JPS622249A - 感光性組成物 - Google Patents
感光性組成物Info
- Publication number
- JPS622249A JPS622249A JP60140167A JP14016785A JPS622249A JP S622249 A JPS622249 A JP S622249A JP 60140167 A JP60140167 A JP 60140167A JP 14016785 A JP14016785 A JP 14016785A JP S622249 A JPS622249 A JP S622249A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- formulas
- photosensitive composition
- alkali
- azido
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/008—Azides
- G03F7/012—Macromolecular azides; Macromolecular additives, e.g. binders
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は微細パターン形成に用いる感光性組成物に係シ
、詳しｌＥ３８０ｎｍ〜４５ Ｑ ａｍの波長の光を用
いた縮小投影露光法による微細パターンの形成に適した
感光性組成物に関する。
、詳しｌＥ３８０ｎｍ〜４５ Ｑ ａｍの波長の光を用
いた縮小投影露光法による微細パターンの形成に適した
感光性組成物に関する。
半導体の製造を始めとする多くの平板プロセスの分野に
おいて、感光性樹脂は広く用いられているが、電子機器
の多機能化、高度化に伴なう高密度集積化を図るために
、パターンの微細化が要求されている。微細パターンの
形成法としては、縮小投影露光法を使用することができ
るが、この方法によシ微細パターンを形成する際に使用
される露光装置としては、通常ステッパと呼ばれるステ
ップ−アンド−リピートの縮小投影形マスクアライナが
ある。この装置は光学系と精密機械及びエレクトロニク
スを組み合せたものでアリ、光の波長に近いパターンを
転写することができる。更に、ステップごとに位置合せ
や焦点補正ができることなどの特徴を有している。しか
し、このステッパは光源に単色光を使用するため、定在
波の影響を受けやすく特に反射率の高い材料の表面では
鮮鋭なレジスト像が形成されず、微細パターンの正確な
形成は困難である。この対策としては、使用する特定波
長の単色光に対して感度をもつ芳香族アジドを感光主剤
として含有するレジストを使用することによシ、急峻な
形状の鮮像を形成する方法が知られている（例えば、特
開昭５８−２０３４３８号公報参照）。しかしながら、
この発明の感光剤に含有されているアジド化合物は、３
００〜３８０ ｍｍの波長の光を強く吸収し、また投影
露光は３６５ｎｍの波長の光を用いて行うものである。
おいて、感光性樹脂は広く用いられているが、電子機器
の多機能化、高度化に伴なう高密度集積化を図るために
、パターンの微細化が要求されている。微細パターンの
形成法としては、縮小投影露光法を使用することができ
るが、この方法によシ微細パターンを形成する際に使用
される露光装置としては、通常ステッパと呼ばれるステ
ップ−アンド−リピートの縮小投影形マスクアライナが
ある。この装置は光学系と精密機械及びエレクトロニク
スを組み合せたものでアリ、光の波長に近いパターンを
転写することができる。更に、ステップごとに位置合せ
や焦点補正ができることなどの特徴を有している。しか
し、このステッパは光源に単色光を使用するため、定在
波の影響を受けやすく特に反射率の高い材料の表面では
鮮鋭なレジスト像が形成されず、微細パターンの正確な
形成は困難である。この対策としては、使用する特定波
長の単色光に対して感度をもつ芳香族アジドを感光主剤
として含有するレジストを使用することによシ、急峻な
形状の鮮像を形成する方法が知られている（例えば、特
開昭５８−２０３４３８号公報参照）。しかしながら、
この発明の感光剤に含有されているアジド化合物は、３
００〜３８０ ｍｍの波長の光を強く吸収し、また投影
露光は３６５ｎｍの波長の光を用いて行うものである。
本発明は特にｇ線（４３６ｎｍ）を中心とした３ ｇ
