JP3360363B2 - レジスト被膜の形成法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はレジスト被膜の形成法に
関し、さらに詳しくは紫外線、遠紫外線、Ｘ線、電子
線、分子線、γ線、シンクロトロン放射線、プロトンビ
ームなどの放射線に感応する高集積度の集積回路作製の
ためのレジスト被膜の形成法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、集積回路を作製するために使用さ
れるレジストは、環化ゴムにビスアジド化合物を配合し
たネガ型レジストと、アルカリ可溶性樹脂に１，２−キ
ノンジアジド化合物を配合したポジ型レジストに大別さ
れる。ポジ型レジストは、アルカリ可溶性樹脂にアルカ
リ不溶性の１，２−キノンジアジド化合物を配合するた
め、アルカリ性水溶液からなる現像液に溶解しにくく、
ネガ型レジストと異なり、形成されるレジストパターン
が現像時にほとんど膨潤しないため、マスクに忠実な、
かつ高い解像度のレジストパターンが得られる。そこ
で、集積回路の高集積度化が要求される近年は、解像度
の優れたポジ型レジストが多用されている。また、近年
の集積回路の高集積度化に伴い、集積回路製造時の歩留
まりや効率を向上させるため、基板（シリコンウェハ
ー）の口径が、例えば４インチから６インチ、８インチ
と大きくなってきており、従来からポジ型レジストの溶
剤としてエチルセロソルブアセテートを用いるポジ型レ
ジスト組成物では大口径化された基板に対するスピンコ
ート法による塗布性が必ずしも充分なものとは言えなか
った。

【０００３】

【発明が解決すべき課題】本発明の目的は、感度、解像
度などに優れた、特に大口径化された基板へのスピンコ
ート法による塗布性に優れた感放射線性組成物を用いた
レジスト被膜の形成法を提供することにある。本発明の
目的および利点は、以下の説明から明らかとなろう。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、本発明
の上記目的は、アルカリ可溶性樹脂、感放射線化合物お
よび溶剤を含有する、固形分濃度が２０〜４０重量％の
感放射線組成物（但し、パターニング後の加熱処理によ
り耐熱性および耐薬品性を付与させる熱硬化剤を含有し
ない）を、８インチのシリコンウエハーまたはアルミニ
ウムもしくは窒化ケイ素で被覆されたウエハー上にスピ
ンコートし、その際上記溶剤として乳酸エチルおよび乳
酸メチルよりなる群から選ばれる少なくとも１種の乳酸
アルキルエステルと酢酸ブチルおよび酢酸エチルよりな
る群から選ばれる少なくとも１種の酢酸エステル（以下
「エステル溶剤」という）との混合溶媒を使用して、最
も厚い膜厚と最も薄い膜厚との差が３１．１Å以下であ
るレジスト被膜を上記ウエハー上に形成する、ことを特
徴とするレジスト被膜の形成法によって達成される。

【０００５】本発明に用いられる乳酸アルキルエステル
は乳酸エチル、乳酸メチルまたはこれらの組合せであ
る。また、本発明に用いられるエステル溶剤は、酢酸ブ
チル、酢酸エチルまたはこれらの組合せである。本発明
に用いられる混合溶媒としては、例えば乳酸エチルと酢
酸エチルの組合せ、乳酸エチルと酢酸ブチルの組合せお
よび乳酸メチルと酢酸ブチルの組合せを挙げることがで
きる。

【０００６】これらの乳酸アルキルエステルとエステル
溶剤の混合割合は、前記溶剤の合計溶剤量１００重量部
中の乳酸アルキルエステルの割合が、３０〜９５重量部
であることが好ましい。

【０００７】また、本発明の効果を損なわない限り他の
溶剤を混合してもよく、例えばメチルセロソルブアセテ
ート、エチルセロソルブアセテート、３−メトキシプロ
ピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、プ
ロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレング
リコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモ
ノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモ
ノエチルエーテルアセテートなどを前記混合溶剤１００
重量部に対して、６０重量部以下混合しても差し支えな
い。

【０００８】これらの乳酸アルキルエステルとエステル
溶剤との混合溶剤の使用量は、組成物中の固形分の割合
が２０〜４０重量％になる範囲で選ばれる。

【０００９】本発明において用いられるアルカリ可溶性
樹脂としては、例えばアルカリ可溶性ノボラック樹脂
（以下、単に「ノボラック樹脂」という）、ポリヒドロ
キシスチレンまたはその誘導体、ポリビニルヒドロキシ
ベンゾエート、カルボキシル基含有メタクリル酸系樹脂
などを挙げることができ、特にノボラック樹脂が好適に
使用される。なお、これらのアルカリ可溶性樹脂は単独
でまたは２種以上混合して使用することができる。

【００１０】前記ノボラック樹脂は、フェノール類とア
ルデヒド類とを酸触媒存在下で重縮合して得られる。こ
の際使用されるフェノール類としては、例えばフェノー
ル、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾー
ル、ｏ−エチルフェノール、ｍ−エチルフェノール、ｐ
−エチルフェノール、ｏ−ブチルフェノール、ｍ−ブチ
ルフェノール、ｐ−ブチルフェノール、２，３−キシレ
ノール、２，４−キシレノール、２，５−キシレノー
ル、３，４−キシレノール、３，５−キシレノール、
２，３，５−トリメチルフェノール、３，４，５−トリ
メチルフェノール、ｐ−フェニルフェノール、ヒドロキ
ノン、カテコール、レゾルシノール、２−メチルレゾル
シノール、ピロガロール、α−ナフトール、β−ナフト
ール、ビスフェノールＡ、ジヒドロキシ安息香酸エステ
ル、没食子酸エステル、ｏ−ニトロフェノール、ｍ−ニ
トロフェノール、ｐ−ニトロフェノール、ｏ−クロロフ
ェノール、ｍ−クロロフェノール、ｐ−クロロフェノー
ルなどを挙げることができ、これらの化合物のうち、ｏ
−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、２，
３−キシレノール、２，５−キシレノール、３，４−キ
シレノール、３，５−キシレノール、２，３，５−トリ
メチルフェノール、レゾルシノール、２−メチルレゾル
シノールなどが好ましい。これらのフェノール類は、単
独でまたは２種以上組み合わせて使用することができ
る。

【００１１】また、上記フェノール類と重縮合させるア
ルデヒド類としては、例えばホルムアルデヒド、トリオ
キサン、パラホルムアルデヒド、ベンズアルデヒド、ア
セトアルデヒド、プロピルアルデヒド、フェニルアセト
アルデヒド、α−フェニルプロピルアルデヒド、β−フ
ェニルプロピルアルデヒド、ｏ−ヒドロキシベンズアル
デヒド、ｍ−ヒドロキシベンズアルデヒド、ｐ−ヒドロ
キシベンズアルデヒド、ｏ−クロロベンズアルデヒド、
ｍ−クロロベンズアルデヒド、ｐ−クロロベンズアルデ
ヒド、ｏ−ニトロベンズアルデヒド、ｍ−ニトロベンズ
アルデヒド、ｐ−ニトロベンズアルデヒド、ｏ−メチル
ベンズアルデヒド、ｍ−メチルベンズアルデヒド、ｐ−
メチルベンズアルデヒド、ｐ−エチルベンズアルデヒ
ド、ｐ−ｎ−ブチルベンズアルデヒド、フルフラール、
１−ナフトアルデヒド、２−ナフトアルデヒド、２−ヒ
ドロキシ−１−ナフトアルデヒドなどを挙げることがで
きる。特にホルムアルデヒドを好適に用いることができ
る。これらのアルデヒド類は、単独でまたは２種以上組
み合わせて使用することができる。

【００１２】アルデヒド類はフェノール類に対して、通
常、０．７〜３モル、好ましくは０．７〜２モルの割合
で使用される。

【００１３】酸触媒としては、塩酸、硝酸、硫酸、蟻
酸、酢酸、シュウ酸などを使用することができ、その使
用量は、フェノール類１モル当たり１×１０^-4〜５×１
０^-1モルが好ましい。

【００１４】重縮合は、通常、反応媒質として水を用い
るが、重縮合において使用するフェノール類がアルデヒ
ド類の水溶液に溶解せず、反応初期から不均一系になる
場合には、反応媒質として親水性溶媒を使用することも
できる。この際使用される溶媒としては、例えばメタノ
ール、エタノール、ブタノールなどのアルコール類、テ
トラヒドロフラン、ジオキサンなどの環状エーテル類な
どを挙げることができる。これらの反応媒質の使用量は
反応原料１００重量部当たり、２０〜１００重量部が好
ましい。

【００１５】重縮合の反応温度は、反応原料の反応性に
応じて適宜調節することができるが、通常、１０から２
００℃である。縮合反応終了後、系内に存在する未反応
原料、酸触媒および反応媒質を除去するため、一般的に
は温度を１３０〜２３０℃に上昇させ、減圧下に揮発分
を留去し、ノボラック樹脂を回収する。

【００１６】また、ノボラック樹脂のポリスチレン換算
重量平均分子量（以下、「Ｍｗ」と称する）は、通常、
２，０００〜２０，０００の範囲であり、３，０００〜
１５，０００の範囲であることが好ましい。Ｍｗが２
０，０００を超えると、組成物をウェハーに均一に塗布
することが困難であり、さらに現像性および感度が低下
する。またＭｗが２，０００未満であると、レジストと
しての耐熱性が低下する。

【００１７】本発明に用いられる感放射線化合物は特に
限定されないが、高感度で高解像度の組成物を得るため
に、キノンジアジド化合物が好ましく、例えば１，２−
キノンジアジドスルホン酸エステル化合物が好ましい。
このような１，２−キノンジアジドスルホン酸エステル
化合物としては１，２−ベンゾキノンジアジド−４−ス
ルホニル基、１，２−ナフトキノンジアジド−４−スル
ホニル基、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホ
ニル基、１，２−ナフトキノンジアジド−６−スルホニ
ル基などの１，２−キノンジアジドスルホニル基を有す
る化合物を挙げることができ、特に１，２−ナフトキノ
ンジアジド−４−スルホニル基および１，２−ナフトキ
ノンジアジド−５−スルホニル基を有する化合物が好ま
しい。

【００１８】具体的には、２，３，４−トリヒドロキシ
ベンゾフェノン、２，４，６−トリヒドロキシベンゾフ
ェノン、２，３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフ
ェノン、２，２’，３，４−テトラヒドロキシベンゾフ
ェノン、３’−メトキシ−２，３，４，４’−テトラヒ
ドロキシベンゾフェノン、２，２’，４，４’−テトラ
ヒドロキシベンゾフェノン、２，２’，３，４，４’−
ペンタヒドロキシベンゾフェノン、２，２’，３，４，
６’−ペンタヒドロキシベンゾフェノン、２，３，
３’，４，４’，５’−ヘキサヒドロキシベンゾフェノ
ン、２，３’，４，４’，５’，６−ヘキサヒドロキシ
ベンゾフェノンなどの（ポリ）ヒドロキシフェニルアリ
ールケトンの１，２−ベンゾキノンジアジド−４−スル
ホン酸エステル、１，２−ナフトキノンジアジド−４−
スルホン酸エステル、１，２−ナフトキノンジアジド−
５−スルホン酸エステルまたは１，２−ナフトキノンジ
アジド−６−スルホン酸エステル；ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）メタン、ビス（２，４−ジヒドロキシフェ
ニル）メタン、ビス（２，３，４−トリヒドロキシフェ
ニル）メタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）プロパン、２，２−ビス（２，４−ジヒドロキシフ
ェニル）プロパン、２，２−ビス（２，３，４−トリヒ
ドロキシフェニル）プロパンなどのビス［（ポリ）ヒド
ロキシフェニル］アルカンの１，２−ベンゾキノンジア
ジド−４−スルホン酸エステル、１，２−ナフトキノン
ジアジド−４−スルホン酸エステル、１，２−ナフトキ
ノンジアジド−５−スルホン酸エステルまたは１，２−
ナフトキノンジアジド−６−スルホン酸エステル；４，
４’−ジヒドロキシトリフェニルメタン、４，４’，
４”−トリヒドロキシトリフェニルメタン、２，２’，
５，５’−テトラメチル−２”，４，４’−トリヒドロ
キシトリフェニルメタン、３，３’，５，５’−テトラ
メチル−２”，４，４’−トリヒドロキシトリフェニル
メタン、４，４’，５，５’−テトラメチル−２，
２’，２”−トリヒドロキシトリフェニルメタン、２，
２’，５，５’−テトラメチル−４，４’，４”−トリ
ヒドロキシトリフェニルメタン、１，１，１−トリス
（４−ヒドロキシフェニル）エタン、１，１−ビス（４
−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタン、１，１
−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−（４’−［１
−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル］フ
ェニル）エタンなどの（ポリ）ヒドロキシフェニルアル
カンの１，２−ベンゾキノンジアジド−４−スルホン酸
エステル、１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホ
ン酸エステル、１，２−ナフトキノンジアジド−５−ス
ルホン酸エステルまたは１，２−ナフトキノンジアジド
−６−スルホン酸エステル；２，４，４−トリメチル−
２’，４’，７−トリヒドロキシ−２−フェニルフラバ
ン、２，４，４−トリメチル−２’，４’，５’，６，
７−ペンタヒドロキシ−２−フェニルフラバンなどのポ
リヒドロキシフェニルフラバンの１，２−ベンゾキノン
ジアジド−４−スルホン酸エステル、１，２−ナフトキ
ノンジアジド−４−スルホン酸エステル、１，２−ナフ
トキノンジアジド−５−スルホン酸エステルまたは１，
２−ナフトキノンジアジド−６−スルホン酸エステルを
例示することができる。これらの感放射線化合物は、単
独でまたは２種以上混合して使用することができる。

【００１９】感放射線化合物の配合量は、前記アルカリ
可溶性樹脂１００重量部に対して、５〜１００重量部が
好ましく、特に好ましくは１０〜５０重量部あるが、一
般には組成物中の１，２−キノンジアジドスルホニル基
の総量が５〜２５重量％、好ましくは１０〜２０重量％
となるように調節される。感放射線化合物の配合量が少
なすぎると、ポジ型レジストとして使用する際に放射線
照射部と放射線未照射部とのアルカリ性水溶液からなる
現像液に対する溶解性の差をつけ難く、パターニングが
困難となり、また配合量が多すぎると、短時間の放射線
照射では配合した感放射線化合物の全てを分解し難く、
アルカリ性水溶液からなる現像液による現像が困難とな
ることがある。

【００２０】本発明の組成物においては、増感剤、界面
活性剤などの各種配合剤を配合することができる。

【００２１】増感剤は、組成物の感度を向上させるため
に配合されるものであり、このような増感剤としては、
例えば２Ｈ−ピリド−（３，２−ｂ）−１，４−オキサ
ジン３（４Ｈ）−オン類、１０Ｈ−ピリド−（３，２−
ｂ）−１，４−ベンゾチアジン類、ウラゾール類、ヒダ
ントイン類、パルビツール酸類、グリシン無水物類、１
−ヒドロキシベンゾトリアゾール類、アロキサン類、マ
レイミド類などが挙げられる。これらの増感剤の配合量
は、感放射線化合物１００重量部に対し、通常、５０重
量部以下である。

【００２２】また界面活性剤は、組成物の塗布性や現像
性を改良するために配合されるものであり、このような
界面活性剤としては、例えばポリオキシエチレンラウリ
ルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポ
リオキシエチレンオクチルフェニルエーテル、ポリオキ
シエチレンノニルフェニルエーテル、ポリエチレングリ
コールジラウレート、ポリエチレングリコールジステア
レート、エフトップＥＦ３０１，ＥＦ３０３，ＥＦ３５
２（商品名、新秋田化成社製）、メガファックス Ｆ１
７１，Ｆ１７２，Ｆ１７３（商品名、大日本インキ化学
工業社製）、フロラード ＦＣ４３０，ＦＣ４３１（商
品名、住友スリーエム社製）、アサヒガード ＡＧ７１
０，サーフロン Ｓ−３８２，ＳＣ−１０１，ＳＣ−１
０２，ＳＣ−１０３，ＳＣ−１０４，ＳＣ−１０５，Ｓ
Ｃ−１０６（商品名、旭硝子社製）、ＫＰ３４１（商品
名、信越化学工業社製）、ポリフロー No. ７５、No.
９５（商品名、共栄社、油脂化学工業社製）などが挙げ
られる。これらの界面活性剤の配合量は、アルカリ可溶
性樹脂１００重量部当たり、通常、２重量部以下であ
る。

【００２３】さらに本発明の組成物には、放射線照射部
の潜像を可視化させ、放射線照射時のハレーションの影
響を少なくするために、染料や顔料を配合することがで
き、また接着性を改善するために、接着助剤を配合する
こともできる。さらに必要に応じて保存安定剤、消泡剤
なども配合することができる。

【００２４】本発明の組成物は、アルカリ可溶性樹脂、
感放射線化合物および乳酸アルキルエステルとエステル
溶剤からなる混合溶剤、必要に応じて前述した各種の配
合剤を、例えば固形分濃度が２０〜４０重量％となるよ
うに溶剤に溶解させ、孔径０．２μｍ程度のフィルター
で濾過することによって調製される。

【００２５】本発明の組成物は、これを回転塗布（スピ
ンコート）によって、８インチのシリコンウェハーまた
はアルミニウムもしくは窒化ケイ素が被覆されたウェハ
ーに塗布することにより感放射線性層を形成し、所定の
パターンを形成するための放射線、好ましくは紫外線、
遠紫外線または電子線を照射し、現像液で現像すること
によりパターンの形成が行なわれる。また、本発明の組
成物をポジ型レジストとして使用する際には、ウェハー
などの上に該組成物を塗布し、プレベークおよび放射線
照射を行なった後、７０〜１４０℃で加熱する操作を行
ない、その後に現像することによって本発明の効果をさ
らに向上させることもできる。本発明方法により、８イ
ンチのシリコンウエハー等の上に、最も厚い膜厚と最も
薄い膜厚との差が３１．１Å以下のレジスト被膜が形成
される。

【００２６】本発明の組成物の現像液としては、例えば
水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、
硅酸ナトリウム、メタ硅酸ナトリウム、アンモニア水、
エチルアミン、ｎ−プロピルアミン、ジエチルアミン、
ジ−ｎ−プロピルアミン、トリエチルアミン、メチルジ
エチルアミン、ジメチルエタノールアミン、トリエタノ
ールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、
テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、コリン、ピロ
ール、ピペリジン、１，８−ジアザビシクロ−（５，
４，０）−７−ウンデセン、１，５−ジアザビシクロ−
（４，３，０）−５−ノネンなどのアルカリ性化合物
を、濃度が例えば０．１〜１０重量％となるように溶解
してなるアルカリ性水溶液が使用される。また該現像液
には、水溶性有機溶媒、例えばメタノール、エタノール
などのアルコール類や界面活性剤を適量添加して使用す
ることもできる。なお、このようなアルカリ性水溶液か
らなる現像液を用いて現像を行なった場合は、一般には
引き続き水でリンスを行なう。

【００２７】

【実施例】以下、実施例により本発明を詳細に説明する
が、本発明はこれらの実施例によって、何ら制約される
ものではない。なお、実施例中のＭｗの測定は、以下の
方法により行なった。 Ｍｗ：東ソー社製、ＧＰＣカラム（Ｇ２０００Ｈ６ ２
本、Ｇ３０００Ｈ６ １本、Ｇ４０００Ｈ６ １本）を
用い、流量１．５ｍｌ／分、溶出溶媒テトラヒドロフラ
ン、カラム温度４０℃の分析条件で、単分散ポリスチレ
ンを標準とするゲルパーミエーションクロマトグラフ法
により測定した。

【００２８】合成例１ 撹拌機、冷却管および温度計を装着したフラスコに、ｍ
−クレゾール５４．０７ｇ（０．５０モル）、ｐ−クレ
ゾール５４．０７ｇ（０．５０モル）、３７重量％ホル
ムアルデヒド水溶液７１．００ｇ（ホルムアルデヒド；
０．８８モル）およびシュウ酸２水和物６．３０ｇ
（０．０５モル）を仕込み、フラスコを油浴に浸し、内
温を１００℃に保持して撹拌しながら１２０分間重縮合
を行なった。次いで、油浴温度を１８０℃まで上昇さ
せ、同時にフラスコ内の圧力を３０〜５０mmHgまで減圧
し、揮発分を除去した。次いで、溶融した樹脂を室温に
戻して回収した。この樹脂のＭｗは、８，８００であっ
た。この樹脂を樹脂Ａとする。

【００２９】合成例２ 遮光下で、撹拌機、滴下ロートおよび温度計を備えたフ
ラスコに、２，３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾ
フェノン２４．６ｇ（０．１０モル）、１，２−ナフト
キノンジアジド−５−スルホン酸クロリド８０．７ｇ
（０．３０モル）およびジオキサン２５０ｇを仕込み、
撹拌しながら溶解させた。次いで、フラスコを３０℃に
コントロールされた水浴中に浸し、内温が３０℃一定と
なった時点で、この溶液にトリエチルアミン３３．４ｇ
（０．３３モル）を内温が３５℃を超えないように滴下
ロートを用いてゆっくり滴下した。その後、析出したト
リエチルアミン塩酸塩を濾過により取り除き、濾液を大
量の希塩酸中に注ぎ込んで析出させ、次いで析出物を濾
取し、４０℃にコントロールされた加熱真空乾燥器で一
昼夜乾燥して感放射線化合物を得た。この感放射線化合
物を感光性化合物Ｂとする。

【００３０】実施例１〜９、比較例１〜３ 合成例１で合成された樹脂Ａ１００重量部、合成例２で
合成された感光性化合物Ｂ２６．５重量部、表１に示さ
れた割合の混合溶剤３８０重量部を混合、溶解し均一溶
液とした後、孔径０．２μｍのメンブランフィルターで
濾過し、組成物を調製した。得られた溶液を８インチの
シリコンウェハー上にスピンナーを用いて２，０００ｒ
ｐｍで回転塗布した後、ホットプレート上で９０℃にて
２分間プレベークして、レジスト被膜を形成した。ウェ
ハー上に形成されたレジスト被膜の膜厚をラムダエース
ＶＬＭ６０００−ＬＳ（大日本スクリーン製造社製）を
用いて測定を行い、レジスト被膜中の最も厚い膜厚の値
と最も薄い膜厚の値の差を求めた。これらの結果を表１
に示した。

【００３１】

【表１】

【００３２】

【発明の効果】本発明の感放射線性組成物は、大口径化
された基板へのスピンコート法による塗布性に優れ、８
インチの基板上に厚みムラの少ないレジスト被膜を形成
することができる。従って、半導体集積回路の製造に好
適に使用できる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 辻 昭 東京都中央区築地２丁目11番24号 日本 合成ゴム株式会社内 (56)参考文献 特開 昭62−123444（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−178228（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−220139（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−34918（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−317901（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−98502（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−273750（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G03F 7/00 - 7/42

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 アルカリ可溶性樹脂、感放射線化合物お
   よび溶剤を含有する、固形分濃度が２０〜４０重量％の
   感放射線組成物（但し、パターニング後の加熱処理によ
   り耐熱性および耐薬品性を付与させる熱硬化剤を含有し
   ない）を、８インチのシリコンウエハーまたはアルミニ
   ウムもしくは窒化ケイ素で被覆されたウエハー上にスピ
   ンコートし、その際上記溶剤として乳酸エチルおよび乳
   酸メチルよりなる群から選ばれる少なくとも１種の乳酸
   アルキルエステルと酢酸ブチルおよび酢酸エチルよりな
   る群から選ばれる少なくとも１種の酢酸エステルとの混
   合溶媒を使用して、最も厚い膜厚と最も薄い膜厚との差
   が３１．１Å以下であるレジスト被膜を上記ウエハー上
   に形成する、ことを特徴とするレジスト被膜の形成法。