JPH04299349A - 感光性樹脂組成物およびレジスト像の製造法 - Google Patents

感光性樹脂組成物およびレジスト像の製造法

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JPH04299349A
JPH04299349A JP6489591A JP6489591A JPH04299349A JP H04299349 A JPH04299349 A JP H04299349A JP 6489591 A JP6489591 A JP 6489591A JP 6489591 A JP6489591 A JP 6489591A JP H04299349 A JPH04299349 A JP H04299349A
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resin
photosensitive resin
resist
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formula
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JP6489591A
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Koji Kato
幸治 加藤
Mamoru Sasaki
守 佐々木
Masataka Nunomura
昌隆 布村
▲コイ▼渕 滋
Shigeru Koibuchi
Michiaki Hashimoto
橋本 通晰
Asao Isobe
磯部 麻郎
Kei Kasuya
圭 粕谷
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Hitachi Chemical Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は感光性樹脂組成物および
レジスト像の製造法に関し、更に詳しくは高集積回路を
作製するための高解像度、高感度、高耐熱性のポジ型レ
ジストとなる感光性樹脂組成物およびこれを用いたレジ
スト像の製造法に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体製造工程において、ポジ型レジス
トは汎用的に用いられる。近年、集積回路の高集積化に
ともない、高解像度、高感度、高耐熱性、高ドライエッ
チング耐性のポジ型レジストが望まれている。従来より
、ポジ型レジストの高解像度化のためにポジ型レジスト
に使用するアルカリ可溶性ノボラック樹脂の改良が試み
られている。例えば、アルカリ可溶性ノボラック樹脂と
して、米国特許第4,529,682号明細書には、o
−クレゾール、m−クレゾール及びp−クレゾールから
なる混合物をホルムアルデヒドと縮合させて得たノボラ
ック樹脂が提案されている。特開昭60−158440
号公報には、m−クレゾール、p−クレゾール及び2,
5−キシレノールから成る混合物をホルムアルデヒドと
縮合させて得たノボラック樹脂が提案されている。 特開昭63−234249号公報には、m−クレゾール
、p−クレゾール及び3,5−キシレノールから成る混
合物をホルムアルデヒドと縮合させて得たノボラック樹
脂が提案されている。
【0003】一方、ポジ型レジストの耐熱性向上のため
にもアルカリ可溶性ノボラック樹脂の改良が試みられて
いる。例えば、特開昭64−14229号公報、および
特開平2−60915号公報には、ノボラック樹脂の低
分子量成分を除去して耐熱性を向上させることが提案さ
れている。しかし、ノボラック樹脂の低分子量成分の除
去はプロセス上複雑となり工業上簡便な方法ではない。 また、従来提案されてきたポジ型レジストの高解像度化
のための公知の手法ではアルカリ可溶性ノボラック樹脂
の改良では耐熱性の向上はできなかった。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、前記従来技
術の欠点を除去して、高解像度、高感度、高耐熱性のポ
ジ型レジストとなる感光性樹脂組成物およびこれを用い
たレジスト像の製造法を提供するものである。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記目的
を達成するために鋭意検討した結果、以下の手段により
高解像度、高感度、高耐熱性のポジ型レジストとなる感
光性樹脂組成物を得るに至った。すなわち、本発明は、
アルカリ可溶性ノボラック樹脂およびキノンジアジド化
合物を含有する感光性樹脂組成物において、該アルカリ
可溶性ノボラック樹脂が下記構造式(I)で表されるフ
ェノール類の少なくとも一種(A)と下記構造式(II
)で表される3個のフェノール性水酸基をもつフェノー
ル類の少なくとも一種(B)をアルデヒド類を用いて重
縮合した樹脂であり、かつ(A)と(B)の仕込のモル
数の比率を0.01≦(B)/(A)+(B)≦0.3
の範囲とした感光性樹脂組成物およびこれを用いたレジ
スト像の製造法に関する。
【化3】 (R1は水素、アルキル基、アラルキル基またはアルコ
キシ基を表し、n1は1〜4の整数を表す。)
【化4】 (R2は水素、アルキル基、アラルキル基またはアルコ
キシ基を表し、n2は1〜3の整数を表す。)
【000
6】本発明においては、アルカリ可溶性ノボラック樹脂
の合成原料に3個のフェノール性水酸基をもつフェノー
ル類が用いられる。3個のフェノール性水酸基を持つフ
ェノール類を用いることにより、ノボラック樹脂が高分
子量化でもアルカリ現像液に対する溶解性を良くするこ
とができる。このことにより、高解像度、高感度で耐熱
性に優れたポジ型レジストとなる感光性樹脂組成物を得
ることができる。
【0007】本発明に用いられる構造式(I)で示され
るフェノール類(A)としては、例えば、フェノール、
o−クレゾール、p−クレゾール、m−クレゾール、2
,3−キシレノール、2,5−キシレノール、3,4−
キシレノール、3,5−キシレノール、2,3,5−ト
リメチルフェノール等を挙げることが出来る。また、構
造式(II)で示されるフェノール類(B)としては、
例えば、フロログルシン、ピロガロール、ヒドロキシヒ
ドロキノン等を挙げることが出来る。フェノール類(A
)及び(B)は、それぞれ一種単独で、または二種以上
混合して用いることが出来る。フェノ−ル類(A)及び
(B)においてはその溶解性がアルキル基、アラルキル
基及びアルコキシ基は炭素数1〜5の範囲のものが好ま
しい。
【0008】本発明に用いられるアルデヒド類としては
、例えば、ホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド等
を挙げることが出来る。アルデヒド類の使用量は、フェ
ノール類1モルに対して0.5〜1.5モルの範囲が好
ましい。
【0009】重縮合のための触媒としては、高分子量化
させることのできる酸触媒が好ましい。その酸触媒とし
ては、塩酸、硝酸、硫酸などの無機酸、蟻酸、蓚酸、酢
酸などの有機酸を挙げることが出来る。酸触媒の使用量
は、フェノール類1モルに対して1×10−5〜1×1
0−1モルが好ましい。
【0010】重縮合の反応温度は、反応原料の反応性に
応じて適宜調製することができるが、通常、70〜13
0℃である。
【0011】重縮合の方法としては、フェノール類、ア
ルデヒド類および酸触媒を一括して仕込む方法、酸触媒
の存在下にフェノール類およびアルデヒド類を反応の進
行と共に加えていく方法などを挙げることができる。重
縮合終了後は、反応系内に存在する未反応原料、縮合水
、酸性触媒等を除去するために、一般的に、減圧下例え
ば20〜50mmHgで、反応系内の温度を150から
200℃に上昇させて、反応系内から除去し、樹脂を回
収する。
【0012】本発明の組成物に用いられるキノンジアジ
ド化合物としては、例えば1,2−ベンゾキノンジアジ
ド−4−スルホン酸エステル、1,2−ナフトキノンジ
アジド−4−スルホン酸エステル、1,2−ナフトキノ
ンジアジド−5−スルホン酸エステル等が挙げられる。 本発明における1,2−キノンジアジド化合物の配合量
は、アルカリ可溶性ノボラック樹脂100重量部に対し
て、5〜50重量部の範囲が好ましい。
【0013】また、本発明の組成物には、塗布性、例え
ばストリエーションや現像性を良くするための界面活性
剤を配合することができる。更に、本発明の組成物には
、露光時のハレーションの影響を少なくするための染料
や顔料を配合することができる。その他、必要に応じて
保存安定剤、溶解防止剤なども配合することができる。
【0014】本発明の感光性樹脂組成物の塗膜を露光、
