KR0131761B1 - 내식막 조성물 - Google Patents

내식막 조성물

Info

Publication number
KR0131761B1
KR0131761B1 KR1019890010311A KR890010311A KR0131761B1 KR 0131761 B1 KR0131761 B1 KR 0131761B1 KR 1019890010311 A KR1019890010311 A KR 1019890010311A KR 890010311 A KR890010311 A KR 890010311A KR 0131761 B1 KR0131761 B1 KR 0131761B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
resist composition
composition according
compound
diazide
phenol
Prior art date
Application number
KR1019890010311A
Other languages
English (en)
Other versions
KR900002125A (ko
Inventor
야스노리 우에따니
마꼬또 하나바따
히로또시 나까니시
고오지 구와나
후미오 오오이
Original Assignee
모리 히데오
스미또모 가가꾸 고오교가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 모리 히데오, 스미또모 가가꾸 고오교가부시끼가이샤 filed Critical 모리 히데오
Publication of KR900002125A publication Critical patent/KR900002125A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0131761B1 publication Critical patent/KR0131761B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03C—PHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
    • G03C1/00—Photosensitive materials
    • G03C1/72—Photosensitive compositions not covered by the groups G03C1/005 - G03C1/705
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/022—Quinonediazides
    • G03F7/0226—Quinonediazides characterised by the non-macromolecular additives

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
  • Phenolic Resins Or Amino Resins (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)

Abstract

내용없음

Description

내식막 조성물
본 발명은 증감제를 함유하고 자외선 (G-선, H-선, I-선 등), 원자외선(엑시머 레이저 등), 전자선 및 X선과 같은 방사선에 민감한 내식막 조성물에 관한 것이고, 또한 양성 내식막 조성물에 사용할 증감제에 관한 것이다.
자외선 노출하에 퀴는 디아지드기는 분해되어 카르복실기를 형성하므로써 근본적으로 알칼리-불용성 조성물이 알칼리-가요성으로 되므로, 나프토 퀴는 디아지드기,벤조 퀴는 디아지드기 등과 같은 퀴는디아지드기를 갖는 화합물 및 알칼리-가용성수지를 함유하는 조성물은 양성 내식막으로서 사용할 수 있음을 발견하였다. 페놀 화합물(예, 트리히드록시벤조페논, 테트라히드록시벤조페논 등)과 퀴는 디아지드 화합물의 축합 생성물을 증감제로서 사용한다.
그러나, 특히 집적희로에 있어서 집적수준의 향상과 더불어 소형화가 착수되었고, 이것은 초미세 및 보다 우수한 해상력(고Υ치)의 패턴을 형성할 것을 요구한다. 그 결과로써 종래의 조성물들은 목적하는 수준으로 Υ치를 개량할 수 없다.
예를들면, Υ치를 개량시키려고 퀴는 디아지드기의 양을 증가시키는 경우에 감도의쇠퇴 및 현상후에 잔류물의 증가와 같은 심각한 문제가 발생한다.
본 발명의 첫째 목적은 고Υ치를 갖고 종래의 양성 내식막 조성물로 인하여 발생하는 문제를 극복할 수 있는 양성 내식막조성물을 제공함에 있다.
본 발명의 두 번째 목적은 페놀 화합물의 퀴는 디아지드 술폰산 에스테르로 이루어지는 증감제를 제공함에 있고, 이 증감제는 양성 내식막 조성물에 사용된다.
따라서, 본 발명은 알칼리-가용성 수지 및 하기 일반식(Ⅰ) 또는 (Ⅱ)의 페놀 화합물의최소한 하나의 퀴는 디아지드술폰산 에스테르를 함유함을 특징으로 하는 양성 내식막 조성물을 제공한다 :
Figure kpo00001
(식중, a, c 및 d 는 같거나 다르고 0 내지 3 의 수이며, 이때 a 가 0 또는 3 이면 b 는 0 내지 3 의 수이거나 a 가 1 또는 2 이면 b 는 0, 1 또는 2 의 수이고, a+b및 c+d 는 2 이상임을 조건으로 하며 ; R 및 R1 는 같거나 다르고 알킬기 또는 아릴기이다.)
페놀 화합물 (Ⅰ) 또는 (Ⅱ)에서, 최소한 하나의 수산기는 카르보닐기에 대하여 오르트 위치에 존재하며, 알킬기 또는 아릴기는 수산기에 대하여 오르토 위치에 존재한다.
바람직하게는, 페놀 화합물(Ⅰ) 또는 (Ⅱ)에서 a+b 또는 c+d 는 보다 높은 Υ 치 때문에 2 이다.
바람직하게는, R 및 R1 는 C1 C4 알킬기이다.
일반식 (Ⅰ) 또는 (Ⅱ) 의 페놀 화합물의 바람직한 예로는 하기의 것들을 들 수 있다.
Figure kpo00002
일반직 (Ⅰ) 또는 (Ⅱ) 의 페놀 화합물은 종래의 방법에 의하여 제조될 수 있다. 예를들면, 1종의 페놀 화합물은 염화 주석(Ⅱ), 염화 알루미늄 및 삼플루오르화 붕소의 착물 또는 술폰산 화합물과 같은 루이스산의 존재하에서 3-메틸-2,4-디히드록시벤조산과 페놀을 반응시키므로써 제조된다.
페놀 화합물 (Ⅰ) 또는 (Ⅱ)의 퀴는 디아지드 술폰산 에스레트는 종래의 방법에 의하여제조될 수 있다. 예를들면, 에스테르는 탄산 나트륨과 같은 약 알칼리의존재하에서 페놀 화합물과 나프토퀴는 디아지드 술포닐 할로겐화물 또는 벤조 퀴는 디아지드 술포닐 할로겐화물을 축합반응시키므로써 제조된다. 상기 반응은, 디에스테트 화합물의 양이 에스테트 화합물 총중량에 대하여 50 중량% 이상인 조건하에서 행함이 바람직하다.
나프토퀴논 디아지드 술포닐 할로겐화물의 에로는 나프토퀴논 -(1,2)-디아지드-(2)-5-술포닐클로라이드, 나프토퀴논-(1,2)-디아지드-(2)-4-술포닐클로라이드, 벤조 퀴논-(1,2)-디아지드-(2)-4-술포닐클로라이드 등이 있다.
본 발명의 양성 내식막 조성물은 페놀 화합물(Ⅰ) 또는 (Ⅱ)의 퀴논 디아지드 술폰산 에스테르를 둘이상 배합하여 함유할 수 있다. 임의로 본 발명의 내식막 조성물은 일반식(Ⅰ) 또는 (Ⅱ)의 페놀 화합물외에 최소한 하나의 페놀 화합물의 에스테르를 함유할 수 있다.
다른 페놀 화합물의 예로는, 히드로퀴논, 레소르시놀, 플로로글루신, 2, 4-디히드록시벤조페논, 2,3,4-트리히드록시벤조페는,2,3,3′,4-테트라히드록시벤조페논 및 2,3,4,4′-테트라히드록시벤조페논과 같은테트라히드록시벤조페논류, 2,2′,3,3′,4-펜타히드록시벤조페논 및 2,3,3′,4,5′-펜타히드록시벤조페논과 같은펜타히드록시벤조페논류, 알킬 갈레이트 등을 들 수 있다.
알칼리-가용성 수지로서는 노볼락수지가 바람직하게 사용된다. 노볼락수지는 페놀과 포름알데히드의 부가축합반응에 의하여 제조된다. 노볼락수지용 원료중 하나로 사용되는 페놀의 상세한 예로는 페놀,크레졸, 크실레놀, 에틸페놀, 트리메틸페놀, 프로필페놀, 부틸페놀, 디히드록시벤젠, 나프틀류 등을 들 수있다. 이들 페놀류는 단독으로 또는 배합되어 사용될 수 있다.
페놀과 부가축합반응을 행하는 포름알데히드는 포름알데히드(포르말린) 또는 포름알데히드의 올리고미인 파라포름알데히드의 수용액상으로 사용할 수 있다. 특히 적합하게는, 상업적으로 대량 생산된 37% 포르말린을 사용한다.
페놀과 포름알데히드의 부가축합반응은 통상적인 방법에 의하여 행할 수 있다. 이반응은 60 내지 120℃의 온도에서 2 내지 30시간 동안 행한다. 촉매로서는 유기산, 무기산 또는 2가 금속염을 사용한다. 상세하게는, 옥살산, 염산, 황산, 과염소산, p-톨루엔술폰산, 트리클로로아세트산, 인산, 포름산, 아세트산아연, 아세트산 마그네슘 등을 들 수 있다.
상기 반응은 용매의 존재 또는 부재하에서 행할 수 있다. 내식막 조성물에가하여질 퀴논 디아지드 술폰산에스테르의 양은 내식막 조성물 중의 고체성분 총중량에 대하여 15 내지 50 중량%이다.
양성 광내식막은 상기의 퀴논 디아지드 화합물 및 노볼락수지를 용매중에 혼합하고 용해시키므로써 제조된다. 사용하는 용매는 적당한 건조속도로 증발하여 균일하고 평활한 코우팅필름을 형성하는 것이 바람직하다.
이러한 용매로는 에틸셀로솔브 아세테이트, 메틸셀로솔브 아세테이트, 에틸셀로솔브, 메틸셀로솔브, 프로필렌글리콜모노메틸 에테르 아세테이트, 부틸아세테이트, 메틸 이소부틸 케톤, 크실렌 등을 들 수 있다.필요한 경우, 상기 방법에 의하여 수득된 양성 광내식막 조성물에 소량의 수지, 염료 등을 첨가할 수 있다.
본 발명의 내식막 조성물과 더불어, Υ치치는 개량될 수 있고 현상 잔류물의 증가로 인한 문제도 해결될 수 있다.
본 발명은 하기 실시예에 의하여 보다 상세히 설명하겠지만, 본 발명이 이들실시예에 한정되는 것은 아니다. 실시예 중, 부는 중량에 의한다.
[참고예 1]
(증감제 A 의 합성)
300ml의 3경 플라스크에, 4.88g의 하기 일반식(1)의 화합물(1), 10.75g의 나프토퀴논-(1,2)-디아지드-(2)-5-술포닐클로라이드(1:2의 몰비) 및 168g의 디옥산을 충전하고 교반하여 용해를 완결시킨다. 상기 용액에 반응온도가 20 내지 25℃로 유지되는 수옥중에서 교반하면서, 4.45g의 트리에틸아민을 30분 동안 적가한다. 20 내지25℃에서 다시 4시간 동안 교반하면서 반응을 행한다. 그 후, 반응 용액을 이온교환수에충전하고, 이과건조시켜 증감제를 수득하고, 이것을 증감제 A 라고 칭한다.
Figure kpo00003
[참고예 2 내지 5]
(증감제 B, C, D 및 E 의 합성)
화합물 (1) 대신에 증감제 B 에 대하여 하기 일반식 (2)의 화합물 (2), 증감제 C 에 대하여 2,4,4′-트리히드록시벤조페논, 증감제 D에 대하여 2,2′,4.4′-테트라히드록시벤조페논 또는 증감제 E에 대하여 2,3,4-트리히드록시벤조페논을 사용하는 것을 제외하고는 참고예 1의 공정을 동일하게 반복하므로써 증감제를 수득하고, 이것들을 증감제 B, C, D 또는 E 라고 칭한다.
Figure kpo00004
[실시예 1 내지 2 및 비교예 1 내지 3]
표 1에 나타낸 양으로 참고예 1 내지 5에서 수득한 증감제 A, B, C, D 또는 E및 노블락수지를 48부의 에틸셀로솔브 아세테이트에 옹해시켜서 내식막용액을 제조하고, 이용액을 동공의크기가 0.2㎛인 테플론(Teflon, 상품명) 필터에 여과한다. 회전 도포기에 의하여 내식막 용액을 통상적인 방법으로 세척된 실리콘 웨이퍼에 코우팅하여 1.3㎛ 두께의 내식막 필름을 제조한다. 그 후, 100℃의 일판에서 실리콘 웨이퍼를 60초 동안 소성하고, 436nm 의 파장을 갖는 축소투여노광장치 (NA = 0.42 인, GCA 에 의해 제조된 DSW)에 의하여 노광량을 단계적으로 변화시키면서 노광시킨다. 그 후, 시리콘 웨이퍼를 현상액 (SOPD, Sumitomo Chemical사 제품)에 1분동안 현상시켜서 양성 패턴을 수득한다. Υ치는 노광량에 대한 규격화된 필름 두께의 비율 (=보유 필름두께/최초 필름두께)을 플롯(plot) 하고, 플롯된 선의 기울기을 계산하므로써 수득되는 각 θ의 tanθ 값으로 나타낸다. 동시에 수득되면 Υ치 및 해상력을 표 1 에 나타낸다.
Figure kpo00005
주 : *1) 노블락 수지 : 크레졸 혼합물 (m-이성질체대 p-이성질체의 몰비: 7/3)을 촉매로서 옥살산을 사용하여 포르말린(포르말린 대 크레졸의 몰비 : 1/0.8)과 환류하에 반응 시키므로써 폴리스리렌으로 환산하여 중량평균 분자량이 9800인 노블락수지를 수득한다.
표 1 에 나타난 결과로 알 수 있듯이, 실시예의 Υ 치가 비교예의 것보다 높다.

