JPH07140646A - 感放射線性樹脂組成物 - Google Patents
感放射線性樹脂組成物Info
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- JPH07140646A JPH07140646A JP15068893A JP15068893A JPH07140646A JP H07140646 A JPH07140646 A JP H07140646A JP 15068893 A JP15068893 A JP 15068893A JP 15068893 A JP15068893 A JP 15068893A JP H07140646 A JPH07140646 A JP H07140646A
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- propylene glycol
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- acid ester
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 感度、解像度などに優れた、特に大口径化さ
れた基板へのスピンコート法による塗布性の優れたポジ
型レジストとして好適な感放射性樹脂組成物を提供する
こと。 【構成】 アルカリ可溶性樹脂、感放射線化合物および
乳酸アルキルエステルとプロピレングリコールアルキル
エーテルおよび／またはプロピレングリコールアルキル
エーテルアセテートとの混合物である感放射線性樹脂組
成物。
れた基板へのスピンコート法による塗布性の優れたポジ
型レジストとして好適な感放射性樹脂組成物を提供する
こと。 【構成】 アルカリ可溶性樹脂、感放射線化合物および
乳酸アルキルエステルとプロピレングリコールアルキル
エーテルおよび／またはプロピレングリコールアルキル
エーテルアセテートとの混合物である感放射線性樹脂組
成物。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、感放射線性樹脂組成物
に関する。さらに詳しくは紫外線、遠紫外線、Ｘ線、電
子線、分子線、γ線、シンクロトロン放射線、プロトン
ビームなどの放射線に感応する集積回路作製のためのレ
ジストとして好適な感放射線性樹脂組成物に関する。
に関する。さらに詳しくは紫外線、遠紫外線、Ｘ線、電
子線、分子線、γ線、シンクロトロン放射線、プロトン
ビームなどの放射線に感応する集積回路作製のためのレ
ジストとして好適な感放射線性樹脂組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、集積回路を作製するために使用さ
れるレジストは、環化ゴムにビスアジド化合物を配合し
たネガ型レジストと、アルカリ可溶性樹脂に１,２−キ
ノンジアジド化合物を配合したポジ型レジストとに大別
される。ポジ型レジストは、アルカリ可溶性樹脂にアル
カリ不溶性の１,２−キノンジアジド化合物を配合する
ため、アルカリ性水溶液からなる現像液に溶解しにく
く、ネガレジストと異なり、現像時にほとんど膨潤もし
ないため、マスクに忠実な、かつ高い解像度のレジスト
パターンが得られる。そこで、集積回路の高集積度化が
要求される近年は、解像度の優れたポジ型レジストが多
用されている。
れるレジストは、環化ゴムにビスアジド化合物を配合し
たネガ型レジストと、アルカリ可溶性樹脂に１,２−キ
ノンジアジド化合物を配合したポジ型レジストとに大別
される。ポジ型レジストは、アルカリ可溶性樹脂にアル
カリ不溶性の１,２−キノンジアジド化合物を配合する
ため、アルカリ性水溶液からなる現像液に溶解しにく
く、ネガレジストと異なり、現像時にほとんど膨潤もし
ないため、マスクに忠実な、かつ高い解像度のレジスト
パターンが得られる。そこで、集積回路の高集積度化が
要求される近年は、解像度の優れたポジ型レジストが多
用されている。
【０００３】また、近年の集積回路の高集積度化に伴
い、集積回路製造時の分留まりや効率を向上させるた
め、基板（シリコンウェハー）の口径が例えば４インチ
から６インチ、８インチなどのように大きくなってきて
おり、従来からポジ型レジストの溶剤として用いられて
いたエチルセロソルブアセテートからなるポジ型レジス
ト組成物では、大口径化された基板に対するスピンコー
ト法による塗布性が必ずしも充分なものとは言えなかっ
た。
い、集積回路製造時の分留まりや効率を向上させるた
め、基板（シリコンウェハー）の口径が例えば４インチ
から６インチ、８インチなどのように大きくなってきて
おり、従来からポジ型レジストの溶剤として用いられて
いたエチルセロソルブアセテートからなるポジ型レジス
ト組成物では、大口径化された基板に対するスピンコー
ト法による塗布性が必ずしも充分なものとは言えなかっ
た。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、感
度、解像度などに優れた、特に大口径化された基板への
スピンコート法による塗布性の優れたポジ型レジストと
して好適な感放射性樹脂組成物を提供することにある。
度、解像度などに優れた、特に大口径化された基板への
スピンコート法による塗布性の優れたポジ型レジストと
して好適な感放射性樹脂組成物を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、本発明
の上記目的は、アルカリ可溶性樹脂、感放射線化合物お
よび溶剤を含有する感放射線性樹脂組成物において、前
記溶剤が乳酸アルキルエステルとプロピレングリコール
アルキルエーテアセテートおよび／またはプロピレング
リコールアルキルエーテルアセテートとの混合物である
ことを特徴とする感放射線性樹脂組成物によって達成さ
れる。
の上記目的は、アルカリ可溶性樹脂、感放射線化合物お
よび溶剤を含有する感放射線性樹脂組成物において、前
記溶剤が乳酸アルキルエステルとプロピレングリコール
アルキルエーテアセテートおよび／またはプロピレング
リコールアルキルエーテルアセテートとの混合物である
ことを特徴とする感放射線性樹脂組成物によって達成さ
れる。
【０００６】本発明に用いられる乳酸アルキルエステル
としては、例えば乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチル
などの乳酸の炭素数１から６の低級アルキルエステルを
好適に用いることができる。特に好ましくは乳酸エチル
を挙げることができる。
としては、例えば乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチル
などの乳酸の炭素数１から６の低級アルキルエステルを
好適に用いることができる。特に好ましくは乳酸エチル
を挙げることができる。
【０００７】本発明に用いられるプロピレングリコール
アルキルエーテルとしては、例えばプロピレングリコー
ルモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチ
ルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル
などのプロピレングリコールの炭素数１から６の低級ア
ルキルエーテルを好適に用いることができる。特に好ま
しくはプロピレングリコールモノメチルエーテルを挙げ
ることができる。
アルキルエーテルとしては、例えばプロピレングリコー
ルモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチ
ルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル
などのプロピレングリコールの炭素数１から６の低級ア
ルキルエーテルを好適に用いることができる。特に好ま
しくはプロピレングリコールモノメチルエーテルを挙げ
ることができる。
【０００８】本発明に用いられるプロピレングリコール
アルキルエーテルアセテートとしては、例えばプロピレ
ングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレ
ングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレ
ングリコールモノブチルエーテルアセテートなどのプロ
ピレングリコールの炭素数１から６の低級アルキルエー
テルのアセテートを好適に用いることができる。特に好
ましくはプロピレングリコールモノメチルエーテルアセ
テートを挙げることができる。乳酸アルキルエステルと
プロピレングリコールアルキルエーテルおよび／または
プロピレングリコールアルキルエーテルアセテートとの
混合物において、混合物１００重量部中に乳酸アルキル
エステルが３０〜９５重量部を占めるのが好ましい。
アルキルエーテルアセテートとしては、例えばプロピレ
ングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレ
ングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレ
ングリコールモノブチルエーテルアセテートなどのプロ
ピレングリコールの炭素数１から６の低級アルキルエー
テルのアセテートを好適に用いることができる。特に好
ましくはプロピレングリコールモノメチルエーテルアセ
テートを挙げることができる。乳酸アルキルエステルと
プロピレングリコールアルキルエーテルおよび／または
プロピレングリコールアルキルエーテルアセテートとの
混合物において、混合物１００重量部中に乳酸アルキル
エステルが３０〜９５重量部を占めるのが好ましい。
【０００９】また、本発明の効果をそこなわない限り、
本発明の組成物に他の溶剤、例えば３−メトキシメチル
プロピオネート、３−エトキシエチルプロピオネート、
エチルセロソルブアセテート、酢酸エチル、酢酸ブチル
などを、例えば前記溶剤の混合物１００重量部に対して
６０重量部以下の割合で混合してもよい。また、これら
の溶剤混合物の使用量は、成形するレジスト塗布膜の膜
厚に応じて適宜選ばれるが組成物中の固形分が２０〜５
０重量％となる範囲で選ぶのが好ましい。
本発明の組成物に他の溶剤、例えば３−メトキシメチル
プロピオネート、３−エトキシエチルプロピオネート、
エチルセロソルブアセテート、酢酸エチル、酢酸ブチル
などを、例えば前記溶剤の混合物１００重量部に対して
６０重量部以下の割合で混合してもよい。また、これら
の溶剤混合物の使用量は、成形するレジスト塗布膜の膜
厚に応じて適宜選ばれるが組成物中の固形分が２０〜５
０重量％となる範囲で選ぶのが好ましい。
【００１０】本発明で用いられるアルカリ可溶性樹脂と
しては、例えばアルカリ可溶性ノボラック樹脂（以下、
単に「ノボラック樹脂」という）、ポリヒドロキシスチ
レンまたはその誘導体、ポリビニルヒドロキシベンゾエ
ート、カルボキシル基含有メタアクリル系樹脂等がある
が、ノボラック樹脂が好ましい。なお、これらのアルカ
リ可溶性樹脂は、単独でまたは２種以上混合して使用す
ることができる。
しては、例えばアルカリ可溶性ノボラック樹脂（以下、
単に「ノボラック樹脂」という）、ポリヒドロキシスチ
レンまたはその誘導体、ポリビニルヒドロキシベンゾエ
ート、カルボキシル基含有メタアクリル系樹脂等がある
が、ノボラック樹脂が好ましい。なお、これらのアルカ
リ可溶性樹脂は、単独でまたは２種以上混合して使用す
ることができる。
【００１１】前記ノボラック樹脂は、フェノール類とア
ルデヒド類とを酸触媒存在下で重縮合して得られる。こ
の際使用されるフェノール類としては、例えばフェノー
ル、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾー
ル、ｏ−エチルフェノール、ｍ−エチルフェノール、ｐ
−エチルフェノール、ｏ−ブチルフェノール、ｍ−ブチ
ルフェノール、ｐ−ブチルフェノール、２,３−キシレ
ノール、２,４−キシレノール、２,５−キシレノール、
３,４−キシレノール、３,５−キシレノール、２,３,５
−トリメチルフェノール、ｐ−フェニルフェノール、ヒ
ドロキノン、カテコール、レゾルシノール、２−メチル
レゾルシノール、ピロガロール、α−ナフトール、β−
ナフトール、ビスフェノールＡ、ジヒドロキシ安息香酸
エステル、没食子酸エステル、ｏ−ニトロフェノール、
ｍ−ニトロフェノール、ｐ−ニトロフェノール、ｏ−ク
ロロフェノール、ｍ−クロロフェノール、ｐ−クロロフ
ェノールなどが挙げられる。これら化合物のうちフェノ
ール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾー
ル、２,３−キシレノール、３,４−キシレノール、２,
５−キシレノール、３,５−キシレノール、２,３,５−
トリメチルフェノール、レゾルシノール、２−メチルレ
ゾルシノールなどが好ましい。これらのフェノール類
は、単独でまたは２種以上混合して使用することができ
る。
ルデヒド類とを酸触媒存在下で重縮合して得られる。こ
の際使用されるフェノール類としては、例えばフェノー
ル、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾー
ル、ｏ−エチルフェノール、ｍ−エチルフェノール、ｐ
−エチルフェノール、ｏ−ブチルフェノール、ｍ−ブチ
ルフェノール、ｐ−ブチルフェノール、２,３−キシレ
ノール、２,４−キシレノール、２,５−キシレノール、
３,４−キシレノール、３,５−キシレノール、２,３,５
−トリメチルフェノール、ｐ−フェニルフェノール、ヒ
ドロキノン、カテコール、レゾルシノール、２−メチル
レゾルシノール、ピロガロール、α−ナフトール、β−
ナフトール、ビスフェノールＡ、ジヒドロキシ安息香酸
エステル、没食子酸エステル、ｏ−ニトロフェノール、
ｍ−ニトロフェノール、ｐ−ニトロフェノール、ｏ−ク
ロロフェノール、ｍ−クロロフェノール、ｐ−クロロフ
ェノールなどが挙げられる。これら化合物のうちフェノ
ール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾー
ル、２,３−キシレノール、３,４−キシレノール、２,
５−キシレノール、３,５−キシレノール、２,３,５−
トリメチルフェノール、レゾルシノール、２−メチルレ
ゾルシノールなどが好ましい。これらのフェノール類
は、単独でまたは２種以上混合して使用することができ
る。
【００１２】またアルデヒド類としては、例えばホルム
アルデヒド、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒ
ド、プロピルアルデヒド、ベンズアルデヒド、フェニル
アセトアルデヒド、α−フェニルプロピルアルデヒド、
β−フェニルプロピルアルデヒド、ｏ−ヒドロキシベン
ズアルデヒド、ｍ−ヒドロキシベンズアルデヒド、ｐ−
ヒドロキシベンズアルデヒド、ｏ−クロロベンズアルデ
ヒド、ｍ−クロロベンズアルデヒド、ｐ−クロロベンズ
アルデヒド、ｏ−ニトロベンズアルデヒド、ｍ−ニトロ
ベンスアルデヒド、ｐ−ニトロベンズアルデヒド、ｏ−
メチルベンズアルデヒド、ｐ−メチルベンズアルデヒ
ド、ｐ−エチルベンズアルデヒド、ｐ−ｎ−ブチルベン
ズアルデヒドなどが挙げられる。これらの化合物のう
ち、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒドなどが好まし
い。これらのアルデヒド類は、単独でまたは２種以上混
合して使用することができる。
アルデヒド、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒ
ド、プロピルアルデヒド、ベンズアルデヒド、フェニル
アセトアルデヒド、α−フェニルプロピルアルデヒド、
β−フェニルプロピルアルデヒド、ｏ−ヒドロキシベン
ズアルデヒド、ｍ−ヒドロキシベンズアルデヒド、ｐ−
ヒドロキシベンズアルデヒド、ｏ−クロロベンズアルデ
ヒド、ｍ−クロロベンズアルデヒド、ｐ−クロロベンズ
アルデヒド、ｏ−ニトロベンズアルデヒド、ｍ−ニトロ
ベンスアルデヒド、ｐ−ニトロベンズアルデヒド、ｏ−
メチルベンズアルデヒド、ｐ−メチルベンズアルデヒ
ド、ｐ−エチルベンズアルデヒド、ｐ−ｎ−ブチルベン
ズアルデヒドなどが挙げられる。これらの化合物のう
ち、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒドなどが好まし
い。これらのアルデヒド類は、単独でまたは２種以上混
合して使用することができる。
【００１３】アルデヒド類はフェノール類１モル当り通
常０.７〜３モル、好ましくは０.７〜２モルの割合で使
用される。
常０.７〜３モル、好ましくは０.７〜２モルの割合で使
用される。
【００１４】酸触媒としては、塩酸、硝酸、硫酸、ギ
酸、シュウ酸、酢酸などが使用され、使用量は、フェノ
ール類１モル当たり、１×１０-4〜５×１０-1モルが好
ましい。
酸、シュウ酸、酢酸などが使用され、使用量は、フェノ
ール類１モル当たり、１×１０-4〜５×１０-1モルが好
ましい。
【００１５】重縮合は、通常、反応媒質として水が用い
られるが、重縮合において使用するフェノール類がアル
デヒド類の水溶液に溶解せず、反応初期から不均一系に
なる場合には、反応媒質として親水性溶媒を使用するこ
ともできる。この際使用される溶媒としては、例えばメ
タノール、エタノール、ブタノール等のアルコール類、
テトラヒドロフラン、ジオキサンなどの環状エーテル類
が挙げられる。これらの反応媒質の使用量は、反応原料
１００重量部当たり、２０〜１,０００重量部である。
られるが、重縮合において使用するフェノール類がアル
デヒド類の水溶液に溶解せず、反応初期から不均一系に
なる場合には、反応媒質として親水性溶媒を使用するこ
ともできる。この際使用される溶媒としては、例えばメ
タノール、エタノール、ブタノール等のアルコール類、
テトラヒドロフラン、ジオキサンなどの環状エーテル類
が挙げられる。これらの反応媒質の使用量は、反応原料
１００重量部当たり、２０〜１,０００重量部である。
【００１６】重縮合の反応温度は、反応原料の反応性に
応じて、適宜調整することができるが、通常、１０〜２
００℃、好ましくは７０〜１５０℃である。重縮合反応
終了後、系内に存在する未反応原料、酸触媒および反応
媒質を除去するために、一般的には温度を、１３０〜２
３０℃に上昇させ、減圧下に揮発分を留去し、次いで溶
解したノボラック樹脂をスチール製ベルト等の上に流涎
してノボラック樹脂を回収する。
応じて、適宜調整することができるが、通常、１０〜２
００℃、好ましくは７０〜１５０℃である。重縮合反応
終了後、系内に存在する未反応原料、酸触媒および反応
媒質を除去するために、一般的には温度を、１３０〜２
３０℃に上昇させ、減圧下に揮発分を留去し、次いで溶
解したノボラック樹脂をスチール製ベルト等の上に流涎
してノボラック樹脂を回収する。
【００１７】本発明に用いられる感放射線化合物として
は、高感度で高解像度の組成物を得るためにキノンジア
ジドスルホン酸エステル化合物が好ましく、例えば１,
２−ベンゾキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、
１,２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステ
ル、１,２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エ
ステル、１,２−ナフトキノンジアジド−６−スルホン
酸エステルなどが挙げられる。
は、高感度で高解像度の組成物を得るためにキノンジア
ジドスルホン酸エステル化合物が好ましく、例えば１,
２−ベンゾキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、
１,２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステ
ル、１,２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エ
ステル、１,２−ナフトキノンジアジド−６−スルホン
酸エステルなどが挙げられる。
【００１８】具体的には２,３,４−トリヒドロキシベン
ゾフェノン、２,４,６−トリヒドロキシベンゾフェノ
ン、２,３,４,４'−テトラヒドロキシベンゾフェノン、
２,２',３,４−テトラヒドロキシベンゾフェノン、３'
−メトキシ−２,３,４,４'−テトラヒドロキシベンゾフ
ェノン、２,２',４,４'−テトラヒドロキシベンゾフェ
ノン、２,２',３,４,４'−ペンタヒドロキシベンゾフェ
ノン、２,２',３,４,６'−ペンタヒドロキシベンゾフェ
ノン、２,３,３',４,４',５'−ヘキサヒドロキシベンゾ
フェノン、２,３',４,４',５',６−ヘキサヒドロキシベ
ンゾフェノンなどの（ポリ）ヒドロキシフェニルアリー
ルケトンの１,２−ベンゾキノンジアジド−４−スルホ
ン酸エステル、１,２−ナフトキノンジアジド−４−ス
ルホン酸エステル、１,２−ナフトキノンジアジド−５
−スルホン酸エステル、または１,２−ナフトキノンジ
アジド−６−スルホン酸エステル；ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）メタン、ビス（２,４−ジヒドロキシフェ
ニル）メタン、ビス（２,３,４−トリヒドロキシフェニ
ル）メタン、２,２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）
プロパン、２,２−ビス（２,４−ジヒドロキシフェニ
ル）プロパン、２,２−ビス（２,３,４−トリヒドロキ
シフェニル）プロパンなどのビス［（ポリ）ヒドロキシ
フェニル］アルカンの１,２−ベンゾキノンジアジド−
４−スルホン酸エステル、１,２−ナフトキノンジアジ
ド−４−スルホン酸エステル、１,２−ナフトキノンジ
アジド−５−スルホン酸エステル、または１,２−ナフ
トキノンジアジド−６−スルホン酸エステル；
ゾフェノン、２,４,６−トリヒドロキシベンゾフェノ
ン、２,３,４,４'−テトラヒドロキシベンゾフェノン、
２,２',３,４−テトラヒドロキシベンゾフェノン、３'
−メトキシ−２,３,４,４'−テトラヒドロキシベンゾフ
ェノン、２,２',４,４'−テトラヒドロキシベンゾフェ
ノン、２,２',３,４,４'−ペンタヒドロキシベンゾフェ
ノン、２,２',３,４,６'−ペンタヒドロキシベンゾフェ
ノン、２,３,３',４,４',５'−ヘキサヒドロキシベンゾ
フェノン、２,３',４,４',５',６−ヘキサヒドロキシベ
ンゾフェノンなどの（ポリ）ヒドロキシフェニルアリー
ルケトンの１,２−ベンゾキノンジアジド−４−スルホ
ン酸エステル、１,２−ナフトキノンジアジド−４−ス
ルホン酸エステル、１,２−ナフトキノンジアジド−５
−スルホン酸エステル、または１,２−ナフトキノンジ
アジド−６−スルホン酸エステル；ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）メタン、ビス（２,４−ジヒドロキシフェ
ニル）メタン、ビス（２,３,４−トリヒドロキシフェニ
ル）メタン、２,２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）
プロパン、２,２−ビス（２,４−ジヒドロキシフェニ
ル）プロパン、２,２−ビス（２,３,４−トリヒドロキ
シフェニル）プロパンなどのビス［（ポリ）ヒドロキシ
フェニル］アルカンの１,２−ベンゾキノンジアジド−
４−スルホン酸エステル、１,２−ナフトキノンジアジ
ド−４−スルホン酸エステル、１,２−ナフトキノンジ
アジド−５−スルホン酸エステル、または１,２−ナフ
トキノンジアジド−６−スルホン酸エステル；
【００１９】４,４'−ジヒドロキシトリフェニルメタ
ン、４,４',４”−トリヒドロキシトリフェニルメタ
ン、２,２',５,５'−テトラメチル−２”,４,４'−トリ
ヒドロキシトリフェニルメタン、３,３',５,５'−テト
ラメチル−２”,４,４'−トリヒドロキシトリフェニル
メタン、４,４',５,５'−テトラメチル−２,２'２”,−
トリヒドロキシトリフェニルメタン、２,２',５,５'−
テトラメチル−４,４'４”,−トリヒドロキシトリフェ
ニルメタン、１,１,１−トリス（４−ヒドロキシフェニ
ル）エタン、１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）
−１−フェニルエタン、１,１−ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）−１−（４'−［１−（４−ヒドロキシフェ
ニル）−１−メチルエチル］フェニル）エタンなどの
（ポリ）ヒドロキシフェニルアルカンの１,２−ベンゾ
キノンジアジド−４−スルホン酸エステル、１,２−ナ
フトキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、１,２
−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル、ま
たは１,２−ナフトキノンジアジド−６−スルホン酸エ
ステル；
ン、４,４',４”−トリヒドロキシトリフェニルメタ
ン、２,２',５,５'−テトラメチル−２”,４,４'−トリ
ヒドロキシトリフェニルメタン、３,３',５,５'−テト
ラメチル−２”,４,４'−トリヒドロキシトリフェニル
メタン、４,４',５,５'−テトラメチル−２,２'２”,−
トリヒドロキシトリフェニルメタン、２,２',５,５'−
テトラメチル−４,４'４”,−トリヒドロキシトリフェ
ニルメタン、１,１,１−トリス（４−ヒドロキシフェニ
ル）エタン、１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）
−１−フェニルエタン、１,１−ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）−１−（４'−［１−（４−ヒドロキシフェ
ニル）−１−メチルエチル］フェニル）エタンなどの
（ポリ）ヒドロキシフェニルアルカンの１,２−ベンゾ
キノンジアジド−４−スルホン酸エステル、１,２−ナ
フトキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、１,２
−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル、ま
たは１,２−ナフトキノンジアジド−６−スルホン酸エ
ステル；
【００２０】２,４,４−トリメチル−２',４',７−トリ
ヒドロキシ−２−フェニルフラバン、２,４,４−トリメ
チル−２',４',５',６,７−ペンタヒドロキシ−２−フ
ェニルフラバンなどのポリヒドロキシフェニルフラバン
の１,２−ベンゾキノンジアジド−４−スルホン酸エス
テル、１,２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸
エステル、１,２−ナフトキノンジアジド−５−スルホ
ン酸エステル、または１,２−ナフトキノンジアジド−
６−スルホン酸エステルなどを例示することができる。
これらの感放射線化合物は、単独でまたは２種以上混
合して使用することができる。
ヒドロキシ−２−フェニルフラバン、２,４,４−トリメ
チル−２',４',５',６,７−ペンタヒドロキシ−２−フ
ェニルフラバンなどのポリヒドロキシフェニルフラバン
の１,２−ベンゾキノンジアジド−４−スルホン酸エス
テル、１,２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸
エステル、１,２−ナフトキノンジアジド−５−スルホ
ン酸エステル、または１,２−ナフトキノンジアジド−
６−スルホン酸エステルなどを例示することができる。
これらの感放射線化合物は、単独でまたは２種以上混
合して使用することができる。
【００２１】感放射線化合物の配合量は、前記アルカリ
可溶性樹脂１００重量部に対して、５〜１００重量部が
好ましく、特に好ましくは１０〜５０重量部である。感
放射線化合物の配合量が少なすぎると、ポジ型レジスト
として使用する際に放射線照射部と放射線未照射部との
アルカリ性水溶液からなる現像液に対する差をつけ難
く、パターニングが困難となり、また配合量が多すぎる
と、短時間の放射線照射では配合した感放射線化合物の
全てを分解し難く、アルカリ性水溶液からなる現像液に
よる現象が困難となることがある。
可溶性樹脂１００重量部に対して、５〜１００重量部が
好ましく、特に好ましくは１０〜５０重量部である。感
放射線化合物の配合量が少なすぎると、ポジ型レジスト
として使用する際に放射線照射部と放射線未照射部との
アルカリ性水溶液からなる現像液に対する差をつけ難
く、パターニングが困難となり、また配合量が多すぎる
と、短時間の放射線照射では配合した感放射線化合物の
全てを分解し難く、アルカリ性水溶液からなる現像液に
よる現象が困難となることがある。
【００２２】本発明の組成物には、放射線に対する感度
を向上させるために、増感剤を配合することもできる。
これらの増感剤としては、例えば２Ｈ−ピリド［３,２
−ｂ］−１,４−オキサジン−３［４Ｈ］オン類、１０
Ｈ−ピリド［３,２−ｂ］−［１,４］−ベンゾチアジン
類、ウラゾール類、ヒダントイン類、バルビツール酸
類、グリシン無水物類、１−ヒドロキシベンゾトリアゾ
ール類、アロキサン類、マレイミド類などが挙げれら
る。これらの増感剤の配合量は、感放射線化合物１００
重量部に対して、通常、１００重量部以下、好ましくは
６０重量部以下である。
を向上させるために、増感剤を配合することもできる。
これらの増感剤としては、例えば２Ｈ−ピリド［３,２
−ｂ］−１,４−オキサジン−３［４Ｈ］オン類、１０
Ｈ−ピリド［３,２−ｂ］−［１,４］−ベンゾチアジン
類、ウラゾール類、ヒダントイン類、バルビツール酸
類、グリシン無水物類、１−ヒドロキシベンゾトリアゾ
ール類、アロキサン類、マレイミド類などが挙げれら
る。これらの増感剤の配合量は、感放射線化合物１００
重量部に対して、通常、１００重量部以下、好ましくは
６０重量部以下である。
【００２３】また本発明の組成物には、塗布性や乾燥塗
膜形成後の放射線照射部の現像性を改良するために界面
活性剤を配合することもできる。この界面活性剤として
は、例えばポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリ
オキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレ
ンオレイルエーテル、ポリオキシエチレンオクチルフェ
ニルエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェニルエー
テル、ポリエチレングリコールジラウレート、ポリエチ
レングリコールジステアレート、エフトップＥＦ３０
１,ＥＦ３０３,ＥＦ３５２（新秋田化成社製）、メガフ
ァックＦ１７１,Ｆ１７２,Ｆ１７３（大日本インキ化学
工業社製）、フロラードＦＣ４３０,ＦＣ４３１（住友
スリーエム社製）、アサヒガードＡＧ７１０,サーフロ
ンＳ−３８２,ＳＣ−１０１,ＳＣ−１０２,ＳＣ−１０
３,ＳＣ−１０４,ＳＣ−１０５,ＳＣ−１０６（旭硝子
社製）、オルガノシロキサンポリマーＫＰ３４１（信越
化学工業社製）、アクリル酸系またはメタクリル酸系
（共）重合体ポリフローＮｏ.７５,Ｎｏ.９５（共栄社
油脂化学工業社製）などが挙げられる。これらの界面活
性剤の配合量は、アルカリ可溶性樹脂１００重量部に対
して、通常２重量部以下、好ましくは１重量部以下であ
る。
膜形成後の放射線照射部の現像性を改良するために界面
活性剤を配合することもできる。この界面活性剤として
は、例えばポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリ
オキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレ
ンオレイルエーテル、ポリオキシエチレンオクチルフェ
ニルエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェニルエー
テル、ポリエチレングリコールジラウレート、ポリエチ
レングリコールジステアレート、エフトップＥＦ３０
１,ＥＦ３０３,ＥＦ３５２（新秋田化成社製）、メガフ
ァックＦ１７１,Ｆ１７２,Ｆ１７３（大日本インキ化学
工業社製）、フロラードＦＣ４３０,ＦＣ４３１（住友
スリーエム社製）、アサヒガードＡＧ７１０,サーフロ
ンＳ−３８２,ＳＣ−１０１,ＳＣ−１０２,ＳＣ−１０
３,ＳＣ−１０４,ＳＣ−１０５,ＳＣ−１０６（旭硝子
社製）、オルガノシロキサンポリマーＫＰ３４１（信越
化学工業社製）、アクリル酸系またはメタクリル酸系
（共）重合体ポリフローＮｏ.７５,Ｎｏ.９５（共栄社
油脂化学工業社製）などが挙げられる。これらの界面活
性剤の配合量は、アルカリ可溶性樹脂１００重量部に対
して、通常２重量部以下、好ましくは１重量部以下であ
る。
【００２４】さらに本発明の組成物には、放射線照射部
の潜像を可視化させ、放射線照射時のハレーションの影
響を少なくするための染料や顔料および接着性を改良す
るための接着助剤を配合することもできる。さらにまた
本発明の組成物には、必要に応じて保存安定剤、消泡剤
等も配合することができる。
の潜像を可視化させ、放射線照射時のハレーションの影
響を少なくするための染料や顔料および接着性を改良す
るための接着助剤を配合することもできる。さらにまた
本発明の組成物には、必要に応じて保存安定剤、消泡剤
等も配合することができる。
【００２５】本発明の組成物は、乳酸アルキルエステル
とプロピレングリコールアルキルエーテルおよび／また
はプロピレングリコールアルキルエーテルアセテートと
の混合物からなる。溶剤、アルカリ可溶性樹脂、感放射
線化合物および各種配合剤を所定量溶解させ、例えば孔
径０.２μｍ程度のフィルターで濾過して得られる。こ
の組成物は、通常の浸漬塗布、スピンコート法などの方
法によって、シリコンウェハーまたはアルミニウムや窒
化ケイ素などが被覆されたウェハー上に塗布し、数分間
から３０分間、約８０〜１１０℃のホットプレート上ま
たはクリーンオーブン内で乾燥し、所望のパターンを形
成するための放射線、好ましくは紫外線、遠紫外線また
は電子線を照射し、現像液で現像する。
とプロピレングリコールアルキルエーテルおよび／また
はプロピレングリコールアルキルエーテルアセテートと
の混合物からなる。溶剤、アルカリ可溶性樹脂、感放射
線化合物および各種配合剤を所定量溶解させ、例えば孔
径０.２μｍ程度のフィルターで濾過して得られる。こ
の組成物は、通常の浸漬塗布、スピンコート法などの方
法によって、シリコンウェハーまたはアルミニウムや窒
化ケイ素などが被覆されたウェハー上に塗布し、数分間
から３０分間、約８０〜１１０℃のホットプレート上ま
たはクリーンオーブン内で乾燥し、所望のパターンを形
成するための放射線、好ましくは紫外線、遠紫外線また
は電子線を照射し、現像液で現像する。
【００２６】本発明の組成物によって形成されるレジス
ト膜に対する現像液としては、例えば水酸化ナトリウ
ム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、硅酸ナトリウ
ム、メタ硅酸ナトリウム、アンモニア水、エチルアミ
ン、ｎ−プロピルアミン、ジエチルアミン、ジ−ｎ−プ
ロピルアミン、トリエチルアミン、メチルジエチルアミ
ン、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミ
ン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエ
チルアンモニウムヒドロキシド、ピロール、ピペリジ
ン、１,８−ジアザビシクロ−［５.４.０］−７−ウン
デセン、１,５−ジアザビシクロ−［４.３.０］−５−
ノネンなどを０.０１から１０重量％溶解してなるアル
カリ性水溶液が使用される。また前記現像液には、水溶
性有機溶媒、例えばメタノール、エタノールなどのアル
コール類や界面活性剤を適量添加して使用することもで
きる。
ト膜に対する現像液としては、例えば水酸化ナトリウ
ム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、硅酸ナトリウ
ム、メタ硅酸ナトリウム、アンモニア水、エチルアミ
ン、ｎ−プロピルアミン、ジエチルアミン、ジ−ｎ−プ
ロピルアミン、トリエチルアミン、メチルジエチルアミ
ン、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミ
ン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエ
チルアンモニウムヒドロキシド、ピロール、ピペリジ
ン、１,８−ジアザビシクロ−［５.４.０］−７−ウン
デセン、１,５−ジアザビシクロ−［４.３.０］−５−
ノネンなどを０.０１から１０重量％溶解してなるアル
カリ性水溶液が使用される。また前記現像液には、水溶
性有機溶媒、例えばメタノール、エタノールなどのアル
コール類や界面活性剤を適量添加して使用することもで
きる。
【００２７】
【実施例】以下、本発明を実施例により詳しく説明する
が、本発明は、これらの実施例に何ら制約されるもので
はない。
が、本発明は、これらの実施例に何ら制約されるもので
はない。
【００２８】実施例１〜１４および比較例１〜４ ノボラック樹脂（ｍ−クレゾール５０重量％とｐ−クレ
ゾール５０重量％およびホルムアルデヒドの重縮合物で
ポリスチレン換算重量平均分子量は８,８００）１００
重量部および２,３,４,４'−テトラヒドロキシベンゾフ
ェノン１モルと１,２−キノンジアジド−５−スルホニ
ルクロライド３モルから得られるエステル化物２６.５
重量部を下記表１に示した溶剤３８０重量部に溶解した
後、孔径０.２μｍのメンブランフィルターで濾過し、
組成物の溶液を得た。この溶液を８インチのシリコンウ
エハー上にスピンナーで２,０００ｒｐｍで回転塗布し
た後、９０℃で２分間ホットプレート上でプレベークし
た。ウエハー上に形成されたレジスト膜の膜厚をラムダ
エースＶＬＭ６０００−ＬＳ（大日本スクリーン製造社
製）を用いて測定を行い、レジスト膜中の最も厚い膜厚
の値と最も薄い膜厚の値の差を求めた。これらの結果を
表１に示した。
ゾール５０重量％およびホルムアルデヒドの重縮合物で
ポリスチレン換算重量平均分子量は８,８００）１００
重量部および２,３,４,４'−テトラヒドロキシベンゾフ
ェノン１モルと１,２−キノンジアジド−５−スルホニ
ルクロライド３モルから得られるエステル化物２６.５
重量部を下記表１に示した溶剤３８０重量部に溶解した
後、孔径０.２μｍのメンブランフィルターで濾過し、
組成物の溶液を得た。この溶液を８インチのシリコンウ
エハー上にスピンナーで２,０００ｒｐｍで回転塗布し
た後、９０℃で２分間ホットプレート上でプレベークし
た。ウエハー上に形成されたレジスト膜の膜厚をラムダ
エースＶＬＭ６０００−ＬＳ（大日本スクリーン製造社
製）を用いて測定を行い、レジスト膜中の最も厚い膜厚
の値と最も薄い膜厚の値の差を求めた。これらの結果を
表１に示した。
【００２９】
【表１】
【００３０】
【発明の効果】本発明の感放射線性樹脂組成物によれ
ば、 大口径化された基板に対する塗布性に優れたレジ
ストを得ることができる。したがって、半導体集積回路
の製造に好適に使用できる。
ば、 大口径化された基板に対する塗布性に優れたレジ
ストを得ることができる。したがって、半導体集積回路
の製造に好適に使用できる。
Claims (1)
- 【請求項１】 アルカリ可溶性樹脂、感放射線化合物お
よび溶剤を含有する感放射線性樹脂組成物において、前
記溶剤が乳酸アルキルエステルとプロピレングリコール
アルキルエーテルおよび／またはプロピレングリコール
アルキルエーテルアセテートとの混合物であることを特
徴とする感放射線性樹脂組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15068893A JPH07140646A (ja) | 1993-06-22 | 1993-06-22 | 感放射線性樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15068893A JPH07140646A (ja) | 1993-06-22 | 1993-06-22 | 感放射線性樹脂組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07140646A true JPH07140646A (ja) | 1995-06-02 |
Family
ID=15502290
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15068893A Pending JPH07140646A (ja) | 1993-06-22 | 1993-06-22 | 感放射線性樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07140646A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003073167A1 (fr) * | 2002-02-27 | 2003-09-04 | Clariant International Ltd. | Composition de resine photosensible |
| JP2006145734A (ja) * | 2004-11-18 | 2006-06-08 | Nippon Zeon Co Ltd | ポジ型フォトレジスト組成物 |
-
1993
- 1993-06-22 JP JP15068893A patent/JPH07140646A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003073167A1 (fr) * | 2002-02-27 | 2003-09-04 | Clariant International Ltd. | Composition de resine photosensible |
| JP2006145734A (ja) * | 2004-11-18 | 2006-06-08 | Nippon Zeon Co Ltd | ポジ型フォトレジスト組成物 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20010827 |