JPS6198344A - 新規なフオトレジスト組成物 - Google Patents
新規なフオトレジスト組成物Info
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- JPS6198344A JPS6198344A JP22014684A JP22014684A JPS6198344A JP S6198344 A JPS6198344 A JP S6198344A JP 22014684 A JP22014684 A JP 22014684A JP 22014684 A JP22014684 A JP 22014684A JP S6198344 A JPS6198344 A JP S6198344A
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- hydrogen atom
- alkyl
- compound
- photoresist composition
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」 。
本発明はフォトレジストに添加する化合物及びそれを含
有してなるフォトレジスト組成物に関スるものであり、
更に詳しくは高温下で？−７．’Ｊ’ベーキングやポス
トベーキングによってもその性能を維持する新肩なフォ
トレジスト組成物に関する。
有してなるフォトレジスト組成物に関スるものであり、
更に詳しくは高温下で？−７．’Ｊ’ベーキングやポス
トベーキングによってもその性能を維持する新肩なフォ
トレジスト組成物に関する。
「従来の技術」
半導体、：［Ｃ，ＬＳＩなどの電子部品は光学的手段に
よって任意の回路パターンを描画しであるマスクを介し
てレジストに露光し、現像してその基板をエツチングす
る方法で製造されている。近年、集積回路の高集積比に
伴い、パターンの微細化が進められてきた。そのために
レジストには微細パターンを精度よく形成することが望
まれている。しかしながら上記の方法では露光する光の
回折や、下層のシリコン基板の表面からの光の散乱や反
射によって、レジスト像の解像力は著じるしく影響をう
ける。特にシリコンウェハーの表面にアルミニュウムを
蒸着した基板を用いる場合はアルミニウム表面の光の反
射率が高く、従ってハレーション光も大きくなるので表
面の平坦な部分ばかりでなく基板に段差がある場合には
その部分で乱反射がシこシ数μｍの細い線幅パターンを
正確に再現することが困難になるという欠点があった。
よって任意の回路パターンを描画しであるマスクを介し
てレジストに露光し、現像してその基板をエツチングす
る方法で製造されている。近年、集積回路の高集積比に
伴い、パターンの微細化が進められてきた。そのために
レジストには微細パターンを精度よく形成することが望
まれている。しかしながら上記の方法では露光する光の
回折や、下層のシリコン基板の表面からの光の散乱や反
射によって、レジスト像の解像力は著じるしく影響をう
ける。特にシリコンウェハーの表面にアルミニュウムを
蒸着した基板を用いる場合はアルミニウム表面の光の反
射率が高く、従ってハレーション光も大きくなるので表
面の平坦な部分ばかりでなく基板に段差がある場合には
その部分で乱反射がシこシ数μｍの細い線幅パターンを
正確に再現することが困難になるという欠点があった。
このハレーションを防止する方法として特公昭ｊ／−３
７！ｔコ号のようにレジスト中に光吸収性材料を添加す
る技術が知られている。しかじながら溶剤型のレジスト
を用いる場合塗布したレジストをプリベーキングして残
留溶剤をなくす必要があるが、吸光材によってはプリベ
ーキング中に昇華して濃度が下り満足な光吸収能が得ら
れなかったカ、保存中に吸光材が析出したりして効果に
セ ｈｌ パラツ中を生じるという欠点があっ
た。更にこれらの欠点を改良する目的で吸光材の検討が
行われ、特開昭！！−ＪｔｒＪｒ号や同Ｉｔ−／７４ｃ
９４４！号に見られるようなフェニルアゾインゼン誘導
体が提唱されている。若干の効果がみられるもののこれ
らの化合物はプリベーキングやポストベーキングの温度
を上げたりすると耐昇華性の点では不充分であることや
保存中に吸光材が析出するという欠点があった。
７！ｔコ号のようにレジスト中に光吸収性材料を添加す
る技術が知られている。しかじながら溶剤型のレジスト
を用いる場合塗布したレジストをプリベーキングして残
留溶剤をなくす必要があるが、吸光材によってはプリベ
ーキング中に昇華して濃度が下り満足な光吸収能が得ら
れなかったカ、保存中に吸光材が析出したりして効果に
セ ｈｌ パラツ中を生じるという欠点があっ
た。更にこれらの欠点を改良する目的で吸光材の検討が
行われ、特開昭！！−ＪｔｒＪｒ号や同Ｉｔ−／７４ｃ
９４４！号に見られるようなフェニルアゾインゼン誘導
体が提唱されている。若干の効果がみられるもののこれ
らの化合物はプリベーキングやポストベーキングの温度
を上げたりすると耐昇華性の点では不充分であることや
保存中に吸光材が析出するという欠点があった。
本発明者らは上記した従来技術の欠点を克服すべく検討
した結果本発明を完成するに至った。
した結果本発明を完成するに至った。
「発明が解決しようとする問題点」
本発明の目的は高温下でのプリベーキングやポストベー
キングによっても昇華せず、溶剤も含まない微細加工用
のフォトレジスト組成物を提供することにある。
キングによっても昇華せず、溶剤も含まない微細加工用
のフォトレジスト組成物を提供することにある。
また本発明の目的はレジストと相溶性がよく、吸光材が
保存中に析出しない微細加工用フォトレジスト組成物を
提供することにある。
保存中に析出しない微細加工用フォトレジスト組成物を
提供することにある。
本発明の概要
本発明は下記一般式ＣＩ）で示される化合物の
（少くとも一穫をフォトレジスト中に含有することに
より達成された。
（少くとも一穫をフォトレジスト中に含有することに
より達成された。
一般式ＩＩＩ）
式中、Ｘは水素原子、アルキル基、アシルアミノ基、ス
ルホニルアミノ基を表わし、Ｙは置換もしくは未置換の
ジアルキルアミノ基を表わし、２は水素原子、低級アル
キル基、低級アルコキシ基を表わすａＲ１％Ｒ２ｂ Ｒ
３−Ｒ４はそれぞれ水素原子、ハロゲン原子、アルキル
基、アルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、エステル基、
スルホニル基を表わす。但し、Ｘ、Ｚがともに水素原子
であり、かつＹが未置換のジアルキルアミノ基であると
きＲ１、Ｒ３、Ｒ３、Ｒ４はニトロ基、ハロゲン原子、
アルキル基、アルコキシ基ヲ除く。
ルホニルアミノ基を表わし、Ｙは置換もしくは未置換の
ジアルキルアミノ基を表わし、２は水素原子、低級アル
キル基、低級アルコキシ基を表わすａＲ１％Ｒ２ｂ Ｒ
３−Ｒ４はそれぞれ水素原子、ハロゲン原子、アルキル
基、アルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、エステル基、
スルホニル基を表わす。但し、Ｘ、Ｚがともに水素原子
であり、かつＹが未置換のジアルキルアミノ基であると
きＲ１、Ｒ３、Ｒ３、Ｒ４はニトロ基、ハロゲン原子、
アルキル基、アルコキシ基ヲ除く。
一般式ＣＩ〕のＹの置換ジアルキルアミノ基の置換基と
しては、ハロゲン原子、シアノ基、−Ｃ−Ｒｓ（Ｒｓは
低級アルキル基、アリール基を示す）が好ましい。
しては、ハロゲン原子、シアノ基、−Ｃ−Ｒｓ（Ｒｓは
低級アルキル基、アリール基を示す）が好ましい。
また一般式ＣＩ］にハロゲン原子としては、一般にＦ１
αｂ Ｂ ｒが用いられ、特にα、Ｂｒが好ましい。
αｂ Ｂ ｒが用いられ、特にα、Ｂｒが好ましい。
以下に本発明に用いられる化合物の具体例を第１表に示
すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
これらの化合物は細田豊著「染料化学」技報堂や特開昭
７７−２ ｊ Ｉｒ弘？号に記載された方法に容易に合
成できる。
７７−２ ｊ Ｉｒ弘？号に記載された方法に容易に合
成できる。
上記一般式ＣＩ）で表わされる本発明の化合物はフォト
レジスト組成物中に０．／−コＯ重量係添加することが
できる更に好ましくは０．２〜ｌｊ重量係添加すること
が望ましい。また添加方法はフォトレジスト組成物中に
直接添加してもよいし、フォトレジストの溶剤中にあら
かじめ溶解したのちフォトレジスト組成物中へ添加して
もよい。
レジスト組成物中に０．／−コＯ重量係添加することが
できる更に好ましくは０．２〜ｌｊ重量係添加すること
が望ましい。また添加方法はフォトレジスト組成物中に
直接添加してもよいし、フォトレジストの溶剤中にあら
かじめ溶解したのちフォトレジスト組成物中へ添加して
もよい。
本発明に用いられるフォトレジスト組成物の基材となる
フォトレジストとしては環化ゴムとビスアジドを主成分
とするゴム系フォトレジスト、フェノール及び、または
クレゾールノボラック樹脂と少くとも１個の０−キノン
ジアジド化合物を含むポジ型レジスト、あるいはポリメ
チルメタアク１ リレート、ポリメチルインプ
ロにニルケトン、ボく リグリシジルメタクリ
レートを主成分とするディープＵＶレジストなどがあげ
られる。
フォトレジストとしては環化ゴムとビスアジドを主成分
とするゴム系フォトレジスト、フェノール及び、または
クレゾールノボラック樹脂と少くとも１個の０−キノン
ジアジド化合物を含むポジ型レジスト、あるいはポリメ
チルメタアク１ リレート、ポリメチルインプ
ロにニルケトン、ボく リグリシジルメタクリ
レートを主成分とするディープＵＶレジストなどがあげ
られる。
本発明の化合物はキシレン、エチルセロンルブ、シクロ
ヘキサノン、セロソルブアセテート、ブチルアセテート
等の有機溶剤に容易に溶解し、ゴム系フォトレジスト、
ポジ型フォトレジスト、ディープＵＶレジストに対する
相溶性もよく更に高温下のば一キングによっても昇華性
を示さないので、これらを添加した場合、優れたハレー
ション防止効果によって、再現性よく微細パターンを得
ることができる。従って本発明の化合物を用いればプリ
ベーキングによって溶剤を完全に除去できるので、残留
溶剤によるレジスト被膜の均一性をそこなうこともない
し、プリベーキング後に長時間保存しても化合物の析出
がなく被膜の不均一化をさけることができる。
ヘキサノン、セロソルブアセテート、ブチルアセテート
等の有機溶剤に容易に溶解し、ゴム系フォトレジスト、
ポジ型フォトレジスト、ディープＵＶレジストに対する
相溶性もよく更に高温下のば一キングによっても昇華性
を示さないので、これらを添加した場合、優れたハレー
ション防止効果によって、再現性よく微細パターンを得
ることができる。従って本発明の化合物を用いればプリ
ベーキングによって溶剤を完全に除去できるので、残留
溶剤によるレジスト被膜の均一性をそこなうこともない
し、プリベーキング後に長時間保存しても化合物の析出
がなく被膜の不均一化をさけることができる。
「実施例」
次に本発明の実施例をあげて詳細に説明するが、本発明
はこれらに限定されるものではない。
はこれらに限定されるものではない。
実施例１
７、、ッ、、工、ウケ、、７．。。−ヤ７．（ジアジド
を含むポジ型フォトレジス）ＨＰＲ−λｏｐ（商品名
フィリップ Ａ ハント社製 固型分割合一７１．ｒ重
量係）に固型分割合に対して／、コ重量係の本発明の化
合物例１．りを吸光剤としてそれぞれ添加した２種のフ
ォトレジストを調整した。これをアルミ蒸着をしたμイ
ンチシリコンウェハーに膜厚が１．ＯμｍＶＣなるよう
にスピナーで回転塗布（ｙｏｏｏｒ、ｐ、ｍａｏ秒）し
、Ｎ２気流下りｏ０Ｃｓｏ分プリベーキングを行なった
。これを解像力テストノターンを介して縮少投影型ステ
ッパーにコｙＮｓＲ−７ｒ・０！Ｇ）を用いて０．ｊ参
秒露光した後Ｐｏ５ｉｔｉｖｅＬＳ Ｉ Ｄｅｖｅｌ
ｏｐｅｒ Ｍｅｔａｌ Ｉｏｎ Ｆｒｅｅ（商品名
フィリップ Ａ ハント社製）２倍希釈にｘｒ ０Ｃの
温度で１分間浸し現像した。形成されたノミターンはそ
れぞれ０６２μｍまでシャープに解像されており、また
／Ｒターン側面の定在波によるギザギザもなく、アルミ
表面からのハレーション防止効果に優れていることがわ
かった。また、いずれもプリベーキングによって吸光剤
はまったく昇華せず耐昇華性にすぐれていることがわか
った。
を含むポジ型フォトレジス）ＨＰＲ−λｏｐ（商品名
フィリップ Ａ ハント社製 固型分割合一７１．ｒ重
量係）に固型分割合に対して／、コ重量係の本発明の化
合物例１．りを吸光剤としてそれぞれ添加した２種のフ
ォトレジストを調整した。これをアルミ蒸着をしたμイ
ンチシリコンウェハーに膜厚が１．ＯμｍＶＣなるよう
にスピナーで回転塗布（ｙｏｏｏｒ、ｐ、ｍａｏ秒）し
、Ｎ２気流下りｏ０Ｃｓｏ分プリベーキングを行なった
。これを解像力テストノターンを介して縮少投影型ステ
ッパーにコｙＮｓＲ−７ｒ・０！Ｇ）を用いて０．ｊ参
秒露光した後Ｐｏ５ｉｔｉｖｅＬＳ Ｉ Ｄｅｖｅｌ
ｏｐｅｒ Ｍｅｔａｌ Ｉｏｎ Ｆｒｅｅ（商品名
フィリップ Ａ ハント社製）２倍希釈にｘｒ ０Ｃの
温度で１分間浸し現像した。形成されたノミターンはそ
れぞれ０６２μｍまでシャープに解像されており、また
／Ｒターン側面の定在波によるギザギザもなく、アルミ
表面からのハレーション防止効果に優れていることがわ
かった。また、いずれもプリベーキングによって吸光剤
はまったく昇華せず耐昇華性にすぐれていることがわか
った。
更に、プリベーキングの温度を変えて吸光度比の変化を
調べた結果を第１図に示すが、変化が小さく優れたもの
であった。
調べた結果を第１図に示すが、変化が小さく優れたもの
であった。
比較例１
前記吸光剤を添加せずまた露光時間を０．３３秒とし他
は実施例１と同様に行なった。得られた最小パターンの
線巾はＯ１ｔμｍではあるが反射光によって生じる定在
波によるものと思われるパターン側面のギザギザが見ら
れた。
は実施例１と同様に行なった。得られた最小パターンの
線巾はＯ１ｔμｍではあるが反射光によって生じる定在
波によるものと思われるパターン側面のギザギザが見ら
れた。
比較例２
実施例１の本発明の化合物の代りにｏｉｌｙｅｌｌ□ｗ
（商品名、 は同様にしてフォトレジストを調整し、実施例１と同様
にプリベーキングの温度を変えたときの吸光度比の変化
を第１図に示す。
（商品名、 は同様にしてフォトレジストを調整し、実施例１と同様
にプリベーキングの温度を変えたときの吸光度比の変化
を第１図に示す。
実施例２
クレゾール−ホルマリンノボラック樹脂（ｍ−クレゾー
ル／ｐ−クレゾール比＝よｊ／ｐ ｚ ）のλ−エトキ
シエチルエーテル溶液（固型分割合３２、ｏｘ量係）に
固型分に対して／、！重ｆ！に％のｏｉｌ ｙｅｌｌ
ｏｗ と本発明の化合物例１り、コｌの吸光剤をそれ
ぞれ添加し青板ガラス基板に回転塗布（弘０００ｒ、ｐ
、ｍ、 ２０秒、／、４４μｍ）をした。これらをＮ
２気流下／ＪＯ°Ｃでベーキングし、ＵＶ−可視スペク
トロメーターを用いて吸光度の経時変化を測定した。そ
の結果を第１図に示す。
ル／ｐ−クレゾール比＝よｊ／ｐ ｚ ）のλ−エトキ
シエチルエーテル溶液（固型分割合３２、ｏｘ量係）に
固型分に対して／、！重ｆ！に％のｏｉｌ ｙｅｌｌ
ｏｗ と本発明の化合物例１り、コｌの吸光剤をそれ
ぞれ添加し青板ガラス基板に回転塗布（弘０００ｒ、ｐ
、ｍ、 ２０秒、／、４４μｍ）をした。これらをＮ
２気流下／ＪＯ°Ｃでベーキングし、ＵＶ−可視スペク
トロメーターを用いて吸光度の経時変化を測定した。そ
の結果を第１図に示す。
本発明の化合物は７２０分間のベーキングでもほとんど
昇華がおこらず従来品であるｏｉｌＹｅｌｌｏｗと比較
して明らかに耐昇華性に優れている。
昇華がおこらず従来品であるｏｉｌＹｅｌｌｏｗと比較
して明らかに耐昇華性に優れている。
本発明の化合物はプリベーキング（通常２０ｏＣＪｏ分
）において吸光剤昇華によるツル−ジョン防止効果の低
下及びばらつきがなくきわめて安定性に優れている。ま
たパターン形成後のポストヘーキング（通常ｉ３ｏ’ｃ
Ｊｏ分）においても昇華はほとんどなくパターンへ
の悪影響も考えられない。
）において吸光剤昇華によるツル−ジョン防止効果の低
下及びばらつきがなくきわめて安定性に優れている。ま
たパターン形成後のポストヘーキング（通常ｉ３ｏ’ｃ
Ｊｏ分）においても昇華はほとんどなくパターンへ
の悪影響も考えられない。
実施例３
実施例２の化合物１９．λｌをその他の本発明の化合物
にかえたこと以外は実施例２と同様にしてサンプルを作
り、１３ｏ０ｃで３０分間ベーキングし、ＵＶ−可視ス
はクトロメーターを用いて吸光度の変化を測定した。そ
の結果を第２表に示す。
にかえたこと以外は実施例２と同様にしてサンプルを作
り、１３ｏ０ｃで３０分間ベーキングし、ＵＶ−可視ス
はクトロメーターを用いて吸光度の変化を測定した。そ
の結果を第２表に示す。
第２表
この結果より明らかなように本発明の化合物は従来の化
合物に較べて隔設に耐昇華性に於いてすぐれている。
合物に較べて隔設に耐昇華性に於いてすぐれている。
第１図はベーキング時間ＪＯ分における、（−キング温
度と吸光度比の関係を示す。 第２図はベーキング温度／ＪＯ’ＣＫおける、ベーキン
グ時間と吸光度比の関係を示す。 第１図において、Ｏは化合物例ハΔは化合物例Ｐ、Ｑは
０目 ｙｅｌｌｏｗを示し、第２図において・は化合物
例／Ｐ、ムは化合物例コノ１閤はｏｉｌ ｙｅｌｌｏ
ｗ を示す。 特許出願人 富士写真フィルム株式会社第１図 第２図 ＜−’ｔ＞デ晒藺（晴間） 手続補正書 １、事件の表示 昭和Ｉり年特許第λλｏｉ≠６
号２、発明の名称 新規なフォトレジスト組成物３、
補正をする者 事件との関係 特許出願人４、補正の対象
明細書の「特許請求の範囲」の欄、「発明の詳細な
説明」 ４、図面の簡単な説明 の欄、皮〆因面 ５、補正の内容 明細書の「特許請求の範囲」の項の記載を別紙−ｌの通
）補正する。 明細書の「発明の詳細な説明」の項の記載を下記の通シ
補正する。 （１）第λ頁／４行目の 「高集積比」を 「高集積化」 と補正する。 （２）第３頁ｌ弘行目の 「吸光材」を 「吸光剤」 と補正する。 （３）第３頁１６行目の 「吸光材」を 「吸光剤」 と補正する。 （４）第３頁／ｒ行目の 「吸光材」を 「吸光剤」 と補正する。 （５）第弘頁弘行目の 「吸光材」を 「吸光剤」 と補正する。 （６）第亭頁ｌ参行目の 「吸光材」を 「吸光剤」 と補正する。 （力 第！頁り〜１０行目の 「スルホニル基」の後に 「、置換もしくは未置換のジアルキルアミノ基」 を挿入する。 （８）第ｉｏ頁と第１／頁の間に別紙−一を挿入する。 （９）第１１頁コ行目の 「方法に」を 「方法で」 と補正する。 ０Ｑ 第１ＩＬＬ頁／行目の 「吸光度比」の前に ｒＵＶ−可視スはクトロメーターを用いて吸光度を測定
し、」 を挿入する。 αＢ 第１≠頁１７行目の 「第１図に示す。」の後に 「第１図から明らかな様に、プリベーキングの温度が高
いと吸光度比の低下が大きかった。」 を挿入する。 圓 第１！頁ｌ１行目の （「吸光度」を 「吸光度比」 と補正する。 （１四 第１７頁を別紙−３と差し替える。 明細書の「図面の簡単な説明」の項の記載を下記の通シ
補正する。 （１） 第１Ｉ頁７行目の 「○はｏｉｌ ｙｅＪＩｏｗＪを 「口はｏｉｌ ｙｅｌｌｏｗＪ 別紙−／ 特許請求の範囲 一般式ＣＩ）の化合物を少くとも一種含有することを特
徴とするフォトレジスト組成物。 一般式ＣＩ） 式中、Ｘは水素原子、アルキル基、アシルアミノ基、ス
ルホニルアミン基を表わし、Ｙは置換もしくは未置換の
ジアルキルアミノ基を表わし、２は水素原子、低級アル
キル基、低級アルコキシ基を表わす。Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３
、Ｒ４はそれぞれ水素原子、ハロゲン原子、アルキル基
、アルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、エステル基、ア
ルキルアミノ基を表わす。但し、Ｘ１ｚがともに水素原
子であ）、かつＹが未置換のジアルキルアミノ基である
ときＲ１１Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４はニトロ基、ハロゲン原子
、アルキル基、アルコキシ基を除く。 第２表 この結果より明らかなように本発明の化合物は従来の化
合物（化合物Ａ）に較べて格段に耐昇華性に於いてすぐ
れている。 尺゛−（ングＵ午暦Ｕ介）
度と吸光度比の関係を示す。 第２図はベーキング温度／ＪＯ’ＣＫおける、ベーキン
グ時間と吸光度比の関係を示す。 第１図において、Ｏは化合物例ハΔは化合物例Ｐ、Ｑは
０目 ｙｅｌｌｏｗを示し、第２図において・は化合物
例／Ｐ、ムは化合物例コノ１閤はｏｉｌ ｙｅｌｌｏ
ｗ を示す。 特許出願人 富士写真フィルム株式会社第１図 第２図 ＜−’ｔ＞デ晒藺（晴間） 手続補正書 １、事件の表示 昭和Ｉり年特許第λλｏｉ≠６
号２、発明の名称 新規なフォトレジスト組成物３、
補正をする者 事件との関係 特許出願人４、補正の対象
明細書の「特許請求の範囲」の欄、「発明の詳細な
説明」 ４、図面の簡単な説明 の欄、皮〆因面 ５、補正の内容 明細書の「特許請求の範囲」の項の記載を別紙−ｌの通
）補正する。 明細書の「発明の詳細な説明」の項の記載を下記の通シ
補正する。 （１）第λ頁／４行目の 「高集積比」を 「高集積化」 と補正する。 （２）第３頁ｌ弘行目の 「吸光材」を 「吸光剤」 と補正する。 （３）第３頁１６行目の 「吸光材」を 「吸光剤」 と補正する。 （４）第３頁／ｒ行目の 「吸光材」を 「吸光剤」 と補正する。 （５）第弘頁弘行目の 「吸光材」を 「吸光剤」 と補正する。 （６）第亭頁ｌ参行目の 「吸光材」を 「吸光剤」 と補正する。 （力 第！頁り〜１０行目の 「スルホニル基」の後に 「、置換もしくは未置換のジアルキルアミノ基」 を挿入する。 （８）第ｉｏ頁と第１／頁の間に別紙−一を挿入する。 （９）第１１頁コ行目の 「方法に」を 「方法で」 と補正する。 ０Ｑ 第１ＩＬＬ頁／行目の 「吸光度比」の前に ｒＵＶ−可視スはクトロメーターを用いて吸光度を測定
し、」 を挿入する。 αＢ 第１≠頁１７行目の 「第１図に示す。」の後に 「第１図から明らかな様に、プリベーキングの温度が高
いと吸光度比の低下が大きかった。」 を挿入する。 圓 第１！頁ｌ１行目の （「吸光度」を 「吸光度比」 と補正する。 （１四 第１７頁を別紙−３と差し替える。 明細書の「図面の簡単な説明」の項の記載を下記の通シ
補正する。 （１） 第１Ｉ頁７行目の 「○はｏｉｌ ｙｅＪＩｏｗＪを 「口はｏｉｌ ｙｅｌｌｏｗＪ 別紙−／ 特許請求の範囲 一般式ＣＩ）の化合物を少くとも一種含有することを特
徴とするフォトレジスト組成物。 一般式ＣＩ） 式中、Ｘは水素原子、アルキル基、アシルアミノ基、ス
ルホニルアミン基を表わし、Ｙは置換もしくは未置換の
ジアルキルアミノ基を表わし、２は水素原子、低級アル
キル基、低級アルコキシ基を表わす。Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３
、Ｒ４はそれぞれ水素原子、ハロゲン原子、アルキル基
、アルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、エステル基、ア
ルキルアミノ基を表わす。但し、Ｘ１ｚがともに水素原
子であ）、かつＹが未置換のジアルキルアミノ基である
ときＲ１１Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４はニトロ基、ハロゲン原子
、アルキル基、アルコキシ基を除く。 第２表 この結果より明らかなように本発明の化合物は従来の化
合物（化合物Ａ）に較べて格段に耐昇華性に於いてすぐ
れている。 尺゛−（ングＵ午暦Ｕ介）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一般式〔 I 〕の化合物を少くとも一種含有することを
特徴とするフォトレジスト組成物。 一般式〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼ 式中、Ｘは水素原子、アルキル基、アシルアミノ基、ス
ルホニルアミノ基を表わし、Ｙは置換もしくは未置換の
ジアルキルアミノ基、を表わし、Ｚは水素原子、低級ア
ルキル基、低級アルコキシ基を表わす。Ｒ＿１、Ｒ＿２
、Ｒ＿３、Ｒ＿４はそれぞれ水素原子、ハロゲン原子、
アルキル基、アルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、エス
テル基、アルキルスルホニル基を表わす。但し、Ｘ、Ｚ
がともに水素原子であり、かつＹが未置換のジアルキル
アミノ基であるときＲ＿１、Ｒ＿２、Ｒ＿３、Ｒ＿４は
ニトロ基、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基を
除く。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22014684A JPS6198344A (ja) | 1984-10-19 | 1984-10-19 | 新規なフオトレジスト組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22014684A JPS6198344A (ja) | 1984-10-19 | 1984-10-19 | 新規なフオトレジスト組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6198344A true JPS6198344A (ja) | 1986-05-16 |
Family
ID=16746614
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22014684A Pending JPS6198344A (ja) | 1984-10-19 | 1984-10-19 | 新規なフオトレジスト組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6198344A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62295044A (ja) * | 1986-06-16 | 1987-12-22 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ポジ型感光性組成物 |
| JPS63303344A (ja) * | 1987-06-03 | 1988-12-09 | Nippon Zeon Co Ltd | ポジ型フォトレジスト組成物 |
| JPS6420540A (en) * | 1987-07-16 | 1989-01-24 | Nippon Zeon Co | Positive type photoresist composition |
| EP0696761A1 (en) | 1994-08-10 | 1996-02-14 | Shell Internationale Researchmaatschappij B.V. | Flexographic printing plates from photocurable elastomer compositions |
-
1984
- 1984-10-19 JP JP22014684A patent/JPS6198344A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62295044A (ja) * | 1986-06-16 | 1987-12-22 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ポジ型感光性組成物 |
| JPS63303344A (ja) * | 1987-06-03 | 1988-12-09 | Nippon Zeon Co Ltd | ポジ型フォトレジスト組成物 |
| JPS6420540A (en) * | 1987-07-16 | 1989-01-24 | Nippon Zeon Co | Positive type photoresist composition |
| EP0696761A1 (en) | 1994-08-10 | 1996-02-14 | Shell Internationale Researchmaatschappij B.V. | Flexographic printing plates from photocurable elastomer compositions |
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