JP2000347397A - 感放射線性樹脂組成物およびその層間絶縁膜への使用 - Google Patents

感放射線性樹脂組成物およびその層間絶縁膜への使用

Info

Publication number
JP2000347397A
JP2000347397A JP11157463A JP15746399A JP2000347397A JP 2000347397 A JP2000347397 A JP 2000347397A JP 11157463 A JP11157463 A JP 11157463A JP 15746399 A JP15746399 A JP 15746399A JP 2000347397 A JP2000347397 A JP 2000347397A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
weight
resin composition
parts
radiation
methyl
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP11157463A
Other languages
English (en)
Inventor
Isao Nishimura
功 西村
Masamutsu Suzuki
正睦 鈴木
Fumiko Yonezawa
文子 米沢
Masayuki Endo
昌之 遠藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JSR Corp
Original Assignee
JSR Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by JSR Corp filed Critical JSR Corp
Priority to JP11157463A priority Critical patent/JP2000347397A/ja
Priority to DE60010797T priority patent/DE60010797T2/de
Priority to EP00111681A priority patent/EP1057859B1/en
Priority to US09/584,776 priority patent/US6399267B1/en
Priority to KR1020000030565A priority patent/KR100663818B1/ko
Priority to TW089110893A priority patent/TW593488B/zh
Publication of JP2000347397A publication Critical patent/JP2000347397A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/022Quinonediazides
    • G03F7/023Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/075Silicon-containing compounds
    • G03F7/0755Non-macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00Use of organic ingredients
    • C08K5/16Nitrogen-containing compounds
    • C08K5/22Compounds containing nitrogen bound to another nitrogen atom
    • C08K5/27Compounds containing a nitrogen atom bound to two other nitrogen atoms, e.g. diazoamino-compounds
    • C08K5/28Azides
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/022Quinonediazides
    • G03F7/023Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
    • G03F7/0233Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides

Abstract

(57)【要約】 【課題】 低温での加工成形が可能で、かつ、層間絶縁
膜として必要な解像度、耐溶剤性、下地との密着性、保
存安定性を併せ持つ感放射線性樹脂組成物を提供するこ
と。 【解決手段】 [A](a1)不飽和カルボン酸および
/または不飽和カルボン酸無水物、(a2)(メタ)ア
クリル酸−β−メチルグリシジルの如きエポキシ化合物
および/または下記式(3) 【化1】で示される単量体の如きエポキシ化合物および
(a3)前記(a1)および(a2)以外のオレフィン
系不飽和化合物を共重合して得られる共重合体と[B]
1,2−キノンジアジド化合物を含有する感放射線性樹
脂組成物。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、感放射線性樹脂組
成物およびその層間絶縁膜への使用に関する。さらに詳
しくは、フォトリソグラフィー法による層間絶縁膜の作
製に適するポジ型感放射線性樹脂組成物およびその層間
絶縁膜、特に、液晶表示素子、集積回路素子、磁気ヘッ
ド素子、固体撮像素子などの層間絶縁膜への使用に関す
る。
【0002】
【従来の技術】一般に、薄膜トランジスタ(以下、「T
FT」と記す。)型液晶表示素子や磁気ヘッド素子、集
積回路素子、固体撮像素子などの電子部品には、層状に
配置される配線の間を絶縁するために層間絶縁膜が設け
られている。層間絶縁膜を形成する際には、必要とする
パターン形状の層間絶縁膜を得るための工程数が少なく
しかも十分な平坦性を有する層間絶縁膜が得られるとい
う特徴を持つ、感放射線性樹脂組成物を用いるフォトリ
ソグラフィー法が使用されている。
【0003】このような、感放射線性樹脂組成物を用い
て層間絶縁膜を形成する工程において、解像度、高耐溶
剤性、下地との密着性、保存安定性等の性能のバランス
をとるため、電子部品を構成する各材料に最適のプロセ
ス条件が選択され、採用される。このプロセス条件にお
いて、層間絶縁膜の加工成形に高温を必要とする場合、
加熱により層間絶縁膜以外の他の素子へのダメージが生
じてしまい、電子部品の目的とする特性から逸脱してし
まう場合がある。例えばハードディスク装置の面記録密
度向上のため、磁気ヘッドの再生出力を大きくすべく、
巨大磁気抵抗膜を用いた磁気ヘッド(GMRヘッド)が
用いられるが、このGMRヘッドは仮に200℃以上の
高温度に加熱されるようなことがあると磁化方向が不安
定になるといった問題があるので、GMRヘッドを20
0℃以上の高温度に加熱することは避けねばならない。
しかしながら、GMRヘッドを製造する際には、GMR
ヘッドの構造上の問題から、巨大磁気抵抗膜を形成した
のち、層間絶縁膜を持つ記録コイルを形成する必要があ
る。このとき、層間絶縁膜の機能を十分に達成するため
には層間絶縁膜を構成する従来の感光性樹脂組成物の性
能上200℃以上に加熱することが必要となるので、そ
うすると巨大磁気抵抗膜の磁化方向を不安定にすること
になる。従来の感光性樹脂組成物は、一般的に200℃
以下の加熱処理温度では硬化反応が不十分であるため耐
溶剤性が低かったり、硬化反応が脱ガスを伴うために積
層の際に層間にバブルが発生するといった問題がある。
すなわち、電子部品を構成する他の素子材料にダメージ
を与えない低温で層間絶縁膜を加工成形でき、かつ、層
間絶縁膜として必要な解像度、耐溶剤性、密着性、保存
安定性等を合わせ持つ感光性樹脂組成物は従来知られて
いなかった。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、以上のよう
な事情に基づいてなされたものであって、その目的は、
低温での加工成形が可能で、かつ、層間絶縁膜として必
要な解像度、耐溶剤性、下地との密着性、保存安定性を
併せ持つ感放射線性樹脂組成物を提供することにある。
本発明の他の目的は、上記感放射線性樹脂組成物から層
間絶縁膜を製造する方法を提供することにある。本発明
の別の目的は、上記感放射線性樹脂組成物を層間絶縁膜
に使用することにある。また、本発明のさらに別の目的
は、上記感放射線性樹脂組成物より形成された層間絶縁
膜を提供することにある。本発明のさらに他の目的およ
び利点は、以下の説明から明らかになろう。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記目的および利点は、
本発明によれば、第1に、[A](a1)不飽和カルボ
ン酸および/または不飽和カルボン酸無水物(以下、
「化合物(a1)」ともいう。)、(a2)下記式
(1)
【0006】
【化3】 式中、Rは水素原子またはメチル基であり、R1は炭素
数1〜4のアルキル基でありそしてnは1〜6の整数で
ある、
【0007】で示される単量体および/または下記式
(2)
【0008】
【化4】 式中、R2は水素原子またはメチル基であり、pは1〜
6の整数でありそしてqは1〜6の整数である、
【0009】で示される単量体(以下、「化合物(a
2)」ともいう。)、および(a3)前記(a1)およ
び(a2)以外のオレフィン系不飽和化合物(以下、
「化合物(a3)」ともいう。)を共重合して得られる
共重合体(以下、「共重合体[A]」ともいう。)と
【0010】[B]1,2−キノンジアジド化合物を含
有することを特徴とする感放射線性樹脂組成物により達
成される。本発明の上記目的および利点は、第2に、
(1)請求項1の感放射線性樹脂組成物からなる薄膜を
有する、層間絶縁膜用基板を準備し、(2)該薄膜に所
定のパターンマスクを介して放射線を照射し、(3)ア
ルカリ現像液で現像してパターン化された薄膜を生成せ
しめ、次いで(4)200℃より低い温度で加熱処理す
る、ことを特徴とする、層間絶縁膜の製造方法によって
達成される。
【0011】本発明の上記目的および利点は、第3に、
上記感放射線性樹脂組成物を層間絶縁膜に使用すること
により達成される。また、本発明の上記目的および利点
は、第4に、上記感放射線性樹脂組成物より形成された
層間絶縁膜により達成される。なお、本発明でいう「放
射線」は、紫外線、遠紫外線、X線、電子線、分子線、
γ線、シンクロトロン放射線、プロトンビ−ム等のを含
むものを意味する。
【0012】以下、本発明の感放射線性樹脂組成物につ
いて詳述する。本発明の感放射線性樹脂組成物は、共重
合体[A]、1,2−キノンジアジド化合物[B]から
なることを特徴とする。
【0013】共重合体[A] 共重合体[A]は、化合物(a1)、化合物(a2)お
よび化合物(a3)を溶媒中で、重合開始剤の存在下に
例えばラジカル重合することによって合成することがで
きる。
【0014】本発明で用いられる共重合体[A]は、化
合物(a1)から誘導される構成単位を、好ましくは5
〜40重量%、特に好ましくは10〜35重量%含有し
ている。この構成単位が5重量%未満である共重合体
は、アルカリ水溶液に溶解しにくくなり、一方40重量
%を超える共重合体はアルカリ水溶液に対する溶解性が
大きくなりすぎる傾向にある。化合物(a1)として
は、例えばアクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸など
のモノカルボン酸;マレイン酸、フマル酸、シトラコン
酸、メサコン酸、イタコン酸などのジカルボン酸;およ
びこれらジカルボン酸の無水物が挙げられる。これらの
うち、アクリル酸、メタクリル酸、無水マレイン酸など
が共重合反応性、アルカリ水溶液に対する溶解性および
入手が容易である点から好ましく用いられる。これら
は、単独であるいは組み合わせて用いられる。
【0015】本発明で用いられる共重合体[A]は、化
合物(a2)から誘導される構成単位を、好ましくは5
〜60重量%、特に好ましくは10〜50重量%含有し
ている。この構成単位が5重量%未満の場合は得られる
塗膜の耐熱性が低下する傾向にあり、一方60重量%を
超える場合は共重合体の保存安定性が低下する傾向にあ
る。
【0016】化合物(a2)は式(1)または式(2)
で表される。式(1)中、Rは水素原子またはメチル基
であり、R1は炭素数1〜4のアルキル基であり、nは
1〜6の整数である。R1の炭素数1〜4のアルキル基
は直鎖状であっても分岐鎖状であってもよい。
【0017】式(1)で示される化合物(a2)として
は、例えば(メタ)アクリル酸−β−メチルグリシジ
ル、(メタ)アクリル酸−β−エチルグリシジル、(メ
タ)アクリル酸−β−プロピルグリシジル、α−エチル
アクリル酸−β−メチルグリシジル、(メタ)アクリル
酸−3−メチル−3,4−エポキシブチル、(メタ)ア
クリル酸−3−エチル−3,4−エポキシブチル、(メ
タ)アクリル酸−4−メチル−4,5−エポキシペンチ
ル、(メタ)アクリル酸−5−メチル−5,6−エポキ
シヘキシル等を挙げることができる。
【0018】式(2)中、R2は水素原子またはメチル
基であり、pは1〜6の整数であり、qは1〜6の整数
である。式(2)中、エポキシ基はシクロヘキサン環の
任意の位置たとえば3位あるいは4位に結合することが
できる。式(2)の化合物はそのような位置異性体の単
独あるいは混合物を表していると理解されるべきであ
る。また、式(2)で示される化合物(a2)としては、
例えば下記式(3)〜(8):
【0019】
【化5】
【0020】
【化6】 で表される化合物などが挙げられる。
【0021】これらのうち、(メタ)アクリル酸−β−
メチルグリシジル、(メタ)アクリル酸−3−メチル−
3,4−エポキシブチル、上記式(7)および(8)で
表される化合物などが得られる感光性樹脂組成物のプロ
セスマージンが広く、かつ耐溶剤性をとりわけ高める点
から好ましく用いられる。これらの化合物の市販品とし
ては、M−GMA、CYMA300(以上、ダイセル化
学(株)製)等が挙げられる。これらは、単独であるい
は組み合わせて用いられる。
【0022】本発明で用いられる共重合体[A]は、化
合物(a3)から誘導される構成単位を、好ましくは1
0〜80重量%、特に好ましくは20〜70重量%含有
している。この構成単位が10重量%未満の場合は、共
重合体[A]の保存安定性が低下する傾向にあり、一方
80重量%を超える場合は共重合体[A]がアルカリ水
溶液に溶解しにくくなる。
【0023】化合物(a3)としては、例えばメチルメ
タクリレート、エチルメタクリレート、n−ブチルメタ
クリレート、sec−ブチルメタクリレート、t−ブチ
ルメタクリレートなどのメタクリル酸アルキルエステ
ル;メチルアクリレート、イソプロピルアクリレートな
どのアクリル酸アルキルエステル;シクロヘキシルメタ
クリレート、2−メチルシクロヘキシルメタクリレー
ト、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−8−イル
メタクリレート(当該技術分野で慣用名として「ジシク
ロペンタニルメタクリレート」といわれている)、ジシ
クロペンタニルオキシエチルメタクリレート、イソボロ
ニルメタクリレートなどのメタクリル酸環状アルキルエ
ステル;シクロヘキシルアクリレート、2−メチルシク
ロヘキシルアクリレート、トリシクロ[5.2.1.
2,6]デカン−8−イル アクリレート(当該技術分
野で慣用名として「ジシクロペンタニルアクリレート」
といわれている)、ジシクロペンタニルオキシエチルア
クリレート、イソボロニルアクリレートなどのアクリル
酸環状アルキルエステル;フェニルメタクリレート、ベ
ンジルメタクリレートなどのメタクリル酸アリールエス
テル;フェニルアクリレート、ベンジルアクリレートな
どのアクリル酸アリールエステル;マレイン酸ジエチ
ル、フマル酸ジエチル、イタコン酸ジエチルなどのジカ
ルボン酸ジエステル;2−ヒドロキシエチルメタクリレ
ート、2−ヒドロキシプロピルメタクリレートなどのヒ
ドロキシアルキルエステル;およびスチレン、α−メチ
ルスチレン、m−メチルスチレン、p−メチルスチレ
ン、o−メチルスチレン、p−メトキシスチレン、アク
リロニトリル、メタクリロニトリル、塩化ビニル、塩化
ビニリデン、アクリルアミド、メタクリルアミド、酢酸
ビニル、1,3−ブタジエン、イソプレン、2,3−ジメ
チル−1,3−ブタジエン、フェニルマレイイミド、エ
チレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコー
ルジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレ
ート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、グリセ
ロールジアクリレート、エチレングリコールジメタクリ
レート、ジエチレングリコールジメタクリレート、トリ
エチレングリコールジメタクリレート、ネオペンチルグ
リコールジメタクリレート、グリセロールジメタクリレ
ートなどが挙げられる。
【0024】これらのうち、スチレン、t−ブチルメタ
クリレート、ジシクロペンタニルメタクリレート、p−
メトキシスチレン、2−メチルシクロヘキシルアクリレ
ート、フェニルマレイイミド、1,3−ブタジエン、エ
チレングリコールジメタクリレート、ジエチレングリコ
ールジメタクリレート、グリセロールジメタクリレート
などが共重合反応性、分子量分布のコントロール性およ
びアルカリ水溶液に対する溶解性の点から好ましい。こ
れらは、単独であるいは組み合わせて用いられる。
【0025】共重合体[A]の合成に用いられる溶媒と
しては、具体的には、例えばメタノール、エタノールな
どのアルコール類;テトラヒドロフランなどのエーテル
類;エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレン
グリコールモノエチルエーテルなどのグリコールエーテ
ル類;メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブ
アセテートなどのエチレングリコールアルキルエーテル
アセテート類;ジエチレングリコールモノメチルエーテ
ル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチ
レングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコー
ルジエチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチ
ルエーテルなどのジエチレングリコール類;プロピレン
グリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコール
モノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピ
ルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル
などのプロピレングリコールモノアルキルエーテル類;
プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、プロ
ピレングリコールエチルエーテルアセテート、プロピレ
ングリコールプロピルエーテルアセテートプロピレング
リコールブチルエーテルアセテート、などのプロピレン
グリコールアルキルエーテルアセテート類;プロピレン
グリコールメチルエーテルプロピオネート、プロピレン
グリコールエチルエーテルプロピオネート、プロピレン
グリコールプロピルエーテルプロピオネート、プロピレ
ングリコールブチルエーテルプロピオネートなどのプロ
ピレングリコールアルキルエーテルアセテート類;トル
エン、キシレンなどの芳香族炭化水素類;メチルエチル
ケトン、シクロヘキサノン、4−ヒドロキシ−4−メチ
ル−2−ペンタノンなどのケトン類;および酢酸メチ
ル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、2−ヒド
ロキシプロピオン酸エチル、2−ヒドロキシ−2−メチ
ルプロピオン酸メチル、2−ヒドロキシ−2−メチルプ
ロピオン酸エチル、ヒドロキシ酢酸メチル、ヒドロキシ
酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸
エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチル、3−ヒドロキシプ
ロピオン酸メチル、3−ヒドロキシプロピオン酸エチ
ル、3−ヒドロキシプロピオン酸プロチル、3−ヒドロ
キシプロピオン酸ブチル、2−ヒドロキシ−3−メチル
ブタン酸メチル、メトキシ酢酸メチル、メトキシ酢酸エ
チル、メトキシ酢酸プロピル、メトキシ酢酸ブチル、エ
トキシ酢酸メチル、エトキシ酢酸エチル、エトキシ酢酸
プロピル、エトキシ酢酸ブチル、プロポキシ酢酸メチ
ル、プロポキシ酢酸エチル、プロポキシ酢酸プロピル、
プロポキシ酢酸ブチル、ブトキシ酢酸メチル、ブトキシ
酢酸エチル、ブトキシ酢酸プロピル、ブトキシ酢酸ブチ
ル、2−メトキシプロピオン酸メチル、2−メトキシプ
ロピオン酸エチル、2−メトキシプロピオン酸プロピ
ル、2−メトキシプロピオン酸ブチル、2−エトキシプ
ロピオン酸メチル、2−エトキシプロピオン酸エチル、
2−エトキシプロピオン酸プロピル、2−エトキシプロ
ピオン酸ブチル、2−ブトキシプロピオン酸メチル、2
−ブトキシプロピオン酸エチル、2−ブトキシプロピオ
ン酸プロピル、2−ブトキシプロピオン酸ブチル、3−
メトキシプロピオン酸メチル、3−メトキシプロピオン
酸エチル、3−メトキシプロピオン酸プロピル、3−メ
トキシプロピオン酸ブチル、3−エトキシプロピオン酸
メチル、3−エトキシプロピオン酸エチル、3−エトキ
シプロピオン酸プロピル、3−エトキシプロピオン酸ブ
チル、3−プロポキシプロピオン酸メチル、3−プロポ
キシプロピオン酸エチル、3−プロポキシプロピオン酸
プロピル、3−プロポキシプロピオン酸ブチル、3−ブ
トキシプロピオン酸メチル、3−ブトキシプロピオン酸
エチル、3−ブトキシプロピオン酸プロピル、3−ブト
キシプロピオン酸ブチル、などのエステル類が挙げられ
る。
【0026】共重合体[A]の製造に用いられる重合開
始剤としては、一般的にラジカル重合開始剤として知ら
れているものが使用でき、例えば2,2’−アゾビスイ
ソブチロニトリル、2,2’−アゾビス−(2,4−ジメ
チルバレロニトリル)、2,2’−アゾビス−(4−メ
トキシ−2,4−ジメチルバレロニトリル)などのアゾ
化合物;ベンゾイルペルオキシド、ラウロイルペルオキ
シド、t−ブチルペルオキシピバレート、1,1’−ビ
ス−(t−ブチルペルオキシ)シクロヘキサンなどの有
機過酸化物;および過酸化水素が挙げられる。ラジカル
重合開始剤として過酸化物を用いる場合には、過酸化物
を還元剤とともに用いてレドックス型開始剤としてもよ
い。
【0027】共重合体[A]の製造においては、分子量
を調整するために分子量調整剤を使用することができ
る。その具体例としては、クロロホルム、四臭化炭素等
のハロゲン化炭化水素類;n−ヘキシルメルカプタン、
n−オクチルメルカプタン、n−ドデシルメルカプタ
ン、tert−ドデシルメルカプタン、チオグリコール
酸等のメルカプタン類;ジメチルキサントゲンスルフィ
ド、ジイソプロピルキサントゲンジスルフィド等のキサ
ントゲン類;ターピノーレン、α−メチルスチレンダイ
マー等が挙げられる。
【0028】上記のように本発明で用いられる共重合体
[A]は、カルボキシル基および/またはカルボン酸無
水物基ならびにエポキシ基とを有しており、アルカリ水
溶液に対して適切な溶解性を有するとともに、特別な硬
化剤を併用しなくとも加熱により容易に硬化させること
ができる。
【0029】上記の共重合体[A]を含む感放射線性樹
脂組成物は、現像する際に現像残りを生じることなく、
また膜べりすることなく、容易に所定パターンの塗膜を
形成することができる。
【0030】1,2−キノンジアジド化合物[B] 本発明で用いられる1,2−キノンジアジド化合物
[B]としては、1,2−キノンジアジド化合物として
は、1,2−ベンゾキノンジアジドスルホン酸エステ
ル、1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステ
ル、1,2−ベンゾキノンジアジドスルホン酸アミド、
1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸アミド等を挙
げることができる。
【0031】これらの具体例としては、2,3,4−トリ
ヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンアジ
ド−4−スルホン酸エステル、2,3,4−トリヒドロキ
シベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−5
−スルホン酸エステル、2,4,6−トリヒドロキシベン
ゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スル
ホン酸エステル、2,4,6−トリヒドロキシベンゾフェ
ノン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸
エステル等のトリヒドロキシベンゾフェノンの1,2−
ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル類;2,2’,
4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナ
フトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、2,
2’,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン−1,
2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、
2,3,4,3’−テトラヒドロキシベンゾフェノン−1,
2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、
2,3,4,3’−テトラヒドロキシベンゾフェノン−1,
2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、
2,3,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン−1,
2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、
2,3,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン−1,
2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、
2,3,4,2’−テトラヒドロキシ−4’−メチルベン
ゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スル
ホン酸エステル、2,3,4,2’−テトラヒドロキシ−
4’−メチルベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジ
アジド−5−スルホン酸エステル、2,3,4,4’−テ
トラヒドロキシ−3’−メトキシベンゾフェノン−1,
2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、
2,3,4,4’−テトラヒドロキシ−3’−メトキシベ
ンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−ス
ルホン酸エステル等のテトラヒドロキシベンゾフェノン
の1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル;
2,3,4,2’,6’−ペンタh−4−スルホン酸エステ
ル、トリ(p−ヒドロキシフェニル)メタン−1,2−
ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、1,
1,1−トリ(p−ヒドロキシフェニル)エタン−1,2
−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、
1,1,1−トリ(p−ヒドロキシフェニル)エタン−
1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステ
ル、ビス(2,3,4−トリヒドロキシフェニル)メタン
−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エス
テル、ビス(2,3,4−トリヒドロキシフェニル)メタ
ン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エ
ステル、2,2−ビス(2,3,4−トリヒドロキシフェ
ニル)プロパン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−
スルホン酸エステル、2,2−ビス(2,3,4−トリヒ
ドロキシフェニル)プロパン−1,2−ナフトキノンジ
アジド−5−スルホン酸エステル、1,1,3−トリス
(2,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)−3−
フェニルプロパン−1,2−ナフトキノンジアジド−4
−スルホン酸エステル、1,1,3−トリス(2,5−ジ
メチル−4−ヒドロキシフェニル)−3−フェニルプロ
パン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸
エステル、4,4’−〔1−〔4−〔1−〔4−ヒドロ
キシフェニル〕−1−メチルエチル〕フェニル〕エチリ
デン〕ビスフェノール−1,2−ナフトキノンジアジド
−4−スルホン酸エステル、4,4’−〔1−〔4−
〔1−〔4−ヒドロキシフェニル〕−1−メチルエチ
ル〕フェニル〕エチリデン〕ビスフェノール−1,2−
ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、ビス
(2,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)−2−
ヒドロキシフェニルメタン−1,2−ナフトキノンジア
ジド−4−スルホン酸エステル、ビス(2,5−ジメチ
ル−4−ヒドロキシフェニル)−2−ヒドロキシフェニ
ルメタン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホ
ン酸エステル、3,3,3’,3’−テトラメチル−1,
1’−スピロビインデン−5,6,7,5’,6’,7’−
ヘキサノール−1,2−ナフトキノンジアジド−4−ス
ルホン酸エステル、3,3,3’,3’−テトラメチル−
1,1’−スピロビインデン−5,6,7,5’,6’,7’
−ヘキサノール−1,2−ナフトキノンジアジド−5−
スルホン酸エステル、2,2,4−トリメチル−7,2’,
4’−トリヒドロキシフラバン−1,2−ナフトキノン
ジアジド−4−スルホン酸エステル、2,2,4−トリメ
チル−7,2’,4’−トリヒドロキシフラバン−1,2
−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル等の
(ポリヒドロキシフェニル)アルカンの1,2−ナフト
キノンジアジドスルホン酸エステルが挙げられる。これ
らの1,2−キノンジアジド化合物は単独でまたは2種
類以上を組み合わせて用いることができる。
【0032】[B]成分の使用割合は、[A]成分10
0重量部に対して、好ましくは5〜100重量部、より
好ましくは10〜50重量部である。この割合が5重量
部未満の場合には、放射線の照射によって生成する酸量
が少ないため、放射線の照射部分と未照射部分との現像
液となるアルカリ水溶液に対する溶解度の差が小さく、
パターニングが困難となる。また、エポキシ基の反応に
関与する酸の量が少なくなるため、十分な耐熱性および
耐溶剤性が得られない。一方、この割合が100重量部
を超える場合には、短時間の放射線の照射では、未反応
の[B]成分が多量に残存するため、前記アルカリ水溶
液への不溶化効果が高すぎて現像することが困難とな
る。
【0033】<その他の成分>本発明の感放射線性樹脂
組成物においては、上記の[A]成分および[B]成分
の他に、必要に応じて、感熱性酸生成化合物よりなる
[C]成分、少なくとも1個のエチレン性不飽和二重結
合を有する重合性化合物よりなる[D]成分、エポキシ
樹脂よりなる[E]成分、界面活性剤よりなる[F]成
分および密着助剤よりなる[G]成分を含有させること
ができる。
【0034】上記[C]成分である感熱性酸生成化合物
は、耐熱性や硬度を向上させるために用いることがで
き、その具体例としては、フッ化アンチモン類が挙げら
れ、市販品としては、サンエイドSI−L80、サンエ
イドSI−L110、サンエイドSI−L150(以
上、三新化学工業(株)製)等が挙げられる。
【0035】[C]成分の使用割合は、[A]成分のア
ルカリ可溶性樹脂100重量部に対して、好ましくは2
