．０１秒間隔で露
光したのち、２．３８重量％テトラメチルアンモニウム
ヒドロキシド水溶液で２３℃にて６０秒間現像し、３０
秒間水洗して乾燥したとき、現像後の露光部の膜厚が０
となる最小露光時間を感度としてミリ秒（ｍｓ）単位で
測定した。
【００４９】（２）解像性： ０．４０μｍのマスクパターンを再現する露光量におけ
る限界解像度で示した。
る限界解像度で示した。
【００５０】（３）耐熱性： シリコンウエーハ上に形成された５μｍのパターン線幅
のレジストパターンを、１２５℃から５℃づつ昇温さ
せ、１３０℃、１３５℃、１４０℃の各温度で５分間ホ
ットプレート上でベークした場合、レジストパターンに
変形が生じる温度を示した。
のレジストパターンを、１２５℃から５℃づつ昇温さ
せ、１３０℃、１３５℃、１４０℃の各温度で５分間ホ
ットプレート上でベークした場合、レジストパターンに
変形が生じる温度を示した。
【００５１】（４）パターン形状： ０．４０μｍ幅のレジストパターンの断面形状をＳＥＭ
（走査型電子顕微鏡）写真により観察し、矩形状のもの
をＡとし、やや台形状になっているものをＢとした。
（走査型電子顕微鏡）写真により観察し、矩形状のもの
をＡとし、やや台形状になっているものをＢとした。
【００５２】（５）焦点深度幅： 縮小投影露光装置ＮＳＲ‐１７５５ｉ７Ｂ（ニコン社
製、ＮＡ＝０．５４）を用いて、Ｅｏｐ（０．４０μｍ
のラインアンドスペースが１対１に形成されるのに要す
る露光量）を基準露光量とし、その露光量においての焦
点を適宜上下にずらし、露光、現像を行って得られたレ
ジストパターンのＳＥＭ写真の観察を行った。そのＳＥ
Ｍ写真より０．４０μｍの矩形のレジストパターンが得
られる焦点ずれの最大値（μｍ）を焦点深度幅とした。
製、ＮＡ＝０．５４）を用いて、Ｅｏｐ（０．４０μｍ
のラインアンドスペースが１対１に形成されるのに要す
る露光量）を基準露光量とし、その露光量においての焦
点を適宜上下にずらし、露光、現像を行って得られたレ
ジストパターンのＳＥＭ写真の観察を行った。そのＳＥ
Ｍ写真より０．４０μｍの矩形のレジストパターンが得
られる焦点ずれの最大値（μｍ）を焦点深度幅とした。
【００５３】（６）露光余裕度： Ｅｏｐ（０．４０μｍのラインアンドスペースが１対１
に形成されるのに要する最小露光時間）をＥｔｈ（現像
後の露光部の膜厚が０となる時間）で割った値（Ｅｏｐ
／Ｅｔｈ）を露光余裕度とした。この値が大きいほど、
露光余裕度幅が広く好ましい。
に形成されるのに要する最小露光時間）をＥｔｈ（現像
後の露光部の膜厚が０となる時間）で割った値（Ｅｏｐ
／Ｅｔｈ）を露光余裕度とした。この値が大きいほど、
露光余裕度幅が広く好ましい。
【００５４】（７）耐ハレーション性： 石英板に試料を膜厚１．５μｍになるように塗布し、紫
外線照射装置ＰＬＡ−５０１Ｆ（キャノン社製）を用い
て、照度１０ｍＷ／ｃｍ2で、３０秒間紫外線を照射
し、紫外線照射前後の試料の透過率を測定し、次式によ
り耐ハレーション性を表わす指標であるＡパラメータ
ー、Ｂパラメーターを算出した。Ｂパラメーターが大き
いほど、レジスト組成物の耐ハレーション性が高く好ま
しい。 Ａ＝（ｌ／ｄ）×ｌｎＴ∞／Ｔ0 Ｂ＝（−１／ｄ）×ｌｎＴ∞ ｄ：試料の膜厚 Ｔ0：紫外線照射前の透過率／１００ Ｔ∞：紫外線照射後の透過率／１００
外線照射装置ＰＬＡ−５０１Ｆ（キャノン社製）を用い
て、照度１０ｍＷ／ｃｍ2で、３０秒間紫外線を照射
し、紫外線照射前後の試料の透過率を測定し、次式によ
り耐ハレーション性を表わす指標であるＡパラメータ
ー、Ｂパラメーターを算出した。Ｂパラメーターが大き
いほど、レジスト組成物の耐ハレーション性が高く好ま
しい。 Ａ＝（ｌ／ｄ）×ｌｎＴ∞／Ｔ0 Ｂ＝（−１／ｄ）×ｌｎＴ∞ ｄ：試料の膜厚 Ｔ0：紫外線照射前の透過率／１００ Ｔ∞：紫外線照射後の透過率／１００
【００５５】実施例１ ｍ‐クレゾールとｐ‐クレゾールとを重量比で３６：６
４の割合で混合し、これにホルマリンを加え、シュウ酸
触媒を用いて常法により縮合して得たクレゾールノボラ
ック樹脂に対して分別処理を施し、低分子領域をカット
して重量平均分子量５０００のクレゾールノボラック樹
脂を調製した。このようにして得られた樹脂１００重量
部に、ビス（５‐シクロヘキシル‐４‐ヒドロキシ‐２
‐メチルフェニル）‐３，４‐ジヒドロキシフェニルメ
タン１．０モルとナフトキノン‐１，２‐ジアジド‐５
