JP2682126B2 - フォトレジスト組成物 - Google Patents
フォトレジスト組成物Info
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
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- Structural Engineering (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】 ＜産業上の利用分野＞ 本発明は、フォトレジスト組成物に関するものであ
る。さらに詳しくは、ICやLSI等の半導体デバイスの製
造において、アルミニウム等の高反射率基板上での微細
パターンの形成に特に好適に用いられるフォトレジスト
組成物に関するものである。
る。さらに詳しくは、ICやLSI等の半導体デバイスの製
造において、アルミニウム等の高反射率基板上での微細
パターンの形成に特に好適に用いられるフォトレジスト
組成物に関するものである。
＜従来の技術＞ 従来、LSI等の集積回路製造において、キノンジアジ
ド系感光剤とノボラック系樹脂からなるフォトレジスト
や、ビスアジド系感光剤と環化ゴム系樹脂からなるフォ
トレジスト等が用いられる。
ド系感光剤とノボラック系樹脂からなるフォトレジスト
や、ビスアジド系感光剤と環化ゴム系樹脂からなるフォ
トレジスト等が用いられる。
集積回路の製造の際、各種基板上にフォトレジストを
使って微細パターンを形成するが、アルミニウム、アル
ミニウム−シリコン、ポリシリコン等の高反射率基板上
では、従来のフォトレジストでは、基板面や段差側面で
の光の反射による不必要な領域の感光現象が生じ、いわ
ゆるノッチング、ハレーションといった問題を生じる。
使って微細パターンを形成するが、アルミニウム、アル
ミニウム−シリコン、ポリシリコン等の高反射率基板上
では、従来のフォトレジストでは、基板面や段差側面で
の光の反射による不必要な領域の感光現象が生じ、いわ
ゆるノッチング、ハレーションといった問題を生じる。
このため、特公昭51−37562号公報に紫外線領域に吸
光特性を有する下記式 に示す染料（オイルイエロー〔C.I.−11020〕）を吸光
剤として含有させ、フォトレジスト層の光透過性を減少
させ、基板表面で反射してフォトレジスト層を透過する
光を急激に低減させ、遮光領域への光の回り込みを少な
くして前記問題を改良し、解像度の低下を防止するフォ
トレジスト組成物が提案されている。以下、本発明にお
いては、たとえば、ノボラック系等の樹脂と感光剤から
なる組成物を「フォトレジスト」といい、これに吸光剤
を含有させたものを、「フォトレジスト組成物」と表現
して用いる。
光特性を有する下記式 に示す染料（オイルイエロー〔C.I.−11020〕）を吸光
剤として含有させ、フォトレジスト層の光透過性を減少
させ、基板表面で反射してフォトレジスト層を透過する
光を急激に低減させ、遮光領域への光の回り込みを少な
くして前記問題を改良し、解像度の低下を防止するフォ
トレジスト組成物が提案されている。以下、本発明にお
いては、たとえば、ノボラック系等の樹脂と感光剤から
なる組成物を「フォトレジスト」といい、これに吸光剤
を含有させたものを、「フォトレジスト組成物」と表現
して用いる。
しかし、一般に吸光剤を添加するとフォトレジストの
感度が大巾に低下して、半導体製造時の生産性が低下す
るという好ましくない問題が生ずる。
感度が大巾に低下して、半導体製造時の生産性が低下す
るという好ましくない問題が生ずる。
＜発明が解決しようとする課題＞ 本発明者らは上記従来技術の欠点を克服すべく鋭意検
討した結果、本発明を完成するに至った。
討した結果、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明の目的は、前記従来技術の欠点を除
去し、高反射率基板上で、ハレーションやノッチングの
ない高解像度のパターンを形成する、そして吸光剤添加
による感度低下が小さい高感度のフォトレジスト組成物
を提供することにある。
去し、高反射率基板上で、ハレーションやノッチングの
ない高解像度のパターンを形成する、そして吸光剤添加
による感度低下が小さい高感度のフォトレジスト組成物
を提供することにある。
＜課題を解決するための手段＞ 本発明者等は、鋭意検討の結果、吸光剤として特定の
化合物を用いることにより、従来技術の有する欠点を一
挙に解決できることを見出して、本発明を完成させるに
至った。
化合物を用いることにより、従来技術の有する欠点を一
挙に解決できることを見出して、本発明を完成させるに
至った。
すなわち本発明は、樹脂成分、感光剤、および一般式
（Ｉ） （式中、R1、R2およびR3は同一または異なる基で、水素
原子、ヒドロキシ基、−OCOR4、−Ｏ−R5、−OSi（R6）
３、ハロゲン原子、置換または未置換のアルキル基、ア
ルケニル基、フェニル基またはアラルキル基を表すが、
少なくとも一つはヒドロキシ基、−OCOR4、−Ｏ−R5ま
たは−OSi（R6）３であり、ここにR4、R5およびR6は、
置換または未置換の低級アルキル基またはフェニル基を
表し； ＸおよびＹはそれぞれ独立して、シアノ基、−COO
R7、−CONR8R9、 を表し、ここにR7はアルキル基を表し、R8およびR9は同
一または異なる基で、水素原子、置換または未置換のア
ルキル基またはフェニル基を表し、R10は水素原子、置
換または未置換のアルキル基、またはヒドロキシ基を表
し、ａは１〜２を表す） で表される化合物を含むことを特徴とするフォトレジス
ト組成物を提供するものである。
（Ｉ） （式中、R1、R2およびR3は同一または異なる基で、水素
原子、ヒドロキシ基、−OCOR4、−Ｏ−R5、−OSi（R6）
３、ハロゲン原子、置換または未置換のアルキル基、ア
ルケニル基、フェニル基またはアラルキル基を表すが、
少なくとも一つはヒドロキシ基、−OCOR4、−Ｏ−R5ま
たは−OSi（R6）３であり、ここにR4、R5およびR6は、
置換または未置換の低級アルキル基またはフェニル基を
表し； ＸおよびＹはそれぞれ独立して、シアノ基、−COO
R7、−CONR8R9、 を表し、ここにR7はアルキル基を表し、R8およびR9は同
一または異なる基で、水素原子、置換または未置換のア
ルキル基またはフェニル基を表し、R10は水素原子、置
換または未置換のアルキル基、またはヒドロキシ基を表
し、ａは１〜２を表す） で表される化合物を含むことを特徴とするフォトレジス
ト組成物を提供するものである。
以下、本発明を更に詳細に説明する。
一般式（Ｉ）のR1〜R8及びR7〜R10におけるアルキル
基として炭素数１〜４のものが好ましく、またR4〜R6に
おける低級アルキル基とは炭素数１〜６のものを指し、
殊に炭素数１〜４のものは本発明に好適である。また、
「置換または未置換の」の置換基としてはヒドロキシ基
等が例示される。
基として炭素数１〜４のものが好ましく、またR4〜R6に
おける低級アルキル基とは炭素数１〜６のものを指し、
殊に炭素数１〜４のものは本発明に好適である。また、
「置換または未置換の」の置換基としてはヒドロキシ基
等が例示される。
本発明に用いられるフォトレジスト組成物の基材とな
るフォトレジストとしては、例えばフェノール類とホル
ムアルデヒドを付加縮合反応させて得られるノボラック
樹脂とナフトキノンジアジド化合物からなるものが好適
に用いられる。なかでもｍ−クレゾール及び／またはｐ
−クレゾールとホルマリンより合成されるクレゾールノ
ボラック樹脂或いはｍ−、ｐ−クレゾール及び3,5−キ
シレノールとホルマリンより合成されるクレゾール系ノ
ボラック樹脂等と2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノ
ン、2,3,4,4′−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,
2′,4,4′−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,3,
3′,4−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,2′,3,4,5
−ペンタヒドロキシベンゾフェノン、2,3,3′,4,5−ペ
ンタヒドロキシベンゾフェノン、2,3,3′,4,4′−ペン
タヒドロキシベンゾフェノン、2,2′,3,4,4′−ペンタ
ヒドロキシベンゾフェノン、2,2′,3,3′,4−ペンタヒ
ドロキシベンゾフェノン等のポリヒドロキシベンゾフェ
ノン類のナフトキノン−1,2−ジアジドスルホン酸エス
テルとを含有するフォトレジストが好適に用いられる。
るフォトレジストとしては、例えばフェノール類とホル
ムアルデヒドを付加縮合反応させて得られるノボラック
樹脂とナフトキノンジアジド化合物からなるものが好適
に用いられる。なかでもｍ−クレゾール及び／またはｐ
−クレゾールとホルマリンより合成されるクレゾールノ
ボラック樹脂或いはｍ−、ｐ−クレゾール及び3,5−キ
シレノールとホルマリンより合成されるクレゾール系ノ
ボラック樹脂等と2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノ
ン、2,3,4,4′−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,
2′,4,4′−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,3,
3′,4−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,2′,3,4,5
−ペンタヒドロキシベンゾフェノン、2,3,3′,4,5−ペ
ンタヒドロキシベンゾフェノン、2,3,3′,4,4′−ペン
タヒドロキシベンゾフェノン、2,2′,3,4,4′−ペンタ
ヒドロキシベンゾフェノン、2,2′,3,3′,4−ペンタヒ
ドロキシベンゾフェノン等のポリヒドロキシベンゾフェ
ノン類のナフトキノン−1,2−ジアジドスルホン酸エス
テルとを含有するフォトレジストが好適に用いられる。
以下、本発明に好適に用いられる化合物について更に
具体的に例示するが、本発明はこれらに限定されるもの
ではないし、また、これらの化合物は２種以上混合して
用いることもできる。
具体的に例示するが、本発明はこれらに限定されるもの
ではないし、また、これらの化合物は２種以上混合して
用いることもできる。
本発明のこれらの化合物のなかでも特に550nm以下、
より好ましくは300〜450nmの領域の光に対して吸収極大
をもつ化合物が好ましく用いられる。
より好ましくは300〜450nmの領域の光に対して吸収極大
をもつ化合物が好ましく用いられる。
本発明のフォトレジスト組成物における一般式（Ｉ）
で示される化合物の使用量は通常フォトレジストの固形
分に対して、0.1〜20％、更に好ましくは、0.2〜10％で
ある。この量があまり少ないとハレーション防止効果が
少なく、また多すぎるとプロファイルや感度が悪化する
傾向を示す。また本発明の組成物において、本発明の特
定の化合物に加え、１種または２種以上の他の化合物を
併用することもできる。
で示される化合物の使用量は通常フォトレジストの固形
分に対して、0.1〜20％、更に好ましくは、0.2〜10％で
ある。この量があまり少ないとハレーション防止効果が
少なく、また多すぎるとプロファイルや感度が悪化する
傾向を示す。また本発明の組成物において、本発明の特
定の化合物に加え、１種または２種以上の他の化合物を
併用することもできる。
＜発明の効果＞ 本発明によれば、従来技術の欠点を一挙に除去し、高
反射率基板においても、ハレーションやノッチングのな
い高解像度のパターンを、生産性を落とすことなく、ま
た安定的に形成することが可能となる等、その工業的利
用価値は測り知れないものがある。
反射率基板においても、ハレーションやノッチングのな
い高解像度のパターンを、生産性を落とすことなく、ま
た安定的に形成することが可能となる等、その工業的利
用価値は測り知れないものがある。
＜実施例＞ 以下、本発明を合成例及び実施例により具体的に説明
するが、これによって本発明が制限されるものではな
い。
するが、これによって本発明が制限されるものではな
い。
合成例 １ 撹拌棒、コンデンサー、温度計を装着した300ml四つ
口フラスコに2,4−ジヒロキシベンズアルデヒド13.8g、
マロン酸ジエチル25.2g、エタノール100gを仕込み均一
溶液とした。ピペリジン0.5gを加え20〜25℃で20時間撹
拌後、エバポレーターでエタノールを留去し黄色タール
状物42.1gを得た。トルエン84gを加え70〜75℃で１時間
撹拌後、室温まで放冷し析出したケーキを別した。乾
燥後粗ケーキ15.1gを得た。撹拌棒、コンデンサー、温
度計を装着した200ml四つ口フラスコへ粗ケーキ15.1g、
トルエン90gを仕込み70〜75℃で２時間撹拌し、均一に
分散させた。室温まで冷却後ケーキを別し、トルエン
80gを洗浄した。この操作を２回繰り返し精製ケーキ11.
7gを得た。
口フラスコに2,4−ジヒロキシベンズアルデヒド13.8g、
マロン酸ジエチル25.2g、エタノール100gを仕込み均一
溶液とした。ピペリジン0.5gを加え20〜25℃で20時間撹
拌後、エバポレーターでエタノールを留去し黄色タール
状物42.1gを得た。トルエン84gを加え70〜75℃で１時間
撹拌後、室温まで放冷し析出したケーキを別した。乾
燥後粗ケーキ15.1gを得た。撹拌棒、コンデンサー、温
度計を装着した200ml四つ口フラスコへ粗ケーキ15.1g、
トルエン90gを仕込み70〜75℃で２時間撹拌し、均一に
分散させた。室温まで冷却後ケーキを別し、トルエン
80gを洗浄した。この操作を２回繰り返し精製ケーキ11.
7gを得た。
HPLCによる分析の結果純度は98.8％であった。NMR、
マスクペクトルにより構造を確認した。メタノール溶媒
中でのλmax、モル吸光度はそれぞれ352〔nm〕、2.58×
104〔M-1・cm-1〕であった。
マスクペクトルにより構造を確認した。メタノール溶媒
中でのλmax、モル吸光度はそれぞれ352〔nm〕、2.58×
104〔M-1・cm-1〕であった。
合成例 ２ 撹拌棒、コンデンサー、温度計を装着した200ml四つ
口フラスコにパラヒドロキシベンズアルデヒド12.2g、
マロンニトリル9.9g、エタノール50gを仕込み均一溶液
とした。ピペリジン0.5gを仕込み20〜25℃で16時間撹拌
後反応マスを過し、析出した結晶を別した。得られ
たケーキをトルエン60gに分散させ室温で２時間撹拌後
過した。真空乾燥後12.8gの粗ケーキを得た。粗ケー
キ12.8gを酢酸エチル32gで再結晶し、真空乾燥後淡黄色
のケーキ4.8gを得た。HPLCによる分析の結果純度98.2％
であった。NMR、マススペクトルにより構造を確認し
た。メタノール溶媒中でのλmax、モル吸光度はそれぞ
れ535〔nm〕、2.91×104〔M-1・cm-1〕であった。
口フラスコにパラヒドロキシベンズアルデヒド12.2g、
マロンニトリル9.9g、エタノール50gを仕込み均一溶液
とした。ピペリジン0.5gを仕込み20〜25℃で16時間撹拌
後反応マスを過し、析出した結晶を別した。得られ
たケーキをトルエン60gに分散させ室温で２時間撹拌後
過した。真空乾燥後12.8gの粗ケーキを得た。粗ケー
キ12.8gを酢酸エチル32gで再結晶し、真空乾燥後淡黄色
のケーキ4.8gを得た。HPLCによる分析の結果純度98.2％
であった。NMR、マススペクトルにより構造を確認し
た。メタノール溶媒中でのλmax、モル吸光度はそれぞ
れ535〔nm〕、2.91×104〔M-1・cm-1〕であった。
合成例 ３ 撹拌棒、コンデンサー、温度計を装着した200ml四つ
口フラスコに2,4−ジヒドロキシベンズアルデヒド13.8
g、エタノール80g、シアノ酢酸エチル13.6gを仕込み均
一溶液とした。ピペリジン0.3gを加え20〜25℃で20時間
撹拌後反応マスを過し、析出した結晶を別した。得
られた結晶をエタノール100gに分散させ室温で２時間撹
拌後過した。ケーキをエタノール50gで洗浄した。真
空乾燥後淡黄色の目的物13.4gを得た。
口フラスコに2,4−ジヒドロキシベンズアルデヒド13.8
g、エタノール80g、シアノ酢酸エチル13.6gを仕込み均
一溶液とした。ピペリジン0.3gを加え20〜25℃で20時間
撹拌後反応マスを過し、析出した結晶を別した。得
られた結晶をエタノール100gに分散させ室温で２時間撹
拌後過した。ケーキをエタノール50gで洗浄した。真
空乾燥後淡黄色の目的物13.4gを得た。
HPLCによる分析の結果純度は97.8％であった。NMR、
マススペクトルにより構造を確認した。メタノール溶媒
中でのλmax、モル吸光度はそれぞれ438〔nm〕、3.46×
104〔M-1・cm-1〕であった。
マススペクトルにより構造を確認した。メタノール溶媒
中でのλmax、モル吸光度はそれぞれ438〔nm〕、3.46×
104〔M-1・cm-1〕であった。
合成例 ４ 撹拌棒、コンデンサー、温度計を装着した200ml四つ
口フラスコに合成例１の化合物4.20g、テトラヒドロフ
ラン84g、トリエチルアミン1.59gを仕込み均一溶液とし
た。別に酢酸クロリド1.18gをテトラヒドロフラン6.0g
に稀釈し（ヒドロキシル基／酢酸クロリド等量比＝1/
1）、20〜25℃で30分間かけて滴下した。その後２時間
撹拌を継続し、水500mlへ排出し１時間撹拌した。排出
マスを過後水300mlで洗浄し、50〜60℃で真空乾燥し
た。部分アセチル化物4.65gを得た。メタノール溶媒中
でのλmax、モル吸光度はそれぞれ343〔nm〕、1.44×10
4〔M-1・cm-1〕であった。
口フラスコに合成例１の化合物4.20g、テトラヒドロフ
ラン84g、トリエチルアミン1.59gを仕込み均一溶液とし
た。別に酢酸クロリド1.18gをテトラヒドロフラン6.0g
に稀釈し（ヒドロキシル基／酢酸クロリド等量比＝1/
1）、20〜25℃で30分間かけて滴下した。その後２時間
撹拌を継続し、水500mlへ排出し１時間撹拌した。排出
マスを過後水300mlで洗浄し、50〜60℃で真空乾燥し
た。部分アセチル化物4.65gを得た。メタノール溶媒中
でのλmax、モル吸光度はそれぞれ343〔nm〕、1.44×10
4〔M-1・cm-1〕であった。
合成例 ５ 合成例４で用いた合成例１の化合物に代えて、合成例
３の化合物を用い、ヒドロキシル基／酢酸クロリド等量
比＝1/1の条件で合成例４と全く同じ方法で合成を行な
った。得られた化合物のメタノール溶媒中でのλmax、
モル吸光度はそれぞれ350〔nm〕、1.01×103〔M-1・cm
-1〕、438〔nm〕、7.70×104〔M-1・cm-1〕であった。
３の化合物を用い、ヒドロキシル基／酢酸クロリド等量
比＝1/1の条件で合成例４と全く同じ方法で合成を行な
った。得られた化合物のメタノール溶媒中でのλmax、
モル吸光度はそれぞれ350〔nm〕、1.01×103〔M-1・cm
-1〕、438〔nm〕、7.70×104〔M-1・cm-1〕であった。
実施例１〜４および比較例２ ノボラック樹脂と少なくとも１個のｏ−キノンジアジ
ドを含むポジ型フォトレジストPF−6200（商品名、住友
化学工業（株）製、固形分割合31.0wt％）に第１表に示
す各化合物を添加し、フォトレジスト組成物を調製し
た。化合物の添加量は、365nmにおける吸光度が比較例
２（添加量1.0wt％）と同一になるようにした。これら
のフォトレジスト、アルミ膜の付いた４インチシリコン
ウエハに膜厚が1.80μｍになる様にスピナーで回転塗布
し、100℃で１分間ホットプレートでプリベークした。
これをテストレチクルを介して露光量を段階的に変えて
縮小投影露光装置（露光波長ｉ線（365nm））を用いて
露光した。これをSOPD（商品名、住友化学工業（株）
製、ポジ型レジスト用現像液）を使用し、自動現像機
で、23℃60秒静止パドル法で現像した。
ドを含むポジ型フォトレジストPF−6200（商品名、住友
化学工業（株）製、固形分割合31.0wt％）に第１表に示
す各化合物を添加し、フォトレジスト組成物を調製し
た。化合物の添加量は、365nmにおける吸光度が比較例
２（添加量1.0wt％）と同一になるようにした。これら
のフォトレジスト、アルミ膜の付いた４インチシリコン
ウエハに膜厚が1.80μｍになる様にスピナーで回転塗布
し、100℃で１分間ホットプレートでプリベークした。
これをテストレチクルを介して露光量を段階的に変えて
縮小投影露光装置（露光波長ｉ線（365nm））を用いて
露光した。これをSOPD（商品名、住友化学工業（株）
製、ポジ型レジスト用現像液）を使用し、自動現像機
で、23℃60秒静止パドル法で現像した。
下記に示す方法でハレーション防止効果を評価したと
ころ第１表に示すような結果を得た。
ころ第１表に示すような結果を得た。
〔ハレーション防止効果の評価方法〕 1.評価用段差基板の作製 １μｍ厚のSiO2膜を有するシリコン基板に、フォトリ
ソグラフィー、エッチング、アルミスパッタリングによ
り、第１図に示す形状の段差パターンを作製した。代表
的なパターンサイズはａ＝４μｍ、ｂ＝２μｍ、ｃ＝１
μｍ、ｄ＝１μｍである。
ソグラフィー、エッチング、アルミスパッタリングによ
り、第１図に示す形状の段差パターンを作製した。代表
的なパターンサイズはａ＝４μｍ、ｂ＝２μｍ、ｃ＝１
μｍ、ｄ＝１μｍである。
2. ハレーション防止効果の評価 上記方法で作製した高反射率の段差基板上にスピンコ
ート法により厚さ２μｍのレジスト膜を形成する。第１
図に示した段差パターンの中央の凹部を横切る線幅1.2
μｍのレジストラインが形成されるように露光、現像を
行う。（第２図参照）露光現像後の段差凹部中央のレジ
スト線幅（ｙ）の、段差のない部分の線幅（ｘ）に対す
る減少率 を求めた。
ート法により厚さ２μｍのレジスト膜を形成する。第１
図に示した段差パターンの中央の凹部を横切る線幅1.2
μｍのレジストラインが形成されるように露光、現像を
行う。（第２図参照）露光現像後の段差凹部中央のレジ
スト線幅（ｙ）の、段差のない部分の線幅（ｘ）に対す
る減少率 を求めた。
ハレーション防止効果評価の露光量については、膜厚
２μｍのフォトレジストの膜抜け露光量（Eth）を求
め、その1.3倍の露光量においてハレーション防止効果
を評価した。
２μｍのフォトレジストの膜抜け露光量（Eth）を求
め、その1.3倍の露光量においてハレーション防止効果
を評価した。
線幅の減少量が10％以内の場合をハレーション防止効
果（優良）と判定し、11〜20％のものを（良）、21％以
上のものを（不良）とする。
果（優良）と判定し、11〜20％のものを（良）、21％以
上のものを（不良）とする。
比較例１ 吸光剤を添加しない以外は比較例２と同様にして、フ
ォトレジスト組成物の調製、露光、現像を行った。比較
例２と同じ方法でハレーション防止効果を評価したとこ
ろ、第１表に示すような結果を得た。
ォトレジスト組成物の調製、露光、現像を行った。比較
例２と同じ方法でハレーション防止効果を評価したとこ
ろ、第１表に示すような結果を得た。
第１表に示すように、実施例では高感度でパターンを
形成できた。形成されたパターンはシャープに解像され
ており、またパターン側面の反射光によるノッチングも
なく、アルミ表面からのハレーション防止効果に優れて
いることがわかった。
形成できた。形成されたパターンはシャープに解像され
ており、またパターン側面の反射光によるノッチングも
なく、アルミ表面からのハレーション防止効果に優れて
いることがわかった。
これに対して、比較例のフォトレジストは、感度、ま
たはハレーション防止効果の点で不十分なものであっ
た。
たはハレーション防止効果の点で不十分なものであっ
た。
第１図は、評価用段差パターン形状図である。 第２図は、フォトレジストを塗布、露光、現像を行った
図である。 第３図は、合成例１の吸光剤の吸光度曲線である。 第４図は、合成例３の吸光剤の吸光度曲線である。 第２図における斜線部はレジストである。
図である。 第３図は、合成例１の吸光剤の吸光度曲線である。 第４図は、合成例３の吸光剤の吸光度曲線である。 第２図における斜線部はレジストである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 塙 良太郎 大阪府大阪市此花区春日出中３丁目１番 98号 住友化学工業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭61−93445（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−286843（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】樹脂成分、感光剤、および一般式（Ｉ） （式中、R1、R2およびR3は同一または異なる基で、水素
原子、ヒドロキシ基、−OCOR4、−Ｏ−R5、−OSi（R6）
３、ハロゲン原子、置換または未置換のアルキル基、ア
ルケニル基、フェニル基またはアラルキル基を表すが、
少なくとも一つはヒドロキシ基、−OCOR4、−Ｏ−R5ま
たは−OSi（R6）３であり、ここにR4、R5およびR6は、
置換または未置換の低級アルキル基またはフェニル基を
表し； ＸおよびＹはそれぞれ独立して、シアノ基、−COOR7、
−CONR8R9、 を表し、ここにR7はアルキル基を表し、R8およびR9は同
一または異なる基で、水素原子、置換または未置換のア
ルキル基またはフェニル基を表し、R10は水素原子、置
換または未置換のアルキル基、またはヒドロキシ基を表
し、ａは１〜２を表す） で表される化合物を含むことを特徴とするフォトレジス
ト組成物。
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