KR930023769A - 포지티브형 레지스트 조성물 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 알칼리-용해성 수지와, 다음 일반식(Ⅰ) 또는 (Ⅱ)로 표시되는 페놀 화합물중에서 선택되는 적어도 하나의 퀴논디아지드술폰산 디에스테르를 함유하는 감광성 퀴논디아지드 재료로 이루어지는 포지티브형 레지스트 조성물을 제공한다.
단, 상기식에서 R1및 R2는 상호 독립하여 각각 수소원자, 할로겐원자, -OCOR3또는 임의로 치환된 알킬기 또는 알콕시기를 표시하며, 여기서 R3는 임의로 치환된 알킬기 또는 페닐기를 표시하며, X 및 Y는 상호 독립하여 각각 1,2 또는 3의 정수를 표시하며, R1,R0,R' 및 R0'는 상호 독립하여 각각 수소원자, 알킬기 또는 페닐기를 나타내며, 디에스테르의 함량이 감광성 퀴논디아지드 재료 전체량의 기준으로 50중량%이상이다.
본 발명에 의한 포지티브형 레지스트 조성물은 해상력, 형상 및 초점 심도와 같은 성질들간에 균형이 잘 잡혀 있다.

Description

포지티브형 레지스트 조성물
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (10)

  1. 알칼리 용해성 수지와, 다음 일반식으로 표시되는 페놀 화합물중에서 선택되는 적어도 하나의 퀴논디아지드술폰산 디에스테르를 함유하는 감광성 퀴논디아지드 재료로 이루어지며, 감광성 퀴논디아지드 재료의 총 패턴부위에 대한 상기 퀴논디아지드술폰산 디에스테르의 패턴 부위의 비율이 고속 액체 크로마토그라피로 측정하여 0.5/1 이상인 것을 특징으로 하는 포지티브형 레지스트 조성물:
    (단, 상기식에서 R1및 R2는 상호 독립하여 각각 수소원자, 할로겐원자, -OCOR3또는 임의로 치환된 알킬기 또는 알콕시기를 표시하며, 여기서 R3는 임의로 치환된 알킬기 또는 페닐기를 표시하며, X 및 Y는 상호 독립하여 각각 1,2 또는 3의 정수를 표시하며, R1,R0,R' 및 R0'는 상호 독립하여 각각 수소원자, 알킬기 또는 페닐기를 표시한다.)
  2. 제1항에 있어서, 상기 알칼리-용해성 수지는 페놀, 0-, m- 및 p-크레솔, 2,5-크실레놀, 3,5-크실레놀, 3,4-크실레놀, 2,3,5-트리메틸페놀, 4-t-부틸페놀, 2-t-부틸페놀, 3-t-부틸페놀, 3-에틸페놀, 2-에텔페놀, 4-에틸페놀, 3-메틸-6-t-부틸페놀, 4-메틸-2-t-부틸페놀, 2-나프톨, 1,3-디히드록시 나프탈렌, 1,7-디히드록시나프탈렌 및 1,5-디히드록시나프탈렌으로 이루어진 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 페놀 화합물과, 포름알데히드, 파라포름알데히드, 아세트알데히드, 프로필알데히드, 벤즈알데히드, 페닐알데히드, α- 및 β-페닐프로필알데히드, o-,m- 및 p-히드록시벤즈알데히드, 글루타르알데히드 글리옥산 및 o- 또는 p-메틸벤즈알데히드로 이루어진 그룹 중에서 선택된 하나의 알데히드 화합물을 부가-축합반응 시켜서 얻어지는 것임을 특징으로 하는 포지티브형 레지스트 조성물.
  3. 제2항에 있어서, 상기한 부가-축합반응이 산촉매의 존재하에, 60내지 250℃에서 2~30시간 수행되는 것을 특징으로 하는 포지티브형 레지스트 조성물.
  4. 제2항에 있어서, 상기한 알칼리 용해성 수지가, 폴리스티렌으로 환산한 중량 평균 분자량 2,000~50,000을 가지는 것을 특징으로 하는 포지티브형 레지스트 조성물.
  5. 제1항에 있어서, 상기한 감광성 퀴논디아지드 재료가 상기 일반식(Ⅰ) 또는 (Ⅱ)로 표시되는 페놀 화합물의 퀴논디아지드술폰산 에스테르인 것을 특징으로 하는 포지티브형 레지스트 조성물.
  6. 제5항에 있어서, 상기한 페놀 화합물의 퀴논디아지드술폰산 에스테르가 다음 구조식으로 표시되는 페놀 화합물을, 약 알칼리 존재하에서 1,2-나프토퀴논디아지드술폰닐할라이드 또는 1,2-벤조퀴논디아지드술포닐할라이드와 반응시켜 얻어지는 것임을 특징으로 하는 포지티브형 레지스트 조성물.
    또는
  7. 제1항에 있어서, 상기한 알칼리-용해성 수지는 포지티브형 레지스트 조성물 내의 고체성분 전체량의 50~95중량%의 양으로 사용되는 것을 특징으로 하는 포지티브형 레지스트 조성물.
  8. 제1항에 있어서, 상기한 감광성 퀴논디아지드 재료는 포지티브형 레지스트 조성물 내의 고체성분 전체량의 5~50중량%의 양으로 사용되는 것을 특징으로 하는 포지티브형 레지스트 조성물.
  9. 제5항에 있어서, 상기한 일반식(Ⅰ) 또는 (Ⅱ)로 표시되는 페놀 화합물의 퀴논디아지드술폰산 에스테르는 총 세개의 벤젠 환중의 두개의 말단 벤젠 환에 부착된 두개의 히드록시기가 모두 에스테르화된 디에스테르인 것을 특징으로 하는 포지티브형 레지스트 조성물.
  10. 제9항에 있어서, 상기한 일반식(Ⅰ) 또는 (Ⅱ)로 표시되는 페놀 화합물의 퀴논디아지드술폰산 에스테르 전체량에 대한 상기 디에스테르의 비율이, 254㎚ 자외선 검출기를 사용한 고속 액체 크로마토그라피로 측정한 패턴 부위 비율로 표시하며 0.4/1 이상인 것을 특징으로 하는 포지티브형 레지스트 조성물.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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