ATE68272T1 - Lichtempfindliche beschichtungszusammensetzung, aus diesem hergestellte thermisch stabile beschichtungen und verfahren zur herstellung von thermisch stabilen polymerbildern. - Google Patents

Lichtempfindliche beschichtungszusammensetzung, aus diesem hergestellte thermisch stabile beschichtungen und verfahren zur herstellung von thermisch stabilen polymerbildern.

Info

Publication number
ATE68272T1
ATE68272T1 AT85303807T AT85303807T ATE68272T1 AT E68272 T1 ATE68272 T1 AT E68272T1 AT 85303807 T AT85303807 T AT 85303807T AT 85303807 T AT85303807 T AT 85303807T AT E68272 T1 ATE68272 T1 AT E68272T1
Authority
AT
Austria
Prior art keywords
thermally
stable
coating composition
light
sensitive coating
Prior art date
Application number
AT85303807T
Other languages
English (en)
Inventor
Wayne Edmund Feely
Original Assignee
Rohm & Haas
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=24469821&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=ATE68272(T1) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Rohm & Haas filed Critical Rohm & Haas
Application granted granted Critical
Publication of ATE68272T1 publication Critical patent/ATE68272T1/de

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/38Treatment before imagewise removal, e.g. prebaking
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08JWORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J7/00Chemical treatment or coating of shaped articles made of macromolecular substances
    • C08J7/12Chemical modification
    • C08J7/16Chemical modification with polymerisable compounds
    • C08J7/18Chemical modification with polymerisable compounds using wave energy or particle radiation
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/022Quinonediazides
    • G03F7/023Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/09Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/094Multilayer resist systems, e.g. planarising layers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
  • Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
  • Heat Sensitive Colour Forming Recording (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Medicines That Contain Protein Lipid Enzymes And Other Medicines (AREA)
  • Cosmetics (AREA)
  • Emulsifying, Dispersing, Foam-Producing Or Wetting Agents (AREA)
  • Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
  • Treatments For Attaching Organic Compounds To Fibrous Goods (AREA)
  • Paper (AREA)
  • Materials For Medical Uses (AREA)
  • Dental Preparations (AREA)
AT85303807T 1984-06-01 1985-05-30 Lichtempfindliche beschichtungszusammensetzung, aus diesem hergestellte thermisch stabile beschichtungen und verfahren zur herstellung von thermisch stabilen polymerbildern. ATE68272T1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US61651884A 1984-06-01 1984-06-01
EP85303807A EP0164248B1 (de) 1984-06-01 1985-05-30 Lichtempfindliche Beschichtungszusammensetzung, aus diesem hergestellte thermisch stabile Beschichtungen und Verfahren zur Herstellung von thermisch stabilen Polymerbildern

Publications (1)

Publication Number Publication Date
ATE68272T1 true ATE68272T1 (de) 1991-10-15

Family

ID=24469821

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
AT85303807T ATE68272T1 (de) 1984-06-01 1985-05-30 Lichtempfindliche beschichtungszusammensetzung, aus diesem hergestellte thermisch stabile beschichtungen und verfahren zur herstellung von thermisch stabilen polymerbildern.

Country Status (18)

Country Link
EP (1) EP0164248B1 (de)
JP (1) JPS60263143A (de)
KR (1) KR920005773B1 (de)
AT (1) ATE68272T1 (de)
AU (1) AU595160B2 (de)
BR (1) BR8502638A (de)
CA (1) CA1283799C (de)
DE (1) DE3584316D1 (de)
DK (1) DK241885A (de)
FI (1) FI84942C (de)
HK (1) HK17492A (de)
IE (1) IE57143B1 (de)
IL (1) IL75373A (de)
MX (1) MX170270B (de)
MY (1) MY103545A (de)
NO (1) NO173574C (de)
SG (1) SG108091G (de)
ZA (1) ZA854172B (de)

Families Citing this family (137)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3421160A1 (de) * 1984-06-07 1985-12-12 Hoechst Ag, 6230 Frankfurt Positiv arbeitende strahlungsempfindliche beschichtungsloesung
DE3582697D1 (de) * 1984-06-07 1991-06-06 Hoechst Ag Positiv arbeitende strahlungsempfindliche beschichtungsloesung.
US5143814A (en) * 1984-06-11 1992-09-01 Hoechst Celanese Corporation Positive photoresist compositions with o-quinone diazide, novolak and propylene glycol alkyl ether acetate
US4550069A (en) * 1984-06-11 1985-10-29 American Hoechst Corporation Positive photoresist compositions with o-quinone diazide, novolak, and propylene glycol alkyl ether acetate
US5066561A (en) * 1984-06-11 1991-11-19 Hoechst Celanese Corporation Method for producing and using a positive photoresist with o-quinone diazide, novolak, and propylene glycol alkyl ether acetate
CA1254432A (en) * 1984-12-28 1989-05-23 Conrad G. Houle High-temperature resistant, selectively developable positive-working resist
EP0195315B1 (de) * 1985-03-11 1989-10-25 Hoechst Celanese Corporation Verfahren zum Herstellen von Photoresist-Strukturen
US4885232A (en) * 1985-03-11 1989-12-05 Hoechst Celanese Corporation High temperature post exposure baking treatment for positive photoresist compositions
JPH07109510B2 (ja) * 1985-04-02 1995-11-22 三菱化学株式会社 ポジ型フォトレジスト組成物
JPS61241745A (ja) * 1985-04-18 1986-10-28 Oki Electric Ind Co Ltd ネガ型フオトレジスト組成物及びレジストパタ−ン形成方法
JPH0766183B2 (ja) * 1985-05-15 1995-07-19 三菱化学株式会社 ポジ型フオトレジスト組成物
US5256522A (en) * 1985-08-12 1993-10-26 Hoechst Celanese Corporation Image reversal negative working O-naphthoquinone diazide and cross-linking compound containing photoresist process with thermal curing
US5217840A (en) * 1985-08-12 1993-06-08 Hoechst Celanese Corporation Image reversal negative working o-quinone diazide and cross-linking compound containing photoresist process with thermal curing treatment and element produced therefrom
US4929536A (en) * 1985-08-12 1990-05-29 Hoechst Celanese Corporation Image reversal negative working O-napthoquinone diazide and cross-linking compound containing photoresist process with thermal curing
US4931381A (en) * 1985-08-12 1990-06-05 Hoechst Celanese Corporation Image reversal negative working O-quinone diazide and cross-linking compound containing photoresist process with thermal curing treatment
EP0212482B1 (de) * 1985-08-12 1989-04-19 Hoechst Celanese Corporation Verfahren zur Herstellung negativer Bilder aus einem positiv arbeitenden Photoresist
EP0226741B1 (de) * 1985-10-25 1989-08-02 Hoechst Celanese Corporation Verfahren zur Herstellung eines positiv arbeitenden Photoresists
DE3667109D1 (en) * 1985-10-28 1989-12-28 Hoechst Celanese Corp Liquid for the treatment of a photoresist composition, and process therefor
EP0220645B1 (de) * 1985-10-28 1990-09-12 Hoechst Celanese Corporation Strahlungsempfindliches, positiv-arbeitendes Gemisch und hieraus hergestelltes Photoresistmaterial
CA1307695C (en) * 1986-01-13 1992-09-22 Wayne Edmund Feely Photosensitive compounds and thermally stable and aqueous developablenegative images
CA1308596C (en) * 1986-01-13 1992-10-13 Rohm And Haas Company Microplastic structures and method of manufacture
JPS62194249A (ja) * 1986-02-20 1987-08-26 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型感光性組成物
DE3634371A1 (de) * 1986-10-09 1988-04-21 Hoechst Ag Lichtempfindliches gemisch und hieraus hergestelltes lichtempfindliches kopiermaterial
EP0288533A4 (de) * 1986-10-20 1989-02-06 Macdermid Inc Bildumkehrsystem und -verfahren.
US4863827A (en) * 1986-10-20 1989-09-05 American Hoechst Corporation Postive working multi-level photoresist
NL8700421A (nl) * 1987-02-20 1988-09-16 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
DE3711264A1 (de) * 1987-04-03 1988-10-13 Hoechst Ag Lichtempfindliches gemisch und hieraus hergestelltes lichtempfindliches kopiermaterial
DE3711263A1 (de) * 1987-04-03 1988-10-13 Hoechst Ag Lichtempfindliches gemisch, daraus hergestelltes lichtempfindliches kopiermaterial und verfahren zur herstellung von druckformen
DE3725949A1 (de) * 1987-08-05 1989-02-16 Hoechst Ag Lichtempfindliches gemisch, daraus hergestelltes lichtempfindliches kopiermaterial und verfahren zur herstellung von negativen reliefkopien
US5240807A (en) * 1987-08-20 1993-08-31 Hoechst Celanese Corporation Photoresist article having a portable, conformable, built-on mask
US4873176A (en) * 1987-08-28 1989-10-10 Shipley Company Inc. Reticulation resistant photoresist coating
DE3735852A1 (de) * 1987-10-23 1989-05-03 Hoechst Ag Positiv arbeitendes lichtempfindliches gemisch, enthaltend einen farbstoff, und daraus hergestelltes positiv arbeitendes lichtempfindliches aufzeichnungsmaterial
EP0345305A4 (en) * 1987-12-10 1991-10-02 Macdermid Incorporated Image-reversible dry-film photoresists
DE3812326A1 (de) * 1988-04-14 1989-10-26 Basf Ag Positiv arbeitendes, strahlungsempfindliches gemisch auf basis von saeurespaltbaren und photochemisch saeurebildenden verbindungen und verfahren zur herstellung von reliefmustern und reliefbildern
JPH01293340A (ja) * 1988-05-20 1989-11-27 Japan Synthetic Rubber Co Ltd 感放射線性樹脂組成物
DE3821584A1 (de) * 1988-06-25 1989-12-28 Hoechst Ag Strahlungshaertbares gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichungsmaterial fuer hochenergetische strahlung
US5079131A (en) * 1988-08-29 1992-01-07 Shipley Company Inc. Method of forming positive images through organometallic treatment of negative acid hardening cross-linked photoresist formulations
KR900005226A (ko) * 1988-09-29 1990-04-13 윌리엄 비이 해리스 감광성 조성물 및 양화 상과 음화 상의 생성방법
GB8822956D0 (en) * 1988-09-30 1988-11-09 Cookson Graphics Plc Baking treatment of lithographic printing plate
JP2505033B2 (ja) * 1988-11-28 1996-06-05 東京応化工業株式会社 電子線レジスト組成物及びそれを用いた微細パタ―ンの形成方法
JP2583600B2 (ja) * 1989-02-20 1997-02-19 東京応化工業株式会社 ネガ型電子線レジスト組成物
DE3907953A1 (de) * 1989-03-11 1990-09-13 Hoechst Ag Strahlungshaertbares gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial fuer hochenergetische strahlung
JP2661671B2 (ja) * 1989-03-20 1997-10-08 株式会社日立製作所 パタン形成材料とそれを用いたパタン形成方法
JPH02254450A (ja) * 1989-03-29 1990-10-15 Toshiba Corp レジスト
US5128232A (en) * 1989-05-22 1992-07-07 Shiply Company Inc. Photoresist composition with copolymer binder having a major proportion of phenolic units and a minor proportion of non-aromatic cyclic alcoholic units
US5210000A (en) * 1989-05-22 1993-05-11 Shipley Company Inc. Photoresist and method for forming a relief image utilizing composition with copolymer binder having a major proportion of phenolic units and a minor proportion of non-aromatic cyclic alcoholic units
FR2648468B1 (fr) * 1989-05-30 1992-12-04 Commissariat Energie Atomique Composition de resine sensible aux rayonnements uv et aux electrons
US5391465A (en) * 1989-06-20 1995-02-21 Rohm And Haas Company Method of using selected photoactive compounds in high resolution, acid hardening photoresists with near ultraviolet radiation wherein the photoresist comprise conventional deep UV photoacid generators
CA2019693A1 (en) * 1989-07-07 1991-01-07 Karen Ann Graziano Acid-hardening photoresists of improved sensitivity
EP0423446B1 (de) * 1989-10-17 1998-03-04 Shipley Company Inc. Fotoresist für nahes U.V.
US5212046A (en) * 1989-10-17 1993-05-18 Shipley Company Inc. Near UV photoresist
JPH03142918A (ja) * 1989-10-30 1991-06-18 Matsushita Electron Corp レジストパターン形成方法
US5183722A (en) * 1989-12-01 1993-02-02 Tosoh Corporation Positive photosensitive composition for forming lenses containing 1,2-naphthoquinone diazide sulfonate photosensitizer, alkali-soluble resin and thermosetting agent and process for producing the composition
DE4006190A1 (de) * 1990-02-28 1991-08-29 Hoechst Ag Negativ arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
TW207009B (de) * 1991-01-31 1993-06-01 Sumitomo Chemical Co
DE4112965A1 (de) * 1991-04-20 1992-10-22 Hoechst Ag Negativ arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und damit hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
DE4112974A1 (de) * 1991-04-20 1992-10-22 Hoechst Ag Negativ arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und damit hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
DE4112972A1 (de) * 1991-04-20 1992-10-22 Hoechst Ag Negativ arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und damit hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
DE4120174A1 (de) * 1991-06-19 1992-12-24 Hoechst Ag Strahlungsempfindliche sulfonsaeureester und deren verwendung
DE4125042A1 (de) * 1991-07-29 1993-02-04 Hoechst Ag Negativ arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und damit hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
US5292614A (en) * 1991-08-02 1994-03-08 Mitsubishi Kasei Corporation Negative photosensitive composition and method for forming a resist pattern
US5286600A (en) * 1991-08-27 1994-02-15 Mitsubishi Kasei Corporation Negative photosensitive composition and method for forming a resist pattern by means thereof
US6165697A (en) 1991-11-15 2000-12-26 Shipley Company, L.L.C. Antihalation compositions
JPH05341522A (ja) * 1992-06-09 1993-12-24 Fuji Photo Film Co Ltd ネガ型フオトレジスト組成物
JPH0643637A (ja) * 1992-07-23 1994-02-18 Sumitomo Chem Co Ltd パターンの保持方法
JPH0667413A (ja) * 1992-08-20 1994-03-11 Sumitomo Chem Co Ltd ネガ型フォトレジスト組成物
TW288112B (de) * 1993-06-02 1996-10-11 Sumitomo Chemical Co
US5879856A (en) 1995-12-05 1999-03-09 Shipley Company, L.L.C. Chemically amplified positive photoresists
US6190829B1 (en) * 1996-09-16 2001-02-20 International Business Machines Corporation Low “K” factor hybrid photoresist
US6455228B1 (en) * 1999-08-25 2002-09-24 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Multilayered body for photolithographic patterning
KR100895364B1 (ko) 2002-01-23 2009-04-29 제이에스알 가부시끼가이샤 포지티브형 감광성 절연 수지 조성물 및 그의 경화물
EP1612604A3 (de) 2004-07-02 2006-04-05 Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. Zusammensetzungen und Verfahren für die Immersionslithographie
JP4789599B2 (ja) 2004-12-06 2011-10-12 ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー. フォトレジスト組成物
EP1691238A3 (de) 2005-02-05 2009-01-21 Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. Beschichtungszusammensetzungen zur Verwendung mit einem beschichteten Fotolack
EP1762895B1 (de) 2005-08-29 2016-02-24 Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. Antireflex-Zusammensetzungen für Hartmasken
EP1829942B1 (de) 2006-02-28 2012-09-26 Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. Beschichtungszusammensetzungen zur Verwendung mit einem beschichteten Fotolack
TWI485064B (zh) 2006-03-10 2015-05-21 羅門哈斯電子材料有限公司 用於光微影之組成物及製程
EP1918778B1 (de) 2006-10-30 2016-08-03 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Zusammensetzungen und Verfahren für Immersionslithografie
TWI374478B (en) 2007-02-13 2012-10-11 Rohm & Haas Elect Mat Electronic device manufacture
CN101308329B (zh) 2007-04-06 2013-09-04 罗门哈斯电子材料有限公司 涂料组合物
TWI554841B (zh) 2007-11-05 2016-10-21 羅門哈斯電子材料有限公司 浸潤式微影組成物及製程
EP2071400A1 (de) 2007-11-12 2009-06-17 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Beschichtungszusammensetzungen zur Verwendung mit einem beschichteten Fotolack
EP3051348A1 (de) 2008-11-19 2016-08-03 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Zusammensetzungen mit heterosubstituierter carbocyclischer arylkomponente und fotolithografie verfahren
EP2189845B1 (de) 2008-11-19 2017-08-02 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Zusammensetzungen und Prozesse für Fotolithographie
EP2189846B1 (de) 2008-11-19 2015-04-22 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Verfahren für die Fotolithographie unter Verwendung einer Fotolackzusammensetzung beinhaltend ein Blockcopolymer
EP2784584A1 (de) 2008-11-19 2014-10-01 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Zusammensetzungen, die Sulfonamid-Material umfassen, und Verfahren für die Fotolithografie
EP2204694A1 (de) 2008-12-31 2010-07-07 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Zusammensetzungen und Verfahren für Fotolithografie
EP2204392A1 (de) 2008-12-31 2010-07-07 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Zusammensetzungen und Verfahren für Fotolithografie
US8501383B2 (en) 2009-05-20 2013-08-06 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Coating compositions for use with an overcoated photoresist
US9244352B2 (en) 2009-05-20 2016-01-26 Rohm And Haas Electronic Materials, Llc Coating compositions for use with an overcoated photoresist
JP5814516B2 (ja) 2009-06-08 2015-11-17 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC フォトリソグラフィー方法
JP5687442B2 (ja) 2009-06-22 2015-03-18 ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー. 光酸発生剤およびこれを含むフォトレジスト
EP2287667B1 (de) 2009-06-26 2013-03-27 Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. Mehrfachstrukturierungsverfahren mit selbstausgerichteten Flankenstructuren
EP2287669A1 (de) 2009-06-26 2011-02-23 Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. Verfahren zur Herstellung von elektronischen Geräten
TWI442453B (zh) 2009-11-19 2014-06-21 羅門哈斯電子材料有限公司 形成電子裝置之方法
TWI477495B (zh) 2009-12-10 2015-03-21 羅門哈斯電子材料有限公司 光酸產生劑及含該光酸產生劑之光阻
CN104761608A (zh) 2009-12-10 2015-07-08 罗门哈斯电子材料有限公司 胆酸酯光酸发生剂和包含该发生剂的光致抗蚀剂
JP5830240B2 (ja) 2009-12-14 2015-12-09 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC スルホニル光酸発生剤およびこれを含むフォトレジスト
CN102207678B (zh) 2010-01-25 2015-05-20 罗门哈斯电子材料有限公司 包含含氮化合物的光致抗蚀剂
JP5782283B2 (ja) 2010-03-31 2015-09-24 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC 新規のポリマーおよびフォトレジスト組成物
JP5969171B2 (ja) 2010-03-31 2016-08-17 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC 光酸発生剤およびこれを含むフォトレジスト
JP5756672B2 (ja) 2010-04-27 2015-07-29 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC 光酸発生剤およびこれを含むフォトレジスト
EP2428842A1 (de) 2010-09-14 2012-03-14 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Fotolacke mit Multi-Amid-Komponente
JP5961363B2 (ja) 2010-11-15 2016-08-02 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC ラクトン光酸発生剤、これを含む樹脂およびフォトレジスト
JP2012113302A (ja) 2010-11-15 2012-06-14 Rohm & Haas Electronic Materials Llc 塩基反応性成分を含む組成物およびフォトリソグラフィーのための方法
TWI541226B (zh) 2010-11-15 2016-07-11 羅門哈斯電子材料有限公司 鹼反應性光酸產生劑及包含該光酸產生劑之光阻劑
JP6144005B2 (ja) 2010-11-15 2017-06-07 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC 糖成分を含む組成物およびフォトリソグラフィ方法
EP2472320A2 (de) 2010-12-30 2012-07-04 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Zusammensetzungen mit basisch-reaktiven Komponenten und Verfahren für Fotolithografie
EP2472329B1 (de) 2010-12-31 2013-06-05 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Beschichtungszusammensetzungen zur Verwendung mit einem beschichteten Fotolack
EP2472328B1 (de) 2010-12-31 2013-06-19 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Beschichtungszusammensetzungen zur Verwendung mit einem beschichteten Fotolack
US9122159B2 (en) 2011-04-14 2015-09-01 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Compositions and processes for photolithography
EP2753662B1 (de) 2011-09-07 2020-06-24 MicroChem Corp. Epoxidformulierungen und verfahren zur herstellung von reliefmustern auf substraten mit niedriger oberflächenenergie
US9011591B2 (en) 2011-09-21 2015-04-21 Dow Global Technologies Llc Compositions and antireflective coatings for photolithography
US11635688B2 (en) 2012-03-08 2023-04-25 Kayaku Advanced Materials, Inc. Photoimageable compositions and processes for fabrication of relief patterns on low surface energy substrates
TWI527792B (zh) 2012-06-26 2016-04-01 羅門哈斯電子材料有限公司 光酸產生劑、含該光酸產生劑之光阻劑及含該光阻劑之經塗覆物件
JP5913241B2 (ja) 2012-09-15 2016-04-27 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC 複数の酸発生剤化合物を含むフォトレジスト
US10527934B2 (en) 2012-10-31 2020-01-07 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Photoresists comprising ionic compound
US9541834B2 (en) 2012-11-30 2017-01-10 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Ionic thermal acid generators for low temperature applications
US9410016B2 (en) 2013-07-16 2016-08-09 Dow Global Technologies Llc Aromatic polyacetals and articles comprising them
US8962779B2 (en) 2013-07-16 2015-02-24 Dow Global Technologies Llc Method of forming polyaryl polymers
US9063420B2 (en) 2013-07-16 2015-06-23 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Photoresist composition, coated substrate, and method of forming electronic device
US8933239B1 (en) 2013-07-16 2015-01-13 Dow Global Technologies Llc Bis(aryl)acetal compounds
US9067909B2 (en) 2013-08-28 2015-06-30 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Photoacid generator, photoresist, coated substrate, and method of forming an electronic device
US9046767B2 (en) 2013-10-25 2015-06-02 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Photoacid generator, photoresist, coated substrate, and method of forming an electronic device
US9182669B2 (en) 2013-12-19 2015-11-10 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Copolymer with acid-labile group, photoresist composition, coated substrate, and method of forming an electronic device
US9581901B2 (en) 2013-12-19 2017-02-28 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Photoacid-generating copolymer and associated photoresist composition, coated substrate, and method of forming an electronic device
US9229319B2 (en) 2013-12-19 2016-01-05 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Photoacid-generating copolymer and associated photoresist composition, coated substrate, and method of forming an electronic device
US9383644B2 (en) 2014-09-18 2016-07-05 Heraeus Precious Metals North America Daychem LLC Sulfonic acid derivative compounds as photoacid generators in resist applications
EP2998297A1 (de) 2014-09-18 2016-03-23 Heraeus Materials Korea Corporation Photosäureerzeugende Verbindungen, besagte Verbindungen enthaltende Zusammensetzungen, Verbundmaterial und Verfahren zur Herstellung des Verbundmaterials sowie Verwendungen besagter Verbindungen
US9477150B2 (en) 2015-03-13 2016-10-25 Heraeus Precious Metals North America Daychem LLC Sulfonic acid derivative compounds as photoacid generators in resist applications
WO2017034814A1 (en) 2015-08-21 2017-03-02 Heraeus Precious Metals North America Daychem LLC Sulfonic acid derivative compounds as photoacid generators in resist applications
TWI646397B (zh) 2015-10-31 2019-01-01 南韓商羅門哈斯電子材料韓國公司 與外塗佈光致抗蝕劑一起使用的塗料組合物
EP3182203A1 (de) 2015-12-18 2017-06-21 Heraeus Precious Metals North America Daychem LLC Kombination aus nit-derivaten mit sensibilisatoren
US11448964B2 (en) 2016-05-23 2022-09-20 Rohm And Haas Electronic Materials Korea Ltd. Coating compositions for use with an overcoated photoresist
US11500291B2 (en) 2017-10-31 2022-11-15 Rohm And Haas Electronic Materials Korea Ltd. Underlying coating compositions for use with photoresists
KR20230039770A (ko) 2018-03-16 2023-03-21 헤레우스 에퓨리오 엘엘씨 레지스트 응용에서 광산 발생제로서의 시클릭 술포네이트 화합물
WO2022272226A1 (en) 2021-06-23 2022-12-29 Heraeus Epurio Llc Oxathianium ion-containing sulfonic acid derivative compound as photoacid generators in resist applications

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE867119C (de) * 1943-02-25 1953-02-16 Basf Ag Verfahren zur Herstellung haertbarer Lackharze
US3126281A (en) * 1959-02-04 1964-03-24 Formula
CA774047A (en) * 1963-12-09 1967-12-19 Shipley Company Light-sensitive material and process for the development thereof
DE1447592A1 (de) * 1964-12-24 1969-02-13 Agfa Gevaert Ag Lichtvernetzbare Schichten
DE1522527A1 (de) * 1966-03-24 1969-09-11 Standard Elek K Lorenz Ag Verfahren zur Herstellung von Photokopierlacken
GB1375461A (de) * 1972-05-05 1974-11-27
JPS52153672A (en) * 1976-06-16 1977-12-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd Electron beam resist and its usage
US4102686A (en) * 1977-02-25 1978-07-25 Polychrome Corporation Lithographic photosensitive compositions comprising acrylonitrile-butadiene-styrene terpolymer and novolak resin
JPS5498244A (en) * 1978-01-20 1979-08-03 Toray Industries Method of forming positive photo resist image
GB2023861A (en) * 1978-06-14 1980-01-03 Polychrome Corp Dry processable printing plate having both photopolymer and diazo layering
DE2855723C2 (de) * 1978-12-22 1985-11-28 Ibm Deutschland Gmbh, 7000 Stuttgart Verfahren zum Herstellen eines Negativmusters einer Vorlage aus einem Positivlack
JPS5590943A (en) * 1978-12-28 1980-07-10 Fuji Photo Film Co Ltd Photosensitive material and image forming method applicable thereto
US4246374A (en) * 1979-04-23 1981-01-20 Rohm And Haas Company Imidized acrylic polymers
JPS569740A (en) * 1979-07-05 1981-01-31 Fuji Photo Film Co Ltd Image forming method
JPS5635130A (en) * 1979-08-31 1981-04-07 Fujitsu Ltd Resist material and method for forming resist pattern
JPS56132337A (en) * 1980-03-21 1981-10-16 Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai Pattern forming method
JPS5738431A (en) * 1980-08-12 1982-03-03 Polychrome Corp Image system for selective positive or negative
DE3144480A1 (de) * 1981-11-09 1983-05-19 Hoechst Ag, 6230 Frankfurt Lichtempfindliches gemisch und daraus hergestelltes lichtempfindliches kopiermaterial
DE3144499A1 (de) * 1981-11-09 1983-05-19 Hoechst Ag, 6230 Frankfurt Lichtempfindliches gemisch und daraus hergestelltes lichtempfindliches kopiermaterial
US4439517A (en) * 1982-01-21 1984-03-27 Ciba-Geigy Corporation Process for the formation of images with epoxide resin
GB8315926D0 (en) * 1982-09-18 1983-07-13 Ciba Geigy Ag Photopolymerisable compositions
JPS5979249A (ja) * 1982-10-29 1984-05-08 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd パタ−ン形成方法
JPS5968737A (ja) * 1982-10-13 1984-04-18 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ポジ型及びネガ型パタ−ンの同時形成方法
DE3325023A1 (de) * 1983-07-11 1985-01-24 Hoechst Ag, 6230 Frankfurt Verfahren zur herstellung negativer kopien mittels eines materials auf basis von 1,2-chinondiaziden
US4567132A (en) * 1984-03-16 1986-01-28 International Business Machines Corporation Multi-level resist image reversal lithography process

Also Published As

Publication number Publication date
EP0164248B1 (de) 1991-10-09
EP0164248A3 (en) 1987-06-03
IE851350L (en) 1985-12-01
MY103545A (en) 1993-07-31
IL75373A0 (en) 1985-09-29
SG108091G (en) 1992-04-16
HK17492A (en) 1992-03-13
KR920005773B1 (ko) 1992-07-18
NO173574C (no) 1993-12-29
NO852154L (no) 1985-12-02
FI852190L (fi) 1985-12-02
FI84942C (fi) 1992-02-10
AU595160B2 (en) 1990-03-29
DK241885A (da) 1985-12-02
CA1283799C (en) 1991-05-07
DK241885D0 (da) 1985-05-30
AU4325185A (en) 1985-12-05
KR860000330A (ko) 1986-01-28
MX170270B (es) 1993-08-11
NO173574B (no) 1993-09-20
IE57143B1 (en) 1992-05-06
FI852190A0 (fi) 1985-05-31
ZA854172B (en) 1986-07-30
FI84942B (fi) 1991-10-31
JPS60263143A (ja) 1985-12-26
EP0164248A2 (de) 1985-12-11
BR8502638A (pt) 1986-02-12
DE3584316D1 (de) 1991-11-14
IL75373A (en) 1990-06-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
ATE68272T1 (de) Lichtempfindliche beschichtungszusammensetzung, aus diesem hergestellte thermisch stabile beschichtungen und verfahren zur herstellung von thermisch stabilen polymerbildern.
ES520593A0 (es) Procedimiento de fabricacion de un revestimiento transparente o barniz sobre superficies solidas.
DE60335120D1 (de) Zusammensetzung fur antireflexbeschichtungen und verfahren zur bildung einer struktur
EP0365027A3 (de) Verfahren zur Herstellung von Materialien mit einem strukturierten Überzug
DE3670860D1 (de) Fluor enthaltende beschichtungszusammensetzung auf der basis von epoxydharzen und fluorkohlenstoffharzen sowie verfahren zu ihrer herstellung.
DE59305554D1 (de) Verfahren zur Herstellung von Beschichtungen
ATE124425T1 (de) Vernetzbare oberflächenüberzugsmittel und verfahren zu ihrer herstellung.
AT367053B (de) Verfahren zur herstellung von neuen gegen cyanwasserstoff-abspaltung stabilisierten azulminsaeuren
JPS5579435A (en) Photographic material
JPS56132345A (en) Developer composition for lithographic plate
DE69102114D1 (de) Verfahren zur Herstellung von Adipinsäure durch Hydrocarboxylierung der Pentensäuren.
TW364074B (en) Production of photolithographic structure
DE1920932A1 (de) Kopierlack fuer die Halbleitermaskierung
DE3686360D1 (de) Verfahren zur herstellung einer strahlungsempfindlichen schicht auf einem schichttraeger.
DK149592C (da) Analogifremgangsmaade til fremstilling af racemiske eller optisk aktive1,1-disubstituerede octahydro-indolo(2,3-a)quinoliziner eller farmaceutisk acceptable syreadditionssalte deraf
AT340955B (de) Selbstklebende ubertragbare bild- bzw. farbschicht sowie verfahren zu deren herstellung
DE3580974D1 (de) Vormaterial aus mit kunststoff beschichteten fasern und verfahren zur herstellung eines solchen vormaterials.
FI933503A0 (fi) Bindemedel foer lagringsbar beskiktningsmassa
ATE93882T1 (de) Klebharzteilchen und verfahren zu ihrer herstellung.
ATE3211T1 (de) Verfahren zur herstellung von resolharzen und deren verwendung zur herstellung von lackfilmen.
ATE283T1 (de) Verfahren zur herstellung von korrosionsfesten beschichtungen.
ATE40828T1 (de) Verfahren zur herstellung von ueberzuegen auf substraten aus vernetzbaren harzen.
ATE18912T1 (de) Verfahren zur herstellung von wasserloeslichen, mit saeuren haertbaren harzen fuer beschichtungen.
JPS55152013A (en) Preparation of polyurethane moldings
ATE10740T1 (de) Verfahren zur herstellung von durch methyloder trifluormethylgruppen substituierten chlorpyridinen.

Legal Events

Date Code Title Description
UEP Publication of translation of european patent specification
RZN Patent revoked