JPH05204158A - 感放射線性樹脂組成物 - Google Patents
感放射線性樹脂組成物Info
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- JPH05204158A JPH05204158A JP4036986A JP3698692A JPH05204158A JP H05204158 A JPH05204158 A JP H05204158A JP 4036986 A JP4036986 A JP 4036986A JP 3698692 A JP3698692 A JP 3698692A JP H05204158 A JPH05204158 A JP H05204158A
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Abstract
に対する接着性と耐酸性に優れたポジ型レジストを得る
ことができる感放射線性樹脂組成物を提供すること。 【構成】アルカリ可溶性樹脂、1,2−キノンジアジド
化合物 および例えば下記式(1) 【化1】
Description
に関する。さらに詳しくは紫外線、遠紫外線、X線、電
子線、分子線、γ線、シンクロトロン放射線、プロトン
ビームなどの放射線に感応する集積回路を作製するため
のホトレジストとして、あるいは液晶表示素子や液晶表
示装置の作製に好適な感放射線性樹脂組成物に関する。
パターンが得られるので、集積回路の作製において多く
用いられている。近年、液晶表示素子や液晶表示装置の
作製にも多用されている。このような状況において、高
感度で高耐熱性、かつ集積回路、液晶表示素子または液
晶表示装置の作製に使用する基板をエッチングするとき
に、エッチング液に犯されない高耐酸性と、基板に対す
る高接着性とを具備したポジ型レジストに対する要求に
非常に強い。
成の感放射線性樹脂組成物を提供することにある。
度で高耐熱性を具備し、さらに基板をエッチングすると
きに、エッチング液に犯されない高耐酸性と基板に対す
る高接着性とを具備したポジ型レジストとして好適な感
放射線性樹脂組成物を提供することにある。
の説明から明らかとなろう。
の上記目的および利点は、アルカリ可溶性樹脂、1,2
−キノンジアジド化合物 および下記一般式(1)
(I)」という)を含有することを特徴とする感放射線
性樹脂組成物によって達成される。
般式(1)で表される化合物を含有する。一般式(1)
中、Rは同一でも異なっていてもよく、アルキル基であ
り、好ましくは炭素数1〜3のアルキル基である。かか
るアルキル基は直鎖状であっても分岐鎖状であってもよ
い。具体的にはメチル基、エチル基、n−プロピル基お
よびi−プロピル基が挙げられる。
ているとおり、置換基Yを有していてもよい、1,2
−、2,3−または3,4−エポキシシクロヘキシル基で
ある。
アルキル基またはアルコキシ基であり、好ましくは炭素
数1〜3のアルキル基またはアルコキシ基である。かか
るアルキル基およびアルコキシ基はいずれも直鎖状であ
っても分岐鎖状であってもよい。具体的には、メチル
基、エチル基、n−プロピル基、iso−プロピル基、
メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基およびis
o−プロポキシ基が挙げられる。
り、好ましくは1〜3の整数である。mは0〜9の整数
であり、好ましくは0〜2の整数である。
(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキ
シシラン、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エ
チルトリエトキシシラン、2−(3,4−エポキシシク
ロヘキシル)エチルトリプロポキシシラン、2−(3,
4−エポキシシクロヘキシル)エチルジメトキシモノエ
トキシシラン、2−(3,4−エポキシシクロヘキシ
ル)エチルモノメトキシジエトキシシラン、(3,4−
エポキシシクロヘキシル)メチルトリメトキシシラン、
3−(3,4−エポキシシクロヘキシル)プロピルトリ
メトキシシラン、2−(2,3−エポキシシクロヘキシ
ル)エチルトリメトキシシラン、2−(1,2−エポキ
シシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、2−
(2,3−エポキシシクロヘキシル)エチルトリエトキ
シシランなどを好ましい化合物として挙げることができ
る。
性樹脂100重量部に対し、好ましくは0.1〜25重
量部であり、より好ましくは1〜15重量部である。化
合物(I)の使用割合が、0.1重量部未満では、例え
ばガラス基板、インジウムオキサイドを被覆したガラス
基板(以下、「ITO基板」という)、α−Si基板、
クロム基板、アルミニウム基板などの基板に対する接着
性が悪化し易く、25重量部を越えると、エッチング
液、例えば塩酸水溶液、塩酸・塩化第二鉄混合水溶液、
弗化水素水溶液、硝酸水溶液、燐酸水溶液、弗化水素・
硝酸混合水溶液、燐酸・硝酸混合水溶液、弗化水素・硝
酸・酢酸混合水溶液、燐酸・硝酸・酢酸混合水溶液など
に対する耐酸性が悪化する傾向にある。
リ可溶性樹脂としては、例えばノボラック樹脂、レゾー
ル樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルアルコール、スチレ
ンとアクリル酸との共重合体、ヒドロキシスチレンの重
合体、ポリビニルヒドロキシベンゾエート、ポリビニル
ヒドロキシベンジルなどを挙げることができる。これら
のアルカリ可溶性樹脂のうち、アルカリ可溶性ノボラッ
ク樹脂(以下、単に「樹脂」という)が好ましい。
縮合して得られる。アルデヒド類のの使用割合は、フェ
ノール類1モルに対し、0.7〜3モルが好ましく、よ
り好ましくは0.75〜1.3モルである。
としては、例えば塩酸、硝酸、硫酸、ギ酸、シュウ酸、
酢酸などを挙げることができる。前記重縮合において
は、通常、反応媒質として水が用いられる。この場合、
酸性触媒の使用量は、好ましくはフェノール類1モルに
対し、1×10-5〜5×10-1モルである。また、反応
媒質として親水性溶媒を使用する場合の酸性触媒の使用
量は、好ましくはフェノール類1モルに対し、1×10
-4〜5モルである。
タノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなど
のアルコール類またはテトラヒドロフラン、ジオキサン
などの環状エーテル類が挙げられる。これらの反応媒質
の使用量は、好ましくは反応原料100重量部当たり、
20〜1000重量部である。
応じて、適宜調整することができ、好ましくは10〜2
00℃である。また重縮合方法としては、例えばフェノ
ール類、アルデヒド類などを反応の進行と共に加えて行
く方法を挙げることができる。
料、酸性触媒、反応媒質などを除去するために、一般的
に内温を130〜230℃に上昇させ、減圧下、例えば
20〜50mmHg程度で揮発分を溜去し、樹脂を回収
する。また重縮合終了後、樹脂を溶解できる溶媒、例え
ばメチルアルコール、エチルセロソルブアセテート、ジ
オキサンなどに溶解し、水、n−ヘキサン、n−ヘプタ
ンなどの沈殿剤を添加することによって、樹脂を析出さ
せ、析出物を分離して回収することもできる。さらに樹
脂を回収する際、溶媒と沈殿剤の比率を変えることによ
り、高分子成分や低分子成分を分別することができ、こ
の方法で得た樹脂を使用することもできる。
報に記載した方法を用いて得ることもできる。重縮合す
る際に使用されるフェノール類としては、例えばm−ク
レゾール、p−クレゾールおよび下記式(2)
ール類A」という)が好ましいものとして挙げられる。
これらフェノール類の使用割合は、通常、m−クレゾー
ル/p−クレゾール/フェノール類A=40〜100/
0〜55/0〜60(モル比)であり、好ましくはm−
クレゾール/p−クレゾール/フェノール類A=60〜
100/0〜30/0〜40(モル比)である。
満では、感度が悪化し易く、P−クレゾールの使用割合
が55モル%を越えると感度が悪化し易くなる。フェノ
ール類Aの使用割合が60モル%を越えると感度と接着
性が悪化し易くなる。
3−キシレノール、2,4−キシレノール、2,5−キシ
レノール、2,6−キシレノール、3,4−キシレノー
ル、3,5−キシレノール、3,5−キシレノール、2,
3,4−トリメチルフェノール、2,3,5−トリメチル
フェノール、3,4,5−トリメチルフェノールなどを挙
げることができる。
ド類としては、例えばホルムアルデヒド、ベンズアルデ
ヒド、フルフラル、アセトアルデヒドなどを挙げること
ができる。これらのアルデヒド類のうち、特にホルムア
ルデヒドが好ましい。
(以下、「Mw」という)としては、3,000〜15,
000が好ましく、4,000〜12,000が特に好ま
しい。Mwが3,000未満では、耐酸性および耐熱性
が悪化し易く、15,000を越えると、感度および接
着性が悪化するようになる。
平均分子量(以下「Mn」という)}としては5〜20
が好ましく、8〜15が特に好ましい。分散度が5未満
では、感度および接着性が悪化し易く、20を越える
と、耐酸性が悪化するようになる。
ンジアジド化合物としては、ヒドロキシ化合物、例えば
下記一般式
B]という)またはヒドロキシフラバン系化合物と1,
2−ナフトキノンジアジド−4または5−スルホン酸ク
ロリドとのエステル化物を用いることができる。好まし
くは、以下の化合物を挙げることができる。
メタン、1−(2−ヒドロキシフェニル)−1−(4−
ヒドロキシフェニル)メタン、1,1−ビス(4−ヒド
ロキシフェニル)メタン、1,1−ビス(4−ヒドロキ
シフェニル)エタン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフ
ェニル)プロパン、1,1,1−トリス(2−ヒドロキシ
フェニル)メタン、1,1−ビス(2−ヒドロキシフェ