Claims (6)

  1. 알칼리 - 가용성 수지 및 하기 일반식 (Ⅰ) 또는 (Ⅱ)의 페톨 화합물의 퀴논 디아지드 술폰산 에스테르 1종 이상을 함유함을 특징으로 하는 양성 내식막 조성물
    Figure kpo00006
    (식중, a, c 및 d 는 같거나 다르고 0 내지 3 의 수이며, 단 a 가 0 또는 3 이면 b 는 0 내지 3 의 수이거나 a 가 1 또는 2 이면 b 는 0, 1 또는 2의 수이고, a+b 및 c+d 는 2 이상이고 ; R 및 R′는 같거나 다르고 알킬기 또는 아릴기이다.)
  2. 제1항에 있어서, 일반식 (Ⅰ)의 a+b가 2인 양성 내식막 조성물
  3. 제1항에 있어서, 일반식 (Ⅱ)의 c+d가 2인 양성 내식막 조성물
  4. 제1항에 있어서, 페놀 화합물이 하기 일반식으로 이루어지는 군에서 선택된 1종 이상인 양성 내식막 조성물
    Figure kpo00007
  5. 제1항에 있어서, 알칼리 - 가용성 수지가 노볼락 수지인 양성 내식막 조성물
  6. 제1항에 있어서, 퀴논 디아지드 술폰산에스테르의 양이 내식막 조성물 중의 고체성분 총중량에 대하여 15 내지 50 중량%인 양성 내식막 조성물.
KR1019890010311A 1988-07-20 1989-07-20 내식막 조성물 KR0131761B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63182434A JP2636348B2 (ja) 1988-07-20 1988-07-20 ポジ型レジスト用組成物
JP88-182434 1988-07-20

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR900002125A KR900002125A (ko) 1990-02-28
KR0131761B1 true KR0131761B1 (ko) 1998-04-13

Family

ID=16118201

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019890010311A KR0131761B1 (ko) 1988-07-20 1989-07-20 내식막 조성물

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5124228A (ko)
EP (1) EP0351849B1 (ko)
JP (1) JP2636348B2 (ko)
KR (1) KR0131761B1 (ko)
CA (1) CA1337627C (ko)
DE (1) DE68927315T2 (ko)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2715480B2 (ja) * 1988-10-13 1998-02-18 住友化学工業株式会社 ポジ型レジスト用組成物
JP2700918B2 (ja) * 1989-04-26 1998-01-21 富士写真フイルム株式会社 ポジ型フオトレジスト組成物
US5322757A (en) * 1989-09-08 1994-06-21 Ocg Microelectronic Materials, Inc. Positive photoresists comprising a novolak resin made from 2,3-dimethyl phenol,2,3,5-trimethylphenol and aldehyde with no meta-cresol present
KR100209107B1 (ko) * 1991-01-11 1999-07-15 고사이 아끼오 포지티브 레지스트 조성물
DE4209343A1 (de) * 1992-03-23 1993-09-30 Hoechst Ag 1,2-Naphthochinon-2-diazid-sulfonsäureester, damit hergestelltes strahlungsempfindliches Gemisch und strahlungsempfindliches Aufzeichnungsmaterial
US6280910B1 (en) 1992-11-23 2001-08-28 Pioneer Electronic Corporation Photoresist for optical disc and method of preparing optical disc utilizing photoresist
US5592143A (en) * 1994-07-25 1997-01-07 Romney; Julie B. Pulsed-tone timing exercise method
DE69519455T2 (de) 1994-08-05 2001-06-28 Sumitomo Chemical Co., Ltd. Chinondiazidsulfonsäureester und diese enthaltende,positiv arbeitende Photoresistzusammensetzungen
KR100354730B1 (ko) * 1994-09-12 2003-10-17 지멘스 악티엔게젤샤프트 구조를형성하는포토리소그래피방법
DE59504291D1 (de) * 1994-09-12 1998-12-24 Siemens Ag Photolithographische strukturerzeugung
US5619663A (en) * 1994-09-16 1997-04-08 Philips Electronics North America Corp. Computer instruction prefetch system
KR20060090519A (ko) * 2005-02-07 2006-08-11 삼성전자주식회사 포토레지스트 조성물, 상기 포토레지스트 조성물을 이용한층상 부재 형성 방법 및 박막 트랜지스터 표시판의 제조방법

