JP3666839B2 - ポジ型ホトレジスト組成物およびその製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明はポジ型ホトレジスト組成物およびその製造方法、並びにこれらに有利に用いられ得るアルカリ可溶性ノボラック樹脂に関する。さらに詳しくは、高感度でありながら残膜率が高く、しかも焦点深度幅の大きいポジ型ホトレジスト組成物およびその製造方法、並びにこれらに有利に用いられ得るアルカリ可溶性ノボラック樹脂に関する。
【0002】
【従来の技術】
ICやLSI等の半導体デバイスやLCD等の液晶デバイスの製造プロセスにおいては、被膜形成用のアルカリ可溶性樹脂とキノンジアジド基含有化合物からなる感光性成分とを組み合わせたポジ型ホトレジスト組成物が、解像性、感度、耐エッチング性に優れることなどから実用に供されている。
【0003】
一方、近年の半導体デバイスや液晶デバイスの高集積化はますます高まり、超LSIの製造においてはサブミクロン、ハーフミクロン以下の超微細パターンの加工精度が要求されるため、使用するポジ型ホトレジスト組成物には、高感度性を維持しつつできるだけ残膜率を向上させ、さらには段差を有する基板からの定在波や乱反射等の影響を受けることなくマスクパターンに忠実なレジストパターンを再現できるよう焦点深度幅が大きい等の特性が必要とされるようになっている。
【0004】
従来、これらの特性を向上させるために、アルカリ可溶性樹脂中のフェノール類、キノンジアジド基含有化合物からなる感光性成分、ポリフェノール性化合物からなる増感剤成分などの改良が行われてきた。
【0005】
ところで、一般に感度と残膜率との関係においては、高感度化を図ろうとすると未露光部の膜減りが大きくなって残膜率が落ち、逆に残膜率を向上させようとすると感度が落ちるというトレード・オフの関係がある。
【0006】
例えば上記フェノール類の改良においては、フェノール類の構成成分の配合比が問題とされてきた。すなわち、比較的反応性の高いm−クレゾールを多配合した樹脂を含むホトレジストは、感度がよいが、焦点深度幅が小さく解像性に劣る。そこでm−クレゾールよりも反応性の劣るp−クレゾールの配合割合を多くしていくと、焦点深度幅が大きくなり解像性がよくなるが、感度が低下するようになる。このため従来、p−クレゾールの配合割合を多くし、樹脂成分の重合の際に、重合させる条件を変え低分子量の重合体(オリゴマー)をつくることによりそのホトレジストの感度を落とさないようにするという手段が用いられた。しかしながら、このような方法においては今日の微細化技術に十分対応し得る程度の特性を得るまでには至っていない。
【0007】
この他にも、縮合剤に着目し、ホルムアルデヒドと、ケトンまたはC2以上のアルデヒド類の混合物をフェノール類の縮合剤として用いることにより重合体を形成し、アルカリ可溶性樹脂を得るという技術も提案されている(特開平5−204146号公報)。しかしながらこの場合においても、今日の微細化技術に対し十分満足し得る程度の特性を得るまでには至っていない。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、特に、高感度でありながら残膜率が高く、しかも焦点深度幅の大きいポジ型ホトレジスト組成物およびその製造方法、並びにこれらに有利に用いられ得るアルカリ可溶性ノボラック樹脂を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意研究を重ねた結果、フェノール性化合物と、縮合剤として不飽和脂肪族アルデヒドと飽和脂肪族アルデヒドを所定量ずつ組み合わせた混合アルデヒドとを用いて縮合反応生成物(アルカリ可溶性ノボラック樹脂)を得、これをポジ型ホトレジスト組成物に用いたところ、感度を高く保ったまま、残膜性に優れ、さらに焦点深度幅の大きいポジ型ホトレジスト組成物が得られることを見い出し、これに基づいて本発明を完成するに至った。
【0010】
すなわち本発明は、(A)アルカリ可溶性ノボラック樹脂と(B)キノンジアジド基含有化合物を含むポジ型ホトレジスト組成物において、
(A)アルカリ可溶性ノボラック樹脂が、
(a)フェノール性化合物と、
(b−1)不飽和脂肪族アルデヒド5〜30モル%と(b−2)飽和脂肪族アルデヒド70〜95モル%との(b)混合アルデヒド
とを縮合させて得られる生成物である、ポジ型ホトレジスト組成物に関する。
【0011】
また本発明は、上記(a)フェノール性化合物と(b)混合アルデヒドとの縮合を、(I)(a)フェノール性化合物に(b−1)不飽和脂肪族アルデヒド5〜30モル%を加えて反応させ、次いで(b−2)飽和脂肪族アルデヒド70〜95モル%を加えて反応させる、(II)(a)フェノール性化合物に(b−2)飽和脂肪族アルデヒド70〜95モル%を加えて反応させ、次いで(b−1)不飽和脂肪族アルデヒド5〜30モル%を加えて反応させる、(III)(a)フェノール性化合物に(b−1)不飽和脂肪族アルデヒド5〜30モル%と(b−2)飽和脂肪族アルデヒド70〜95モル%を同時に加えて反応させる、のいずれかの方法により行って(A)アルカリ可溶性ノボラック樹脂を得、これを用いて上記ポジ型ホトレジスト組成物を製造する、ポジ型ホトレジスト組成物の製造方法に関する。
【0012】
また本発明は、(a)フェノール性化合物と、(b−1)不飽和脂肪族アルデヒド5〜30モル%と(b−2)飽和脂肪族アルデヒド70〜95モル%との(b)混合アルデヒドとを縮合させて得られる生成物である、ホトレジスト組成物用アルカリ可溶性ノボラック樹脂に関する。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下に本発明のポジ型ホトレジスト組成物およびその製造方法、並びにこれらに有利に用いられ得るアルカリ可溶性ノボラック樹脂について詳述する。
【0014】
本発明のポジ型ホトレジスト組成物に含有される(A)成分としてのアルカリ可溶性ノボラック樹脂は、(a)フェノール性化合物と、(b−1)不飽和脂肪族アルデヒド5〜30モル%と(b−2)飽和脂肪族アルデヒド70〜95モル%との(b)混合アルデヒドとを縮合させて得られる縮合反応生成物である。
【0015】
(a)フェノール性化合物としては、例えばフェノール、m−クレゾール、p−クレゾール、o−クレゾール、2,3−キシレノール、2,5−キシレノール、3,5−キシレノール、3,4−キシレノール等のキシレノール類;m−エチルフェノール、p−エチルフェノール、o−エチルフェノール、2,3,5−トリメチルフェノール、2,3,5−トリエチルフェノール、4−tert−ブチルフェノール、3−tert−ブチルフェノール、2−tert−ブチルフェノール、2−tert−ブチル−4−メチルフェノール、2−tert−ブチル−5−メチルフェノール等のアルキルフェノール類;p−メトキシフェノール、m−メトキシフェノール、p−エトキシフェノール、m−エトキシフェノール、p−プロポキシフェノール、m−プロポキシフェノール等のアルコキシフェノール類;o−イソプロペニルフェノール、p−イソプロペニルフェノール、2−メチル−4−イソプロペニルフェノール、2−エチル−4−イソプロペニルフェノール等のイソプロペニルフェノール類;フェニルフェノール等のアリールフェノール類;4,4’−ジヒドロキシビフェニル、ビスフェノールA、レゾルシノール、ヒドロキノン、ピロガロール等のポリヒドロキシフェノール類等を挙げることができる。これらは単独で用いてもよいし、また2種以上を組み合わせて用いてもよい。
【0016】
中でも、m−クレゾール、p−クレゾール、2,5−キシレノールおよび2,3,5−トリメチルフェノールの中から選ばれるいずれか2種以上、特に2種または3種の組み合わせが好ましく用いられる。
【0017】
その配合量は、フェノール性化合物全量に対し、m−クレゾールでは70〜95モル%、特には80〜90モル%、p−クレゾールでは3〜15モル%、特には5〜10モル%、2,5−キシレノールでは3〜25モル%、特には5〜20モル%、2,3,5−トリメチルフェノールでは3〜15モル%、特には5〜10モル%の範囲から選ばれるのが好ましい。本発明では、フェノール性化合物がm−クレゾールリッチであって、しかもp−クレゾールの配合量をそれほど多くしなくても、高感度性、高い残膜率、大きな焦点深度幅を併せもったホトレジスト組成物を得ることができる。
【0018】
(b−1)不飽和脂肪族アルデヒドとしては、アクリルアルデヒド、クロトンアルデヒド、メタクリルアルデヒドおよび2−メチル−2−ブテナールの中から選ばれる1種または2種以上が好ましく用いられる。中でもクロトンアルデヒドが特に好ましい。
【0019】
(b−2)飽和脂肪族アルデヒドとしては、ホルムアルデヒド、p−ホルムアルデヒド、トリオキサン、プロピオンアルデヒド、ブチルアルデヒド、トリメチルアルデヒド等が好ましいものとして挙げられる。飽和脂肪族アルデヒドは単独で用いてもよく、あるいは2種以上を組み合わせて用いてもよい。中でもホルムアルデヒドが特に好ましく用いられる。
【0020】
本発明では、上記(b−1)不飽和脂肪族アルデヒドを5〜30モル%、好ましくは7〜15モル%と、(b−2)飽和脂肪族アルデヒドを70〜95モル%、好ましくは75〜93モル%とからなる(b)混合アルデヒドを縮合剤として用い、上記(a)フェノール性化合物と(b)混合アルデヒドを縮合させ、その縮合反応生成物である(A)アルカリ可溶性ノボラック樹脂を得る。
【0021】
(a)フェノール性化合物と(b)混合アルデヒドとの縮合反応は、酸性触媒の存在下、公知の方法で行うことができる。酸性触媒としては、塩酸、硫酸、ギ酸、シュウ酸、パラトルエンスルホン酸等を使用することができる。なお、飽和脂肪族アルデヒドのような反応性の高い化合物を用いる反応では、シュウ酸などの弱〜中程度の強さの酸を使用し、不飽和脂肪族アルデヒドのような反応性の低い化合物を用いる反応では、パラトルエンスルホン酸などの強めの酸を使用することが好ましい。
【0022】
(a)フェノール性化合物と(b)混合アルデヒドとの縮合の方法は、(I)(a)フェノール性化合物に、(b−1)不飽和脂肪族アルデヒドを5〜30モル%、好ましくは7〜15モル%加えて反応させ(一次反応)、次いで(b−2)飽和脂肪族アルデヒドを70〜95モル%、好ましくは75〜93モル%加えて反応(二次反応)させる、(II)(a)フェノール性化合物に(b−2)飽和脂肪族アルデヒドを上記の量加えて反応(一次反応)させ、次いで(b−1)不飽和脂肪族アルデヒドを上記の量加えて反応(二次反応)させる、(III)(a)フェノール性化合物に(b−1)不飽和脂肪族アルデヒドと(b−2)飽和脂肪族アルデヒドを、同時にそれぞれ上記の量加えて反応させる、の3方法のうちのいずれかの方法により行うことができる。
【0023】
上記(I)の方法は、具体的には、例えば、フェノール性化合物を溶解した溶液中に不飽和脂肪族アルデヒドを加え、80〜120℃で2〜10時間加熱還流を行った後、溶液を冷却する。次いで、ここに飽和脂肪族アルデヒドを加え、80〜120℃で2〜10時間加熱還流を行った後、縮合反応生成物を得る、等により行われる。
【0024】
上記(II)の方法は、具体的には、例えば、フェノール性化合物を溶解した溶液中に飽和脂肪族アルデヒドを加え、80〜120℃で飽和脂肪族アルデヒドが反応しきるまで加熱還流を行う。その後、容器を開放系にして未反応の飽和脂肪族アルデヒドを完全に除去した後、溶液を冷却する。次いで、ここに不飽和脂肪族アルデヒドを加え、80〜120℃で5〜15時間加熱還流を行った後、縮合反応生成物を得る、等により行われる。
【0025】
上記(III)の方法は、具体的には、例えば、フェノール性化合物を溶解した溶液中に不飽和脂肪族アルデヒドと飽和脂肪族アルデヒドを同時に加え、80〜120℃で5〜15時間加熱還流を行った後、縮合反応生成物を得る、等により行われる。ただし、不飽和脂肪族アルデヒドが飽和脂肪族アルデヒドに比べて反応性が低いことから、この(III)の方法では、上記(I)、(II)の方法に比べ過剰量の不飽和アルデヒドを加える。これにより前者2つの方法と同程度の成分比をもつ樹脂が得られる。
【0026】
上記3方法の中で、(I)の方法が、得られる樹脂の構成成分比や分子量のコントロールのしやすさなどの点から最も好ましい。これは不飽和脂肪族アルデヒドと飽和脂肪族アルデヒドの反応性の違いによるものと考えられる。すなわち、反応性に劣る不飽和脂肪族アルデヒドを先にフェノール性化合物に加えて縮合させれば、組成を一定に保つことが比較的容易でかつ再現性があり、さらに分子量のコントロールも容易にできると考えられるからである。
【0027】
なお、上記(I)の縮合方法において、一次反応終了後の生成物(一次反応生成物)は重量平均分子量200〜2,000程度のものが得られる。また、二次反応終了後の生成物(二次反応生成物)は重量平均分子量1,000〜20,000程度のものが得られる。ここで重量平均分子量とは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法(GPC)によるポリスチレン換算値である。
【0028】
また、上記(II)の縮合方法において、一次反応終了後の生成物(一次反応生成物)は重量平均分子量200〜5,000程度のものが得られる。また、二次反応終了後の生成物(二次反応生成物)は重量平均分子量1,000〜20,000程度のものが得られる。
【0029】
なお、縮合過程で用いられる溶媒としては公知のものを任意に用いることができるが、特にγ−ブチロラクトンとプロピレングリコールモノアルキルエーテルの混合溶媒が好ましく用いられる。プロピレングリコールモノアルキルエーテルとしては、例えばプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル等が挙げられ、中でもプロピレングリコールモノプロピルエーテルが好ましい。プロピレングリコールモノアルキルエーテルは1種または2種以上が用いられる。
【0030】
なお、フェノール性化合物と混合アルデヒドとの縮合の後、通常、分別処理を行って低分子領域をカットして樹脂を析出させて、ポジ型ホトレジスト組成物に好適な(A)アルカリ可溶性ノボラック樹脂を得ることができる。分別は常法により行うことができ、例えば、上記二次反応生成物(最終反応生成物)を2−ヘプタノン、メタノール、酢酸ブチル、メチルイソブチルケトン等の溶媒に溶解後、さらに樹脂固形分の1〜20倍量程度のn−ヘプタン、水等を加えて樹脂を析出させる、等によって得ることができる。
【0031】
分別処理後の樹脂の重量平均分子量は2,000〜20,000程度が好ましく、特には5,000〜15,000程度である。
【0032】
上記縮合反応において、(a)フェノール性化合物と(b)混合アルデヒドの使用(混合)比は、(a)フェノール性化合物1に対して(b)混合アルデヒドを0.7〜1.0のモル比で用いるのが好ましい。
【0033】
このようにして得られる(A)アルカリ可溶性ノボラック樹脂は、ポジ型ホトレジストに用いた場合、従来の樹脂に比べて、現像処理時の未露光部の溶解速度が10%程度遅くなる。
【0034】
本発明では、上記混合アルデヒドを縮合剤として得た(A)アルカリ可溶性ノボラック樹脂を用いることによって、高感度でありながら残膜率がよく、しかも焦点深度幅の大きいポジ型ホトレジスト組成物の製造が可能となった。
【0035】
この理由としては、おそらく、ノボラック樹脂の縮合剤としてホルムアルデヒドを単独使用した場合はメチレン鎖が形成されるのに対し、本発明におけるように、ホルムアルデヒドよりも分子のかさが大きく不飽和結合をもつクロトンアルデヒド等の不飽和脂肪族アルデヒドを用いた場合、フェノール性化合物中に含まれる水酸基の周囲をアルキル基が囲むことになり、そのためアルカリに対する溶解性が低くなり、これより、高感度性を損なうことなく、現像液に対する膜減りを少なくすることができるようになるものと考えられる。
【0036】
(B)成分としてのキノンジアジド基含有化合物は感光性成分であり、例えばナフトキノン−1,2−ジアジドスルホン酸エステル化合物、オルトベンゾキノンジアジドスルホン酸エステル、オルトアントラキノンジアジドスルホン酸エステル等が挙げられ、これらは特に制限なく通常使用されているものの中から任意に選ぶことができるが、好ましいものとしては、ナフトキノン−1,2−ジアジド−5−スルホニルクロライド、ナフトキノン−1,2−ジアジド−4−スルホニルクロライド、ナフトキノン−1,2−ジアジド−6−スルホニルクロライド等のナフトキノン−1,2−ジアジドスルホニルハライドと、ヒドロキシ化合物とのエステル化物が挙げられる。
【0037】
ここで、上記ヒドロキシ化合物としては、例えば以下に示す(i)〜(iii)の化合物を挙げることができる。
【0038】
(i)ポリヒドロキシベンゾフェノン類:
これに属する化合物の例としては、2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノン、2,4,4’−トリヒドロキシベンゾフェノン、2,4,6−トリヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,2’,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,3’,4,4’,6−ペンタヒドロキシベンゾフェノン、2,2’,3,4,4’−ペンタヒドロキシベンゾフェノン、2,2’,3,4,5’−ペンタヒドロキシベンゾフェノン、2,3’,4,5,5’−ペンタヒドロキシベンゾフェノン、2,3,3’,4,4’,5’−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン等がある。
【0039】
(ii)下記一般式(I)
【0040】
【化5】
【0041】
〔式中、R1〜R8はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数1〜6のアルキル基、炭素原子数1〜6のアルコキシル基、またはシクロアルキル基を表し;R9〜R11はそれぞれ独立に水素原子または炭素原子数1〜6のアルキル基を表し;Qは水素原子、炭素原子数1〜6のアルキル基、R9と結合し、炭素原子鎖3〜6のシクロ環または下記式(II)で表される残基
【0042】
【化6】
【0043】
(ただし、R12およびR13はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数1〜6のアルキル基、炭素原子数1〜6のアルコキシル基、またはシクロアルキル基を表し;cは1〜3の整数である)を表し;a、bは1〜3の整数を表し;dは0〜3の整数を表し、nは0〜2の整数を表す〕
で表されるヒドロキシアリール化合物:
【0044】
これに属する化合物の例としては、ビス[2−ヒドロキシ−3−(2−ヒドロキシ−5−メチルベンジル)−5−メチルフェニル]メタン、トリス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)−4−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)−3−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)−2−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシ−2,5−ジメチルフェニル)−4−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシ−2,5−ジメチルフェニル)−3−ヒドロキシフェニルメタン、ビス[4−ヒドロキシ−2,5−ジメチル−3−(2−ヒドロキシ−5−メチルベンジル)フェニル]メタン、ビス(4−ヒドロキシ−2,3,5−トリメチルフェニル)−2−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシ−2,5−ジメチルフェニル)−2−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)−3,4−ジヒドロキシフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシ−2,5−ジメチルフェニル)−3,4−ジヒドロキシフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)−2,4−ジヒドロキシフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシ−2,5−ジメチルフェニル)−2,4−ジヒドロキシフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシフェニル)−3−メトキシ−4−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(5−シクロヘキシル−4−ヒドロキシ−2−メチルフェニル)−3,4−ジヒドロキシフェニルメタン、ビス(3−シクロヘキシル−4−ヒドロキシフェニル)−3−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(3−シクロヘキシル−4−ヒドロキシフェニル)−2−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(3−シクロヘキシル−4−ヒドロキシフェニル)−4−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(3−シクロヘキシル−4−ヒドロキシ−6−メチルフェニル)−2−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(3−シクロヘキシル−4−ヒドロキシ−6−メチルフェニル)−3−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(3−シクロヘキシル−4−ヒドロキシ−6−メチルフェニル)−4−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(3−シクロヘキシル−4−ヒドロキシ−6−メチルフェニル)−3,4−ジヒドロキシフェニルメタン、ビス(3−シクロヘキシル−6−ヒドロキシフェニル)−3−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(3−シクロヘキシル−6−ヒドロキシフェニル)−4−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(3−シクロヘキシル−6−ヒドロキシフェニル)−2−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(3−シクロヘキシル−6−ヒドロキシ−4−メチルフェニル)−2−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(3−シクロヘキシル−6−ヒドロキシ−4−メチルフェニル)−4−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(3−シクロヘキシル−6−ヒドロキシ−4−メチルフェニル)−3,4−ジヒドロキシフェニルメタン、1−[1−(4−ヒドロキシフェニル)イソプロピル]−4−[1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)エチル]ベンゼン、1−[1−(3−メチル−4−ヒドロキシフェニル)イソプロピル]−4−[1,1−ビス(3−メチル−4−ヒドロキシフェニル)エチル]ベンゼン、ビス(4−ヒドロキシ−2,3,5−トリメチルフェニル)−2−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシ−2,3,5−トリメチルフェニル)−3−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシ−2,3,5−トリメチルフェニル)−4−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシ−2,3,5−トリメチルフェニル)−3,4−ジヒドロキシフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシ−2,3,5−トリメチルフェニル)−4−ヒドロキシ−3−メトキシフェニルメタン等のヒドロキシアリール化合物;2−(2,3,4−トリヒドロキシフェニル)−2−(2’,3’,4’−トリヒドロキシフェニル)プロパン、2−(2,4−ジヒドロキシフェニル)−2−(2’,4’−ジヒドロキシフェニル)プロパン、2−(4−ヒドロキシフェニル)−2−(4’−ヒドロキシフェニル)プロパン、ビス(2,3,4−トリヒドロキシフェニル)メタン、ビス(2,4−ジヒドロキシフェニル)メタン等のビス(ヒドロキシフェニル)アルカン化合物;1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン、1,1−ビス(2−メチル−4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン等のビス(ヒドロキシフェニル)シクロアルカン化合物等が挙げられる。
【0045】
また、2,6−ビス(4−ヒドロキシ−2,5−ジメチルベンジル)−4−メチルフェノール、2,6−ビス[1−(2,4−ジヒドロキシフェニル)イソプロピル]−4−メチルフェノール、4,6−ビス[1−(4−ヒドロキシフェニル)イソプロピル]レゾルシン、4,6−ビス(3,5−ジメトキシ−4−ヒドロキシフェニルメチル)ピロガロール、4,6−ビス(3,5−ジメチル−4,6−ジヒドロキシフェニルメチル)−4−メチルフェノール、2,6−ビス(2,3,4−トリヒドロキシフェニルメチル)−4−メチルフェノール等が挙げられる。
【0046】
(iii)フェノール類:
これに属する化合物の例としては、フェノール、p−メトキシフェノール、ジメチルフェノール、ヒドロキノン、ビスフェノールA、ナフトール、ピロカテコール、ピロガロールモノメチルエーテル、ピロガロール−1,3−ジメチルエーテル、没食子酸、部分エステル化または部分エーテル化没食子酸等のフェノール化合物がある。
【0047】
上記したヒドロキシ化合物の中で、特に諸特性に優れたハーフミクロン以下の微細パターンを得るには、ヒドロキシアリール類が好ましく用いられる。中でもビス[4−ヒドロキシ−2,5−ジメチル−3−(2−ヒドロキシ−5−メチルベンジル)フェニル]メタン、ビス(4−ヒドロキシ−2,3,5−トリメチルフェニル)−2−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(5−シクロヘキシル−4−ヒドロキシ−2−メチルフェニル)−3,4−ジヒドロキシフェニルメタン、2,6−ビス(4−ヒドロキシ−2,5−ジメチルベンジル)−4−メチルフェノール等が好ましい。
られる。
【0048】
感光性成分としての上記エステル化物(キノンジアジド基含有化合物)は、上記ナフトキノン−1,2−ジアジドスルホニルハライドと前記したヒドロキシ化合物とを縮合反応させ、完全エステル化または部分エステル化することによって製造することができる。この縮合反応は、通常例えばジオキサン、N−メチルピロリドン、ジメチルアセトアミド等の有機溶媒中、トリエタノールアミン、炭酸アルカリまたは炭酸水素アルカリのような塩基性縮合剤の存在下で行うのが有利である。
【0049】
この際、ヒドロキシ化合物の水酸基の合計モル数に対し50%以上、好ましくは60%以上のモル数のナフトキノン−1,2−ジアジド−4(または5)−スルホニルハライドを縮合させたエステル(すなわち、エステル化率が50%以上、好ましくは60%以上のエステル)を用いるとより優れた高解像性を得ることができるので好ましい。
【0050】
本発明組成物においては、所望に応じ、さらに(C)成分として増感剤(感度向上剤)を含有させるこができる。このような増感剤としては、前記一般式(I)で表されるヒドロキシアリール類の中から選ばれる少なくとも1種を含有させることができる。
【0051】
増感剤としての上記一般式(I)で表されるヒドロキシアリール類としては、先に例示した化合物中、ビス(4−ヒドロキシ−2,3,5−トリメチルフェニル)−2−ヒドロキシフェニルメタン、2,4−ビス(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニルメチル)−6−メチルフェノール、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)−2−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシ−2,5−ジメチルフェニル)−2−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)−3,4−ジヒドロキシフェニルメタン、1−[1−(4−ヒドロキシフェニル)イソプロピル]−4−[1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)エチル]ベンゼン、1−[1−(3−メチル−4−ヒドロキシフェニル)イソプロピル]−4−[1,1−ビス(3−メチル−4−ヒドロキシフェニル)エチル]ベンゼン、2,6−ビス[1−(2,4−ジヒドロキシフェニル)イソプロピル]−4−メチルフェノール、4,6−ビス[1−(4−ヒドロキシフェニル)イソプロピル]レゾルシン、4,6−ビス(3,5−ジメトキシ−4−ヒドロキシフェニルメチル)ピロガロール、4,6−ビス(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニルメチル)ピロガロール、2,6−ビス(3−メチル−4,6−ジヒドロキシフェニルメチル)−4−メチルフェノール、2,6−ビス(2,3,4−トリヒドロキシフェニルメチル)−4−メチルフェノール、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン等が好ましいものとして挙げられる。中でも、ビス(4−ヒドロキシ−2,3,5−トリメチルフェニル)−2−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)−3,4−ジヒドロキシフェニルメタン、1−[1−(4−ヒドロキシフェニル)イソプロピル]−4−[1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)エチル]ベンゼン、4,6−ビス[1−(4−ヒドロキシフェニル)イソプロピル]レゾルシン等が特に好ましい。
【0052】
これらヒドロキシアリール類を増感剤として含有させる場合、その含有量は(A)成分であるアルカリ可溶性ノボラック樹脂成分(固形分)に対し5〜50重量%とするのが好ましく、より好ましくは10〜35重量%である。本発明では、(A)、(B)成分に加えて、(C)増感剤としてこれらヒドロキシアリール類を用いると、露光余裕度、焦点深度幅特性をさらに向上させ、感度にもより優れるので、より好ましい。
【0053】
また、感光性成分としての(B)キノンジアジド基含有化合物の配合量は、(A)成分であるアルカリ可溶性ノボラック樹脂と所望に応じて添加される(C)増感剤(ヒドロキシアリール類)との合計量に対し5〜100重量%とするのが好ましく、より好ましくは10〜50重量%である。(B)成分の配合量が少なすぎるとパターンに忠実な画像を得るのが難しく、転写性も低下する傾向にある。一方、(B)成分の配合量が多すぎると、感度劣化と形成されるレジスト膜の均質性が低下し、解像性が劣化する傾向にある。(B)成分は単独で用いてもよく、あるいは2種以上を組み合わせて用いてもよい。
【0054】
本発明組成物には、さらに必要に応じて、相容性のある添加物、具体的には露光余裕度と残膜率の向上剤として1,4−ビス[1−(3−シクロヘキシル−4−ヒドロキシ−6−メチルフェニル)イソプロピル]ベンゼン、ハレーション防止のための紫外線吸収剤、例えば2,2’,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、4−ジメチルアミノ−2’,4’−ジヒドロキシベンゾフェノン、5−アミノ−3−メチル−1−フェニル−4−(4−ヒドロキシフェニルアゾ)ピラゾール、4−ジメチルアミノ−4’−ヒドロキシアゾベンゼン、4−ジエチルアミノ−4’−エトキシアゾベンゼン、4−ジエチルアミノアゾベンゼン、クルクミン等や、またストリエーション防止のための界面活性剤、例えばフロラードFC−430、FC431(商品名、住友3M(株)製)、エフトップEF122A、EF122B、EF122C、EF126(商品名、トーケムプロダクツ(株)製)等のフッ素系界面活性剤などを本発明の目的に支障のない範囲で添加含有させることができる。
【0055】
本発明組成物は、(A)アルカリ可溶性ノボラック樹脂と(B)感光性成分としてのキノンジアジド基含有化合物、さらに所望に応じて用いられる各種添加成分、好ましくは(C)増感剤として上記一般式(I)で表されるヒドロキシアリール類、とを、適当な溶剤に溶解して溶液の形で用いるのが好ましい。
【0056】
このような溶剤の例としては、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルイソアミルケトン、2−ヘプタノン等のケトン類;エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコール、エチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテート、あるいはこれらのモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテルまたはモノフェニルエーテル等の多価アルコール類およびその誘導体;ジオキサンのような環式エーテル類;および乳酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル等のエステル類を挙げることができる。これらは単独で用いてもよいし、2種以上を混合して用いてもよい。
【0057】
本発明組成物の好適な使用方法について一例を示すと、まず、シリコンウェーハ等の支持体上に、(A)成分としてのアルカリ可溶性ノボラック樹脂、(B)成分としてのキノジアジド基含有化合物、(C)成分としての増感剤と、必要に応じて用いられる各種添加成分を前記したような適当な溶剤に溶かした溶液をスピンナー等で塗布し、乾燥して感光層を形成させ、次いで紫外線を発光する光源、例えば低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、キセノンランプ等を用い、所望のマスクパターンを介して露光するか、あるいは電子線を走査しながら照射する。次にこれを現像液、例えば1〜10重量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)水溶液のようなアルカリ性水溶液に浸漬すると、露光部が溶解除去されてマスクパターンに忠実な画像を得ることができる。
【0058】
【実施例】
次に、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれによってなんら限定されるものではない。
【0059】
(製造例1)
攪拌機、熱交換機、温度計のついた1リットルの四つ口フラスコに、m−クレゾール162g(1.5モル)、p−クレゾール9g(0.083モル)、2,3,5−トリメチルフェノール11.3g(0.083モル)からなるフェノール類に対しクロトンアルデヒド9.94g(0.142モル)、p−トルエンスルホン酸3gを加え、γ−ブチロラクトンとプロピルプロピレングリコールの混合溶媒(混合重量比3:7)273gに溶解させ、100℃の温度下で3時間一次反応を行った。得られた縮合物の重量平均分子量は300であった。次いで、反応溶液を一度冷却してから37%ホルマリン103.62g(1.278モル)を加え、さらに100℃の温度下で5時間二次反応を行った。ここで得られた縮合物の重量平均分子量は3500であった。この縮合物(樹脂)を、樹脂濃度が15%になるように2−ヘプタノンを加え溶解させ、続いて樹脂固形分の6倍量のn−へプタンを加えて分別処理を行い、析出した樹脂を回収した。得られた樹脂の重量平均分子量は5000であった。
【0060】
(製造例2〜7、比較製造例1〜3)
フェノール類、縮合剤(混合アルデヒド)の各構成成分を、表1に示すモル比で、溶液の量が1リットルを超えないように調整して樹脂を合成した後、表2に示す分別工程により樹脂を析出させた以外は、製造例1と同様の操作により樹脂を得た。
【0061】
なお、表1中、「MCRE」はm−クレゾールを、「PCRE」はp−クレゾールを、「235TMP」は2,3,5−トリメチルフェノールを、「25XY」は2,5−キシレノールを、それぞれ示す。
【0062】
【表1】
【0063】
【表2】
【0064】
なお、表2中、分別工程欄の各記号は以下の処理を示す。
【0065】
A1: 樹脂濃度が15%となるように2−ヘプタノンに溶解後、樹脂固形成分の6倍量のn−ヘプタンを加えて樹脂を析出させた。
【0066】
A2: 樹脂濃度が20%となるように2−ヘプタノンに溶解後、樹脂固形成分の4倍量のn−ヘプタンを加えて樹脂を析出させた。
【0067】
B1:樹脂濃度が13%となるようにメタノールに溶解後、樹脂固形成分の2.5倍量の水を加えて樹脂を析出させた。
【0068】
B2:樹脂濃度が15%となるようにメタノールに溶解後、樹脂固形成分の2.5倍量の水を加えて樹脂を析出させた。
【0069】
(実施例1〜6、比較例1〜7)
各製造例、比較製造例により得られたアルカリ可溶性ノボラック樹脂に対し、表3に示す割合で各感光性成分、増感剤成分を加え、ポジ型レジスト組成物を調製した。得られたポジ型レジスト組成物について、それぞれ感度、残膜率、焦点深度幅の評価を行った。これらの評価は次のようにして求めた。
【0070】
[感度]
上記ホトレジスト組成物をスピンナーを用いてシリコンウェーハ上に塗布し、ホットプレートで90℃、90秒間乾燥して、膜厚1.05μmのレジスト膜を得た。この膜に縮小投影露光装置NSR−2005i10D(ニコン(株)製、NA=0.57)を用いて、0.1秒から0.01秒間隔で露光した後、110℃、90秒間のPEB(露光後加熱)処理を行い、2.38wt%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いて23℃、60秒間現像し、30秒間水洗いして乾燥した。その際、現像後の露光部の膜厚が0となる最小の露光時間を感度としてミリ秒(ms)単位で測定した。
【0071】
[残膜率]
上記において、未露光部の現像前の膜厚に対する現像後の膜厚の割合を残膜率(%)として評価した。
【0072】
[焦点深度幅]
縮小投影露光装置NSR−2005i10D(ニコン(株)製、NA=0.57)を用いて、Eop(0.30μmのライン・アンド・スペース幅が1:1に形成されるのに要する露光量)を基準露光量とし、その露光量において、焦点を適宜上下にずらし、露光、現像を行い、得られたレジストパターンのSEM写真の観察を行った。そのSEM写真より、0.30μmの矩形のレジストパターンが得られる焦点ずれの最大値(μm)を焦点深度幅とした。
【0073】
【表3】
【0074】
【表4】
【0075】
なお、表3〜4中、増感剤成分の配合量(重量%)は、樹脂の固形分100に対する値を示し、感光性成分の配合量(重量%)は(樹脂の固形分+増感剤成分)の合計量100に対する値を示す。
【0076】
また、表3〜4中、各記号は以下の化合物を示す。
【0077】
ADD1: 1−[1−(4−ヒドロキシフェニル)イソプロピル]−4−[1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)エチル]ベンゼン。
【0078】
ADD2: ビス(4−ヒドロキシ−2,3,5−トリメチルフェニル)−2−ヒドロキシフェニルメタン。
【0079】
ADD3: ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)−3,4−ジヒドロキシフェニルメタン。
【0080】
ADD4: 4,6−ビス[1−(4−ヒドロキシフェニル)イソプロピル]レゾルシン。
【0081】
PAC1: ビス(5−シクロヘキシル−4−ヒドロキシ−2−メチルフェニル)−3,4−ジヒドロキシフェニルメタン1.0モルと、ナフトキノン−1,2−ジアジド−5−スルホン酸クロライド2.0モルとのエステル化物。
【0082】
PAC2: ビス[4−ヒドロキシ−2,5−ジメチル−3−(2−ヒドロキシ−5−メチルベンジル)フェニル]メタン1.0モルと、ナフトキノン−1,2−ジアジド−5−スルホン酸クロライド2.0モルとのエステル化物。
【0083】
PAC3: 2,6−ビス(4−ヒドロキシ−2,5−ジメチルベンジル)−4−メチルフェノール1.0モルと、ナフトキノン−1,2−ジアジド−5−スルホン酸クロライド2.0モルとのエステル化物。
【0084】
PAC4: 1−[1−(4−ヒドロキシフェニル)イソプロピル]−4−[1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)エチル]ベンゼン1.0モルと、ナフトキノン−1,2−ジアジド−5−スルホン酸クロライド3.0モルとのエステル化物。
【0085】
PAC5: ビス(4−ヒドロキシ−2,3,5−トリメチルフェニル)−2−ヒドロキシフェニルメタン1.0モルと、ナフトキノン−1,2−ジアジド−5−スルホン酸クロライド2.0モルとのエステル化物。
【0086】
PAC6: 1−[1−(4−ヒドロキシフェニル)イソプロピル]−4−[1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)エチル]ベンゼン1.0モルと、ナフトキノン−1,2−ジアジド−5−スルホン酸クロライド2.0モルとのエステル化物。
【0087】
PAC7: ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)−3,4−ジヒドロキシフェニルメタン1.0モルと、ナフトキノン−1,2−ジアジド−5−スルホン酸クロライド2.0モルとのエステル化物。
【0088】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明のアルカリ可溶性ノボラック樹脂を用いることにより、高感度でかつ残膜率がよく、焦点深度幅が大きいポジ型ホトレジスト組成物が得られる。したがってこれを用いて再現性等の諸特性に優れたレジストパターンを形成することができる。
Claims (17)
- (A)アルカリ可溶性ノボラック樹脂と(B)キノンジアジド基含有化合物を含むポジ型ホトレジスト組成物において、
(A)アルカリ可溶性ノボラック樹脂が、
(a)フェノール性化合物と、
(b−1)不飽和脂肪族アルデヒド5〜30モル%と(b−2)飽和脂肪族アルデヒド70〜95モル%との(b)混合アルデヒド
とを縮合させて得られる生成物である、ポジ型ホトレジスト組成物。 - (b−1)不飽和脂肪族アルデヒドがアクリルアルデヒド、クロトンアルデヒド、メタクリルアルデヒドおよび2−メチル−2−ブテナールの中から選ばれる1種または2種以上である、請求項1記載のポジ型ホトレジスト組成物。
- (b−1)不飽和脂肪族アルデヒドがクロトンアルデヒドである、請求項2記載のポジ型ホトレジスト組成物。
- (b−2)飽和脂肪族アルデヒドがホルムアルデヒドである、請求項1〜3のいずれか1項に記載のポジ型ホトレジスト組成物。
- (b)混合アルデヒドが、クロトンアルデヒド7〜15モル%、ホルムアルデヒド85〜93モル%とからなる、請求項3または4記載のポジ型ホトレジスト組成物。
- (a)フェノール性化合物がm−クレゾール、p−クレゾール、2,5−キシレノールおよび2,3,5−トリメチルフェノールの中から選ばれるいずれか2種以上である、請求項1〜5のいずれか1項に記載のポジ型ホトレジスト組成物。
- (a)フェノール性化合物中に、m−クレゾール70〜95モル%、p−クレゾール3〜15モル%、2,5−キシレノール3〜25モル%、2,3,5−トリメチルフェノール3〜15モル%の中から選ばれる2種または3種を含む、請求項6記載のポジ型ホトレジスト組成物。
- (a)フェノール性化合物と(b)混合アルデヒドを、(a)フェノール性化合物1に対して(b)混合アルデヒドを0.7〜1.0(モル比)の割合で用いて縮合させる、請求項1〜7のいずれか1項に記載のポジ型ホトレジスト組成物。
- (B)キノンジアジド基含有化合物が下記一般式(I)
で表されるヒドロキシアリール化合物とナフトキノン−1,2−ジアジドスルホン酸化合物とのエステル化合物である、請求項1〜8のいずれか1項に記載のポジ型ホトレジスト組成物。 - さらに(C)増感剤として下記一般式(I)
で表されるヒドロキシアリール化合物を含有してなる、請求項1〜9のいずれか1項に記載のポジ型ホトレジスト組成物。 - (a)フェノール性化合物と(b)混合アルデヒドとの縮合を、(I)(a)フェノール性化合物に(b−1)不飽和脂肪族アルデヒド5〜30モル%を加えて反応させ、次いで(b−2)飽和脂肪族アルデヒド70〜95モル%を加えて反応させる、(II)(a)フェノール性化合物に(b−2)飽和脂肪族アルデヒド70〜95モル%を加えて反応させ、次いで(b−1)不飽和脂肪族アルデヒド5〜30モル%を加えて反応させる、(III)(a)フェノール性化合物に(b−1)不飽和脂肪族アルデヒド5〜30モル%と(b−2)飽和脂肪族アルデヒド70〜95モル%を同時に加えて反応させる、のいずれかの方法により行って縮合反応生成物として(A)アルカリ可溶性ノボラック樹脂を得、これを用いて請求項1〜10のいずれかのポジ型ホトレジスト組成物を製造する、ポジ型ホトレジスト組成物の製造方法。
- (a)フェノール性化合物と(b)混合アルデヒドとの縮合を、(I)(a)フェノール性化合物に(b−1)不飽和脂肪族アルデヒド5〜30モル%を加えて反応させ、次いで(b−2)飽和脂肪族アルデヒド70〜95モル%を加えて反応させることにより行う、請求項11記載のポジ型ホトレジスト組成物の製造方法。
- (a)フェノール性化合物と(b)混合アルデヒドの縮合を、(a)フェノール性化合物1に対して(b)混合アルデヒドを0.7〜1.0(モル比)の割合で用いて行う、請求項11または12記載のポジ型ホトレジスト組成物の製造方法。
- (a)フェノール性化合物と、
(b−1)不飽和脂肪族アルデヒド5〜30モル%と(b−2)飽和脂肪族アルデヒド70〜95モル%との(b)混合アルデヒド
とを縮合させて得られる生成物である、ホトレジスト組成物用アルカリ可溶性ノボラック樹脂。 - (a)フェノール性化合物と(b)混合アルデヒドとの縮合を、(I)(a)フェノール性化合物に(b−1)不飽和脂肪族アルデヒド5〜30モル%を加えて反応させ、次いで(b−2)飽和脂肪族アルデヒド70〜95モル%を加えて反応させる、(II)(a)フェノール性化合物に(b−2)飽和脂肪族アルデヒド70〜95モル%を加えて反応させ、次いで(b−1)不飽和脂肪族アルデヒド5〜30モル%を加えて反応させる、(III)(a)フェノール性化合物に(b−1)不飽和脂肪族アルデヒド5〜30モル%と(b−2)飽和脂肪族アルデヒド70〜95モル%を同時に加えて反応させる、のいずれかの方法により行う、請求項14記載のホトレジスト組成物用アルカリ可溶性ノボラック樹脂。
- (a)フェノール性化合物がm−クレゾール、p−クレゾール、2,5−キシレノールおよび2,3,5−トリメチルフェノールの中から選ばれるいずれか2種以上である、請求項14または15記載のホトレジスト組成物用アルカリ可溶性ノボラック樹脂。
- (a)フェノール性化合物中に、m−クレゾール70〜95モル%、p−クレゾール3〜15モル%、2,5−キシレノール3〜25モル%、2,3,5−トリメチルフェノール3〜15モル%の中から選ばれる2種または3種を含む、請求項16記載のホトレジスト組成物用アルカリ可溶性ノボラック樹脂。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP02672498A JP3666839B2 (ja) | 1998-01-23 | 1998-01-23 | ポジ型ホトレジスト組成物およびその製造方法 |
US09/231,826 US6083657A (en) | 1998-01-23 | 1999-01-15 | Positive photoresist compositions and a process for producing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP02672498A JP3666839B2 (ja) | 1998-01-23 | 1998-01-23 | ポジ型ホトレジスト組成物およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11212261A JPH11212261A (ja) | 1999-08-06 |
JP3666839B2 true JP3666839B2 (ja) | 2005-06-29 |
Family
ID=12201286
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP02672498A Expired - Fee Related JP3666839B2 (ja) | 1998-01-23 | 1998-01-23 | ポジ型ホトレジスト組成物およびその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6083657A (ja) |
JP (1) | JP3666839B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3738420B2 (ja) * | 2001-11-16 | 2006-01-25 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型ホトレジスト組成物および傾斜インプランテーションプロセス用薄膜レジストパターンの形成方法 |
US20210382391A1 (en) * | 2018-10-03 | 2021-12-09 | Hd Microsystems, Ltd. | Photosensitive resin composition, method for manufacturing patterned cured product, cured product, interlayer insulating film, cover coat layer, surface protective film, and electronic component |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6162519A (ja) * | 1984-09-03 | 1986-03-31 | Yuka Shell Epoxy Kk | エポキシ樹脂組成物 |
DE3686032T2 (de) * | 1985-12-27 | 1993-02-18 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | Strahlungsempfindliche positiv arbeitende kunststoffzusammensetzung. |
DE3751743T2 (de) * | 1986-03-28 | 1996-11-14 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | Positiv arbeitende photoempfindliche Kunststoffzusammensetzung |
US4959292A (en) * | 1988-07-11 | 1990-09-25 | Olin Hunt Specialty Products Inc. | Light-sensitive o-quinone diazide composition and product with phenolic novolak prepared by condensation with haloacetoaldehyde |
JPH0450851A (ja) * | 1990-06-14 | 1992-02-19 | Sumitomo Chem Co Ltd | ポジ型感放射線性レジスト組成物 |
US5372909A (en) * | 1991-09-24 | 1994-12-13 | Mitsubishi Kasei Corporation | Photosensitive resin composition comprising an alkali-soluble resin made from a phenolic compound and at least 2 different aldehydes |
JPH05204143A (ja) * | 1992-01-29 | 1993-08-13 | Hitachi Chem Co Ltd | 感光性樹脂組成物 |
JPH05323604A (ja) * | 1992-05-27 | 1993-12-07 | Sumitomo Chem Co Ltd | ポジ型レジスト組成物 |
JPH05323605A (ja) * | 1992-05-27 | 1993-12-07 | Sumitomo Chem Co Ltd | ポジ型レジスト組成物 |
US5500193A (en) * | 1993-06-14 | 1996-03-19 | University Of South Florida | Method for ION exchange based leaching of the carbonates of calcium and magnesium from phosphate rock |
JP3024694B2 (ja) * | 1993-11-29 | 2000-03-21 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型ホトレジスト組成物 |
JP3434340B2 (ja) * | 1994-03-29 | 2003-08-04 | 東京応化工業株式会社 | 高感度ポジ型ホトレジスト組成物 |
JPH07281428A (ja) * | 1994-04-07 | 1995-10-27 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型フオトレジスト組成物 |
JP3424341B2 (ja) * | 1994-04-11 | 2003-07-07 | 住友化学工業株式会社 | 感光性樹脂組成物 |
JP3373072B2 (ja) * | 1994-12-28 | 2003-02-04 | 富士写真フイルム株式会社 | ポジ型フォトレジスト組成物 |
US5652081A (en) * | 1995-09-20 | 1997-07-29 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Positive working photoresist composition |
JPH09146269A (ja) * | 1995-09-20 | 1997-06-06 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型フォトレジスト組成物 |
JP3780019B2 (ja) * | 1995-12-12 | 2006-05-31 | ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー. | 感光性樹脂組成物 |
JP3485139B2 (ja) * | 1996-01-30 | 2004-01-13 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型ホトレジスト組成物 |
-
1998
- 1998-01-23 JP JP02672498A patent/JP3666839B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-01-15 US US09/231,826 patent/US6083657A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH11212261A (ja) | 1999-08-06 |
US6083657A (en) | 2000-07-04 |
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