ニル)−1−(4−ヒドロキシフェニル)メタン、1,
1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−1−(2−ヒド
ロキシフェニル)メタン、1,1,1−トリス(4−ヒド
ロキシフェニル)メタン、1,1,1−トリス(2−ヒド
ロキシフェニル)エタン、1,1−ビス(2−ヒドロキ
シフェニル)1−(4−ヒドロキシフェニル)エタン、
1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−1−(2−
ヒドロキシフェニル)エタン、1,1,1−トリス(4−
ヒドロキシフェニル)エタン、1,1−ビス(4−ヒド
ロキシフェニル)−1−[4−{1−(4−ヒドロキシ
フェニル)−1−メチルエチル}フェニル]エタン、
2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,
4′−テトラヒドロキシベンゾフェノン、3′−メトキ
シ−2,3,4,4′−テトラヒドロキシベンゾフェノ
ン、2,4,4−トリメチル−2′,4′,7−トリヒドロ
キシ−2−フェニルフラバンなどの1,2−ナフトキノ
ン−4−スルホン酸エステルまたは1,2−ナフトキノ
ンジアジド−5−スルホン酸エステル。
0〜100%が好ましい。なお、エステル化率は以下の
式から算出される。
は、アルカリ可溶性樹脂100重量部に対して、好まし
くは5〜75重量部であり、より好ましくは10〜50
重量部である。1,2−キノンジアジド化合物の配合量
が少なすぎると、放射線照射部と放射線未照射部とのア
ルカリ水溶液からなる現像液に対する溶解性に差をつけ
にくくてパターニングが困難となり易く、また配合量が
多すぎると、短時間の放射線照射では加えた1,2−キ
ノンジアジド化合物の全てを分解することができずアル
カリ水溶液からなる現像液による現像が困難となり易く
なる。
させるために溶解促進剤を配合することもできる。溶解
促進剤としては、前述した化合物Bを挙げることができ
る。これらの化合物Bとしては、例えば1,1−ビス
(2−ヒドロキシフェニル)メタン、1−(2−ヒドロ
キシフェニル)−1−(4−ヒドロキシフェニル)メタ
ン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、
1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)エタン、2,2
−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン、1,1,1
−トリス(2−ヒドロキシフェニル)メタン、1,1−
ビス(2−ヒドロキシフェニル)−1−(4−ヒドロキ
シフェニル)メタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフ
ェニル)−1−(2−ヒドロキシフェニル)メタン、
1,1,1−トリス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、
1,1,1−トリス(2−ヒドロキシフェニル)エタン、
1,1−ビス(2−ヒドロキシフェニル)−1−(4−
ヒドロキシフェニル)エタン、1,1−ビス(4−ヒド
ロキシフェニル)−1−(2−ヒドロキシフェニル)エ
タン、1,1,1−トリス(4−ヒドロキシフェニル)エ
タン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−1−
[4−{1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチル
エチル}フェニル]エタン、1,1−ビス(4−ヒドロ
キシフェニル)−1−フェニルエタン、1,1−ビス
(2−ヒドロキシフェニル)−1−フェニルエタン、
1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−1−フェニ
ルメタン、1,1−ビス(2−ヒドロキシフェニル)−
1−フェニルメタンなどが好ましい。
て使用する場合のアルカリ可溶性樹脂と溶解促進剤との
混合割合は、好ましくはアルカリ可溶性樹脂が60〜1
00重量部、より好ましくは80〜100重量部に対し
て、溶解促進剤が0〜40重量部、より好ましくは0〜
20重量部である(但し、アルカリ可溶性樹脂+溶解促
進剤=100重量部)。アルカリ可溶性樹脂の使用割合
が60重量部未満では、耐熱性が悪化するようになり、
化合物Bの使用割合が40重量部を越えると、耐酸性が
悪化するようになる。
を向上させるために増感剤を配合することもできる。こ
れらの増感剤としては、例えば、2H−ピリド−(3,
2−b)−1,4−オキサジン−3(4H)−オン類、
10H−ピリド−(3,2−b)−(1,4)−ベンゾチ
アジン類、ウラゾール類、ヒダントイン類、バルビツー
ル酸類、グリシン無水物類、1−ヒドロキシベンゾトリ
アゾール類、アロキサン類、マレイミド類などが挙げら
れる。これらの増感剤の配合量は、1,2−キノンジア
ジド化合物100重量部に対して、通常、50重量部以
下である。
ストリエーションや乾燥塗膜形成後の放射線照射部の現
像性を改良するために界面活性剤を配合することもでき
る。界面活性剤としては、例えばポリオキシエチレンラ
ウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテ
ル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオキシ
エチレンオクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレ
ンノニルフェニルエーテル、ポリエチレングリコールジ
ラウレート、ポリエチレングリコールジステアレート、
エフトップEF301、EF303、EF352(新秋
田化成社製)、メガファックF171、F172、F1
73、(大日本インキ社製)、フロラードFC430、
FC431(住友スリーエム社製)、アサヒガードAG
710、サーフロンS−382、SC−101、SC−
102、SC−103、SC−104、SC−105、
SC−106(旭硝子社製)、オルガノシロキサンポリ
マーKP341(信越化学工業社製);アクリル酸系ま
たはメタクリル酸系(共)重合体ポリフローNo.7
5、No.90、No.95(共栄社油脂化学工業社製)
などが挙げられる。これらの界面活性剤の配合量は、組
成物の固形分当たり、通常、2重量%以下である。
を可視化させ、放射線照射時のハレーションの影響を少
なくするための染料、例えば1,7−ビス(3−メトキ
シ−4−ヒドロキシフェニル)−1,6−ヘプタジエン
−3,5−ジオン、5−ヒドロキシ−4−(4−メトキ
シフェニルアゾ)−3−メチル−1−フェニルピラゾー
ルなどを配合することもできる。また、本発明の組成物
には必要に応じて保存安定剤、消泡剤なども配合するこ
とができる。
ては、前記アルカリ可溶性樹脂、1,2−キノンジアジ
ド化合物および化合物(I)、並びに各種配合剤の所定
量を、例えば固形分濃度が15〜40重量%となるよう
に溶解させ、フィルターで瀘過した後、これを回転塗
布、流し塗布、ロール塗布などにより塗布する方法があ
げられる。
えばメチルセロソルブ、エチルセロソルブ、酢酸メチル
セロソルブ、酢酸エチルセロソルブ、ジエチレングリコ
ールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエ
チルエーテル、酢酸プロピレングリコールメチルエーテ
ル、酢酸プロピレングリコールエチルエーテル、酢酸プ
ロピレングリコールプロピルエーテル、トルエン、キシ
レン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、2−ヒ
ドロキシプロピオン酸メチル、2−ヒドロキシプロピオ
ン酸エチル、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオン酸
エチル、3−メトキシプロピオン酸メチル、3−メトキ
シプロピオン酸エチル、3−エトキシプロピオン酸メチ
ル、3−エトキシプロピオン酸エチル、エトキシ酢酸エ
チル、オキシ酢酸エチル、2−ヒドロキシ−3−メチル
ブタン酸メチル、酢酸3−メチル−3−メトキシブチ
ル、プロピオン酸3−メチル−3−メトキシブチル、ブ
タン酸3−メチル−3−メトキシブチル、酢酸エチル、
酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチルなど
を挙げることができる。
ルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテ
ル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチ
レングリコールモノブチルエーテル、アセトニルアセト
ン、イソホロン、カプロン酸、カプリル酸、1−オクタ
ノール、1−ノナノール、ベンジルアルコール、酢酸ベ
ンジル、安息香酸エチル、シュウ酸ジエチル、マレイン
酸ジエチル、γ−ブチロラクトン、炭酸エチレン、炭酸
プロピレン、酢酸フェニルセロソルブなどの高沸点溶剤
を添加することもできる。
水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、
硅酸ナトリウム、メタ硅酸ナトリウム、アンモニア水、
エチルアミン、n−プロピルアミン、ジエチルアミン、
ジ−n−プロピルアミン、トリエチルアミン、メチルジ
エチルアミン、ジメチルエタノールアミン、トリエタノ
ールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、
テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、コリン、ピロ
ール、ピペリジン、1,8−ジアザビシクロ−(5.4.
