JPH02226250A - ポジ型フオトレジスト組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 本発明は、アルカリ可溶牲樹脂及び１，２−ナフトキノ
ンジアジド化合物を配合して成るポジ型フォトレジスト
組成物の改良に関するものであって、特に凹凸を有する
基板や反射率の高い基板においても微細パターンの形成
能力に優れたポジ型フォトレジスＦ組成物に関するもの
である。

本発明によるポジ型フォトレジスト組成物は、半導体ウ
ェハー、又はガラス、セラミックス、金属等の基板上に
スピン塗布法又はローラー塗布法で０．５〜３　μｍの
厚みに塗布される。その後、加熱、乾燥し、露光マスク
を介して回路パターン等を紫外線照射などにより焼き付
け、現像してポジ画像が得られる。更にこのポジ画像を
マスクとしてエツチングする事により基板にパターン状
の加工を施すことができる。代表的な応用分野はＩＣ等
の半導体製造工程、更にその他の７オト７アプリケーシ
ヨンエ程である。

「従来技術」 ポジ型フォトレジスト組成物としては、一般にアルカリ
可溶性樹脂と感光物としてのす７トキノンジアジド化合
物とを含む組成物が用いられている。例えば、　「／ボ
ラック型フェノール樹脂／す７トキノンジアジド置換化
合物」としてＵＳＰ−３，６６６，４７３号、ＵＳＰ−
４，１１５，１２８号及びＵＳＰ−４，１７３，４７０
号等に、また最も典型的な組成物として［クレゾール−
ホルムアルデヒドより成るノボラック樹脂／トリヒドロ
キジベンゾフェノン−１，１−ナフトキノンジアジドス
ルホン酸エステル」の例がトンプソン［イントロダクシ
ョン・トウー・マイクロリソグラフィーＪ　　（Ｌ、Ｆ
、Ｔｈｏ＋ｏｐｓｏｎ　　ｒＩｎｔｒ。

ｄｕｃｔｉｏｎ　　ｔｏ　　Ｍｉｃｒｏｌｉｔｈ。

ｇｒａｐｈｙＪ）（ＡＣ８出版、Ｎｏ、２１９号、Ｐ１
１２〜１２１）に記載されている。

結合剤としての７ボラツク樹脂は、膨潤することなくア
ルカリ水溶液に溶解可能であり、また生成した画像をエ
ツチングのマスクとして使用する際に特にプラズマエツ
チングに対して高い耐性を与えるが故に本用途に特に有
用である。また、感光物に用いるす７トキノンジアジド
化合物は、それ自身ノボフック樹脂のアルカリ溶解性を
低下せしめる溶解阻止剤として作用するが、光照射を受
けて分解するとアルカリ可溶性物質を生じてむしろノボ
ラック樹脂のアルカリ溶解度を高める働きをする息で特
異であり、この光に対する大きな性質変化の故にポジ型
フォトレジストの感光物として特に有用である。

一 これまで、かかる観点から７ボラツク樹脂とす７トキノ
ンジアジド系感光物を含有する数多くのポジ型フォトレ
ジストが開発、実用化されている。

しかしながら、この様に高い解像力を誇るポジ型フォト
レジストであるが、例えばアルミニウムのような反射率
の高い基板上にパターンニングすると基板からの反射光
（ハレーション）の影響を受け、像がぼやけたり線幅の
コントロールが着しく困難になる。

この現象は基板に段差がある場合、−層顕者になる。

このような問題点を解決する（ハレーションを防止する
）ために、吸光性材料を添加することは公知である。例
えば、特公昭５１−３７５６２号には、紫外線領域に吸
光特性を有する染料・オイを吸光剤として含有させてフ
ォトレジスト層の光透過性を減少させ、基板表面で反射
してフォトレジスト層を透過する光を低減させ、紫外光
線を照射すべきでない領域への光の回り込みを少なくし
、解像度低下を防止する方法が開示されている。

しかし、この染料を用いる場合には、フォトレジスト組
成物溶液を基板上に塗布後、残留溶媒を除去し、同時に
、基板との密着性を向上させるために行われるプリベー
キングの際に吸光性材料の一部がフォトレジスト膜中か
ら昇華するために、ハレーション防止効果が着しく低下
したり、プリベーキング条件の影響を大きく受け、感度
等のレジスト性能がばらつくという欠点がある。

特開昭５５−３６８３８号には、プリベーキング時の昇
華性の改良された吸光剤（１−アルコキシ−４−（４’
−Ｎ、Ｎ−ジアルキルアミノ７エ二ルアゾ）ベンゼン）
誘導体が開示されているが、この吸光剤を通常のポジ型
フォトレジストに配合した場合、感度が着しく低下する
という欠点があった。

また、特開昭５９−１４２５３８号に開示されているア
ルカリ可溶性アゾ化合物を用いる場合には、感度低下や
吸光性材料による感度のばらつきは少ないが、ハレーシ
ョン防止作用という点では十分に満足しうるちのではな
く、近年の半導体産業における急速な加工寸法の微細化
に対応できないのが現状である。

「本発明が解決しようとする問題点」 本発明の目的は、半導体素子製造分野にお、いて急速に
進行している加工寸法の微細化に対応するために、前記
したような従来の感光性組成物における欠点を克服し、
寸法安定性に極めて優れたレジストパターンを形成しう
るポジ型フォトレジスト組成物を提供することある。

即ち、本発明の目的は、高感度で、プリベーキング条件
によってレジスト性能が低下することがなく、しかもハ
レーション防止効果が高く解像力の高いレジストパター
ンを形成することのできるポジ型フォトレジスト組成物
を提供することにある。

「問題点を解決するための手段」 本発明者等は、鋭意検討の結果、キノンジアジド化合物
及びアルカリ可溶性ノボラック樹脂を含むポジ型感光性
樹脂組成物に、ある種のアゾ化合物系吸光剤を添加する
と上記目的を達成できることを見いだし、この知見に基
づいて本発明を完成するに至った。

すなわち、本発明の目的は、アルカリ可溶牲樹脂及び１
，２−ナフトキノンジアジド基を含む化合物から成るポ
ジ型組成物において、更に下記−最大（１）、（ＩＩ）
、（ＩＩ）、ＮＶ）、（Ｖ）及び（Ｖｌ）から成る群か
ら選ばれた少なくとも１種の吸光剤を全固形分の０．１
〜１０重量％含むことを特徴とするポジ型フォトレジス
ト組成物を提供することにある。

ｔ１ Ｒ，：水素原子もしくは低級アルキル基Ｘ：硫黄もしく
は酸素原子 Ｒ２：水酸基もしくはジ（低級アルキル）アミ７基 Ｒ　３，Ｒ　＜　：水素原子もしくはカルボキシル基を
表し、少なくとも一方はカルボ キシル基である Ｒ５：水素原子、水酸基もしくはニトロ基Ｒ　６，Ｒ　
ｔ　：水素原子、低級アルキル基もしくはニトロ基 Ｒ８：水素原子、水酸基もしくはアミノ基Ｒ．，Ｒ，．
：水素原子、アミノ基、低級アルキル基、ニトロ基もし
くはアシル アミ７基 Ｒ１□Ｒ，２：低級アルキル基もしくはニトロ基を表し
、少なくとも一方は二ト ロ基である Ｒ　１３　ＨＲ１４：水素原子、水酸基、ニトロ基もし
くは低級アルキル基を表し、少 なくとも一つは水酸基である Ｒ　Ｉｓ　ｒ　Ｒ１６：水素原子もしくは水酸基を表し
、少なくとも一つは水酸基である 以下に、本発明の詳細な説明する。

本発明に用いられる吸光剤の具体例として、下記化合物
を挙げることができるが、本発明はこれらに限定される
ものではない。

一般式（１）で表される吸光剤としては、等がある。

一般式（Ｉｎ）で表される吸光剤としては、等がある。

一般式 で表される吸光剤としては、 等がある。

一般式（ＩＶ）で表される吸光剤としては、等がある。

−最大（Ｖ）で表される吸光剤としては一般式（Ｖｌ）
で表される吸光剤としては等がある。

等がある。

このような吸光剤は、公知の方法、例えば、置換フェノ
ール類に芳香族ジアゾニウム塩を結合させて、アゾ化合
物を作ることによって容易に合成することができるが、
必ずしもこの方法に限定されるものではない。

前記−最大で表される本発明の吸光剤は、単独でもしく
は２種以上の組み合わせで、全固形分の０．１〜１０重
量％、好ましくは０．３〜５重量％添加することができ
る。添加量がこれより少ないとハレーション防止効果が
十分でなく、またこれより多いと析出等を起こすので好
ましくない６本発明に用いるアルカリ可溶性樹脂として
はノボラック樹脂、アセトン−ピロガロール樹脂、ポリ
ヒドロキシスチレン及びその誘導体を挙げることができ
る。特にノボラック樹脂が好ましく、所定のモノマーを
主成分として、酸性触媒の存在下、アルデヒド類と縮合
させることにより得られる。

所定のモノマーとしては、フェノール・ω−クレゾール
・ｐ−クレゾール・０−クレゾール等のクレゾール類、
２，５−キシレノール・３，５−キシレノール・３，４
−キシレ／−ル・２，３−キシレノール等のキシレ／−
ル類、０−エチルフェノールφ狛−エチルフェノール・
ｐ−エチルフェノール◆ｐ−ｔ−ブチルフェノール等の
アルキルフェノール類、ｐ−メトキシフェノール・ｍ−
メトキシ７エ／−ル・３，５−ジメトキシフェノール・
２−メトキシ−４−メチルフェノール・ｍ−エトキシフ
ェノール・ｍ−プロポキシフェノール・ｐ−プロポキシ
フェノール・ｍ−ブトキシフェノール・ｐ−プ）＋ジフ
ェノール等のアルコキシフェノール類、２−メチル−４
−イソプロピルフェノール等のビスアルキルフェノール
類、０−クロロフェノール９ＩＩ＋−クロロフェノール
等ｐ−クロロフェノール会ジヒドロキシビフェニル・ビ
スフェノールＡ−フェニルフェノール番レゾルシノール
・す７トール等のヒドロキシ芳香族化合物を単独または
２種以上の組み合わせで使用することができるが、これ
らに限定されるものではない。

アルデヒド類としては、ホルムアルデヒド、バラホルム
アルデヒド、アセトアルデヒド、フルフラール、クロロ
アセトアルデヒド及びこれらのアセタール体、例えばク
ロロアセトアルデヒドノエチルアセタール等を使用する
ことかで外るが、ホルムアルデヒドが好ましい。

酸性触媒としては塩酸、硫酸、ギ酸、酢酸及びシュウ酸
等を使用することができる。

こうして得られた／ボラック樹脂の重量平均分子量は、
２０００〜３００００の範囲であることが好ましい。２
０００未満では未露光部の現像後の膜減りが大きく、３
００００を越えると現像速度が小さくなってしまう。特
に好適なのは６０００〜２００００の範囲である。

ここで、重量平均分子量はゲルパーミェーションクロマ
トグラフィーのポリスチレン換算値をもって定義される
。

本発明に用いられる１、２−ナフトキノンジアジド化合
物としては、１，２−す７トキノンシアジドー５−スル
ホン酸、１，２−ナフトキノンジアジドー４−スルホン
酸あるいは１，２−ペンゾキ／ンジアンドー４−スルホ
ン酸とポリヒドロキシ芳沓族化合物とのエステルが用い
られる。

該ポリヒドロキシ芳香族化合物としては、例えば２，３
．４−）リヒドロキシベンゾフェノン、２゜４．４’−
）リヒドロキシベンゾフェノン、２，４゜６−トリヒド
ロキシベンゾフエノン、２．．３，４゜４゛−テトラヒ
ドロキシベンゾフェノン、２．２’４．４゛−テトラヒ
ドロキシベンゾフェノン、２゜４．６．３’、４’、５
’−へキサヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４．３
’、４’、５’−へキサヒドロキシベンゾフェノン等の
ポリヒドロキシベンゾフェノン類、２，３．４−）リヒ
ドロキシアセトフェノン、２，３．４−）ジヒドロキシ
フェニルへキシルケトン等のポリヒドロキシフェニルア
ルキルケトンタン、ビス（２，３．４−）ジヒドロキシ
フェニル）メタン、ビス（２，４−ジヒドロキシフェニ
ル）プロパン−１等のビス（（ポリ）ヒドロキシフェニ
ル）アルカンＵ、３，４．５−トリヒドロキシ安息香酸
プロピル、３，４．５−）リヒドロキシ安息香酸フェニ
ル等のポリヒドロキシ安息香酸エステル類、ビス（２，
３．４−）リヒドロキシベンゾイル）メタン、ビス（２
，３．４−トリヒドロキシベンゾイル）ベンゼン等のビ
ス（ポリヒドロキシベンゾイル）アルカン又はビス（ポ
リヒドロキシベンゾイル）アリール類、エチレングリコ
ールージ（３，５−ジヒドロキシベンゾエート）等のア
ルキレンージ（ポリヒドロキシベンゾエート）類、３　
、５　、３　’，５　’ービフェニルテトロール、２，
４。

２’，４’−ビフェニルテトロール、２，４，６．３’
５′−ビフェニルペントール、２，、４，６，２°，４
１６°−ビフェニルヘキソール等のポリヒドロキシビフ
ェニル類、４，４°，３°＋，４＋ｔ−テトラヒドロキ
シ−３．５．３’，５”−テトラメチルトリフェニルメ
タン、４，４’，２”、３”、４”−ペンタヒドロキシ
−３．５．３’，５’−テトラメチルトリフェニルメタ
ン、２，３．４．２’，３’，４’，３”、４”オクタ
ヒドロキシ−５，５゛−ジアセチルトリフェニルメタン
等のポリヒドロキシトリフェニルメタン類、３，３．３
’，３’−テトラメチル−１，１゛スピロビーインゲン
−５．６．５’，６’−テトロール、３．３．３　’、
３　’−テトラメチルー１，１゛−スピロビーインゲン
−５，６，７，５°、６’、？’−へキソオール、３，
３．３’、３’−テトラメチル−１゜１゛−スビロビイ
ングン−４，５，６，４’、５　’、６　’へキソオー
ル、３．３．３　’、３　’−テトラメチルー１．１’
−スピロビーインゲン−４，５，６，５’６’、７’−
へキソオール等のポリヒドロキシスビロビーイングン類
あるいはケルセチン、ルチン等の７ラボ７色素類等を用
いることができる。

更に、アセトン−ピロガロール樹脂、７ボラツク樹脂、
ポリヒドロキシスチレン等のポリマーのす７トキノンノ
アンドエステルも用いることができる。

上記感光物とアルカリ可溶性ノボラック樹脂の使用比率
は、ノボラック樹脂１００重量部に対し感光物５〜１０
０重量部、好ましくは１０〜５０重量部である。この使
用比率が５重量部以下では残膜率が着しく低下し、また
１００重量部を超えると感度及び溶剤への溶解性が低下
する。

本発明には更に現像液への溶解促進のために、ポリヒド
ロキシ化合物を含有させることができる。

好ましいポリヒドロキシ化合物には７エ／−ル類、レゾ
ルシン、７０ログルシン、２，３．４−）リヒドロキシ
ベンゾフェノン、２，３，４．４’−テトラヒドロキシ
ベンゾ７エ／ン、アセトン−ピロガロール縮合樹脂、７
０ログルシドなどが含まれる。

本発明の感光物及びアルカリ可溶性ノボラック樹脂を溶
解させる溶剤としては、メチルエチルケトン、シクロヘ
キサノン等のケトン類、エチレングリコールモノメチル
エーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル等の
アルコールエーテル類、ジオキサン、エチレングリコー
ルジメチルエーテル等のエーテル類、メチルセロソルブ
アセテート、エチルセロソルブアセテ−Ｆ等のセロソル
ブエステル類、酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチルな
どの脂肪酸エステル類、１，１．２−）リクロロエチレ
ン等のハロゲン化炭化水素類、ジメチルアセトアミド、
Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチ
ルスルホキシド等の高極性溶剤を例示することができる
。これら溶剤は単独で、あるいは複数の溶剤を混合して
使用することもできる。

本発明のポジ型フォトレジスト組成物には、必要に応じ
、可塑剤、接着助剤及び界面活性剤等を配合することが
できる。その具体例を挙げるならば、メチルバイオレッ
ト、クリスタルバイオレット、マラカイトグリーン等の
染料、ステアリン酸、アセタール樹脂、フェノキシ樹脂
、アルキッド樹脂等の可塑剤、ヘキサメチルジシラザン
、クロロメチルシラン等の接着助剤及びノニルフェノキ
シポリ　（エチレンオキシ）エタノール、オクチルフェ
ノキシポリ　（エチレンオキシ）エタノール等の界面活
性剤がある。

上記ポジ型フォトレジスト組成物を、スピナーコーター
等の適当な塗布方法により塗布後、所定のマスクを通し
て露光し、現像することによりレジスト像が得られる。

本発明の組成物は高反射率の基板を用いても良好なレジ
スト像を得ることができる。

本発明のポジ型７オトレノスト組成物の現像液としでは
、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム
、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニ
ア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、ｎ−プロピル
アミン等の第一アミン類、ジエチルアミン、ジ−ｎ−ブ
チルアミン等の第二アミン類、トリエチルアミン、メチ
ルジエチルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタノー
ルアミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン
類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエ
チルアンモニウムヒドロキシド等の第４級アンモニウム
塩、ビロール、ピペリジン等の環状アミン類等のアルカ
リ類の水溶液を使用することができる。更に、上記アル
カリ類の水溶液にアルコール類、界面活性剤を適当量添
加して使用することもできる。

「発明の効果」 本発明の組成物によりば、高反射率基板上においても線
幅制御性に優れ、感度、解像力、耐昇華性等の署特性に
すく競れたフォトレジストが得られ、微細加工用フォト
レジストとして好適に用いられるものである。

「実施例」 以下、本発明を実施例に基づいて説明するが、本発明は
これらに限定されるものではない。なお、％は他に指定
の無い限り重量％を示す。

実施例１ ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾールを蓚酸を触媒としてホ
ルムアルデヒドで縮合して得られたノボラック樹脂（Ｗ
−クレゾール／ｐ−クレゾール＝４０／６０　　（モル
比＞、Ｍｕ＋　＝７２００）１００重量部と、２，３，
４．４’−テトラヒドロキシベンゾフェノンの１，２−
ナフトキノンジアジドー５−スルホン酸エステル（平均
エステル化ＩＦ７５％）２８重量部をエチルセロソルブ
アセテート３２０重量部に溶解し、フォトレジスト基剤
を調製した。

このフォトレジスト基剤に固形分割合に対して２゜５ｕ
＋ｔ％の本発明の具体例（Ｉ−２）−４−（２−チアゾ
リルアゾ）レゾルシノールを溶解し０゜２　μｍｎのミ
クロフィルターを用いて濾過し、フォトレジストを調製
した。

このフォトレジスト組成物をスピナーを用いてアルミ膜
の付いたシリコンウェハー上に塗布し、窒素雰囲気下の
対流オーブンで９０’Ｃ１３０分間乾燥して膜厚１．５
　μ「０のレジスト膜を得た。この膜に縮小投影露光装
置を用い露光した後、２゜３８％のテトラメチルアンモ
ニウムヒト′ロオキシド水溶液で１分間現像し、３０秒
間水洗して乾燥した。このようにして得られたレノスト
パターンを走査型電子顕微鏡で観察し、レジストを評価
した。その結果を第１表に示す。

感度は１６０　μｍのマスクパターンを再現する露光量
の逆数をもって定義し、比較例１の感度との相対値で示
した。

解像力は１．５　μｍのマスクパターンを再現スる露光
量における限界解像力を表す。

耐昇華性はレジスト組成物をガラスウェハーに塗布し、
対流オーブンで９０°Ｃ１３０分間ベークし、分光光度
計で求めた４　３６　ｎ　ｔｎの吸光度比（プリベーク
前との比較）を表す。

ハレーション防止能は、レジストパターンを走金型電子
顕微鏡で観察し、パターン側面の様子を調べた。

第１表の結果から判る様に、本発明のポジ型フォトレジ
スト組成物は、感度・解像力・耐昇華性・ハレーション
防止効果のいずれも優れていた。

また、本発明のポジ型フォトレジスト組成物用の溶液は
、４０℃で３０日間放置してもレジスト溶液中に吸光剤
の析出は認められなかった６実施例２〜４ 実施例１で調製したフォトレノスト基剤に、固形分とし
て、それぞれ、具体例（Ｉｆ−４）　　・５−（４−ニ
トロフェニルアゾ）サリチル酸を３．０重量％、　（Ｉ
［［−２）　　・４，６−シニトロー４゛−メチル−２
，２゛−アゾジフェノールを２．５重量％、（Ｒ’−２
）　　・１−（４−二トロフェニルアゾ）−２−す７ト
ールを２．５重量％溶解した以外は実施例１と同様にし
てフォトレジスト組成物を調製し、実施例１と同様の方
法で評価を行ったところ、実施例１と同様の結果を得た
。結果を第１表に示す。

実施例５〜６ 実施例１で調製したフォトレジスト基剤に、固形分とし
て、それぞれ、具体例（Ｖ−４）　　・４−（２−ピリ
ジルアゾ）レゾルシノールを２．５重量％、　（Ｗ−１
）　　・１−（２−ピリジルアゾ）２−す７トールを３
．０重量％溶解した以外は実施例１と同様にしてフォト
レジスト組成物の調製・評価を行ったところ、実施例１
と同様の結果を得た。結果を第１表に示す。

比較例１ 本発明になる吸光剤を使用しない以外は実施例１と同様
にしてフォトレジスト組成物の調製、評価を行った。結
果を第１表に示す。

得られた最小パターンの線幅は０．８０　μωであった
が、ハレーションの影響が大きく、パターン側面のギザ
ギザが顕著であった。

比較例２ 実施例１で調製したフォトレジスト基剤に、公知の吸光
剤オイルイエロー（４−ジメチルアミノアゾベンゼン）
を固形分割合に対して３．０重量％添加した以外は実施
例１と同様にしてフォトレジスト組成物の調製、評価を
行った。結果を第１表に示す。

得られた最小４＜ターン線幅は０．７０　μｍｎでパタ
ーン側面のギザギザはなかった。しかし感度が者しく低
く、また、吸光度比が０．８１であり、耐昇華性が悪か
った。

比較例３ 実施例１で調製したフォトレジスト基剤に、公知のアル
カリ可溶性の吸光剤２，４−ジヒドロキシアゾベンゼン
を固形分割合に対して２．５重量％添加した以外は実施
例１と同様にしてフォトレジスト組成物の調製、評価を
行った。感度は高く、得られた最小パターン線幅は０．
８０　μＷで、パターン側面のギザギザはそれほど顕著
ではなかった。しかし、４０℃、３０日間放置したとこ
ろ、レジスト溶液中に吸光剤の析出が認められた。

特許出願人　　富士写真フィルム株式会社手続補正書（
自発）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 アルカリ可溶牲樹脂及び１，２−ナフトキノンジアジド
   基を含む化合物から成るポジ型組成物において、更に下
   記一般式（ I ）、（II）、（III）、（IV）、（Ｖ）及
   び（VI）から成る群から選ばれた少なくとも１種の吸光
   剤を全固形分の０．１〜１０重量％含むことを特徴とす
   るポジ型フォトレジスト組成物。 ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） Ｒ＿１：水素原子もしくは低級アルキル基 Ｘ：硫黄もしくは酸素原子 ▲数式、化学式、表等があります▼（II） Ｒ＿２：水酸基もしくはジ（低級アルキル）アミノ基 Ｒ＿３、Ｒ＿４：水素原子もしくはカルボキシル基を表
   し、少なくとも一方はカルボ キシル基である Ｒ＿５：水素原子、水酸基もしくはニトロ基 ▲数式、化学式、表等があります▼（III） Ｒ＿６、Ｒ＿７：水素原子、低級アルキル基もしくはニ
   トロ基 Ｒ＿８：水素原子、水酸基もしくはアミノ基 Ｒ＿９、Ｒ＿１＿０：水素原子、アミノ基、低級アルキ
   ル基、ニトロ基もしくはアシル アミノ基 ▲数式、化学式、表等があります▼（IV） Ｒ＿１＿１、Ｒ＿１＿２：低級アルキル基もしくはニト
   ロ基を表し、少なくとも一方はニトロ基である ▲数式、化学式、表等があります▼（Ｖ） Ｒ＿１＿３、Ｒ＿１＿４：水素原子、水酸基、ニトロ基
   もしくは低級アルキル基を表し、少なくとも一つは水酸
   基である ▲数式、化学式、表等があります▼（VI） Ｒ＿１＿５、Ｒ＿１＿６：水素原子もしくは水酸基を表
   し、少なくとも一つは水酸基である