現像してレジスト像が製造される。この樹脂組成物を溶
液にして、半導体製造用基板等の上に塗布し、塗膜を得
、これを露光、現像してレジスト像を得ることができる
。露光、現像の条件には制限はない。
【0015】この際に用いられる溶剤としては、例えば
エチレングリコールモノメチルエーテル等のグリコール
エーテル類、エチルセロソルブアセテート等のエチレン
グリコールアルキルエーテルアセテート類、ジエチレン
グリコールモノメチルエーテル等のジエチレングリコー
ル類、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート
等のプロピレングリコールアルキルエーテルアセテート
類、トルエン等の芳香族炭化水素類、シクロヘキサノン
等のケトン類、2−ヒドロキシプロピオンサンメチル等
のエステル類を用いることができる。
【0016】現像液としては、例えば水酸化ナトリウム
等の無機アルカリ類、エチルアミン等の第1級アミン類
、ジエチルアミン等の第2級アミン、トリエチルアミン
等の第3級アミン類、ジメチルエタノールアミン等のア
ルコールアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキ
シド、コリンなどの第4級アンモニウム塩またはピペリ
ジンなどの環状アミン類を溶解させたアルカリ性水溶液
が使用される。露光は、i線、g線等を用いて行うこと
ができる。
【0017】
【実施例】以下、実施例により本発明を説明する。実施
例中、樹脂の特性として、重量平均分子量(Mw)とア
ルカリ現像液に対する溶解時間を挙げた。その特性の評
価は、下記の方法により行った。Mw;日立化成工業(
株)製GPC低分子カラム  ゲルパック(R420+
R430+R440)を用いて、流量1.73ml/m
in、溶出溶媒テトラヒドロフラン、カラム温度室温の
分析条件で単分散ポリスチレンを標準として、(株)日
立製作所製液体クロマトグラム635A型HLCで測定
した。アルカリ現像液に対する溶解時間;エチルセロソ
ルブアセテートに溶解させた樹脂をシリコンウエハーに
回転塗布機で塗布し(塗布膜厚を1μmとする)、これ
を25℃の現像液(テトラメチルアンモニウムヒドロキ
シド2.38重量%水溶液)に入れ、塗膜の無くなる時
間を測定した。レジスト特性の評価は、下記の方法によ
り行った。感度;(株)日立製作所製LD−5010i
縮小投影露光機で、露光時間を変化させて露光を行い、
次いでテトラメチルアンモニウムヒドロキシド2.38
重量%水溶液を用い25℃で60秒間現像し水でリンス
し乾燥してウエハー上にレジストパターンを形成させ、
0.7μmのライン・アンド・スペースを1体1の幅で
形成する露光時間(以下、「最適露光時間」とする)を
求めた。解像度;最適露光時間における最小のレジスト
パターンの寸法を求めた。耐熱性;クリーンオーブン中
にレジストパターンを形成したウエハーを入れて、パタ
ーンが変形し始める温度を測定した。
【0018】合成例1 撹拌機、冷却管及び温度計を装着したセパラブルフラス
コに、 m−クレゾール          218.7gp−
クレゾール          267.3gフロログ
ルシン            63.0g37重量%
ホルマリン    271.6g蓚酸        
                2.24gを仕込み
、セパラブルフラスコを油浴に浸し、内温を97℃に保
ち撹拌しながら3時間重縮合を行った。その後、内温を
180℃まで上げ、同時に反応容器内の圧力を10〜2
0mmHgで減圧し、未反応のフェノール類、ホルムア
ルデヒド、水及び蓚酸を除去した。次いで、溶融した樹
脂を金属バットにあけ樹脂を回収した(以下、この樹脂
を「樹脂1」とする)。樹脂1のMwを測定したところ
、35,000であった。また、アルカリ現像液に対す
る溶解時間は、9秒/μmであった。
【0019】合成例2 合成例1と同様なセパラブルフラスコに、m−クレゾー
ル          230.9gp−クレゾール 
         282.2gフロログルシン   
         31.5g37重量%ホルマリン 
   275.7g蓚酸              
          2.24gを仕込み、セパラブル
フラスコを油浴に浸し、内温を97℃に保ち撹拌しなが
ら3時間重縮合を行った。その後、内温を180℃まで
上げ、同時に反応容器内の圧力を10〜20mmHgま
で減圧し、未反応のフェノール類、ホルムアルデヒド、
水及び蓚酸を除去した。次いで、溶融した樹脂を金属バ
ットにあけ樹脂を回収した(以下、この樹脂を「樹脂2
」とする)。樹脂2のMwを測定したところ、30,0
00であった。また、アルカリ現像液に対する溶解時間
は、45秒/μmであった。
【0020】合成例3 合成例1と同様なセパラブルフラスコに、p−クレゾー
ル          486.0gフロログルシン 
           63.0g37重量%ホルマリ
ン    271.6g蓚酸            
            2.24gを仕込み、セパラ
ブルフラスコを油浴に浸し、内温を97℃に保ち撹拌し
ながら3時間重縮合を行った。その後、内温を180℃
まで上げ、同時に反応容器内の圧力を10〜20mmH
gまで減圧し、未反応のフェノール類、ホルムアルデヒ
ド、水及び蓚酸を除去した。次いで、溶融した樹脂を金
属バットにあけ樹脂を回収した(以下、この樹脂を「樹
脂3」とする)。樹脂3のMwを測定したところ、24
,000であった。また、アルカリ現像液に対する溶解
時間は、37秒/μmであった。
【0021】合成例4 合成例1と同様なセパラブルフラスコに、m−クレゾー
ル          243.0gp−クレゾール 
         297.0g37重量%ホルマリン
    275.7g蓚酸             
           2.27gを仕込み、セパラブ
ルフラスコを油浴に浸し、内温を97℃に保ち撹拌しな
がら3時間重縮合を行った。その後、内温を180℃ま
で上げ、同時に反応容器内の圧力を10〜20mmHg
まで減圧し、未反応のフェノール類、ホルムアルデヒド
、水及び蓚酸を除去した。次いで、溶融した樹脂を金属
バットにあけ樹脂を回収した(以下、この樹脂を「樹脂
4」とする)。樹脂4のMwを測定したところ、11,
000であった。また、アルカリ現像液に対する溶解時
間は、65秒/μmであった。
【0022】合成例5 合成例1と同様なセパラブルフラスコに、m−クレゾー
ル          150.0gp−クレゾール 
         300.0g2,5−キシレノール
    168.0g37重量%ホルマリン    3
38.0g蓚酸                  
      2.78gを仕込み、セパラブルフラスコ
を油浴に浸し、内温を97℃に保ち撹拌しながら3時間
重縮合を行った。その後、内温を180℃まで上げ、同
時に反応容器内の圧力を10〜20mmHgまで減圧し
、未反応のフェノール類、ホルムアルデヒド、水及び蓚
酸を除去した。次いで、溶融した樹脂を金属バットにあ
け樹脂を回収した(以下、この樹脂を「樹脂5」とする
)。樹脂5のMwを測定したところ、3,600であっ
た。また、アルカリ現像液に対する溶解時間は、32秒
/μmであった。
【0023】実施例1 樹脂1、100g、2,3,4′−テトラヒドロキシベ
ンゾフェノン1モルと1,2−ナフトキノンジアジド−
5−スルホン酸3.5モルとの縮合物(以下、「1,2
−キノンジアジドI」とする)20gとをエチルセロソ
ルブアセテート400gに溶解させた後、孔径0.2μ
mのメンブランフィルタで濾過し、ポジ型レジスト溶液
を調製した。得られた溶液をシリコンウエハー上に、(
株)大日本スクリーン製D−SPINを用いて塗布、9
0℃で90秒間プリベークし、膜厚1.22μmのレジ
スト膜を形成し、レジスト特性の試験を行った。結果を
表1に示す。
【0024】実施例2 実施例1において、1,2−キノンジアジドIの代わり
に2′,4′,7−トリヒドロキシ−2,4,4−トリ
メチルフラバンと1,2−ナフトキノンジアジド−5−
スルホン酸2.0モルとの縮合物(以下、「1,2−キ
ノンジアジドII」とする)を用いた以外は、実施例1
と同様にしてポジ型レジストを調製しレジスト特性の試
験を行った。結果を表1に示す。
【0025】実施例3 実施例1において、1,2−キノンジアジドIの代わり
にジ(4−ヒドロキシフェニル)[4−〔1−(4−ヒ
ドロキシフェニル)−1−メチルエチル〕フェニル]エ
タンと1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸
3.0モルとの縮合物(以下「1,2−キノンジアジド
III」とする)を用いた以外は、実施例1と同様にし
てポジ型レジストを調製し、レジスト特性の試験を行っ
た。結果を表1に示す。
【0026】実施例4 実施例1において、樹脂1の代わりに樹脂2を用いた以
外は、実施例1と同様にしてポジ型レジストを調製し、
レジスト特性の試験を行った。結果を表1に示す。
【0027】実施例5 樹脂2、100g、1,2−キノンジアジドIII、2
0gとをエチルセロソルブアセテート400gに溶解さ
せた後、孔径0.2μmのメンブランフィルタで濾過し
、ポジ型レジスト溶液を調製した。得られた溶液をシリ
コンウエハー上に、(株)大日本スクリーン製D−SP
INを用いて塗布、90℃で90秒間プリベークし、膜
厚1.22μmのレジスト膜を形成し、レジスト特性の
試験を行った。結果を表1に示す。
【0028】実施例6 実施例5において、樹脂2の代わりに樹脂3を用いた以
外は、実施例5と同様にしてポジ型レジストを調製し、
レジスト特性の試験を行った。結果を表1に示す。
【0029】実施例7 樹脂3、100g、1,2−キノンジアジドII、20
gとをエチルセロソルブアセテート400gに溶解させ
た後、孔径0.2μmのメンブランフィルタで濾過し、
ポジ型レジスト溶液を調製した。得られた溶液をシリコ
ンウエハー上に、(株)大日本スクリーン製D−SPI
Nを用いて塗布、90℃で90秒間プリベークし、膜厚
1.22μmのレジスト膜を形成し、レジスト特性の試
験を行った。結果を表1に示す。
【0030】比較例1 実施例1において、樹脂1の代わりに樹脂4を用いた以
外は、実施例1と同様にしてポジ型レジストを調製し、
レジスト特性の試験を行った。結果を表1に示す。
【0031】比較例2 樹脂4、100g、1,2−キノンジアジドII、20
gとをエチルセロソルブアセテート400gに溶解させ
た後、孔径0.2μmのメンブランフィルタで濾過し、
ポジ型レジスト溶液を調製した。得られた溶液をシリコ
ンウエハー上に、(株)大日本スクリーン製D−SPI
Nを用いて塗布、90℃で90秒間プリベークし、膜厚
1.22μmのレジスト膜を形成し、レジスト特性の試
験を行った。結果を表1に示す。
【0032】比較例3 比較例2において、樹脂4の代わりに樹脂5を用いた以
外は、比較例2と同様にしてポジ型レジストを調製し、
レジスト特性の試験を行った。結果を表1に示す。
【0033】比較例4 樹脂5、100g、1,2−キノンジアジドIII、2
0gとをエチルセロソルブアセテート400gに溶解さ
せた後、孔径0.2μmのメンブランフィルタで濾過し
、ポジ型レジスト溶液を調製した。得られた溶液をシリ
コンウエハー上に、(株)大日本スクリーン製D−SP
INを用いて塗布、90℃で90秒間プリベークし、膜
厚1.22μmのレジスト膜を形成し、レジスト特性の
試験を行った。結果を表1に示す。
【0034】
【表1】
【0035】
【発明の効果】本発明の感光性樹脂組成物は、解像度、
感度、耐熱性に優れ、高集積回路を作成するためのポジ
型レジストに好適であり、これによって好ましい特性の
レジスト像を得ることができる。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  アルカリ可溶性ノボラック樹脂および
    キノンジアジド化合物を含有する感光性樹脂組成物にお
    いて、該アルカリ可溶性ノボラック樹脂が下記構造式(
    I)で表されるフェノール類の少なくとも一種(A)と
    下記構造式(II)で表される3個のフェノール性水酸
    基をもつフェノール類の少なくとも一種(B)をアルデ
    ヒド類を用いて重縮合した樹脂であり、かつ(A)と(
    B)の仕込のモル数の比率を0.01≦(B)/(A)
    +(B)≦0.3の範囲とした感光性樹脂組成物。 【化1】 (R1は水素、アルキル基、アラルキル基、またはアル
    コキシ基を表し、n1は1〜4の整数を表す。)【化2
    】 (R2は水素、アルキル基、アラルキル基、またはアル
    コキシ基を表し、n2は1〜3の整数を表す。)【請求
    項2】  請求項1記載の感光性樹脂組成物の塗膜を露
    光、現像するレジスト像の製造法。
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