‐スルホニルクロリド２．０モルとのエステル化反応生
成物１３重量部、ビス（５‐シクロヘキシル‐４‐ヒド
ロキシ‐２‐メチルフェニル）‐３，４‐ジヒドロキシ
フェニルメタン１．０モルとナフトキノン‐１，２‐ジ
アジド‐５‐スルホニルクロリド３．０モルとのエステ
ル化反応生成物２４重量部、１，３‐ジヒドロキシ‐
４，６‐ビス［α‐メチル‐α‐（４′‐ヒドロキシフ
ェニル）エチル］ベンゼン２３重量部及び１，３，５‐
トリス（４‐ｔｅｒｔ‐ブチル‐３‐ヒドロキシ‐２，
６‐ジメチルベンジル）イソシアヌレート１．６重量部
を加えて基材としてのポジ型ホトレジスト組成物を調製
した。次いでこの基材に対し０．５重量％の４，４′‐
ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノンと２，２′，
４，４′‐テトラヒドロキシベンゾフェノン（重量比で
２：１）の混合物を乳酸エチルと酢酸ブチルの９：１
（重量比）の混合溶媒４００重量部に溶解した溶液を加
えたのち、これを孔径０．２μｍのメンブランフィルタ
ーを用いてろ過し、所望のポジ型ホトレジスト組成物を
調製した。このものについての物性を表１に示す。
４の割合で混合し、これにホルマリンを加え、シュウ酸
触媒を用いて常法により縮合して得たクレゾールノボラ
ック樹脂に対して分別処理を施し、低分子領域をカット
して重量平均分子量５０００のクレゾールノボラック樹
脂を調製した。このようにして得られた樹脂１００重量
部に、ビス（５‐シクロヘキシル‐４‐ヒドロキシ‐２
‐メチルフェニル）‐３，４‐ジヒドロキシフェニルメ
タン１．０モルとナフトキノン‐１，２‐ジアジド‐５
‐スルホニルクロリド２．０モルとのエステル化反応生
成物１３重量部、ビス（５‐シクロヘキシル‐４‐ヒド
ロキシ‐２‐メチルフェニル）‐３，４‐ジヒドロキシ
フェニルメタン１．０モルとナフトキノン‐１，２‐ジ
アジド‐５‐スルホニルクロリド３．０モルとのエステ
ル化反応生成物２４重量部、１，３‐ジヒドロキシ‐
４，６‐ビス［α‐メチル‐α‐（４′‐ヒドロキシフ
ェニル）エチル］ベンゼン２３重量部及び１，３，５‐
トリス（４‐ｔｅｒｔ‐ブチル‐３‐ヒドロキシ‐２，
６‐ジメチルベンジル）イソシアヌレート１．６重量部
を加えて基材としてのポジ型ホトレジスト組成物を調製
した。次いでこの基材に対し０．５重量％の４，４′‐
ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノンと２，２′，
４，４′‐テトラヒドロキシベンゾフェノン（重量比で
２：１）の混合物を乳酸エチルと酢酸ブチルの９：１
（重量比）の混合溶媒４００重量部に溶解した溶液を加
えたのち、これを孔径０．２μｍのメンブランフィルタ
ーを用いてろ過し、所望のポジ型ホトレジスト組成物を
調製した。このものについての物性を表１に示す。
【００５６】実施例２〜５ 実施例１において、４，４′‐ビス（ジエチルアミノ）
ベンゾフェノンと２，２′，４，４′‐テトラヒドロキ
シベンゾフェノンの配合比及び添加量を表１に示すよう
に変えた以外は実施例１と同様にしてポジ型ホトレジス
ト組成物を得た。このものについての物性を表１に示
す。
ベンゾフェノンと２，２′，４，４′‐テトラヒドロキ
シベンゾフェノンの配合比及び添加量を表１に示すよう
に変えた以外は実施例１と同様にしてポジ型ホトレジス
ト組成物を得た。このものについての物性を表１に示
す。
【００５７】比較例１ 実施例１において、４，４′‐ビス（ジエチルアミノ）
ベンゾフェノンと２，２′，４，４′‐テトラヒドロキ
シベンゾフェノンを配合しなかった以外は、実施例１と
同様にして、ポジ型ホトレジスト組成物を得た。このも
のについての物性を表１に示す。
ベンゾフェノンと２，２′，４，４′‐テトラヒドロキ
シベンゾフェノンを配合しなかった以外は、実施例１と
同様にして、ポジ型ホトレジスト組成物を得た。このも
のについての物性を表１に示す。
【００５８】比較例２ 実施例１において、２，２′，４，４′‐テトラヒドロ
キシベンゾフェノンを配合せず、４，４′‐ビス（ジエ
チルアミノ）ベンゾフェノンのみを表１に示す使用量で
配合した以外は、実施例１と同様にして、ポジ型ホトレ
ジスト組成物を得た。このものについての物性を表１に
示す。
キシベンゾフェノンを配合せず、４，４′‐ビス（ジエ
チルアミノ）ベンゾフェノンのみを表１に示す使用量で
配合した以外は、実施例１と同様にして、ポジ型ホトレ
ジスト組成物を得た。このものについての物性を表１に
示す。
【００５９】比較例３ 実施例１において、４，４′‐ビス（ジエチルアミノ）
ベンゾフェノンを配合せず、２，２′，４，４′‐テト
ラヒドロキシベンゾフェノンのみを表１に示す使用量で
配合した以外は、実施例１と同様にして、ポジ型ホトレ
ジスト組成物を得た。このものについての物性を表１に
示す。
ベンゾフェノンを配合せず、２，２′，４，４′‐テト
ラヒドロキシベンゾフェノンのみを表１に示す使用量で
配合した以外は、実施例１と同様にして、ポジ型ホトレ
ジスト組成物を得た。このものについての物性を表１に
示す。
【００６０】
【表１】
【００６１】実施例６〜９ 実施例１において、２，２′，４，４′‐テトラヒドロ
キシベンゾフェノンを４‐ジメチルアミノ‐２′，４′
‐ジヒドロキシベンゾフェノンに代え、その配合比及び
添加量を表２に示すように代えた以外は実施例１と同様
にして、ポジ型ホトレジスト組成物を調製した。このも
のについての物性を表２に示す。
キシベンゾフェノンを４‐ジメチルアミノ‐２′，４′
‐ジヒドロキシベンゾフェノンに代え、その配合比及び
添加量を表２に示すように代えた以外は実施例１と同様
にして、ポジ型ホトレジスト組成物を調製した。このも
のについての物性を表２に示す。
【００６２】比較例４ 比較例３において、２，２′，４，４′‐テトラヒドロ
キシベンゾフェノンを４‐ジメチルアミノ‐２′，４′
‐ジヒドロキシベンゾフェノンに代え、表２に示す使用
量で配合した以外は、比較例３と同様にしてポジ型ホト
レジスト組成物を得た。このものについての物性を表２
に示す。
キシベンゾフェノンを４‐ジメチルアミノ‐２′，４′
‐ジヒドロキシベンゾフェノンに代え、表２に示す使用
量で配合した以外は、比較例３と同様にしてポジ型ホト
レジスト組成物を得た。このものについての物性を表２
に示す。
【００６３】
【表２】
【００６４】実施例１０〜１３ 実施例１において、２，２′，４，４′‐テトラヒドロ
キシベンゾフェノンを５‐アミノ‐３‐メチル‐１‐フ
ェニル‐４‐（４‐ヒドロキシフェニルアゾ）ピラゾー
ルに代え、その配合比及び添加量を表３に示すように代
えた以外は実施例１と同様にして、ポジ型ホトレジスト
組成物を調製した。このものについての物性を表３に示
す。
キシベンゾフェノンを５‐アミノ‐３‐メチル‐１‐フ
ェニル‐４‐（４‐ヒドロキシフェニルアゾ）ピラゾー
ルに代え、その配合比及び添加量を表３に示すように代
えた以外は実施例１と同様にして、ポジ型ホトレジスト
組成物を調製した。このものについての物性を表３に示
す。
【００６５】比較例５ 比較例３において、２，２′，４，４′‐テトラヒドロ
キシベンゾフェノンを５‐アミノ‐３‐メチル‐１‐フ
ェニル‐４‐（４‐ヒドロキシフェニルアゾ）ピラゾー
ルに代え、表３に示す使用量で配合した以外は、比較例
３と同様にしてポジ型ホトレジスト組成物を得た。この
ものについての物性を表３に示す。
キシベンゾフェノンを５‐アミノ‐３‐メチル‐１‐フ
ェニル‐４‐（４‐ヒドロキシフェニルアゾ）ピラゾー
ルに代え、表３に示す使用量で配合した以外は、比較例
３と同様にしてポジ型ホトレジスト組成物を得た。この
ものについての物性を表３に示す。
【００６６】
【表３】
フロントページの続き (72)発明者 小原 秀克 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 東京応化工業株式会社内 (72)発明者 中山 寿昌 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 東京応化工業株式会社内 (56)参考文献 特開 平１−154049（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−214563（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−241759（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G03F 7/022 G03F 7/004 H01L 21/027
Claims (4)
- 【請求項１】 アルカリ可溶性樹脂とナフトキノン‐
１，２‐ジアジドスルホン酸のエステル化合物とを必須
成分として含有するポジ型ホトレジストに対し、ハレー
ション防止剤として、（Ａ）４，４′‐ビス（ジアルキ
ルアミノ）ベンゾフェノンと（Ｂ）一般式 【化１】 （式中のＲ1及びＲ2は水酸基又は低級アルコキシル基で
あり、ｎは１又は２の整数、ｍは０又は１〜３の整数で
ある）で表わされる化合物、一般式 【化２】 （式中のＲ3及びＲ4は水素原子又は低級アルキル基であ
り、ｐは１〜３の整数である）で表わされる化合物及び
一般式 【化３】 ［式中のＲ5及びＲ6は水素原子、ハロゲン原子、水酸
基、ニトロ基、カルボキシル基、ヒドロキシアルキル
基、シアノ基、低級アルキル基又は低級アルコキシル
基、Ｒ7はアリール基、低級アルキル基又はジアルキル
アミノフェニル基、Ｒ8は水素原子又は低級アルキル
基、Ｒ9は水酸基、アミノ基又はＯＺ（Ｚはナフトキノ
ン‐１，２‐ジアジドスルホニル基である）である］で
表わされる化合物の中から選ばれた少なくとも１種の化
合物との重量比１：１０ないし２：１の混合物を０．１
〜５．０重量％の割合で配合したことを特徴とするポジ
型ホトレジスト組成物。 - 【請求項２】 （Ａ）成分が４，４′‐ビス（ジメチル
アミノ）ベンゾフェノン又は４，４′‐ビス（ジエチル
アミノ）ベンゾフェノンである請求項１記載のポジ型ホ
トレジスト組成物。 - 【請求項３】 （Ｂ）成分が２，４，５‐トリヒドロキ
シベンゾフェノン、２，３，４，４′‐テトラヒドロキ
シベンゾフェノン、２，２′，４，４′‐テトラヒドロ
キシベンゾフェノン、２，２′，３，４，４′‐ペンタ
ヒドロキシベンゾフェノン、２，３，３′，４，４′，
５′‐ヘキサヒドロキシベンゾフェノン又は２，２′‐
ジヒドロキシ‐４，４′‐ジメトキシベンゾフェノンで
ある請求項１又は２記載のポジ型ホトレジスト組成物。 - 【請求項４】 （Ｂ）成分が４‐ジアルキルアミノ‐
２′‐ヒドロキシベンゾフェノン類又は４‐ジアルキル
アミノ‐２′，４′‐ジヒドロキシベンゾフェノン類で
ある請求項１又は２記載のポジ型ホトレジスト組成物。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08510694A JP3192548B2 (ja) | 1994-04-22 | 1994-04-22 | ポジ型ホトレジスト組成物 |
| US08/423,722 US5576138A (en) | 1994-04-22 | 1995-04-18 | Positive-working naphtho quinone diazide sulfonic acid ester photoresist composition containing select combination of additives |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08510694A JP3192548B2 (ja) | 1994-04-22 | 1994-04-22 | ポジ型ホトレジスト組成物 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25929899A Division JP3255404B2 (ja) | 1999-09-13 | 1999-09-13 | ポジ型ホトレジスト組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07295214A JPH07295214A (ja) | 1995-11-10 |
| JP3192548B2 true JP3192548B2 (ja) | 2001-07-30 |
Family
ID=13849372
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08510694A Expired - Fee Related JP3192548B2 (ja) | 1994-04-22 | 1994-04-22 | ポジ型ホトレジスト組成物 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5576138A (ja) |
| JP (1) | JP3192548B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1124271A (ja) * | 1997-06-30 | 1999-01-29 | Kurarianto Japan Kk | 高耐熱性放射線感応性レジスト組成物 |
| JP3729641B2 (ja) * | 1998-05-29 | 2005-12-21 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型ホトレジスト組成物およびレジストパターンの形成方法 |
| US6506831B2 (en) | 1998-12-20 | 2003-01-14 | Honeywell International Inc. | Novolac polymer planarization films with high temperature stability |
| KR100363695B1 (ko) * | 1998-12-31 | 2003-04-11 | 주식회사 하이닉스반도체 | 유기난반사방지중합체및그의제조방법 |
| JP3499165B2 (ja) * | 1999-09-27 | 2004-02-23 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型ホトレジスト組成物、感光性膜付基板、およびレジストパターンの形成方法 |
| JP2007099943A (ja) * | 2005-10-05 | 2007-04-19 | Jsr Corp | 熱硬化性組成物、固体撮像素子のハレーション防止膜およびその形成方法、ならびに固体撮像素子 |
| US10220100B2 (en) | 2011-07-14 | 2019-03-05 | Keith R. Latham | Halogenated phenols for diagnostics, antioxidant protection and drug delivery |
| US8673269B2 (en) | 2011-07-14 | 2014-03-18 | Keith R. Latham | Halogenated phenols for diagnostics, antioxidant protection and drug delivery |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6173144A (ja) * | 1984-09-19 | 1986-04-15 | Nippon Zeon Co Ltd | ホトレジスト及びホトレジストパターンの形成方法 |
| JPS61141441A (ja) * | 1984-12-14 | 1986-06-28 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ポジ型ホトレジスト組成物 |
| JPS61241759A (ja) * | 1985-04-18 | 1986-10-28 | Toray Ind Inc | 水なし平版印刷版 |
| EP0239423B1 (en) * | 1986-03-28 | 1996-03-20 | Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. | Positive type radiation-sensitive resin composition |
| JPH03155554A (ja) * | 1989-11-14 | 1991-07-03 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | 放射線感応性樹脂組成物 |
| JPH05119474A (ja) * | 1991-10-30 | 1993-05-18 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型フオトレジスト組成物 |
| JP2935223B2 (ja) * | 1992-04-14 | 1999-08-16 | 東京応化工業株式会社 | レジストパターン形成用材料の製造方法及びタンタルのパターン形成方法 |
| JP3024694B2 (ja) * | 1993-11-29 | 2000-03-21 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型ホトレジスト組成物 |
-
1994
- 1994-04-22 JP JP08510694A patent/JP3192548B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-04-18 US US08/423,722 patent/US5576138A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07295214A (ja) | 1995-11-10 |
| US5576138A (en) | 1996-11-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR0185994B1 (ko) | 양성 포토레지스트 조성물 | |
| JPH03155554A (ja) | 放射線感応性樹脂組成物 | |
| JP3434340B2 (ja) | 高感度ポジ型ホトレジスト組成物 | |
| JP3105459B2 (ja) | ポジ型ホトレジスト組成物およびこれを用いた多層レジスト材料 | |
| JPH07199455A (ja) | ポジ型ホトレジスト組成物 | |
| JP3192548B2 (ja) | ポジ型ホトレジスト組成物 | |
| JP3024694B2 (ja) | ポジ型ホトレジスト組成物 | |
| JPH11352680A (ja) | ポジ型ホトレジスト組成物およびこれを用いたレジストパターンの形成方法 | |
| JPH0943841A (ja) | ポジ型ホトレジスト組成物およびこれを用いた多層レジスト材料 | |
| JPH11338137A (ja) | ポジ型ホトレジスト組成物およびレジストパターンの形成方法 | |
| JP3076523B2 (ja) | ポジ型ホトレジスト組成物 | |
| JP3488332B2 (ja) | ポジ型ホトレジスト塗布液 | |
| JP3729641B2 (ja) | ポジ型ホトレジスト組成物およびレジストパターンの形成方法 | |
| JP3485139B2 (ja) | ポジ型ホトレジスト組成物 | |
| JP3901923B2 (ja) | ポジ型ホトレジスト組成物 | |
| JP3255404B2 (ja) | ポジ型ホトレジスト組成物 | |
| JP3132622B2 (ja) | ポジ型ホトレジスト組成物 | |
| JP3255378B2 (ja) | ポジ型ホトレジスト組成物 | |
| JP2751572B2 (ja) | 感放射線性樹脂組成物 | |
| JP3515879B2 (ja) | ポジ型ホトレジスト組成物及びこれを用いた多層レジスト材料 | |
| JP3600375B2 (ja) | ポジ型ホトレジスト組成物 | |
| JPH1048819A (ja) | ポジ型ホトレジスト組成物 | |
| JPH0829976A (ja) | ポジ型ホトレジスト組成物 | |
| JP3652065B2 (ja) | ポジ型ホトレジスト組成物及びこれを用いた多層レジスト材料 | |
| JPH11236367A (ja) | ポリフェノールジエステル化物の製造方法およびポジ型感光性組成物 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080525 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090525 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100525 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100525 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110525 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120525 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120525 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130525 Year of fee payment: 12 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |