JP2636395B2 - フォトレジスト組成物 - Google Patents
フォトレジスト組成物Info
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- JP2636395B2 JP2636395B2 JP1016566A JP1656689A JP2636395B2 JP 2636395 B2 JP2636395 B2 JP 2636395B2 JP 1016566 A JP1016566 A JP 1016566A JP 1656689 A JP1656689 A JP 1656689A JP 2636395 B2 JP2636395 B2 JP 2636395B2
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- Japan
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- photoresist
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- alkyl group
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、フォトレジスト組成物に関するものであ
る。さらに詳しくは、ICやLSI等の半導体デバイスの製
造において、アルミニウム等の高反射率基板上での微細
パターンの形成に特に好適に用いられるフォトレジスト
組成物に関するものである。
る。さらに詳しくは、ICやLSI等の半導体デバイスの製
造において、アルミニウム等の高反射率基板上での微細
パターンの形成に特に好適に用いられるフォトレジスト
組成物に関するものである。
〈従来の技術〉 従来、LSI等の集積回路製造において、キノンジアジ
ド系感光剤とノボラック系樹脂からなるフォトレジスト
や、ビスアジド系感光剤と環化ゴム系樹脂からなるフォ
トレジストなどが用いられている。
ド系感光剤とノボラック系樹脂からなるフォトレジスト
や、ビスアジド系感光剤と環化ゴム系樹脂からなるフォ
トレジストなどが用いられている。
集積回路の製造の際、各種基板上にフォトレジストを
使って微細パターンを形成するが、アルミニウム、アル
ミニウム−シリコン、ポリシリコン等の高反射率基板上
では、従来のフォトレジストを用いた場合、基板面や段
差側面での光の反射による不必要な領域の感光現象が生
じ、いわゆるノッチングやハレーションといった問題を
生じている。
使って微細パターンを形成するが、アルミニウム、アル
ミニウム−シリコン、ポリシリコン等の高反射率基板上
では、従来のフォトレジストを用いた場合、基板面や段
差側面での光の反射による不必要な領域の感光現象が生
じ、いわゆるノッチングやハレーションといった問題を
生じている。
このため、特広昭51−37562号公報には、紫外線領域
に吸光特性を有する下記式 で示される染料（オイルイエロー〔C.I.−11020〕）を
吸光剤として含有させることにより、フォトレジスト層
の光透過性を減少させ、基板表面で反射してフォトレジ
スト層を透過する光を急激に低減させ、遮光領域への光
の回り込みを少なくして前記問題を改良し、解像度の低
下を防止したフォトレジスト組成物が提案されている。
以下、本明細書においては、例えば、ノボラック系等の
樹脂と感光剤からなる組成物を「フォトレジスト」と表
現し、これに吸光剤を含有させたものを「フォトレジス
ト組成物」と表現することとする。
に吸光特性を有する下記式 で示される染料（オイルイエロー〔C.I.−11020〕）を
吸光剤として含有させることにより、フォトレジスト層
の光透過性を減少させ、基板表面で反射してフォトレジ
スト層を透過する光を急激に低減させ、遮光領域への光
の回り込みを少なくして前記問題を改良し、解像度の低
下を防止したフォトレジスト組成物が提案されている。
以下、本明細書においては、例えば、ノボラック系等の
樹脂と感光剤からなる組成物を「フォトレジスト」と表
現し、これに吸光剤を含有させたものを「フォトレジス
ト組成物」と表現することとする。
さて、フォトレジストに吸光剤を添加すると、一般に
感度が大幅に低下して、半導体製造時の生産性が低下す
るという好ましくない問題を生ずる。また、フォトレジ
スト膜の形成にあたっては一般に、溶媒を含有するフォ
トレジスト組成物をウェハに塗布し、プリベークして溶
媒を除去する方法が採れるが、吸光剤によっては保存中
に折出したり、プリベーク時に昇華して濃度が低下し、
満足な結果が得られなかったり、バラツキを生じたりす
るという問題があった。
感度が大幅に低下して、半導体製造時の生産性が低下す
るという好ましくない問題を生ずる。また、フォトレジ
スト膜の形成にあたっては一般に、溶媒を含有するフォ
トレジスト組成物をウェハに塗布し、プリベークして溶
媒を除去する方法が採れるが、吸光剤によっては保存中
に折出したり、プリベーク時に昇華して濃度が低下し、
満足な結果が得られなかったり、バラツキを生じたりす
るという問題があった。
一方、特開昭61−93445号公報には、特定のスチリル
系化合物を吸光剤としても用いたフォトレジスト組成物
が開示されているが、この場合、プリベークによる性能
低下やバラツキといった問題は解決されるものの、フォ
トレジストの大幅な感度低下を免れることができないと
いう問題があった。
系化合物を吸光剤としても用いたフォトレジスト組成物
が開示されているが、この場合、プリベークによる性能
低下やバラツキといった問題は解決されるものの、フォ
トレジストの大幅な感度低下を免れることができないと
いう問題があった。
〈発明が解決しようとする課題〉 本発明者らは、上記従来技術の欠点を告服すべく鋭意
検討した結果、本発明を完成するに至った。
検討した結果、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明の目的は、前記従来技術の欠点を解
消し、高反射率基板上でハレーションやノッチングがな
く、かつプリベークに対しても安定で、高解像度のパタ
ーンを形成し、そして吸光剤添加による感度低下が少な
い高感度のフォトレジスト組成物を提供することにあ
る。
消し、高反射率基板上でハレーションやノッチングがな
く、かつプリベークに対しても安定で、高解像度のパタ
ーンを形成し、そして吸光剤添加による感度低下が少な
い高感度のフォトレジスト組成物を提供することにあ
る。
また本発明の他の目的は、フォトレジストとの相溶性
がよい吸光剤を含有し、この吸光剤が、保存中のフォト
レジスト組成物中や、塗布・プリベーク後のフォトレジ
スト組成物膜中に析出しない微細加工用のフォトレジス
ト組成物を提供することにある。
がよい吸光剤を含有し、この吸光剤が、保存中のフォト
レジスト組成物中や、塗布・プリベーク後のフォトレジ
スト組成物膜中に析出しない微細加工用のフォトレジス
ト組成物を提供することにある。
〈課題を解決するための手段〉 本発明者らは鋭意検討の結果、吸光剤として特定のス
チリル系化合物を用いることにより、従来技術に存する
欠点が解決できることを見出し、本発明を完成するに至
った。
チリル系化合物を用いることにより、従来技術に存する
欠点が解決できることを見出し、本発明を完成するに至
った。
すなわち本発明は、一般式（Ｉ）または（II） （式中、R1およびR2はそれぞれ、水素原子、置換されて
もよいアルキル基、アルケニル基もしくはアラルキル基
を表すか、またはR1とR2が一緒になって、それらが結合
する窒素原子以外にさらにヘテロ原子を含んでもよい環
を形成し、R3はヒドロキシル基、−OCOR5または−OSi
（R5）３を表し、ＸおよびＹはそれぞれ独立して、シア
ノ基、−COOR4、−CONR6R7、 を表し、R4およびR5はそれぞれアルキル基を表し、R6、
R7、R8およびR9はそれぞれ同一または異なる基で、水素
原子、置換されてもよい低級アルキル基またはフェニル
基を表し、ｎは２〜15の数を表し、そしてａおよびｂは
同一または異なる数で１〜２を表す。） で示される化合物を含むことを特徴とするフォトレジス
ト組成物を提供するものである。
もよいアルキル基、アルケニル基もしくはアラルキル基
を表すか、またはR1とR2が一緒になって、それらが結合
する窒素原子以外にさらにヘテロ原子を含んでもよい環
を形成し、R3はヒドロキシル基、−OCOR5または−OSi
（R5）３を表し、ＸおよびＹはそれぞれ独立して、シア
ノ基、−COOR4、−CONR6R7、 を表し、R4およびR5はそれぞれアルキル基を表し、R6、
R7、R8およびR9はそれぞれ同一または異なる基で、水素
原子、置換されてもよい低級アルキル基またはフェニル
基を表し、ｎは２〜15の数を表し、そしてａおよびｂは
同一または異なる数で１〜２を表す。） で示される化合物を含むことを特徴とするフォトレジス
ト組成物を提供するものである。
以下、本発明をさらに詳細に説明する。
本発明の組成物において、基材となるフォトレジスト
としては、例えば、フェノール類とホルムアルデヒドを
付加縮合反応させて得られるノボラック樹脂と、ナフト
キノンジアド化合物と含有するものが好適に用いられ
る。なかでも、ｍ−クレゾールおよび／またはｐ−クレ
ゾールとホルマリンより合成されるクレゾールノボラッ
ク樹脂あるいは、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾールおよ
び3,5−キシノールとホルマリンより合成されるクレゾ
ール系ノボラック樹脂等と、2,3,4−トリビドロキシベ
ンゾフェノン、2,3,4,4′−テトラヒドロキシベンゾフ
ェノン、2,2′,4,4′−テトラヒドロキシベンゾフェノ
ン、2,3,3′４−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,
2′,3,4,5−ペンタヒドロキシベンゾフェノン、2,3,3′
4,5−ペンタヒドロキシベンゾフェノン、2,3,3′4,4′
−ペンタヒドロキシベンゾフェノン、2,2′,3,4,4′−
ペンタヒドロキシベンゾフェノン、2,2′,3,3′４−ペ
ンタヒドロキシベンゾフェノン等のポリヒドロキシベン
ゾフェノン類のナフトキノン−1,2−ジアジドスルホン
酸エステルを含有するフォトレジストが好適に用いられ
る。
としては、例えば、フェノール類とホルムアルデヒドを
付加縮合反応させて得られるノボラック樹脂と、ナフト
キノンジアド化合物と含有するものが好適に用いられ
る。なかでも、ｍ−クレゾールおよび／またはｐ−クレ
ゾールとホルマリンより合成されるクレゾールノボラッ
ク樹脂あるいは、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾールおよ
び3,5−キシノールとホルマリンより合成されるクレゾ
ール系ノボラック樹脂等と、2,3,4−トリビドロキシベ
ンゾフェノン、2,3,4,4′−テトラヒドロキシベンゾフ
ェノン、2,2′,4,4′−テトラヒドロキシベンゾフェノ
ン、2,3,3′４−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,
2′,3,4,5−ペンタヒドロキシベンゾフェノン、2,3,3′
4,5−ペンタヒドロキシベンゾフェノン、2,3,3′4,4′
−ペンタヒドロキシベンゾフェノン、2,2′,3,4,4′−
ペンタヒドロキシベンゾフェノン、2,2′,3,3′４−ペ
ンタヒドロキシベンゾフェノン等のポリヒドロキシベン
ゾフェノン類のナフトキノン−1,2−ジアジドスルホン
酸エステルを含有するフォトレジストが好適に用いられ
る。
本発明では、吸光剤として前記一般式（Ｉ）または
（II）で示される化合物を用いる。一般式（Ｉ）および
（II）において、ＸおよびＹは先に定義した電子吸引性
基であり、なかでも、 が好ましく、さらに好ましいものとしては、−CNおよび
−COOR4が挙げられる。ここに、R4、R6およびR7は前記
と同じ意味を表す。
（II）で示される化合物を用いる。一般式（Ｉ）および
（II）において、ＸおよびＹは先に定義した電子吸引性
基であり、なかでも、 が好ましく、さらに好ましいものとしては、−CNおよび
−COOR4が挙げられる。ここに、R4、R6およびR7は前記
と同じ意味を表す。
R1およびR2で表される置換されてもよいアルキル基、
アルケニル基およびアラルキル基としては、炭素数１〜
10のものが好ましく、炭素数１〜８のものがさらに好ま
しい。またｎとしては、２〜９の数が好ましい。
アルケニル基およびアラルキル基としては、炭素数１〜
10のものが好ましく、炭素数１〜８のものがさらに好ま
しい。またｎとしては、２〜９の数が好ましい。
前記一般式（Ｉ）および（II）において、「置換され
てもよい」と定義された基における置換基として具体的
には、−OH基、−CN基、 −SO3基、−NHSO3基、−NHSO2CH3基、 （ここに、Ｒ′は低級アルキル基を表す。）、ハロゲン
原子等が挙げられるが、特に−OH基および−CN基が好ま
しい。ただし、一般式（Ｉ）においてＸおよびＹがとも
に−CN基であるときは、R1およびR2が同時に、−OH基で
置換されたアルキル基になることなない。
てもよい」と定義された基における置換基として具体的
には、−OH基、−CN基、 −SO3基、−NHSO3基、−NHSO2CH3基、 （ここに、Ｒ′は低級アルキル基を表す。）、ハロゲン
原子等が挙げられるが、特に−OH基および−CN基が好ま
しい。ただし、一般式（Ｉ）においてＸおよびＹがとも
に−CN基であるときは、R1およびR2が同時に、−OH基で
置換されたアルキル基になることなない。
本発明においては、上記した一般式（Ｉ）または（I
I）で示される化合物のなかでも、特に550nm以下、より
好ましくは350〜450nmの領域の光に対して吸収極大をも
つものが好ましく用いられる。
I）で示される化合物のなかでも、特に550nm以下、より
好ましくは350〜450nmの領域の光に対して吸収極大をも
つものが好ましく用いられる。
以下、本発明に好適に用いられる化合物についてさら
に具体的に例示するが、本発明に用いる化合物はこれら
に限定されるものではなく、前記一般式（Ｉ）または
（II）の定義に入っていればよいし、またこれらの化合
物は、２種類以上混合して用いることもできる。
に具体的に例示するが、本発明に用いる化合物はこれら
に限定されるものではなく、前記一般式（Ｉ）または
（II）の定義に入っていればよいし、またこれらの化合
物は、２種類以上混合して用いることもできる。
本発明において、一般式（Ｉ）で示される化合物を用
いる場合、その使用量は通常、フォトレジストの固形分
重量に対して0.1〜20％が好ましく、さらには0.2〜10％
が好ましい。また、一般式（II）で示される化合物を用
いる場合、その使用量は通常、フォトレジストの固形分
重量に体して0.1〜15％が好ましく、さらには0.1〜８％
が好ましい。一般式（Ｉ）または（II）で示される量が
あまり少ないと、ハレーション防止効果が小さく、その
量が多すきると、プロファイルや感度が悪化する傾向を
示す。また、本発明の組成物においては、本発明で特定
する上記のスチリル系化合物に加えて、他の色素化合物
を１種または２種以上を併用することもできる。
いる場合、その使用量は通常、フォトレジストの固形分
重量に対して0.1〜20％が好ましく、さらには0.2〜10％
が好ましい。また、一般式（II）で示される化合物を用
いる場合、その使用量は通常、フォトレジストの固形分
重量に体して0.1〜15％が好ましく、さらには0.1〜８％
が好ましい。一般式（Ｉ）または（II）で示される量が
あまり少ないと、ハレーション防止効果が小さく、その
量が多すきると、プロファイルや感度が悪化する傾向を
示す。また、本発明の組成物においては、本発明で特定
する上記のスチリル系化合物に加えて、他の色素化合物
を１種または２種以上を併用することもできる。
本発明で用いる一般式（Ｉ）または（II）で示される
化合物は、一般式（III）または（IV） （式中、R1、R2およびｎは前記と同じ意味を表し、R10
は−OCOR5または−OSi（R5）３を表し、ここにR5は前記
と同じ意味を表す。） で示される化合物を、一般式（Ｖ） （式中、ＸおよびＹは前記と同じ意味を表す。） で示される化合物と反応させ、必要に応じて加水分解す
ることにより、製造される。
化合物は、一般式（III）または（IV） （式中、R1、R2およびｎは前記と同じ意味を表し、R10
は−OCOR5または−OSi（R5）３を表し、ここにR5は前記
と同じ意味を表す。） で示される化合物を、一般式（Ｖ） （式中、ＸおよびＹは前記と同じ意味を表す。） で示される化合物と反応させ、必要に応じて加水分解す
ることにより、製造される。
〈発明の効果〉 本発明によれば、従来技術の欠点を解消し、高反射率
基板においても、ハレーションやノッチングのない高解
像度のパターンを、生産性を落とすことなく、また安定
的に形成することが可能のなるなど、その工業的価値は
極めて高いものがある。
基板においても、ハレーションやノッチングのない高解
像度のパターンを、生産性を落とすことなく、また安定
的に形成することが可能のなるなど、その工業的価値は
極めて高いものがある。
〈実施例〉 以下、本発明を合成例および実施例より具体的に説明
するが、これらによって本発明が制限されるものではな
い。
するが、これらによって本発明が制限されるものではな
い。
合成例１（吸光剤の合成例） 下記式（ａ） で示される化合物2.36gと下記式（ｂ） で示される化合物0.79gをエチルアルコール20ml中で混
合し、22〜25℃で６時間撹拌した。この混合液からエチ
ルアルコールを留去して、粗ケーキを得た。この粗ケー
キをエチルアルコールより再結晶して、先に式（36）と
して例示した下式 で示される化合物の精製ケーキ2.12gが得られた。
合し、22〜25℃で６時間撹拌した。この混合液からエチ
ルアルコールを留去して、粗ケーキを得た。この粗ケー
キをエチルアルコールより再結晶して、先に式（36）と
して例示した下式 で示される化合物の精製ケーキ2.12gが得られた。
融点106〜107℃。エチルセロソルブアセテ−ト溶液中
の吸光度は、λmax＝436nm、ε＝6.53×104。
の吸光度は、λmax＝436nm、ε＝6.53×104。
合成例２ 合成例１で得られた式（36）の化合物2.00gとエチル
アルコ−ル70mlの混合液に濃塩酸6mlを加え、55〜60℃
で２時間撹拌した。この混合液を20〜22℃まで冷却し、
濾過することにより、粗ケーキを得た。この粗ケーキを
エチルアルコールより再結晶して、先に式（１）として
例示した下式 で示される化合物の精製ケーキ1.35gが得られた。
アルコ−ル70mlの混合液に濃塩酸6mlを加え、55〜60℃
で２時間撹拌した。この混合液を20〜22℃まで冷却し、
濾過することにより、粗ケーキを得た。この粗ケーキを
エチルアルコールより再結晶して、先に式（１）として
例示した下式 で示される化合物の精製ケーキ1.35gが得られた。
融点235〜236℃。エチルセロソルブアセテート溶液中
の吸光度は、λmax＝421nm、ε＝5.01×104。
の吸光度は、λmax＝421nm、ε＝5.01×104。
実施例１〜２および比較例１〜２ ノボラック樹脂少なくとも１個のｏ−キノンジアジド
化合物を含むポジ型フォトレジストPF−6200（商品名、
住友化学工業（株）製、固形分割合31.0wt％）に第１表
に示す各化合物を添加し、フォトレジスト組成物を調製
した。化合物の添加量は、PF−6200の固形分に対して0.
68wt％とした。これらのフォトレジストをアルミニウム
膜の付いた４インチシリコンウェハに、膜圧が1.80μｍ
となるようにスピナーで回転塗布し、ホットプレートに
て100℃で１分間プリベークした。これを、テストレチ
クルを介して露光量を段階的に変え、縮小影露光装置
（ニコンNSR−1505G）を用いて露光した。露光後、SOPD
（商品名、住友化学工業（株）製、ポジ型レジスト用現
像液）を使用し、自動現像機にて、23℃、60秒のパドル
法で現像した。結果を第１表に示す。
化合物を含むポジ型フォトレジストPF−6200（商品名、
住友化学工業（株）製、固形分割合31.0wt％）に第１表
に示す各化合物を添加し、フォトレジスト組成物を調製
した。化合物の添加量は、PF−6200の固形分に対して0.
68wt％とした。これらのフォトレジストをアルミニウム
膜の付いた４インチシリコンウェハに、膜圧が1.80μｍ
となるようにスピナーで回転塗布し、ホットプレートに
て100℃で１分間プリベークした。これを、テストレチ
クルを介して露光量を段階的に変え、縮小影露光装置
（ニコンNSR−1505G）を用いて露光した。露光後、SOPD
（商品名、住友化学工業（株）製、ポジ型レジスト用現
像液）を使用し、自動現像機にて、23℃、60秒のパドル
法で現像した。結果を第１表に示す。
第１表に示すように、実施例では高感度でパターンが
形成できた。形成されたパターンは、0.8μｍまでシャ
ープに解像されており、またパターン側面の反射光によ
るノッチングもなく、アルミニウム表面からのハレーシ
ョン防止効果に優れていることがわかった。
形成できた。形成されたパターンは、0.8μｍまでシャ
ープに解像されており、またパターン側面の反射光によ
るノッチングもなく、アルミニウム表面からのハレーシ
ョン防止効果に優れていることがわかった。
また、同じ組成物をガラスウェハにアルミニウムウェ
ハと同様にして回転塗布し、120℃で30分間コンベクシ
ョンオープンにてプリベークし、UV−可視スペクトラム
メーターで436nmの吸光度比（プリベーク前との比較、
感光剤の熱分解量を除去してある。）を求めたところ、
ほぼ１に近く、耐昇華性が良好であった。
ハと同様にして回転塗布し、120℃で30分間コンベクシ
ョンオープンにてプリベークし、UV−可視スペクトラム
メーターで436nmの吸光度比（プリベーク前との比較、
感光剤の熱分解量を除去してある。）を求めたところ、
ほぼ１に近く、耐昇華性が良好であった。
シリコンウェハに上記と同様の方法で塗布、露光し、
コンベクションオープンにて90℃で30分間アフターベー
ク後４日間保存してから現像し、パターン間に残留する
析出物を調べたが、析出物は認められなかった。保存
（23℃）６ヶ月後のレジスト中にも吸光剤の析出はなか
った。
コンベクションオープンにて90℃で30分間アフターベー
ク後４日間保存してから現像し、パターン間に残留する
析出物を調べたが、析出物は認められなかった。保存
（23℃）６ヶ月後のレジスト中にも吸光剤の析出はなか
った。
これに対して、比較例のフォトレジスト組成物は、感
度及び耐昇華性の点で不十分なものであった。
度及び耐昇華性の点で不十分なものであった。
実施例３ 合成例１で得られた化合物に代えて、先に式（28）と
して例示した下式 の化合物を用いた以外は、実施例１と同様にして、アル
ミニウム膜の付いたウェハ上にパターン形成した。感度
は、実施例１および２に示したものと同様に高い値を示
し、形成されたパターンもシャープに解像されていた。
また、パターンの側面の反射光によるノッチングは見ら
れなかった。さらには、耐昇華性も良好であり、化合物
の析出もなかった。
して例示した下式 の化合物を用いた以外は、実施例１と同様にして、アル
ミニウム膜の付いたウェハ上にパターン形成した。感度
は、実施例１および２に示したものと同様に高い値を示
し、形成されたパターンもシャープに解像されていた。
また、パターンの側面の反射光によるノッチングは見ら
れなかった。さらには、耐昇華性も良好であり、化合物
の析出もなかった。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 富岡 淳 大阪府大阪市此花区春日出中３丁目１番 98号 住友化学工業株式会社内 (56)参考文献 特開 平１−137246（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】一般式（Ｉ）または（II） （式中、R1およびR2はそれぞれ、水素原子、置換されて
もよいアルキル基、アルケニル基もしくはアラルキル基
を表すか、またはR1とR2が一緒になって、それらが結合
する窒素原子以外にさらにヘテロ原子を含んでもよい環
を形成し、R3はヒドロキシ基、−OCOR5または−OSi
（R5）３を表し、ＸおよびＹはそれぞれ独立して、シア
ノ基、−COOR4,−CONR6R7、 を表し、R4およびR5はそれぞれアルキル基を表し、R6、
R7、R8およびR9はそれぞれ同一または異なる基で、水素
原子、置換されてもよい低級アルキル基またはフェニル
基を表し、ｎは２〜15の数を表し、そしてａおよびｂは
同一または異なる数で１〜２を表すが、ただし、式
（Ｉ）において、ＸおよびＹがともにシアノ基であると
きは、R1およびR2が同時に、ヒドロキシ基で置換された
アルキル基になることはない。） で示される化合物を含むことを特徴とするフォトレジス
ト組成物。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29190788 | 1988-11-17 | ||
| JP63-291907 | 1988-11-17 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02222952A JPH02222952A (ja) | 1990-09-05 |
| JP2636395B2 true JP2636395B2 (ja) | 1997-07-30 |
Family
ID=17775001
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1016566A Expired - Lifetime JP2636395B2 (ja) | 1988-11-17 | 1989-01-25 | フォトレジスト組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2636395B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2625206B2 (ja) * | 1989-04-18 | 1997-07-02 | 富士写真フイルム株式会社 | フオトレジスト組成物 |
| JP5255297B2 (ja) * | 2008-02-28 | 2013-08-07 | 富士フイルム株式会社 | フォトレジスト液、およびこれを用いるエッチング方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3735852A1 (de) * | 1987-10-23 | 1989-05-03 | Hoechst Ag | Positiv arbeitendes lichtempfindliches gemisch, enthaltend einen farbstoff, und daraus hergestelltes positiv arbeitendes lichtempfindliches aufzeichnungsmaterial |
-
1989
- 1989-01-25 JP JP1016566A patent/JP2636395B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02222952A (ja) | 1990-09-05 |
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