JPS61109048A - 新規なフオトレジスト組成物 - Google Patents
新規なフオトレジスト組成物Info
- Publication number
- JPS61109048A JPS61109048A JP23098784A JP23098784A JPS61109048A JP S61109048 A JPS61109048 A JP S61109048A JP 23098784 A JP23098784 A JP 23098784A JP 23098784 A JP23098784 A JP 23098784A JP S61109048 A JPS61109048 A JP S61109048A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- substituted
- photoabsorbent
- unsubstituted
- resist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の分野」
本発明はフォトレジストに添加する化合物及びそれを含
有してなるフォトレジスト組成物に関するものであり、
更に詳しくは高温下でのプリベーキングやポストベーキ
ングによってもその性能を維持する新規なフォトレジス
ト組成物に関する。
有してなるフォトレジスト組成物に関するものであり、
更に詳しくは高温下でのプリベーキングやポストベーキ
ングによってもその性能を維持する新規なフォトレジス
ト組成物に関する。
「従来の技術」
半導体、ＩＣ，ＬＳＩなどの電子部品は光学的手段によ
って任意の回路ノターンを描画しであるマスクを介して
レジストに露光し、現像してその基板をエツチングする
方法で製造されている。近年、・集積回路の高集積化に
伴い、ノターンの微細化が進められてきた。そのために
レジストには微細パターンを精度よく形成することが望
まれている。しかしながら上記の方法では露光する光の
回折や、下層のシリコン基板の表面からの光の散乱や反
射によって、レジスト像の解像力は著じるしく影響をう
ける。特にシリコンウェハーの表面にアルミニウムを蒸
着した基板を用いる・場合はアルミニウム表面の光の反
射率が高く、従ってハレーション光も大きくなるので表
面の平担な部分ばかシでなく、基板に段差がある場合に
はその部分で乱反射がおこシ、数μｍの細い線幅／野タ
ーンを正確に再現することが困難になるという欠点があ
った。
って任意の回路ノターンを描画しであるマスクを介して
レジストに露光し、現像してその基板をエツチングする
方法で製造されている。近年、・集積回路の高集積化に
伴い、ノターンの微細化が進められてきた。そのために
レジストには微細パターンを精度よく形成することが望
まれている。しかしながら上記の方法では露光する光の
回折や、下層のシリコン基板の表面からの光の散乱や反
射によって、レジスト像の解像力は著じるしく影響をう
ける。特にシリコンウェハーの表面にアルミニウムを蒸
着した基板を用いる・場合はアルミニウム表面の光の反
射率が高く、従ってハレーション光も大きくなるので表
面の平担な部分ばかシでなく、基板に段差がある場合に
はその部分で乱反射がおこシ、数μｍの細い線幅／野タ
ーンを正確に再現することが困難になるという欠点があ
った。
このハレーションを防止する方法として特公昭！／−３
７１６λ号のようにレジスト中に光吸収性材料を添加す
る技術が知られている。しかしながら溶剤型のレジスト
を用いる場合、塗布したレジストをプリベーキングして
残留溶剤をなくす必要があるが、吸光剤によってはプリ
ベーキング中に昇華して濃度が下り満足な光吸収能が得
られなかったり、保存中に吸光剤が析出したシして効果
にバラツキを生じるという欠点があった。更にこれらの
欠点を改良する目的で吸光剤の検討が行われ、特開昭７
ｌ−３６１Ｊｒ号や同ｊ１−／７＄り≠１号に見られる
ようなフェニルアゾベンゼン誘導体が提唱されている。
７１６λ号のようにレジスト中に光吸収性材料を添加す
る技術が知られている。しかしながら溶剤型のレジスト
を用いる場合、塗布したレジストをプリベーキングして
残留溶剤をなくす必要があるが、吸光剤によってはプリ
ベーキング中に昇華して濃度が下り満足な光吸収能が得
られなかったり、保存中に吸光剤が析出したシして効果
にバラツキを生じるという欠点があった。更にこれらの
欠点を改良する目的で吸光剤の検討が行われ、特開昭７
ｌ−３６１Ｊｒ号や同ｊ１−／７＄り≠１号に見られる
ようなフェニルアゾベンゼン誘導体が提唱されている。
若干の効果がみられるものの、これらの化合物はプリベ
ーキングやポストイーキングの温度を上げたシすると耐
昇華性の点では不充分であることや、保存中に吸光剤が
析出するという欠点があった。
ーキングやポストイーキングの温度を上げたシすると耐
昇華性の点では不充分であることや、保存中に吸光剤が
析出するという欠点があった。
本発明者らは上記した従来技術の欠点を克服すべく検討
した結果本発明を完成するに至った。
した結果本発明を完成するに至った。
「発明が解決しようとする問題点」
本発明の目的は高温下でのプリベーキングやポストベー
キングによっても昇華せず、溶剤も含まない微細加工用
のフォトレジスト組成物を提供することＫある。
キングによっても昇華せず、溶剤も含まない微細加工用
のフォトレジスト組成物を提供することＫある。
また本発明の目的はレジストと相溶性がよく、吸光剤が
保存中に析出しない微細加工用フォトレジスト組成物を
提供することにある。
保存中に析出しない微細加工用フォトレジスト組成物を
提供することにある。
「問題点を解決するための手段」
本発明は下記一般式〔Ｉ）で示される化合物の少くとも
一種を７オトレジスト中に含有することによシ達成され
た。
一種を７オトレジスト中に含有することによシ達成され
た。
２はｊ−４のへテロ環を形成するに必要な非金属シ子群
を示し、（例えば、オキサゾリン、オキサゾール、ベン
ゾオキサゾール、ナフトオキサゾール、チアゾリン、チ
アゾール、ベンゾチアゾール、ナフトチアゾール、Ｊ、
３−ジメチルインドール、イミダシリン、イミダゾール
、ベンズイミダゾール、ピリジン、ピロリン、ピロリジ
ン環などが挙げられる。更にこれらの環が、ハロゲン、
アルキル、アルコキシ等によって置換されていてもよい
。）Ｒは置換もしくは未置換のアルキル基、置換もしく
は未置換のアリール基、置換もしくは未置換のフルケニ
ル基、あるいは置換もしくは未置換の７２ルキル基を表
わす。Ｇ は置換もしくは未置換のアルキル基、置換も
しくは未置換の７リール基、アラルキル基、アルコキシ
基、置換もしくは未置換の７ミノ基を表わす。Ｇ は上
記Ｇ１よシ選ばれる基のほかに、シアノ基、アルキルス
テロ原子（Ｎ、Ｓ、０）を介して！〜フ＃＆積を形成す
るに必要な要素を示しく例えば−，４ｃｍオキサゾリジ
ノン、Ｊ、４Ｃチアゾリジンジオン、ローダニン、ヒダ
ントイン、コーチオヒダントイン、コービラゾリンー！
−オン、−−イソオキサゾリン−！−オン、ｌ、３−イ
ンダンジオン、バルビッル酸、コーチオパルビッル酸な
どが挙げられる）、ｎは０もしくは／を表わす。
を示し、（例えば、オキサゾリン、オキサゾール、ベン
ゾオキサゾール、ナフトオキサゾール、チアゾリン、チ
アゾール、ベンゾチアゾール、ナフトチアゾール、Ｊ、
３−ジメチルインドール、イミダシリン、イミダゾール
、ベンズイミダゾール、ピリジン、ピロリン、ピロリジ
ン環などが挙げられる。更にこれらの環が、ハロゲン、
アルキル、アルコキシ等によって置換されていてもよい
。）Ｒは置換もしくは未置換のアルキル基、置換もしく
は未置換のアリール基、置換もしくは未置換のフルケニ
ル基、あるいは置換もしくは未置換の７２ルキル基を表
わす。Ｇ は置換もしくは未置換のアルキル基、置換も
しくは未置換の７リール基、アラルキル基、アルコキシ
基、置換もしくは未置換の７ミノ基を表わす。Ｇ は上
記Ｇ１よシ選ばれる基のほかに、シアノ基、アルキルス
テロ原子（Ｎ、Ｓ、０）を介して！〜フ＃＆積を形成す
るに必要な要素を示しく例えば−，４ｃｍオキサゾリジ
ノン、Ｊ、４Ｃチアゾリジンジオン、ローダニン、ヒダ
ントイン、コーチオヒダントイン、コービラゾリンー！
−オン、−−イソオキサゾリン−！−オン、ｌ、３−イ
ンダンジオン、バルビッル酸、コーチオパルビッル酸な
どが挙げられる）、ｎは０もしくは／を表わす。
次に本発明に用いられる化合物の具体例を示すが、本発
明はこれらに限定されるものではない。
明はこれらに限定されるものではない。
これらの化合物はｒＨｅｔｅｒｏｃｙｃｌｉｃｃｏｍｐ
ｏｕｎｄｓ−Ｃｙａｎｉｎｅ ｄｙｅｓ ａｎｄｒ
ｅｌａｔｅｄ ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ−Ｊ Ｆ、Ｍ、Ｈ
ａｍｅｒ著λＪｏｂｎ 、Ｗｉ ｌｅｙ ＆ ５ｏｎｓ
（Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ ＊Ｌｏｎｄｏｎ）に記載された
方法で容易に合成できる。
ｏｕｎｄｓ−Ｃｙａｎｉｎｅ ｄｙｅｓ ａｎｄｒ
ｅｌａｔｅｄ ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ−Ｊ Ｆ、Ｍ、Ｈ
ａｍｅｒ著λＪｏｂｎ 、Ｗｉ ｌｅｙ ＆ ５ｏｎｓ
（Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ ＊Ｌｏｎｄｏｎ）に記載された
方法で容易に合成できる。
上記一般式〔Ｉ）で表わされる本発明の化合物はフォト
レジスト組成物中に０，１〜コＯ重量係添加することが
できる。更に好ましくは０．２〜／！重量％添加するこ
とが望ましい。また添加方法はフォトレジスト組成物中
に直接添加してもよいし、フォトレジストの溶剤中にあ
らかじめ溶解したのちフォトレジスト組成物中へ添加し
てもよい。
レジスト組成物中に０，１〜コＯ重量係添加することが
できる。更に好ましくは０．２〜／！重量％添加するこ
とが望ましい。また添加方法はフォトレジスト組成物中
に直接添加してもよいし、フォトレジストの溶剤中にあ
らかじめ溶解したのちフォトレジスト組成物中へ添加し
てもよい。
本発明に用いられるフォトレジスト組成物の基材となる
フォトレジストとしては環化ゴムとビスアジドを主成分
とするゴム系フォトレジスト、フェノール及び、または
クレゾールノボラック樹脂と少くとも７個の０−キノン
ジアジド化合物を含むポジ型レジスト、あるいはポリメ
チルメタアクリレート、ポリメチルイソプロペニルケト
ン、ポリグリシジルメタクリレートを主成分とするディ
ープＵＶレジストなどがあげられる。
フォトレジストとしては環化ゴムとビスアジドを主成分
とするゴム系フォトレジスト、フェノール及び、または
クレゾールノボラック樹脂と少くとも７個の０−キノン
ジアジド化合物を含むポジ型レジスト、あるいはポリメ
チルメタアクリレート、ポリメチルイソプロペニルケト
ン、ポリグリシジルメタクリレートを主成分とするディ
ープＵＶレジストなどがあげられる。
本発明の化合物はキシレン、エチルセロソルブ、シクロ
ヘキサノン、セロソルブアセテート、ブチルアセテート
等の有機溶剤に容易に溶解し、ゴム系フォトレジスト、
ポジ型フォトレジスト、ディープＵＶレジストに対する
相溶性もよく更に高温下のベーキングによっても昇華性
を示さないので、これらを添加した場合、優れたハレー
ション防止効果によって、再現性よく微ｍノターンを得
ることができる。従って本発明の化合物を用いればプリ
ベーキングによって溶剤を完全に除去できるので、残留
溶剤によるレジスト被膜の均一性をそこなうこともない
し、プリベーキング後に長時間保存しても化合物の析出
がなく被膜の不均一化をさけることができる。
ヘキサノン、セロソルブアセテート、ブチルアセテート
等の有機溶剤に容易に溶解し、ゴム系フォトレジスト、
ポジ型フォトレジスト、ディープＵＶレジストに対する
相溶性もよく更に高温下のベーキングによっても昇華性
を示さないので、これらを添加した場合、優れたハレー
ション防止効果によって、再現性よく微ｍノターンを得
ることができる。従って本発明の化合物を用いればプリ
ベーキングによって溶剤を完全に除去できるので、残留
溶剤によるレジスト被膜の均一性をそこなうこともない
し、プリベーキング後に長時間保存しても化合物の析出
がなく被膜の不均一化をさけることができる。
「実施例」
次に本発明の実施例をあげて詳細に説明するが、本発明
はこれらに限定されるものではない。
はこれらに限定されるものではない。
実施例１
ツメラック樹脂と少なくとも１個の。−キノンジアジド
を含むポジ型フォトレジストＨＰＲ，２ｏ４Ａ（商品名
、フィリップ、Ａ、ハント社製、固型分割合２７．を重
量％）に固型分割合に対して／、！重量係の本発明の化
合物例／、Ｊを吸光剤としてそれぞれ添加した２種の７
オトレジストを調整した。これをアルミ蒸着をした≠イ
ンチシリコンウェハーに膜厚が／、０μｍになるように
スピナーで回転塗布（７０００ｒ、ｐｏｍ、２０秒）し
、Ｎ２気流下り０°Ｃ，３０分プリベーキングを行なっ
た。これを解像カテスト／ミターンを介して縮少投影型
ステツノξ−にコンＮ５Ｒ−ｉｚｏｚＧ）を用いてＯ０
ｊφ秒露光した後Ｐｏｓ目」ｖｅＬＳＩ Ｄｅｖｅｌ
ｏｐｅｒ Ｍｅｔａｌ Ｉｏｎ Ｆｒｅｅ（商品名、
フィリップ、Ａ、ハント社製）、２倍希釈に２！０Ｃの
温度で１分間浸し現像した。形成されたパターンはそれ
ぞれ０１２２ｍまでシャープに解像されておシ、またパ
ターン側面の定在波によるギザギザもなく、アルミ表面
からのハレーション防止効果に優れていることがわかっ
た。また、いずれもプリベーキングによって吸光剤はま
ったく昇華せず耐昇華性にすぐれていることがわかった
。
を含むポジ型フォトレジストＨＰＲ，２ｏ４Ａ（商品名
、フィリップ、Ａ、ハント社製、固型分割合２７．を重
量％）に固型分割合に対して／、！重量係の本発明の化
合物例／、Ｊを吸光剤としてそれぞれ添加した２種の７
オトレジストを調整した。これをアルミ蒸着をした≠イ
ンチシリコンウェハーに膜厚が／、０μｍになるように
スピナーで回転塗布（７０００ｒ、ｐｏｍ、２０秒）し
、Ｎ２気流下り０°Ｃ，３０分プリベーキングを行なっ
た。これを解像カテスト／ミターンを介して縮少投影型
ステツノξ−にコンＮ５Ｒ−ｉｚｏｚＧ）を用いてＯ０
ｊφ秒露光した後Ｐｏｓ目」ｖｅＬＳＩ Ｄｅｖｅｌ
ｏｐｅｒ Ｍｅｔａｌ Ｉｏｎ Ｆｒｅｅ（商品名、
フィリップ、Ａ、ハント社製）、２倍希釈に２！０Ｃの
温度で１分間浸し現像した。形成されたパターンはそれ
ぞれ０１２２ｍまでシャープに解像されておシ、またパ
ターン側面の定在波によるギザギザもなく、アルミ表面
からのハレーション防止効果に優れていることがわかっ
た。また、いずれもプリベーキングによって吸光剤はま
ったく昇華せず耐昇華性にすぐれていることがわかった
。
更に、プリベーキングの温度を変えてＵＶ−可視スペク
トロメーターを用いて吸光度を測定し、吸光度晶変化を
調べた結果を第７図に示すが、変化が小さく優れたもの
であった。
トロメーターを用いて吸光度を測定し、吸光度晶変化を
調べた結果を第７図に示すが、変化が小さく優れたもの
であった。
比較例１
前記吸光剤を添加せず、また露光時間を０．３３秒とし
、他は実施例１と同様に行なった。得られた最小パター
ンの線巾はＯ０ｔμ扉ではあるが反射光によって生じる
定在波によるものと思われるノ々ターン側面のギザギザ
が見られた。
、他は実施例１と同様に行なった。得られた最小パター
ンの線巾はＯ０ｔμ扉ではあるが反射光によって生じる
定在波によるものと思われるノ々ターン側面のギザギザ
が見られた。
比較例コ
実施例１の本発明の化合物の代？） Ｋ ｏ ｉ １ｙ
ｅｌｌｏｗ （商品名、 は同様にしてフォトレジストを調整し、実施例１と同様
にプリイーキングの温度を変えたときの吸光度比の変化
を第１図に示す。第１図から明らかな様に、プリベーキ
ングの温度が高いと吸光度比の低下が大きかった。
ｅｌｌｏｗ （商品名、 は同様にしてフォトレジストを調整し、実施例１と同様
にプリイーキングの温度を変えたときの吸光度比の変化
を第１図に示す。第１図から明らかな様に、プリベーキ
ングの温度が高いと吸光度比の低下が大きかった。
実施例λ
クレゾール−ホルマリンノボラック樹脂（ｍ−クレゾー
ル／ｐ−クレゾール比：ｊ！／≠よ）のλ−エトキシエ
チルエーテル溶液（固型分割合３２、Ｏ重量Ｓ）に固型
分に対してｉ、ｚ重量％のｏｉｌ ｙｅｌｌｏｗ と
本発明の化合物例／３、ｌｔの吸光剤をそれぞれ添加し
、青板ガラス基板に回転塗布（４ＡＯＯＯｒ、ｐ、ｒｎ
ｏ、２０秒、１．参μｍ）をした。これらをＮ２気流下
／ＪＯ’Ｃでベーキングし、ＵＶ−可視スはクトロメー
ターを用いて吸光度比の経時変化を測定した。その結果
を第２図に示す。
ル／ｐ−クレゾール比：ｊ！／≠よ）のλ−エトキシエ
チルエーテル溶液（固型分割合３２、Ｏ重量Ｓ）に固型
分に対してｉ、ｚ重量％のｏｉｌ ｙｅｌｌｏｗ と
本発明の化合物例／３、ｌｔの吸光剤をそれぞれ添加し
、青板ガラス基板に回転塗布（４ＡＯＯＯｒ、ｐ、ｒｎ
ｏ、２０秒、１．参μｍ）をした。これらをＮ２気流下
／ＪＯ’Ｃでベーキングし、ＵＶ−可視スはクトロメー
ターを用いて吸光度比の経時変化を測定した。その結果
を第２図に示す。
本発明の化合物は７２０分間のベーキングでもほとんど
昇華がおこらず従来品であるｏｉｌｙｅＮｏｗと比較し
て明らかに耐昇華性に優れている。
昇華がおこらず従来品であるｏｉｌｙｅＮｏｗと比較し
て明らかに耐昇華性に優れている。
本発明の化合物はプリベーキング（通常りＯｏＣ：、３
０分）において吸光剤昇華によるハレーション防止効果
の低下及びばらつきがなくきわめて安定性に優れている
。また、４ターン形成後のポストベーキング（通常／Ｊ
Ｏ’Ｃ，３０分）においても昇華はほとんどなくパター
ンへの悪影響も考えられない。
０分）において吸光剤昇華によるハレーション防止効果
の低下及びばらつきがなくきわめて安定性に優れている
。また、４ターン形成後のポストベーキング（通常／Ｊ
Ｏ’Ｃ，３０分）においても昇華はほとんどなくパター
ンへの悪影響も考えられない。
実施例３
実施例コの化合物／３、ｌｒをその他の本発明の化合物
にかえたこと以外は実施例２と同様にしてサンプルを作
Ｆ）、／ＪＯｏＣで３０分間ベーキングし、Ｕｖ−可視
スペクトロメーターを用いて吸光度の変化を測定した。
にかえたこと以外は実施例２と同様にしてサンプルを作
Ｆ）、／ＪＯｏＣで３０分間ベーキングし、Ｕｖ−可視
スペクトロメーターを用いて吸光度の変化を測定した。
その結果を第１表に示す。
第１表
この結果よシ本発明の化合物は従来の化合物（ｏｉｌ
ｙｅｌｌｏｗ）に較べて格段に耐昇華性にすぐれてい
ることがわかる。
ｙｅｌｌｏｗ）に較べて格段に耐昇華性にすぐれてい
ることがわかる。
第１図はベーキング時間３０分における、ベーキング温
度と吸光度比の関係を示す。 第２図はベーキング温度ｉｓｏ °Ｃにおける、ベーキ
ング時間と吸光度比の関係を示す。 第１図において、Ｏは化合物例３、Δは化合物例７１０
はｏｉｌ ｙｅｌｌｏｗ を示し、第２図ニオいて・
は化合物例１３、ムは化合物例Ｉｔ、■はｏｉｌ ｙ
ｅｌｌｏｗ を示す。 特許出願人 富士写真フィルム株式会社第１図 メジえジグ湛、友（し） 第２図 べ′−七づ時開（夕） 手続補正書 昭和！２年７２月ｔ２−８ １、事件の表示 昭和！２年特願第−２３０２１
７号２、発明の名称 新規なフォトレジスト組成物３
、補正をする者 事件との関係 特許出願人連絡先 〒１０
６東京都港区西麻布２丁目２６番３０号４、補正の対象
明細書の「発明の詳細な説明」の欄 ５、補正の内容 明細書の「発明の詳細な説明」の項の記載を下記の通り
補正する。 ／）第２頁φ行目の 「分野」の前に 「利用」 を挿入する。 ２）第６頁／４Ｌ行目の と補正する。
度と吸光度比の関係を示す。 第２図はベーキング温度ｉｓｏ °Ｃにおける、ベーキ
ング時間と吸光度比の関係を示す。 第１図において、Ｏは化合物例３、Δは化合物例７１０
はｏｉｌ ｙｅｌｌｏｗ を示し、第２図ニオいて・
は化合物例１３、ムは化合物例Ｉｔ、■はｏｉｌ ｙ
ｅｌｌｏｗ を示す。 特許出願人 富士写真フィルム株式会社第１図 メジえジグ湛、友（し） 第２図 べ′−七づ時開（夕） 手続補正書 昭和！２年７２月ｔ２−８ １、事件の表示 昭和！２年特願第−２３０２１
７号２、発明の名称 新規なフォトレジスト組成物３
、補正をする者 事件との関係 特許出願人連絡先 〒１０
６東京都港区西麻布２丁目２６番３０号４、補正の対象
明細書の「発明の詳細な説明」の欄 ５、補正の内容 明細書の「発明の詳細な説明」の項の記載を下記の通り
補正する。 ／）第２頁φ行目の 「分野」の前に 「利用」 を挿入する。 ２）第６頁／４Ｌ行目の と補正する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一般式〔 I 〕の化合物を少くとも一種含有することを
特徴とするフォトレジスト組成物。 一般式〔 I 〕▲数式、化学式、表等があります▼ Ｚは５〜６のヘテロ環を形成するに必要な非金属原子群
を示し、Ｒは置換もしくは未置換のアルキル基、置換も
しくは未置換のアリール基、置換もしくは未置換のアル
ケニル基、あるいは置換もしくは未置換のアラルキル基
を表わし、Ｇ＾１は置換もしくは未置換のアルキル基、
置換もしくは未置換のアリール基、アラルキル基、アル
コキシ基、置換もしくは未置換のアミノ基を表わす。Ｇ
＾２は上記Ｇ＾１より選ばれる基のほかに、シアノ基、
アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、▲数式
、化学式、表等があります▼で示される基である。Ｇ＾
１とＧ＾２は炭素原子、ヘテロ原子（Ｎ、Ｓ、Ｏ）を介
して５〜６員環を形成するに必要な要素を表わす。ｎは
０もしくは１を表わす。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23098784A JPS61109048A (ja) | 1984-11-01 | 1984-11-01 | 新規なフオトレジスト組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23098784A JPS61109048A (ja) | 1984-11-01 | 1984-11-01 | 新規なフオトレジスト組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61109048A true JPS61109048A (ja) | 1986-05-27 |
Family
ID=16916453
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23098784A Pending JPS61109048A (ja) | 1984-11-01 | 1984-11-01 | 新規なフオトレジスト組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61109048A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01245250A (ja) * | 1988-03-28 | 1989-09-29 | Toshiba Corp | ポジ型レジスト組成物 |
| US6815033B2 (en) | 2001-12-06 | 2004-11-09 | Mitsubishi Chemical Corporation | Compound, optical recording medium and optical recording method |
| JP2009203349A (ja) * | 2008-02-28 | 2009-09-10 | Fujifilm Corp | フォトレジスト用化合物、フォトレジスト液、およびこれを用いるエッチング方法 |
-
1984
- 1984-11-01 JP JP23098784A patent/JPS61109048A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01245250A (ja) * | 1988-03-28 | 1989-09-29 | Toshiba Corp | ポジ型レジスト組成物 |
| US6815033B2 (en) | 2001-12-06 | 2004-11-09 | Mitsubishi Chemical Corporation | Compound, optical recording medium and optical recording method |
| JP2009203349A (ja) * | 2008-02-28 | 2009-09-10 | Fujifilm Corp | フォトレジスト用化合物、フォトレジスト液、およびこれを用いるエッチング方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR960010025B1 (ko) | 페놀성 수지의 디아조퀴논 화합물을 함유하는 광민감성 조성물 | |
| JPS6088941A (ja) | フオトレジスト組成物 | |
| JPS59142538A (ja) | 感光性組成物 | |
| JPS6186749A (ja) | ホトレジストパターンの製造法 | |
| US6284428B1 (en) | Undercoating composition for photolithographic resist | |
| JPS6193445A (ja) | 新規なフオトレジスト組成物 | |
| JPS58174941A (ja) | 新規な吸光剤及びそれを含有するホトレジスト組成物 | |
| JPH0459630B2 (ja) | ||
| EP0929842B1 (en) | Bottom antireflective coatings containing an arylhydrazo dye | |
| JPS61109048A (ja) | 新規なフオトレジスト組成物 | |
| JPS6173144A (ja) | ホトレジスト及びホトレジストパターンの形成方法 | |
| JPH0241741B2 (ja) | ||
| JPS6134653B2 (ja) | ||
| JPS6198344A (ja) | 新規なフオトレジスト組成物 | |
| JP2654986B2 (ja) | フォトレジスト組成物 | |
| JPS61109049A (ja) | 新規なフオトレジスト組成物 | |
| US5250392A (en) | Process of developing a negative-working radiation-sensitive photoresist containing cyclized rubber polymer and contrast enhancing azo dye | |
| JPH0343615B2 (ja) | ||
| US5206110A (en) | Negative-working radiation-sensitive mixtures containing cyclized rubber polymer and contrast enhancing azo dye | |
| JPS63161443A (ja) | フオトレジスト組成物 | |
| JPS63159839A (ja) | 新規なフオトレジスト組成物 | |
| JPS61121051A (ja) | フオトレジスト材料 | |
| JP2626068B2 (ja) | フォトレジスト組成物 | |
| JP2001501323A (ja) | アリールヒドラゾ染料を含む感光性組成物 | |
| JPS61118741A (ja) | フオトレジスト材料 |