JPS6088941A - フオトレジスト組成物 - Google Patents
フオトレジスト組成物Info
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- JPS6088941A JPS6088941A JP58198046A JP19804683A JPS6088941A JP S6088941 A JPS6088941 A JP S6088941A JP 58198046 A JP58198046 A JP 58198046A JP 19804683 A JP19804683 A JP 19804683A JP S6088941 A JPS6088941 A JP S6088941A
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- aryl
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
- G03F7/0226—Quinonediazides characterised by the non-macromolecular additives
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はフオトレジスＩ・組成物に関する。
近年、集積回路の集積度はますます高まり、現実にＶＬ
ＳＩ（超大型集積回路）が製造されている。このような
ＶＬＳ Ｉの製造においては、その最小の素子寸法が１
〜２μｍを下回るので、従来、多用されてきたネガ型フ
第１・レジストは、解像力の限界から使用することがで
きず、専らポジ型フォトレジストが使用されている。
ＳＩ（超大型集積回路）が製造されている。このような
ＶＬＳ Ｉの製造においては、その最小の素子寸法が１
〜２μｍを下回るので、従来、多用されてきたネガ型フ
第１・レジストは、解像力の限界から使用することがで
きず、専らポジ型フォトレジストが使用されている。
一般にポジ型フォトレジストは、アルカリ水溶液に可溶
性の重合体、例えば、ノボラック型クレゾール樹脂と、
光増感剤、例えば、２，３．４− トリヒドロキシベン
ゾフェノンの１．２−ナフトキノンジアジド−５−スル
ホニルエステル等の１．２−ナフトキノンジアジド化合
物との混合物を有機溶剤に熔解させ、或いはノボラック
型クレゾール樹脂に１．２−ナフト−キノンジアジド−
５−スルホニルクロリドのような１，２−キノンジアジ
ド化合物を縮合させた高分子化１．２−キノンジアジド
化合物を有機溶剤に熔解させて調製されている。ここに
、上記したアルカリ水溶性に可溶性の重合体と１．２−
キノンジアジド化合物との混合物を例にとれば、フォト
レジスト組成物自体はアルカリ水溶液に難溶性であるが
、上記キノンジアジド化合物は光照射によって反応し、
インデンカルボン酸となるので、光照射を受けたフォト
レジストはアルカリ水溶液に易溶性となる。従って、こ
のフォトレジスト組成物の塗布層をフォトマスクを介し
て露光し、露光部分を可溶化した後、アルカリ水溶液を
現像液として用いて露光部分を熔解除去することにより
、ポジ型フォトレジストパターンを得ることができる。
性の重合体、例えば、ノボラック型クレゾール樹脂と、
光増感剤、例えば、２，３．４− トリヒドロキシベン
ゾフェノンの１．２−ナフトキノンジアジド−５−スル
ホニルエステル等の１．２−ナフトキノンジアジド化合
物との混合物を有機溶剤に熔解させ、或いはノボラック
型クレゾール樹脂に１．２−ナフト−キノンジアジド−
５−スルホニルクロリドのような１，２−キノンジアジ
ド化合物を縮合させた高分子化１．２−キノンジアジド
化合物を有機溶剤に熔解させて調製されている。ここに
、上記したアルカリ水溶性に可溶性の重合体と１．２−
キノンジアジド化合物との混合物を例にとれば、フォト
レジスト組成物自体はアルカリ水溶液に難溶性であるが
、上記キノンジアジド化合物は光照射によって反応し、
インデンカルボン酸となるので、光照射を受けたフォト
レジストはアルカリ水溶液に易溶性となる。従って、こ
のフォトレジスト組成物の塗布層をフォトマスクを介し
て露光し、露光部分を可溶化した後、アルカリ水溶液を
現像液として用いて露光部分を熔解除去することにより
、ポジ型フォトレジストパターンを得ることができる。
このように、ポジ型フォトレジストは現像液としてアル
カリ水溶液を用いるために、現像液として炭化水素溶剤
のような有ｍＲ剤を用いるネガ型フォトレジストと異な
り、フォトレジスト被膜の膨潤がな（、ネガ型フォトレ
ジストに比較して解像度がすぐれるが、しかし、ネガ型
フォトレジストの場合と同様に、アルミニウムやクロム
等のように表面反射率の高い基板を用いるとき、この基
板面上で反射された光が未露光部分に回り込み、その部
分を露光させる所謂ハレーション現象が起こり、マスク
の所定の線幅に対して忠実に画像形成することが困難で
ある。即ち、所要のパターンを有するマスクを介してフ
ォトレジスト層を露光させる際に、マスクの透光領域を
透過した光が基板表面で反射し、これがマスクの遮光領
域に対応するフォトレジスト層にまで到達して、その部
分を露光させ、かくして、解像度が低下する。特に、基
板表面に段差がある場合に上記のハレーションが一層顕
著となる。
カリ水溶液を用いるために、現像液として炭化水素溶剤
のような有ｍＲ剤を用いるネガ型フォトレジストと異な
り、フォトレジスト被膜の膨潤がな（、ネガ型フォトレ
ジストに比較して解像度がすぐれるが、しかし、ネガ型
フォトレジストの場合と同様に、アルミニウムやクロム
等のように表面反射率の高い基板を用いるとき、この基
板面上で反射された光が未露光部分に回り込み、その部
分を露光させる所謂ハレーション現象が起こり、マスク
の所定の線幅に対して忠実に画像形成することが困難で
ある。即ち、所要のパターンを有するマスクを介してフ
ォトレジスト層を露光させる際に、マスクの透光領域を
透過した光が基板表面で反射し、これがマスクの遮光領
域に対応するフォトレジスト層にまで到達して、その部
分を露光させ、かくして、解像度が低下する。特に、基
板表面に段差がある場合に上記のハレーションが一層顕
著となる。
既ニ特公昭５１−３７５６２号公報には、ネガ型フォト
レジストにおけるかかる問題を解決することを目的とし
て、紫外線領域に吸収特性を有する有機染料オイルイエ
ロー（商品名）の一種を吸光剤として含有させて、フォ
トレジス１一層の光透過性を減少させ、かくして、基板
表面で反射してフォトレジスト層を透過する光を急激に
減衰させ、マスクによる遮光領域への所謂光の回り込み
によるハレーション及び解像度の低下を防止することが
提案されている。
レジストにおけるかかる問題を解決することを目的とし
て、紫外線領域に吸収特性を有する有機染料オイルイエ
ロー（商品名）の一種を吸光剤として含有させて、フォ
トレジス１一層の光透過性を減少させ、かくして、基板
表面で反射してフォトレジスト層を透過する光を急激に
減衰させ、マスクによる遮光領域への所謂光の回り込み
によるハレーション及び解像度の低下を防止することが
提案されている。
しかし、一般にフォトレジストは溶液状組成物であるの
で、その使用に際してはこれを基板に塗布した後、ポジ
型フォトレジスｉ・につぃていえば、１．２４ノンジア
ジド化合物を分解さセることなく、溶剤を完全に揮散さ
せるために、通審、８０〜１００℃の温度に加熱、即ち
、プレベーキングを行ない、同時にフォトレジスト層を
基板に接着させて、画像を形成することが必要であるが
、上記したオイルイエローはフォトレジスト組成物の塗
布層を加熱する際に容易に昇華揮散し、露光時のハレー
ション防止効果が十分でないと共に、処理条件によって
ハレーション防止効果が著しく変動する。一方、オイル
イエローの昇華揮散を抑えるために、プレベーキング温
度を低くした場合、形成されるフォトレジスト層に溶剤
が残留し、フォトレジスト層の基板への接着性を著しく
低下させると共に、フォトレジスト層の感度も低下させ
る。
で、その使用に際してはこれを基板に塗布した後、ポジ
型フォトレジスｉ・につぃていえば、１．２４ノンジア
ジド化合物を分解さセることなく、溶剤を完全に揮散さ
せるために、通審、８０〜１００℃の温度に加熱、即ち
、プレベーキングを行ない、同時にフォトレジスト層を
基板に接着させて、画像を形成することが必要であるが
、上記したオイルイエローはフォトレジスト組成物の塗
布層を加熱する際に容易に昇華揮散し、露光時のハレー
ション防止効果が十分でないと共に、処理条件によって
ハレーション防止効果が著しく変動する。一方、オイル
イエローの昇華揮散を抑えるために、プレベーキング温
度を低くした場合、形成されるフォトレジスト層に溶剤
が残留し、フォトレジスト層の基板への接着性を著しく
低下させると共に、フォトレジスト層の感度も低下させ
る。
本発明はポジ型フォトレジストにおける上記した問題を
解決するためになされたものであって、露光時のハレー
ションをプレベーキング温度によらずに安定して防止し
得るポジ型フォトレジスト組成物を提供することを目的
とする。
解決するためになされたものであって、露光時のハレー
ションをプレベーキング温度によらずに安定して防止し
得るポジ型フォトレジスト組成物を提供することを目的
とする。
本発明によるフォトレジスＩ・組成物は、アルカリ水溶
液に可溶性の重合体と、光増感剤としての１．２−キノ
ンジアジド化合物とを含有するポジ型フォトレジスト組
成物において、 （但し、Ｒ及びＲはそれぞれ独立に水素原子、アルキル
基、アルケニル基、アリール基又はアラルキル基を示す
。） で表わされる化合物、 （Ｂ）一般式 ％式％ 独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基、アリール
基又はアラルキル基を示す。）で表わされる化合物、 （Ｃ）一般式 （但し、Ｒ１は水素原子、アルキル基又はアルコキシア
ルキル基を示し、ｉ はアルキル基、アルコキシアルキ
ル基又は水溶性の置換基を有していてもよいアリール基
を示す。） で表わされる化合物、及び （Ｄ）一般式 （但し、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立に水素原子、アル
キル基、アルコキシ基、ニトロ基又はハロゲン原子を示
し、Ｒ３は水素原子、アルキル基又はアシルアミノ基を
示し、Ｒ４及びＲ５はそれぞれ独立にアルキル基、ヒド
ロキシアルキル基、アルコキシアルキル基、アルコキシ
カルボニルアルキル基、アリール基又はアラルキル基を
示す。） で表わされる化合物、 から選ばれる少なくとも１種の化合物を含有することを
特徴とする。
液に可溶性の重合体と、光増感剤としての１．２−キノ
ンジアジド化合物とを含有するポジ型フォトレジスト組
成物において、 （但し、Ｒ及びＲはそれぞれ独立に水素原子、アルキル
基、アルケニル基、アリール基又はアラルキル基を示す
。） で表わされる化合物、 （Ｂ）一般式 ％式％ 独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基、アリール
基又はアラルキル基を示す。）で表わされる化合物、 （Ｃ）一般式 （但し、Ｒ１は水素原子、アルキル基又はアルコキシア
ルキル基を示し、ｉ はアルキル基、アルコキシアルキ
ル基又は水溶性の置換基を有していてもよいアリール基
を示す。） で表わされる化合物、及び （Ｄ）一般式 （但し、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立に水素原子、アル
キル基、アルコキシ基、ニトロ基又はハロゲン原子を示
し、Ｒ３は水素原子、アルキル基又はアシルアミノ基を
示し、Ｒ４及びＲ５はそれぞれ独立にアルキル基、ヒド
ロキシアルキル基、アルコキシアルキル基、アルコキシ
カルボニルアルキル基、アリール基又はアラルキル基を
示す。） で表わされる化合物、 から選ばれる少なくとも１種の化合物を含有することを
特徴とする。
本発明において用いるフォトレジスト組成物は、アルカ
リ水溶液に可溶性の重合体を樹脂成分として含有すると
共に、１．２−キノンジアジド化合物を光増感剤として
含有する溶液状組成物である。ここに、上記重合体と１
，２−キノンジアジド化合物とは混合物であってもよく
、或いは１．２−キノンジアジド化合物が重合体に側鎖
として結合された高分子化１．２−キノンジアジド化合
物であってもよい。
リ水溶液に可溶性の重合体を樹脂成分として含有すると
共に、１．２−キノンジアジド化合物を光増感剤として
含有する溶液状組成物である。ここに、上記重合体と１
，２−キノンジアジド化合物とは混合物であってもよく
、或いは１．２−キノンジアジド化合物が重合体に側鎖
として結合された高分子化１．２−キノンジアジド化合
物であってもよい。
上記重合体としては、例えば、フェノールやクレゾール
のノボラック型樹脂を代表例として挙げることができる
。また、光増感剤として用いられるキノンジアジド化合
物としては、１，２−ナフトキノンジアジドスルホン酸
クロリド或いは１，２−ベンゾキノンジアジドスルホン
酸クロリドとフロログリシン、２，３．４−トリヒドロ
キシベンゾフェノン、２．４．６−１−リヒドロキシベ
ンゾフエノン又は没食子酸エステルとの縮合生成物、１
．２−ナフトキノンジアジドスルホン酸クロリド或いは
１．２−ベンゾキノンジアジドスルホン酸クロリドとノ
ボラック樹脂との縮合生成物等が用いられる。
のノボラック型樹脂を代表例として挙げることができる
。また、光増感剤として用いられるキノンジアジド化合
物としては、１，２−ナフトキノンジアジドスルホン酸
クロリド或いは１，２−ベンゾキノンジアジドスルホン
酸クロリドとフロログリシン、２，３．４−トリヒドロ
キシベンゾフェノン、２．４．６−１−リヒドロキシベ
ンゾフエノン又は没食子酸エステルとの縮合生成物、１
．２−ナフトキノンジアジドスルホン酸クロリド或いは
１．２−ベンゾキノンジアジドスルホン酸クロリドとノ
ボラック樹脂との縮合生成物等が用いられる。
また、１．２−キノンジアジド化合物を側鎖に結合して
高分子化１，２−キノンジアジド化合物とするための重
合体も既に多くのものが知られており、本発明において
はこれらを任意に用いることができるが、具体例として
、例えば、クレゾールのノボラック型樹脂、ポリアミノ
スチレン、ポリヒドロキシスチレン等を挙げることがで
きる。
高分子化１，２−キノンジアジド化合物とするための重
合体も既に多くのものが知られており、本発明において
はこれらを任意に用いることができるが、具体例として
、例えば、クレゾールのノボラック型樹脂、ポリアミノ
スチレン、ポリヒドロキシスチレン等を挙げることがで
きる。
また、有ｔａ溶剤としては、多くの場合、エチルセロソ
ルブアセテートを主成分とするものが用いられ、通常、
エチルセロソルブアセテートと少量の芳香族炭化水素、
ケトン、エステル等の混合溶剤が用いられる。
ルブアセテートを主成分とするものが用いられ、通常、
エチルセロソルブアセテートと少量の芳香族炭化水素、
ケトン、エステル等の混合溶剤が用いられる。
上記のようなアルカリ水溶液可溶性重合体及び１．２−
キノンジアジド化合物を有ｆｌ？８剤に含有させてなる
ポジ型フォトレジスト組成物としては、シラプレー社の
ＡＺシリーズ、東京応化工業四の０Ｆｉ）Ｒシリーズ、
イーストマン・コダック社のＫＭＰＲ８０９，ＫＭＰＲ
８２０等が知られている。
キノンジアジド化合物を有ｆｌ？８剤に含有させてなる
ポジ型フォトレジスト組成物としては、シラプレー社の
ＡＺシリーズ、東京応化工業四の０Ｆｉ）Ｒシリーズ、
イーストマン・コダック社のＫＭＰＲ８０９，ＫＭＰＲ
８２０等が知られている。
本発明によるフォトレジスト組成物は、前記一般式（Ａ
）、（Ｂ）、（Ｃ）又は（Ｄ）で表わされる化合物（以
下、ハレーション防止剤ということがある。）の少なく
とも１ ｉＭを含有する。
）、（Ｂ）、（Ｃ）又は（Ｄ）で表わされる化合物（以
下、ハレーション防止剤ということがある。）の少なく
とも１ ｉＭを含有する。
特に、本発明において好ましく用いるハレーション防止
剤は、前記一般式（八）で表わされる化合物については
、Ｒ１が炭素数１〜５のアルキル基であり、Ｒが水素で
ある化合物である。従って、特に好ましい具体例として
、式ｆａｌ（ａｌ で表わされるクマリン３１４として知られる染料を挙げ
ることができる。
剤は、前記一般式（八）で表わされる化合物については
、Ｒ１が炭素数１〜５のアルキル基であり、Ｒが水素で
ある化合物である。従って、特に好ましい具体例として
、式ｆａｌ（ａｌ で表わされるクマリン３１４として知られる染料を挙げ
ることができる。
前記一般式（Ｂ）で表わされる化合物については、特に
、Ｒ１が炭素数１〜５のアルキル基であり、Ｒ２乃至Ｒ
４が水素である化合物を好ましく用いることができる。
、Ｒ１が炭素数１〜５のアルキル基であり、Ｒ２乃至Ｒ
４が水素である化合物を好ましく用いることができる。
従って、特に好ましい具体例として、式Ｔｂｌ
で表わされるオイルイエローＯＢとして知られる染料を
挙げることができる。
挙げることができる。
前記一般式（Ｃ）で表わされる化合物については、特に
、Ｒ及びＲが共に炭素数１〜５のアルキルである化合物
が好ましく用いられる。具体例として、例えば、式ＦＣ
Ｉ （Ｃ） で表わされ、カヤセット・フラビンＦＧ（日本化薬＠）
として知られる染料を挙げることができる。
、Ｒ及びＲが共に炭素数１〜５のアルキルである化合物
が好ましく用いられる。具体例として、例えば、式ＦＣ
Ｉ （Ｃ） で表わされ、カヤセット・フラビンＦＧ（日本化薬＠）
として知られる染料を挙げることができる。
また、前記一般式（Ｄ＞で表わされるｊヒ合物について
は、特に、Ｒがニド四基、Ｒが水素原子、Ｒ３が水素原
子、Ｒ４が炭素数１〜５のアルキル基、Ｒ５が炭素数１
〜５のヒドロキシアルキル基である化合物であり、従っ
て、好ましい具体例として、式ｆｄ） （ｄｌ で表わされ、カヤセット・スカーレット９２６（日本化
薬帽として知られる染料を挙げることができる。
は、特に、Ｒがニド四基、Ｒが水素原子、Ｒ３が水素原
子、Ｒ４が炭素数１〜５のアルキル基、Ｒ５が炭素数１
〜５のヒドロキシアルキル基である化合物であり、従っ
て、好ましい具体例として、式ｆｄ） （ｄｌ で表わされ、カヤセット・スカーレット９２６（日本化
薬帽として知られる染料を挙げることができる。
かかるハレーション防止剤は、本発明のフォトレジスト
組成物においては、固型物含量を１００重量部として、
通常、１〜ｌＯ重量部、好ましくは２〜５重量部含有さ
れる。この化合物の含有量が１重量部よりも少ないとき
は、〕＼レーション防止効果が十分でなく、一方、１０
重量部を越えて多量に含有させることは、化合物の溶解
性からやや困難であるうえに、現像後のパターンイメー
ジを悪くする等の問題が生しるので好ましくなし）。
組成物においては、固型物含量を１００重量部として、
通常、１〜ｌＯ重量部、好ましくは２〜５重量部含有さ
れる。この化合物の含有量が１重量部よりも少ないとき
は、〕＼レーション防止効果が十分でなく、一方、１０
重量部を越えて多量に含有させることは、化合物の溶解
性からやや困難であるうえに、現像後のパターンイメー
ジを悪くする等の問題が生しるので好ましくなし）。
本発明によるポジ型フォトレジスト組成物は、以上のよ
うに、所定の化合物を紫外線吸収剤として含有し、特に
、上記化合物はいずれも波長４３６ｎｍ（ｇ線）や４０
５０ｍの紫外線の吸収効果にすぐれるので、基板上のフ
ォトレジスト層の光透過性を減少させ、かくして、基板
表面で反射してフォトレジスト層を透過する光を急激に
減衰させて、マスクによる遮光領域への所謂光の回り込
みによるハレーションを効果的に防止し、高い解像度に
よる微細加工を可能にする。
うに、所定の化合物を紫外線吸収剤として含有し、特に
、上記化合物はいずれも波長４３６ｎｍ（ｇ線）や４０
５０ｍの紫外線の吸収効果にすぐれるので、基板上のフ
ォトレジスト層の光透過性を減少させ、かくして、基板
表面で反射してフォトレジスト層を透過する光を急激に
減衰させて、マスクによる遮光領域への所謂光の回り込
みによるハレーションを効果的に防止し、高い解像度に
よる微細加工を可能にする。
更に、本発明において用いるハレーション防止剤は、高
温下においても殆ど昇華しないので、ポジ型フォトレジ
スト組成物塗布層のプレベーキングに通常採用されてい
る８０〜ｌ ００ ’ｃ程度の加熱によっては、ハレー
ション防止剤は実質的にすべてがフォトレジスト層に残
存し、従って、表面が段差を有する場合も含め、一般に
表面反射率の高い基板表面に画像を形成するに際して、
露光時のハレーション防止効果にすぐれ、極めて高い解
像度にて微細加工を施すことができる。
温下においても殆ど昇華しないので、ポジ型フォトレジ
スト組成物塗布層のプレベーキングに通常採用されてい
る８０〜ｌ ００ ’ｃ程度の加熱によっては、ハレー
ション防止剤は実質的にすべてがフォトレジスト層に残
存し、従って、表面が段差を有する場合も含め、一般に
表面反射率の高い基板表面に画像を形成するに際して、
露光時のハレーション防止効果にすぐれ、極めて高い解
像度にて微細加工を施すことができる。
以下に実施例を挙げて本発明を説明するが、本発明はこ
れら実施例により何ら限定されるものではない。
れら実施例により何ら限定されるものではない。
実施例１
ノボラック型りレゾール樹ｊｌ １００重量部とＬ２−
ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル２５重量部と
をエチルセロソルブアセテート２７０重量部及びγ−ブ
チロラクトン３０重量部とからなる混合溶剤に溶解して
なるポジ型フォトレジスト組成物に、前記式１ａｌ、Ｔ
ｂ） （ｃｌ又はｌｄｌで表わされるハレーション防止
剤を所定量溶解させて、本発明によるポジ型フォトレジ
スト組成物を調製した。
ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル２５重量部と
をエチルセロソルブアセテート２７０重量部及びγ−ブ
チロラクトン３０重量部とからなる混合溶剤に溶解して
なるポジ型フォトレジスト組成物に、前記式１ａｌ、Ｔ
ｂ） （ｃｌ又はｌｄｌで表わされるハレーション防止
剤を所定量溶解させて、本発明によるポジ型フォトレジ
スト組成物を調製した。
このように調製したフォトレジスト組成物を厚ミ０．６
μｍのシリコン酸化膜を有するシリコンウェハー上に膜
厚的１．２μｍになるようにスピンナーを用いて回転塗
布した後、９５℃の恒温槽内で３０分間乾燥した。次い
で、紫外線照射装置ＰＬＡ５０１Ｆ（キャ）７１ｍ製）
を用いて、ＵＣ−１０及びＬ−３９の２枚のフィルター
を通して実質的にｉ線を遮光し、オプトラインマスクを
介して露光して画像を焼き付けた。この後、イーストマ
ン・コダック社製コダック・マイクロポジティブ・レジ
スト・デベロッパー９３２を超純水にて１：１に希釈し
た現像液中に震とうしながら１分間浸漬して現像した後
、超純水で２０秒間リンスし、次いで、１３０℃で３０
分間ポストベークして焼き付けた画像を観察した。
μｍのシリコン酸化膜を有するシリコンウェハー上に膜
厚的１．２μｍになるようにスピンナーを用いて回転塗
布した後、９５℃の恒温槽内で３０分間乾燥した。次い
で、紫外線照射装置ＰＬＡ５０１Ｆ（キャ）７１ｍ製）
を用いて、ＵＣ−１０及びＬ−３９の２枚のフィルター
を通して実質的にｉ線を遮光し、オプトラインマスクを
介して露光して画像を焼き付けた。この後、イーストマ
ン・コダック社製コダック・マイクロポジティブ・レジ
スト・デベロッパー９３２を超純水にて１：１に希釈し
た現像液中に震とうしながら１分間浸漬して現像した後
、超純水で２０秒間リンスし、次いで、１３０℃で３０
分間ポストベークして焼き付けた画像を観察した。
用いた各ハレーション防止剤について、その配合量とＬ
ｌ値（Ｌｉｇｈｔ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｒ）とを表に示
す。
ｌ値（Ｌｉｇｈｔ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｒ）とを表に示
す。
Ｌｌ値は露光エネルギーを示すパラメーターであり、従
って、本発明の組成物においてＬｌ値が増大しているこ
とは、ハレーション防止効果があることを示す。
って、本発明の組成物においてＬｌ値が増大しているこ
とは、ハレーション防止効果があることを示す。
次に、各フォトレジスト組成物について、与えたエネル
ギーに対する残膜率を第１〜４図に示す。
ギーに対する残膜率を第１〜４図に示す。
本発明の組成物はいずれも残膜特性にすぐれている。ま
た、各ポジ型フオｌ−レジスト組成物について、ハレー
ション防止剤の含有量とダラム吸光係数との関係を第５
図乃至第８図に示す。ここに、ダラム吸光係数とは、吸
光度／セル長（■）×濃度（ｇ ／ １２ ）で表わさ
れる物質固有の値であり、尚、上記濃度は測定溶液中の
ポジ型フォトレジスト組成物の固形分含有量を意味する
。本発明によるポジ型フォトレジスト組成物が特に波長
４３６ｎｍ及び４０５ｎｍの紫外線照射に対するハレー
ション防止効果にすぐれていることが明らかである。
た、各ポジ型フオｌ−レジスト組成物について、ハレー
ション防止剤の含有量とダラム吸光係数との関係を第５
図乃至第８図に示す。ここに、ダラム吸光係数とは、吸
光度／セル長（■）×濃度（ｇ ／ １２ ）で表わさ
れる物質固有の値であり、尚、上記濃度は測定溶液中の
ポジ型フォトレジスト組成物の固形分含有量を意味する
。本発明によるポジ型フォトレジスト組成物が特に波長
４３６ｎｍ及び４０５ｎｍの紫外線照射に対するハレー
ション防止効果にすぐれていることが明らかである。
更に、各ハレーション防止剤を含有するフォトレジスト
組成物を所定の温度に加熱したときのハレーション防止
剤の残存率を第９図乃至第１１図に示す０本発明による
フォトレジスト組成物においては、１００℃の温度での
加熱よっても、ハレーション防止剤が実質的に昇華揮散
しないことが明らかである。
組成物を所定の温度に加熱したときのハレーション防止
剤の残存率を第９図乃至第１１図に示す０本発明による
フォトレジスト組成物においては、１００℃の温度での
加熱よっても、ハレーション防止剤が実質的に昇華揮散
しないことが明らかである。
第１図乃至第４図は本発明にょるポジ型フォトレジスト
組成物の露光エネルギーと残膜率との関係を示すグラフ
、第５図乃至第８図は本発明にょるポジ型フォトレジス
ト組成物について、ハレーション防止剤の含有量とダラ
ム吸光係数との関係を示すグラフ、第９図乃至第１１図
は本発明にょるポジ型フォトレジスト組成物を加熱した
場合のハレーション防止剤の残存率を示すグラフである
。
組成物の露光エネルギーと残膜率との関係を示すグラフ
、第５図乃至第８図は本発明にょるポジ型フォトレジス
ト組成物について、ハレーション防止剤の含有量とダラ
ム吸光係数との関係を示すグラフ、第９図乃至第１１図
は本発明にょるポジ型フォトレジスト組成物を加熱した
場合のハレーション防止剤の残存率を示すグラフである
。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｉｌｌ アルカリ水溶液に可溶性の重合体と、１，２−
キノンジアジド化合物とを含有するポジ型フォトレジス
ト組成物において、 （但し、Ｒ１及びＲはそれぞれ独立に水素原子、アルキ
ル基、アルケニル基、了り−ル基又はアラルキル基を示
す。） で表わされる化合物、 （Ｂ）一般式 ％式％ 独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基、了り−ル
基又はアラルキル基を示す。）で表わされる化合物、 （Ｃ）一般式 （但し、Ｒ１は水素原子、アルキル基又はアルコキシア
ルキル基を示し、Ｒ２ばアルキル基、アルコキシアルキ
ル基又は水溶性の置換基を有していてもよいアリール基
を示す。） で表わされる化合物、及び （Ｄ）一般式 （但し、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立に水素原子、アル
キル基、アルコキシ基、ニトロ基又はハロゲン原子を示
し、Ｒ３ば水素原子、アルキル基又はアシルアミノ基を
示し、Ｒ４及ヒＲ５ばそれぞれ独立にアルキル基、ヒド
ロキシアルキル基、アルコキシアルキル基、アルコキシ
カルボニルアルキル基、アリール基又はアラルキル基を
示す。） で表わされる化合物、 から選ばれる少なくとも１種の化合物を含有することを
特徴とするポジ型フメトレジスト組成物。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58198046A JPS6088941A (ja) | 1983-10-21 | 1983-10-21 | フオトレジスト組成物 |
| US06/663,455 US4575480A (en) | 1983-10-21 | 1984-10-22 | Photoresist composition |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58198046A JPS6088941A (ja) | 1983-10-21 | 1983-10-21 | フオトレジスト組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6088941A true JPS6088941A (ja) | 1985-05-18 |
Family
ID=16384629
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58198046A Pending JPS6088941A (ja) | 1983-10-21 | 1983-10-21 | フオトレジスト組成物 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4575480A (ja) |
| JP (1) | JPS6088941A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS63159843A (ja) * | 1986-12-24 | 1988-07-02 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | ポジ型ホトレジスト |
| JPS642034A (en) * | 1987-06-25 | 1989-01-06 | Sumitomo Chem Co Ltd | Photoresist composition |
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| JPH01154049A (ja) * | 1987-10-30 | 1989-06-16 | Hoechst Ag | ポジ型のフォトレジスト組成物、ポジ型の感光性記録材料及びフォトレジストパターンの製造法 |
| JPH02251960A (ja) * | 1989-03-27 | 1990-10-09 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ポジ型感光性組成物 |
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| US4668606A (en) * | 1985-11-20 | 1987-05-26 | Eastman Kodak Company | Positive photoresist with antireflection coating having thermal stability |
| JP2614847B2 (ja) * | 1986-06-16 | 1997-05-28 | 東京応化工業 株式会社 | ポジ型感光性組成物 |
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| JPH083628B2 (ja) * | 1986-10-13 | 1996-01-17 | 三菱電機株式会社 | 非帯電性レジスト |
| US5168030A (en) * | 1986-10-13 | 1992-12-01 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Positive type o-quinone diazide photo-resist containing antistatic agent selected from hydrazones, ethylcarbazole and bis(dimethylamino)benzene |
| JPS63286843A (ja) * | 1987-05-19 | 1988-11-24 | Nippon Zeon Co Ltd | ポジ型フォトレジスト組成物 |
| DE3735852A1 (de) * | 1987-10-23 | 1989-05-03 | Hoechst Ag | Positiv arbeitendes lichtempfindliches gemisch, enthaltend einen farbstoff, und daraus hergestelltes positiv arbeitendes lichtempfindliches aufzeichnungsmaterial |
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| US5164279A (en) * | 1988-06-06 | 1992-11-17 | Shipley Company Inc. | Positive dye photoresist compositions with 4,6-bis(azophenyl)resorcinol |
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| US5206110A (en) * | 1991-02-04 | 1993-04-27 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | Negative-working radiation-sensitive mixtures containing cyclized rubber polymer and contrast enhancing azo dye |
| JP3064595B2 (ja) | 1991-04-26 | 2000-07-12 | 住友化学工業株式会社 | ポジ型レジスト組成物 |
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| JP3324898B2 (ja) * | 1995-02-24 | 2002-09-17 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型レジストパターンの製造方法 |
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| US5858930A (en) * | 1997-05-30 | 1999-01-12 | United Color Manufacturing, Inc. | Liquid Benz-iso-Quinoline derivatives |
| US6150306A (en) * | 1999-03-04 | 2000-11-21 | Morton Internatioanl Inc. | Fluorescent tracer dyes |
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-
1983
- 1983-10-21 JP JP58198046A patent/JPS6088941A/ja active Pending
-
1984
- 1984-10-22 US US06/663,455 patent/US4575480A/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
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|---|---|
| US4575480A (en) | 1986-03-11 |
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