JPS63161443A - フオトレジスト組成物 - Google Patents
フオトレジスト組成物Info
- Publication number
- JPS63161443A JPS63161443A JP31045386A JP31045386A JPS63161443A JP S63161443 A JPS63161443 A JP S63161443A JP 31045386 A JP31045386 A JP 31045386A JP 31045386 A JP31045386 A JP 31045386A JP S63161443 A JPS63161443 A JP S63161443A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoresist
- absorbing agent
- light absorbing
- compsn
- sensitivity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 33
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 9
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 9
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 5
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 abstract description 4
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 abstract description 4
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 abstract description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 abstract description 4
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 abstract description 2
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 abstract description 2
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 abstract description 2
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 abstract 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 abstract 1
- 125000001160 methoxycarbonyl group Chemical group [H]C([H])([H])OC(*)=O 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 5
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 5
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 5
- RLSSMJSEOOYNOY-UHFFFAOYSA-N m-cresol Chemical compound CC1=CC=CC(O)=C1 RLSSMJSEOOYNOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IWDCLRJOBJJRNH-UHFFFAOYSA-N p-cresol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1 IWDCLRJOBJJRNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 4
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 2
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- WQMWHMMJVJNCAL-UHFFFAOYSA-N 2,4-dimethylpenta-1,4-dien-3-one Chemical compound CC(=C)C(=O)C(C)=C WQMWHMMJVJNCAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 1
- OIQPTROHQCGFEF-UHFFFAOYSA-L chembl1371409 Chemical compound [Na+].[Na+].OC1=CC=C2C=C(S([O-])(=O)=O)C=CC2=C1N=NC1=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C1 OIQPTROHQCGFEF-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 1
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- NJDNXYGOVLYJHP-UHFFFAOYSA-L disodium;2-(3-oxido-6-oxoxanthen-9-yl)benzoate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C(=O)C1=CC=CC=C1C1=C2C=CC(=O)C=C2OC2=CC([O-])=CC=C21 NJDNXYGOVLYJHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000986 disperse dye Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N methanone Chemical compound O=[14CH2] WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 1
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 description 1
- 229920002454 poly(glycidyl methacrylate) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 150000003739 xylenols Chemical class 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、吸光剤を含有してなる高感度なフォトレジス
ト組成物に関する。
ト組成物に関する。
〈従来の技術〉
半導体素子は、従来フォトエツチング法による微細加工
技術によって製造されている。近年、集積回路の高集積
化によってパターンの微細化が進み、レジストとしては
微細パターンを精度よく形成することが望まれている。
技術によって製造されている。近年、集積回路の高集積
化によってパターンの微細化が進み、レジストとしては
微細パターンを精度よく形成することが望まれている。
しかしながら、露光する光の回折や、下地のシリコン基
板表面からの光の散乱や反射によってレジスト像の解像
性に著しい影響がある。例えば、アルミニウム電極・配
線又はポリシリコン電極を作製する場合にはアルミニウ
ムを蒸着した基板やＣＶＤ法でポリシリコン膜の付いた
基板を使用する。しかし、これらの表面は反射率が高く
、ハレーションが大きく、表面の平坦な部分だけでなく
基板に段差がある場合にはその部分で乱反射がおこり１
〜３μｍ程度の線幅のパターンを寸法精度よく再現する
ことがむずかしい。
板表面からの光の散乱や反射によってレジスト像の解像
性に著しい影響がある。例えば、アルミニウム電極・配
線又はポリシリコン電極を作製する場合にはアルミニウ
ムを蒸着した基板やＣＶＤ法でポリシリコン膜の付いた
基板を使用する。しかし、これらの表面は反射率が高く
、ハレーションが大きく、表面の平坦な部分だけでなく
基板に段差がある場合にはその部分で乱反射がおこり１
〜３μｍ程度の線幅のパターンを寸法精度よく再現する
ことがむずかしい。
このハレーションを防止する方法として、特公昭５１−
３７５６２号公報に紫外線領域に吸光特性を有る染料オ
イルイエロー（［Ｃ，１，−１１０２０）、含有させて
フォトレジスト層の光透過性を減少させ、基板表面で反
射してフォトレジスト層を透過する光を急激に低減させ
、遮光領域への光の回り込みを少なくし、解像度の低下
を防止する方法が提案されている。
３７５６２号公報に紫外線領域に吸光特性を有る染料オ
イルイエロー（［Ｃ，１，−１１０２０）、含有させて
フォトレジスト層の光透過性を減少させ、基板表面で反
射してフォトレジスト層を透過する光を急激に低減させ
、遮光領域への光の回り込みを少なくし、解像度の低下
を防止する方法が提案されている。
しかし、一般に吸光剤を添加するとフォトレジストの感
度が低下して、半導体製造時の生産性が低下して好まし
くない。また、溶媒を含有するフォトレジストをウェハ
に塗布しプリベークして、溶媒を除去するが、吸光剤に
よっては保存中析出したり、プリベーク時に昇華して濃
度が下り、満足な効果が得られなかったり、バラツキが
生じるという欠点があった。
度が低下して、半導体製造時の生産性が低下して好まし
くない。また、溶媒を含有するフォトレジストをウェハ
に塗布しプリベークして、溶媒を除去するが、吸光剤に
よっては保存中析出したり、プリベーク時に昇華して濃
度が下り、満足な効果が得られなかったり、バラツキが
生じるという欠点があった。
〈発明が解決しようとする問題点〉
本発明者らは上記従来技術の欠点を克服すべく鋭意検討
した結果、本発明を完成するに至った。
した結果、本発明を完成するに至った。
本発明の目的は感度を維持して、プリベーク条件変化に
対しても、高反射基板上で微細パターンの寸法制御性の
良いフォトレジスト組成物を提供することにある。
対しても、高反射基板上で微細パターンの寸法制御性の
良いフォトレジスト組成物を提供することにある。
また、本発明の目的はレジストと相溶性がよく吸光剤が
保存中（レジスト中、塗布・プリベータ後のレジス膜中
）に析出しない微細加工用のフォトレジスト組成物を提
供することにある。
保存中（レジスト中、塗布・プリベータ後のレジス膜中
）に析出しない微細加工用のフォトレジスト組成物を提
供することにある。
く問題点を解決するための手段〉
本発明は、フォトレジストに、一般式
〔式中、Ｘ、Ｙは水素原子、アルキル基、ニトロ基又は
−ＣＯＯＣＨ，基を、Ｚは水素原子又はフェニル基を表
わす。〕 で表わされるアゾ化合物の中から選ばれた少なくとも１
種の吸光剤を添加することにによって達成される。
−ＣＯＯＣＨ，基を、Ｚは水素原子又はフェニル基を表
わす。〕 で表わされるアゾ化合物の中から選ばれた少なくとも１
種の吸光剤を添加することにによって達成される。
以下に本発明に用いられる吸光剤の具体例を挙げろが、
本発明はこれらに限定されない。
本発明はこれらに限定されない。
１、 スミプラスト イエロー 〇Ｇ
（住友化学工業■製 樹脂用染料）
２０．スミカロン イエロー ＦＧ
（住友化学工業＠製 分散染料）
Ｃ，Ｉ、口１ｓｐｅｒｓｅ Ｙｅｌｌｏｗ ８
〔Ｃ０１，１２６９０〕ＣＨ。
〔Ｃ０１，１２６９０〕ＣＨ。
３、 Ｃ，１Ｓｏｌｖｅｎｔ Ｙｅｌｌｏｗ １８
（Ｃ，［、１２７４０１ＣＨツ ４、Ｃ，Ｉ、口１ｓｐｅｒｓｅ Ｙｅｌｌｏｗ ６
０ （Ｃ，１，１２７１２］Ｃ１ｌ。
（Ｃ，［、１２７４０１ＣＨツ ４、Ｃ，Ｉ、口１ｓｐｅｒｓｅ Ｙｅｌｌｏｗ ６
０ （Ｃ，１，１２７１２］Ｃ１ｌ。
前記一般式で表わされる本発明の吸光剤はフォトレジス
ト組成物中０．１〜２０ ｗｔ％添加することができる
。更に好ましくは０．５〜１０ ｗｔ％添加することが
望ましい。
ト組成物中０．１〜２０ ｗｔ％添加することができる
。更に好ましくは０．５〜１０ ｗｔ％添加することが
望ましい。
本発明に用いられるフォトレジスト組成物の基材となる
フォトレジストとしては環化ゴムとビスアジドを主成分
とするゴム系フォトレジスト、フェノール類とホルムア
ルデビドを付加縮合反応させて得られるノボラック樹脂
と少なくとも一個の０−キノンジアジド化合物を含むポ
ジ型フォトレジスト、あるいはポリメチルメタクリレー
ト、ポリメチルイソプロペニルケトン、ポリグリシジル
メタクリレートを主成分とする口ｅｅｐＵＶレジストな
どがあげられる。更に好ましくはｍ−クレゾール及び又
はｐ−クレゾールとホルマリンより合成されるタレゾー
ルノボラック樹脂、ｍ−及びｐ−クレゾール及び３．５
−キシレノールとホルマリンより合成されるクレゾール
系ノボラック樹脂等と２．３．４−）リヒドロキシベン
ゾフェノン、２．３．４．４° −テトラヒドロキシベ
ンゾフェノン、２．２°、４．４’ −テトラヒドロキ
シベンゾフェノン等のポリヒドロキシベンゾフェノン類
のナフトキノン−１，２−ジアジドスルホン酸エステル
とを含有するポジ型フォトレジストが挙げられる。
フォトレジストとしては環化ゴムとビスアジドを主成分
とするゴム系フォトレジスト、フェノール類とホルムア
ルデビドを付加縮合反応させて得られるノボラック樹脂
と少なくとも一個の０−キノンジアジド化合物を含むポ
ジ型フォトレジスト、あるいはポリメチルメタクリレー
ト、ポリメチルイソプロペニルケトン、ポリグリシジル
メタクリレートを主成分とする口ｅｅｐＵＶレジストな
どがあげられる。更に好ましくはｍ−クレゾール及び又
はｐ−クレゾールとホルマリンより合成されるタレゾー
ルノボラック樹脂、ｍ−及びｐ−クレゾール及び３．５
−キシレノールとホルマリンより合成されるクレゾール
系ノボラック樹脂等と２．３．４−）リヒドロキシベン
ゾフェノン、２．３．４．４° −テトラヒドロキシベ
ンゾフェノン、２．２°、４．４’ −テトラヒドロキ
シベンゾフェノン等のポリヒドロキシベンゾフェノン類
のナフトキノン−１，２−ジアジドスルホン酸エステル
とを含有するポジ型フォトレジストが挙げられる。
〈発明の効果〉
本発明になるフォレジストに新規な吸光剤を添加してな
るフォトレジスト組成物を使用すると、アルミニウム、
ポリシリコン等の高反射基板において感度が良好でハレ
ーションが防止され、べ一り条件変動に対して安定した
寸法精度の良いレジストパターンが得られる。
るフォトレジスト組成物を使用すると、アルミニウム、
ポリシリコン等の高反射基板において感度が良好でハレ
ーションが防止され、べ一り条件変動に対して安定した
寸法精度の良いレジストパターンが得られる。
〈実施例〉
以下、本発明を実施例及び比較例により具体的に説明す
るが、これによって本発明が制限されるものでない。
るが、これによって本発明が制限されるものでない。
実施例１
ノボラック樹脂と少なくとも１個の０−キノンジアジド
を含むポジ型フォトレジストＰＦ−６２００（商品名、
住友化学工業■製、固形分割合２７゜Ｏｗｔ％）に固形
分割合に対して３．１ｗｔ％のスミプラスト イエロー
〇〇を添加しフォトレジストを調整した。これをアル
ミ膜の付いた４インチシリコンウェハに膜厚が１．２７
μｍになる様にスピナーで回転塗布（４１００ｒ、ｐｏ
ｍ、２０秒）し、１００℃１分ホットプレートでプリベ
ークした。これをテストレチクルを介して縮小投影露光
装置（ＧＣＡ４８００ＤＳＷ）を用いて露光し、コンベ
クションオーブンで９０℃３０分アフターベークした。
を含むポジ型フォトレジストＰＦ−６２００（商品名、
住友化学工業■製、固形分割合２７゜Ｏｗｔ％）に固形
分割合に対して３．１ｗｔ％のスミプラスト イエロー
〇〇を添加しフォトレジストを調整した。これをアル
ミ膜の付いた４インチシリコンウェハに膜厚が１．２７
μｍになる様にスピナーで回転塗布（４１００ｒ、ｐｏ
ｍ、２０秒）し、１００℃１分ホットプレートでプリベ
ークした。これをテストレチクルを介して縮小投影露光
装置（ＧＣＡ４８００ＤＳＷ）を用いて露光し、コンベ
クションオーブンで９０℃３０分アフターベークした。
これを５ＯＰＤ （商品名 住友化学工業■製、ポジ型
現像液）を使用し自動現像機で、２３℃６０秒静止パド
ル法で現像した。形成されたパターンは０゜８μｍまで
シャープに解像されており、またパターン側面の定在波
によるギザギザもなく、アルミ表面からのハレーション
防止効果に優れていることがわかった。また、裏抜は感
度は２００ｍ５ｅｃであり、高感度であった。
現像液）を使用し自動現像機で、２３℃６０秒静止パド
ル法で現像した。形成されたパターンは０゜８μｍまで
シャープに解像されており、またパターン側面の定在波
によるギザギザもなく、アルミ表面からのハレーション
防止効果に優れていることがわかった。また、裏抜は感
度は２００ｍ５ｅｃであり、高感度であった。
ガラスウェハに回転塗布（４１００ｒ、ｐｏｍ、、２０
秒） Ｌ、、１２０℃３０分コンベクションオーブン
でプリベークし、ＵＶ−可視スペクトロメーターで４３
６ｎｍの吸光度比（プリベータ前との比較、感光剤の熱
分解量を除去しである。）は０．９０であり、耐昇華性
が良好であった。
秒） Ｌ、、１２０℃３０分コンベクションオーブン
でプリベークし、ＵＶ−可視スペクトロメーターで４３
６ｎｍの吸光度比（プリベータ前との比較、感光剤の熱
分解量を除去しである。）は０．９０であり、耐昇華性
が良好であった。
シリコンウェハに上記と同様の方法で露光しアフターベ
ーク後４日間保存後現像し、パターン間に残留する析出
物を調べたが、析出物は認められなかった。保存（２３
℃）６ケ月後のレジスト中にも吸光剤の析出はなかった
。
ーク後４日間保存後現像し、パターン間に残留する析出
物を調べたが、析出物は認められなかった。保存（２３
℃）６ケ月後のレジスト中にも吸光剤の析出はなかった
。
比較例１
前記吸光剤を添加せずに実施例１と同様に行った。得ら
れた最小パターンの線巾は０．８μｍであったが、反射
光によって生じる定在波によると思われるパターン側面
のギザギザが見られた。裏抜は感度は２００ｍ５ｅｃで
あった。
れた最小パターンの線巾は０．８μｍであったが、反射
光によって生じる定在波によると思われるパターン側面
のギザギザが見られた。裏抜は感度は２００ｍ５ｅｃで
あった。
比較例２
公知の吸光剤オイルイエローを添加して実施例１と同様
に行った。得られた最小パターンは線巾は０．８μｍで
パターン側面のギザギザはなかった。
に行った。得られた最小パターンは線巾は０．８μｍで
パターン側面のギザギザはなかった。
しかし、裏抜は感度が１０２５ｓｓｅｃと著しく感度が
悪化した。
悪化した。
吸光度比が０．７５であり、耐昇華性が悪かった。
実施例２
フォトレジストとしてＰＦ−３２００（商品名、住友化
学工業■製、固形分割合２７．５ｗｔ％）を、吸光剤と
してスミカロン イ呈ロー ＦＧ ２．２ｗｔ％を添
加すること以外は実施例１ど同様に行った。形成された
パターンは０．８μｍまでシャープに解像し、パターン
側面のギザギザもなかった。
学工業■製、固形分割合２７．５ｗｔ％）を、吸光剤と
してスミカロン イ呈ロー ＦＧ ２．２ｗｔ％を添
加すること以外は実施例１ど同様に行った。形成された
パターンは０．８μｍまでシャープに解像し、パターン
側面のギザギザもなかった。
裏抜は感度は２００＋５ｓｅｃであり、高感度であった
。
。
吸光度比は０．９３であり、耐昇華性が良好であった。
吸光剤の析出もなかった。
実施例３
吸光剤としてＣ，１，５ｏｌｖｅｎｔ Ｙｅｌｌｏｗ
１８ ３．５ｗｔ％を添加すること以外は実施例１と
同様に行った。
１８ ３．５ｗｔ％を添加すること以外は実施例１と
同様に行った。
形成されたパターンは０．８μｍまでシャープに解像し
、パターン側面のギザギザもなかった。膜抜け感度は２
００ｍ５ｅｃであり、高感度であった。吸光度比は０．
９１であり、耐昇華性が良好であった。吸光剤の析出も
なかった。
、パターン側面のギザギザもなかった。膜抜け感度は２
００ｍ５ｅｃであり、高感度であった。吸光度比は０．
９１であり、耐昇華性が良好であった。吸光剤の析出も
なかった。
実施例４
吸光剤としてＣ６！、旧５ｐａｒｓｅ Ｙｅｌｌｏｗ
６０ ４．２ｗｔ％を添加すること以外は実施例１と
同様に行った。
６０ ４．２ｗｔ％を添加すること以外は実施例１と
同様に行った。
形成されたパターンは０．８μｍまでシャープに解像し
、パターン側面のギザギザもなかった。膜数は感度は２
０ＱａＩｓｅｃであり、高感度であった。吸光度比は０
．９３であり、耐昇華性が良好であった。吸光剤の析出
もなかった。
、パターン側面のギザギザもなかった。膜数は感度は２
０ＱａＩｓｅｃであり、高感度であった。吸光度比は０
．９３であり、耐昇華性が良好であった。吸光剤の析出
もなかった。
Claims (2)
- （１）フォトレジストに、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Ｘ、Ｙは水素原子、アルキル基、ニトロ基又は
−ＣＯＯＣＨ＿３基を、Ｚは水素原子又はフェニル基を
表わす。〕 で表わされるアゾ化合物の中から選ばれた少なくとも１
種の吸光剤を添加したことを特徴とするフォトレジスト
組成物。 - （２）吸光剤の含有量が０．１〜２０重量％であること
を特徴とする特許請求の範囲第１項に記載のフォトレジ
スト組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31045386A JPS63161443A (ja) | 1986-12-24 | 1986-12-24 | フオトレジスト組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31045386A JPS63161443A (ja) | 1986-12-24 | 1986-12-24 | フオトレジスト組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63161443A true JPS63161443A (ja) | 1988-07-05 |
Family
ID=18005430
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31045386A Pending JPS63161443A (ja) | 1986-12-24 | 1986-12-24 | フオトレジスト組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63161443A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01245250A (ja) * | 1988-03-28 | 1989-09-29 | Toshiba Corp | ポジ型レジスト組成物 |
| JPH0439663A (ja) * | 1990-06-05 | 1992-02-10 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | 感放射線性樹脂組成物 |
| EP0696761A1 (en) | 1994-08-10 | 1996-02-14 | Shell Internationale Researchmaatschappij B.V. | Flexographic printing plates from photocurable elastomer compositions |
| JP2011017753A (ja) * | 2009-07-07 | 2011-01-27 | Jsr Corp | 感放射線性樹脂組成物およびその用途、誘電体ならびに電子部品 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58174941A (ja) * | 1982-04-08 | 1983-10-14 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 新規な吸光剤及びそれを含有するホトレジスト組成物 |
| JPS59142538A (ja) * | 1983-02-04 | 1984-08-15 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 感光性組成物 |
| JPS6098432A (ja) * | 1983-11-04 | 1985-06-01 | Fuotopori Ouka Kk | フオトレジスト形成用積層板の製造方法 |
| JPS6173144A (ja) * | 1984-09-19 | 1986-04-15 | Nippon Zeon Co Ltd | ホトレジスト及びホトレジストパターンの形成方法 |
| JPS6230241A (ja) * | 1985-07-31 | 1987-02-09 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | ホトレジスト組成物 |
| JPS6267531A (ja) * | 1985-09-20 | 1987-03-27 | Nippon Zeon Co Ltd | ホトレジスト組成物及びホトレジストパタ−ンの形成方法 |
| JPS63159843A (ja) * | 1986-12-24 | 1988-07-02 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | ポジ型ホトレジスト |
-
1986
- 1986-12-24 JP JP31045386A patent/JPS63161443A/ja active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58174941A (ja) * | 1982-04-08 | 1983-10-14 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 新規な吸光剤及びそれを含有するホトレジスト組成物 |
| JPS59142538A (ja) * | 1983-02-04 | 1984-08-15 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 感光性組成物 |
| JPS6098432A (ja) * | 1983-11-04 | 1985-06-01 | Fuotopori Ouka Kk | フオトレジスト形成用積層板の製造方法 |
| JPS6173144A (ja) * | 1984-09-19 | 1986-04-15 | Nippon Zeon Co Ltd | ホトレジスト及びホトレジストパターンの形成方法 |
| JPS6230241A (ja) * | 1985-07-31 | 1987-02-09 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | ホトレジスト組成物 |
| JPS6267531A (ja) * | 1985-09-20 | 1987-03-27 | Nippon Zeon Co Ltd | ホトレジスト組成物及びホトレジストパタ−ンの形成方法 |
| JPS63159843A (ja) * | 1986-12-24 | 1988-07-02 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | ポジ型ホトレジスト |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01245250A (ja) * | 1988-03-28 | 1989-09-29 | Toshiba Corp | ポジ型レジスト組成物 |
| JPH0439663A (ja) * | 1990-06-05 | 1992-02-10 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | 感放射線性樹脂組成物 |
| EP0696761A1 (en) | 1994-08-10 | 1996-02-14 | Shell Internationale Researchmaatschappij B.V. | Flexographic printing plates from photocurable elastomer compositions |
| JP2011017753A (ja) * | 2009-07-07 | 2011-01-27 | Jsr Corp | 感放射線性樹脂組成物およびその用途、誘電体ならびに電子部品 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4377631A (en) | Positive novolak photoresist compositions | |
| JPS6088941A (ja) | フオトレジスト組成物 | |
| JPH07504762A (ja) | 金属イオンレベルが低いフォトレジスト | |
| US4596763A (en) | Positive photoresist processing with mid U-V range exposure | |
| US4885232A (en) | High temperature post exposure baking treatment for positive photoresist compositions | |
| KR950001004B1 (ko) | 방사선 감응성 포지티브 작용성 감광성 내식막 조성물 및 감광성 내식막을 제조하는 방법 | |
| EP0070624B1 (en) | Novolak resin and a positive photoresist composition containing the same | |
| JPS6193445A (ja) | 新規なフオトレジスト組成物 | |
| JPS63161443A (ja) | フオトレジスト組成物 | |
| EP0868684B1 (en) | A mixed solvent system for positive photoresists | |
| JPS63161449A (ja) | 高コントラストなフオトレジスト組成物 | |
| JPH01154048A (ja) | 感光性組成物 | |
| JPH012034A (ja) | フォトレジスト組成物 | |
| JPS62260146A (ja) | ポジ型ホトレジスト用組成物 | |
| JPS63159839A (ja) | 新規なフオトレジスト組成物 | |
| WO1993012468A1 (en) | Polyphosphazene binder resins for photoresists | |
| JP2595598B2 (ja) | フォトレジスト組成物 | |
| JPH02222952A (ja) | フォトレジスト組成物 | |
| EP0788620B1 (en) | Positive photosensitive composition | |
| JPH0242443A (ja) | ポジ型感光性組成物 | |
| JPH0323453A (ja) | ポジ型感光性組成物 | |
| JPS622249A (ja) | 感光性組成物 | |
| JPH01293341A (ja) | ポジ型感光性組成物 | |
| JPH0344641A (ja) | フォトレジスト組成物 | |
| JPH0232350A (ja) | ホトレジスト組成物及びパターン形成方法 |