JPH01241546A - 感光性樹脂組成物 - Google Patents

感光性樹脂組成物

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JPH01241546A
JPH01241546A JP63068465A JP6846588A JPH01241546A JP H01241546 A JPH01241546 A JP H01241546A JP 63068465 A JP63068465 A JP 63068465A JP 6846588 A JP6846588 A JP 6846588A JP H01241546 A JPH01241546 A JP H01241546A
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    • G03C1/72Photosensitive compositions not covered by the groups G03C1/005 - G03C1/705
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、紫外線に吸収の強いポジ型感光性樹脂組成物
に関する。
(従来の技術) 半導体素子などの微細加工技術としてはポジ型感光性樹
脂組成物を用いてg線(436nmの光)縮小投影露光
装置によるパターン形成が広く用いられている。感光性
樹脂の解像度を高める手法としては感光性樹脂の改良も
あるが露光装置の改良としてはレンズの開口数を上げる
ことや露光波長の短波長がある。露光波長と解像度との
関係は比例関係にあシ2g線t−i線・(365nmの
光)へ変更することによって解像度は16%程向上する
またさらに短波長化し250 nm付近の光を使用する
露光装置も現在開発中であるが、完成までには未だ時間
がかかる。そこでi線露光装置が注目されておシ、用い
る感光性樹脂としてはノボラック樹脂と1.2−ナフト
キノン−(2)−ジアジド−スルホン酸エステルからな
る感光剤とから作られたものが使用される。
感光性樹脂は2通常シリコン酸化膜やシリコン酸化膜上
で用いられるがアルミニウム膜などの光反射率の高い基
板上などでは9反射光のためにパターンの細シが見られ
る問題がある。
本発明者らは1線において基板上からの光反射の少ない
感光性樹脂組成を見い出し1本発明を完成した。
(発明が解決しようとする課題) 本発明は、光吸収性の強いポジ型感光性樹脂組成物を提
供することを目的とする。
(課題を解決するための手段) 本発明は、アルカリ水溶液可溶性ノボラック樹脂囚、没
食子酸エステル、トリヒドロキシベンゾフェノン、テト
ラヒドロキシベンゾフエノンマタはこれらの混合物(以
下ポリヒドロキシ化合物とする)と1.2−ナフトキノ
ン−(2)−ジアジド−5−スルホニ・ルクロライドま
たは1.2−ナフトキノン−(21−ジアジド−4−ス
ルホニルクロライドとを反応させた感光削出)および下
記の一般式(I)で示される紫外線吸収剤FC+を含有
しく5)およびCB)を100重量部として囚と(B)
との割合をtAJ/(B)=90〜71/10〜29(
重量比)とし、(A)および(B)のZo。
重量部に対して(C)を0.1〜10重量部の範囲とし
てなる感光性樹脂組成物に関する。
RI   R4 (ここでRoはHまたはCnH2n+x  (”は1〜
10の整数)、R2はHまたはCKH2x+l(Kは1
〜10の整数)、R3はHlたはハロゲン原子を表わし
R1と山は同一でも異なってもよい) 本発明に使用するアルカリ水溶液可溶性ノボラック樹脂
囚は、アルカリ水溶液である水酸化ナトリウム、水酸化
カリウム、水酸化テトラメチルアンモニウム、コリン等
の5重量多以下の水溶液に可溶とされる。ノボラック樹
脂は、フェノール。
クレゾール、キシレノールなどのフェノール類とホルム
アルデヒドとの縮合樹脂である。ノボラック樹脂は、耐
熱性9合成の上から軟化温度が135〜165℃の範囲
であることが好ましい。ノボラック樹脂の軟化温度の調
整は公知の方法によって行なうことができる。なお軟化
温度とはJIS K2207に基づく測定による温度で
ある。ノボラック樹脂は9例えば塩酸、しゆう酸等の触
媒の存在下でフェノール類とホルムアルデヒドとを60
〜120℃の温度で数時間反応させた後、水分および未
反応フェノール類を減圧下で加熱して除去することによ
り合成することができる。
本発明に用いる感光剤(B)は、ポリヒドロキシ化合物
と1,2−ナフトキノン−(2)−ジアジド−5−スル
ホニルクロライドまたは1.2−ナフトキノン−(2)
−ジアジド−4−スルホニルクロライ)°とを。
ジオキサン、テトラヒドロフラン、アセトン、メチルエ
チルケトン、水、セロソルブ等の溶媒に溶かし9反応の
促進のために塩基性触媒を用いて合成される。
上記塩基性触媒としては、炭酸す) IJウム、炭酸カ
リウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の無機塩
基やトリエチルアミン、トリエタノールアミン、ジエチ
ルアミン等の有機塩基が通常用いられる。
合成温度には特に制限はないが、主生成物の安定性1反
応速度等の点から、0〜40℃が好ましい。また合成反
応は、黄色光下または赤色光下で行なうことが好ましい
ポリヒドロキシ化合物と1.2−ナフトキノン−(2)
−ジアジド−5−スルホニルクロライドまたは1.2−
ナフトキノン−[21−ジアジド−4−スルホニルクロ
ライドとの反応の割合は9通常、ポリヒドロキシ化合物
1モル当り1.2−ナフトキノン−(2)−)7シドー
5−スルホニルクロライドをL5〜4モルとされる。
本発明に用いる紫外線吸収剤(C)は、上記の一般式[
1)で示される化合物が用いられるがその例としてハ、
2−(2’−ヒドロキシ−5′−メチルフェニ、+1/
) −ベンゾトリアゾール、2−(2’−ヒドロキシ−
3,5′−ジt−ブチルフェニル)−5−クロロベンツ
トリアゾール、2−(2’−ヒドロキシ−3′−t−ブ
チル−5′−メチルフェニル)−5−クロロベンゾトリ
アゾール、2−(2’−ヒドロキシー工5′−ジーt−
7ミルフエニル)−ベンツトリアゾール、2−(2’−
ヒドロキシ−x5′−ジ−t−ブチルフェニル)−ベン
ゾトリアゾール、  2−(Z’−ヒドロキシ−5′−
1−ブチルフェニル)−ベンゾトリアゾール、2−(2
’−ヒドロキシ−5′−1−オクチルフェニル)−ベン
ゾトリアゾールなどがあげられる。これらは、チバ・ガ
イギー社、シプロ化成■などKよって市場に提供されて
いる。
前記のアルカリ水溶液可溶性ノボラック樹脂(A)、感
光剤I3)、および紫外線吸収剤(C1の混合割合は(
A)および(Blを100重量部として(A)とCB)
との割合を囚/(B)=90〜71/10〜29(重量
比)とし。
(3)および(8)の100重量部に対して(C1をα
1〜10重量部の範囲とする必要がある。アルカリ水溶
液可溶性ノボラック樹脂(3)が90重量比よプも多く
感光剤(I3)が10重責比よりも少ないと現像時にお
いて残減りが多く、(A)が71重量比よシも少なく。
(B)が29重量比よりも多いと感度が低下する。−方
(C)が0.1重量比よシも少ないと紫外線の吸収の効
果が少なく、1oii量比よりも多いと、溶媒に対する
溶解性が不足する。
また本発明になる感光性樹脂組成物は更に溶剤を含んで
もよい。
本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、溶剤に溶解した状
態で、シリコン、アルミ、石英、ガラス等の基板表面に
塗布される。この際使用する溶剤としては2例えばアセ
トン、メチルエチルケトン。
メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン
系溶剤、トルエン、キシレン等の芳香族系溶剤、メチル
セロソルブ、メチルセロソルブアセテート、エチルセロ
ソルブアセテート等のセロソルブ系溶剤、酢酸エチル、
酢酸ブチル、酢酸イソアミル等のエステル系溶剤、メタ
ノール、エタノール、プロパツール等のアルコール系溶
液等がある。これらの溶剤は単独でまたは2種以上混合
して用いられる。
本発明になる感光性樹脂組成物において、感光剤が光化
学的に分解し9分解後アルカリ水溶液に可溶となる。光
化学的な分解は水銀灯等の照射等。
公矧の手段により行なわれる。上記アルカリ水溶液とし
ては9例えば水酸化す) IJウム、水酸化カリウム、
水酸化テトラメチルアンモニウム、コリン等の5重量%
以下の水溶液が用いられる。
本発明になる感光性樹脂組成物は、目的に応じて、副次
的な成分を含有していてもよい。これらの例としては9
例えば貯蔵安定性を図るための熱重合防止剤、基板との
密着剤を向上させるための密着性向上剤等が挙げられる
(実施例) 本発明の詳細な説明する。
実施例1 メタクレゾール/バラクレゾールが9重量比で55/4
5の軟化温度が150℃であるクレゾールノボラック樹
脂(以下(A−1)とする)20重量部及び没食子酸メ
チル1モルと1.2−ナフトキノン−(21−ジアジド
−5−スルホニルクロライド25モルを反応させた感光
剤(以下(B−1)とする)6重量部およびシブロ化成
■製2−(τ−ヒドロキシー51−メチルフェニル)−
ベンツトリアゾール0.52重量部をエチルセロソルブ
アセテート74重量部に溶解させ、感光性樹脂組成物を
調整した。
得られた組成物を2石英基板上に3000 rpffl
で30秒間回転塗布し、90℃で20分間乾燥して、厚
さ1μmの感光膜を得た。
次いで上記基板について■日立製作所製スペクトロホト
メータを用いて波長365 nmでの透過率を測定した
ところ18チと低く9強い吸収が得られた。
また上記組成物を同一条件でアルミニウム膜付きシリコ
ンウェーハ上に塗布し、■日立製作所製露光装置LD−
5010iを用いて、フォトマスクを介して700ミリ
秒で露光し、238重t%のテトラメチルアンモニウム
水溶液(以下現像液(I)とする)で23℃で60秒間
現漬し、脱イオン水で60秒間リンスした所、線幅が0
.7μmのパターンが得られた。
実施例2 メタクレゾール/パラゾールが9重量比で6゜/40の
軟化温度が155℃であるクレゾールノボラック樹脂(
以下(A−2)とする)20重量部、2,3.4−)リ
ヒドロキシベンゾフェノン1モルと1,2−ナフトキノ
ン−(2)−ジアジド−5−スルホニルクロライド3モ
ルを反応させて得た感光剤(以下(B−2)とする)5
.5重量部および2−(2′−ヒドロキシ−5′−1−
ブチルフェニル)−ヘンシトリアゾール0.77重量部
を、エチルセロソルブアセテ−トチ4重景部に溶解させ
、上記実施例1と同様にして、厚さ1μmの感光膜を得
た。
次いで、上記基板について実施例1と同様にして波長3
65 nmでの透過率を測定したところ17俤と低く2
強い吸収が得られた。
実施例3 クレゾールノボラック樹脂として実施例1で得た(A−
1’)を20ii部、  2.3.4.4’ −f )
 ラヒドロキシペンゾフエノン1モルと1.2−ナフト
キノン−(21−ジアジド−5−ヌルホニルクロライド
a3モルを反応させて得た感光剤(以下(B−3)とす
る)5.5重量部および日本サイアナミツド■製2− 
(2’−ヒドロキシ−5′−1−オクチルフェニル)−
ベンゾトリアゾール1.0重量部をエチルセロソルブア
セテート75重量部に溶解させ実施例1と同様にして厚
さ1μmの感光膜を得た。
この基板について実施例1と同様にして波長365 n
mでの透過率を測定したところ12チと低く強い吸収が
得られた。
比較例1 実施例1において2−(2’−ヒドロキシ−5′−メチ
ルフェニル)−ベンゾ) IJアゾールを除いた感光性
樹脂組成物を調整し9石英基板上に1μm厚に塗布し、
感光膜を得た。この基板について実施例1と同様にして
波長365 nmでの透過率を測定したところ25チで
あった。
比較例2 実施例2において2−(2’−ヒドロキシ−5′−1−
ブチルフェニル)−ベンゾトリアゾールヲ除き、同様に
塗膜を作製した後、実施例1と同様にして波長3651
mでの透過率を測定したところ25チであった。
比較例3 実施例3において2−(2’−ヒドロキシ−5′−1−
オクチルフェニル)−ベンゾトリアゾールを除いた感光
性樹脂組成物を作製し、同様に1μmの塗膜を作製し、
実施例と同様にして波長365nmでの透過率を測定し
たところ24%であった。
(発明の効果) 本発明になる感光性樹脂組成物はi線(波長365nm
)に対する吸収が強く、基板上からの光反射の少ない効
果があシ、写真工業、印刷工業。
電子工業等の分野に広く使用することが可能である。
手続補正書(自発)

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、アルカリ水溶液可溶性ノボラック樹脂(A)、没食
    子酸エステル、トリヒドロキシベンゾフェノン、テトラ
    ヒドロキシベンゾフエノンまたはこれらの混合物と1,
    2−ナフトキノン−(2)−ジアジド−5−スルホニル
    クロライドまたは1,2−ナフトキノン−(2)−ジア
    ジド−4−スルホニルクロライドとを反応させた感光剤
    (B)および下記の一般式( I )で示される紫外線吸
    収剤(C)を含有し(A)および(B)を100重量部
    として(A)と(B)との割合を(A)/(B)=90
    〜71/10〜29(重量比)とし、(A)および(B
    )の100重量部に対して(C)を0.1〜10重量部
    の範囲としてなる感光性樹脂組成物。 ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (ここでR_1はHまたはCnH_2_n_+_1(n
    は1〜10の整数)、R_2はHまたはC_kH_2_
    k_+_1(kは1〜10の整数)、R_3はHまたは
    ハロゲン原子を表わし、R_1とR_2は同一でも異な
    つてもよい。)
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US07/326,740 US5215858A (en) 1988-03-23 1989-03-21 Photosensitive resin composition and pattern formation using the same
KR1019890003679A KR910005873B1 (ko) 1988-03-23 1989-03-23 감광성 수지 조성물 및 이를 사용한 패턴 형성법
US07/970,031 US5314783A (en) 1988-03-23 1992-11-02 Photosensitive quinone diazide and resin composition having high absorbency for a wavelength of 365 nm containing a benzotriazole ultraviolet absorbing compound

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05341509A (ja) * 1992-06-04 1993-12-24 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型フオトレジスト組成物

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3839906A1 (de) * 1987-11-27 1989-06-08 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Positiv arbeitende lichtempfindliche zusammensetzung, verfahren zu ihrer herstellung und ihre verwendung
JP2622267B2 (ja) * 1988-03-23 1997-06-18 日立化成工業株式会社 感光性樹脂組成物
KR970011972A (ko) * 1995-08-11 1997-03-29 쯔지 하루오 투과형 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
US5719004A (en) * 1996-08-07 1998-02-17 Clariant Finance (Bvi) Limited Positive photoresist composition containing a 2,4-dinitro-1-naphthol
JP3473931B2 (ja) * 1996-11-11 2003-12-08 東京応化工業株式会社 リフトオフ用ポジ型感光性組成物およびパターン形成方法
KR100318092B1 (ko) * 1999-08-05 2001-12-22 대한민국(관리청:특허청장, 승계청:산업자원부 기술표준원장) Ps판용 나프토퀴논-디아지드계 에스테르 감광재료
CN102576192B (zh) * 2009-10-26 2014-01-01 株式会社东进世美肯 感光性树脂组合物
KR20120027685A (ko) * 2010-09-13 2012-03-22 삼성테크윈 주식회사 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57155534A (en) * 1981-02-20 1982-09-25 Polychrome Corp Positively working radiation sensitive composition containing no silver
JPS59214847A (ja) * 1983-05-21 1984-12-04 Nagase Kasei Kogyo Kk フオトレジスト組成物
JPS6145240A (ja) * 1984-08-09 1986-03-05 Japan Synthetic Rubber Co Ltd ポジ型感光性樹脂組成物
JPS6267531A (ja) * 1985-09-20 1987-03-27 Nippon Zeon Co Ltd ホトレジスト組成物及びホトレジストパタ−ンの形成方法
JPS62262043A (ja) * 1986-05-08 1987-11-14 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ポジ型感光性樹脂組成物

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA933791A (en) * 1969-06-13 1973-09-18 Broyde Barret Additives to positive photoresists which increase the sensitivity thereof
US4174222A (en) * 1975-05-24 1979-11-13 Tokyo Ohka Kogyo Kabushiki Kaisha Positive-type O-quinone diazide containing photoresist compositions
US4330608A (en) * 1979-08-24 1982-05-18 Xerox Corporation Benzotriazole stabilized photosensitive device
JPS5666844A (en) * 1979-11-05 1981-06-05 Kaneo Yamamoto Manufacture of diazo photosensitive paper preventing ground discoloration of copy
US4486518A (en) * 1981-02-20 1984-12-04 Polychrome Corporation Duplicating film mask with radiation absorbing benzophenone in processed positive-working radiation sensitive layer on transparent substrate
JPS58150948A (ja) * 1982-03-03 1983-09-07 Dainippon Ink & Chem Inc 感光性組成物
US4871644A (en) * 1986-10-01 1989-10-03 Ciba-Geigy Corporation Photoresist compositions with a bis-benzotriazole
JP2622267B2 (ja) * 1988-03-23 1997-06-18 日立化成工業株式会社 感光性樹脂組成物

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57155534A (en) * 1981-02-20 1982-09-25 Polychrome Corp Positively working radiation sensitive composition containing no silver
JPS59214847A (ja) * 1983-05-21 1984-12-04 Nagase Kasei Kogyo Kk フオトレジスト組成物
JPS6145240A (ja) * 1984-08-09 1986-03-05 Japan Synthetic Rubber Co Ltd ポジ型感光性樹脂組成物
JPS6267531A (ja) * 1985-09-20 1987-03-27 Nippon Zeon Co Ltd ホトレジスト組成物及びホトレジストパタ−ンの形成方法
JPS62262043A (ja) * 1986-05-08 1987-11-14 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ポジ型感光性樹脂組成物

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05341509A (ja) * 1992-06-04 1993-12-24 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型フオトレジスト組成物

Also Published As

Publication number Publication date
KR890015067A (ko) 1989-10-28
KR910005873B1 (ko) 1991-08-06
EP0334233A2 (en) 1989-09-27
EP0334233A3 (en) 1991-04-03
US5215858A (en) 1993-06-01
US5314783A (en) 1994-05-24
JP2622267B2 (ja) 1997-06-18

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