ATE68272T1 - Lichtempfindliche beschichtungszusammensetzung, aus diesem hergestellte thermisch stabile beschichtungen und verfahren zur herstellung von thermisch stabilen polymerbildern. - Google Patents

Lichtempfindliche beschichtungszusammensetzung, aus diesem hergestellte thermisch stabile beschichtungen und verfahren zur herstellung von thermisch stabilen polymerbildern.

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ATE68272T1 AT85303807T AT85303807T ATE68272T1 AT E68272 T1 ATE68272 T1 AT E68272T1 AT 85303807 T AT85303807 T AT 85303807T AT 85303807 T AT85303807 T AT 85303807T AT E68272 T1 ATE68272 T1 AT E68272T1
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Families Citing this family (136)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3421160A1 (de) * 1984-06-07 1985-12-12 Hoechst Ag, 6230 Frankfurt Positiv arbeitende strahlungsempfindliche beschichtungsloesung
EP0164083B1 (de) * 1984-06-07 1991-05-02 Hoechst Aktiengesellschaft Positiv arbeitende strahlungsempfindliche Beschichtungslösung
US5143814A (en) * 1984-06-11 1992-09-01 Hoechst Celanese Corporation Positive photoresist compositions with o-quinone diazide, novolak and propylene glycol alkyl ether acetate
US5066561A (en) * 1984-06-11 1991-11-19 Hoechst Celanese Corporation Method for producing and using a positive photoresist with o-quinone diazide, novolak, and propylene glycol alkyl ether acetate
US4550069A (en) * 1984-06-11 1985-10-29 American Hoechst Corporation Positive photoresist compositions with o-quinone diazide, novolak, and propylene glycol alkyl ether acetate
CA1254432A (en) * 1984-12-28 1989-05-23 Conrad G. Houle High-temperature resistant, selectively developable positive-working resist
EP0195315B1 (de) * 1985-03-11 1989-10-25 Hoechst Celanese Corporation Verfahren zum Herstellen von Photoresist-Strukturen
US4885232A (en) * 1985-03-11 1989-12-05 Hoechst Celanese Corporation High temperature post exposure baking treatment for positive photoresist compositions
JPH07109510B2 (ja) * 1985-04-02 1995-11-22 三菱化学株式会社 ポジ型フォトレジスト組成物
JPS61241745A (ja) * 1985-04-18 1986-10-28 Oki Electric Ind Co Ltd ネガ型フオトレジスト組成物及びレジストパタ−ン形成方法
JPH0766183B2 (ja) * 1985-05-15 1995-07-19 三菱化学株式会社 ポジ型フオトレジスト組成物
US4929536A (en) * 1985-08-12 1990-05-29 Hoechst Celanese Corporation Image reversal negative working O-napthoquinone diazide and cross-linking compound containing photoresist process with thermal curing
US5256522A (en) * 1985-08-12 1993-10-26 Hoechst Celanese Corporation Image reversal negative working O-naphthoquinone diazide and cross-linking compound containing photoresist process with thermal curing
US4931381A (en) * 1985-08-12 1990-06-05 Hoechst Celanese Corporation Image reversal negative working O-quinone diazide and cross-linking compound containing photoresist process with thermal curing treatment
DE3662952D1 (en) * 1985-08-12 1989-05-24 Hoechst Celanese Corp Process for obtaining negative images from positive photoresists
US5217840A (en) * 1985-08-12 1993-06-08 Hoechst Celanese Corporation Image reversal negative working o-quinone diazide and cross-linking compound containing photoresist process with thermal curing treatment and element produced therefrom
DE3664824D1 (en) * 1985-10-25 1989-09-07 Hoechst Celanese Corp Process for producing a positive photoresist
DE3667109D1 (en) * 1985-10-28 1989-12-28 Hoechst Celanese Corp Liquid for the treatment of a photoresist composition, and process therefor
ATE56545T1 (de) * 1985-10-28 1990-09-15 Hoechst Celanese Corp Strahlungsempfindliches, positiv-arbeitendes gemisch und hieraus hergestelltes photoresistmaterial.
