JPH07109510B2 - ポジ型フォトレジスト組成物 - Google Patents
ポジ型フォトレジスト組成物Info
- Publication number
- JPH07109510B2 JPH07109510B2 JP60069720A JP6972085A JPH07109510B2 JP H07109510 B2 JPH07109510 B2 JP H07109510B2 JP 60069720 A JP60069720 A JP 60069720A JP 6972085 A JP6972085 A JP 6972085A JP H07109510 B2 JPH07109510 B2 JP H07109510B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoresist composition
- positive photoresist
- coating film
- positive
- forming material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
- G03F7/0226—Quinonediazides characterised by the non-macromolecular additives
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は輻射線に感応するポジ型感光性フオトレジスト
組成物に関するものである。
組成物に関するものである。
〔従来の技術〕 微細パターン形成は、例えば、ポジ型フオトジスト組成
物をウエハー上にスピンコート法、デイツプコート法、
スプレーコート法等の塗布方法により塗布し、溶剤を揮
散させて、ウエハー上に感光層を形成し、マスクパター
ンを介して、輻射線を照射し、現像液で照射部を選択的
に除去することにより行なわれている。
物をウエハー上にスピンコート法、デイツプコート法、
スプレーコート法等の塗布方法により塗布し、溶剤を揮
散させて、ウエハー上に感光層を形成し、マスクパター
ンを介して、輻射線を照射し、現像液で照射部を選択的
に除去することにより行なわれている。
ポジ型フオトレジスト組成物は、オルトベンゾキノンジ
アジド、パラベンゾキノンジアジド、オルトナフトキノ
ンジアジド基等を有するキノンジアジド系ポジ型感光性
化合物、フエノール誘導体とアルデヒド誘導体とを縮合
して得られるノボラツク樹脂であるアルカリ可溶性塗膜
形成材料、あるいはポリビニルアルコール、スチレンと
アクリル酸との共重合体、メタクリル酸とメタクリルア
ルキルエステルとの共重合体等のアルカリ可溶性塗膜形
成材料及びエチレングリコールモノエチルエーテルアセ
テート等の溶剤より成る。
アジド、パラベンゾキノンジアジド、オルトナフトキノ
ンジアジド基等を有するキノンジアジド系ポジ型感光性
化合物、フエノール誘導体とアルデヒド誘導体とを縮合
して得られるノボラツク樹脂であるアルカリ可溶性塗膜
形成材料、あるいはポリビニルアルコール、スチレンと
アクリル酸との共重合体、メタクリル酸とメタクリルア
ルキルエステルとの共重合体等のアルカリ可溶性塗膜形
成材料及びエチレングリコールモノエチルエーテルアセ
テート等の溶剤より成る。
しかしながら、このような従来のポジ型フオトレジスト
組成物は感光性化合物の溶剤への分散性が充分でなく、
均一な組成物とならず、従つて塗膜を形成し、露光、現
像した場合、パターンの微細部分の形成ができない欠陥
があった。
組成物は感光性化合物の溶剤への分散性が充分でなく、
均一な組成物とならず、従つて塗膜を形成し、露光、現
像した場合、パターンの微細部分の形成ができない欠陥
があった。
本発明は、感光性化合物の溶剤への溶解性の不充分な点
に基ずく、フオトレジストの塗布性不良による微細パタ
ーンの形成不能を解決することを目的とする。
に基ずく、フオトレジストの塗布性不良による微細パタ
ーンの形成不能を解決することを目的とする。
本発明者らは、従来のポジ型フオトレジスト組成物の上
記のような欠点を解決し、極めて塗布性良好で微細パタ
ーン形成可能な組成物を提供することを目的として、鋭
意研究を重ねた結果特定の感光性化合物をジメチルアセ
トアミドに溶解して用いれば塗布性良好なポジ型フオト
レジスト組成物が得られることを見出し、本目的を達成
した。
記のような欠点を解決し、極めて塗布性良好で微細パタ
ーン形成可能な組成物を提供することを目的として、鋭
意研究を重ねた結果特定の感光性化合物をジメチルアセ
トアミドに溶解して用いれば塗布性良好なポジ型フオト
レジスト組成物が得られることを見出し、本目的を達成
した。
本発明に用いるポジ型感光性化合物は、キノンジアジド
基を有するポジ型感光性化合物であればよいが、例え
ば、下記一般式（Ｉ） 〔式中、R1〜R9は水素原子、−OHまたは−OQを示す。Ｑ
は、 を示す。）を示し、R1〜R9の少なくとも２つは−OQ基を
示す。）で表わされるナフトキノンジアジド系化合物が
挙げられる。
基を有するポジ型感光性化合物であればよいが、例え
ば、下記一般式（Ｉ） 〔式中、R1〜R9は水素原子、−OHまたは−OQを示す。Ｑ
は、 を示す。）を示し、R1〜R9の少なくとも２つは−OQ基を
示す。）で表わされるナフトキノンジアジド系化合物が
挙げられる。
前記ナフトキノンジアジド系化合物は一般式 〔II〕 〔式中、R1′〜R9′は、水素原子又は−OH基を示す（但
し、−OH基の個数は２〜７個である。）。〕で表わされ
るフラボン系またはイソフラボン系化合物に、一般式
〔III〕 Ｑ−Cl ……〔III〕 〔式中、Ｑは、 を示す。〕で表わされるキノンジアジド系スルホニルク
ロライドを常法に従い反応させることにより得ることが
出来る。一般式〔II〕の具体例としては以下に示す一般
式〔IV〕のフラボン系化合物と一般式〔Ｖ〕のイソフラ
ボン系化合物があげられる。
し、−OH基の個数は２〜７個である。）。〕で表わされ
るフラボン系またはイソフラボン系化合物に、一般式
〔III〕 Ｑ−Cl ……〔III〕 〔式中、Ｑは、 を示す。〕で表わされるキノンジアジド系スルホニルク
ロライドを常法に従い反応させることにより得ることが
出来る。一般式〔II〕の具体例としては以下に示す一般
式〔IV〕のフラボン系化合物と一般式〔Ｖ〕のイソフラ
ボン系化合物があげられる。
他のナフトキノンジアジド系化合物としては、例えば2,
3,4−トリヒドロキシベンゾフエノンまたは2,3,4,4′−
テトラヒドロキシベンゾフエノンと前記一般式〔III〕
で表わされるキノンジアジド系スルホニルクロライドを
反応させたもの等が挙げられる。
3,4−トリヒドロキシベンゾフエノンまたは2,3,4,4′−
テトラヒドロキシベンゾフエノンと前記一般式〔III〕
で表わされるキノンジアジド系スルホニルクロライドを
反応させたもの等が挙げられる。
塗膜形成材料（但し、酸硬化型樹脂を除く）としては、
通常アルカリ性の有機溶剤に可溶な耐酸性樹脂が用いら
れ、具体的には、フエノールまたはクレゾール（ホル
ム）アルデヒド樹脂系であり、これらはアルデヒド、特
にホルムアルデヒドをフエノールと酸またはアルカリ性
溶液中で反応させることにより得られる。
通常アルカリ性の有機溶剤に可溶な耐酸性樹脂が用いら
れ、具体的には、フエノールまたはクレゾール（ホル
ム）アルデヒド樹脂系であり、これらはアルデヒド、特
にホルムアルデヒドをフエノールと酸またはアルカリ性
溶液中で反応させることにより得られる。
フエノールまたはフエノール系化合物の例としてはクレ
ゾール、キシレン、エチルフエノール、ブチルフエノー
ル、イソプロピルメトキシフエノール、クロルフエノー
ル、レゾルシノール、ハイドロキノン、ナフトールおよ
び2,2−ビス（ｐ−ヒドロキシフエニル）プロパン等が
挙げられ、またアルデヒドの例としてはホルムアルデヒ
ド、アセトアルデヒド、アクロレイン、クロトンアルデ
ヒドおよびフルフラール等が挙げられ、また、アルデヒ
ドを用いる代りにアルデヒドを遊離する化合物を用いて
も良く、この例としては、1,3,5−トリオキサン等が挙
げられる。
ゾール、キシレン、エチルフエノール、ブチルフエノー
ル、イソプロピルメトキシフエノール、クロルフエノー
ル、レゾルシノール、ハイドロキノン、ナフトールおよ
び2,2−ビス（ｐ−ヒドロキシフエニル）プロパン等が
挙げられ、またアルデヒドの例としてはホルムアルデヒ
ド、アセトアルデヒド、アクロレイン、クロトンアルデ
ヒドおよびフルフラール等が挙げられ、また、アルデヒ
ドを用いる代りにアルデヒドを遊離する化合物を用いて
も良く、この例としては、1,3,5−トリオキサン等が挙
げられる。
有用な塗膜形成用の樹脂の例としてはフエノール−ホル
ムアルデヒド−ノボラツク樹脂、クレゾール−ホルムア
ルデヒド−ノボラツク樹脂、ｐ−第３ブチルフエノール
−ホルムアルデヒド−ノボラツク樹脂およびフエノール
−変性キシレン−ホルムアルデヒド樹脂等が挙げられ
る。
ムアルデヒド−ノボラツク樹脂、クレゾール−ホルムア
ルデヒド−ノボラツク樹脂、ｐ−第３ブチルフエノール
−ホルムアルデヒド−ノボラツク樹脂およびフエノール
−変性キシレン−ホルムアルデヒド樹脂等が挙げられ
る。
その他に、酢酸ビニル、ビニルピロリドン、セルロース
アセテート、ウレタン、エポキシ、アクリレート樹脂、
スチレンと不飽和カルボン酸との共重合体等も場合によ
り使用できる。
アセテート、ウレタン、エポキシ、アクリレート樹脂、
スチレンと不飽和カルボン酸との共重合体等も場合によ
り使用できる。
中でもノボラツク樹脂が好適に用いられ。
これらの樹脂は通常、平均分子量が3,000〜20,000、好
ましくは4000〜12,000として用いられる。
ましくは4000〜12,000として用いられる。
上記ポジ型感光性化合物と塗膜形成材料（但し、酸硬化
型樹脂を除く）との使用割合は、通常重量比で1:2〜0.
5:10の範囲であり、本発明で用いるジメチルアセトアミ
ドの使用量は、ウエハーに適用して均一な薄膜の形成が
可能であれば、特に制限はないが、通常、固形分、すな
わち、ポジ型感光性化合物及び塗膜形成材料（但し、酸
硬化型樹脂を除く）が５〜50重量％の範囲となる濃度の
組成物を与えるような量が用いられる。
型樹脂を除く）との使用割合は、通常重量比で1:2〜0.
5:10の範囲であり、本発明で用いるジメチルアセトアミ
ドの使用量は、ウエハーに適用して均一な薄膜の形成が
可能であれば、特に制限はないが、通常、固形分、すな
わち、ポジ型感光性化合物及び塗膜形成材料（但し、酸
硬化型樹脂を除く）が５〜50重量％の範囲となる濃度の
組成物を与えるような量が用いられる。
〔実施例〕 次に本発明を実施例によつて、更に具体的に説明する
が、本発明は、実施例によつて何ら制約を受けるもので
はない。
が、本発明は、実施例によつて何ら制約を受けるもので
はない。
実施例１ ジメチルセトアミド6.0gにケルセチン１モルとナフトキ
ノン−（1,2）−ジアジド−（２）−５−スルホニルク
ロリド５モルとの反応物0.34g及びフエノールノボラツ
ク樹脂2.0gとを４時間25℃で攪拌した所完溶した。これ
を0.22μｍのメンブランフイルターで過し、ポジ型フ
オトレジスト組成物を調製した。このものをスピンコー
ト法にてシリコンウエハー上に4000rpmの回転速度で塗
布したところ、塗布性良好であり均一な塗膜が得られ
た。
ノン−（1,2）−ジアジド−（２）−５−スルホニルク
ロリド５モルとの反応物0.34g及びフエノールノボラツ
ク樹脂2.0gとを４時間25℃で攪拌した所完溶した。これ
を0.22μｍのメンブランフイルターで過し、ポジ型フ
オトレジスト組成物を調製した。このものをスピンコー
ト法にてシリコンウエハー上に4000rpmの回転速度で塗
布したところ、塗布性良好であり均一な塗膜が得られ
た。
次いで、これを90℃で30分間乾燥したところ、厚さ1.0
μの均一な塗膜が得られた。
μの均一な塗膜が得られた。
実施例２ ジメチルアセトアミド6.0gにケルセチン１モルをナフト
キノン−（1,2）−ジアジド−（２）−５−スルホニル
クロリド４モルとの反応物0.45g及びフエノールノボラ
ツク樹脂2.0gを使用した他は、実施例１と同様に処理し
たところ厚さ、1.02μの均一な塗膜が得られた。
キノン−（1,2）−ジアジド−（２）−５−スルホニル
クロリド４モルとの反応物0.45g及びフエノールノボラ
ツク樹脂2.0gを使用した他は、実施例１と同様に処理し
たところ厚さ、1.02μの均一な塗膜が得られた。
実施例３ ジメチルアセトアミド9.0gに、2,3,4−トリヒドロキシ
ベンゾフエノン１モルとナフトキノン−（1,2）−ジア
ジド−（２）−５−スルホニルクロリド３モルの反応物
0.5g及びフエノールノボラツク樹脂3.0gを使用し、他は
実施例１と同様に処理したところ、厚さ1.0μの均一な
塗膜が得られた。
ベンゾフエノン１モルとナフトキノン−（1,2）−ジア
ジド−（２）−５−スルホニルクロリド３モルの反応物
0.5g及びフエノールノボラツク樹脂3.0gを使用し、他は
実施例１と同様に処理したところ、厚さ1.0μの均一な
塗膜が得られた。
実施例４ ジメチルアセトアミド9.3gに2,3,4−トリヒドロキシベ
ンゾフエノン１モルとナフトキノン−（1,2）−ジアジ
ド−（２）−５−スルホニルクロリド２モルの反応物0.
6g及びフエノールノボラツク樹脂3.0gを使用し、他は実
施例１と同様に処理したところ厚さ0.98μの均一な塗膜
が得られた。
ンゾフエノン１モルとナフトキノン−（1,2）−ジアジ
ド−（２）−５−スルホニルクロリド２モルの反応物0.
6g及びフエノールノボラツク樹脂3.0gを使用し、他は実
施例１と同様に処理したところ厚さ0.98μの均一な塗膜
が得られた。
実施例５ ジメチルアセトアミド9.3gに、2,3,4,4′−テトラヒド
ロキシベンゾフエノン１モルとナフトキノン−（1,2）
−ジアジド−（２）−５−スルホニルクロリド３モルの
反応物0.77g及びフエノールノボラツク樹脂3.0gを使用
し、他は実施例１と同様に処理したところ、厚さ1.0μ
の均一な塗膜が得られた。
ロキシベンゾフエノン１モルとナフトキノン−（1,2）
−ジアジド−（２）−５−スルホニルクロリド３モルの
反応物0.77g及びフエノールノボラツク樹脂3.0gを使用
し、他は実施例１と同様に処理したところ、厚さ1.0μ
の均一な塗膜が得られた。
本発明の組成物は感光性化合物が溶剤中に大変均一に分
散されており、塗膜が大変均一に形成される。すなわ
ち、微細パターンまで鮮明に現像することができる。
散されており、塗膜が大変均一に形成される。すなわ
ち、微細パターンまで鮮明に現像することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 三ツ橋 和夫 横浜市縁区鴨志田町1000番地 三菱化成工 業株式会社総合研究所内 (56)参考文献 特開 昭60−263143（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−105143（ＪＰ，Ａ)
Claims (3)
- 【請求項１】キノンジアジド基を有するポジ型感光性化
合物及び塗膜形成材料（但し、酸硬化型樹脂を除く）を
ジメチルアセトアミドに溶解して成るポジ型フオトレジ
スト組成物。 - 【請求項２】ジメチルアセトアミドに溶解したポジ型感
光性化合物及び塗膜形成材料の合計濃度が５〜50重量％
である特許請求の範囲第１項記載の組成物。 - 【請求項３】塗膜形成材料がノボラツク樹脂である特許
請求の範囲第１項記載の組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60069720A JPH07109510B2 (ja) | 1985-04-02 | 1985-04-02 | ポジ型フォトレジスト組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60069720A JPH07109510B2 (ja) | 1985-04-02 | 1985-04-02 | ポジ型フォトレジスト組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61228440A JPS61228440A (ja) | 1986-10-11 |
| JPH07109510B2 true JPH07109510B2 (ja) | 1995-11-22 |
Family
ID=13410951
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60069720A Expired - Fee Related JPH07109510B2 (ja) | 1985-04-02 | 1985-04-02 | ポジ型フォトレジスト組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07109510B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01293340A (ja) * | 1988-05-20 | 1989-11-27 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | 感放射線性樹脂組成物 |
| JPH0992648A (ja) * | 1995-09-27 | 1997-04-04 | Sony Corp | 塗布膜の形成方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58105143A (ja) * | 1981-12-17 | 1983-06-22 | Kanto Kagaku Kk | ポジ型フオトレジスト組成物 |
| DE3323343A1 (de) * | 1983-06-29 | 1985-01-10 | Hoechst Ag, 6230 Frankfurt | Lichtempfindliches gemisch und daraus hergestelltes kopiermaterial |
| JPS6050531A (ja) * | 1983-08-30 | 1985-03-20 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | ポジ型フオトレジスト組成物 |
| ATE68272T1 (de) * | 1984-06-01 | 1991-10-15 | Rohm & Haas | Lichtempfindliche beschichtungszusammensetzung, aus diesem hergestellte thermisch stabile beschichtungen und verfahren zur herstellung von thermisch stabilen polymerbildern. |
-
1985
- 1985-04-02 JP JP60069720A patent/JPH07109510B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61228440A (ja) | 1986-10-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101069784B1 (ko) | 후막 형성용 포토레지스트 조성물 | |
| JPH025060A (ja) | レジストパターンを得る方法 | |
| EP0496640B2 (en) | I-ray sensitive positive resist composition | |
| CN1171848A (zh) | 低金属离子含量的对－甲酚低聚物和光敏的组合物 | |
| TWI271420B (en) | Novolak resin mixtures and photosensitive compositions comprising the same | |
| JP2569669B2 (ja) | 感放射線性樹脂組成物 | |
| EP4066059A1 (en) | Chemically amplified photoresist | |
| JPH10120968A (ja) | レジスト保護膜用樹脂組成物、レジスト保護膜及びこれを用いたパターン製造法 | |
| JP2000056451A (ja) | ポジ型レジスト組成物 | |
| EP1877865B1 (en) | Nanocomposite photoresist composition for imaging thick films | |
| JPH01289947A (ja) | ポジ型レジスト組成物 | |
| JP2536600B2 (ja) | ノボラック樹脂中の低核体の除去方法 | |
| JPH07109510B2 (ja) | ポジ型フォトレジスト組成物 | |
| JP2555589B2 (ja) | 集積回路作製用ポジ型感放射線性樹脂組成物 | |
| JP2719640B2 (ja) | ポジ型感放射線樹脂組成物 | |
| JP2555620B2 (ja) | 感放射線性樹脂組成物 | |
| JPH0778157B2 (ja) | ポジ型感放射線性樹脂組成物の製造方法 | |
| JPH0768435B2 (ja) | 感放射線性樹脂組成物 | |
| JP2006209099A (ja) | フォトレジスト溶液の調製方法 | |
| JPH05204158A (ja) | 感放射線性樹脂組成物 | |
| JP3360368B2 (ja) | 感放射線性樹脂組成物 | |
| JP3360363B2 (ja) | レジスト被膜の形成法 | |
| JP3127612B2 (ja) | ドライ現像用感放射線性樹脂組成物 | |
| JP3133881B2 (ja) | 感電離放射線性樹脂組成物 | |
| JP3180339B2 (ja) | 感放射線性樹脂組成物 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |