JPS6267531A - ホトレジスト組成物及びホトレジストパタ−ンの形成方法 - Google Patents
ホトレジスト組成物及びホトレジストパタ−ンの形成方法Info
- Publication number
- JPS6267531A JPS6267531A JP20656685A JP20656685A JPS6267531A JP S6267531 A JPS6267531 A JP S6267531A JP 20656685 A JP20656685 A JP 20656685A JP 20656685 A JP20656685 A JP 20656685A JP S6267531 A JPS6267531 A JP S6267531A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoresist
- general formula
- compd
- photoresist composition
- base plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はホトレジスト組成物及びホトレジストパターン
の形成方法（こ関し、さらに詳しくは共役ジエン系重合
体又はその環化物に、有機溶剤に可溶な光架橋剤および
特定の化合物を配合してなるホトレジスト組成物及びそ
れを用いたホトレジスドパターンの形成方法に関するも
のである。
の形成方法（こ関し、さらに詳しくは共役ジエン系重合
体又はその環化物に、有機溶剤に可溶な光架橋剤および
特定の化合物を配合してなるホトレジスト組成物及びそ
れを用いたホトレジスドパターンの形成方法に関するも
のである。
従来の技術
近年、ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体集積回路の製造技術の進
展は著しく、製造技術のみならず、使用する装置や周辺
材料の改良が強く要求されているが、ホトレジスト分野
においても取扱い性が優れ解像度の高いホトレジスト組
成物が要求されている。
展は著しく、製造技術のみならず、使用する装置や周辺
材料の改良が強く要求されているが、ホトレジスト分野
においても取扱い性が優れ解像度の高いホトレジスト組
成物が要求されている。
現在、ネガ型ホトレジスト組成物として環化ポリイソプ
レン−ジアジド系化合物がこの分野に用いられている。
レン−ジアジド系化合物がこの分野に用いられている。
しかしながら、このホトレジストは、例えばシリコン半
導体素子の製命に用いられる光反射率の高いアルミニウ
ム、フォトマスク用クロムなどの薄膜（以下基板という
］上において解像度が低下するという欠点を有している
。すなわち、露光の際、マスクの透光部を通った光がホ
トレジストを感光させた後、基板で反射して遮光部下に
ある本来露光させたくないホトレジストの領域へ廻り込
み、その部分を感光させる、いわゆるハレーション現象
が生じ、その結果、いわゆる「ひげ」と称する硬化物を
形成しくこの現象を、以下「ひけ」現象ということがあ
る】、解像度が低下する。単純に表現すれば、反射光が
感光させたくないホトレジスト組成物の領域を感光させ
、その結果解像度を低下するのである。
導体素子の製命に用いられる光反射率の高いアルミニウ
ム、フォトマスク用クロムなどの薄膜（以下基板という
］上において解像度が低下するという欠点を有している
。すなわち、露光の際、マスクの透光部を通った光がホ
トレジストを感光させた後、基板で反射して遮光部下に
ある本来露光させたくないホトレジストの領域へ廻り込
み、その部分を感光させる、いわゆるハレーション現象
が生じ、その結果、いわゆる「ひげ」と称する硬化物を
形成しくこの現象を、以下「ひけ」現象ということがあ
る】、解像度が低下する。単純に表現すれば、反射光が
感光させたくないホトレジスト組成物の領域を感光させ
、その結果解像度を低下するのである。
この欠点を改良する目的で、特公昭５１−３７５６２の
方法が提案されている。この方法は吸光性材料をホトレ
ジスト組成物に加えることによりホトレジスト組成物膜
中の光透過性を下げようとするものである。
方法が提案されている。この方法は吸光性材料をホトレ
ジスト組成物に加えることによりホトレジスト組成物膜
中の光透過性を下げようとするものである。
しかしながら、基板に塗布したホトレジスデ組成物は、
残存する溶剤を除去するため、一般に８０〜１００℃で
２０〜４０分程度プリベークされる。この際、上記の吸
光性材料たとえばオイルイエロー（商品名）はホトレジ
スト組成物膜中より揮散してしまうため、ハレーション
防止効果力５処理条件により大きく影響されるという欠
点がある。
残存する溶剤を除去するため、一般に８０〜１００℃で
２０〜４０分程度プリベークされる。この際、上記の吸
光性材料たとえばオイルイエロー（商品名）はホトレジ
スト組成物膜中より揮散してしまうため、ハレーション
防止効果力５処理条件により大きく影響されるという欠
点がある。
さらには、この吸光性材料は揮散の際、塗膜（ことンホ
ールを生ぜしめたり、あるいはホトレジスト組成物と基
板との密着性を低下させたりするため製造時の収率が低
下するという欠点もある。
ールを生ぜしめたり、あるいはホトレジスト組成物と基
板との密着性を低下させたりするため製造時の収率が低
下するという欠点もある。
発明が解決しようとする問題点
本発明者らは、上記の欠点を改良し高い反射率の面を有
する基板を用いた場合でも、プリベーク条件に影響され
ることなく、再現性良く解像度の高い画像を得ることが
でき、しかも基板との密着性の低下がないホトレジスト
組成物及びそれを用いるホトレジストパターンの形成方
法を見出し、本発明に到達した。
する基板を用いた場合でも、プリベーク条件に影響され
ることなく、再現性良く解像度の高い画像を得ることが
でき、しかも基板との密着性の低下がないホトレジスト
組成物及びそれを用いるホトレジストパターンの形成方
法を見出し、本発明に到達した。
問題点を解決するための手段
すなわち、本発明により、共役ジエン系重合体又はその
環化使、有機溶剤に可溶な光架曙剤及び一般式（・Ｉ） の構造を有するピラゾール化合物及び、一般式の構造を
存するベンゾトリアゾール化合物を含育することを特徴
とするホトレジスト組成物、及びこの組成物の溶剤溶液
を基板上警こ塗布し、所定のパターンのマスクを介して
露光を行ない、ホトレジストパターンを形成することを
特徴とするホトレジストパターンの形成法が提供される
。
環化使、有機溶剤に可溶な光架曙剤及び一般式（・Ｉ） の構造を有するピラゾール化合物及び、一般式の構造を
存するベンゾトリアゾール化合物を含育することを特徴
とするホトレジスト組成物、及びこの組成物の溶剤溶液
を基板上警こ塗布し、所定のパターンのマスクを介して
露光を行ない、ホトレジストパターンを形成することを
特徴とするホトレジストパターンの形成法が提供される
。
本発明において用いられる共役ジエン系重合体及びその
環化物は、共役ジエンの単独重合体、共役ジエンとこれ
と共重合可能な車１体との共重合体及びこれらの環化物
から選択される。その代表例として、天然ゴム、ポリイ
ソプレン、イソプレン−スチレン共重合体、ポリブタジ
ェン、及びこれらの環化物が挙げられる。
環化物は、共役ジエンの単独重合体、共役ジエンとこれ
と共重合可能な車１体との共重合体及びこれらの環化物
から選択される。その代表例として、天然ゴム、ポリイ
ソプレン、イソプレン−スチレン共重合体、ポリブタジ
ェン、及びこれらの環化物が挙げられる。
本発明において用いられる有機溶剤としては、ベンゼン
、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素、トリクレン
、パークレン、四塩化炭素、クロルベンゼン、ジクロル
ベンゼン等のハロゲン化炭化７ＪＣ素、及びテトラヒド
ロフラン、シクロヘキサノン等の酸素を有する炭化水素
が代表例として挙げられる。
、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素、トリクレン
、パークレン、四塩化炭素、クロルベンゼン、ジクロル
ベンゼン等のハロゲン化炭化７ＪＣ素、及びテトラヒド
ロフラン、シクロヘキサノン等の酸素を有する炭化水素
が代表例として挙げられる。
本発明において用いられる有廉溶剤に可溶な光架謁剤と
しては、アジド系化合物、例えば４．４′−ジアジドス
チルベン、ｐ−フェニレンビスアジド、４．４’−ジア
ジドベンゾフェノン、４．４’−ジアジドカルコン、２
，６−ビス（４′−アジドベンザル）シクロヘキサノン
、２，６−ビス（４′−アジドベンザル）−４−メチル
シクロヘキサノン、４．４’−ジアジドジフェニル等が
挙げられる。
しては、アジド系化合物、例えば４．４′−ジアジドス
チルベン、ｐ−フェニレンビスアジド、４．４’−ジア
ジドベンゾフェノン、４．４’−ジアジドカルコン、２
，６−ビス（４′−アジドベンザル）シクロヘキサノン
、２，６−ビス（４′−アジドベンザル）−４−メチル
シクロヘキサノン、４．４’−ジアジドジフェニル等が
挙げられる。
本発明誓こおいてハレーション防止剤として用いられる
一般式ＣＩ＋のピラゾール化合物は、前記骨格のとおり
のアゾ基を有するものであれ＆；Ｌ＆１ずれの置換基を
有するものであってもよいが、一般式（Ｉｌを で示せば、式中のＲ１１Ｒ２，Ｒ３＋ Ｒ４は水素、ハ
ロゲン、水酸基、ニトロ基、１〜３級アミノ基。
一般式ＣＩ＋のピラゾール化合物は、前記骨格のとおり
のアゾ基を有するものであれ＆；Ｌ＆１ずれの置換基を
有するものであってもよいが、一般式（Ｉｌを で示せば、式中のＲ１１Ｒ２，Ｒ３＋ Ｒ４は水素、ハ
ロゲン、水酸基、ニトロ基、１〜３級アミノ基。
アルキル基、アルコキシ基、アリール基、および置換ア
リール基などから選択される。好ましくはＲ１：アルキ
ル基、アリール基、置換アリール基、Ｒ２：水素、アル
キル基、Ｒ３ニアリール基、置換（特にハロゲン又はニ
トロ置換）アリール基、Ｒ４：水素または水酸基である
。
リール基などから選択される。好ましくはＲ１：アルキ
ル基、アリール基、置換アリール基、Ｒ２：水素、アル
キル基、Ｒ３ニアリール基、置換（特にハロゲン又はニ
トロ置換）アリール基、Ｒ４：水素または水酸基である
。
上記ピラゾール化合物の具体例としでは、５−メチル−
１−フェニル−４−フェニルアゾピラゾール、５−エチ
ル−３−メチル−１−フェニル−４−フェニルアゾピラ
ゾール、３，５−ジメチル−１−フェニル−４−（２，
５−ジクロロフェニルアゾ］ピラゾール、１−フェニル
−４−フェニルアゾ−５−オキシピラゾール、３メチル
−１−フェニル−４−フェニルアゾ−５−オキシピラゾ
ール、１−フェニル−４−（２、５−ジクロロフェニル
アゾ）−５−オキシピラゾール、１−エチル−３−メチ
ル−４−（４−クロロ−２−メチルフェニルアゾクー５
−オキシピラゾール、３−メチル−１−ｐ−トリル−４
−（２−メトキシ−４−ニトロフェニルアゾ）−５−オ
キシピラゾール、３−エチル−１−フェニル−４−（４
−メトキシ−２−ニトロフェニルアゾ）−５−オキシピ
ラゾール、３−メチル−１−フェニル−４−（２、４。
１−フェニル−４−フェニルアゾピラゾール、５−エチ
ル−３−メチル−１−フェニル−４−フェニルアゾピラ
ゾール、３，５−ジメチル−１−フェニル−４−（２，
５−ジクロロフェニルアゾ］ピラゾール、１−フェニル
−４−フェニルアゾ−５−オキシピラゾール、３メチル
−１−フェニル−４−フェニルアゾ−５−オキシピラゾ
ール、１−フェニル−４−（２、５−ジクロロフェニル
アゾ）−５−オキシピラゾール、１−エチル−３−メチ
ル−４−（４−クロロ−２−メチルフェニルアゾクー５
−オキシピラゾール、３−メチル−１−ｐ−トリル−４
−（２−メトキシ−４−ニトロフェニルアゾ）−５−オ
キシピラゾール、３−エチル−１−フェニル−４−（４
−メトキシ−２−ニトロフェニルアゾ）−５−オキシピ
ラゾール、３−メチル−１−フェニル−４−（２、４。
５−トリクロロフェニルアゾ）−５−オキシピラゾール
、３−メチル−１−フェニル−４−（４−クロロ−２−
二トロフェニルアゾ］−５−オキシピラゾール、１−ｐ
−ジメチルアミノフェニル−３−メチル−４−フェニル
アゾ−５−オキシピラゾール、１−ｐ−ジメチルアミノ
フェニル−３−メチル−４−Ｃ４−メチル−２−クロロ
フェニルアゾ）−５−オキシピラゾール、１−ｐ−ジメ
チルアミノフェニル−３−メチル−４−（４−メチル−
２−ニトロフェニルアゾ）−５−オキシピラゾールなど
が挙げられる。
、３−メチル−１−フェニル−４−（４−クロロ−２−
二トロフェニルアゾ］−５−オキシピラゾール、１−ｐ
−ジメチルアミノフェニル−３−メチル−４−フェニル
アゾ−５−オキシピラゾール、１−ｐ−ジメチルアミノ
フェニル−３−メチル−４−Ｃ４−メチル−２−クロロ
フェニルアゾ）−５−オキシピラゾール、１−ｐ−ジメ
チルアミノフェニル−３−メチル−４−（４−メチル−
２−ニトロフェニルアゾ）−５−オキシピラゾールなど
が挙げられる。
これらの一般式ＣＩｌ ’Ｃ’示されるピラゾール化合
物を共役ジエン系重合体又はその環化物１００重量部に
対し通常は１６０〜１００重澁部好ましくは１．０−
＆ ０重ｆｆｉ部添加する。添加１が１．０重量部未満
ではハレーション防止効果が充分でなく、１００重量部
を超えるとホトレジスト膜と基板との密着性を低下させ
たりするため好ましくない。
物を共役ジエン系重合体又はその環化物１００重量部に
対し通常は１６０〜１００重澁部好ましくは１．０−
＆ ０重ｆｆｉ部添加する。添加１が１．０重量部未満
ではハレーション防止効果が充分でなく、１００重量部
を超えるとホトレジスト膜と基板との密着性を低下させ
たりするため好ましくない。
他方、本発明においてハレーション防止剤として用いら
れる一般式（Ｍｌ のベンゾトリアゾール化合物は、い
ずれの置換基を存するもの′Ｃあってもよいが、一般式
（１１を で示せば、式中のＲ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４は、水素。
れる一般式（Ｍｌ のベンゾトリアゾール化合物は、い
ずれの置換基を存するもの′Ｃあってもよいが、一般式
（１１を で示せば、式中のＲ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４は、水素。
アルキル基、アリール基、アラルキル基、アルサニル基
、アルコキシ基、ニトロ基、ハロゲン基などから選択さ
れる。
、アルコキシ基、ニトロ基、ハロゲン基などから選択さ
れる。
上記ベンゾトリアゾール化合物の具体例としては、２−
（２−ヒドロキシフェニル）〜５−クロロベンゾトリア
ゾール、２−（２−ヒドロキシフェニル）−５−ブロモ
ベンゾトリアゾール、２−（２−ヒドロキシ−３，５−
ジ−ｔ−ブチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−（
２−ヒドロキシ−３−ｔ−ブチル−５−メチルフェニル
Ｊベンゾトリアゾール、２−（２−ヒドロキシ−３，５
−ジ−ｔ−ブチルフェニル）−５−クロロベンゾトリア
ゾール、２−（２−ヒドロキシ−５−ｔ−オクチルフェ
ニル）ベンゾトリアゾール、２−（２−ヒドロキシ−３
，５−ジーｔ−アミノフェニル］ベンゾトリアゾール、
２−（２−ヒドロキシ−フェニルｊ−５−フェニルベン
ゾトリアゾール、２−（２−ヒドロキシ−５−メチルフ
ェニル）−５−メトキシベンゾトリアゾール、２〜（２
−ヒドロキシ−５−メチルフエニＪし）−４−ニトロベ
ンゾトリアゾール、２−（２−ヒト。
（２−ヒドロキシフェニル）〜５−クロロベンゾトリア
ゾール、２−（２−ヒドロキシフェニル）−５−ブロモ
ベンゾトリアゾール、２−（２−ヒドロキシ−３，５−
ジ−ｔ−ブチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−（
２−ヒドロキシ−３−ｔ−ブチル−５−メチルフェニル
Ｊベンゾトリアゾール、２−（２−ヒドロキシ−３，５
−ジ−ｔ−ブチルフェニル）−５−クロロベンゾトリア
ゾール、２−（２−ヒドロキシ−５−ｔ−オクチルフェ
ニル）ベンゾトリアゾール、２−（２−ヒドロキシ−３
，５−ジーｔ−アミノフェニル］ベンゾトリアゾール、
２−（２−ヒドロキシ−フェニルｊ−５−フェニルベン
ゾトリアゾール、２−（２−ヒドロキシ−５−メチルフ
ェニル）−５−メトキシベンゾトリアゾール、２〜（２
−ヒドロキシ−５−メチルフエニＪし）−４−ニトロベ
ンゾトリアゾール、２−（２−ヒト。
キシ−４−フロロフェニル］−５−メチル−６−ニトロ
ベンゾトリアゾールなどが挙げられる。
ベンゾトリアゾールなどが挙げられる。
これら一般式（ＩＩ で示、されるベンゾトリアゾー
ル化合物を共役ジエン系重合体又はその環化物１００重
量部に対して通常は１．０〜１α０重量部、好ましくは
１．０〜＆０重量部添加する。添加量が１．０重量部未
淘ではハレーション防止効果が充分でなく、１００重量
部を超えるとホトレジスト膜と基板との密着性を低下さ
せたりするために好ましくない。
ル化合物を共役ジエン系重合体又はその環化物１００重
量部に対して通常は１．０〜１α０重量部、好ましくは
１．０〜＆０重量部添加する。添加量が１．０重量部未
淘ではハレーション防止効果が充分でなく、１００重量
部を超えるとホトレジスト膜と基板との密着性を低下さ
せたりするために好ましくない。
本発明においては、一般式（Ｎ で示されるピラゾール
化合物と一般式（Ｉ［Ｊ で示されるベンゾトリアゾー
ル化合物とを重量比１：５ないし５：１の１合で組み合
せて甫いることにより、現像時の密着性を低下させるこ
となく、優れたハレーション防止効果を発揮させること
ができる。
化合物と一般式（Ｉ［Ｊ で示されるベンゾトリアゾー
ル化合物とを重量比１：５ないし５：１の１合で組み合
せて甫いることにより、現像時の密着性を低下させるこ
となく、優れたハレーション防止効果を発揮させること
ができる。
本発明の組成物は、必要により安定剤を含有することが
できる。
できる。
本発明のホトレジスト組成物を用いたパターンの形成は
、通常の方法によって行なわれる。すなわち、ホトレジ
スト組成物を溶剤溶液として基板上に塗布して被膜とし
たのち、所定のパターンのマスクを介して露光を行ない
、現像、リンス工程を経てホトレジストパターンを形成
する。
、通常の方法によって行なわれる。すなわち、ホトレジ
スト組成物を溶剤溶液として基板上に塗布して被膜とし
たのち、所定のパターンのマスクを介して露光を行ない
、現像、リンス工程を経てホトレジストパターンを形成
する。
発明の効果
本発明に係るホトレジスト組成物を用いることにより、
段差構造を有する反射率の高いアルミニウムやクロム等
の基板上で、プリベーク条件によって大きく影響される
ことなく、シかもピンホールの発生や密着性の低下を生
じることなく、再現性よく、ハレーションによる解像度
の低下を防止できる。
段差構造を有する反射率の高いアルミニウムやクロム等
の基板上で、プリベーク条件によって大きく影響される
ことなく、シかもピンホールの発生や密着性の低下を生
じることなく、再現性よく、ハレーションによる解像度
の低下を防止できる。
実施例
次に、実施例により、本発明をさらに詳しく説明する。
実施例 Ｉ
Ｌｉ触媒を用いて蒋られたシス−１，４−ポリイソプレ
ンの環化物（分子量１５万、環化未反応イソプレン分率
２５％２１２ｇをキシレン８８ｇに溶解し、光架鵬剤と
して２．６−ビス（４′−アジドベンザルクー４−メチ
ルシクロヘキサノン０３６ｇ、安定剤として２，２′−
メチレンビス（４′−メチル−６−を−ブチル）フェノ
ール０１２ｇを加えたホトレジスト基剤にハレーション
防止剤として、１″′フェニル−４−（２，５−ジクロ
ロフェニルアゾ）−５−オキシピラゾール及び２−（２
−ヒドロキシ−３，５−ジ−ｔ−アミノフェニル）ベン
ゾトリアゾールを所定量加え、ホトレジスト組成物を調
製した。
ンの環化物（分子量１５万、環化未反応イソプレン分率
２５％２１２ｇをキシレン８８ｇに溶解し、光架鵬剤と
して２．６−ビス（４′−アジドベンザルクー４−メチ
ルシクロヘキサノン０３６ｇ、安定剤として２，２′−
メチレンビス（４′−メチル−６−を−ブチル）フェノ
ール０１２ｇを加えたホトレジスト基剤にハレーション
防止剤として、１″′フェニル−４−（２，５−ジクロ
ロフェニルアゾ）−５−オキシピラゾール及び２−（２
−ヒドロキシ−３，５−ジ−ｔ−アミノフェニル）ベン
ゾトリアゾールを所定量加え、ホトレジスト組成物を調
製した。
これをシリコン基板上に形成されたアルミニウム薄膜上
に塗布し、温度８５℃で２０分間プリベークし、膜厚１
μｍのホトレジスト被膜を形成した。
に塗布し、温度８５℃で２０分間プリベークし、膜厚１
μｍのホトレジスト被膜を形成した。
これを解像度テストパターンの形成されたフォトマスク
を介し、２００Ｗの高圧水銀灯を備えた露光装！（キャ
ノン社製Ｐ Ｌ Ａ −５０１ＡＪを用いて所定時間露
光してｎ−へブタン系現像液に１分間浸漬して現像し、
次いで酢酸ｎ−ブチルエステルで１分間リンスした。得
られたレジストパターンを４００倍の光学顕微鏡で観察
し、解像度を求めた。結果を第１表に示す。
を介し、２００Ｗの高圧水銀灯を備えた露光装！（キャ
ノン社製Ｐ Ｌ Ａ −５０１ＡＪを用いて所定時間露
光してｎ−へブタン系現像液に１分間浸漬して現像し、
次いで酢酸ｎ−ブチルエステルで１分間リンスした。得
られたレジストパターンを４００倍の光学顕微鏡で観察
し、解像度を求めた。結果を第１表に示す。
なお、露光時間は、予め残膜率曲線から各々のレジスト
組放物ごとに感度として求めておき、その時間（光架鵬
反応が充分に生じる時間）の３倍としだ。
組放物ごとに感度として求めておき、その時間（光架鵬
反応が充分に生じる時間）の３倍としだ。
実五例 ２
実施例１と同じレジスト基剤に
５−メチル−１−フェニル−４−フェニルアゾピラゾー
ル （Ａ１３−メチル−１−フ
ェニル−４−フェニルアゾピラゾール
（Ｂ）から選ばれた一般式（ＩＩ で示される
ピラゾール化合物と、 ２（２−ヒドロキシ−３−ｔ−ブチル−５−メチルフエ
ニル）−５−クロロベンゾトリアゾール（Ｃ１２（２−
ヒドロキシ−３，５−ジ−ｔ−ブチルフェニル）−ジク
ロロベンゾトリアゾール （ＤＩから選ばれた一般式
（Ｉｌｌ で示されるベンゾトリアゾール化合物とを
第２表に示す量で配合してホトレジスト組成物を調製し
た。
ル （Ａ１３−メチル−１−フ
ェニル−４−フェニルアゾピラゾール
（Ｂ）から選ばれた一般式（ＩＩ で示される
ピラゾール化合物と、 ２（２−ヒドロキシ−３−ｔ−ブチル−５−メチルフエ
ニル）−５−クロロベンゾトリアゾール（Ｃ１２（２−
ヒドロキシ−３，５−ジ−ｔ−ブチルフェニル）−ジク
ロロベンゾトリアゾール （ＤＩから選ばれた一般式
（Ｉｌｌ で示されるベンゾトリアゾール化合物とを
第２表に示す量で配合してホトレジスト組成物を調製し
た。
このよう（こして得たホトレジスト組成物を実施例１と
同様に処理し、得られた画像を観察し、第２表の結果を
得た。
同様に処理し、得られた画像を観察し、第２表の結果を
得た。
第２表に示す如く、一般式ＣＩ＋ で示されるピラゾー
ル化合物及び、一般式（１１ｒ示されるベンゾトリアゾ
ール化合物を添加することにより、ハレーション防止効
果が大きくなることがわかる。
ル化合物及び、一般式（１１ｒ示されるベンゾトリアゾ
ール化合物を添加することにより、ハレーション防止効
果が大きくなることがわかる。
すたわち、本発明例のいずれの場合においても一般式（
Ｉｌの化合物又は一般式（Ｉｌｌの化合物の一方のみを
添加した場合及び、両方とも添加しない場合に比べ、微
細な線幅まで解像されており、かつ「ひげ」現象を生じ
ていない、従って本発明におけるハレーション防止剤を
添加することにより、反射率の大きいアルミニウム基板
においても解像度が顕著に向上することがわかる。
Ｉｌの化合物又は一般式（Ｉｌｌの化合物の一方のみを
添加した場合及び、両方とも添加しない場合に比べ、微
細な線幅まで解像されており、かつ「ひげ」現象を生じ
ていない、従って本発明におけるハレーション防止剤を
添加することにより、反射率の大きいアルミニウム基板
においても解像度が顕著に向上することがわかる。
第１表
第２表
特許出願人 日本ゼオン株式会社
同 富士通株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、共役ジエン系重合体又はその環化物、有機溶剤に可
溶な光架橋剤、一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） の構造を育する化合物及び一般式（II） ▲数式、化学式、表等があります▼（II） の構造を有する化合物を含有してなることを特徴とする
ホトレジスト組成物。 ２、共役ジエン系重合体又はその環化物、有機溶剤に可
溶な光架橋剤、一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） の構造を有する化合物及び一般式（II） ▲数式、化学式、表等があります▼（II） の構造を有する化合物を含有する組成物の溶剤溶液を基
板上に塗布し、所定のパターンのマスクを介して露光を
行ない、ホトレジストパターンを形成することを特徴と
するホトレジストパターンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20656685A JPS6267531A (ja) | 1985-09-20 | 1985-09-20 | ホトレジスト組成物及びホトレジストパタ−ンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20656685A JPS6267531A (ja) | 1985-09-20 | 1985-09-20 | ホトレジスト組成物及びホトレジストパタ−ンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6267531A true JPS6267531A (ja) | 1987-03-27 |
Family
ID=16525512
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20656685A Pending JPS6267531A (ja) | 1985-09-20 | 1985-09-20 | ホトレジスト組成物及びホトレジストパタ−ンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6267531A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63161443A (ja) * | 1986-12-24 | 1988-07-05 | Sumitomo Chem Co Ltd | フオトレジスト組成物 |
| JPH01241546A (ja) * | 1988-03-23 | 1989-09-26 | Hitachi Chem Co Ltd | 感光性樹脂組成物 |
| JPH0432847A (ja) * | 1990-05-30 | 1992-02-04 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 新規ポジ型感光性組成物 |
| CN1091072C (zh) * | 1995-11-14 | 2002-09-18 | 大阪瓦斯株式会社 | 一种双层碳材料、其制备方法以及用该材料的锂蓄电池 |
-
1985
- 1985-09-20 JP JP20656685A patent/JPS6267531A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63161443A (ja) * | 1986-12-24 | 1988-07-05 | Sumitomo Chem Co Ltd | フオトレジスト組成物 |
| JPH01241546A (ja) * | 1988-03-23 | 1989-09-26 | Hitachi Chem Co Ltd | 感光性樹脂組成物 |
| JPH0432847A (ja) * | 1990-05-30 | 1992-02-04 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 新規ポジ型感光性組成物 |
| CN1091072C (zh) * | 1995-11-14 | 2002-09-18 | 大阪瓦斯株式会社 | 一种双层碳材料、其制备方法以及用该材料的锂蓄电池 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4268603A (en) | Photoresist compositions | |
| CN101617272A (zh) | 用于黑矩阵的光敏树脂组合物、由该组合物制备的黑矩阵和包括该黑矩阵的液晶显示器 | |
| US6436605B1 (en) | Plasma resistant composition and use thereof | |
| US4654292A (en) | Photoresist composition containing a pyrazole compound anti-halation agent | |
| US4407927A (en) | Photoresist composition | |
| JPS6186749A (ja) | ホトレジストパターンの製造法 | |
| EP0188230B1 (en) | Photolithographic stripping method | |
| JP2638887B2 (ja) | 感光性組成物 | |
| US5716753A (en) | Positive-working quinone diazide resist composition containing organic phosphoric compound and an amine and process for the formation of fine pattern using same | |
| JPS6267531A (ja) | ホトレジスト組成物及びホトレジストパタ−ンの形成方法 | |
| TW201925362A (zh) | 用於製造著色劑組成物的方法、使用其製備著色劑組成物、著色劑分散液、感光性樹脂組成物、彩色濾光片及液晶顯示器 | |
| JPH09166871A (ja) | フォトレジスト組成物 | |
| US4287289A (en) | Photoresist cyclized rubber and bisazide compositions containing a monoazo photoextinction agent | |
| JPS6267532A (ja) | ホトレジスト組成物及びホトレジストパタ−ンの形成法 | |
| JPS629345A (ja) | ホトレジスト組成物及びホトレジストパタ−ンの形成方法 | |
| JPS59214847A (ja) | フオトレジスト組成物 | |
| JPS6230241A (ja) | ホトレジスト組成物 | |
| JPH0829987A (ja) | ポジ型シリコーンレジスト材料 | |
| JP2636395B2 (ja) | フォトレジスト組成物 | |
| JPS6365142B2 (ja) | ||
| JPS63161443A (ja) | フオトレジスト組成物 | |
| JPS6198344A (ja) | 新規なフオトレジスト組成物 | |
| JPH01293338A (ja) | ネガ型フォトレジスト組成物 | |
| JPS61109049A (ja) | 新規なフオトレジスト組成物 | |
| JPS63159839A (ja) | 新規なフオトレジスト組成物 |