JP2006154434A - 感光性樹脂組成物、感光性樹脂膜およびこれらを用いたバンプ形成方法 - Google Patents

Abstract

【課題】
２０μｍ以上の厚膜でも均一性の高い塗膜を形成することができ、解像性、パターン形状および耐メッキ性に優れ、塗膜のクラック発生を低減することができる感光性樹脂組成物、感光性樹脂膜およびこれらを用いたバンプ形成方法を提供すること。
【解決手段】
本発明に係る感光性樹脂組成物は、（Ａ）ノボラック樹脂３０〜９０重量％、（Ｂ）下記一般式（１）で表されるビニルアルキルエーテル樹脂５〜６０重量％および（Ｃ）アクリル樹脂０〜５０重量％を含む樹脂成分１００重量部に対して、（Ｄ）ナフトキノンジアジド基含有化合物５〜６０重量部および（Ｅ）溶剤を含有することを特徴とする。
【選択図】 なし

Description

本発明は、感光性樹脂組成物、感光性樹脂膜およびバンプ形成方法に関する。より詳しくは、回路基板の製造および回路基板への電子部品の実装の際に行なわれるフォトファブリケーションに好適であり、アルカリ現像可能な厚膜用ポジ型感光性樹脂組成物、該感光性樹脂組成物からなる感光性樹脂膜およびこれらを用いたバンプ形成方法に関する。

フォトファブリケーションとは、感光性樹脂組成物を基板等の加工物表面に塗布し、フォトリソグラフィー技術によって塗膜をパターニングし、これをマスクとして化学エッチング、電解エッチングまたは電解メッキを主体とするエレクトロフォーミング技術を単独で、あるいは組み合わせて各種精密部品を製造する技術の総称であり、現在の精密微細加工技術の主流となっている。

近年、電子機器のダウンサイジングに伴い、ＬＳＩの高集積化およびＡＳＩＣ化が急激に進んでいる。そのため、ＬＳＩを電子機器に搭載するための多ピン薄膜実装が必要とされており、ＴＡＢ方式やフリップチップ方式によるベアチップ実装などが採用されている。このような多ピン実装法では、接続用端子としてバンプと呼ばれる突起電極が、基板上に高精度に配置されていることが必要であり、さらなるＬＳＩの小型化に対応してバンプの高精度化および狭ピッチ化がより一層必要になってきている。

このようなバンプを形成する際に用いられる感光性樹脂組成物には、膜厚２０μｍ以上の均一な塗膜を形成できること、パターニングされた膜が基板に対する密着性を有すること、バンプを形成するためのメッキを行なう際に、耐メッキ性およびメッキ液に対する良好な濡れ性を有していること、かつ、メッキ後は、剥離液により容易に剥離されることが求められている。さらに、ＬＳＩの高密度化にともなうバンプの狭ピッチ化に対応するために、解像性に優れるとともに、垂直に近い良好な側壁形状を有するレジストパターンを形成できることが求められている。

また、パターニングされた膜には、メッキ中またはメッキ後の水洗もしくは乾燥処理において、クラックが発生しないことが求められる。メッキ中にクラックが発生すると、希望しない個所にメッキが析出し、ショートの原因となる。メッキ後にクラックが発生すると、メッキの厚みが足りずに再度メッキを行った場合などにおいて、クラック部にメッキが析出しやすく、正しい形状のメッキが得られないことがある。したがって、メッキ形成用感光性樹脂組成物には、メッキ時もしくはメッキ後のクラック発生を抑えることが特に要求されている。

しかしながら、バンプ形成用材料として従来から用いられている、ノボラック樹脂、ナフトキノンジアジド基含有化合物および他の添加剤からなる感光性樹脂組成物は、特にクラック発生において満足できるものではなかった。すなわち、形成される塗膜がもろいため、クラックが入りやすいという問題や、基板との密着性が不十分なため、塗膜が基板から脱離してしまうという問題があった。

このような問題を解決するための方法として、ガラス転移点が比較的低いビニルエーテル樹脂やアクリル樹脂などの高分子化合物を可塑剤として添加する方法が提案されている。

たとえば、特許文献１および２には、ノボラック樹脂およびナフトキノンジアジド基含
有化合物にビニルエーテル樹脂を添加してなるアルカリ可溶性の感光性樹脂組成物が開示されている。

また、特許文献３には、ノボラック樹脂系のフォトレジストとポリビニルメチルエーテルとの混合物を、薄膜磁気ヘッドの段差解消層に用いることが記載されている。
しかしながら、ビニルエーテル樹脂はアルカリ現像液に可溶であるが、感光性樹脂組成物のレジストとしてのコントラストを低下させ、パターニング形状を劣化させるという問題がある。また、特許文献１〜３に記載されているような従来用いられていたビニルエーテル樹脂は、他の樹脂成分との相溶性が充分ではないため、添加量を抑制しなければならず、充分な効果が得られないことがあった。さらに、現像液に対する溶解性が低く、現像性が不充分なため解像度が上がらないなどの問題があった。

特許文献４には、主にメッキ耐性を向上させる目的でアクリル樹脂を添加したポジ型フォトレジスト組成物が開示されている。この技術は、クラックの低減が期待されるが、クラック発生を抑えるために大量に添加するアクリル樹脂が、レジストとしてのコントラストを低下させ、パターニング形状を劣化させるという問題がある。

特許文献５には、主にメッキ耐性を向上させる目的でポリ（ビニル低級アルキルエーテル）を添加したポジ型フォトレジスト組成物が開示されている。この技術は、特許文献１〜３と同様に、ビニル低級アルキルエーテルのアルカリ性現像液に対する溶解性が低いため、補助的に多核フェノール化合物を添加する必要があった。そのためメッキに対する耐性が低下する傾向にあった。
米国特許第３６３４０８２号公報 特公昭４６−１６０４９号公報 特公平０５−５４１６９号公報 特開平１０−２０７０５７号公報 特開平２０００−２５０２１０号公報

本発明の課題は、２０μｍ以上の厚膜でも均一性の高い塗膜を形成することができ、解像性、パターン形状および耐メッキ性に優れ、塗膜のクラック発生を低減することができる感光性樹脂組成物、感光性樹脂膜およびこれらを用いたバンプ形成方法を提供することにある。

本発明者らは、上記課題に鑑み鋭意研究を行った。その結果、ノボラック樹脂を含有する感光性樹脂組成物に末端変性ビニルアルキルエーテル樹脂を添加することにより、上記課題を解決し得ることを見出し、本発明を完成するに至った。

すなわち、本発明に係る感光性樹脂組成物は、（Ａ）ノボラック樹脂３０〜９０重量％、（Ｂ）下記一般式（１）で表されるビニルアルキルエーテル樹脂５〜６０重量％および（Ｃ）アクリル樹脂０〜５０重量％を含む樹脂成分１００重量部と、（Ｄ）ナフトキノンジアジド基含有化合物５〜６０重量部と、（Ｅ）溶剤とを含有することを特徴とする。

（Ｒ¹およびＲ²は、それぞれ同一でも異なっていてもよく、水酸基またはカルボキシル基であり、Ｒ³は炭素数１〜４のアルキル基であり、ｎは1〜１００の整数である。）
本発明の感光性樹脂組成物において、上記式（１）中のＲ¹およびＲ²が、ともに水酸基であること、また、上記溶剤（Ｅ）が、２−ヒドロキシプロピオン酸エチルおよび／または２−アセトキシ−１−メトキシプロパンを含有することが好ましい。

本発明の感光性樹脂膜は、上記感光性樹脂組成物からなり、膜厚が２０〜６０μｍであることを特徴とし、基材上に、該感光性樹脂組成物を塗布して乾燥することによって形成することができる。

本発明のバンプ形成方法は、電子部品の基板上に、上記感光性樹脂組成物を塗布してレジスト膜を形成し、該レジスト膜を露光および現像処理してレジストパターンを形成し、該レジストパターンを鋳型として電解メッキを行い、厚さ５〜１００μｍのメッキパターンを形成し、該レジストパターンを剥離することを特徴とする。

また、上記バンプ形成方法において、電子部品の基板上に上記感光性樹脂膜を貼付してレジスト膜を形成してもよい。

本発明の感光性樹脂組成物は、膜厚２０μｍ以上の均一な塗膜を形成することができ、解像性および耐メッキ性に優れ、垂直に近い側壁形状を有するレジストパターンを形成することができ、メッキ中もしくはメッキ後における塗膜のクラック発生を低減することができる。そのため、本発明の感光性樹脂組成物を用いれば、高精細なバンプや配線等を形成することができる。

また本発明によれば、（Ｂ）成分のアルカリ性現像液に対する溶解性が高いため、補助的に添加する多核フェノール化合物のような低分子量成分の量を低減することができ、メッキ液に対する汚染を最小限にすることができる。

以下、本発明に係る感光性樹脂組成物、感光性樹脂膜およびこれらを用いたバンプ形成方法について、詳細に説明する。
［感光性樹脂組成物］
本発明の感光性樹脂組成物は、ノボラック樹脂（Ａ）、末端変性ビニルアルキルエーテル樹脂（Ｂ）および必要に応じてアクリル樹脂（Ｃ）を含む樹脂成分と、ナフトキノンジアジド基含有化合物（Ｄ）と、溶剤（Ｅ）とを含む。

＜構成成分＞
（Ａ）ノボラック樹脂
本発明に用いられるノボラック樹脂（Ａ）は、フェノール性水酸基を有する芳香族化合物（以下、単に「フェノール類」ともいう。）とアルデヒド類とを、好ましくはフェノール類１モルに対してアルデヒド類０．７〜１モルの割合で、触媒下で付加縮合させること
により得られる。

上記フェノール類としては、たとえば、フェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、ｏ−エチルフェノール、ｍ−エチルフェノール、ｐ−エチルフェノール、ｏ−ブチルフェノール、ｍ−ブチルフェノール、ｐ−ブチルフェノール、２，３−キシレノール、２，４−キシレノール、２，５−キシレノール、２，６−キシレノール、３，４−キシレノール、３，５−キシレノール、３，６−キシレノール、２，３，５−トリメチルフェノール、３，４，５−トリメチルフェノール、ｐ−フェニルフェノール、レゾルシノール、ヒドロキノン、ヒドロキノンモノメチルエーテル、ピロガロール、ヒドロキシジフェニル、ビスフェノールＡ、没食子酸、没食子酸エステル、α−ナフトール、β−ナフトールなどが挙げられる。

上記アルデヒド類としては、たとえば、ホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド、フルフラール、ベンズアルデヒド、ニトロベンズアルデヒド、アセトアルデヒドなどが挙げられる。

上記酸触媒としては、たとえば、塩酸、硝酸、硫酸、蟻酸、蓚酸、酢酸などが挙げられる。
上記ノボラック樹脂（Ａ）は、得られる感光性樹脂組成物からなる塗膜における現像性、解像性、耐メッキ液性などの観点から、重量平均分子量（Ｍｗ）が２，０００〜３０，０００、好ましくは３，０００〜２０，０００の範囲にあることが望ましい。Ｍｗが上記範囲にあることにより、適度な現像時間が得られ、解像性に優れる。なお、本明細書において「重平均分子量（Ｍｗ）」とは、ＧＰＣ法によるポリスチレン換算値のことをいう。

上記ノボラック樹脂（Ａ）は、本発明の感光性樹脂組成物中に、該ノボラック樹脂（Ａ）、末端変性ビニルアルキルエーテル樹脂（Ｂ）およびアクリル樹脂（Ｃ）の合計１００重量％に対して、３０〜９０重量％、好ましくは４０〜８０重量％の量で含有される。ノボラック樹脂の含有量が上記範囲よりも低いと、コントラストが不足する傾向にあり、上記範囲を超えるとクラックが発生し易くなる傾向にある。

（Ｂ）末端変性ビニルアルキルエーテル樹脂
本発明に用いられる末端変性ビニルアルキルエーテル樹脂（Ｂ）は下記一般式（１）で表わされる重合体もしくはオリゴマーである。

式（１）中、Ｒ¹およびＲ²は、同一でも異なっていてもよく、水酸基またはカルボキシル基であり、好ましくはともに水酸基である。感光性樹脂組成物が、このようなビニルアルキルエーテル樹脂を含有することにより、良好な形状のパターンを形成することができるとともに、塗膜のクラック発生を低減させることができる。さらに、上記のように両末端が変性されているビニルアルキルエーテル樹脂を用いることにより、末端が変性されていないビニルアルキルエーテル樹脂を用いた場合と比較して、他の樹脂成分との相溶性が向上するとともに、現像液に対する溶解性が改善され、解像性が著しく向上する。

式（１）中、Ｒ³は炭素数１〜４のアルキル基であり、具体的には、メチル基、エチル
基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基などが挙げられ、好ましくはメチル基およびエチル基であり、特に好ましくはエチル基である。

上記末端変性ビニルアルキルエーテル樹脂（Ｂ）は、重合度により室温で流動性のものから柔軟な樹脂状のものがあり、適宜選択して使用される。したがって、式（１）中のｎとしては特に限定されないが、通常１以上の整数、好ましくは１〜１００、より好ましくは１０〜５０である。

末端変性ビニルアルキルエーテル樹脂（Ｂ）は、本発明の感光性樹脂組成物中に、成分（Ａ）、（Ｂ）および（Ｃ）の合計１００重量％に対して、２〜６０重量％、好ましくは５〜５０重量％の量で含有される。成分（Ｂ）の含有量が上記範囲よりも低いと、電解メッキの際、あるいはメッキ後の水洗もしくは乾燥の際に、塗膜中にクラックが発生することがあり、上記範囲を超えると、現像の際、露光部と未露光部のコントラストがとれず、パターン形状が悪化することがある。

（Ｃ）アクリル樹脂
本発明の感光性樹脂組成物に必要に応じて用いられるアクリル樹脂（Ｃ）としては、アルカリ可溶性であれば特に限定されず、たとえば、アルコール性水酸基を有するラジカル重合性化合物単位（以下「単位（ｉ）」ともいう。）と、カルボキシル基を有するラジカル重合性化合物単位（以下「単位（ｉｉ）」ともいう。）および/またはフェノール性水
酸基を有するラジカル重合性化合物単位（以下「単位（iii）」ともいう。）とを含有す
るアクリル樹脂が挙げられる。なお、本明細書において「単位」とは、たとえば、ラジカル重合性化合物がラジカル重合した後の構造を意味する。

上記アルコール性水酸基を有するラジカル重合性化合物としては、たとえば、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルメタクリレート、４−ヒドロキシブチルアクリレート、４−ヒドロキシブチルメタクリレート、グリセロールモノメタクリレート等のヒドロキシアルキル（メタ）アクリレートが挙げられる。これらの化合物は１種単独で用いても、２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中では、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレートが好ましい。

本発明で用いられるアクリル樹脂（Ｃ）中における、上記単位（ｉ）の含有量は、１０〜８０重量％が好ましく、２０〜６０重量％がより好ましい。単位（ｉ）の含有量が上記範囲を超えるとレジストの現像性が悪化する傾向があり、上記範囲よりも低いとアクリル樹脂（Ｃ）のノボラック樹脂（Ａ）溶液に対する相溶性が低くなり、均一なレジスト溶液が得られないことがある。

上記カルボキシル基を有するラジカル重合性化合物としては、たとえば、
アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸などのモノカルボン酸；
マレイン酸、フマル酸、シトラコン酸、メサコン酸、イタコン酸などのジカルボン酸；
２−マレイノロイルオキシエチルメタクリレート、２−サクシノロイルオキシエチルメタクリレート、２−ヘキサヒドロフタロイルオキシエチルメタクリレートなどのカルボキシル基およびエステル結合を有するメタクリル酸誘導体
などが挙げられる。これらの化合物は１種単独で用いても、２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中では、アクリル酸、メタクリル酸、２−ヘキサヒドロフタロイルオキシエチルメタクリレートが好ましい。

上記フェノール性水酸基を有するラジカル重合性化合物としては、たとえば、３−ヒド
ロキシスチレン、４−ヒドロキシスチレン、ビニル−４−ヒドロキシベンゾエート、３−イソプロペニルフェノール、４−イソプロペニルフェノール等のフェノール性水酸基を有するビニル系モノマーなどが挙げられる。これらの化合物は１種単独で用いても、２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中では４−イソプロペニルフェノールが好ましい。

本発明で用いられるアクリル樹脂（Ｃ）中における、上記単位（ｉｉ）および／または単位（iii）の含有量は、それら１種単独で、あるいは、２種以上を組み合わせた場合は
その合計で３〜５０重量％が好ましく、５〜４０重量％がより好ましい。単位（ｉｉ）および／または単位（iii）の含有量が上記範囲を超えると現像後の残膜率やメッキ耐性が
悪化する傾向があり、上記範囲よりも低いとアクリル樹脂（Ｃ）のアルカリ溶解性が低下し、現像後に膜残りが生じて充分な現像性が得られないことがある。

上記アクリル樹脂（Ｃ）には、機械的特性を適度にコントロールする目的で上記以外の他のラジカル重合性化合物単位（以下「単位（ｉｖ）」ともいう。）が含有されていてもよい。

上記他のラジカル重合性化合物としては、たとえば、
メチルメタクリレート、エチルメタクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、ｓｅｃ−ブチル（メタ）アクリレート、ｔ−ブチル（メタ）アクリレート、イソプロピル（メタ）アクリレート、２−エトキシエチル（メタ）アクリレート、２−メトキシエチル（メタ）アクリレートなどの（メタ）アクリル酸アルキルエステル；
フェニル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレートなどの（メタ）アクリル酸アリールエステル；
マレイン酸ジエチル、フマル酸ジエチル、イタコン酸ジエチルなどのジカルボン酸ジエステル；
スチレン、α−メチルスチレン、ｍ−メチルスチレン、ｐ−メチルスチレン、ｐ−メトキシスチレンなどのビニル基含有芳香族化合物類；
１，３−ブタジエン、イソプレン、１，４−ジメチルブタジエンなどの共役ジオレフィン類；
アクリロニトリル、メタクリロニトリルなどのニトリル基含有重合性化合物；
塩化ビニル、塩化ビニリデンなどの塩素含有重合性化合物；
アクリルアミド、メタクリルアミドなどのアミド結合含有重合性化合物；
酢酸ビニルなどの脂肪酸ビニル類；および
下記化学式（６）〜（８）で表される化合物
などが挙げられる。

上記式（６）〜（８）中、ｎは１以上６以下の自然数を表す。
これらの化合物は１種単独で用いても、２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中では、（メタ）アクリル酸エステル、特にメチルメタクリレート、エチルメタクリレート、ｎ−ブチルアクリレート、２−メトキシエチルアクリレート、上記式（６）および（７）で表される単量体などの重合性不飽和結合が開裂した単位が好ましい。

本発明で用いられるアクリル樹脂（Ｃ）中における、上記単位（ｉｖ）の含有量は、好ましくは０〜６０重量％、より好ましくは０〜５０重量％である。
上記アクリル樹脂（Ｃ）は、上記重合性化合物を有機溶媒中で、ラジカル開始剤を用いて重合することにより得られる。このようにして得られるアクリル樹脂（Ｃ）の分子量は、１，０００〜１００，０００、好ましくは３，０００〜７０，０００である。分子量が上記範囲よりも低いと解像性が劣り、上記範囲を超えると現像性が悪化する傾向にある。

上記アクリル樹脂（Ｃ）は、本発明の感光性樹脂組成物中に、成分（Ａ）、（Ｂ）および（Ｃ）の合計１００重量％に対して、０〜５０重量％、好ましくは０〜２０重量％の量で含有される。成分（Ｃ）の含有量が上記範囲を超えると、現像時間が短すぎてパターンの制御が困難になる傾向にある。

（Ｄ）ナフトキノンジアジド基含有化合物
本発明に用いられるナフトキノンジアジド基含有化合物（Ｄ）は、フェノール性水酸基を１個以上有する化合物と、ナフトキノン−１，２−ジアジド−４−スルホン酸またはナフトキノン−１，２−ジアジド−５−スルホン酸との完全エステル化合物、部分エステル化合物、アミド化物または部分アミド化物である。上記化合物（Ｄ）は、１種単独で用いても、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

本発明の感光性樹脂組成物中における上記化合物（Ｄ）の含有量は、上記成分（Ａ）、（Ｂ）および（Ｃ）を主要構成成分とする樹脂成分１００重量部に対して５〜６０重量部、好ましくは１０〜５０重量部の範囲である。化合物（Ｄ）の含有量が、上記範囲よりも低いと、マスクパターンに忠実な画像が得られず、転写性も低下する傾向にあり、上記範囲を超えると、形成される感光性樹脂膜の均質性が低下し、解像性が劣化する傾向にある。

（Ｅ）溶剤
本発明の感光性樹脂組成物は、上記成分（Ａ）〜（Ｄ）を適当な溶剤（Ｅ）に溶解して用いる。このような溶剤（Ｅ）としては、たとえば、
エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル等のエチレングリコールアルキルエーテル類；
ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジプロピルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル等のジエチレングリコールジアルキルエーテル類；
メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート等のエチレングリコールアルキルアセテート類；
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルルエーテルアセテート等のプロピレングリコールアルキルエーテルアセテート類；
アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルアミルケトンなどのケトン類；
トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類；
ジオキサンのような環式エーテル類および
２−ヒドロキシプロピオン酸メチル、２−ヒドロキシプロピオン酸エチル、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオン酸エチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、エトキシ酢酸エチル、オキシ酢酸エチル、２−ヒドロキシ−３−メチルブタン酸メチル、３−メトキシブチルアセテート、３−メチル−３−メトキシブチルアセテート、蟻酸エチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル等のエステル類
を挙げることができる。

上記溶剤（Ｅ）は１種単独で用いてもよく、また２種以上を混合して用いてもよい。上記溶剤（Ｅ）の中では、２−ヒドロキシプロピオン酸エチルおよび２−アセトキシ−１−メトキシプロパンは、これを感光性樹脂組成物の溶剤に用いたとき、溶液粘度が大きくなりやすく、厚く塗布する際に有利であり、また、環境への影響が少ない利点がある。

上記溶剤（Ｅ）は、感光性樹脂組成物中の固形分濃度が３０重量％〜６５重量％の範囲となるような量で用いることが好ましい。固形分濃度が上記範囲よりも低いと、バンプ形成用材料に好適な２０ｍｍ以上の膜厚を得ることが困難であり、上記範囲を超えると組成物の流動性が著しく悪化して取り扱いが困難になり、均一な感光性樹脂組成物膜が得られにくい傾向にある。

＜その他の成分＞
本発明の組成物には、必要に応じて、組成物の諸性質を調整するために感光性樹脂組成物配合用として知られている成分、たとえば、界面活性剤、接着助剤、溶解性調整剤、粘度調整剤などを適宜配合することができる。

（界面活性剤）
本発明の組成物には、塗布性、消泡性、レベリング性などを向上させる目的で界面活性剤を配合させてもよい。このような界面活性剤としては、たとえば、
ＢＭ ケミー社製「ＢＭ−１０００」、「ＢＭ−１１００」；大日本インキ化学工業（株）製「メガファックＦ１４２Ｄ」、「同Ｆ１７２」、「同Ｆ１７３」、「同Ｆ１８３」；住友スリーエム（株）製「フロラードＦＣ−１３５」、「同ＦＣ−１７０Ｃ」、「同ＦＣ−４３０」、「同ＦＣ−４３１」；旭硝子（株）製「サーフロンＳ−１１２」、「同Ｓ−１１３」、「同Ｓ−１３１」、「同Ｓ−１４１」、「同Ｓ−１４５」；東レダウコーニングシリコーン（株）製「ＳＨ−２８ＰＡ」、「同−１９０」、「同−１９３」、「ＳＺ−６０３２」、「ＳＦ−８４２８」；ネオス社製「ＮＢＸ−１５」などのフッ素系界面活性
剤、および
日本油脂（株）製「ノニオンＳ−６」、「ノニオンＯ−４」、「プロノン２０１」、「プロノン２０４」；花王（株）製「エマルゲンＡ−６０」、「同Ａ−９０」、「同Ａ−５００」などのノニオン系界面活性剤
を用いることができ、これらは１種単独で用いても、または２種以上を組み合わせて用いてもよい。

上記界面活性剤の配合量は、上記成分（Ａ）、（Ｂ）および（Ｃ）を主要構成成分とする樹脂成分１００重量部に対して、好ましくは５重量部以下である。
（密着助剤）
本発明の組成物には、基板との密着性を向上させるために密着助剤を配合させてもよい。使用される密着助剤としては、官能性シランカップリング剤が有効である。ここで、官能性シランカップリング剤とは、カルボキシル基、メタクリロイル基、イソシアネート基、エポキシ基などの反応性置換基を有するシランカップリング剤を意味し、具体例としては、トリメトキシシリル安息香酸、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ−イソシアナートプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシランなどを挙げることができる。

上記接着助剤の配合量は、上記成分（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）を主要構成成分とする樹脂成分１００重量部に対して、好ましくは２０重量部以下である。
（溶解性調整剤）
本発明の組成物には、アルカリ現像液に対する溶解性の微調整を行なうために、溶解性調整剤を配合させてもよい。

上記溶解性調整剤としては、たとえば、
酢酸、プロピオン酸、ｎ−酪酸、ｉｓｏ−酪酸、ｎ−吉草酸、ｉｓｏ−吉草酸、安息香酸、けい皮酸などのモノカルボン酸；
乳酸、２−ヒドロキシ酪酸、３−ヒドロキシ酪酸、サリチル酸、ｍ−ヒドロキシ安息香酸、ｐ−ヒドロキシ安息香酸、２−ヒドロキシけい皮酸、３−ヒドロキシけい皮酸、４−ヒドロキシけい皮酸、５−ヒドロキシイソフタル酸、シリンギン酸などのヒドロキシモノカルボン酸；
シュウ酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、マレイン酸、イタコン酸、ヘキサヒドロフタル酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、１，２−シクロヘキサンジカルボン酸、１，２，４−シクロヘキサントリカルボン酸、トリメリット酸、ピロメリット酸、シクロペンタンテトラカルボン酸、ブタンテトラカルボン酸、１，２，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸などの多価カルボン酸；
無水イタコン酸、無水コハク酸、無水シトラコン酸、無水ドデセニルコハク酸、無水トリカルバニル酸、無水マレイン酸、無水ヘキサヒドロフタル酸、無水メチルテトラヒドロフタル酸、無水ハイミック酸、１，２，３，４−ブタンテトラカルボン酸、シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物、無水フタル酸、無水ピロメリット酸、無水トリメリット酸、無水ベンゾフェノンテトラカルボン酸、エチレングリコールビス無水トリメリテート、グリセリントリス無水トリメリテートなどの酸無水物；
Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアニリド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、ベンジルエチルエーテル、ジヘキシルエーテル、アセトニルアセトン、イソホロン、カプロン酸、カプリル酸、１−オクタノール、１−ノナノール、ベンジルアルコール、酢酸ベンジル、安息香酸エチル、シュウ酸ジエチル、マレイン酸ジエチル、γ−ブチロラクトン、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、フェニルセロソルブアセテートなどの高沸点溶媒
などが挙げられる。

上記溶解性調整剤の使用量は、用途や塗布方法に応じて適宜選択することができ、組成物を均一に混合させることができれば特に限定されるものではないが、通常、得られる組成物の固形分量が３０〜６０重量％となる量で用いられる。

＜組成物の調製＞
本発明の感光性樹脂組成物の調製は、充填材や顔料を添加しない場合には、通常の方法で混合・攪拌するだけでよく、充填材や顔料を添加する場合にはディゾルバー、ホモジナイザー、３本ロールミル、ボールミルなどの分散機を用いて分散・混合させればよい。また、必要に応じて、さらにメッシュやメンブレンフィルターなどを用いてろ過してもよい。

［感光性樹脂膜］
本発明の感光性樹脂膜は、上記感光性樹脂組成物からなり、基材上に該感光性樹脂組成物を塗布して乾燥することにより形成することができる。上記感光性樹脂膜の膜厚は、５〜６０μｍ、好ましくは１０〜３０μｍである。

上記感光性樹脂膜に所定形状のマスクを介して光照射すると、光照射された部分は光反応によってアルカリ可溶性となる。したがって、光照射した感光性樹脂膜をアルカリ性現像液で現像することにより、光照射部分が溶解除去されて所望のパターンを形成することができる。

［バンプ形成方法］
本発明の感光性樹脂組成物は、厚膜用として好適であるが、その利用範囲はこれに限定されず、たとえば、銅、クロム、鉄、ガラス基板などの各種基板をエッチング処理する際の保護膜や半導体製造用レジストとしても使用することができる。

本発明の感光性樹脂組成物を用いてバンプを形成する場合、一般に以下のようにして行われる。
（１）感光性樹脂膜の形成
上記感光性樹脂組成物を所定の基材、特に電子部品の基板に塗布し、乾燥（加熱または減圧などにより溶媒を除去）することによって、膜厚５〜６０μｍ、好ましくは１０〜３０μｍの感光性樹脂膜（レジスト膜）を形成する。感光性樹脂膜の膜厚が上記範囲よりも小さいと、メッキ後に形成されるバンプの厚さが不足する場合があり、上記範囲を超えると均質な樹脂膜を形成することが難しくなる傾向にある。なお、予め感光性樹脂組成物から形成したドライフィルム状の感光性樹脂膜を用いて、転写等により基板上に樹脂膜を形成してもよい。この方法により製造工程を簡略化することができる。

感光性樹脂組成物の基板上への塗布方法としては、たとえば、スピンコート法、ロールコート法、スクリーン印刷法、アプリケーター法などの方法を採用することができる。
上記のようにして感光性樹脂組成物を基板上に塗布して形成された塗膜を乾燥（プレベーク）する際の条件は、組成物中の各成分の種類、配合割合、塗膜の厚さなどによって異なるが、通常は７０〜１２０℃、好ましくは１００〜１２０℃で５〜６０分間程度である。プレベーク時間が短すぎると、現像時の密着状態が悪くなり、また、長すぎると感光剤として添加しているナフトキノンジアジド基含有化合物の熱分解が顕著となり解像度の低下を招く。

（２）放射線照射（露光）
得られたレジスト膜に、所定のパターンのマスクを介して、波長が３００〜５００ｎｍ
の放射線を照射することにより、バンプを形成するパターン部分のみ露光させる。ここで放射線とは、紫外線、可視光線、遠紫外線、Ｘ線、電子線などを意味する。

上記放射線の線源としては、たとえば、低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、メタルハライドランプ、アルゴンガスレーザーなどを用いることができる。
放射線照射量は、組成物中の各成分の種類、配合量、塗膜の膜厚などによって異なるが、たとえば、超高圧水銀灯を用いた場合、１００〜３，０００ｍＪ／ｃｍ²である。

（３）現像
上記放射線照射後、アルカリ性水溶液を現像液として用いて現像することにより、放射線を照射した不要な部分を溶解して除去し、放射線未照射部分のみ残存させて所望のレジストパターンを形成する。現像方法としては、特に限定されず、たとえば、液盛り法、ディッピング法、パドル法、スプレー現像法などが挙げられる。

現像液としては、たとえば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水、エチルアミン、ｎ−プロピルアミン、ジエチルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミン、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、ピロール、ピペリジン、１，８−ジアザビシクロ［５.４.０］−７−ウンデセン、１，５−ジアザビシクロ［４.３.０］−５−ノナンなどのアルカリ類の水溶液（アルカリ性水溶液）を使用することができる。また、上記アルカリ性水溶液に、メタノールおよびエタノールなどの水溶性有機溶媒や界面活性剤を適当量添加した水溶液を現像液として使用することもできる。なお、本発明における「アルカリ可溶性」とは、上記アルカリ性水溶液、たとえば、水酸化ナトリウムの５％水溶液に溶解可能なことを意味する。

現像時間は、組成物各成分の種類、配合割合、組成物の乾燥膜厚などによって異なるが、通常１〜３０分間である。現像後は、たとえば、流水洗浄を３０〜９０秒間行ない、エアーガンなどを用いて風乾させる、またはスピンドライ、オーブン中で乾燥させることが好ましい。

（４）電解メッキ
現像によりパターニングした基板を、電解メッキ用の各種メッキ液を用いて、メッキ推奨条件と同じ温度と時間で浸漬して電解メッキを行い、上記レジストパターンを鋳型とするメッキパターンを形成させる。

上記メッキ液は金メッキ液、半田メッキ液、銅メッキ液、銀メッキ液などのいずれのメッキ液でもよい。
（５）剥離処理
電解メッキ後、基板を、室温〜８０℃にて攪拌中の剥離液に１〜１０分間浸漬することによって、基板上に残存するレジストパターン（未露光部分）を剥離することができる。これにより、突起状となったメッキパターン（バンプ）が得られる。

上記剥離液としては、たとえば、
エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル等のエチレングリコールアルキルエーテル類；
ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジプロピルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル等のジエチレングリコールジアルキルエーテル類；
メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート等のエチレングリコールアルキルアセテート類；
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルルエーテルアセテート等のプロピレングリコールアルキルエーテルアセテート類；
アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルアミルケトンなどのケトン類；
トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類；
ジオキサンのような環式エーテル類；および
２−ヒドロキシプロピオン酸メチル、２−ヒドロキシプロピオン酸エチル、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオン酸エチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、エトキシ酢酸エチル、オキシ酢酸エチル、２−ヒドロキシ−３−メチルブタン酸メチル、３−メトキシブチルアセテート、３−メチル−３−メトキシブチルアセテート、蟻酸エチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル等のエステル類
などが挙げられる。これらは１種単独で用いてもよく、また２種以上を混合して用いてもよい。

上記のような工程を経ることにより、基板上に高精度で狭ピッチのバンプを形成することができる。
（６）リフロー工程
バンプが半田バンプの場合は、さらにリフロー工程を経て、球状のバンプを形成する。

具体的には、レジスト剥離後、基板を、室温〜５００℃リフロー炉内に１〜６０分間流すことによって、基板上に形成した半田バンプを加熱溶融し、球状となった半田メッキパターン（バンプ）が得られる。

［実施例］
以下、実施例に基づいて、本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に何ら限定されるものではない。また、特にことわりの無い限り、「部」は「重量部」を、「％」は「重量％」を示すものとする。実施例および比較例で調製される感光性樹脂組成物に用いられる主な成分は以下の通りである。

＜ノボラック樹脂（Ａ）＞
（合成例１）
ｍ-クレゾールとｐ-クレゾールを重量比６０：４０の割合で混合し、これにホルマリンを加え、シュウ酸触媒を用いて常法により縮合してクレゾールノボラック樹脂を得た。この樹脂に対して分別処理を施し、低分子領域をカットして重量平均分子量１５，０００のノボラック樹脂Ａ１を得た。

＜ビニルアルキルエーテル樹脂（Ｂ）＞
実施例の樹脂としては、以下のものを用いた。
（樹脂Ｂ１）
両末端が水酸基で変性されたビニルアルキルエーテル樹脂として、下記化学式（１’）で表される樹脂（協和醗酵ケミカル（株）製「ＴＯＥ−２０００Ｈ」、分子量約２０００）を、ビニルアルキルエーテル樹脂Ｂ１として用いた。なお、組成物の調製の際には、樹脂Ｂ１を２−ヒドロキシプロピオン酸エチルに溶解し、濃度５０％の溶液として用いた。

（樹脂Ｂ２）
両末端がカルボキシル基で変性されたビニルアルキルエーテル樹脂として、下記化学式（２）で表される樹脂（協和醗酵ケミカル（株）製「ＴＯＥ−１０００Ｃ」、分子量約１０００）を、ビニルアルキルエーテル樹脂Ｂ２として用いた。なお、組成物の調製の際には、樹脂Ｂ２を２−ヒドロキシプロピオン酸エチルに溶解し、濃度５０％の溶液として用いた。

比較例の樹脂としては、以下のものを用いた。
（樹脂Ｂ３）
ポリビニルメチルエーテルをビニルアルキルエーテル樹脂Ｂ３として用いた。なお、組成物の調製の際には、樹脂Ｂ３のメタノール溶液（東京化成工業（株）製、濃度５０％）を、ロータリーエバポレーターを用いて２−ヒドロキシプロピオン酸エチルに溶剤置換し、濃度５０％の溶液として用いた。

（樹脂Ｂ４）
ポリビニルブチラール（和光純薬（株）製：重合度約２００〜４００）をビニルアルキルエーテル樹脂Ｂ４として用いた。なお、組成物の調製の際には、樹脂Ｂ４を２−ヒドロキシプロピオン酸エチルに溶解し、濃度５０％の溶液として用いた。

（樹脂Ｂ５）
ポリビニルアルコール（和光純薬（株）製：平均重合度２，０００）をビニルアルキルエーテル樹脂Ｂ５として用いた。なお、組成物の調製の際には、樹脂Ｂ５を２−ヒドロキシプロピオン酸エチルに溶解し、濃度５０％の溶液として用いた。

＜アクリル樹脂（Ｃ）＞
（合成例２）
α−メチル−４−ヒドロキシスチレン３０ｇ、２−ヒドロキシエチルアクリレート３０ｇ、ｎ−ブチルアクリレート３５ｇ、２−メトキシエチルアクリレート５ｇおよびｎ−ヘキシル−１，６−ジメタクリレート１ｇを、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート１５０ｇと混合し均一溶液とした。この溶液を３０分間窒素ガスによりバブリングした後、ＡＩＢＮ４ｇを添加し、反応系内を窒素雰囲気に保ったまま、反応温度を８０℃に維持して６時間重合した。重合終了後、反応溶液を多量のヘキサンと混合し、生成した重合体を凝固させた。次いで、重合体をテトラヒドロフランに再溶解した後、再度ヘキサンにより凝固させる操作を数回繰り返して未反応モノマーを除去し、減圧下５０℃で乾
燥して白色の重合体（アクリル樹脂Ｃ１）を得た。

＜ナフトキノンジアジド基含有化合物（Ｄ）＞
ナフトキノンジアジド基含有化合物として、４，４’−［１−［４［１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル］フェニル］エチリデン］ビスフェノール１モルと、ナフトキノン−１，２−ジアジド−４−スルホニルクロリド２．０モルとのエステル化反応生成物（感光剤Ｄ１）を用いた。感光剤Ｄ１の構造を下記化学式（Ｄ１）に示す。

式（Ｄ１）中、Ｚは下記化学式で表される基である。

＜溶剤＞
Ｅ１：２−ヒドロキシプロピオン酸エチル
Ｅ２：２−アセトキシ−１−メトキシプロパン
〔評価〕
下記実施例および比較例で得られた感光性樹脂組成物について、以下のようにして評価を行った。

＜相溶性＞
得られた感光性樹脂組成物を室温にて２４時間混合、攪拌し、攪拌直後および攪拌後２４時間経過後の溶解状態を目視にて観察した。分散状態を下記の評価基準で判定した。
○：２４時間攪拌後に組成物が、均一に溶解することが目視で確認された。
△：２４時間攪拌後に組成物が、均一に溶解するが長時間静置により相分離した。
×：２４時間攪拌後に組成物が、均一に溶解していない。

＜現像性＞
４インチのシリコンウエハー基板上にスピンナーを用いて、感光性樹脂組成物を塗布し
た後、１２０℃で５分間ホットプレート上でソフトベークし、所定の膜厚の塗膜を形成した。次に、解像度測定用のパターンマスクを介して、超高圧水銀灯（ＯＳＲＡＭ社製「ＨＢＯ」、１，０００Ｗ）を用いて１，５００ｍＪ／ｃｍ²の紫外線を露光し、これを、テ
トラメチルアンモニウムヒドロキシド２．３８％水溶液で現像した。現像後、流水洗浄し、窒素ブローしてパターニングされた基板を得た。これを光学顕微鏡で観察し、パターン内部の現像残りを以下の基準（膜厚２５μｍの場合）で評価した。
○：開口部が残渣なく開口し、解像できた。
△：開口部が開口しているが底部に残渣が見られた。
×：開口部が開口しておらず、解像できなかった。

＜解像性＞
４インチのシリコンウエハー基板上にスピンナーを用いて、感光性樹脂組成物を塗布した後、１２０℃で５分間ホットプレート上でソフトベークし、所定の膜厚の塗膜を形成した。次に、解像度測定用のパターンマスクを介して、超高圧水銀灯（ＯＳＲＡＭ社製「ＨＢＯ」、１，０００Ｗ）を用いて１，５００ｍＪ／ｃｍ²の紫外線を露光し、これを、テ
トラメチルアンモニウムヒドロキシド２．３８％水溶液で現像した。現像後、流水洗浄し、窒素ブローしてパターニングされた基板を得た。これを光学顕微鏡で観察し、解像度を以下の基準（膜厚２５μｍの場合）で評価した。
◎：４０μｍピッチ（３０μｍ幅抜きパターン、１０μｍ幅残しパターン）が解像できた。
○：上記４０μｍピッチが解像せず、５０μｍピッチ（３５μｍ幅抜きパターン、１５μｍ幅残しパターン）が解像できた。
△：５０μｍピッチが解像せず、８０μｍピッチ（５０μｍ幅抜きパターン、３０μｍ幅残しパターン）が解像できた。
×：８０μｍピッチが解像できなかった。または、再現よく解像できなかった。

＜クラック耐性（耐メッキ液性）＞
上記解像性の評価と同様にして得た所定の膜厚のパターニングされた基板を、ノンシアン金メッキ液（日本エレクトロプレイティング・エンジニヤース（株）製「Ａｕ６６０」２Ｌ）に６０℃で３０分間浸漬し、流水洗浄し、窒素ガスにてブローすることにより乾燥し、被処理試験体を得た。乾燥直後および温度２３℃、湿度５０％のクリーンルームで７２時間静置後に被処理試験体を光学顕微鏡で観察し、クラックの発生の有無を確認した。なお、解像性が５０μｍピッチで×のものでも８０μｍピッチ（５０μｍ幅抜きパターン、３０μｍ幅残しパターン）で解像できたものは、それについてクラック耐性を評価した。
○：クラックは、乾燥直後および７２時間後にも観察されなかった。
△：クラックは、乾燥直後および７２時間後のどちらかで僅かに観察された。
×：クラックがパターン全体に発生した。

＜メッキ形状とメッキ沁み出し＞
表面に金スパッタを施した４インチシリコンウェハーに、解像性の評価と同様にして所定の膜厚のレジストパターンを形成し、次いでノンシアン金メッキ液（日本エレクトロプレイティング・エンジニヤース（株）製「Ａｕ６６０」２Ｌ）にて、６０℃で３０分間、電流密度：０．８Ａ／ｄｍ²で金メッキ処理を行なった。メッキされた基板を、流水洗浄
し、窒素ガスにてブローすることにより乾燥し、続いてジメチルスルホキシドとＮ，Ｎ’−ジメチルホルムアミドの５０％／５０％の混合溶液中に、室温で５分間浸漬して、硬化したポジ型感光性樹脂膜を剥離した。得られたメッキ（金バンプ）の形状とメッキの沁み出しの有無は、光学顕微鏡と操作型電子顕微鏡にて観察し、以下の基準で評価した。
○：得られたメッキの形状が、感光性樹脂組成物の塗膜のパターン形状を正確に転写しており、こぶ状の異常析出が認められなかった。
△：得られた金バンプの形状が、感光性樹脂組成物の塗膜のパターン形状を正確に転写せず、こぶ状の異常析出が認められるが、その程度が軽微であった。
×：得られた金バンプの形状が、感光性樹脂組成物の塗膜のパターン形状を正確に転写せず、こぶ状の異常析出が認められた。

〔実施例１〕
ノボラック樹脂Ａ１を８０部、ビニルアルキルエーテル樹脂Ｂ１を５部（樹脂分）、アクリル樹脂Ｃ１を１５部、感光剤Ｄ１を３０部、溶剤Ｅ１および溶剤Ｅ２を含有する感光性樹脂組成物を調製した。該組成物の固形分量は４０％であり、溶剤Ｅ１とＥ２との比率（Ｅ１／Ｅ２）が２０％／８０％となるようにした。得られた感光性樹脂組成物を評価する際に、該組成物を、孔径１０μｍのメンブレンフィルターを用いてろ過してから用いた。解像性、クラック耐性、メッキ形状およびメッキの沁み出しについては、膜厚２５μｍで評価した。評価結果を表１に示す。

〔実施例２〕
ノボラック樹脂Ａ１を８０部、ビニルアルキルエーテル樹脂Ｂ１を２０部（樹脂分）、感光剤Ｄ１を３０部、溶剤Ｅ１および溶剤Ｅ２を含有する感光性樹脂組成物を調製した。該組成物の固形分量は４０％であり、溶剤Ｅ１とＥ２との比率（Ｅ１／Ｅ２）が２０％／８０％となるようにした。得られた感光性樹脂組成物を評価する際に、該組成物を、孔径１０μｍのメンブレンフィルターを用いてろ過してから用いた。解像性、クラック耐性、メッキ形状およびメッキの沁み出しについては、膜厚２５μｍで評価した。評価結果を表１に示す。

〔実施例３〕
ビニルアルキルエーテル樹脂Ｂ１の代わりに、ビニルアルキルエーテル樹脂Ｂ２を用いたこと以外は実施例１と同様にして感光性樹脂組成物を調製した。評価結果を表１に示す。

〔実施例４〕
ビニルアルキルエーテル樹脂Ｂ１の代わりに、ビニルアルキルエーテル樹脂Ｂ２を用いたこと以外は実施例２と同様にして感光性樹脂組成物を調製した。評価結果を表１に示す。

〔比較例１〕
末端変性ビニルアルキルエーテル樹脂Ｂ１の代わりに、末端が変性されていないビニルアルキルエーテル樹脂Ｂ３を用いたこと以外は実施例２と同様にして感光性樹脂組成物を調製した。評価結果を表１に示す。

〔比較例２〕
ビニルアルキルエーテル樹脂Ｂ１の代わりに、ビニルアルキルエーテル樹脂Ｂ４を用いたこと以外は実施例２と同様にして感光性樹脂組成物を調製した。相溶性が悪く相分離していた。評価結果を表１に示す。

〔比較例３〕
ビニルアルキルエーテル樹脂Ｂ１の代わりに、ビニルアルキルエーテル樹脂Ｂ５を用いたこと以外は実施例２と同様にして感光性樹脂組成物を調製した。相溶性が悪く相分離していた。評価結果を表１に示す。

〔比較例４〕
ノボラック樹脂Ａ１を８０部、アクリル樹脂Ｃ１を２０部、感光剤Ｄ１を３０部、溶剤
Ｅ１および溶剤Ｅ２を含有する感光性樹脂組成物を調製した。該組成物の固形分量は４０％であり、溶剤Ｅ１とＥ２との比率（Ｅ１／Ｅ２）が２０％／８０％となるようにした。得られた感光性樹脂組成物を評価する際に、該組成物を、孔径１０μｍのメンブレンフィルターを用いてろ過してから用いた。解像性、クラック耐性、メッキ形状およびメッキの沁み出しについては、膜厚２５μｍで評価した。評価結果を表１に示す。

Claims (7)

1. （Ａ）ノボラック樹脂３０〜９０重量％、
   （Ｂ）下記一般式（１）で表されるビニルアルキルエーテル樹脂５〜６０重量％および
   （Ｃ）アクリル樹脂０〜５０重量％
   を含む樹脂成分１００重量部と、
   （Ｄ）ナフトキノンジアジド基含有化合物５〜６０重量部と、
   （Ｅ）溶剤と
   を含有することを特徴とする感光性樹脂組成物。
   

   

   （Ｒ¹およびＲ²は、それぞれ同一でも異なっていてもよく、水酸基またはカルボキシル基であり、Ｒ³は炭素数１〜４のアルキル基であり、ｎは１〜１００の整数である。）
2. 上記式（１）中のＲ¹およびＲ²が、ともに水酸基であることを特徴とする請求項１に記載の感光性樹脂組成物。
3. 上記溶剤（Ｅ）が、２−ヒドロキシプロピオン酸エチルおよび／または２−アセトキシ−１−メトキシプロパンを含有することを特徴とする請求項１または２に記載の感光性樹脂組成物。
4. 請求項１〜３のいずれかに記載の感光性樹脂組成物から形成され、膜厚が２０〜６０μｍであることを特徴とする感光性樹脂膜。
5. 基材上に、前記感光性樹脂組成物を塗布して乾燥することによって形成されたことを特徴とする請求項４に記載の感光性樹脂膜。
6. 電子部品の基板上に、請求項１〜３のいずれかに記載の感光性樹脂組成物を塗布してレジスト膜を形成し、
   該レジスト膜を露光および現像処理してレジストパターンを形成し、
   該レジストパターンを鋳型として電解メッキを行い、厚さ３〜５０μｍのメッキパターンを形成し、
   該レジストパターンを剥離することを特徴とするバンプ形成方法。
7. 電子部品の基板上に、請求項４または５に記載の感光性樹脂膜を貼付してレジスト膜を形成し、
   該レジスト膜を露光および現像処理してレジストパターンを形成し、
   該レジストパターンを鋳型として電解メッキを行い、厚さ３〜５０μｍのメッキパターンを形成し、
   該レジストパターンを剥離することを特徴とするバンプ形成方法。