JPH04299349A - 感光性樹脂組成物およびレジスト像の製造法 - Google Patents
感光性樹脂組成物およびレジスト像の製造法Info
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は感光性樹脂組成物および
レジスト像の製造法に関し、更に詳しくは高集積回路を
作製するための高解像度、高感度、高耐熱性のポジ型レ
ジストとなる感光性樹脂組成物およびこれを用いたレジ
スト像の製造法に関する。
レジスト像の製造法に関し、更に詳しくは高集積回路を
作製するための高解像度、高感度、高耐熱性のポジ型レ
ジストとなる感光性樹脂組成物およびこれを用いたレジ
スト像の製造法に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体製造工程において、ポジ型レジス
トは汎用的に用いられる。近年、集積回路の高集積化に
ともない、高解像度、高感度、高耐熱性、高ドライエッ
チング耐性のポジ型レジストが望まれている。従来より
、ポジ型レジストの高解像度化のためにポジ型レジスト
に使用するアルカリ可溶性ノボラック樹脂の改良が試み
られている。例えば、アルカリ可溶性ノボラック樹脂と
して、米国特許第4,529,682号明細書には、o
−クレゾール、m−クレゾール及びp−クレゾールから
なる混合物をホルムアルデヒドと縮合させて得たノボラ
ック樹脂が提案されている。特開昭60−158440
号公報には、m−クレゾール、p−クレゾール及び2,
5−キシレノールから成る混合物をホルムアルデヒドと
縮合させて得たノボラック樹脂が提案されている。 特開昭63−234249号公報には、m−クレゾール
、p−クレゾール及び3,5−キシレノールから成る混
合物をホルムアルデヒドと縮合させて得たノボラック樹
脂が提案されている。
トは汎用的に用いられる。近年、集積回路の高集積化に
ともない、高解像度、高感度、高耐熱性、高ドライエッ
チング耐性のポジ型レジストが望まれている。従来より
、ポジ型レジストの高解像度化のためにポジ型レジスト
に使用するアルカリ可溶性ノボラック樹脂の改良が試み
られている。例えば、アルカリ可溶性ノボラック樹脂と
して、米国特許第4,529,682号明細書には、o
−クレゾール、m−クレゾール及びp−クレゾールから
なる混合物をホルムアルデヒドと縮合させて得たノボラ
ック樹脂が提案されている。特開昭60−158440
号公報には、m−クレゾール、p−クレゾール及び2,
5−キシレノールから成る混合物をホルムアルデヒドと
縮合させて得たノボラック樹脂が提案されている。 特開昭63−234249号公報には、m−クレゾール
、p−クレゾール及び3,5−キシレノールから成る混
合物をホルムアルデヒドと縮合させて得たノボラック樹
脂が提案されている。
【0003】一方、ポジ型レジストの耐熱性向上のため
にもアルカリ可溶性ノボラック樹脂の改良が試みられて
いる。例えば、特開昭64−14229号公報、および
特開平2−60915号公報には、ノボラック樹脂の低
分子量成分を除去して耐熱性を向上させることが提案さ
れている。しかし、ノボラック樹脂の低分子量成分の除
去はプロセス上複雑となり工業上簡便な方法ではない。 また、従来提案されてきたポジ型レジストの高解像度化
のための公知の手法ではアルカリ可溶性ノボラック樹脂
の改良では耐熱性の向上はできなかった。
にもアルカリ可溶性ノボラック樹脂の改良が試みられて
いる。例えば、特開昭64−14229号公報、および
特開平2−60915号公報には、ノボラック樹脂の低
分子量成分を除去して耐熱性を向上させることが提案さ
れている。しかし、ノボラック樹脂の低分子量成分の除
去はプロセス上複雑となり工業上簡便な方法ではない。 また、従来提案されてきたポジ型レジストの高解像度化
のための公知の手法ではアルカリ可溶性ノボラック樹脂
の改良では耐熱性の向上はできなかった。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、前記従来技
術の欠点を除去して、高解像度、高感度、高耐熱性のポ
ジ型レジストとなる感光性樹脂組成物およびこれを用い
たレジスト像の製造法を提供するものである。
術の欠点を除去して、高解像度、高感度、高耐熱性のポ
ジ型レジストとなる感光性樹脂組成物およびこれを用い
たレジスト像の製造法を提供するものである。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記目的
を達成するために鋭意検討した結果、以下の手段により
高解像度、高感度、高耐熱性のポジ型レジストとなる感
光性樹脂組成物を得るに至った。すなわち、本発明は、
アルカリ可溶性ノボラック樹脂およびキノンジアジド化
合物を含有する感光性樹脂組成物において、該アルカリ
可溶性ノボラック樹脂が下記構造式(I)で表されるフ
ェノール類の少なくとも一種(A)と下記構造式(II
)で表される3個のフェノール性水酸基をもつフェノー
ル類の少なくとも一種(B)をアルデヒド類を用いて重
縮合した樹脂であり、かつ(A)と(B)の仕込のモル
数の比率を0.01≦(B)/(A)+(B)≦0.3
の範囲とした感光性樹脂組成物およびこれを用いたレジ
スト像の製造法に関する。
を達成するために鋭意検討した結果、以下の手段により
高解像度、高感度、高耐熱性のポジ型レジストとなる感
光性樹脂組成物を得るに至った。すなわち、本発明は、
アルカリ可溶性ノボラック樹脂およびキノンジアジド化
合物を含有する感光性樹脂組成物において、該アルカリ
可溶性ノボラック樹脂が下記構造式(I)で表されるフ
ェノール類の少なくとも一種(A)と下記構造式(II
)で表される3個のフェノール性水酸基をもつフェノー
ル類の少なくとも一種(B)をアルデヒド類を用いて重
縮合した樹脂であり、かつ(A)と(B)の仕込のモル
数の比率を0.01≦(B)/(A)+(B)≦0.3
の範囲とした感光性樹脂組成物およびこれを用いたレジ
スト像の製造法に関する。
【化3】
(R1は水素、アルキル基、アラルキル基またはアルコ
キシ基を表し、n1は1〜4の整数を表す。)
キシ基を表し、n1は1〜4の整数を表す。)
【化4】
(R2は水素、アルキル基、アラルキル基またはアルコ
キシ基を表し、n2は1〜3の整数を表す。)
キシ基を表し、n2は1〜3の整数を表す。)
【000
6】本発明においては、アルカリ可溶性ノボラック樹脂
の合成原料に3個のフェノール性水酸基をもつフェノー
ル類が用いられる。3個のフェノール性水酸基を持つフ
ェノール類を用いることにより、ノボラック樹脂が高分
子量化でもアルカリ現像液に対する溶解性を良くするこ
とができる。このことにより、高解像度、高感度で耐熱
性に優れたポジ型レジストとなる感光性樹脂組成物を得
ることができる。
6】本発明においては、アルカリ可溶性ノボラック樹脂
の合成原料に3個のフェノール性水酸基をもつフェノー
ル類が用いられる。3個のフェノール性水酸基を持つフ
ェノール類を用いることにより、ノボラック樹脂が高分
子量化でもアルカリ現像液に対する溶解性を良くするこ
とができる。このことにより、高解像度、高感度で耐熱
性に優れたポジ型レジストとなる感光性樹脂組成物を得
ることができる。
【0007】本発明に用いられる構造式(I)で示され
るフェノール類(A)としては、例えば、フェノール、
o−クレゾール、p−クレゾール、m−クレゾール、2
,3−キシレノール、2,5−キシレノール、3,4−
キシレノール、3,5−キシレノール、2,3,5−ト
リメチルフェノール等を挙げることが出来る。また、構
造式(II)で示されるフェノール類(B)としては、
例えば、フロログルシン、ピロガロール、ヒドロキシヒ
ドロキノン等を挙げることが出来る。フェノール類(A
)及び(B)は、それぞれ一種単独で、または二種以上
混合して用いることが出来る。フェノ−ル類(A)及び
(B)においてはその溶解性がアルキル基、アラルキル
基及びアルコキシ基は炭素数1〜5の範囲のものが好ま
しい。
るフェノール類(A)としては、例えば、フェノール、
o−クレゾール、p−クレゾール、m−クレゾール、2
,3−キシレノール、2,5−キシレノール、3,4−
キシレノール、3,5−キシレノール、2,3,5−ト
リメチルフェノール等を挙げることが出来る。また、構
造式(II)で示されるフェノール類(B)としては、
例えば、フロログルシン、ピロガロール、ヒドロキシヒ
ドロキノン等を挙げることが出来る。フェノール類(A
)及び(B)は、それぞれ一種単独で、または二種以上
混合して用いることが出来る。フェノ−ル類(A)及び
(B)においてはその溶解性がアルキル基、アラルキル
基及びアルコキシ基は炭素数1〜5の範囲のものが好ま
しい。
【0008】本発明に用いられるアルデヒド類としては
、例えば、ホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド等
を挙げることが出来る。アルデヒド類の使用量は、フェ
ノール類1モルに対して0.5〜1.5モルの範囲が好
ましい。
、例えば、ホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド等
を挙げることが出来る。アルデヒド類の使用量は、フェ
ノール類1モルに対して0.5〜1.5モルの範囲が好
ましい。
【0009】重縮合のための触媒としては、高分子量化
させることのできる酸触媒が好ましい。その酸触媒とし
ては、塩酸、硝酸、硫酸などの無機酸、蟻酸、蓚酸、酢
酸などの有機酸を挙げることが出来る。酸触媒の使用量
は、フェノール類1モルに対して1×10−5〜1×1
0−1モルが好ましい。
させることのできる酸触媒が好ましい。その酸触媒とし
ては、塩酸、硝酸、硫酸などの無機酸、蟻酸、蓚酸、酢
酸などの有機酸を挙げることが出来る。酸触媒の使用量
は、フェノール類1モルに対して1×10−5〜1×1
0−1モルが好ましい。
【0010】重縮合の反応温度は、反応原料の反応性に
応じて適宜調製することができるが、通常、70〜13
0℃である。
応じて適宜調製することができるが、通常、70〜13
0℃である。
【0011】重縮合の方法としては、フェノール類、ア
ルデヒド類および酸触媒を一括して仕込む方法、酸触媒
の存在下にフェノール類およびアルデヒド類を反応の進
行と共に加えていく方法などを挙げることができる。重
縮合終了後は、反応系内に存在する未反応原料、縮合水
、酸性触媒等を除去するために、一般的に、減圧下例え
ば20〜50mmHgで、反応系内の温度を150から
200℃に上昇させて、反応系内から除去し、樹脂を回
収する。
ルデヒド類および酸触媒を一括して仕込む方法、酸触媒
の存在下にフェノール類およびアルデヒド類を反応の進
行と共に加えていく方法などを挙げることができる。重
縮合終了後は、反応系内に存在する未反応原料、縮合水
、酸性触媒等を除去するために、一般的に、減圧下例え
ば20〜50mmHgで、反応系内の温度を150から
200℃に上昇させて、反応系内から除去し、樹脂を回
収する。
【0012】本発明の組成物に用いられるキノンジアジ
ド化合物としては、例えば1,2−ベンゾキノンジアジ
ド−4−スルホン酸エステル、1,2−ナフトキノンジ
アジド−4−スルホン酸エステル、1,2−ナフトキノ
ンジアジド−5−スルホン酸エステル等が挙げられる。 本発明における1,2−キノンジアジド化合物の配合量
は、アルカリ可溶性ノボラック樹脂100重量部に対し
て、5〜50重量部の範囲が好ましい。
ド化合物としては、例えば1,2−ベンゾキノンジアジ
ド−4−スルホン酸エステル、1,2−ナフトキノンジ
アジド−4−スルホン酸エステル、1,2−ナフトキノ
ンジアジド−5−スルホン酸エステル等が挙げられる。 本発明における1,2−キノンジアジド化合物の配合量
は、アルカリ可溶性ノボラック樹脂100重量部に対し
て、5〜50重量部の範囲が好ましい。
【0013】また、本発明の組成物には、塗布性、例え
ばストリエーションや現像性を良くするための界面活性
剤を配合することができる。更に、本発明の組成物には
、露光時のハレーションの影響を少なくするための染料
や顔料を配合することができる。その他、必要に応じて
保存安定剤、溶解防止剤なども配合することができる。
ばストリエーションや現像性を良くするための界面活性
剤を配合することができる。更に、本発明の組成物には
、露光時のハレーションの影響を少なくするための染料
や顔料を配合することができる。その他、必要に応じて
保存安定剤、溶解防止剤なども配合することができる。
【0014】本発明の感光性樹脂組成物の塗膜を露光、
現像してレジスト像が製造される。この樹脂組成物を溶
液にして、半導体製造用基板等の上に塗布し、塗膜を得
、これを露光、現像してレジスト像を得ることができる
。露光、現像の条件には制限はない。
現像してレジスト像が製造される。この樹脂組成物を溶
液にして、半導体製造用基板等の上に塗布し、塗膜を得
、これを露光、現像してレジスト像を得ることができる
。露光、現像の条件には制限はない。
【0015】この際に用いられる溶剤としては、例えば
エチレングリコールモノメチルエーテル等のグリコール
エーテル類、エチルセロソルブアセテート等のエチレン
グリコールアルキルエーテルアセテート類、ジエチレン
グリコールモノメチルエーテル等のジエチレングリコー
ル類、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート
等のプロピレングリコールアルキルエーテルアセテート
類、トルエン等の芳香族炭化水素類、シクロヘキサノン
等のケトン類、2−ヒドロキシプロピオンサンメチル等
のエステル類を用いることができる。
エチレングリコールモノメチルエーテル等のグリコール
エーテル類、エチルセロソルブアセテート等のエチレン
グリコールアルキルエーテルアセテート類、ジエチレン
グリコールモノメチルエーテル等のジエチレングリコー
ル類、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート
等のプロピレングリコールアルキルエーテルアセテート
類、トルエン等の芳香族炭化水素類、シクロヘキサノン
等のケトン類、2−ヒドロキシプロピオンサンメチル等
のエステル類を用いることができる。
【0016】現像液としては、例えば水酸化ナトリウム
等の無機アルカリ類、エチルアミン等の第1級アミン類
、ジエチルアミン等の第2級アミン、トリエチルアミン
等の第3級アミン類、ジメチルエタノールアミン等のア
ルコールアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキ
シド、コリンなどの第4級アンモニウム塩またはピペリ
ジンなどの環状アミン類を溶解させたアルカリ性水溶液
が使用される。露光は、i線、g線等を用いて行うこと
ができる。
等の無機アルカリ類、エチルアミン等の第1級アミン類
、ジエチルアミン等の第2級アミン、トリエチルアミン
等の第3級アミン類、ジメチルエタノールアミン等のア
ルコールアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキ
シド、コリンなどの第4級アンモニウム塩またはピペリ
ジンなどの環状アミン類を溶解させたアルカリ性水溶液
が使用される。露光は、i線、g線等を用いて行うこと
ができる。
【0017】
【実施例】以下、実施例により本発明を説明する。実施
例中、樹脂の特性として、重量平均分子量(Mw)とア
ルカリ現像液に対する溶解時間を挙げた。その特性の評
価は、下記の方法により行った。Mw;日立化成工業(
株)製GPC低分子カラム ゲルパック(R420+
R430+R440)を用いて、流量1.73ml/m
in、溶出溶媒テトラヒドロフラン、カラム温度室温の
分析条件で単分散ポリスチレンを標準として、(株)日
立製作所製液体クロマトグラム635A型HLCで測定
した。アルカリ現像液に対する溶解時間;エチルセロソ
ルブアセテートに溶解させた樹脂をシリコンウエハーに
回転塗布機で塗布し(塗布膜厚を1μmとする)、これ
を25℃の現像液(テトラメチルアンモニウムヒドロキ
シド2.38重量%水溶液)に入れ、塗膜の無くなる時
間を測定した。レジスト特性の評価は、下記の方法によ
り行った。感度;(株)日立製作所製LD−5010i
縮小投影露光機で、露光時間を変化させて露光を行い、
次いでテトラメチルアンモニウムヒドロキシド2.38
重量%水溶液を用い25℃で60秒間現像し水でリンス
し乾燥してウエハー上にレジストパターンを形成させ、
0.7μmのライン・アンド・スペースを1体1の幅で
形成する露光時間(以下、「最適露光時間」とする)を
求めた。解像度;最適露光時間における最小のレジスト
パターンの寸法を求めた。耐熱性;クリーンオーブン中
にレジストパターンを形成したウエハーを入れて、パタ
ーンが変形し始める温度を測定した。
例中、樹脂の特性として、重量平均分子量(Mw)とア
ルカリ現像液に対する溶解時間を挙げた。その特性の評
価は、下記の方法により行った。Mw;日立化成工業(
株)製GPC低分子カラム ゲルパック(R420+
R430+R440)を用いて、流量1.73ml/m
in、溶出溶媒テトラヒドロフラン、カラム温度室温の
分析条件で単分散ポリスチレンを標準として、(株)日
立製作所製液体クロマトグラム635A型HLCで測定
した。アルカリ現像液に対する溶解時間;エチルセロソ
ルブアセテートに溶解させた樹脂をシリコンウエハーに
回転塗布機で塗布し(塗布膜厚を1μmとする)、これ
を25℃の現像液(テトラメチルアンモニウムヒドロキ
シド2.38重量%水溶液)に入れ、塗膜の無くなる時
間を測定した。レジスト特性の評価は、下記の方法によ
り行った。感度;(株)日立製作所製LD−5010i
縮小投影露光機で、露光時間を変化させて露光を行い、
次いでテトラメチルアンモニウムヒドロキシド2.38
重量%水溶液を用い25℃で60秒間現像し水でリンス
し乾燥してウエハー上にレジストパターンを形成させ、
0.7μmのライン・アンド・スペースを1体1の幅で
形成する露光時間(以下、「最適露光時間」とする)を
求めた。解像度;最適露光時間における最小のレジスト
パターンの寸法を求めた。耐熱性;クリーンオーブン中
にレジストパターンを形成したウエハーを入れて、パタ
ーンが変形し始める温度を測定した。
【0018】合成例1
撹拌機、冷却管及び温度計を装着したセパラブルフラス
コに、 m−クレゾール 218.7gp−
クレゾール 267.3gフロログ
ルシン 63.0g37重量%
ホルマリン 271.6g蓚酸
2.24gを仕込み
、セパラブルフラスコを油浴に浸し、内温を97℃に保
ち撹拌しながら3時間重縮合を行った。その後、内温を
180℃まで上げ、同時に反応容器内の圧力を10〜2
0mmHgで減圧し、未反応のフェノール類、ホルムア
ルデヒド、水及び蓚酸を除去した。次いで、溶融した樹
脂を金属バットにあけ樹脂を回収した(以下、この樹脂
を「樹脂1」とする)。樹脂1のMwを測定したところ
、35,000であった。また、アルカリ現像液に対す
る溶解時間は、9秒/μmであった。
コに、 m−クレゾール 218.7gp−
クレゾール 267.3gフロログ
ルシン 63.0g37重量%
ホルマリン 271.6g蓚酸
2.24gを仕込み
、セパラブルフラスコを油浴に浸し、内温を97℃に保
ち撹拌しながら3時間重縮合を行った。その後、内温を
180℃まで上げ、同時に反応容器内の圧力を10〜2
0mmHgで減圧し、未反応のフェノール類、ホルムア
ルデヒド、水及び蓚酸を除去した。次いで、溶融した樹
脂を金属バットにあけ樹脂を回収した(以下、この樹脂
を「樹脂1」とする)。樹脂1のMwを測定したところ
、35,000であった。また、アルカリ現像液に対す
る溶解時間は、9秒/μmであった。
【0019】合成例2
合成例1と同様なセパラブルフラスコに、m−クレゾー
ル 230.9gp−クレゾール
282.2gフロログルシン
31.5g37重量%ホルマリン
275.7g蓚酸
2.24gを仕込み、セパラブル
フラスコを油浴に浸し、内温を97℃に保ち撹拌しなが
ら3時間重縮合を行った。その後、内温を180℃まで
上げ、同時に反応容器内の圧力を10〜20mmHgま
で減圧し、未反応のフェノール類、ホルムアルデヒド、
水及び蓚酸を除去した。次いで、溶融した樹脂を金属バ
ットにあけ樹脂を回収した(以下、この樹脂を「樹脂2
」とする)。樹脂2のMwを測定したところ、30,0
00であった。また、アルカリ現像液に対する溶解時間
は、45秒/μmであった。
ル 230.9gp−クレゾール
282.2gフロログルシン
31.5g37重量%ホルマリン
275.7g蓚酸
2.24gを仕込み、セパラブル
フラスコを油浴に浸し、内温を97℃に保ち撹拌しなが
ら3時間重縮合を行った。その後、内温を180℃まで
上げ、同時に反応容器内の圧力を10〜20mmHgま
で減圧し、未反応のフェノール類、ホルムアルデヒド、
水及び蓚酸を除去した。次いで、溶融した樹脂を金属バ
ットにあけ樹脂を回収した(以下、この樹脂を「樹脂2
」とする)。樹脂2のMwを測定したところ、30,0
00であった。また、アルカリ現像液に対する溶解時間
は、45秒/μmであった。
【0020】合成例3
合成例1と同様なセパラブルフラスコに、p−クレゾー
ル 486.0gフロログルシン
63.0g37重量%ホルマリ
ン 271.6g蓚酸
2.24gを仕込み、セパラ
ブルフラスコを油浴に浸し、内温を97℃に保ち撹拌し
ながら3時間重縮合を行った。その後、内温を180℃
まで上げ、同時に反応容器内の圧力を10〜20mmH
gまで減圧し、未反応のフェノール類、ホルムアルデヒ
ド、水及び蓚酸を除去した。次いで、溶融した樹脂を金
属バットにあけ樹脂を回収した(以下、この樹脂を「樹
脂3」とする)。樹脂3のMwを測定したところ、24
,000であった。また、アルカリ現像液に対する溶解
時間は、37秒/μmであった。
ル 486.0gフロログルシン
63.0g37重量%ホルマリ
ン 271.6g蓚酸
2.24gを仕込み、セパラ
ブルフラスコを油浴に浸し、内温を97℃に保ち撹拌し
ながら3時間重縮合を行った。その後、内温を180℃
まで上げ、同時に反応容器内の圧力を10〜20mmH
gまで減圧し、未反応のフェノール類、ホルムアルデヒ
ド、水及び蓚酸を除去した。次いで、溶融した樹脂を金
属バットにあけ樹脂を回収した(以下、この樹脂を「樹
脂3」とする)。樹脂3のMwを測定したところ、24
,000であった。また、アルカリ現像液に対する溶解
時間は、37秒/μmであった。
【0021】合成例4
合成例1と同様なセパラブルフラスコに、m−クレゾー
ル 243.0gp−クレゾール
297.0g37重量%ホルマリン
275.7g蓚酸
2.27gを仕込み、セパラブ
ルフラスコを油浴に浸し、内温を97℃に保ち撹拌しな
がら3時間重縮合を行った。その後、内温を180℃ま
で上げ、同時に反応容器内の圧力を10〜20mmHg
まで減圧し、未反応のフェノール類、ホルムアルデヒド
、水及び蓚酸を除去した。次いで、溶融した樹脂を金属
バットにあけ樹脂を回収した(以下、この樹脂を「樹脂
4」とする)。樹脂4のMwを測定したところ、11,
000であった。また、アルカリ現像液に対する溶解時
間は、65秒/μmであった。
ル 243.0gp−クレゾール
297.0g37重量%ホルマリン
275.7g蓚酸
2.27gを仕込み、セパラブ
ルフラスコを油浴に浸し、内温を97℃に保ち撹拌しな
がら3時間重縮合を行った。その後、内温を180℃ま
で上げ、同時に反応容器内の圧力を10〜20mmHg
まで減圧し、未反応のフェノール類、ホルムアルデヒド
、水及び蓚酸を除去した。次いで、溶融した樹脂を金属
バットにあけ樹脂を回収した(以下、この樹脂を「樹脂
4」とする)。樹脂4のMwを測定したところ、11,
000であった。また、アルカリ現像液に対する溶解時
間は、65秒/μmであった。
【0022】合成例5
合成例1と同様なセパラブルフラスコに、m−クレゾー
ル 150.0gp−クレゾール
300.0g2,5−キシレノール
168.0g37重量%ホルマリン 3
38.0g蓚酸
2.78gを仕込み、セパラブルフラスコ
を油浴に浸し、内温を97℃に保ち撹拌しながら3時間
重縮合を行った。その後、内温を180℃まで上げ、同
時に反応容器内の圧力を10〜20mmHgまで減圧し
、未反応のフェノール類、ホルムアルデヒド、水及び蓚
酸を除去した。次いで、溶融した樹脂を金属バットにあ
け樹脂を回収した(以下、この樹脂を「樹脂5」とする
)。樹脂5のMwを測定したところ、3,600であっ
た。また、アルカリ現像液に対する溶解時間は、32秒
/μmであった。
ル 150.0gp−クレゾール
300.0g2,5−キシレノール
168.0g37重量%ホルマリン 3
38.0g蓚酸
2.78gを仕込み、セパラブルフラスコ
を油浴に浸し、内温を97℃に保ち撹拌しながら3時間
重縮合を行った。その後、内温を180℃まで上げ、同
時に反応容器内の圧力を10〜20mmHgまで減圧し
、未反応のフェノール類、ホルムアルデヒド、水及び蓚
酸を除去した。次いで、溶融した樹脂を金属バットにあ
け樹脂を回収した(以下、この樹脂を「樹脂5」とする
)。樹脂5のMwを測定したところ、3,600であっ
た。また、アルカリ現像液に対する溶解時間は、32秒
/μmであった。
【0023】実施例1
樹脂1、100g、2,3,4′−テトラヒドロキシベ
ンゾフェノン1モルと1,2−ナフトキノンジアジド−
5−スルホン酸3.5モルとの縮合物(以下、「1,2
−キノンジアジドI」とする)20gとをエチルセロソ
ルブアセテート400gに溶解させた後、孔径0.2μ
mのメンブランフィルタで濾過し、ポジ型レジスト溶液
を調製した。得られた溶液をシリコンウエハー上に、(
株)大日本スクリーン製D−SPINを用いて塗布、9
0℃で90秒間プリベークし、膜厚1.22μmのレジ
スト膜を形成し、レジスト特性の試験を行った。結果を
表1に示す。
ンゾフェノン1モルと1,2−ナフトキノンジアジド−
5−スルホン酸3.5モルとの縮合物(以下、「1,2
−キノンジアジドI」とする)20gとをエチルセロソ
ルブアセテート400gに溶解させた後、孔径0.2μ
mのメンブランフィルタで濾過し、ポジ型レジスト溶液
を調製した。得られた溶液をシリコンウエハー上に、(
株)大日本スクリーン製D−SPINを用いて塗布、9
0℃で90秒間プリベークし、膜厚1.22μmのレジ
スト膜を形成し、レジスト特性の試験を行った。結果を
表1に示す。
【0024】実施例2
実施例1において、1,2−キノンジアジドIの代わり
に2′,4′,7−トリヒドロキシ−2,4,4−トリ
メチルフラバンと1,2−ナフトキノンジアジド−5−
スルホン酸2.0モルとの縮合物(以下、「1,2−キ
ノンジアジドII」とする)を用いた以外は、実施例1
と同様にしてポジ型レジストを調製しレジスト特性の試
験を行った。結果を表1に示す。
に2′,4′,7−トリヒドロキシ−2,4,4−トリ
メチルフラバンと1,2−ナフトキノンジアジド−5−
スルホン酸2.0モルとの縮合物(以下、「1,2−キ
ノンジアジドII」とする)を用いた以外は、実施例1
と同様にしてポジ型レジストを調製しレジスト特性の試
験を行った。結果を表1に示す。
【0025】実施例3
実施例1において、1,2−キノンジアジドIの代わり
にジ(4−ヒドロキシフェニル)[4−〔1−(4−ヒ
ドロキシフェニル)−1−メチルエチル〕フェニル]エ
タンと1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸
3.0モルとの縮合物(以下「1,2−キノンジアジド
III」とする)を用いた以外は、実施例1と同様にし
てポジ型レジストを調製し、レジスト特性の試験を行っ
た。結果を表1に示す。
にジ(4−ヒドロキシフェニル)[4−〔1−(4−ヒ
ドロキシフェニル)−1−メチルエチル〕フェニル]エ
タンと1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸
3.0モルとの縮合物(以下「1,2−キノンジアジド
III」とする)を用いた以外は、実施例1と同様にし
てポジ型レジストを調製し、レジスト特性の試験を行っ
た。結果を表1に示す。
【0026】実施例4
実施例1において、樹脂1の代わりに樹脂2を用いた以
外は、実施例1と同様にしてポジ型レジストを調製し、
レジスト特性の試験を行った。結果を表1に示す。
外は、実施例1と同様にしてポジ型レジストを調製し、
レジスト特性の試験を行った。結果を表1に示す。
【0027】実施例5
樹脂2、100g、1,2−キノンジアジドIII、2
0gとをエチルセロソルブアセテート400gに溶解さ
せた後、孔径0.2μmのメンブランフィルタで濾過し
、ポジ型レジスト溶液を調製した。得られた溶液をシリ
コンウエハー上に、(株)大日本スクリーン製D−SP
INを用いて塗布、90℃で90秒間プリベークし、膜
厚1.22μmのレジスト膜を形成し、レジスト特性の
試験を行った。結果を表1に示す。
0gとをエチルセロソルブアセテート400gに溶解さ
せた後、孔径0.2μmのメンブランフィルタで濾過し
、ポジ型レジスト溶液を調製した。得られた溶液をシリ
コンウエハー上に、(株)大日本スクリーン製D−SP
INを用いて塗布、90℃で90秒間プリベークし、膜
厚1.22μmのレジスト膜を形成し、レジスト特性の
試験を行った。結果を表1に示す。
【0028】実施例6
実施例5において、樹脂2の代わりに樹脂3を用いた以
外は、実施例5と同様にしてポジ型レジストを調製し、
レジスト特性の試験を行った。結果を表1に示す。
外は、実施例5と同様にしてポジ型レジストを調製し、
レジスト特性の試験を行った。結果を表1に示す。
【0029】実施例7
樹脂3、100g、1,2−キノンジアジドII、20
gとをエチルセロソルブアセテート400gに溶解させ
た後、孔径0.2μmのメンブランフィルタで濾過し、
ポジ型レジスト溶液を調製した。得られた溶液をシリコ
ンウエハー上に、(株)大日本スクリーン製D−SPI
Nを用いて塗布、90℃で90秒間プリベークし、膜厚
1.22μmのレジスト膜を形成し、レジスト特性の試
験を行った。結果を表1に示す。
gとをエチルセロソルブアセテート400gに溶解させ
た後、孔径0.2μmのメンブランフィルタで濾過し、
ポジ型レジスト溶液を調製した。得られた溶液をシリコ
ンウエハー上に、(株)大日本スクリーン製D−SPI
Nを用いて塗布、90℃で90秒間プリベークし、膜厚
1.22μmのレジスト膜を形成し、レジスト特性の試
験を行った。結果を表1に示す。
【0030】比較例1
実施例1において、樹脂1の代わりに樹脂4を用いた以
外は、実施例1と同様にしてポジ型レジストを調製し、
レジスト特性の試験を行った。結果を表1に示す。
外は、実施例1と同様にしてポジ型レジストを調製し、
レジスト特性の試験を行った。結果を表1に示す。
【0031】比較例2
樹脂4、100g、1,2−キノンジアジドII、20
gとをエチルセロソルブアセテート400gに溶解させ
た後、孔径0.2μmのメンブランフィルタで濾過し、
ポジ型レジスト溶液を調製した。得られた溶液をシリコ
ンウエハー上に、(株)大日本スクリーン製D−SPI
Nを用いて塗布、90℃で90秒間プリベークし、膜厚
1.22μmのレジスト膜を形成し、レジスト特性の試
験を行った。結果を表1に示す。
gとをエチルセロソルブアセテート400gに溶解させ
た後、孔径0.2μmのメンブランフィルタで濾過し、
ポジ型レジスト溶液を調製した。得られた溶液をシリコ
ンウエハー上に、(株)大日本スクリーン製D−SPI
Nを用いて塗布、90℃で90秒間プリベークし、膜厚
1.22μmのレジスト膜を形成し、レジスト特性の試
験を行った。結果を表1に示す。
【0032】比較例3
比較例2において、樹脂4の代わりに樹脂5を用いた以
外は、比較例2と同様にしてポジ型レジストを調製し、
レジスト特性の試験を行った。結果を表1に示す。
外は、比較例2と同様にしてポジ型レジストを調製し、
レジスト特性の試験を行った。結果を表1に示す。
【0033】比較例4
樹脂5、100g、1,2−キノンジアジドIII、2
0gとをエチルセロソルブアセテート400gに溶解さ
せた後、孔径0.2μmのメンブランフィルタで濾過し
、ポジ型レジスト溶液を調製した。得られた溶液をシリ
コンウエハー上に、(株)大日本スクリーン製D−SP
INを用いて塗布、90℃で90秒間プリベークし、膜
厚1.22μmのレジスト膜を形成し、レジスト特性の
試験を行った。結果を表1に示す。
0gとをエチルセロソルブアセテート400gに溶解さ
せた後、孔径0.2μmのメンブランフィルタで濾過し
、ポジ型レジスト溶液を調製した。得られた溶液をシリ
コンウエハー上に、(株)大日本スクリーン製D−SP
INを用いて塗布、90℃で90秒間プリベークし、膜
厚1.22μmのレジスト膜を形成し、レジスト特性の
試験を行った。結果を表1に示す。
【0034】
【表1】
【0035】
【発明の効果】本発明の感光性樹脂組成物は、解像度、
感度、耐熱性に優れ、高集積回路を作成するためのポジ
型レジストに好適であり、これによって好ましい特性の
レジスト像を得ることができる。
感度、耐熱性に優れ、高集積回路を作成するためのポジ
型レジストに好適であり、これによって好ましい特性の
レジスト像を得ることができる。
Claims (1)
- 【請求項1】 アルカリ可溶性ノボラック樹脂および
キノンジアジド化合物を含有する感光性樹脂組成物にお
いて、該アルカリ可溶性ノボラック樹脂が下記構造式(
I)で表されるフェノール類の少なくとも一種(A)と
下記構造式(II)で表される3個のフェノール性水酸
基をもつフェノール類の少なくとも一種(B)をアルデ
ヒド類を用いて重縮合した樹脂であり、かつ(A)と(
B)の仕込のモル数の比率を0.01≦(B)/(A)
+(B)≦0.3の範囲とした感光性樹脂組成物。 【化1】 (R1は水素、アルキル基、アラルキル基、またはアル
コキシ基を表し、n1は1〜4の整数を表す。)【化2
】 (R2は水素、アルキル基、アラルキル基、またはアル
コキシ基を表し、n2は1〜3の整数を表す。)【請求
項2】 請求項1記載の感光性樹脂組成物の塗膜を露
光、現像するレジスト像の製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6489591A JPH04299349A (ja) | 1991-03-28 | 1991-03-28 | 感光性樹脂組成物およびレジスト像の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6489591A JPH04299349A (ja) | 1991-03-28 | 1991-03-28 | 感光性樹脂組成物およびレジスト像の製造法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04299349A true JPH04299349A (ja) | 1992-10-22 |
Family
ID=13271271
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6489591A Pending JPH04299349A (ja) | 1991-03-28 | 1991-03-28 | 感光性樹脂組成物およびレジスト像の製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04299349A (ja) |
-
1991
- 1991-03-28 JP JP6489591A patent/JPH04299349A/ja active Pending
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