CA1308596C (en) * 1986-01-13 1992-10-13 Rohm And Haas Company Microplastic structures and method of manufacture
CA1307695C (en) * 1986-01-13 1992-09-22 Wayne Edmund Feely Photosensitive compounds and thermally stable and aqueous developablenegative images
JPS62194249A (ja) * 1986-02-20 1987-08-26 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型感光性組成物
DE3634371A1 (de) * 1986-10-09 1988-04-21 Hoechst Ag Lichtempfindliches gemisch und hieraus hergestelltes lichtempfindliches kopiermaterial
WO1988002878A1 (en) * 1986-10-20 1988-04-21 Macdermid, Incorporated Image reversal system and process
US4863827A (en) * 1986-10-20 1989-09-05 American Hoechst Corporation Postive working multi-level photoresist
NL8700421A (nl) * 1987-02-20 1988-09-16 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
DE3711264A1 (de) * 1987-04-03 1988-10-13 Hoechst Ag Lichtempfindliches gemisch und hieraus hergestelltes lichtempfindliches kopiermaterial
DE3711263A1 (de) * 1987-04-03 1988-10-13 Hoechst Ag Lichtempfindliches gemisch, daraus hergestelltes lichtempfindliches kopiermaterial und verfahren zur herstellung von druckformen
DE3725949A1 (de) * 1987-08-05 1989-02-16 Hoechst Ag Lichtempfindliches gemisch, daraus hergestelltes lichtempfindliches kopiermaterial und verfahren zur herstellung von negativen reliefkopien
US5240807A (en) * 1987-08-20 1993-08-31 Hoechst Celanese Corporation Photoresist article having a portable, conformable, built-on mask
US4873176A (en) * 1987-08-28 1989-10-10 Shipley Company Inc. Reticulation resistant photoresist coating
DE3735852A1 (de) * 1987-10-23 1989-05-03 Hoechst Ag Positiv arbeitendes lichtempfindliches gemisch, enthaltend einen farbstoff, und daraus hergestelltes positiv arbeitendes lichtempfindliches aufzeichnungsmaterial
EP0345305A4 (en) * 1987-12-10 1991-10-02 Macdermid Incorporated Image-reversible dry-film photoresists
DE3812326A1 (de) * 1988-04-14 1989-10-26 Basf Ag Positiv arbeitendes, strahlungsempfindliches gemisch auf basis von saeurespaltbaren und photochemisch saeurebildenden verbindungen und verfahren zur herstellung von reliefmustern und reliefbildern
JPH01293340A (ja) * 1988-05-20 1989-11-27 Japan Synthetic Rubber Co Ltd 感放射線性樹脂組成物
DE3821584A1 (de) * 1988-06-25 1989-12-28 Hoechst Ag Strahlungshaertbares gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichungsmaterial fuer hochenergetische strahlung
US5079131A (en) * 1988-08-29 1992-01-07 Shipley Company Inc. Method of forming positive images through organometallic treatment of negative acid hardening cross-linked photoresist formulations
EP0361907A3 (de) * 1988-09-29 1991-05-02 Hoechst Celanese Corporation Photolack-Zusammensetzung mit Bildumkehr für tiefes UV
GB8822956D0 (en) * 1988-09-30 1988-11-09 Cookson Graphics Plc Baking treatment of lithographic printing plate
JP2505033B2 (ja) * 1988-11-28 1996-06-05 東京応化工業株式会社 電子線レジスト組成物及びそれを用いた微細パタ―ンの形成方法
JP2583600B2 (ja) * 1989-02-20 1997-02-19 東京応化工業株式会社 ネガ型電子線レジスト組成物
DE3907953A1 (de) * 1989-03-11 1990-09-13 Hoechst Ag Strahlungshaertbares gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial fuer hochenergetische strahlung
JP2661671B2 (ja) * 1989-03-20 1997-10-08 株式会社日立製作所 パタン形成材料とそれを用いたパタン形成方法
JPH02254450A (ja) * 1989-03-29 1990-10-15 Toshiba Corp レジスト
US5128232A (en) * 1989-05-22 1992-07-07 Shiply Company Inc. Photoresist composition with copolymer binder having a major proportion of phenolic units and a minor proportion of non-aromatic cyclic alcoholic units
US5210000A (en) * 1989-05-22 1993-05-11 Shipley Company Inc. Photoresist and method for forming a relief image utilizing composition with copolymer binder having a major proportion of phenolic units and a minor proportion of non-aromatic cyclic alcoholic units
FR2648468B1 (fr) * 1989-05-30 1992-12-04 Commissariat Energie Atomique Composition de resine sensible aux rayonnements uv et aux electrons
US5391465A (en) * 1989-06-20 1995-02-21 Rohm And Haas Company Method of using selected photoactive compounds in high resolution, acid hardening photoresists with near ultraviolet radiation wherein the photoresist comprise conventional deep UV photoacid generators
CA2019693A1 (en) * 1989-07-07 1991-01-07 Karen Ann Graziano Acid-hardening photoresists of improved sensitivity
US5212046A (en) * 1989-10-17 1993-05-18 Shipley Company Inc. Near UV photoresist
DE69032077T2 (de) * 1989-10-17 1998-12-03 Shipley Co Fotoresist für nahes U.V.
JPH03142918A (ja) * 1989-10-30 1991-06-18 Matsushita Electron Corp レジストパターン形成方法
DE69033938T2 (de) * 1989-12-01 2002-07-18 Tosoh Corp Positiv arbeitende lichtempfindliche Zusammensetzungen zur Herstellung von Linsen
DE4006190A1 (de) * 1990-02-28 1991-08-29 Hoechst Ag Negativ arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
TW207009B (de) * 1991-01-31 1993-06-01 Sumitomo Chemical Co
DE4112974A1 (de) * 1991-04-20 1992-10-22 Hoechst Ag Negativ arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und damit hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
DE4112972A1 (de) * 1991-04-20 1992-10-22 Hoechst Ag Negativ arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und damit hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
DE4112965A1 (de) * 1991-04-20 1992-10-22 Hoechst Ag Negativ arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und damit hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
DE4120174A1 (de) * 1991-06-19 1992-12-24 Hoechst Ag Strahlungsempfindliche sulfonsaeureester und deren verwendung
DE4125042A1 (de) * 1991-07-29 1993-02-04 Hoechst Ag Negativ arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und damit hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
US5292614A (en) * 1991-08-02 1994-03-08 Mitsubishi Kasei Corporation Negative photosensitive composition and method for forming a resist pattern
US5286600A (en) * 1991-08-27 1994-02-15 Mitsubishi Kasei Corporation Negative photosensitive composition and method for forming a resist pattern by means thereof
US6165697A (en) 1991-11-15 2000-12-26 Shipley Company, L.L.C. Antihalation compositions
JPH05341522A (ja) * 1992-06-09 1993-12-24 Fuji Photo Film Co Ltd ネガ型フオトレジスト組成物
JPH0643637A (ja) * 1992-07-23 1994-02-18 Sumitomo Chem Co Ltd パターンの保持方法
JPH0667413A (ja) * 1992-08-20 1994-03-11 Sumitomo Chem Co Ltd ネガ型フォトレジスト組成物
TW288112B (de) * 1993-06-02 1996-10-11 Sumitomo Chemical Co
US5879856A (en) 1995-12-05 1999-03-09 Shipley Company, L.L.C. Chemically amplified positive photoresists
US6190829B1 (en) * 1996-09-16 2001-02-20 International Business Machines Corporation Low “K” factor hybrid photoresist
US6455228B1 (en) * 1999-08-25 2002-09-24 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Multilayered body for photolithographic patterning
US7214454B2 (en) 2002-01-23 2007-05-08 Jsr Corporation Positively photosensitive insulating resin composition and cured object obtained therefrom
US7781141B2 (en) 2004-07-02 2010-08-24 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Compositions and processes for immersion lithography
JP4789599B2 (ja) 2004-12-06 2011-10-12 ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ，エル．エル．シー． フォトレジスト組成物
EP1691238A3 (de) 2005-02-05 2009-01-21 Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. Beschichtungszusammensetzungen zur Verwendung mit einem beschichteten Fotolack
EP1762895B1 (de) 2005-08-29 2016-02-24 Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. Antireflex-Zusammensetzungen für Hartmasken
EP1829942B1 (de) 2006-02-28 2012-09-26 Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. Beschichtungszusammensetzungen zur Verwendung mit einem beschichteten Fotolack
TWI358613B (en) 2006-03-10 2012-02-21 Rohm & Haas Elect Mat Compositions and processes for photolithography
KR101186689B1 (ko) 2006-10-30 2012-09-27 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈, 엘.엘.씨. 침지 리소그래피 처리용 조성물 및 방법
TWI374478B (en) 2007-02-13 2012-10-11 Rohm & Haas Elect Mat Electronic device manufacture
JP5337398B2 (ja) 2007-04-06 2013-11-06 ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ，エル．エル．シー． コーティング組成物
TWI554841B (zh) 2007-11-05 2016-10-21 羅門哈斯電子材料有限公司 浸潤式微影組成物及製程
EP2071400A1 (de) 2007-11-12 2009-06-17 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Beschichtungszusammensetzungen zur Verwendung mit einem beschichteten Fotolack
EP2189846B1 (de) 2008-11-19 2015-04-22 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Verfahren für die Fotolithographie unter Verwendung einer Fotolackzusammensetzung beinhaltend ein Blockcopolymer
EP3051348A1 (de) 2008-11-19 2016-08-03 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Zusammensetzungen mit heterosubstituierter carbocyclischer arylkomponente und fotolithografie verfahren
EP2189844A3 (de) 2008-11-19 2010-07-28 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Zusammensetzungen, die Sulfonamid-Material beinhalten, und Verfahren für die Fotolithografie
EP2189845B1 (de) 2008-11-19 2017-08-02 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Zusammensetzungen und Prozesse für Fotolithographie
EP2204392A1 (de) 2008-12-31 2010-07-07 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Zusammensetzungen und Verfahren für Fotolithografie
EP2204694A1 (de) 2008-12-31 2010-07-07 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Zusammensetzungen und Verfahren für Fotolithografie
US8501383B2 (en) 2009-05-20 2013-08-06 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Coating compositions for use with an overcoated photoresist
US9244352B2 (en) 2009-05-20 2016-01-26 Rohm And Haas Electronic Materials, Llc Coating compositions for use with an overcoated photoresist
US10180627B2 (en) 2009-06-08 2019-01-15 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Processes for photolithography
JP5687442B2 (ja) 2009-06-22 2015-03-18 ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ，エル．エル．シー． 光酸発生剤およびこれを含むフォトレジスト
EP2287668A1 (de) 2009-06-26 2011-02-23 Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. Verfahren zur Herstellung von elektronischen Geräten
CN101963755B (zh) 2009-06-26 2012-12-19 罗门哈斯电子材料有限公司 自对准间隔物多重图形化方法
CN102074462B (zh) 2009-11-19 2014-02-26 罗门哈斯电子材料有限公司 形成电子器件的方法
KR101785429B1 (ko) 2009-12-10 2017-10-16 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨 포토애시드 발생제 및 이를 포함하는 포토레지스트
CN102212100A (zh) 2009-12-10 2011-10-12 罗门哈斯电子材料有限公司 胆酸酯光酸发生剂和包含该发生剂的光致抗蚀剂
CN102180822B (zh) 2009-12-14 2014-08-13 罗门哈斯电子材料有限公司 磺酰光酸产生剂和包含该磺酰光酸产生剂的光刻胶
EP2348360B1 (de) 2010-01-25 2017-09-27 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Photoresist, der eine stickstoffhaltige Verbindung umfasst
JP5782283B2 (ja) 2010-03-31 2015-09-24 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーＲｏｈｍ ａｎｄ Ｈａａｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ＬＬＣ 新規のポリマーおよびフォトレジスト組成物
JP5969171B2 (ja) 2010-03-31 2016-08-17 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーＲｏｈｍ ａｎｄ Ｈａａｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ＬＬＣ 光酸発生剤およびこれを含むフォトレジスト
EP2383611A3 (de) 2010-04-27 2012-01-25 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Fotosäureerzeuger und Fotolacke damit
JP2012073612A (ja) 2010-09-14 2012-04-12 Rohm & Haas Electronic Materials Llc マルチアミド成分を含むフォトレジスト
JP2012113302A (ja) 2010-11-15 2012-06-14 Rohm & Haas Electronic Materials Llc 塩基反応性成分を含む組成物およびフォトリソグラフィーのための方法
JP5961363B2 (ja) 2010-11-15 2016-08-02 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーＲｏｈｍ ａｎｄ Ｈａａｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ＬＬＣ ラクトン光酸発生剤、これを含む樹脂およびフォトレジスト
EP2452932A2 (de) 2010-11-15 2012-05-16 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Basenreaktive Fotosäuregeneratoren und diese enthaltende Fotoresiste
JP6144005B2 (ja) 2010-11-15 2017-06-07 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーＲｏｈｍ ａｎｄ Ｈａａｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ＬＬＣ 糖成分を含む組成物およびフォトリソグラフィ方法
EP2472320A2 (de) 2010-12-30 2012-07-04 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Zusammensetzungen mit basisch-reaktiven Komponenten und Verfahren für Fotolithografie
EP2472329B1 (de) 2010-12-31 2013-06-05 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Beschichtungszusammensetzungen zur Verwendung mit einem beschichteten Fotolack
EP2472328B1 (de) 2010-12-31 2013-06-19 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Beschichtungszusammensetzungen zur Verwendung mit einem beschichteten Fotolack
EP2511766B1 (de) 2011-04-14 2013-07-31 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Deckschicht Zusammensetzungen für Photoresist und Immersionsfotolithografisches Verfahren unter deren Verwendung
JP6210986B2 (ja) 2011-09-07 2017-10-11 マイクロケム コーポレイション 低表面エネルギー基板上にレリーフパターンを製作するためのエポキシ配合物及び方法
US9011591B2 (en) 2011-09-21 2015-04-21 Dow Global Technologies Llc Compositions and antireflective coatings for photolithography
US11635688B2 (en) 2012-03-08 2023-04-25 Kayaku Advanced Materials, Inc. Photoimageable compositions and processes for fabrication of relief patterns on low surface energy substrates
TWI527792B (zh) 2012-06-26 2016-04-01 羅門哈斯電子材料有限公司 光酸產生劑、含該光酸產生劑之光阻劑及含該光阻劑之經塗覆物件
US10527934B2 (en) 2012-10-31 2020-01-07 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Photoresists comprising ionic compound
US9541834B2 (en) 2012-11-30 2017-01-10 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Ionic thermal acid generators for low temperature applications
US9410016B2 (en) 2013-07-16 2016-08-09 Dow Global Technologies Llc Aromatic polyacetals and articles comprising them
US8933239B1 (en) 2013-07-16 2015-01-13 Dow Global Technologies Llc Bis(aryl)acetal compounds
US9063420B2 (en) 2013-07-16 2015-06-23 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Photoresist composition, coated substrate, and method of forming electronic device
US8962779B2 (en) 2013-07-16 2015-02-24 Dow Global Technologies Llc Method of forming polyaryl polymers
US9067909B2 (en) 2013-08-28 2015-06-30 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Photoacid generator, photoresist, coated substrate, and method of forming an electronic device
US9046767B2 (en) 2013-10-25 2015-06-02 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Photoacid generator, photoresist, coated substrate, and method of forming an electronic device
US9581901B2 (en) 2013-12-19 2017-02-28 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Photoacid-generating copolymer and associated photoresist composition, coated substrate, and method of forming an electronic device
US9229319B2 (en) 2013-12-19 2016-01-05 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Photoacid-generating copolymer and associated photoresist composition, coated substrate, and method of forming an electronic device
US9182669B2 (en) 2013-12-19 2015-11-10 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Copolymer with acid-labile group, photoresist composition, coated substrate, and method of forming an electronic device
US9383644B2 (en) 2014-09-18 2016-07-05 Heraeus Precious Metals North America Daychem LLC Sulfonic acid derivative compounds as photoacid generators in resist applications
EP2998297A1 (de) 2014-09-18 2016-03-23 Heraeus Materials Korea Corporation Photosäureerzeugende Verbindungen, besagte Verbindungen enthaltende Zusammensetzungen, Verbundmaterial und Verfahren zur Herstellung des Verbundmaterials sowie Verwendungen besagter Verbindungen
US9477150B2 (en) 2015-03-13 2016-10-25 Heraeus Precious Metals North America Daychem LLC Sulfonic acid derivative compounds as photoacid generators in resist applications
KR102021456B1 (ko) 2015-08-21 2019-09-16 헤레우스 프레셔스 메탈즈 노스 아메리카 데이켐 엘엘씨 레지스트 적용에서 광산 발생제로서 술폰산 유도체 화합물
TWI646397B (zh) 2015-10-31 2019-01-01 南韓商羅門哈斯電子材料韓國公司 與外塗佈光致抗蝕劑一起使用的塗料組合物
EP3182203A1 (de) 2015-12-18 2017-06-21 Heraeus Precious Metals North America Daychem LLC Kombination aus nit-derivaten mit sensibilisatoren
US11448964B2 (en) 2016-05-23 2022-09-20 Rohm And Haas Electronic Materials Korea Ltd. Coating compositions for use with an overcoated photoresist
US11500291B2 (en) 2017-10-31 2022-11-15 Rohm And Haas Electronic Materials Korea Ltd. Underlying coating compositions for use with photoresists
US11292764B2 (en) 2018-03-16 2022-04-05 Heraeus Epurio Llc Cyclic sulfonate compounds as photoacid generators in resist applications
WO2022272226A1 (en) 2021-06-23 2022-12-29 Heraeus Epurio Llc Oxathianium ion-containing sulfonic acid derivative compound as photoacid generators in resist applications

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE867119C (de) * 1943-02-25 1953-02-16 Basf Ag Verfahren zur Herstellung haertbarer Lackharze
NL125781C (de) * 1959-02-04
CA774047A (en) * 1963-12-09 1967-12-19 Shipley Company Light-sensitive material and process for the development thereof
DE1447592A1 (de) * 1964-12-24 1969-02-13 Agfa Gevaert Ag Lichtvernetzbare Schichten
DE1522527A1 (de) * 1966-03-24 1969-09-11 Standard Elek K Lorenz Ag Verfahren zur Herstellung von Photokopierlacken
GB1375461A (de) * 1972-05-05 1974-11-27
JPS52153672A (en) * 1976-06-16 1977-12-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd Electron beam resist and its usage
US4102686A (en) * 1977-02-25 1978-07-25 Polychrome Corporation Lithographic photosensitive compositions comprising acrylonitrile-butadiene-styrene terpolymer and novolak resin
JPS5498244A (en) * 1978-01-20 1979-08-03 Toray Industries Method of forming positive photo resist image
GB2023861A (en) * 1978-06-14 1980-01-03 Polychrome Corp Dry processable printing plate having both photopolymer and diazo layering
DE2855723C2 (de) * 1978-12-22 1985-11-28 Ibm Deutschland Gmbh, 7000 Stuttgart Verfahren zum Herstellen eines Negativmusters einer Vorlage aus einem Positivlack
JPS5590943A (en) * 1978-12-28 1980-07-10 Fuji Photo Film Co Ltd Photosensitive material and image forming method applicable thereto
US4246374A (en) * 1979-04-23 1981-01-20 Rohm And Haas Company Imidized acrylic polymers
JPS569740A (en) * 1979-07-05 1981-01-31 Fuji Photo Film Co Ltd Image forming method
JPS5625731A (en) * 1979-08-08 1981-03-12 Kanto Kagaku Kk Positive type photoresist composition
JPS5625730A (en) * 1979-08-08 1981-03-12 Kanto Kagaku Kk Positive type photoresist composition
JPS5635130A (en) * 1979-08-31 1981-04-07 Fujitsu Ltd Resist material and method for forming resist pattern
JPS56132337A (en) * 1980-03-21 1981-10-16 Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai Pattern forming method
JPS5738431A (en) * 1980-08-12 1982-03-03 Polychrome Corp Image system for selective positive or negative
DE3144499A1 (de) * 1981-11-09 1983-05-19 Hoechst Ag, 6230 Frankfurt Lichtempfindliches gemisch und daraus hergestelltes lichtempfindliches kopiermaterial
DE3144480A1 (de) * 1981-11-09 1983-05-19 Hoechst Ag, 6230 Frankfurt Lichtempfindliches gemisch und daraus hergestelltes lichtempfindliches kopiermaterial
US4439517A (en) * 1982-01-21 1984-03-27 Ciba-Geigy Corporation Process for the formation of images with epoxide resin
GB8315926D0 (en) * 1982-09-18 1983-07-13 Ciba Geigy Ag Photopolymerisable compositions
JPS5968737A (ja) * 1982-10-13 1984-04-18 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ポジ型及びネガ型パタ−ンの同時形成方法
JPS5979249A (ja) * 1982-10-29 1984-05-08 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd パタ−ン形成方法
DE3325023A1 (de) * 1983-07-11 1985-01-24 Hoechst Ag, 6230 Frankfurt Verfahren zur herstellung negativer kopien mittels eines materials auf basis von 1,2-chinondiaziden
US4567132A (en) * 1984-03-16 1986-01-28 International Business Machines Corporation Multi-level resist image reversal lithography process

Also Published As

Publication number Publication date
FI84942C (fi) 1992-02-10
CA1283799C (en) 1991-05-07
ZA854172B (en) 1986-07-30
HK17492A (en) 1992-03-13
FI84942B (fi) 1991-10-31
IL75373A (en) 1990-06-10
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IE851350L (en) 1985-12-01
SG108091G (en) 1992-04-16
DK241885D0 (da) 1985-05-30
NO173574B (no) 1993-09-20
DK241885A (da) 1985-12-02
DE3584316D1 (de) 1991-11-14
KR920005773B1 (ko) 1992-07-18
FI852190L (fi) 1985-12-02
AU4325185A (en) 1985-12-05
MY103545A (en) 1993-07-31
EP0164248A2 (de) 1985-12-11
BR8502638A (pt) 1986-02-12
EP0164248A3 (en) 1987-06-03
FI852190A0 (fi) 1985-05-31
MX170270B (es) 1993-08-11
KR860000330A (ko) 1986-01-28
IL75373A0 (en) 1985-09-29
IE57143B1 (en) 1992-05-06
NO173574C (no) 1993-12-29
AU595160B2 (en) 1990-03-29
JPS60263143A (ja) 1985-12-26
NO852154L (no) 1985-12-02

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