KR940005999A - 포지티브형 레지스트 조성물 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 알칼리-용해성 수지와 다음 일반식으로 표시되는 페놀 화합물중에서 선택되는 적어도 1종 이상의 화합물의 퀴논디아지드술폰산 디에스테르를 함유하는 감광성 퀴논디아지드 재료로 이루어지는 포지티브형 레지스트 조성물을 제공한다.
(단, 상기 식에서, R1은 수소, 할로겐 등을 나타내며, R3는 알킬기 또는 페닐기를 나타내고, x는 1~3의 정수이고,Q1내지 Q12는 수소, 알킬 또는 페닐기를 나타내고, 및 Z1내지 Z5는 다음기 중의 하나를 나타낸다.

Description

포지티브형 레지스트 조성물
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (11)

  1. 알칼리 용해성 수지와, 다음 일반식으로 표시되는 페놀 화합물 중에서 선택되는 1종 이상의 화합물의 퀴논디아지드술폰산 에스테르를 함유하는 감광성 퀴논 디아지드 재료로 이루어지는 포지티브형 레지스트 조성물.
    (단, 상기 식에서, R1은 수소원자, 할로겐원자, -OCOR3또는 임의로 치환된 알킬기 또는 알콕시기를 나타내며, R3는 임의로 치환된 알킬기 또는 페닐기를 나타내고, x는 1~3의 정수이고, Q1내지 Q12는 상호 독립하여 각각 수소원자, 알킬기 또는 페닐기를 나타내며, Z1내지 Z5는 상호 독립하여 각각 다음기중의 하나를 나타낸다 :
    [단, 상기 식에서, R2은 수소원자, 할로겐원자, -OCOR3또는 임의로 치환된 알킬기 또는 알콕시기를 나타내며, R3는 상기한 바와 같고, y는 1~3의 정수이고, p는 0 또는 1을 나타낸다.])
  2. 제1항에 있어서, 감광성 퀴논디아지드 재료의 전에 패턴 면적에 대한 퀴논디아지드 술폰산 디에스테르패턴 면적의 비율이, 고속 액체 크로마토 그래피로 측정하였을 때, 0. 5이상인 것을 특징으로 하는 포지티브형 레지스트 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 상기한 일반식 (Ia) 내지 (Ib)중에서, R1은 할로겐원자, -OCOR3또는 임의로 치환된 알킬기 또는 알콕시기를 나타내고, x는 2 또는 3이며, 단 R3는 제1항에 정의된 바와 같은 것임을 특징으로 하는 포지티브형 레지스트 조성물.
  4. 제1항에 있어서, 상기한 페놀 화합물의 퀴논디아지드 술폰산 에스테르가 다음 구조식으로 표시되는 어느한 페놀 화합물을, 약 알칼리 존재하에서 1,2-나프토퀴논디아지드 술포닐 할라이드 또는 1,2-벤조퀴논디아지드술포닐 할라이드와 반응시켜 얻어지는 것임을 특징으로 하는 포지티브형 레지스트 조성물,
  5. 제1항에 있어서, 상기 알칼리 -용해성 수지는 페놀, o-, m- 및 p-크레졸, 2,5-크실레놀, 3,5-크실레놀, 3,4크실레놀, 2,3,5-트리메틸페놀, 4-t-부틸페놀, 2-t-부틸페놀, 3-t-부틸페놀, 3-에틸페놀, 2-에틸페놀, 4-에틸페놀, 3-메틸-6-t-부틸페놀, 4-메틸-2- t-부틸페놀, 2-나프톨, 1,3-디히드록시나프탈렌, 1,7-디히드록시나프탈렌 및 1,5-디히드록시나프탈렌으로 이루어지는 그룹 중에서 선택된 하나 이상의 성분과, 포름알데히드, 파라포름알데히드, 아세트알데히드, 프로필알데히드, 벤즈알데히드, 페닐알데히드, α- 및 β-페닐프로필알데히드류, o-, m- 및 p-히드록시벤즈 알데히드류, 글루타르알데히드, 글리옥살 및 o- 또는 p-메틸벤즈알데히드류로 이루어진 그룹중에서 선택된 하나의 알데히드 화합물을 부가-축합반응시켜 얻어지는 것임을 특징으로 하는 포지티브형 레지스트 조성물.
  6. 제5항에 있어서, 상기한 부가-축합반응이 산촉매의 존재하에, 60 내지 250℃에서 2~30시간 수행되는 것을 특징으로 하는 포지티브형 레지스트 조성물.
  7. 제1항에 있어서, 상기한 알칼리 용해성 수지는 폴리스티렌으로 환산한 중량 평균 분자량 2,000~50,000을 가지는 것을 특징으로 하는 포지티브형 레지스트 조성물.
  8. 제1항에 있어서, 상기한 알칼리-용해성 수지는 포지티브형 레지스트 조성물내에 고체성분 전체량의 50~95중량%의 양으로 사용되는 것을 특징으로 하는 포지티브형 레지스트 조성물.
  9. 제1항에 있어서, 상기한 감광성 퀴논디아지드 재료는 포지티브형 레지스트 조성물 내의 고체성분 전체량의 5~50중량%의 양으로 사용되는 것을 특징으로 하는 포지티브형 레지스트 조성물.
  10. 제1항에 있어서, 상기한 키논디아지트술폰산 에스테르가 제1항에 정의된 일반식(Ⅰa)또는 (Ⅰd)로 표시되는 페놀 화합물중에서 선택되는 하나 이상의 화합물의 퀴논디아지드술폰산 디에스테르인 것을 특징으로 하는 포지티브형 레지스트 조성물.
  11. 제10항에 있어서, 전체 감광성 퀴논디아지드 재료의 전 패턴 면적에 대한 퀴논디아지드 술폰산 디에스테르의 패턴 면적 비율이, 254㎚ 자외선 검출기를 사용한 고속 액체 크로마토그라피로 측정하였을때,0.5/1이상인 것을 특징으로 하는 포지티브형 레지스트 조성물.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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