0)−7−ウンデセン、1,5−ジアザビシクロ−(4.
3.0)−5−ノナンなどを溶解してなるアルカリ水溶
液が使用される。また該現像液には、水溶性有機溶媒、
例えばメタノール、エタノールなどのアルコール類や界
面活性剤を適量添加して使用することもできる。
して使用するときの効果をより高めるために、基板に本
発明の組成物を塗布し、プレベークおよび放射線照射を
行った後、70〜140℃で加熱してから現像すること
ができ、さらに70〜140℃で加熱しながら、放射線
を照射することもできる。
しく説明するが、本発明はこれらの合成例および実施例
に制約されるものではない。実施例中のMwおよびレジ
スト性能の評価は下記の方法によって行った。
H6 2本、G3000H6 1本、G40006 1本)を
用い、流量1.5ml/分、溶出溶媒テトラヒドロフラ
ン、カラム温度40℃の分析条件で、単分散ポリスチレ
ンを標準とするゲルパーミエーションクロマトグラフ法
により測定した。
投影露光機(レンズの開口係数:0.54、g線露光
機)で露光を行い、次いでテトラメチルアンモニウムヒ
ドロキシド2.4重量%水溶液を用い25℃で60秒間
現像し水でリンスした後、乾燥してシリコンウェハー上
にレジストパターンを形成させ、2.0μmのライン・
アンド・スペースパターン(1対1)を1対1の線幅に
形成する露光時間(以下、これを「最適露光時間」とい
う)を求めた。
いる最小のレジストパターンの寸法を調べた。 耐熱性:レジストパターンを形成したシリコンウェハー
を120〜150℃まで5℃刻みで温度を変えたホット
プレート上で加熱し、レジストパターン形状が保たれる
最高温度を調べた。
501F)で露光を行い、次いでテトラメチルアンモニ
ウムヒドロキシド2.4重量%水溶液を用い25℃で6
0秒間現像し水でリンスした後、乾燥してITO基板上
にレジストパターンを形成させ、120℃のホットプレ
ート上で120秒間ポストベークを行い、エッチングを
行った。エッチング後に5μmのレジストパターンが剥
離せずに残っている場合、接着性〇、5μmのパターン
は残っていないが10μmのパターンが剥離せずに残っ
ている場合、接着性△、10μmのパターンも残ってい
ない場合は接着性×とした。
がない場合は耐酸性良好、クラックが発生した場合は不
良とした。
スコに、 m−クレゾール 123.2g(1.142モル) 3,5−キシレノール 52.2g(0.427モル) 37重量%ホルムアルデヒド水溶液(以下、「ホルマリン」という) 130.3g(ホルムアルデヒド 1.605モル) および シュウ酸・2水和物 0.731g(0.00580モル) を仕込み、セパラブルフラスコを油浴に浸し、内温を100℃に保ち、攪拌しな がら40分間重縮合を行った後、 m−クレゾール 27.9g(0.285モル) および 3,5−キシレノール 13.1g(0.107モル) を加え、さらに100分間重縮合を行い、樹脂を合成し
た。反応後、油浴の温度を180℃まで上げ、同時に反
応容器内の圧力を30〜40mmHgまで減圧し、水、
シュウ酸、ホルムアルデヒド、m−クレゾール、3,5
−キシレノールなどを除去した。次いで、溶融した樹脂
を室温に戻して回収した。この樹脂を、エチルセロソル
ブアセテートに固形分が20重量%となるよう溶解した
のち、樹脂溶液の重量に対し、2倍量のメタノールおよ
び等量の水を加えて、攪拌、放置した。2層に分離した
のち、樹脂溶液(下層)を取り出し、濃縮・脱水・乾燥
して樹脂Aを回収した(以下、この樹脂を「樹脂A
(1)」という)。
た。反応後、油浴の温度を180℃まで上げ、同時に反
応容器内の圧力を30〜40mmHgまで減圧し、水、
シュウ酸、ホルムアルデヒド、m−クレゾール、p−ク
レゾール、2,3,5−トリメチルフェノールなどを除去
した。次いで、合成例1と同様にして樹脂Aを回収した
(以下、この樹脂を「樹脂A(2)」という)。
た。反応後、油浴の温度を180℃まで上げ、同時に反
応容器内の圧力を30〜40mmHgまで減圧し、水、
シュウ酸、ホルムアルデヒド、m−クレゾール、p−ク
レゾール、3,4−キシレノールなどを除去した。次い
で、合成例1と同様にして樹脂Aを回収した(以下、こ
の樹脂を「樹脂A(3)」という)。
た。反応後、油浴の温度を180℃まで上げ、同時に反
応容器内の圧力を30〜40mmHgまで減圧し、水、
シュウ酸、ホルムアルデヒド、m−クレゾールなどを除
去した。次いで、合成例1と同様にして樹脂Aを回収し
た(以下、この樹脂を「樹脂A(4)」という)。
た。反応後、油浴の温度を180℃まで上げ、同時に反
応容器内の圧力を30〜40mmHgまで減圧し、水、
シュウ酸、ホルムアルデヒド、m−クレゾール、p−ク
レゾールなどを除去した。次いで、合成例1と同様にし
て樹脂Aを回収した(以下、この樹脂を「樹脂A
(5)」という)。
フィルターで濾過し、本発明の組成物溶液を調製した。
得られた溶液を酸化膜を有するシリコンウェハー上に塗
布した後、ホットプレート上で90℃にて2分間プレベ
ークして厚さ1.2μmのレジスト膜を形成し、露光
し、次いで現像してレジストパターンを形成した。この
レジストパターンを走査型電子顕微鏡で観察・測定し
た。同様の手法で7枚のシリコンウェハー上にレジスト
パターンを形成し、耐熱性の観察を行った。
%の水溶液中で180秒間エッチングを行い、接着性お
よび耐酸性を観察した。結果を表1に示す。
フィルターで濾過し、本発明の組成物溶液を調製した。
得られた溶液を実施例1と同じ方法でレジスト性能を試
験した。結果を表1に示す。
フィルターで濾過し、本発明の組成物溶液を調製した。
得られた溶液を実施例1と同じ方法でレジスト性能を試
験した。結果を表1に示す。
フィルターで濾過し、本発明の組成物溶液を調製した。
得られた溶液を実施例1と同じ方法でレジスト性能を試
験した。結果を表1に示す。
フィルターで濾過し、本発明の組成物溶液を調製した。
得られた溶液を実施例1とエッチング条件以外は同じ方
法でレジスト性能を試験した。なお、エッチングは25
℃の弗酸3%/硝酸65%の水溶液で60秒間行った。
結果を表1に示す。
フィルターで濾過し、本発明の組成物溶液を調製した。
得られた溶液を実施例5と同じ方法でレジスト性能を試
験した。結果を表1に示す。
フィルターで濾過し、本発明の組成物溶液を調製した。
得られた溶液を実施例1と同じ方法でレジスト性能を試
験した。結果を表1に示す。
ル)−1−フェニルエタン、 化合物B(2):1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニ
ル)−1−[4−{1−(4−ヒドロキシフェニル)−
1−メチルエチル}フェニル]エタン、 化合物B(3):1,1,1−トリス(4−ヒドロキシフ
ェニル)エタン、1,2−キノンジアジド化合物Q
(1):1,1−ビス(2−ヒドロキシフェニル)エタ
ン(1モル)と1,2−ナフトキノンジアジド−5−ス
ルホン酸クロリド(2.0モル)との縮合物、 1,2−キノンジアジド化合物Q(2):2,3,4,4’
−テトラヒドロキシベンゾフェノン(1モル)と1,2
−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸クロリド
(3.3モル)との縮合物、 1,2−キノンジアジド化合物Q(3):1,1−ビス
(4−ヒドロキシフェニル)−1−[4−{1−(4−
ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル}フェニル]
エタン(1モル)と1,2−ナフトキノンジアジド−5
−スルホン酸クロリド(2.0モル)との縮合物、 化合物I(1):2−(3,4−エポキシシクロヘキシ
ル)エチルトリメトキシシラン、 化合物I(2):2−(3,4−エポキシシクロヘキシ
ル)エチルトリエトキシシラン、 化合物I(3):3−(3,4−エポキシシクロヘキシ
ル)プロピルトリメトキシシラン、 を表わす。
度、高解像度、高耐熱性であり、かつ基板に対する接着
性と耐酸性に優れたポジ型レジストに好適である。
Claims (1)
- 【請求項1】 アルカリ可溶性樹脂、1,2−キノンジ
アジド化合物 および下記一般式(1) 【化1】 で表わされる化合物を含有することを特徴とする感放射
線性樹脂組成物。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP03698692A JP3245207B2 (ja) | 1992-01-29 | 1992-01-29 | 感放射線性樹脂組成物 |
KR1019930001034A KR930016829A (ko) | 1992-01-29 | 1993-01-28 | 감방사선성 수지 조성물 |
EP93300647A EP0554101A1 (en) | 1992-01-29 | 1993-01-28 | Radiation-sensitive resin composition |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP03698692A JP3245207B2 (ja) | 1992-01-29 | 1992-01-29 | 感放射線性樹脂組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05204158A true JPH05204158A (ja) | 1993-08-13 |
JP3245207B2 JP3245207B2 (ja) | 2002-01-07 |
Family
ID=12485077
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP03698692A Expired - Lifetime JP3245207B2 (ja) | 1992-01-29 | 1992-01-29 | 感放射線性樹脂組成物 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0554101A1 (ja) |
JP (1) | JP3245207B2 (ja) |
KR (1) | KR930016829A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008176046A (ja) * | 2007-01-18 | 2008-07-31 | Daicel Chem Ind Ltd | レジスト組成物 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5821345A (en) * | 1996-03-12 | 1998-10-13 | Shipley Company, L.L.C. | Thermodynamically stable photoactive compound |
US6051358A (en) * | 1997-11-04 | 2000-04-18 | Shipley Company, L.L.C. | Photoresist with novel photoactive compound |
US6037008A (en) * | 1998-09-08 | 2000-03-14 | Ck Witco Corporation | Use of emulsified silane coupling agents as primers to improve adhesion of sealants, adhesives and coatings |
US6905809B2 (en) | 2003-04-01 | 2005-06-14 | Clariant Finance (Bvi) Limited | Photoresist compositions |
US6790582B1 (en) | 2003-04-01 | 2004-09-14 | Clariant Finance Bvi Limited | Photoresist compositions |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1488350A (en) * | 1973-12-27 | 1977-10-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | Photosensitive planographic printing plates |
JPS63313149A (ja) * | 1987-06-17 | 1988-12-21 | Nippon Zeon Co Ltd | パタ−ン形成材料 |
-
1992
- 1992-01-29 JP JP03698692A patent/JP3245207B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-01-28 EP EP93300647A patent/EP0554101A1/en not_active Withdrawn
- 1993-01-28 KR KR1019930001034A patent/KR930016829A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008176046A (ja) * | 2007-01-18 | 2008-07-31 | Daicel Chem Ind Ltd | レジスト組成物 |
KR101405552B1 (ko) * | 2007-01-18 | 2014-06-10 | 가부시끼가이샤 다이셀 | 레지스트 조성물 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0554101A1 (en) | 1993-08-04 |
KR930016829A (ko) | 1993-08-30 |
JP3245207B2 (ja) | 2002-01-07 |
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