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3100077A1 (de) * 1981-01-03 1982-08-05 Hoechst Ag, 6000 Frankfurt Lichtempfindliches gemisch, das einen naphthochinondiazidsulfonsaeureester enthaelt, und verfahren zur herstellung des naphthochinondiazidsulfonsaeureesters
JPS58150948A (ja) * 1982-03-03 1983-09-07 Dainippon Ink & Chem Inc 感光性組成物
US4526856A (en) * 1983-05-23 1985-07-02 Allied Corporation Low striation positive diazoketone resist composition with cyclic ketone(s) and aliphatic alcohol as solvents
JPS60121445A (ja) * 1983-12-06 1985-06-28 Japan Synthetic Rubber Co Ltd 集積回路作製用ポジ型感光性樹脂組成物
US4626492A (en) * 1985-06-04 1986-12-02 Olin Hunt Specialty Products, Inc. Positive-working o-quinone diazide photoresist composition containing a dye and a trihydroxybenzophenone compound
JPH0654381B2 (ja) * 1985-12-24 1994-07-20 日本合成ゴム株式会社 集積回路作製用ポジ型レジスト
JPS62153950A (ja) * 1985-12-27 1987-07-08 Japan Synthetic Rubber Co Ltd ポジ型感放射線性樹脂組成物
JP2568827B2 (ja) * 1986-10-29 1997-01-08 富士写真フイルム株式会社 ポジ型フオトレジスト組成物
JP2590342B2 (ja) * 1986-11-08 1997-03-12 住友化学工業株式会社 ポジ型フォトレジスト用ノボラック樹脂及びそれを含有するポジ型フォトレジスト組成物
JP2558716B2 (ja) * 1987-07-10 1996-11-27 東洋合成工業株式会社 ポジ型ホトレジスト組成物
US4837121A (en) * 1987-11-23 1989-06-06 Olin Hunt Specialty Products Inc. Thermally stable light-sensitive compositions with o-quinone diazide and phenolic resin
JP2569650B2 (ja) * 1987-12-15 1997-01-08 日本合成ゴム株式会社 感放射線性樹脂組成物

Also Published As

Publication number Publication date
DE68927315T2 (de) 1997-02-20
CA1337627C (en) 1995-11-28
JPH0232352A (ja) 1990-02-02
DE68927315D1 (de) 1996-11-14
EP0351849A3 (en) 1991-04-03
KR900002125A (ko) 1990-02-28
EP0351849B1 (en) 1996-10-09
EP0351849A2 (en) 1990-01-24
US5124228A (en) 1992-06-23
JP2636348B2 (ja) 1997-07-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5059507A (en) Positive resist composition containing quinone diazide sulfonic acid ester of a phenol compound and an alkali soluble resin
EP0443820B1 (en) Radiation-sensitive resin composition
EP0451170B1 (en) Selected trinuclear novolak oligomer derivatives as photoactive compounds and their use in radiation sensitive mixtures
KR0131761B1 (ko) 내식막 조성물
KR0159500B1 (ko) 레지스트 조성물
US4992596A (en) Selected trinuclear novolak oligomers and their use in photoactive compounds and radiation sensitive mixtures
US5674657A (en) Positive-working photoresist compositions comprising an alkali-soluble novolak resin made with four phenolic monomers
US5130225A (en) Positive resist composition comprising a cyclic dimer of isopropenyl phenol, also known as a 1,1,3 trimethyl-3-hydroxyphenyl indane
JP2623778B2 (ja) 感放射線性樹脂組成物
EP0525185B1 (en) Positive resist composition
JP2625883B2 (ja) ポジ型レジスト組成物
US5302688A (en) Selected block phenolic oligomers and their use in phenolic resin compositions and in radiation-sensitive resist compositions
US4992356A (en) Process of developing a radiation imaged product with trinuclear novolak oligomer having o-naphthoquinone diazide sulfonyl group
US5707558A (en) Radiation sensitive resin composition
JP2629271B2 (ja) ポジ型レジスト用組成物
KR0170395B1 (ko) 포지티브 레지스트 조성물
EP0490966A1 (en) Radiation-sensitive compositions containing fully substituted novolak polymers
JP3662341B2 (ja) ポジ型感光性組成物
US5350827A (en) Selected structurally defined novolak binder resins and their use in radiation-sensitive compositions
US5232819A (en) Selected block phenolic oligomers and their use in phenolic resin compositions and in radiation-sensitive resist compositions
JP2800217B2 (ja) 集積回路製造用感放射線性樹脂組成物
JP3664334B2 (ja) ポジ型フォトレジスト組成物
JPH06236030A (ja) ポジ型レジスト組成物
JP2775833B2 (ja) 感放射線性樹脂組成物
JP3063197B2 (ja) 感放射線性樹脂組成物

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee