JPS617837A - ポジ型の感放射被覆液 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野： 本発明は、本質的成分として、水中で不溶性でありかつ
アルカリ水溶液中で可溶性である、例えはノボ２ツク樹
脂のような少なくとも１つの耐合剤、少なくとも１つの
熱放射化合物、例えば０−キノンジアシド及びグリコー
ルエーテルエステルから物取されているか又はグリコー
ルエーテルエステルを含ｍするｖ憎浴剤又は靜剤混酋物
からなるポジ型の熱放射４Ｌ覆液に関する。

従来技術： ポジ型の７オトレジスト配合物を装造することは、例え
ば米国Ｖ許明細１１第５６６６４７５号、同第４１１５
１２８号及び同第４１７５４７０号に記載されているよ
うに当業界でよく知られている。こ−れらの明細ｌｆは
、アルカリ金属−可溶性フエノール−ホルム、アルデヒ
ドノボラック樹脂を感光性材料、通常置換ナフトキノン
ジアジド化合物と一緒に包含する。樹脂及びセンシタイ
ずは、有機溶剤又は溶剤混合物に溶解され、層の装造業
者によって又は使用者によって４膜又は被膜として所望
の特殊な進用に好適な基板に通用することができる。

このフォトレジスト配合物のノボラック樹脂成分は、ア
ルカリ水溶液に可溶であるが、ナフトキノンセンシタイ
ブは、樹脂に対する溶解速度抑制剤として作用する。し
かし、被膜される基板の選択した部分を化学線に露光す
ると、センシタイブは、放射により誘発される構造的変
侯を受け、被膜の感光した部分は、露光してない部分よ
りも可溶性にされる。この溶解速度の浸は、基板をアル
カリ現像液中に浸漬した際に７オトレジスト被膜の露光
した部分の溶解を惹起し、露光してない部分は、殆んど
影響を受けず、したがってポジ型のレリーフパターンを
基板上に生じる。

大抵の場合、現像した基板は、基板−腐蝕剤溶液によっ
て処理される。フォトレジスト被膜は、基板の被覆した
部分を腐蝕剤から保−し、したがって腐蝕剤は、ポジ型
のフォトレジストの場合に化学線に感光した部分に相当
する、基板の感光してない部分を腐蝕することのみ可能
である。従って、腐蝕したパターンは、基板上に生じる
ことができ、それは、選択的露光パターンを現像よりも
先に値蝋した基板上に生じるために使用された、マスク
、ステンシル、型板等のパターンに相当する。

上記した方法によって得られた、基板上でのフォトレジ
ストのレリーフパターンは、例えは小型化された果核蒐
子部品の装造において使用されるような露光マスク又は
パターンとして適用されることをも含めて種々の適用に
有用である。

工業的実用において重要なフォトレジスト組成物の性質
は、レジストの感光速匿、現像コントラスト、レジスト
のｍｗ力及びレジストの付着力を包含する。

増加した感光速度は、特に若干の感光が、例えば多重パ
ターンを練り返し法により′Ｃ発生させる場合に必要と
されるか又は減少した濃度の光が、例えば元を一連のレ
ンズ及び単色光フィルターに通過させる投影露光技術の
場合に使用されるような通用においてフォトレゾストに
重要である。従って、増加した感光速度は、マスク又は
一連の１錯パターンを基板上に得るために若干の多重露
光（ステッパー（８ｔｅｐｐｅｒ　）　）を行なわなけ
ればならないような方法で使用されるレジスト組成物に
特にＸ要である。この最適条件は、特殊な現像モードで
一定の現像温度及びｉＡ像待時間ならびに感光したレジ
スト節分の完全な現像を得るために選択した現像剤系を
包含し、露光してない最大レジスト膜厚を維持すること
により損失は初期膜厚の約１０９６を越えない。

現像コントラストは、現像の感光した部分でのｔＸ損失
の百分率と、露光してない部分での膜損失の百分率との
比較に帰因する。通常、感光したレジスト被−基板の現
像は、露光した部分での被膜が実質的に完全に溶解除去
されるまで連続され、したがってｉＡＡコントラストは
、露光した被膜部分を完全に除去した際に露光してない
部分での薦被ｅ１損失の百分率を測定することによって
間単に定めることができる。

レゾスト解貨力は、１対の最小の寺間噛の線を再現する
ためのレジスト糸のη０力及び現像して旙出した空間内
で一度の画１摩端縁尖鋭度をもって露光の闇に利用され
るマスクの介在間隔の能力に帰因する。

多くの工業的適用において、特に小屋化′成子部品の製
造において、フォトレジストは、一度の解像力を著しく
細かい線及び間隔に対して（１ミクロン又はそれ以下の
程度で）得るために必要とされる。

著しく小さい寸法を１ミクロン又はそれ以下の程度で再
現するためのレジストの能力は、シリコーンチップ及び
同様の構成素子に大規模に呆槓回路を製造する際に極め
て重要である。このようなチップ上ｆの回路密度は、フ
ォトリングラフイー技術を利用すると仮定して、レジス
トの解像能力を増大させることによってのみ増大するこ
とができる。レゾスト被膜の露光した部分が不溶性にな
りかつ露光してない部分が現像液によってｍ解泳去され
るようなネガ型の７オトレゾストは、この目的のために
半導体工業によって広範囲に使用されたのだけれども、
ポジ型のフォトレジストは、本買的に尚い解像力を有し
、かつネガ型レジストの代替品として利用される。

小型化果槓回路構成素子の製造において常用のホゾ型フ
ォトレジストを使用することによる問題は、ポジ型レジ
ストが一般にネガ製レジストよりも遅い感光速度を有す
ることにある。

公知技術においてポジ型フォトレジスト組成物の感光速
度を改善することは、植々に試みられた。例えば、米国
％ｉＦＦ明細誉第３６６６４７３号ノ場合、２種類のフ
ェノールホルムアルデヒドノボラック樹脂の混合物は、
典型的なセンシタイブと一緒に利用されたが、この場合
このノボラックｍ脂は、特別の−のアルカリ溶液中での
その溶解速度及び曇り点によって定義された。

米Ｌｆｉ１特許明ａ賽第４１１５１２８号の場合、有機
酸環式無水物から構成される第３成分は、増加した感光
速度を得るためにフェノ−／ｌ／樹脂及びナフトキノン
ジアジドセンシタイずに重加された。

＃！剤又は溶剤混合物として米国ｔ＋ｆ許明細膏第５６
６６４７５号には、例えばエーテル、エステル及びケト
ン、例えば酢酸エチル及びキシレンの割合を有するか又
は有しないメチルセロソルブ（Ｃｅ１ｌｏｓｕｌｖｅ■
）アセテート又はエチルセロソルブ（Ｃｅ１ｌｕｓｏｌ
ｖｅ’ｋＳ’　）アセテート、グリコールモノメチルエ
ーテル又はグリコールモノエチルエーテル、ならびにメ
チルイソエチルケトン又はアセトンのよ５な種々の物質
が記載されている。更に、篩められた温度に抵抗しよう
とする、米国特許明細ｉ第４４５９５１６号によるフォ
トレジスト配合物は、例えばジメチルホルムアミド、セ
ロソルブ（Ｃｅ：Ｌｌｏｓｕｌｖｅ”　）エステル及び
グリコールエステル又はグリコールエーテルのようなア
ルコール、エーテル及びアミドが溶剤として指摘される
。また相当する〆剤は、米国特許明細誓巣４５９７９．
７５号及び同第４５０８５６８号にも開示されている。

しかし、溶剤を選択する場合、前記刊行物の記載では、
溶液の製造兼者又はフォトレジストの製造業者が特別の
浴剤を使用するということから生じうる環視への影曽力
を考薦に入れていない。多数の使用省は、例えば小規模
でのみ被膜を行ない、溶剤を回収する装置を所有しない
か又は溶剤蒸気な環境上安全に除去する装置を所有しな
い。より厳しい標準規格が有機溶剤の使用に対して設定
確立されたので、溶剤を選択することも制限された。

更に、公知の溶剤又は溶剤混合物は、露光速度に対して
プラスの影響を有しない。

発明が解決しようとする問題点： 従って、本発明のＳ鴫は、沸点、蒸気圧及び溶解力の点
でこれまで使用された溶剤に相当する溶剤を含有し、他
の所望の性質は不変のままで有効な感光速度を有し、か
つ健康に対して殆んど”４のないフォトレジスト溶液を
得ることである。

問題点を解決するための手ＩＲ： この課題は、プロピレングリコールアルキルエーテルア
セテート、有オリにプロピレングリコール−（Ｃ〕〜Ｃ
２−フルキル）エーテルアセテートをグリコールエーテ
ルエステルとして含有する上ｄ己型の侃慎液によって解
決される。

従って、実買的に増加された感光速度を証明し、耐浸蝕
性速度、プラズマエツチング速度及びコントラストを保
持又は改善するフォトレジスト組成物を得ることかでき
る。対外なことに、改善されたレジストは、ノボラック
樹脂及びキノンジアジドセンシタイブをプロピレングリ
コールアルキルエーテルアセテート成分と混合する際に
調製することができることが見い出された。この成分は
、基板へのレジストの適用を簡易化するために樹脂及び
センシタイブに対する溶剤としても作用する。この成分
は、フォトレジストを形成するために有用な他の浴剤よ
りも低い毒性であることが証明される。

ノロビレングリコールアルキルエーテルヲ使用すること
は、他の適用分野から公昶である。

このプロピレングリコールアルキルエーテ、１１／は、
例えば他のＭ機府剤及び水との混合物で画像に応じての
露光及び現１ボの後に感光ノーの処理に使用される（米
国％−許明細膏第４４１１９８３号ンか又は現像液の成
分として使用される（米国特Ｊ１−明細書第４４１６９
７６号）。しかし、これらの明細書の記載から、プロピ
レングリコールアルキルエーテルアセテートを本発明に
よる被覆液に特に有利に使用することができることは明
らかではなかった。

特に好ましくは、本発明による被覆液はプロピレングリ
コールメチルエーテルアセテートを含有する。

本発明によるフォトレジスト組成物は、公知技術水準の
ポジ型フォトシ・シストと比較して増加した感光速度を
示すことの他に、高度の解像力及び良好な現像コントラ
スト及び付着性を示す。これらの性質は、中位に増加し
た感光速度を達成し、同時に解像力及びコントラストを
犠牲にする幾つかの先行技術水準のフォトレジストと明
らかに対比される。

本発明による扱稜准（よ、プロピレングリコールアルキ
ルエーテルアセテートを、１６剤の重量に対して５〜１
００厘斌チの範囲内の量で官有する。物別の実施感体の
場合、被覆液は、プロピレングリコールアルキルエーテ
ルアセテートを唯一の溶剤として含有する。

感光性組成物を製造するために使用することができるノ
ボラック樹脂の製造は、当業界でよく知られている。そ
の製造法は、参考のために本明細曹中に含まれている、
エイ、クツツブ（Ａ、　Ｋｎｏｐ　）及びダブリュー・
シャイゾ（ｗ。

５ｃｈｅｉｂ　）　、“ケミストリー・アンリ・アプリ
ケーション・フェノリック・レジンズ（Ｃｂｅｍｉｓｔ
ｒｙａｎｄ　Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ　ｏｆ　Ｐｈｅｎ
ｏｌｉｃ　Ｒｅ５ｉｎｓ　）’、シュプリンガー社（Ｓ
ｐｒｉｎｇｅｒ　Ｖｅｒｌａｇ　（ニューヨーク在））
刊、１９７９年、の第４草に記載されている。同様に、
感放射Ｏ−キノンジアジドの使用は、ジエイ・コサール
（Ｊ　、　Ｋｏｓａｒ　）　、”ライト惨七ンシテイプ
・システムズ（ＬｉｇｈｔＳｅｎｓｉｔｉｖｅ　Ｓｙｓ
ｔｅｍｓ　）’　、ジョン・ウィリー・アンド・サンズ
社（Ｊｏｈｎ　Ｗｉｌｅｙ　＆　５ｏｎｓ　（＝ニーヨ
ーク在））刊、１９６５年、の第７．４章（これも参考
のために本明細誓中に含まれている）、によって証明さ
れるように当栗者によく知られている。本発明による被
覆液の成分よりなる前記センシタイずは、ボＳ７型フォ
トレジスト配合物に当業界で常用される置換ナフトキノ
ンジアゾドセンシタイずの群から選択される。このよう
なセンシタイジング化合物は、例えば米国特許明細誓第
２７９７２’ｌ　６号；同第３１０６４６５号；同第５
１４８９８３号；同第５１５００４７号；同第３２０１
３２９号；同第３７８５８２５号；及び同第５８０２８
８５号に開示されている。有用なフォトセンシタイブは
、ナフトキノン、−（１，２）−ジアジド−５−スルホ
ニルクロリド及び例えばヒドロキシベンゾフェノンのよ
うなフェノール性化合物と縮合したす７トキノンー（１
，２）−ジアジド−４−スルホニルクロリドを包含する
。

ノボラック樹脂は、固体レゾスト部分に対して約５０虚
黛チ〜約９υ憲童チ、有オリに約６５Ｍ量チ〜約８５爪
に％の範囲同の量で仮覆液中に含有されている。シアシ
トの好ましい範囲は、固体レジスト部分に対して約１０
ｍ廠％〜約５０亘量チ、有利に約１５爪Ｍ％〜約６５重
瀘チである。被覆液を製造する場合、ノボラック及びシ
アシトは、ノロピレングリコールアルキルエーテルアセ
テートと混合され、この場合このアセテートは、被覆液
に対して約４０止緘裂〜約９０重量％の蓋で存在する。

好ましい範囲は、被覆液に対して約６０厘鍵饅〜約８６
厘Ｍ％、最も好ましくは約６５重量％〜約７０厘、量裂
である。

添加剤、例えば染料、フローライン防止剤、定着剤、増
感剤、溶剤及び非イオン性界面活性剤のような界面活性
剤は、ノボラック樹脂、センシタイブ及びプロピレング
リコールアルキルエーテルアセテートのｍｅ、に、この
浴液を基板上に塗布する前に添加することができる。

使用することかできる染料の例は、メチルバイオレット
：ｚＢ（ｃ、工、／１６４２５３５）、クリスタルバイ
オレット（Ｃ，１，４４２５５５）、マ之カイトグリー
ン（Ｃ，ｒ、ｌ６４２００［１）、ビクトリアブルーＢ
　（Ｃ，１，准４４０４５）及びニュートラルレッド（
Ｃ，１，、％５００４０）を、ノボラック及び感放射化
合物の結合した重賞に対して１〜１０ｍ：ｊｔ％の濃度
で包含する。

染料奈加剤は、基板から離れての光の後方散乱を阻止す
ることによって増大した解像力を得るのに役立つ。

フローライン防止剤は、ノボラック及び感放射ｍ成物の
結合した重量に対して５重ｆｆｉチまでの童で使用する
ことができる。

使用することができる可塑剤は、例えば燐酸トリー（β
−クロルエチル）−エステにニステアリン酸；ジカンフ
ァー：ポリゾロビレン；アセタール樹脂；フェノキシ樹
脂；及びアルキド樹脂をノボシック及び感放射化合物の
結合した重度に対して１〜１０貞ｔＳの濃度で包含する
。

可塑剤麻加剤は、材料の破膜性を改善し、滑らかであり
かつ基板に対して均一の厚さを有する被膜の通用を可能
にする。

使用することかできる定着剤は、例えばヘキサメチルゾ
シラずン；β−（６，４−エポキシ−シクロヘキシル）
−エチルトリメトキシ７ラン；ｐ−メチルーゾシラ７メ
チルメタクリレート；ビニルトリクロルシラン；及びγ
−アミノープロピルトリエトキシシランをノボラック及
び感放射化合物の結合した重ｉ（に対して４重量％まで
の巣で包含する。

使用することができる増感剤は、例えばピクリン酸、ニ
コチン酸又はニトロ姓皮ばをノボラック及び感放射化合
物の結合した重量に対して２０重量％までの一度で包含
する。この増感剤は、路光した部分と喜光してない部分
の双方でのフォトレジスト被膜の浴解度を積大させる傾
向にあり、したがってそれは、ある程度のコントラスト
が犠牲になり５ることがあるとしても現像速度を無視し
て考えた一合に適用に供される。すなわち、フォトレジ
スト被膜の露光した部分は、現像液によって迅速に溶解
され、増感剤が存在することにより露光してない部分か
らのフォトレジスト被膜の大きな損失も生じるであろう
。

溶剤は、キシレン、酢酸ジチル及びセロソルブ（Ｃｓ１
ｌｕｓｕｌｙｅ（８））アセテートを包含することがで
きかつｑ５重＊％までの量で溶剤中に存在することがで
きるが、好ましくは付加的な溶剤は、組成物中に使用さ
れない。

使用することができる非イオン性界面活性剤は、例えば
ノニルフェノキシポリ（エチレンオキシ）エタノール；
オクチルフェノキシ（エチレンオキシ）エタノール；及
びジノニルフェノキシポリ（エチレンオキシ）エタノー
ルをノボラック及びセンシタイずの結合した重量に対し
て１０！−ｍ％までの一度で包含する。

本発明による感放射被覆液は、浸漬塗布、噴霧塗布及び
回転塗布を含めてフォトレジスト技術に使用される全て
の常法によって基板に塗布することかできる。回転頬部
のｊ動台、例えはレジスト浴液は１．？Ｕ用される回転
塗布機の型及び回転頒布法にＦｌ：谷される時間の程反
を定めて、所望の厚さのａＳをイ参るために固体含意の
６分率の点で鯛即することかできる。過当な基板は、珪
素、アルミニウム又は篩分子量樹脂、二酸化珪素、ドー
グした二ば化珪素、鴛化珪素、タンタル、銅、ポリ珪素
、セラミック及びアルミニウム／銅混会物を包含する。

上記した方法によって得られる被覆液は、マイクロプロ
セッサ及び他の小型化集積回路構成素子の製造に利用さ
れるような熱成長した珪素／二酸化珪索−被覆したウェ
ファ−に塗布するのに時に好膓である。アルミニウム／
酸化アルミニウムウェファ−は十分に使用することがで
きる。基板は、種々の高分子慮樹脂、殊に例えばポリエ
ステルのような透明ポリマーかうなることができる。

被覆液を基板上に塗布した俊、基板は、数分間ないし６
０分１１、実質的に全ｍ剤が蒸発されるまで約８０′Ｃ
〜１０５℃で焼付けされる。

丈に、被覆された基板は、過当なマスクの使用によって
得られた、全ての所望の線光パターンで化学庫、殊に第
外醐に暴嬉することができる。

露光したレジスト被覆された基板は、次に実質的にアル
カリ現像液中に浸漬される。この現像液は、例えば窒素
吹込みによる攪拌によつ【攪拌するのが好ましい。

基板は、露光した部分からのレジスト被膜の全部が溶解
されるまで現像液中に留めることができる。

被覆したウェファ−を現像液から取出した後、後現像熱
処理又は焼付けは、被膜付着力ならびにエツチングｄ［
及び他の物ｌＫに対する耐薬品性を増大させるために使
用することができる。

後現像熱処理は、被膜の軟化点よりも低い温度でのオー
プン焼付けよりなることができる。工栗的適用の場合、
特に珪素／二醒化珪索型基板上でのマイクロ回路ユニッ
トの製造の場合、現像した基板は、緩衝した、弗化水素
酸をベースとするエツチングｍ液で処理することができ
る。

本発明によるレジスト組成物は、服をベースとするエツ
チングｍ液に対して抵抗性を有し、基板の露光してない
レゾスト仮膜部分に対する有効な保−を生じる。

実施例： 次の付定の実施例により、本発明による被恨液を製造し
かつ利用する方法を詳説する。しかし、これらの実施例
は、本発明の範囲を何らかの方法で限定又は制限するも
のではなく、本発明を実施するために専ら利用しなけれ
ばならない条件、パラメーター又は値を生じるものと解
釈してはならない。

例　　１ ２橿随の被覆液は、次のようにして・出られる二ノボラ
ック樹刀旨２６．８％　　　ノボラック樹脂２６．８％
元活性成分（ロツ）Ａ）７．０％元活性成分（ロツ）Ａ
）７．０％光光性性成は、ナフトキノン−（１，２）−
ジアジド−（２）５−スルホニルクロリドと、トリヒド
ロキシベンゾフェノンとの縮合生成物である。レジス）
Ａの吸光係ａは１．３１であり、レゾストＢの吸光係数
は１．６５であり、それぞれの場合の光活性成分の一度
は同じであることが確認される。それぞれの場合に使用
したノボラック樹脂と光活性成分は同じである。樹脂を
１晩の攪拌によって溶剤に溶解し、次に光活性成分を溶
解し、この溶液を０．２μのミリボーア・テフロン（Ｍ
Ｌｌｌｉｐｏｒｅ　Ｔｅｆｌｏｎ　）濾過装置に通過さ
せた。

感光性の評価 被覆液を一定の、予め定められた回転速度で捕々のウェ
ファ−上に回転塗布する。次に、このウェファ−を９０
℃で６０分間焼付ける。塗布したレジストのυ期族厚を
ルドルフ（Ｒｕｄｕｌｆ）撤膜厚監視装置によって測定
する。感光性を前記したようなコントラスト曲線を発生
させることによって測定する〔ジー・シー・ウィルソン
（Ｇ、Ｃ，Ｗｉｌｌｓｏｎ入０イントロダクション・ト
ウ・マイクロリング２フイー（Ｉｎｔｒｏｄｕｅｔｉｕ
ｎｔｏ　Ｍｉｃｒｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ　）’、第
５　羊、１４１０５頁、アメリカン・ケミカル・ソサイ
エテイ（ＡｍｅｒｉｃａｎＣｈｅｍｉｃａｌ　５ｏｃｉ
ｅｔｙ入ワシントン、ディー・シー　（Ｗａｓｈｉｎｇ
ｔｕｎ　、　Ｄ、Ｃ，）、１９８６年〕。ＵＶ露光線讐
の対数に対する現像１分後の膜厚の損失なノｐッ卜する
。膜厚を前記技術を使用することによりシーず一干渉計
法によって監視する。

次に、レジストを緩衝したアルカリ水溶液〔脱イオン水
で１：１に傅釈した、アメリカン・ヘキスト社（Ａｍｅ
ｒｉｃａｎ　Ｈｕｅｃｈｓｔ　Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ
（８ｕｍｅｒｖｉｌｌｅ　、　Ｎｅｗ　Ｊｅｒｓｅｙ、
　Ｕ、８．Ａ、在））から入手し５るＡＺ現ｉｗ液）を
使用することにより２５，０±０．５℃で現像する。全
膜厚損失に対するプロットの個外法によって、感光性の
値（ｍＪ／α′ンが侍られ、このｆ口゛ットの傾斜はコ
ントラストである。レジス）Ａ及びＢに対して丁ｍｌの
精米を得た。

感光性（ｍＪ／菌′ン　　　　　１１１．６　　　９７
・２コントラスト　　　　　　　　　　　１，５２　　
　　１．５４初期編厚　　　　　　　　　　　１．８１
１　　　１．７９７結来は、レジストＢが比較可能な膜
厚に対する配合物の場合に感光速度の１５％の改善を生
じることを示す。コントラストにおいては、目、に見え
るほどの損失はない。

浸蝕速度 現像時の露光してない部分でのレジスト被膜の損失の速
度（浸蝕速度ンは、端縁尖鋭度を保持するために低く維
持しなければならない。浸蝕速度がより低いと、露光に
必要とされる光量はますます少なくなる。浸蝕速度は、
露光してない、焼付け（９０”０，３０分間］したレジ
スト低膜を脱イオン水で１；１に稀釈した現像液中で１
０分間現像しかつ１分間当りの膜厚損失を計算すること
によって測定される。レジストＡ及びＢに対する結果は
下記のとおりである。

浸蝕速度（ｎｍ／ｍ１ｎ）　　　　　１・７１・０レゾ
ストＢは、少なくともレゾストＡと比較しつる曖ＩＩ！
ＩＬ速度をゼする。

例　　２ 丙１を同じ光値性成分の異なるロット（ロツ）Ｂ）を使
用することにより採り返す。

ノボラック樹脂２６．６％　　　　ノボラック樹脂　２
６．６％光光性性成（ｒ：１ツトＢ）６．９チ　光活性
成分（ロットＢ）６．９’ｌｂ回転塗布佐のウェファ−
の焼付は時間を変え、上起例１に記載したように感光性
及びコントラストを測定する。

レジストＣレジストＤ １０　　　　９２　　　１．７２　　　８４　　　１．
７４２５　　　−−−　　　−−−　　　９２　　　１
．６５５０　　　１０り　　　　１．５９　　　８９　
　　１．６５レジス）Ｄの感光速度は、この場合に９％
から１６％へ改善される。

レジストの引火点 引火点が肯いことは、安全のために望ましい性質である
。レジストＣ及びＤの引火点は、ＡｓＴＭ試験法（Ｄ９
３、方法Ａ）によって比較された。

引火点 レジストＣ４２℃ レジストＤ　　　　　　　４８℃ レジス）Ｄは、引火点の顕著な改善を示す。

プラズマエツチング速度 レジスト膜のプラズマエツチング速度は、乾鮪処理に可
能であるのと同程度に低く維持しなければならない。こ
のプラズマエツチング速度の試験のためには、値亜した
フォトレジスト試料を、典型的に”設置焼付け“と叶ば
れろように５ｉ４ｕ’ｃで６０分間か６付ける。レゾス
トｃとレゾス）Ｄを比較したプラズマエツチング速度は
−Ｆｄ６のとおｇである。プラズマエツチング装置の条
件は、出力１５０Ｗ、圧カｏ、６トル（Ｔｏｒｒ）　、
ＣＦ４．１０２比９５１５、ｏ２流＃ｌ！：６　Ｕ　Ｓ
ＣＣＭである。

レジストＣ３５，４ レゾストＤ　　　　　　　　　５１．５レジストＤのプ
ラズマエツチング速度は、少なくともレゾストＣと比較
可能である。

ポジ型レジストの感光性の他の４０１１定法は、ディー
・ゾエイ・エリオツド（Ｄ、Ｊ　、　Ｅｌｌｉｏｔ　）
、１インチグレイテッド・サーキット・フアプリケーシ
ョン・テクノロジー（ＩｎｔｅｇｒａｔｅｄＣｌｒｃｕ
ｉｔ　Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ
　）−、第１６章、第３２５貞、マツフグロー・ヒ／Ｉ
／曹店（ＭｃＧｒａｗ　Ｈｌｌｌ　Ｂｕｏｋ　Ｃｏｍｐ
ａｎｙ　（＝ニーヨーク在））刊（１９８２年）、にょ
って記載された受人深さくＤＯＰ）試験法である。この
試験法は、ＵＶ元勝の測定ｗＪ賞を用いて現揮後に除去
されたフォトレジスト膜厚を測定する。除去される膜厚
が太さけれは大きいほど、感光性はいっそ５ｉＮくなる
。脱イオン水で１＝１に柿釈した、例１に記載した現１
ボ液を使用しての結果は、下記のとおりである。

ｍ’ｉ　（ｍＪ／ＣＩＩＬ２）　　ｖシストＡ（μ）　
レジストＢ（μ）１５．０　　　０．４５　　　　０．
５３２２．０　　　　０．７５　　　　０．８０２６．
０　　　　０．９５　　　　１．０７３１．０　　　　
０．１０　　　　１．４４３６．５　　　　１．３５　
　　　１．５８レジス）Ｂは、この試験によって大きい
感光性を有することが明らかになる。

回転塗布機の回転速度の機能としてのノー厚（回回転曲
線は、決付けした）方トレジスト４厘の厚さをＭ布回転
速度から予め定めるために使用される。従って、この曲
線は、規則的でなければならず、１０ｇ１！１２１転速
度に対するｌｏｇ展厚としてプロットした場合には、直
線を生じる。２檀朔のフォトレジスト（レジストＣ及び
Ｄ）を下記したように槙々の回転速度でそれぞれ回転重
布し、９０℃で６０分間焼付けし、かつフォトレジスト
膜厚を測定した。

２、Ｌ）１０　　　　２，４７　　　　　２．７９３．
０００　　　　１．９９　　　　　２．２８４．０００
　　　　１．７７　　　　　１．９５５、Ｌｌｏｏ　　
　　　１，５１　　　　　１．７４６．０００　　　　
１．５８　　　　　１．６０７、Ｌｌｏｏ　　　　　１
．２８　　　　　１．４７前記したようにプロットした
場合、それぞれのレジストは曲線を生じる。

レジストＤはレジストＣよりも高い粘度を有するので（
６７，８ｃＩｎ″／Ｓに対して２９．６Ｃ１１″７Ｂ）
、２つの曲麿は互いに置き換えられる。しかし、それぞ
れのレジストは、膜厚を予想するのに必匿とされる十分
に作用した回転曲線を生じる。

例　　６ 例１を混合した溶剤糸をレジス）Ｂに使用することによ
り峰り返す。

゛　ノボ２ツク樹脂　２６．８％　　　　ノボラック樹
脂２３．８％光光性性成　　　７．Ｌ１％　　　光活性
成分　　　７．０％ＪＷｖｔ性（ｍＪＡ−ＩＩＬ７ン　
　　　　　　　１１１．６　　　　　　　　９８．２コ
７トツスト　　　　　　　　　　１，５２　　　　　　
１．５４初期膜厚　　　　　　　　　　１．８１１　　
　　２．１７０箱釆は、グロビレングリコールメチルエ
ーテルアセテートを他の溶剤と一緒に使用する場合であ
っても、レシス）Ｈか配付物において感光速度の１２％
の改善を生じることを示す。これは、レゾストＢが極め
て大きい膜厚を有するので殊に属異的なことである。

例　　４ 例１を繰り返すが、付加的な可塑剤の使用を赴明する。

ノがラック樹脂　　　２［Ｊ、１２％　ノボラツクィ４
力行２［Ｊ、１２％光活性成分　　　　　５．９６％　
光活性成分　　　５．９６％初期腺厚　　　　　　　　
　６．Ｕ５μ　　　　６．７４μ感光性（ｍＪＡＸｒＬ
’）　　　　１１４−８５　　　　１００−０紹米は、
レジストＢが’６Ｊ塑剤（ポリメチルビニルエーテルノ
を貧有する比４９川能な配合物の場合に感光速度の１４
．８５％の改善を生じることを示す。

例　　５ ６檎類の４ｉ、ｍ液を次のようにして得るニレシスト人
　　　　　　　　　　レジストＢノボラック樹脂　　２
６．５％　　ノボラック樹脂２６．５％レジストＣ ノボラック樹脂　　　２６．５％ 例１の記載と同様にして、５８類の混合物の感光性を両
足する。得られた結果は、次のとおりである： Ａ　　　　　５１．２　　　　１．２９　　　　　８８
Ｂ　　　　　６６．４　　　　１．２６　　　　　８４
Ｃ５６，６１，２５８０ 混合物Ｂ及びＣは、Ａと比軟した場合、Ｊ＊大した感光
性を有する。更に、相当するエチルエーテルを用いて一
製造されたレジストＣは、メチルエーテルを用いて製造
されたレソス）Ｂよりも向い感光性を不する。市分屏龍
マスクのＦで画像に応じての！ｂ光彼、ｒｔ４Ｎ＃Ａ１
μの素子は間単に分′ｐＰ１されることができ、それは
商い端縁尖鋭度をボす。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、本質的成分として水中で不溶性でありかつアルカリ
   水浴液中で可溶性である少なくとも１つの高分子量結合
   剤、少なくとも１つの感放射化合物及びグリコールエー
   テルエステルから構成されているか又はグリコールエー
   テルエステルを含有する有機浴剤又は浴剤混合物からな
   るポジ型の感放射被覆液において、このグリコールエー
   テルエステルがプロピレングリコールアルキルエーテル
   アセテートであることを特徴とする、ポジ型の感放射被
   覆液。 ２、グリコールエーテルエステルがプロピレングリコー
   ル−（Ｃ＿１〜Ｃ＿２−アルキル）−エーテルアセテー
   トである、特許請求の範囲第１項記載の被覆液。 ３、グリコールエーテルエステルがプロピレングリコー
   ルメチルエーテルアセテートである、特許請求の範囲第
   １項又は第２項に記載の被覆液。 ４、プロピレングリコールアルキルエーテルアセテート
   を溶剤の重量に対して５〜１００重量％の範囲内の量で
   含有する、特許請求の範囲第１項から第３項までのいず
   れか１項に記載の被覆液。 ５、高分子量結合剤がノボラック樹脂からなる、特許請
   求の範囲第１項記載の被覆液。 ６、感放射化合物がヒドロキシベンゾフェノンと縮合し
   たナフトキノン−（１，２）−ジアジド−５−スルホニ
   ルクロリド又はナフトキノン−（１，２）−ジアジド−
   ４−スルホニルクロリドからなる、特許請求の範囲第１
   項記載の被覆液。