JP2558716B2 - ポジ型ホトレジスト組成物 - Google Patents
ポジ型ホトレジスト組成物Info
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- JP2558716B2 JP2558716B2 JP17259687A JP17259687A JP2558716B2 JP 2558716 B2 JP2558716 B2 JP 2558716B2 JP 17259687 A JP17259687 A JP 17259687A JP 17259687 A JP17259687 A JP 17259687A JP 2558716 B2 JP2558716 B2 JP 2558716B2
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- Japan
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- positive photoresist
- naphthoquinonediazide
- trihydroxy
- methylbenzophenone
- photoresist composition
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
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- General Physics & Mathematics (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は新規なポジ型ホトレジスト組成物に関するも
のである。さらに詳しくいえば、本発明は、経時的な沈
殿物の析出が少なく、安定した塗布性能を有すると共
に、高感度、高残膜率及び高解像度を有するなど、優れ
た特性を示すポジ型ホトレジスト組成物に関するもので
ある。
のである。さらに詳しくいえば、本発明は、経時的な沈
殿物の析出が少なく、安定した塗布性能を有すると共
に、高感度、高残膜率及び高解像度を有するなど、優れ
た特性を示すポジ型ホトレジスト組成物に関するもので
ある。
従来の技術 近年、半導体素子や集積回路の製造技術の進歩はめざ
ましく、それに伴いホトリソグラフイー技術に対する要
求は年々厳しくなつてきている。
ましく、それに伴いホトリソグラフイー技術に対する要
求は年々厳しくなつてきている。
半導体素子などの製造におけるパターン形成では、こ
れまでネガ型ホトレジストが主として用いられてきた
が、このネガ型ホトレジストに代つて、サブミクロンオ
ーダーのパターン幅が得られる解像度の高いポジ型ホト
レジストが主流になりつつある。
れまでネガ型ホトレジストが主として用いられてきた
が、このネガ型ホトレジストに代つて、サブミクロンオ
ーダーのパターン幅が得られる解像度の高いポジ型ホト
レジストが主流になりつつある。
このようなポジ型ホトレジストを使用するホトリソグ
ラフイーにおいては、まず、基板上にポジ型ホトレジス
トを塗布し、乾燥して感光層を設け、次いで該感光層に
活性光線を選択的に照射して、画像形成露光を行つたの
ち、現像処理を施してレジストパターンを形成させ、こ
のようにして形成されたレジストパターンは、通常耐熱
性を向上させるために、加熱処理が施されたのち、エツ
チング工程に移行される。
ラフイーにおいては、まず、基板上にポジ型ホトレジス
トを塗布し、乾燥して感光層を設け、次いで該感光層に
活性光線を選択的に照射して、画像形成露光を行つたの
ち、現像処理を施してレジストパターンを形成させ、こ
のようにして形成されたレジストパターンは、通常耐熱
性を向上させるために、加熱処理が施されたのち、エツ
チング工程に移行される。
前記ポジ型ホトレジストとしては、通常フエノール系
ノボラツク樹脂などのアルカリ可溶性樹脂と、1,2−ナ
フトキノンジアジド系感光剤との組合せが用いられてい
る。この1,2−ナフトキノンジアジド系感光剤として
は、芳香族ポリヒドロキシ化合物の1,2−ナフトキノン
ジアジドスルホン酸エステルが好適であることが知られ
ており、すでに、ポリヒドロキシベンゾフエノン類の1,
2−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルが、高感
度で解像力の高い感光剤として実用化されている。この
ポリヒドロキシベンゾフエノン類の1,2−ナフトキノン
ジアジドスルホン酸エステルの中でも、特に2,3,4−ト
リヒドロキシベンゾフエノンのエステルは、アルカリ可
溶性樹脂との相容性や溶媒への溶解性などが良好で、優
れた感光剤であることが報告されている〔「アイビーエ
ム・ジヤーナル・オブ・リサーチ・アンドデベロツプメ
ント（IBM J.Res.Develop.）」第23巻、第42ページ（19
79年）〕。
ノボラツク樹脂などのアルカリ可溶性樹脂と、1,2−ナ
フトキノンジアジド系感光剤との組合せが用いられてい
る。この1,2−ナフトキノンジアジド系感光剤として
は、芳香族ポリヒドロキシ化合物の1,2−ナフトキノン
ジアジドスルホン酸エステルが好適であることが知られ
ており、すでに、ポリヒドロキシベンゾフエノン類の1,
2−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルが、高感
度で解像力の高い感光剤として実用化されている。この
ポリヒドロキシベンゾフエノン類の1,2−ナフトキノン
ジアジドスルホン酸エステルの中でも、特に2,3,4−ト
リヒドロキシベンゾフエノンのエステルは、アルカリ可
溶性樹脂との相容性や溶媒への溶解性などが良好で、優
れた感光剤であることが報告されている〔「アイビーエ
ム・ジヤーナル・オブ・リサーチ・アンドデベロツプメ
ント（IBM J.Res.Develop.）」第23巻、第42ページ（19
79年）〕。
しかしながら、従来の2,3,4−トリヒドロキシベンゾ
フエノンの1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸エス
テルにおいては、アルカリ可溶性樹脂と共に溶媒に溶解
してポジ型ホトレジスト溶液を調製した場合、時間の経
過と共に、該溶液中に沈殿物が析出し、塗布性能が低下
するという欠点があつた。
フエノンの1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸エス
テルにおいては、アルカリ可溶性樹脂と共に溶媒に溶解
してポジ型ホトレジスト溶液を調製した場合、時間の経
過と共に、該溶液中に沈殿物が析出し、塗布性能が低下
するという欠点があつた。
発明が解決しようとする問題点 本発明は、このような欠点を克服し、経時的な沈殿物
の析出が少なく、安定した塗布性能を有すると共に、高
感度、高残膜率及び高解像度を有するなど、優れた特性
をもつポジ型ホトレジスト組成物を提供することを目的
としてなされたものである。
の析出が少なく、安定した塗布性能を有すると共に、高
感度、高残膜率及び高解像度を有するなど、優れた特性
をもつポジ型ホトレジスト組成物を提供することを目的
としてなされたものである。
問題点を解決するための手段 本発明者らは、前記の優れた特性を有するポジ型ホト
レジスト組成物を開発するために鋭意研究を重ねた結
果、キノンジアジド系感光成分とアルカリ可溶性樹脂と
の組合せから成るポジ型ホトレジスト組成物において、
該感光成分として、特定のポリヒドロキシベンゾフエノ
ンの1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルを
用いることにより、その目的を達成しうることを見い出
し、この知見に基づいて本発明を完成するに至つた。
レジスト組成物を開発するために鋭意研究を重ねた結
果、キノンジアジド系感光成分とアルカリ可溶性樹脂と
の組合せから成るポジ型ホトレジスト組成物において、
該感光成分として、特定のポリヒドロキシベンゾフエノ
ンの1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルを
用いることにより、その目的を達成しうることを見い出
し、この知見に基づいて本発明を完成するに至つた。
すなわち、本発明は、キノンジアジド系感光成分とア
ルカリ可溶性樹脂とを含有して成るポジ型ホトレジスト
組成物において、該キノンジアジド系感光成分として、
2,3,4−トリヒドロキシ−２′−メチルベンゾフエノン
の1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルを用
いたことを特徴とするポジ型ホトレジスト組成物を提供
するものである。
ルカリ可溶性樹脂とを含有して成るポジ型ホトレジスト
組成物において、該キノンジアジド系感光成分として、
2,3,4−トリヒドロキシ−２′−メチルベンゾフエノン
の1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルを用
いたことを特徴とするポジ型ホトレジスト組成物を提供
するものである。
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明組成物においては、感光成分として、2,3,4−
トリヒドロキシ−２′−メチルベンゾフエノンの1,2−
ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルを用いるが、
このトリヒドロキシベンゾフエノンは２′−位にメチル
基を有することが必要で、３′−位又は４′−位にメチ
ル基を有する2,3,4−トリヒドロキシベンゾフエノンで
は、本発明の目的が達成されない。
トリヒドロキシ−２′−メチルベンゾフエノンの1,2−
ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルを用いるが、
このトリヒドロキシベンゾフエノンは２′−位にメチル
基を有することが必要で、３′−位又は４′−位にメチ
ル基を有する2,3,4−トリヒドロキシベンゾフエノンで
は、本発明の目的が達成されない。
前記2,3,4−トリヒドロキシ−２′−メチルベンゾフ
エノンの1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステ
ルは、例えば2,3,4−トリヒドロキシ−２′−メチルベ
ンゾフエノンと、1,2−ナフトキノンジアジド−５−ス
ルホニルクロリド又は1,2−ナフトキノンジアジド−４
−スルホニルクロリドを、塩基性触媒の存在下に縮合さ
せることにより製造することができる。この縮合反応に
おいては、該1,2−ナフトキノンジアジドスルホニルク
ロリドは、2,3,4−トリヒドロキシ−２′−メチルベン
ゾフエノン１モルに対し、１〜３モルの範囲で用いるこ
とが好ましい。
エノンの1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステ
ルは、例えば2,3,4−トリヒドロキシ−２′−メチルベ
ンゾフエノンと、1,2−ナフトキノンジアジド−５−ス
ルホニルクロリド又は1,2−ナフトキノンジアジド−４
−スルホニルクロリドを、塩基性触媒の存在下に縮合さ
せることにより製造することができる。この縮合反応に
おいては、該1,2−ナフトキノンジアジドスルホニルク
ロリドは、2,3,4−トリヒドロキシ−２′−メチルベン
ゾフエノン１モルに対し、１〜３モルの範囲で用いるこ
とが好ましい。
縮合反応に用いる塩基性触媒としては、例えば炭酸ナ
トリウム、炭酸水素ナトリウムなどの無機アルカリ、ト
リエチルアミン、ピリジンなどの有機アミン類などを挙
げることができる。これらの塩基性触媒の使用量は、通
常1,2−ナフトキノンジアジドスルホニルクロリド１モ
ル当り、１〜２モルの割合で選ばれる。
トリウム、炭酸水素ナトリウムなどの無機アルカリ、ト
リエチルアミン、ピリジンなどの有機アミン類などを挙
げることができる。これらの塩基性触媒の使用量は、通
常1,2−ナフトキノンジアジドスルホニルクロリド１モ
ル当り、１〜２モルの割合で選ばれる。
本発明組成物における感光成分には、前記の2,3,4−
トリヒドロキシ−２′−メチルベンゾフエノンの1,2−
ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルと共に、所望
に応じ他の1,2−キノンジアジド化合物を配合すること
ができる。他の1,2−キノンジアジド化合物としては、
ヒドロキシル基を有する化合物の1,2−ナフトキノンジ
アジドスルホン酸エステルが好ましく用いられる。この
ヒドロキシル基を有する化合物としては、例えばヒドロ
キノン、レゾルシン、フロログリシン、2,4−ジヒドロ
キシベンゾフエノン、2,3,4−トリヒドロキシベンゾフ
エノン、2,2′,4,4′−テトラヒドロキシベンゾフエノ
ン、2,3,4,4′−テトラヒドロキシベンゾフエノン、没
食子酸アルキルエステルなどを挙げることができる。
トリヒドロキシ−２′−メチルベンゾフエノンの1,2−
ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルと共に、所望
に応じ他の1,2−キノンジアジド化合物を配合すること
ができる。他の1,2−キノンジアジド化合物としては、
ヒドロキシル基を有する化合物の1,2−ナフトキノンジ
アジドスルホン酸エステルが好ましく用いられる。この
ヒドロキシル基を有する化合物としては、例えばヒドロ
キノン、レゾルシン、フロログリシン、2,4−ジヒドロ
キシベンゾフエノン、2,3,4−トリヒドロキシベンゾフ
エノン、2,2′,4,4′−テトラヒドロキシベンゾフエノ
ン、2,3,4,4′−テトラヒドロキシベンゾフエノン、没
食子酸アルキルエステルなどを挙げることができる。
本発明組成物におけるアルカリ可溶性樹脂としては、
ノボラツク樹脂やビニルフエノール樹脂などが用いられ
る。ノボラツク樹脂としては、例えばフエノール、ｏ
−、ｍ−、Ｐ−クレゾール、2,3−、2,5−、3,4−、4,5
−キシレノール、α−、β−ナフトールなどのフエノー
ル性水酸基を有する化合物と、ホルムアルデヒドやアセ
トアルデヒドなどのアルデヒド類とを縮合させたものを
用いることができる。
ノボラツク樹脂やビニルフエノール樹脂などが用いられ
る。ノボラツク樹脂としては、例えばフエノール、ｏ
−、ｍ−、Ｐ−クレゾール、2,3−、2,5−、3,4−、4,5
−キシレノール、α−、β−ナフトールなどのフエノー
ル性水酸基を有する化合物と、ホルムアルデヒドやアセ
トアルデヒドなどのアルデヒド類とを縮合させたものを
用いることができる。
本発明のポジ型ホトレジスト組成物は、前記のキノン
ジアジド系感光成分と、アルカリ可溶性樹脂とを適当な
溶剤に溶解して、溶液の形で用いるのが好ましい。この
ような溶剤の例としては、ジオキサン、ジエトキシエタ
ン、ジエチレングリコールジメチルエーテルなどのエー
テル類、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、エチレ
ングリコールモノイソプロピルエーテルなどのグリコー
ルエーテル類、シクロペンタノン、メチルエチルケト
ン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノンなどの
ケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル、メチルセロソルブ
アセテート、エチルセロソルブアセテート、ジメチルオ
ギザレートなどのエステル類、N,N−ジメチルホルムア
ミド、N,N−ジメチルアセトアミドなどのアミド類、Ｎ
−メチルピロリドンなどのピロリドン類、γ−ブチロラ
クトンなどのクラトン類、ジメチルスルホキシドなどの
スルホキシド類などを挙げることができる。これらの溶
剤はそれぞれ単独で用いてもよいし、２種以上を組み合
わせて用いてもよい。
ジアジド系感光成分と、アルカリ可溶性樹脂とを適当な
溶剤に溶解して、溶液の形で用いるのが好ましい。この
ような溶剤の例としては、ジオキサン、ジエトキシエタ
ン、ジエチレングリコールジメチルエーテルなどのエー
テル類、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、エチレ
ングリコールモノイソプロピルエーテルなどのグリコー
ルエーテル類、シクロペンタノン、メチルエチルケト
ン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノンなどの
ケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル、メチルセロソルブ
アセテート、エチルセロソルブアセテート、ジメチルオ
ギザレートなどのエステル類、N,N−ジメチルホルムア
ミド、N,N−ジメチルアセトアミドなどのアミド類、Ｎ
−メチルピロリドンなどのピロリドン類、γ−ブチロラ
クトンなどのクラトン類、ジメチルスルホキシドなどの
スルホキシド類などを挙げることができる。これらの溶
剤はそれぞれ単独で用いてもよいし、２種以上を組み合
わせて用いてもよい。
本発明組成物における前記キノンジアジド系感光成分
と、アルカリ可溶性樹脂との配合割合については特に制
限はないが、通常アルカリ可溶性樹脂100重量部当り、
該感光成分が５〜100重量部の割合で配合される。
と、アルカリ可溶性樹脂との配合割合については特に制
限はないが、通常アルカリ可溶性樹脂100重量部当り、
該感光成分が５〜100重量部の割合で配合される。
本発明組成物には、必要に応じ、通常ポジ型ホトレジ
ストに用いられている添加成分、例えば界面活性剤、染
料、安定剤、増感剤などを配合することができる。
ストに用いられている添加成分、例えば界面活性剤、染
料、安定剤、増感剤などを配合することができる。
発明の効果 本発明のポジ型ホトレジスト組成物は、経時による沈
殿物の析出が極めて少なくて、安定した塗布性能を有す
ると共に、高感度、高残膜率及び高解像度を有するの
で、半導体素子製造などにおける細胞加工用ホトレジス
トとして好適である。
殿物の析出が極めて少なくて、安定した塗布性能を有す
ると共に、高感度、高残膜率及び高解像度を有するの
で、半導体素子製造などにおける細胞加工用ホトレジス
トとして好適である。
実施例 次に実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、
本発明はこれらの例によつてなんら限定されるものでは
ない。
本発明はこれらの例によつてなんら限定されるものでは
ない。
参考例１ （ａ）2,3,4−トリヒドロキシ−２′−メチルベンゾフ
エノンの製造 ピロガロール27.7g、ｏ−トルイル酸27.2g、強酸性イ
オン交換樹脂（Amberlyst 15）15.9g及びトルエン330ml
を混合し、還流下（115℃）、生成した水を分離しなが
ら24時間反応した。
エノンの製造 ピロガロール27.7g、ｏ−トルイル酸27.2g、強酸性イ
オン交換樹脂（Amberlyst 15）15.9g及びトルエン330ml
を混合し、還流下（115℃）、生成した水を分離しなが
ら24時間反応した。
反応混合物よりAmberlyst 15をろ別後、ろ液に水300m
lを添加し、冷却下かきまぜて、微黄色結晶40.4gを得
た。
lを添加し、冷却下かきまぜて、微黄色結晶40.4gを得
た。
このものは、IR、UV、1H−NMRにより分析した結果、
2,3,4−トリヒドロキシ−２′−メチルベンゾフエノン
であることが確認された。
2,3,4−トリヒドロキシ−２′−メチルベンゾフエノン
であることが確認された。
IR分析結果（KBr錠剤法） 1625cm-1（＞Ｃ＝Ｏ） 1440cm-1（−CH3） UV分析結果（メタノール溶媒） λmax 305nm Σmax 17,4001 H NMR分析結果（CDCl3溶媒） 2.30ppm（s,3H,−CH 3） （ｂ）2,3,4−トリヒドロキシ−２′−メチルベンゾフ
エノンの1,2−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸
エステルの製造 （ａ）で得られた2,3,4−トリヒドロキシ−２′−メ
チルベンゾフエノン5.41gと1,2−ナフトキノンジアジド
−５−スルホニルクロリド17.0gをジオキサン190mlに溶
解した。これにトリエチルアミン7.05gを30℃で滴下
し、その後１時間かきまぜた。反応混合物を希塩酸に注
ぎ、析出した結果をろ過、水洗し、乾燥することによ
り、黄色の粉末19.9gが得られた。このものはIR,UVで分
析した結果、目的物である2,3,4−トリヒドロキシ−
２′−メチルベンゾフエノンの1,2−ナフトキノンジア
ジド−５−スルホン酸エステルであることが確認され
た。
エノンの1,2−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸
エステルの製造 （ａ）で得られた2,3,4−トリヒドロキシ−２′−メ
チルベンゾフエノン5.41gと1,2−ナフトキノンジアジド
−５−スルホニルクロリド17.0gをジオキサン190mlに溶
解した。これにトリエチルアミン7.05gを30℃で滴下
し、その後１時間かきまぜた。反応混合物を希塩酸に注
ぎ、析出した結果をろ過、水洗し、乾燥することによ
り、黄色の粉末19.9gが得られた。このものはIR,UVで分
析した結果、目的物である2,3,4−トリヒドロキシ−
２′−メチルベンゾフエノンの1,2−ナフトキノンジア
ジド−５−スルホン酸エステルであることが確認され
た。
IR分析結果（KBr錠剤法） 1410cm-1 −SO2−Ｏ−の吸収 UV分析結果（ジオキサン溶媒） λmax 400nm 参考例２ 2,3,4−トリヒドロキシベンゾフエノン5.10gと1,2−
ナフトキノンジアジド−５−スルホニルクロリド17.0g
とを用い、製造例１の（ｂ）と全く同様にして2,3,4−
トリヒドロキシベンゾフエノンの1,2−ナフトキノンジ
アジド−５−スルホン酸エステルを製造した。
ナフトキノンジアジド−５−スルホニルクロリド17.0g
とを用い、製造例１の（ｂ）と全く同様にして2,3,4−
トリヒドロキシベンゾフエノンの1,2−ナフトキノンジ
アジド−５−スルホン酸エステルを製造した。
参考例３ 製造例１の（ｂ）における2,3,4−トリヒドロキシ−
２′−メチルベンゾフエノンの代りに2,3,4−トリヒド
ロキシ−３′−メチルベンゾフエノンを用いてエステル
を製造した。
２′−メチルベンゾフエノンの代りに2,3,4−トリヒド
ロキシ−３′−メチルベンゾフエノンを用いてエステル
を製造した。
参考例４ 製造例１の（ｂ）における2,3,4−トリヒドロキシ−
２′−メチルベンゾフエノンの代りに2,3,4−トリヒド
ロキシ−４′−メチルベンゾフエノンを用いてエステル
を製造した。
２′−メチルベンゾフエノンの代りに2,3,4−トリヒド
ロキシ−４′−メチルベンゾフエノンを用いてエステル
を製造した。
実施例 参考例１で製造した2,3,4−トリヒドロキシ−２′−
メチルベンゾフエノンの1,2−ナフトキノンジアジド−
５−スルホン酸エステル3.46gとm,p−混合クレゾールノ
ボラツク（m/p＝6/4,ポリスチレン換算重量平均分子量
9,600）11.54gをエチルセロソルブアセテート22.5gに溶
解し、0.2μｍのメンブランフイルターでろ過してポジ
型ホトレジスト組成物を調製した。この組成物をスピン
コート法でシリコンウエハー上に塗布し、90℃で30分間
オーブンで乾燥して1.2μｍの塗膜を得た。これを436nm
（ｇ線）の光で露光し、NMD−３現像液（東京応化製）
で現像し、感度、残膜率、γ値を測定した。また、この
組成物を25℃で放置し、結晶析出の試験を行つた。その
結果を次表に示す。
メチルベンゾフエノンの1,2−ナフトキノンジアジド−
５−スルホン酸エステル3.46gとm,p−混合クレゾールノ
ボラツク（m/p＝6/4,ポリスチレン換算重量平均分子量
9,600）11.54gをエチルセロソルブアセテート22.5gに溶
解し、0.2μｍのメンブランフイルターでろ過してポジ
型ホトレジスト組成物を調製した。この組成物をスピン
コート法でシリコンウエハー上に塗布し、90℃で30分間
オーブンで乾燥して1.2μｍの塗膜を得た。これを436nm
（ｇ線）の光で露光し、NMD−３現像液（東京応化製）
で現像し、感度、残膜率、γ値を測定した。また、この
組成物を25℃で放置し、結晶析出の試験を行つた。その
結果を次表に示す。
比較例１〜３ 実施例の2,3,4−トリヒドロキシ−２′−メチルベン
ゾフエノンの1,2−ナフトキノンジアジド−５−スルホ
ン酸エステルの代りに、参考例2,3,4で得られたエステ
ルを、それぞれ用いてポジ型ホトレジスト組成物を調製
し、実施例と同様に各試験を行つた。その結果を表に示
す。
ゾフエノンの1,2−ナフトキノンジアジド−５−スルホ
ン酸エステルの代りに、参考例2,3,4で得られたエステ
ルを、それぞれ用いてポジ型ホトレジスト組成物を調製
し、実施例と同様に各試験を行つた。その結果を表に示
す。
この表から分かるように本発明の組成物は2,3,4−ト
リヒドロキシベンゾフエノンのエステルを用いる従来の
組成物や、2,3,4−トリヒドロキシ−３′−若しくは
４′−メチルベンゾフエノンのエステルを感光成分とす
る組成物に比較して、γ値及び長期保存安定性が著しく
優れている。
リヒドロキシベンゾフエノンのエステルを用いる従来の
組成物や、2,3,4−トリヒドロキシ−３′−若しくは
４′−メチルベンゾフエノンのエステルを感光成分とす
る組成物に比較して、γ値及び長期保存安定性が著しく
優れている。
Claims (1)
- 【請求項１】キノンジアジド系感光成分とアルカリ可溶
性樹脂とを含有して成るポジ型ホトレジスト組成物にお
いて、該キノンジアジド系感光成分として、2,3,4−ト
リヒドロキシ−２′−メチルベンゾフエノンの1,2−ナ
フトキノンジアジドスルホン酸エステルを用いたことを
特徴とするポジ型ホトレジスト組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17259687A JP2558716B2 (ja) | 1987-07-10 | 1987-07-10 | ポジ型ホトレジスト組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17259687A JP2558716B2 (ja) | 1987-07-10 | 1987-07-10 | ポジ型ホトレジスト組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6417049A JPS6417049A (en) | 1989-01-20 |
| JP2558716B2 true JP2558716B2 (ja) | 1996-11-27 |
Family
ID=15944780
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17259687A Expired - Lifetime JP2558716B2 (ja) | 1987-07-10 | 1987-07-10 | ポジ型ホトレジスト組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2558716B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2636348B2 (ja) * | 1988-07-20 | 1997-07-30 | 住友化学工業株式会社 | ポジ型レジスト用組成物 |
| DE4209343A1 (de) * | 1992-03-23 | 1993-09-30 | Hoechst Ag | 1,2-Naphthochinon-2-diazid-sulfonsäureester, damit hergestelltes strahlungsempfindliches Gemisch und strahlungsempfindliches Aufzeichnungsmaterial |
| JP3945556B2 (ja) * | 1998-12-17 | 2007-07-18 | 東京応化工業株式会社 | 液晶素子製造用ポジ型ホトレジスト塗布液及びそれを用いた基材 |
| JP4823117B2 (ja) * | 2007-03-28 | 2011-11-24 | 東洋ゴム工業株式会社 | 液封入式防振装置 |
-
1987
- 1987-07-10 JP JP17259687A patent/JP2558716B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6417049A (en) | 1989-01-20 |
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