JP4865729B2 - 基板加工方法 - Google Patents
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Description
本発明に用いられる(A)成分のアルカリ可溶性ノボラック樹脂は、例えばフェノール性水酸基を持つ芳香族化合物(以下、単に「フェノール類」という)とアルデヒド類とを酸触媒下で付加縮合させることにより得ることができる。この際使用されるフェノール類としては、例えばフェノール、o−クレゾール、m−クレゾール、p−クレゾール、o−エチルフェノール、m−エチルフェノール、p−エチルフェノール、o−ブチルフェノール、m−ブチルフェノール、p−ブチルフェノール、2,3−キシレノール、2,4−キシレノール、2,5−キシレノール、2,6−キシレノール、3,4−キシレノール、3,5−キシレノール、2,3,5−トリメチルフェノール、3,4,5−トリメチルフェノール、p−フェニルフェノール、レゾルシノール、ヒドロキノン、ヒドロキノンモノメチルエーテル、ピロガロール、フロログリシノール、ヒドロキシジフェニル、ビスフェノールA、没食子酸、没食子酸エステル、α−ナフトール、β−ナフトールなどが挙げられる。また、アルデヒド類としては、例えばホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド、フルフラール、ベンズアルデヒド、ニトロベンズアルデヒド、アセトアルデヒドなどが挙げられる。付加縮合反応時の触媒としては、特に限定されるものではないが、例えば酸触媒では、塩酸、硝酸、硫酸、蟻酸、蓚酸、酢酸などが使用される。
本発明に用いられる(B)成分のアルカリ可溶性アクリル樹脂及びアルカリ可溶性ビニル樹脂から選ばれる少なくとも1種の可塑剤としては、ガラス転移点(以下、Tgと表すことがある)が0℃以下であることが好ましい。このようなガラス転移点を有する可塑剤を用いることにより、0℃以下、特には−20〜−100℃の極めて低温下でドライエッチング処理を行った場合であっても、ドライエッチング処理に対する耐性を確保することができ、さらには常温から極低温に冷却させた場合であってもクラックなどを発生することがない。
(C)キノンジアジド基含有化合物としては、例えば(I)2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノン、2,4,4’−トリヒドロキシベンゾフェノン、2,4,6−トリヒドロキシベンゾフェノン、2,3,6−トリヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4−トリヒドロキシ−2’−メチルベンゾフェノン、2,3,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,2’,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,3’,4,4’,6−ペンタヒドロキシベンゾフェノン、2,2’,3,4,4’−ペンタヒドロキシベンゾフェノン、2,2’,3,4,5−ペンタヒドロキシベンゾフェノン、2,3’,4,4’,5’,6−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン、2,3,3’,4,4’,5’−ヘキサヒドロキシベンゾフェノンなどのポリヒドロキシベンゾフェノン類、(II)ビス(2,4−ジヒドロキシフェニル)メタン、ビス(2,3,4−トリヒドロキシフェニル)メタン、2−(4−ヒドロキシフェニル)−2−(4’−ヒドロキシフェニル)プロパン、2−(2,4−ジヒドロキシフェニル)−2−(2’,4’−ジヒドロキシフェニル)プロパン、2−(2,3,4−トリヒドロキシフェニル)−2−(2’,3’,4’−トリヒドロキシフェニル)プロパン、4,4’−{1−[4−〔2−(4−ヒドロキシフェニル)−2−プロピル〕フェニル]エチリデン}ビスフェノール,3,3’−ジメチル−{1−[4−〔2−(3−メチル−4−ヒドロキシフェニル)−2−プロピル〕フェニル]エチリデン}ビスフェノールなどのビス[(ポリ)ヒドロキシフェニル]アルカン類、(III)トリス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、ビス(4−ヒドロキシ−3、5−ジメチルフェニル)−4−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシ−2,5−ジメチルフェニル)−4−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)−2−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシ−2,5−ジメチルフェニル)−2−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシ−2,5−ジメチルフェニル)−3,4−ジヒドロキシフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)−3,4−ジヒドロキシフェニルメタンなどのトリス(ヒドロキシフェニル)メタン類又はそのメチル置換体、(IV)ビス(3−シクロヘキシル−4−ヒドロキシフェニル)−3−ヒドロキシフェニルメタン,ビス(3−シクロヘキシル−4−ヒドロキシフェニル)−2−ヒドロキシフェニルメタン,ビス(3−シクロヘキシル−4−ヒドロキシフェニル)−4−ヒドロキシフェニルメタン,ビス(5−シクロヘキシル−4−ヒドロキシ−2−メチルフェニル)−2−ヒドロキシフェニルメタン,ビス(5−シクロヘキシル−4−ヒドロキシ−2−メチルフェニル)−3−ヒドロキシフェニルメタン、
ビス(5−シクロヘキシル−4−ヒドロキシ−2−メチルフェニル)−4−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(3−シクロヘキシル−2−ヒドロキシフェニル)−3−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(5−シクロヘキシル−4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)−4−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(5−シクロヘキシル−4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)−3−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(5−シクロヘキシル−4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)−2−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(3−シクロヘキシル−2−ヒドロキシフェニル)−4−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(3−シクロヘキシル−2−ヒドロキシフェニル)−2−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(5−シクロヘキシル−2−ヒドロキシ−4−メチルフェニル)−2−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(5−シクロヘキシル−2−ヒドロキシ−4−メチルフェニル)−4−ヒドロキシフェニルメタンなどの、ビス(シクロヘキシルヒドロキシフェニル)(ヒドロキシフェニル)メタン類又はそのメチル置換体、(V)フェノール、p−メトキシフェノール、ジメチルフェノール、ヒドロキノン、ナフトール、ピロカテコール、ピロガロール、ピロガロールモノメチルエーテル、ピロガロール−1,3−ジメチルエーテル、没食子酸、アニリン、p−アミノジフェニルアミン、4,4’−ジアミノベンゾフェノンなどの水酸基又はアミノ基をもつ化合物、(VI)ノボラック、ピロガロール−アセトン樹脂、p−ヒドロキシスチレンのホモポリマー、又はこれと共重合しうるモノマーとの共重合体などと、ナフトキノン−1,2−ジアジド−5−スルホン酸又はナフトキノン−1,2−ジアジド−4−スルホン酸、オルトアントラキノンジアジドスルホン酸などのキノンジアジド基含有スルホン酸との完全エステル化合物、部分エステル化合物、アミド化物又は部分アミド化物などを挙げることができる。
合成例1
m−クレゾールとp−クレゾールとを重量比60:40の割合で混合し、これにホルマリンを加え、シュウ酸触媒を用いて常法により縮合してクレゾールノボラック樹脂を得た。この樹脂に対して分別処理を施し、低分子領域をカットして重量平均分子量15000のノボラック樹脂を得た。この樹脂をノボラック樹脂(A)とする。
合成例2
攪拌装置、還流器、温度計、滴下槽のついたフラスコを窒素置換した後、溶媒としてプロピレングリコールメチルエーテルアセテートを200g仕込み、攪拌を始めた。その後、溶剤の温度を80℃まで上昇させた。滴下槽に重合触媒として2,2’−アゾビスイソブチロニトリル0.5g、2−メトキシエチルアクリレート130g、ベンジルメタクリレート50.0g、アクリル酸20.0gを仕込み、重合触媒が溶解するまで攪拌した後、この溶液をフラスコ内に3時間均一滴下し、引き続き80℃で5時間重合を行った。その後、室温まで冷却し、アクリル樹脂(B1)を得た。
ノボラック樹脂(A)70部、アクリル樹脂(B1)15部、前記化学式(3)で表される化合物1モルに対して1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホニルクロリド2モルを反応させた感光剤(C)15部をプロピレングリコールメチルエーテルアセテート150部の溶剤に溶解した後、孔径1.0μmのメンブレンフィルターを用いてろ過し、ポジ型ホトレジスト組成物(PR1)を調製した。
ノボラック樹脂(A)70部、アクリル樹脂(B1)20部、前記化学式(3)で表される化合物1モルに対して1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホニルクロリド2モルを反応させた感光剤(C)10部を用いたこと以外は、調製例1と同様の操作によりポジ型ホトレジスト組成物(PR2)を調製した。
ノボラック樹脂(A)60部、アクリル樹脂(B1)20部、前記化学式(3)で表される化合物1モルに対して1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホニルクロリド2モルを反応させた感光剤(C)20部を用いたこと以外は、調製例1と同様の操作によりポジ型ホトレジスト組成物(PR3)を調製した。
アクリル樹脂(B1)の代わりに、メチルビニルエーテルを触媒存在下、気相高温高圧重合反応することで得られるアルカリ可溶性ビニルメチルエーテルポリマーを用いたこと以外は、調製例1と同様の操作によりポジ型ホトレジスト組成物(PR4)を調製した。
アクリル樹脂(B1)を用いないこと以外は、調製例1と同様の操作によりポジ型ホトレジスト組成物(PR5)を調製した。
シリコン基板上に、ポジ型ホトレジスト組成物(PR1)を1000rpmにて25秒間塗布した後、110℃にて6分間ホットプレート上でプレベークし、膜厚約20μmの塗膜を形成した。次に、解像度測定用のパターンマスクを介して、超高圧水銀灯(ウシオ製USH−250D)を用いて露光量1500mJ/cm2で紫外線露光を行った。これを、現像液(商品名PMERシリーズ、P−7G、東京応化工業社製)で現像した。この後、流水洗浄し、窒素ブローして直径50μmのホール状のパターン硬化物を得た。
ポジ型ホトレジスト組成物を(PR2)に代えた以外は、実施例1と全く同様の手法にてエッチング処理を行ったところ、同様にこのときレジストパターンにはクラックなどは生じていないことが確認された。
ポジ型ホトレジスト組成物を(PR3)に代えた以外は、実施例1と全く同様の手法にてエッチング処理を行ったところ、同様にこのときレジストパターンにはクラックなどは生じていないことが確認された。
ポジ型ホトレジスト組成物を(PR4)に代えた以外は、実施例1と全く同様の手法にてエッチング処理を行ったところ、同様にこのときレジストパターンにはクラックなどは生じていないことが確認された。
シリコン基板を−20℃まで冷却した直後にレジストパターンにクラックが発生していたことが判明し、エッチング処理は不可能であることが確認された。
Claims (8)
- 基板上にポジ型ホトレジスト組成物を塗布して膜厚5〜200μmのホトレジスト膜を形成し、
前記ホトレジスト膜に所定のパターンマスクを介して放射線照射し、現像処理することによりホトレジストパターンを形成し、
前記ホトレジストパターンをマスクとして、前記基板を0℃以下でドライエッチング処理する基板加工方法であって、
前記ポジ型ホトレジスト組成物が、(A)アルカリ可溶性ノボラック樹脂、(B)アルカリ性水溶液に可溶な、アクリル樹脂及びビニル樹脂から選ばれる少なくとも1種の可塑剤、及び(C)キノンジアジド基含有化合物を含有してなる基板加工方法。 - 前記ポジ型ホトレジスト組成物中には、前記(B)成分が、前記(A)成分100質量部に対して、10質量部以上含まれることを特徴とする請求項1記載の基板加工方法。
- 前記(B)成分が、アルカリ性水溶液に可溶なアクリル樹脂であって、その質量平均分子量が100,000〜800,000であることを特徴とする請求項1又は2に記載の基板加工方法。
- 前記(B)成分が、アルカリ性水溶液に可溶なアクリル樹脂であって、(メタ)アクリル酸アルキルエステル及びそのエーテル化物から選ばれる少なくとも1種の重合性化合物から誘導された構成単位を含有することを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の基板加工方法。
- 前記(B)成分が、アルカリ性水溶液に可溶なアクリル樹脂であって、(メタ)アクリル酸アルキルエステル及びそのエーテル化物から選ばれる少なくとも1種の重合性化合物から誘導された構成単位を、該アクリル樹脂中、30質量%以上含有することを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の基板加工方法。
- 前記(B)成分が、アルカリ性水溶液に可溶なビニル樹脂であって、その質量平均分子量が10,000〜200,000であることを特徴とする請求項1又は2に記載の基板加工方法。
- 前記(B)成分が、アルカリ性水溶液に可溶なビニル樹脂であって、ポリビニルアルキルエーテルであることを特徴とする請求項1、2、及び6のいずれか1項に記載の基板加工方法。
- 前記ポジ型ホトレジスト組成物中には、前記(C)成分が、前記(A)成分100重量部に対して、5〜100重量部含まれることを特徴とする請求項1から7のいずれか1項に記載の基板加工方法。
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