0重量部以下、より好ましくは5重量部以下である。こ
の割合が20重量部を超える場合には、析出物が発生
し、パターニングが困難となる。
【0036】上記[D]成分である少なくとも1個のエ
チレン性不飽和二重結合を有する重合性化合物として
は、分子内に1個以上、好ましくは1〜3個の(メタ)
アクリレート構造を持つ化合物を好適に用いることがで
きる。上記、分子内に1個の(メタ)アクリレート構造
を持つ化合物としては、例えば2−ヒドロキシエチル
(メタ)アクリレート、カルビトール(メタ)アクリレ
ート、イソボロニル(メタ)アクリレート、3−メトキ
シブチル(メタ)アクリレート、2−(メタ)アクリロ
イルオキシエチル−2−ヒドロキシプロピルフタレート
などが挙げられ、その市販品としては、例えばアロニッ
クスM−101、同M−111、同M−114(東亞合
成(株)製)、KAYARAD TC−110S、同TC
−120S(日本化薬(株)製)、ビスコート158、同
2311(大阪有機化学工業(株)製)が挙げられる。
【0037】分子内に2個の(メタ)アクリレート構造
を持つ化合物としては、例えばエチレングリコール(メ
タ)アクリレート、1,6−ヘキサンジオールジ(メ
タ)アクリレート、1,9−ノナンジオールジ(メタ)
アクリレート、ポリプロピレングリコールジ(メタ)ア
クリレート、テトラエチレングリコールジ(メタ)アク
リレート、ビスフェノキシエタノールフルオレンジアク
リレート、ビスフェノキシエタノールフルオレンジアク
リレートなどが挙げられ、その市販品としては、例えば
アロニックスM−210、同M−240、同M−620
0(東亞合成(株)製)、KAYARAD HDDA、同
HX−220、同R−604(日本化薬(株)製)、ビス
コート260、同312、同335HP(大阪有機化学
工業(株)製)などが挙げられる。
【0038】また、分子内に3個以上の(メタ)アクリ
レート構造を持つ化合物としては、例えばトリメチロー
ルプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリ
トールトリ(メタ)アクリレート、トリ((メタ)アク
リロイロキシエチル)フォスフェート、ペンタエリスリ
トールテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリ
トールペンタ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリ
トールヘキサ(メタ)アクリレートなどが挙げられ、そ
の市販品としては、例えばアロニックスM−309、同
M−400、同M−405、同M−450、同M−71
00、同M−8030、同M−8060(東亞合成(株)
製)、KAYARAD TMPTA、同DPHA、同D
PCA−20、同DPCA−30、同DPCA−60、
同DPCA−120(日本化薬(株)製)、ビスコート2
95、同300、同360、同GPT、同3PA、同4
00(大阪有機化学工業(株)製)などが挙げられる。こ
れらの分子内に1個以上の(メタ)アクリレート構造を
持つ化合物は、単独であるいは組み合わせて用いられ
る。
【0039】[D]成分の使用割合は、[A]成分10
0重量部に対して、好ましくは50重量部以下、より好
ましくは30重量部以下である。このような割合で
[D]成分が含有されることにより、当該感放射線性樹
脂組成物から得られるパターン状薄膜の耐熱性、強度等
を向上させることができる。この割合が50重量部を超
える場合には、[A]成分のアルカリ可溶性樹脂に対す
る相溶性が不十分となり、塗布時に膜荒れが生じること
がある。
【0040】上記[E]成分であるエポキシ樹脂として
は、相溶性に影響がないかぎり限定されるものではない
が、好ましくはビスフェノールA型エポキシ樹脂、フェ
ノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラッ
ク型エポキシ樹脂、環状脂肪族エポキシ樹脂、グリシジ
ルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキ
シ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、グリシジルメタアクリ
レートを(共)重合した樹脂等を挙げることができる。
これらの中では、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ク
レゾールノボラック型エポキシ樹脂、グリシジルエステ
ル型エポキシ樹脂等が好ましい。
【0041】[E]成分の使用割合は、アルカリ可溶性
樹脂100重量部に対して30重量部以下であることが
好ましい。このような割合で[E]成分が含有されるこ
とにより、当該感放射線性樹脂組成物から得られる塗膜
の強度等をさらに向上させることができる。この割合が
30重量部を超える場合には、アルカリ可溶性樹脂に対
する相溶性が不十分となり、十分な塗膜形成能が得られ
ない。なお、[A]成分もエポキシ樹脂といいうるが、
[A]成分はアルカリ可溶性を有すること、および上記
[E]成分に比べ高分子量体であることが要求される点
において[E]成分と異なっている。
【0042】[F]成分である界面活性剤としては、例
えばBM−1000、BM−1100(BM CHEM
IE社製)、メガファックF142D、同F172、同
F173、同F183(大日本インキ化学工業(株)
製)、フロラードFC−135、同FC−170C、同
FC−430、同FC−431(住友スリーエム(株)
製)、サーフロンS−112、同S−113、同S−1
31、同S−141、同S−145、同S−382、同
SC−101、同SC−102、同SC−103、同S
C−104、同SC−105、同SC−106(旭硝子
(株)製)、エフトップEF301、同303、同352
(新秋田化成(株)製)、SH−28PA、SH−19
0、SH−193、SZ−6032、SF−8428、
DC−57、DC−190(東レシリコーン(株)製)
などのフッ素およびシリコーン系界面活性剤;ポリオキ
シエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステ
アリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル
などのポリオキシエチレンアルキルエーテル類;ポリオ
キシエチレンオクチルフェニルエーテル、ポリオキシエ
チレンノニルフェニルエーテルなどのポリオキシエチレ
ンアリールエーテル類;ポリオキシエチレンジラウレー
ト、ポリオキシエチレンジステアレートなどのポリオキ
シエチレンジアルキルエステル類などのノニオン系界面
活性剤;オルガノシロキサンポリマーKP341(信越
化学工業(株)製)、(メタ)アクリル酸系共重合体ポ
リフローNo.57、同95(以上、共栄社油脂化学工
業(株)製)などが挙げられる。
【0043】これらの界面活性剤は、共重合体[A]1
00重量部に対して、好ましくは5重量部以下、より好
ましくは2重量部以下で用いられる。界面活性剤の量が
5重量部を超える場合は、塗布時の膜あれが生じやすく
なる。
【0044】接着助剤[G]成分としては、官能性シラ
ンカップリング剤が好ましく使用され、例えばカルボキ
シル基、メタクリロイル基、イソシアネート基、エポキ
シ基などの反応性置換基を有するシランカップリング剤
が挙げられる。具体的にはトリメトキシシリル安息香
酸、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、
ビニルトリアセトキシシラン、ビニルトリメトキシシラ
ン、γ−イソシアナートプロピルトリエトキシシラン、
γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、β−
(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキ
シシランなどが挙げられる。
【0045】このような接着助剤は、共重合体[A]1
00重量部に対して、好ましくは20重量部以下、より
好ましくは10重量部以下の量で用いられる。接着助剤
の量が20重量部を超える場合は、現像残りが生じやす
くなる。
【0046】本発明の感放射線性樹脂組成物は、上記の
共重合体[A]、1,2−キノンジアジド化合物[B]
を均一に混合することによって調製される。通常、本発
明の感放射線性樹脂組成物は、適当な溶媒に溶解されて
溶液状態で用いられる。例えば共重合体[A]、1,2
−キノンジアジド化合物[B]およびその他の配合剤
を、溶剤に所定の割合で混合することにより、溶液状態
の感放射線性樹脂組成物を調製することができる。
【0047】本発明の感放射線性樹脂組成物の調製に用
いられる溶媒としては、共重合体[A]、1,2−キノ
ンジアジド化合物[B]および任意成分である[C]〜
[G]の各成分を均一に溶解し、各成分と反応しないも
のが用いられる。具体的には、例えばメタノール、エタ
ノールなどのアルコール類;テトラヒドロフランなどの
エーテル類;エチレングリコールモノメチルエーテル、
エチレングリコールモノエチルエーテルなどのグリコー
ルエーテル類;メチルセロソルブアセテート、エチルセ
ロソルブアセテートなどのエチレングリコールアルキル
エーテルアセテート類;ジエチレングリコールモノメチ
ルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテ
ル、ジエチレングリコールジメチルエーテルなどのジエ
チレングリコール類;プロピレングリコールメチルエー
テル、プロピレングリコールエチルエーテル、プロピレ
ングリコールプロピルエーテル、プロピレングリコール
ブチルエーテルなどのプロピレングリコールモノアルキ
ルエーテル類;プロピレングリコールメチルエーテルア
セテート、プロピレングリコールエチルエーテルアセテ
ート、プロピレングリコールプロピルエーテルアセテー
トプロピレングリコールブチルエーテルアセテート、な
どのプロピレングリコールアルキルエーテルアセテート
類;プロピレングリコールメチルエーテルプロピオネー
ト、プロピレングリコールエチルエーテルプロピオネー
ト、プロピレングリコールプロピルエーテルプロピオネ
ート、プロピレングリコールブチルエーテルプロピオネ
ートなどのプロピレングリコールアルキルエーテルアセ
テート類;トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素
類;メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、4−ヒド
ロキシ−4−メチル−2−ペンタノンなどのケトン類;
および酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブ
チル、2−ヒドロキシプロピオン酸エチル、2−ヒドロ
キシ−2−メチルプロピオン酸メチル、2−ヒドロキシ
−2−メチルプロピオン酸エチル、ヒドロキシ酢酸メチ
ル、ヒドロキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸ブチル、乳
酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチル、3
−ヒドロキシプロピオン酸メチル、3−ヒドロキシプロ
ピオン酸エチル、3−ヒドロキシプロピオン酸プロチ
ル、3−ヒドロキシプロピオン酸ブチル、2−ヒドロキ
シ−3−メチルブタン酸メチル、メトキシ酢酸メチル、
メトキシ酢酸エチル、メトキシ酢酸プロピル、メトキシ
酢酸ブチル、エトキシ酢酸メチル、エトキシ酢酸エチ
ル、エトキシ酢酸プロピル、エトキシ酢酸ブチル、プロ
ポキシ酢酸メチル、プロポキシ酢酸エチル、プロポキシ
酢酸プロピル、プロポキシ酢酸ブチル、ブトキシ酢酸メ
チル、ブトキシ酢酸エチル、ブトキシ酢酸プロピル、ブ
トキシ酢酸ブチル、2−メトキシプロピオン酸メチル、
2−メトキシプロピオン酸エチル、2−メトキシプロピ
オン酸プロピル、2−メトキシプロピオン酸ブチル、2
−エトキシプロピオン酸メチル、2−エトキシプロピオ
ン酸エチル、2−エトキシプロピオン酸プロピル、2−
エトキシプロピオン酸ブチル、2−ブトキシプロピオン
酸メチル、2−ブトキシプロピオン酸エチル、2−ブト
キシプロピオン酸プロピル、2−ブトキシプロピオン酸
ブチル、3−メトキシプロピオン酸メチル、3−メトキ
シプロピオン酸エチル、3−メトキシプロピオン酸プロ
ピル、3−メトキシプロピオン酸ブチル、3−エトキシ
プロピオン酸メチル、3−エトキシプロピオン酸エチ
ル、3−エトキシプロピオン酸プロピル、3−エトキシ
プロピオン酸ブチル、3−プロポキシプロピオン酸メチ
ル、3−プロポキシプロピオン酸エチル、3−プロポキ
シプロピオン酸プロピル、3−プロポキシプロピオン酸
ブチル、3−ブトキシプロピオン酸メチル、3−ブトキ
シプロピオン酸エチル、3−ブトキシプロピオン酸プロ
ピル、3−ブトキシプロピオン酸ブチルなどのエステル
類が挙げられる。
【0048】これらの溶剤の中で、溶解性、各成分との
反応性および塗膜の形成のしやすさから、グリコールエ
ーテル類、エチレングリコールアルキルエーテルアセテ
ート類、プロピレングリコールアルキルエーテルアセテ
ート類、エステル類およびジエチレングリコール類が好
ましく用いられる。
【0049】さらに前記溶媒とともに高沸点溶媒を併用
することもできる。併用できる高沸点溶媒としては、例
えばN−メチルホルムアミド、N,N−ジメチルホルム
アミド、N−メチルホルムアニリド、N−メチルアセト
アミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチルピ
ロリドン、ジメチルスルホキシド、ベンジルエチルエー
テル、ジヘキシルエーテル、アセトニルアセトン、イソ
ホロン、カプロン酸、カプリル酸、1−オクタノール、
1−ノナノール、ベンジルアルコール、酢酸ベンジル、
安息香酸エチル、シュウ酸ジエチル、マレイン酸ジエチ
ル、γ−ブチロラクトン、炭酸エチレン、炭酸プロピレ
ン、フェニルセロソルブアセテートなどが挙げられる。
【0050】また上記のように調製された組成物溶液
は、孔径0.5μm程度のミリポアフィルタなどを用い
て濾過した後、使用に供することもできる。
【0051】層間絶縁膜の形成 次に、本発明の感放射線性樹脂組成物を用いて本発明の
層間絶縁膜を形成する方法は次のとおりである。
【0052】(1)本発明の感放射線性樹脂組成物から
なる薄膜を有する、層間絶縁膜用基板を準備し、(2)
該薄膜に所定のパターンマスクを介して放射線を照射
し、(3)アルカリ現像液で現像してパターン化された
薄膜を生成せしめ、次いで(4)200℃より低い温度
で加熱処理する、ことを特徴とする、層間絶縁膜の製造
方法。
【0053】上記工程(1)は、例えば本発明の感放射
線性樹脂組成物の溶液を、下地基板、すなわち層間絶縁
膜用基板の表面に塗布し、プレベークにより溶媒を除去
することによって薄膜を形成して実施することができ
る。塗布方法として、例えばスプレー法、ロールコート
法、回転塗布法などの各種の方法を採用することができ
る。
【0054】また、プレベークの条件は、各成分の種
類、配合割合などによっても異なるが、通常70〜90
℃で1〜15分間程度の条件が最適である。本発明の感
放射線性樹脂組成物の場合は、プレベーク温度が110
℃程度にまでなっても十分対応できるプロセスマージン
を有している。次に工程(2)において、薄膜に所定パ
ターンマスクを介して紫外線などの放射線を照射し、さ
らに工程(3)でアルカリ現像液により現像し、不要な
部分を除去して所定パターンを形成する。現像方法は液
盛り法、ディッピング法、シャワー法などのいずれでも
よく、現像時間は通常30〜180秒間である。
【0055】上記現像液としては、アルカリ水溶液、例
えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウ
ム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモ
ニアなどの無機アルカリ類;エチルアミン、n−プロピ
ルアミンなどの1級アミン類;ジエチルアミン、ジ−n
−プロピルアミンなどの2級アミン類;トリメチルアミ
ン、メチルジエチルアミン、ジメチルエチルアミン、ト
リエチルアミンなどの3級アミン類;ジメチルエタノー
ルアミン、メチルジエタノールアミン、トリエタノール
アミンなどの3級アミン類;ピロール、ピペリジン、N
−メチルピペリジン、N−メチルピロリジン、1,8−
ジアザビシクロ[5.4.0]−7−ウンデセン、1,5
−ジアザビシクロ[4.3.0]−5−ノネンなどの環状
3級アミン類;ピリジン、コリジン、ルチジン、キノリ
ンなどの芳香族3級アミン類;テトラメチルアンモニウ
ムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシ
ドなどの4級アンモニウム塩の水溶液を使用することが
できる。また上記アルカリ水溶液に、メタノール、エタ
ノールなどの水溶性有機溶媒および/または界面活性剤
を適当量添加した水溶液を現像液として使用することも
できる。
【0056】現像後、流水洗浄を30〜90秒間行い、
不要な部分を除去し、さらに圧縮空気や圧縮窒素で風乾
させることによって、パターンが形成される。次いで工
程(4)において、このパターンを、ホットプレート、
オーブンなどの加熱装置により、200℃より低い温
度、例えば130〜190℃で、所定時間、例えばホッ
トプレート上なら5〜60分間、オーブン中では30〜
90分間加熱処理をすることにより目的とする層間絶縁
膜のパターン状塗膜を得ることができる。なお、工程
(4)の前に、工程(3)で形成されたパターンに紫外
線などの放射線を照射することもできる。本発明の感放
射線性樹脂組成物は、上記の如く、層間絶縁膜、特に磁
気ヘッド例えば巨大磁気抵抗ヘッドの記録コイル用層間
絶縁膜の形成に有用である。
【0057】
【実施例】以下に合成例、実施例および比較例を示し
て、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は以下
の実施例に限定されるものではない。
【0058】合成例1 冷却管、撹拌機を備えたフラスコに、2,2’−アゾビ
ス(2,4−ジメチルバレロニトリル)7重量部、プロ
ピレングリコールモノメチルエーテルアセテート220
重量部を仕込んだ。引き続きメタクリル酸22重量部、
ジシクロペンタニルメタクリレート38部、メタクリル
酸-β-メチルグリシジル40重量部、α−メチルスチレ
ンダイマー1.5部を仕込み窒素置換しながらゆるやか
に攪拌を始めた。溶液の温度を70℃に上昇させ、この
温度にて5時間加熱し共重合体[A−1]を含む重合体
溶液を得た。得られた重合体溶液の固形分濃度は31.
2%であり、重合体の重量平均分子量は18,500で
分子量分布は1.8であった。なお、重量平均分子量
は、GPC(ゲルパーミエイションクロマトグラフィー
(東ソー(株)製HLC−8020)を用いて測定した
ポリスチレン換算平均分子量である。
【0059】合成例2 冷却管、撹拌機を備えたフラスコに、2,2’−アゾビ
ス(2,4−ジメチルバレロニトリル)7重量部、プロ
ピレングリコールモノメチルエーテルアセテート220
重量部を仕込んだ。引き続きスチレン20重量部、メタ
クリル酸25重量部、フェニルマレイミド20部、メタ
クリル酸-β-メチルグリシジル35重量部、α−メチル
スチレンダイマー1.5部を仕込み窒素置換しながらゆ
るやかに攪拌を始めた。溶液の温度を70℃に上昇さ
せ、この温度にて5時間加熱し共重合体[A−2]を含
む重合体溶液を得た。得られた重合体溶液の固形分濃度
は31.0%であり、重合体の重量平均分子量は21,0
00で分子量分布は2.1であった。
【0060】合成例3 冷却管、撹拌機を備えたフラスコに、2,2’−アゾビ
ス(2,4−ジメチルバレロニトリル)7重量部、プロ
ピレングリコールモノメチルエーテルアセテート150
重量部を仕込んだ。引き続きスチレン20重量部、メタ
クリル酸25重量部、フェニルマレイミド20部、メタ
クリル酸-β-メチルグリシジル35重量部、α−メチル
スチレンダイマー1.5部を仕込み窒素置換しながらゆ
るやかに攪拌を始めた。溶液の温度を70℃に上昇さ
せ、この温度にて4時間加熱し共重合体[A−3]を含
む重合体溶液を得た。得られた重合体溶液の固形分濃度
は39.8%であり、重合体の重量平均分子量は23,0
00で分子量分布は2.4であった。
【0061】合成例4 冷却管、撹拌機を備えたフラスコに、2,2’−アゾビ
ス(2,4−ジメチルバレロニトリル)7重量部、プロ
ピレングリコールモノメチルエーテルアセテート220
重量部を仕込んだ。引き続きスチレン20重量部、メタ
クリル酸30重量部、メタクリル酸-β-メチルグリシジ
ル50重量部、α−メチルスチレンダイマー2.0部を
仕込み窒素置換しながらゆるやかに攪拌を始めた。溶液
の温度を70℃に上昇させ、この温度にて5時間加熱し
共重合体[A−4]を含む重合体溶液を得た。得られた
重合体溶液の固形分濃度は31.0%であり、重合体の
重量平均分子量は19,000で分子量分布は1.7であ
った。
【0062】合成例5 冷却管、撹拌機を備えたフラスコに、2,2’−アゾビ
ス(2,4−ジメチルバレロニトリル)7重量部、プロ
ピレングリコールモノメチルエーテルアセテート220
重量部を仕込んだ。引き続きスチレン20重量部、メタ
クリル酸30重量部、CYMA300(ダイセル化学
(株)製)50重量部、α−メチルスチレンダイマー
2.0部を仕込み窒素置換しながらゆるやかに攪拌を始
めた。溶液の温度を70℃に上昇させ、この温度にて5
時間加熱し共重合体[A−5]を含む重合体溶液を得
た。得られた重合体溶液の固形分濃度は30.9%であ
り、重合体の重量平均分子量は21,000で分子量分
布は1.8であった。
【0063】比較合成例1 冷却管、撹拌機を備えたフラスコに、2,2’−アゾビ
ス(2,4−ジメチルバレロニトリル)7重量部、ジエ
チレングリコールメチルエチルエーテル220重量部を
仕込んだ。引き続きメタクリル酸23重量部、ジシクロ
ペンタニルメタクリレート47部、メタクリル酸グリシ
ジル30重量部、α−メチルスチレンダイマー2.0部
を仕込み窒素置換しながらゆるやかに攪拌を始めた。溶
液の温度を70℃に上昇させ、この温度を5時間保持し
共重合体[A−1R]を含む重合体溶液を得た。得られ
た重合体溶液の固形分濃度は32.8%であり、重合体
の重量平均分子量は24,000で分子量分布は2.3で
あった。
【0064】比較合成例2 冷却管、撹拌機を備えたフラスコに、2,2’−アゾビ
ス(2,4−ジメチルバレロニトリル)7重量部、ジエ
チレングリコールメチルエチルエーテル220重量部を
仕込んだ。引き続きメタクリル酸25重量部、ジシクロ
ペンタニルメタクリレート35部、2−ヒドロキシエチ
ルメタクリレート40重量部、α−メチルスチレンダイ
マー2.0部を仕込み窒素置換しながらゆるやかに攪拌
を始めた。溶液の温度を70℃に上昇させ、この温度を
5時間保持し共重合体[A−2R]を含む重合体溶液を
得た。得られた重合体溶液の固形分濃度は32.8%で
あり、重合体の重量平均分子量は25,000で分子量
分布は2.4であった。
【0065】実施例1感放射線性樹脂組成物の調製 合成例1で得られた重合体溶液(共重合体[A−1] 1
00重量部(固形分)に相当)と、成分[B]として
4,4’−[1−[4−[1−[4−ヒドロキシフェニ
ル]−1−メチルエチル]フェニル]エチリデン]ビス
フェノール−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スル
ホン酸エステル30重量部およびγ−メタクリロキシプ
ロピルトリメトキシシラン5重量部を混合し、固形分濃
度が40重量%になるようにプロピレングリコールモノ
メチルエーテルアセテートに溶解させた後、孔径0.5
μmのミリポアフィルタで濾過して感放射線性樹脂組成
物の溶液(S−1)を調製した。
【0066】(I)パターン状薄膜の形成 ガラス基板上にスピンナーを用いて、上記組成物溶液
(S−1)を塗布した後、80℃で5分間ホットプレー
ト上でプレベークして塗膜を形成した。
【0067】上記で得られた塗膜に所定パターンマスク
を用いて、365nmでの強度が10mW/cm2であ
る紫外線を15秒間照射した。次いでテトラメチルアン
モニウムヒドロキシド0.5重量%水溶液で25℃で2
分間現像した後、純水で1分間流水洗浄した。これらの
操作により、不要な部分を除去した。
【0068】上記で形成されたパターンに365nmで
の強度が10mW/cm2である紫外線を30秒間照射
した後、オーブン中で160℃で60分間加熱し硬化さ
せ膜厚5μmのパターン状薄膜を得た。また、硬化温度
を180℃とした他は上記と同様の操作を行い、硬化温
度の異なる2種類のパターン状薄膜を形成した。
【0069】(II)解像度の評価 上記(I)で得られたパターン状薄膜において抜きパタ
ーン(5μm×5μmホール)が解像できている場合を
○(良好)、解像できていない時を×(不良)とした。
結果を表1に示す。
【0070】(III)保存安定性の評価 上記組成物溶液を40℃のオーブンで1週間加熱し、加
熱前後における粘度の変化により保存安定性を評価し
た。このときの変化率を表1に示す。粘度の増加率が1
0%以内であるとき保存安定性は良好、それ以上である
とき保存安定性は不良といえる。結果を表1に示す。
【0071】(IV)耐溶剤性の評価 パターン状薄膜を形成したガラス基板を50℃中のN−
メチルピロリドン中に10分間浸せきし、膜厚変化を評
価した。このときの変化率を表1に示す。膨潤率が0〜
10%のとき耐溶剤性は良好、10%を超えたときおよ
び溶解により膜厚が低下した場合、耐溶剤性は不良とい
える。
【0072】実施例2 実施例1において、合成例1で得られた重合体溶液の代
わりに、合成例2で得られた重合体溶液(共重合体[A
−2]100重量部(固形分)に相当)を使用した他
は、実施例1と同様にして組成物溶液(S−2)を調製
し評価した。結果を表1に示す。
【0073】実施例3 実施例1において、合成例1で得られた重合体溶液の代
わりに、合成例3で得られた重合体溶液(共重合体[A
−3]100重量部(固形分)に相当)を使用した他
は、実施例1と同様にして組成物溶液(S−3)を調製
し評価した。結果を表1に示す。
【0074】実施例4 実施例1において、合成例1で得られた重合体溶液の代
わりに、合成例4で得られた重合体溶液(共重合体[A
−4]100重量部(固形分)に相当)を使用した他
は、実施例1と同様にして組成物溶液(S−4)を調製
し評価した。結果を表1に示す。
【0075】実施例5 実施例1において、合成例1で得られた重合体溶液の代
わりに、合成例5で得られた重合体溶液(共重合体[A
−5]100重量部(固形分)に相当)を使用した他
は、実施例1と同様にして組成物溶液(S−5)を調製
し評価した。結果を表1に示す。
【0076】比較例1 実施例1において、合成例1で得られた重合体溶液の代
わりに、比較合成例1で得られた重合体溶液(共重合体
[A−1R]100重量部(固形分)に相当)を使用し
た他は、実施例1と同様にして組成物溶液(S−1R)
を調製し評価した。結果を表1に示す。
【0077】比較例2 比較合成例2で得られた重合体溶液(共重合体[A−2
R] 100重量部(固形分)に相当)と、成分[B]と
して4,4’−[1−[4−[1−[4−ヒドロキシフ
ェニル]−1−メチルエチル]フェニル]エチリデン]
ビスフェノール−1,2−ナフトキノンジアジド−5−
スルホン酸エステル30重量部、ヘキサメチロールメラ
ミン25重量部、およびγ−メタクリロキシプロピルト
リメトキシシラン5重量部を混合し、固形分濃度が40
重量%になるようにプロピレングリコールモノメチルエ
ーテルアセテートに溶解させた後、孔径0.5μmのミ
リポアフィルタで濾過して感放射線性樹脂組成物の溶液
(S−2R)を調製した。
【0078】
【表1】
【0079】
【発明の効果】本発明によれば、層間絶縁膜として必要
な解像度、耐溶剤性、下地との密着性、保存安定性を併
せ持つ感放射線性樹脂組成物を得ることができる。ま
た、上記感放射線性樹脂組成物より、上記物性に優れた
層間絶縁膜が形成される。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 米沢 文子 東京都中央区築地二丁目11番24号 ジェイ エスアール株式会社内 (72)発明者 遠藤 昌之 東京都中央区築地二丁目11番24号 ジェイ エスアール株式会社内 Fターム(参考) 2H025 AA00 AA02 AA06 AA14 AA20 AB15 AB16 AB17 AC01 AC04 AC05 AC06 AC07 AD03 BE01 CB06 CB10 CB11 CB13 CB14 CB16 CB41 CB43 CB45 CB52 CC17 FA17 FA29 5D033 BA42 CA04

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 [A](a1)不飽和カルボン酸および
    /または不飽和カルボン酸無水物、(a2)下記式
    (1) 【化1】 式中、Rは水素原子またはメチル基であり、R1は炭素
    数1〜4のアルキル基でありそしてnは1〜6の整数で
    ある、で示される単量体および/または下記式(2) 【化2】 式中、R2は水素原子またはメチル基であり、pは1〜
    6の整数でありそしてqは1〜6の整数である、で示さ
    れる単量体、および(a3)前記(a1)および(a
    2)以外のオレフィン系不飽和化合物を共重合して得ら
    れる共重合体と[B]1,2−キノンジアジド化合物を
    含有することを特徴とする感放射線性樹脂組成物。
  2. 【請求項2】 (1)請求項1の感放射線性樹脂組成物
    からなる薄膜を有する層間絶縁膜用基板を準備し、
    (2)該薄膜に所定のパターンマスクを介して放射線を
    照射し、(3)アルカリ現像液で現像してパターン化さ
    れた薄膜を生成せしめ、次いで(4)200℃より低い
    温度で加熱処理する、ことを特徴とする、層間絶縁膜の
    製造方法。
  3. 【請求項3】 層間絶縁膜が磁気ヘッドの記録コイル用
    層間絶縁膜である請求項2に記載の製造方法。
  4. 【請求項4】 請求項1に記載の感放射線性樹脂組成物
    の磁気ヘッドの記録コイル用層間絶縁膜への使用。
  5. 【請求項5】 請求項1に記載の感放射線性樹脂組成物
    より形成された磁気ヘッドの記録コイル用層間絶縁膜。
JP11157463A 1999-06-04 1999-06-04 感放射線性樹脂組成物およびその層間絶縁膜への使用 Withdrawn JP2000347397A (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11157463A JP2000347397A (ja) 1999-06-04 1999-06-04 感放射線性樹脂組成物およびその層間絶縁膜への使用
DE60010797T DE60010797T2 (de) 1999-06-04 2000-05-31 Strahlungsempfindliche Harzzusammensetzung und deren Verwendung in einem interlaminaren Isolierfilm
EP00111681A EP1057859B1 (en) 1999-06-04 2000-05-31 Radiation sensitive resin composition and use of the same in an interlaminar insulating film
US09/584,776 US6399267B1 (en) 1999-06-04 2000-06-01 Radiation sensitive resin composition and use of the same in an interlaminar insulating film
KR1020000030565A KR100663818B1 (ko) 1999-06-04 2000-06-03 감방사선성 수지 조성물 및 층간 절연막에서의 그의 용도
TW089110893A TW593488B (en) 1999-06-04 2000-06-03 Radiation sensitive resin composition and use of the same in an interlaminar insulating film

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11157463A JP2000347397A (ja) 1999-06-04 1999-06-04 感放射線性樹脂組成物およびその層間絶縁膜への使用

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000347397A true JP2000347397A (ja) 2000-12-15

Family

ID=15650226

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11157463A Withdrawn JP2000347397A (ja) 1999-06-04 1999-06-04 感放射線性樹脂組成物およびその層間絶縁膜への使用

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6399267B1 (ja)
EP (1) EP1057859B1 (ja)
JP (1) JP2000347397A (ja)
KR (1) KR100663818B1 (ja)
DE (1) DE60010797T2 (ja)
TW (1) TW593488B (ja)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002287351A (ja) * 2001-03-28 2002-10-03 Jsr Corp 感放射線性樹脂組成物、その層間絶縁膜およびマイクロレンズの形成への使用、ならびに層間絶縁膜およびマイクロレンズ
JP2003029397A (ja) * 2001-07-16 2003-01-29 Nagase Chemtex Corp ポジ型感放射線性樹脂組成物
WO2005001575A1 (ja) * 2003-06-26 2005-01-06 Az Electronic Materials (Japan) K.K. 感光性樹脂組成物
WO2005008337A1 (ja) * 2003-07-16 2005-01-27 Az Electronic Materials (Japan) K.K. 感光性樹脂組成物
WO2005101124A1 (ja) * 2004-04-08 2005-10-27 Jsr Corporation 感放射線性樹脂組成物、層間絶縁膜およびマイクロレンズ、ならびにそれらの製造方法
JP2006243726A (ja) * 2005-03-03 2006-09-14 Dongjin Semichem Co Ltd 感光性樹脂組成物
JP2007102071A (ja) * 2005-10-07 2007-04-19 Jsr Corp 感放射線性樹脂組成物、層間絶縁膜およびマイクロレンズ、ならびにそれらの製造方法
US7586119B2 (en) 2005-09-13 2009-09-08 Electronics And Telecommunications Research Institute Low temperature-cured polymer gate insulation layer and organic thin film transistor using the same
KR100922843B1 (ko) 2007-12-13 2009-10-20 제일모직주식회사 절연막 형성용 감광성 수지 조성물

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AUPQ700100A0 (en) * 2000-04-18 2000-05-11 Orbital Engine Company (Australia) Proprietary Limited Engine speed control for internal combustion engines
EP1312982A4 (en) * 2000-07-27 2007-11-07 Jsr Corp RADIATION SENSITIVE COMPOSITION, INSULATING FILM AND ELECTROLUMINESCENCE SCREEN
EP1235104A4 (en) * 2000-08-29 2008-10-01 Jsr Corp COMPOSITION HAVING SUBSTANTIALLY MODIFIABLE REFRACTION INDEX AND METHOD FOR FORMING REFRACTION INDEX PATTERN
EP1350814A4 (en) * 2000-12-11 2007-09-19 Jsr Corp RADIATION SENSITIVE COMPOSITION, VARIABLE REFRACTION INDEX AND METHOD OF ALTERING REFRACTIVE INDEX
RU2281310C2 (ru) 2001-02-19 2006-08-10 Джей Эс Эр КОРПОРЕЙШН Чувствительная к облучению композиция, изменяющая показатель преломления
US7125647B2 (en) * 2001-03-13 2006-10-24 Jsr Corporation Radiation-sensitive composition changing in refractive index and utilization thereof
TW555822B (en) * 2001-03-15 2003-10-01 Jsr Corp Light diffuse reflecting film-forming composition, manufacturing method thereof, light diffuse reflecting film and liquid crystal display element
JP2003043682A (ja) 2001-08-01 2003-02-13 Jsr Corp 感放射線性誘電率変化性組成物、誘電率変化法
KR100784672B1 (ko) * 2001-08-20 2007-12-12 주식회사 동진쎄미켐 감광성 수지 조성물
KR100809544B1 (ko) * 2001-10-24 2008-03-04 주식회사 동진쎄미켐 퀴논디아지드 술폰산 에스테르 화합물을 포함하는 감광성수지조성물
TWI263867B (en) * 2002-04-18 2006-10-11 Nissan Chemical Ind Ltd Positively photosensitive resin composition and method of pattern formation
KR20040092550A (ko) * 2003-04-24 2004-11-04 클라리언트 인터내셔널 리미티드 레지스트 조성물 및 레지스트 제거용 유기용제
KR100571721B1 (ko) * 2004-02-10 2006-04-17 삼성전자주식회사 신너 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트의 제거 방법
TWI386714B (zh) * 2004-05-06 2013-02-21 Dongjin Semichem Co Ltd Tft-lcd用層間有機絕緣膜、tft-lcd用層間有機絕緣膜用丙烯酸系共聚合體樹脂及其製造方法
KR20050113351A (ko) * 2004-05-27 2005-12-02 주식회사 동진쎄미켐 감광성 수지 조성물
US7799509B2 (en) * 2005-06-04 2010-09-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Photosensitive resin composition, method of manufacturing a thin-film transistor substrate, and method of manufacturing a common electrode substrate using the same
KR101326595B1 (ko) * 2005-06-04 2013-11-20 주식회사 동진쎄미켐 감광성 수지 조성물, 이를 이용한 박막 트랜지스터 기판의 제조방법 및 공통 전극 기판의 제조방법
JP4934353B2 (ja) * 2005-06-10 2012-05-16 ドンジン セミケム カンパニー リミテッド ネガティブ感光性樹脂組成物
KR101330345B1 (ko) 2006-04-25 2013-11-15 코오롱인더스트리 주식회사 절연막 형성용 조성물
KR100867948B1 (ko) * 2006-12-13 2008-11-11 제일모직주식회사 유기 절연막 형성용 감광성 수지 조성물 및 이를 포함하는소자
US8409783B2 (en) * 2007-09-28 2013-04-02 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Copolymer, resin composition, spacer for display panel, planarization film, thermosetting protective film, microlens, and process for producing copolymer
JP5343664B2 (ja) * 2009-03-30 2013-11-13 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物、有機el表示素子用隔壁及び絶縁膜、並びにその形成方法
CN101955743B (zh) * 2010-09-16 2012-08-22 明基材料有限公司 粘着剂的组成物及其制造方法
BR112014028699B1 (pt) 2012-05-18 2021-01-12 Ricoh Company, Ltd. composição fotopolimerizável, tinta de jato de tinta fotopolimerizável, e cartucho de tinta
KR20140015869A (ko) * 2012-07-26 2014-02-07 삼성디스플레이 주식회사 포토 레지스트 조성물 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 표시판 제조 방법
KR101747230B1 (ko) 2013-02-21 2017-06-14 제일모직 주식회사 모노머, 상기 모노머를 포함하는 하드마스크 조성물 및 상기 하드마스크 조성물을 사용하는 패턴형성방법
JP6098726B2 (ja) 2013-08-30 2017-03-22 Jsr株式会社 被接着物回収方法、被接着物回収装置、ガス発生膜および樹脂組成物
CN107383594B (zh) * 2017-07-16 2019-07-26 常州大学 一种纳米无机粒子共混改性聚丙烯微孔膜的制备方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU3870478A (en) 1977-08-09 1980-02-14 Somar Mfg High energy radiation cruable resist material
JPS5614232A (en) * 1979-07-16 1981-02-12 Mitsubishi Rayon Co Ltd Negative type resist resin
JPS56122031A (en) 1980-03-01 1981-09-25 Japan Synthetic Rubber Co Ltd Positive type photosensitive resin composition
JPS57204032A (en) 1981-06-10 1982-12-14 Somar Corp Photosensitive material
US4377631A (en) 1981-06-22 1983-03-22 Philip A. Hunt Chemical Corporation Positive novolak photoresist compositions
JPS58203433A (ja) 1982-05-21 1983-11-26 Fuji Photo Film Co Ltd 感光性組成物
US4550069A (en) 1984-06-11 1985-10-29 American Hoechst Corporation Positive photoresist compositions with o-quinone diazide, novolak, and propylene glycol alkyl ether acetate
JPS61141441A (ja) 1984-12-14 1986-06-28 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ポジ型ホトレジスト組成物
US4929536A (en) 1985-08-12 1990-05-29 Hoechst Celanese Corporation Image reversal negative working O-napthoquinone diazide and cross-linking compound containing photoresist process with thermal curing
GB8529958D0 (en) 1985-12-05 1986-01-15 Vickers Plc Radiation sensitive devices
JP2593305B2 (ja) 1987-02-02 1997-03-26 日本ペイント株式会社 ポジ型感光性樹脂組成物
DE3731439A1 (de) 1987-09-18 1989-03-30 Hoechst Ag Strahlungsempfindliches gemisch und hieraus hergestelltes kopiermaterial
JPH03155554A (ja) 1989-11-14 1991-07-03 Japan Synthetic Rubber Co Ltd 放射線感応性樹脂組成物
JP2571136B2 (ja) 1989-11-17 1997-01-16 日本ゼオン株式会社 ポジ型レジスト組成物
JPH061377B2 (ja) 1989-12-28 1994-01-05 日本ゼオン株式会社 ポジ型レジスト組成物
US5362597A (en) 1991-05-30 1994-11-08 Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. Radiation-sensitive resin composition comprising an epoxy-containing alkali-soluble resin and a naphthoquinone diazide sulfonic acid ester
JP3484808B2 (ja) * 1995-03-24 2004-01-06 Jsr株式会社 層間絶縁膜形成用感放射線性樹脂組成物並びに層間絶縁膜およびその製造方法
JP3389820B2 (ja) * 1996-06-17 2003-03-24 東レ株式会社 水なし平版印刷版原版
JP3650985B2 (ja) 1997-05-22 2005-05-25 Jsr株式会社 ネガ型感放射線性樹脂組成物およびパターン製造法
JPH1152560A (ja) * 1997-08-06 1999-02-26 Jsr Corp 感放射線性樹脂組成物

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002287351A (ja) * 2001-03-28 2002-10-03 Jsr Corp 感放射線性樹脂組成物、その層間絶縁膜およびマイクロレンズの形成への使用、ならびに層間絶縁膜およびマイクロレンズ
JP4524944B2 (ja) * 2001-03-28 2010-08-18 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物、その層間絶縁膜およびマイクロレンズの形成への使用、ならびに層間絶縁膜およびマイクロレンズ
JP4631081B2 (ja) * 2001-07-16 2011-02-16 ナガセケムテックス株式会社 ポジ型感放射線性樹脂組成物
JP2003029397A (ja) * 2001-07-16 2003-01-29 Nagase Chemtex Corp ポジ型感放射線性樹脂組成物
WO2005001575A1 (ja) * 2003-06-26 2005-01-06 Az Electronic Materials (Japan) K.K. 感光性樹脂組成物
WO2005008337A1 (ja) * 2003-07-16 2005-01-27 Az Electronic Materials (Japan) K.K. 感光性樹脂組成物
WO2005101124A1 (ja) * 2004-04-08 2005-10-27 Jsr Corporation 感放射線性樹脂組成物、層間絶縁膜およびマイクロレンズ、ならびにそれらの製造方法
JPWO2005101124A1 (ja) * 2004-04-08 2008-03-06 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物、層間絶縁膜およびマイクロレンズ、ならびにそれらの製造方法
JP4650639B2 (ja) * 2004-04-08 2011-03-16 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物、層間絶縁膜およびマイクロレンズ、ならびにそれらの製造方法
JP2006243726A (ja) * 2005-03-03 2006-09-14 Dongjin Semichem Co Ltd 感光性樹脂組成物
US7586119B2 (en) 2005-09-13 2009-09-08 Electronics And Telecommunications Research Institute Low temperature-cured polymer gate insulation layer and organic thin film transistor using the same
JP2007102071A (ja) * 2005-10-07 2007-04-19 Jsr Corp 感放射線性樹脂組成物、層間絶縁膜およびマイクロレンズ、ならびにそれらの製造方法
JP4654867B2 (ja) * 2005-10-07 2011-03-23 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物、層間絶縁膜およびマイクロレンズ、ならびにそれらの製造方法
KR100922843B1 (ko) 2007-12-13 2009-10-20 제일모직주식회사 절연막 형성용 감광성 수지 조성물

Also Published As

Publication number Publication date
EP1057859A3 (en) 2000-12-20
KR100663818B1 (ko) 2007-01-03
DE60010797D1 (de) 2004-06-24
KR20010007222A (ko) 2001-01-26
DE60010797T2 (de) 2005-06-02
EP1057859A2 (en) 2000-12-06
EP1057859B1 (en) 2004-05-19
US6399267B1 (en) 2002-06-04
TW593488B (en) 2004-06-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2000347397A (ja) 感放射線性樹脂組成物およびその層間絶縁膜への使用
JP3965868B2 (ja) 層間絶縁膜およびマイクロレンズ
JP3835120B2 (ja) 感放射線性樹脂組成物並びに層間絶縁膜およびマイクロレンズ
JP2001354822A5 (ja)
JP4168443B2 (ja) 感放射線性樹脂組成物、層間絶縁膜およびマイクロレンズ、ならびにそれらの製造方法
JP2000081701A (ja) カラーフィルター保護膜用感放射線性樹脂組成物
JP2001330953A5 (ja)
JP4748324B2 (ja) 感放射線性樹脂組成物、層間絶縁膜およびマイクロレンズならびにそれらの製造方法
KR101538804B1 (ko) 감방사선성 수지 조성물, 및 층간 절연막과 그의 제조 방법
JP2007101762A (ja) 感放射線性樹脂組成物ならびに層間絶縁膜およびマイクロレンズの形成
JP3484808B2 (ja) 層間絶縁膜形成用感放射線性樹脂組成物並びに層間絶縁膜およびその製造方法
JP4524944B2 (ja) 感放射線性樹脂組成物、その層間絶縁膜およびマイクロレンズの形成への使用、ならびに層間絶縁膜およびマイクロレンズ
JP3783512B2 (ja) 感放射線性樹脂組成物およびそれから形成された層間絶縁膜
JP4748323B2 (ja) 感放射線性樹脂組成物、層間絶縁膜およびマイクロレンズ、ならびにそれらの製造方法
JPWO2005101124A1 (ja) 感放射線性樹脂組成物、層間絶縁膜およびマイクロレンズ、ならびにそれらの製造方法
JP2001343743A (ja) 感放射線性樹脂組成物およびその硬化物の素子への使用
JP2008225162A (ja) 感放射線性樹脂組成物、層間絶縁膜およびマイクロレンズ、ならびにそれらの製造方法
JPH11258792A (ja) 感放射線性樹脂組成物
JP2000327877A (ja) 感放射線性樹脂組成物、その層間絶縁膜およびマイクロレンズへの使用、並びに層間絶縁膜およびマイクロレンズ
JP4127150B2 (ja) 感放射線性樹脂組成物、層間絶縁膜およびマイクロレンズ、ならびにそれらの製造方法
JP4529616B2 (ja) 層間絶縁膜形成用感放射線性樹脂組成物および層間絶縁膜
JPH1152560A (ja) 感放射線性樹脂組成物
JP2009229567A (ja) 感放射線性樹脂組成物、層間絶縁膜およびマイクロレンズ、ならびにそれらの製造方法
JP5157860B2 (ja) 感放射線性樹脂組成物、層間絶縁膜及びマイクロレンズ、並びにそれらの製造方法
JP2000327875A (ja) カラーフィルター保護膜またはtft層間絶縁膜と一体となったスペーサー用感放射線性樹脂組成物

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20060905