Ｑ ｎｍ〜４５０ ｎｆｆ１の範囲の波長の光を用いた
縮小投影露光法に利用した場合、感度及び解像度が高く
、定在波の影響をうけにくく、急峻な断面形状の像を形
成することが可能な感光性組成物を提供することを目的
とする。
Ｑ ｎｍ〜４５０ ｎｆｆ１の範囲の波長の光を用いた
縮小投影露光法に利用した場合、感度及び解像度が高く
、定在波の影響をうけにくく、急峻な断面形状の像を形
成することが可能な感光性組成物を提供することを目的
とする。
本発明は、フェノール骨格を有するアルカリ可溶性重合
体１００重量部並びに下記の一般式（■）。
体１００重量部並びに下記の一般式（■）。
（ＩＩ）、四もしくは（ト）；
Ｒ，Ｒ・
（但し、式中Ｒ，−Ｒ，。は同一でも異なっていてもよ
く、それぞれ水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、ア
セチル基、アルコキシ基、アセトキシ基、アリール基、
ヒドロキシ基、ハロゲン化アルキル基、７アノアルキル
基またはアルコキシアルキル基を表わす） で示されるアジド化合物の少なくとも１ ａｉ Ｏ，１
〜５０重量部からなる感光性組成物である。
く、それぞれ水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、ア
セチル基、アルコキシ基、アセトキシ基、アリール基、
ヒドロキシ基、ハロゲン化アルキル基、７アノアルキル
基またはアルコキシアルキル基を表わす） で示されるアジド化合物の少なくとも１ ａｉ Ｏ，１
〜５０重量部からなる感光性組成物である。
フェノール骨格を有するアルカ゛り可溶の重合体とは、
１種の単量体からなる重合体または２種以上の単量体か
らなる共重合体もしくはそれらの混合物を含むものであ
る。
１種の単量体からなる重合体または２種以上の単量体か
らなる共重合体もしくはそれらの混合物を含むものであ
る。
フェノール骨格を有するアルカリ可溶性重合体もしくは
共重合体としては、例えば、フェノール類とホルマリン
との縮合によって得られるノボラック樹脂を挙げること
ができる。このフェノール類としては、具体的には、例
えば、フェノール。
共重合体としては、例えば、フェノール類とホルマリン
との縮合によって得られるノボラック樹脂を挙げること
ができる。このフェノール類としては、具体的には、例
えば、フェノール。
０−／ロロフェノール１ｍ−クロロフェノール。
ｐ−クロロフェノール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾー
ル、ビスフェノールＡ、４−クロロ−３−クレゾールな
どが挙げられる。これらのうち１種もしくは２８１以上
のものとホルマリンを縮合させることによって、上記の
ノボラック樹脂を得ることができる。このような樹脂は
、ノボラック樹脂に限られず、ポリ（ｐ−ビニルフェノ
ール）、ポリ（ｐ−イソプロペニルフェノール）、ポリ
（ｍ−イソプロペニルフェノール）、ｐ−ヒドロキシス
チレンとメタクリル酸メチルとの共重合体、Ｐ−ヒドロ
キシスチレンとアクリル酸メチルとの共重合体、Ｐ−イ
ンプロペニルフェノールとアクリロニトリルとの共重合
体、あるいはｐ−ヒドロキシスチレンとメタクリル酸と
の共重合体など構造単位に芳香族とヒドロキシ化合物を
有する樹脂であればいかなるものでもよい。
ル、ビスフェノールＡ、４−クロロ−３−クレゾールな
どが挙げられる。これらのうち１種もしくは２８１以上
のものとホルマリンを縮合させることによって、上記の
ノボラック樹脂を得ることができる。このような樹脂は
、ノボラック樹脂に限られず、ポリ（ｐ−ビニルフェノ
ール）、ポリ（ｐ−イソプロペニルフェノール）、ポリ
（ｍ−イソプロペニルフェノール）、ｐ−ヒドロキシス
チレンとメタクリル酸メチルとの共重合体、Ｐ−ヒドロ
キシスチレンとアクリル酸メチルとの共重合体、Ｐ−イ
ンプロペニルフェノールとアクリロニトリルとの共重合
体、あるいはｐ−ヒドロキシスチレンとメタクリル酸と
の共重合体など構造単位に芳香族とヒドロキシ化合物を
有する樹脂であればいかなるものでもよい。
また（Ｉ）〜■の一般式で表わされるアジド化合物とし
では例えば、１−シアノ−１−（４’−アジドフェニル
） −４−（４’−Ｎ、Ｎ−ジメチルアニリノ）−１，
３−ブタジェン、１−シアノ−１−（４’−７ジドフエ
ニル）−４−フリル−１，３−ブタジェン。
では例えば、１−シアノ−１−（４’−アジドフェニル
） −４−（４’−Ｎ、Ｎ−ジメチルアニリノ）−１，
３−ブタジェン、１−シアノ−１−（４’−７ジドフエ
ニル）−４−フリル−１，３−ブタジェン。
４−アジド−４′−メトキシ−α−シアノスチルベン、
４−アジド−４′−エトキシ−α−シアノスチルベン等
を挙げることができる。これらの゛アジド化合物は、１
ｓまたは２種以上の混合系で使用することができる。
４−アジド−４′−エトキシ−α−シアノスチルベン等
を挙げることができる。これらの゛アジド化合物は、１
ｓまたは２種以上の混合系で使用することができる。
フェノール骨格を有するアルカリ可溶の重合体に対する
一般式（Ｉ）〜■で示されるアジド化合物の配合割合は
、良好な画像を得るためには、この重合体１００重量部
に対して、アジド化合物０．１〜５０重量部である。配
合割合がＯ，ｌＸ量部未満であると高い感度を得ること
ができなら。また５０重量部を超えると画像の基盤への
密着性及び耐熱性が極めて悪くなる。
一般式（Ｉ）〜■で示されるアジド化合物の配合割合は
、良好な画像を得るためには、この重合体１００重量部
に対して、アジド化合物０．１〜５０重量部である。配
合割合がＯ，ｌＸ量部未満であると高い感度を得ること
ができなら。また５０重量部を超えると画像の基盤への
密着性及び耐熱性が極めて悪くなる。
本発明の感光性組成物は、例えば、フェノール骨格を有
するアルカリ可溶の重合体及び一般式（Ｉ）〜（ト）で
示されるアジド化合物を、上記の配合割合で、シクロヘ
キサノンもしくはセロソルブ類またはそれらの混合物等
の溶・剤に溶解させることによシ調製することができる
。
するアルカリ可溶の重合体及び一般式（Ｉ）〜（ト）で
示されるアジド化合物を、上記の配合割合で、シクロヘ
キサノンもしくはセロソルブ類またはそれらの混合物等
の溶・剤に溶解させることによシ調製することができる
。
このようにして得られた感光性組成物を使用し、微細パ
ターンを形成するにはこの感光性組成物をシリコンウェ
ハーなどの被加工物に塗布してまず膜厚０．８〜１，２
μｍ程度のホトレジスト膜を形成させる。これを７０〜
１８０℃において０．５〜１２０分間ホットプレートま
たはオーブンで乾燥後、マスクを使用し、ｇ線（４３ａ
ｎｍ）による縮小投影露光を行う。次いで適当なアルカ
リ溶液によシ該レジストの現像を行ったのち１００〜１
８０℃で１〜６０分間乾燥を行うことによシ所望のパタ
ーンを形成することができる。
ターンを形成するにはこの感光性組成物をシリコンウェ
ハーなどの被加工物に塗布してまず膜厚０．８〜１，２
μｍ程度のホトレジスト膜を形成させる。これを７０〜
１８０℃において０．５〜１２０分間ホットプレートま
たはオーブンで乾燥後、マスクを使用し、ｇ線（４３ａ
ｎｍ）による縮小投影露光を行う。次いで適当なアルカ
リ溶液によシ該レジストの現像を行ったのち１００〜１
８０℃で１〜６０分間乾燥を行うことによシ所望のパタ
ーンを形成することができる。
本発明に係る感光性組成物はその特性として３８０ ｍ
ｍ〜４５０ ｎｍの波長の光の吸収性が非常に高いため
に、ｇ線（４３，６ｍｍ）による縮小投影露光法に用い
るのに適している。また、このように光の吸収性が高い
ので従来の感光性組成物のように基板からの反射光の影
響、あるいは単色光を用いる場合に特に問題となる定在
波などの発生も充分に防ぐことができる。そのために従
来のように二重あるいは三重の構成を有する複雑な層を
形成して反射光等を防ぐ必要等がなくなる。さらにはこ
の高い光の吸収性のために塗布された感光性組成物の表
面層のみが充分に硬化しその下の下方層の硬化が不充分
になるため、断面形状が急峻な像を形成することができ
る結果、より細かいパターンの形成を可能にする。
ｍ〜４５０ ｎｍの波長の光の吸収性が非常に高いため
に、ｇ線（４３，６ｍｍ）による縮小投影露光法に用い
るのに適している。また、このように光の吸収性が高い
ので従来の感光性組成物のように基板からの反射光の影
響、あるいは単色光を用いる場合に特に問題となる定在
波などの発生も充分に防ぐことができる。そのために従
来のように二重あるいは三重の構成を有する複雑な層を
形成して反射光等を防ぐ必要等がなくなる。さらにはこ
の高い光の吸収性のために塗布された感光性組成物の表
面層のみが充分に硬化しその下の下方層の硬化が不充分
になるため、断面形状が急峻な像を形成することができ
る結果、より細かいパターンの形成を可能にする。
本発明の感光性組成物は波長が３８５ ｎｍ〜４５０ｎ
ｍの範囲の光に対する感度及び解像度が高く、またその
波長の光の吸収性が高いため反射光、定在波の発生が起
こりにくい。これよシ本発明の感光性組成物を用いるこ
とで急峻な断面形状の像の形成を行うことができる。
ｍの範囲の光に対する感度及び解像度が高く、またその
波長の光の吸収性が高いため反射光、定在波の発生が起
こりにくい。これよシ本発明の感光性組成物を用いるこ
とで急峻な断面形状の像の形成を行うことができる。
以下、実施例を掲げ本発明を更に詳述する。
実施例１
ポリ（ｐ−ビニルフェノール）（重量平均分子量約８８
００、丸善石油株式会社製、商品名、マルゼン樹脂Ｍ）
２０Ｆ及び４−アジド−４１−メトキシ−α−シアノス
チルベン６ｔをシクロへキサノンＳＯｔに溶解して、フ
ォトレジストを作製した。。
００、丸善石油株式会社製、商品名、マルゼン樹脂Ｍ）
２０Ｆ及び４−アジド−４１−メトキシ−α−シアノス
チルベン６ｔをシクロへキサノンＳＯｔに溶解して、フ
ォトレジストを作製した。。
シリコンウェハーをホットプレートで１５０℃、１時間
加熱した後、常温まで冷まし、それをヘキサメチルジシ
ラザン（ＨＭＤＳ）雰囲気中に３分間放置しておき、そ
の後、そのシリコンウェハー上にスピナーによって７オ
トレジストを塗布し、ホットプレートを用いて９０℃で
２分間乾燥させ１．２μｍの膜を形成した。その後、４
３６ ｎｍの単色光を用いたステッパーによ如露光、テ
トラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ
）＋７）１．８チ水溶液で２０秒間現像しレジストパタ
ーンを形成した。これにより初期膜厚１．２μｍを維持
したまま１．０μｍ −１，０μｍのライン＆スペース
が解像された。またＳｇＭで観察したところ断面が急峻
なプロファイルのものが得られたことが判明したＯ 実施例２ ポリ（ｐ−ビニルフェノール）（重量平均分子量約８８
００）２０ Ｆ及び１−シアノ−１−（４’ニアシトフ
エニル） −４−（４’・−Ｎ、Ｎ−ジメチルアニリン
）−１，３−ブタジェン４Ｆをシクロヘキサノン８０ｆ
に溶解してフォトレジストを作製した０実施例１と同様
にウニ・・−処理、塗布、露光を行いＴＭＡＨ１，５％
水溶液で４０秒間現像したところほぼ実施例１と同様の
良好なパターンが得られたＯ 実施例３ ビニルフェノールとメタクリル酸メチルの共重合体（重
量平均分子量約１００００）２０ ｆ及び次式 で示されるアジド化合物４ｆをシクロヘキサノン８０Ｆ
に溶解してフォトレジストを作製して実施例１と同様の
！！１、を行ったところ、実施例１と同様の１．＆好な
パターンが得られた。
加熱した後、常温まで冷まし、それをヘキサメチルジシ
ラザン（ＨＭＤＳ）雰囲気中に３分間放置しておき、そ
の後、そのシリコンウェハー上にスピナーによって７オ
トレジストを塗布し、ホットプレートを用いて９０℃で
２分間乾燥させ１．２μｍの膜を形成した。その後、４
３６ ｎｍの単色光を用いたステッパーによ如露光、テ
トラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ
）＋７）１．８チ水溶液で２０秒間現像しレジストパタ
ーンを形成した。これにより初期膜厚１．２μｍを維持
したまま１．０μｍ −１，０μｍのライン＆スペース
が解像された。またＳｇＭで観察したところ断面が急峻
なプロファイルのものが得られたことが判明したＯ 実施例２ ポリ（ｐ−ビニルフェノール）（重量平均分子量約８８
００）２０ Ｆ及び１−シアノ−１−（４’ニアシトフ
エニル） −４−（４’・−Ｎ、Ｎ−ジメチルアニリン
）−１，３−ブタジェン４Ｆをシクロヘキサノン８０ｆ
に溶解してフォトレジストを作製した０実施例１と同様
にウニ・・−処理、塗布、露光を行いＴＭＡＨ１，５％
水溶液で４０秒間現像したところほぼ実施例１と同様の
良好なパターンが得られたＯ 実施例３ ビニルフェノールとメタクリル酸メチルの共重合体（重
量平均分子量約１００００）２０ ｆ及び次式 で示されるアジド化合物４ｆをシクロヘキサノン８０Ｆ
に溶解してフォトレジストを作製して実施例１と同様の
！！１、を行ったところ、実施例１と同様の１．＆好な
パターンが得られた。
実施例４
ポリ（ｐ−ビニルフェノール）（重量平均分子量約８８
００）２０ ｆ及び次式 で示されるアジド化合物４？をシクロヘキサノ／８０ｆ
に溶解してフォトレジストを作製し、実施例１と同様の
実験を行ったところ、実施例１と同様の良好なパターン
が得られた。
００）２０ ｆ及び次式 で示されるアジド化合物４？をシクロヘキサノ／８０ｆ
に溶解してフォトレジストを作製し、実施例１と同様の
実験を行ったところ、実施例１と同様の良好なパターン
が得られた。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 フェノール骨格を有するアルカリ可溶性重合体１００重
量部並びに下記の一般式（ I ）、（II）、（III）もし
くは（IV）； ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（II） ▲数式、化学式、表等があります▼（III） ▲数式、化学式、表等があります▼（IV） （但し、式中Ｒ＿１〜Ｒ＿１＿０は同一でも異なってい
てもよく、それぞれ水素原子、ハロゲン原子、アルキル
基、アセチル基、アルコキシ基、アセトキシ基、アリー
ル基、ヒドロキシ基、ハロゲン化アルキル基、シアノア
ルキル基またはアルコキシアルキル基を表わす） で示されるアジド化合物の少なくとも１種０．１〜５０
重量部からなる感光性組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60140167A JPH0644149B2 (ja) | 1985-06-28 | 1985-06-28 | 感光性組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60140167A JPH0644149B2 (ja) | 1985-06-28 | 1985-06-28 | 感光性組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS622249A true JPS622249A (ja) | 1987-01-08 |
| JPH0644149B2 JPH0644149B2 (ja) | 1994-06-08 |
Family
ID=15262440
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60140167A Expired - Fee Related JPH0644149B2 (ja) | 1985-06-28 | 1985-06-28 | 感光性組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0644149B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009203349A (ja) * | 2008-02-28 | 2009-09-10 | Fujifilm Corp | フォトレジスト用化合物、フォトレジスト液、およびこれを用いるエッチング方法 |
| JP2018504496A (ja) * | 2015-01-21 | 2018-02-15 | ランクセス・ドイチュランド・ゲーエムベーハー | 黄色メチン染料 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53130747A (en) * | 1977-04-20 | 1978-11-15 | Oji Paper Co | Photosensitine composition |
-
1985
- 1985-06-28 JP JP60140167A patent/JPH0644149B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53130747A (en) * | 1977-04-20 | 1978-11-15 | Oji Paper Co | Photosensitine composition |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009203349A (ja) * | 2008-02-28 | 2009-09-10 | Fujifilm Corp | フォトレジスト用化合物、フォトレジスト液、およびこれを用いるエッチング方法 |
| JP2018504496A (ja) * | 2015-01-21 | 2018-02-15 | ランクセス・ドイチュランド・ゲーエムベーハー | 黄色メチン染料 |
| US10266697B2 (en) * | 2015-01-21 | 2019-04-23 | Lanxess Deutschland Gmbh | Yellow methine dyes |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0644149B2 (ja) | 1994-06-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA1283799C (en) | Thermally stable polymer images and processes | |
| KR100729995B1 (ko) | 반사방지피복조성물 | |
| US4963463A (en) | Radiation-sensitive resin composition with admixtures of O-quinone diazide and acid esters having nitrobenzyl or cyanobenzyl group | |
| KR0155990B1 (ko) | 근자외선 방사에 의해 고해상도를 나타내는 산 경화 광저항물에 있어서 선택된 광활성 조성물의 사용법 | |
| EP0930543B1 (en) | Dyed photoresists and methods and articles of manufacture comprising same | |
| US6165675A (en) | Isolation of novolak resin by low temperature sub surface forced steam distillation | |
| EP0327991A2 (en) | Radiation sensitive recording material comprising a polysulfone barrier layer | |
| JP3707793B2 (ja) | 光活性化合物 | |
| EP0070624B1 (en) | Novolak resin and a positive photoresist composition containing the same | |
| JP3549882B2 (ja) | ノボラック樹脂混合物 | |
| JPH01289946A (ja) | ポジ型レジスト用組成物 | |
| JPH01289947A (ja) | ポジ型レジスト組成物 | |
| KR100214323B1 (ko) | 광증감제 조성물 | |
| US5853947A (en) | Quinonediazide positive photoresist utilizing mixed solvent consisting essentially of 3-methyl-3-methoxy butanol and propylene glycol alkyl ether acetate | |
| EP1131675A1 (en) | A mixed solvent system for positive photoresists | |
| JPS622249A (ja) | 感光性組成物 | |
| KR100492165B1 (ko) | 불활성블록킹그룹을갖는중합체를함유하는네가티브작용성포토레지스트조성물 | |
| JP3615981B2 (ja) | 感光性樹脂組成物 | |
| JPH022560A (ja) | ポジ型レジスト用組成物 | |
| JPH02254450A (ja) | レジスト | |
| WO1993012468A1 (en) | Polyphosphazene binder resins for photoresists | |
| JPS63161443A (ja) | フオトレジスト組成物 | |
| JP3312341B2 (ja) | ポジ型フォトレジスト組成物 | |
| JPS61151529A (ja) | 感光性組成物 | |
| JP3180339B2 (ja) | 感放射線性樹脂組成物 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |