CN102225924B - 光酸发生剂和包含该光酸发生剂的光致抗蚀剂 - Google Patents

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Abstract

光酸发生剂和包含该光酸发生剂的光致抗蚀剂。本发明提供光酸发生剂化合物(“PAGs”)新的合成方法，新的光酸发生剂化合物以及包含这种PAG化合物的光致抗蚀剂组合物。一个特别的方面，提供含锍(S+)光酸发生剂以及锍类光酸发生剂的合成方法。提供了一种含锍化合物的制备方法，所述制备方法包括环合烷基硫代化合物。

Description

光酸发生剂和包含该光酸发生剂的光致抗蚀剂
技术领域
本发明涉及光酸发生剂化合物(photoacid generator compounds，PAGs)的合成方法，新的光酸发生剂化合物以及包含这种PAG化合物的光致抗蚀剂组合物。特别的，本发明涉及特别的含锍(S+)光酸发生剂以及锍类光酸发生剂的合成方法。
背景技术
光致抗蚀剂是将图像转移至基底的光敏感性薄膜。它们形成负像或正像。将一种光致抗蚀剂(photoresist)涂覆在基底上之后，透过有图案的光掩模，激发能量源例如紫外光使涂层曝光，从而在光致抗蚀剂涂层上形成一种潜像。光掩模具有对激发辐射不透明和透明的区域，限定想要转移到下层基底上的图像。
已知的光致抗蚀剂对于许多现有的商业用途来说，能够提供充足的分辨率和尺寸。但是为了实现许多其他的用途，新的光致抗蚀剂需要能够在亚微米尺寸上提供高分辨图像。
已经有很多改变已有光致抗蚀剂组合物，来改善其功能性特性的尝试。其中，还有很多光活性的化合物被报道用于光致抗蚀剂组合物。例如，美国专利6664022和6849374。
发明内容
一方面，我们现在提供一种包含锍(＞S+)组分的新光酸发生剂化合物(PAGs)，用于正激发(postive-acting)或负激发(negative-acting)光致抗蚀剂组合物。特别优选的本发明的含锍PAG包含二氟磺酸阳离子组分(例如R-CF2SO3-，其中R是非氢取代基)。
另一方面，本发明提供了制备含锍光酸发生剂的合成方法。在一个优选实施方式中，取代的烷基硫化物被环化得到环戊基、环己基(cyoclhexyl)或环庚基含锍PAG(例如RS+＜(CH2)4-6，其中R是非氢取代基)。
更进一步的方面，提供了包含磺酸阴离子组分(component)的PAG，其中链具有至少四个饱和非环原子(典型的是C或杂原子N，O或S，更典型的是C或O，进一步更典型的是饱和链的各个连接基为C)，其处于(i)磺酸片段(SO3 -)和(ii)(a)非饱和片段(如苯基或其它羧基芳基)，酮(羰基)，酯等或(b)脂肪环基团，如环己基等之间。示例性的阴离子组分包括如下结构：R(CH2)n(CF2)mSO3 -，其中n和m的和至少是4，R不是饱和非环状基团(例如，R可以是酯，苯基，环己基等)。
我们还发现上述饱和的链可以显著增加PAG化合物在典型光致抗蚀剂溶剂如乳酸乙酯，丙二醇甲醚醋酸酯等中的溶解性。
具体实施方式
优选的，本发明的PAG可以用于正激发或负激发的化学放大光致抗蚀剂，例如，负激发的光致抗蚀剂组合物，可以参与光酸促进的交联反应致使抗蚀剂涂层的曝光区域在显影剂的溶解度低于非曝光区域。正激发的抗蚀剂组合物，可以参与光酸促进的一种或多种组合物组分的酸不稳定基团的去保护反应致使抗蚀剂涂层的曝光区域在水溶液显影剂的溶解度好于非曝光区域。包含共价连接在酯的羧基氧上的叔非环烷基碳或叔脂肪环碳的酯基团是优选的用于本发明光致抗蚀剂的树脂中的光酸—不稳定基团。缩醛(acetal)基团也是合适的光酸—不稳定基团。
本发明光致抗蚀剂的优选成像波长包括小于300nm的波长，例如248nm，以及小于200nm波长，例如193nm，以及EUV。
更优选的，本发明光致抗蚀剂包括成像有效剂量的本文所述的一种或多种PAG，以及选自如下基团的树脂：
1)酚树脂，包括光酸—不稳定基团，可以提供化学放大正像光致抗蚀剂，特别适合248nm的成像。特别优选的这类树脂包括：i)具有乙烯基苯酚和丙烯酸烷基酯聚合单元的聚合物，其中丙烯酸烷基酯聚合单元可以参与在光酸存在条件下的去保护反应。典型可以参与光酸诱导去保护反应的丙烯酸烷基酯包括例如丙烯酸叔丁基酯，甲基丙烯酸叔丁基酯，丙烯酸甲基金刚烷酯，甲基丙烯酸甲基金刚烷酯，以及其它可以参与光酸诱导反应的非环烷基和脂肪环基丙烯酸酯，例如美国专利6042997和5492793中所述的聚合物，以引用的方式将其加入此处；ii)聚合物，包括乙烯基苯酚，不具有羟基或羧基环取代基的任选取代的乙烯基苯基(例如，苯乙烯)，以及丙烯酸烷基酯(如上述聚合物i)中描述的去保护基团)的聚合单元，例如美国专利6042997中所述的聚合物，以引用的方式将其加入此处；以及iii)聚合物，具有包括能够和光酸反应的缩醛或缩酮片段的重复单元，以及任选芳香重复单元例如苯基或苯酚基；
2)树脂，该树脂基本上或完全不含苯基或其他能够提供特别适合在小于200nm波长例如193nm成像的化学放大正像抗蚀剂的芳基。特别优选的这类树脂包括：i)聚合物，包括非芳香环状烯烃(桥环双键)(例如任选取代的降冰片烯)聚合单元，例如美国专利5843624中所述的聚合物，以参阅的方式将其加入此处；ii)聚合物，具有丙烯酸烷基酯单元，例如丙烯酸叔丁基酯，甲基丙烯酸叔丁基酯，丙烯酸甲基金刚烷酯，甲基丙烯酸甲基金刚烷酯，以及其它非环烷基和脂肪环基丙烯酸酯；正如美国专利6057083中所述的聚合物。
本发明的抗蚀剂还可以包括不同PAG的混合物，典型的是2或3种不同PAG的混合物，更典型的是由总数为2种不同PAG组成的混合物。
本发明还提供以本发明光致抗蚀剂形成浮雕图像的方法，包括形成高分辨图案的光致抗蚀剂图像(例如，图案线条基本上垂直侧壁)在小于四分之一微米量级或更少，例如小于0.2或小于0.1微米量级。
本发明还进一步提供制造的产品，其包含涂覆本发明光致抗蚀剂和浮雕图像的基底如微电子晶片或平板显示器基底。本发明其它方面公开在下文中。
如上所述，一个方面，本发明包括制备锍类化合物，其包含环合烷基硫代化合物。相应的，烷基硫代化合物可以在高温下环合，例如，在有机溶剂如乙腈、甲苯等回流下环合。
各种烷基硫代化合物可以根据本发明进行环合，包括例如通式化合物R-S(CH2)n(CH2LG)，其中：
R是非氢取代基，例如任选取代的碳环芳香基，例如任选取代的苯基，任选取代的萘基或任选取代的蒽等；或任选取代的杂环基或杂芳基例如任选取代的噻吩基；或任选取代的脂环基例如任选取代的环己基、环戊基；
n为3到6的整数；以及
LG是离去基团，例如卤素如Br、Cl或I；或磺酸酯例如甲苯磺酸酯(tosylate)、甲磺酸酯(mesylate)或其它合适的离去基团。
特别优选的方面，形成的锍类化合物与(如离子对)氟代磺酸连接，从而提供光酸发生剂化合物。磺酸化合物可以与烷基硫化物适当的存在于反应混合液中，通过环合反应从而得到络合(complexed)的离子对。可选的，锍类化合物可以通过环合步骤形成，磺酸可以加入到已经形成的锍类化合物样品中，从而得到络合的PAG。
特别优选的方面，氟代磺酸具有通式R(CH2)n(CF2)2SO3-，其中n是1到5的整数(优选n是2或3，特别是2)，以及R是非氢取代基，例如取代酯类，包括例如其中R是-O(C＝O)(任选取代的金刚烷基如羟基金刚烷基)。特别优选本发明的PAG的磺酸组分选自通式(金刚烷基)R(C＝O)O(CH2)2(CF2)2SO3-；(羟基金刚烷基)R(C＝O)O(CH2)2(CF2)2SO3-；以及(氰基金刚烷基)R(C＝O)O(CH2)2(CF2)2SO3-。
特别优选的本发明的锍类化合物包括下列：
另外特别优选的磺酸包括下列：
本发明的特别优选的PAG包括下列通式(Ⅰ)和(Ⅱ)：
其中，每个通式(Ⅰ)和(Ⅱ)中，R是氢或非氢取代基，如直链，支链或环状的C1-20的烷基。一个特别优选方面，每个通式(Ⅰ)和(Ⅱ)中，R是叔丁基。
另外优选本发明的含有阴离子组分的PAG，其含有环内酯片段，如下列通式Ⅲ：
其中，R1，R2和R3各自独立是相同或不同的非氢取代基，例如取代或未取代、直链或支链的C1-10烷基、烯基或氧代烷基(oxoalkyl)，或取代或未取代的C6-18碳环芳基、芳烷基或芳氧烷基(aryloxoalkyl)、或任意2个或更多的R1，R2和R3可以与硫原子键合形成环。
另外更优选的本发明的含有阴离子组分的PAG，其含有胆酸盐(cholate)片段，如下列通式(Ⅳ)：
其中，R1，R2和R3各自独立是相同或不同的非氢取代基，例如取代或未取代、直链或支链的C1-20烷基、烯基或氧代烷基(oxoalkyl)，或取代或未取代的C6-18碳环芳基、芳烷基或芳氧烷基、或任意2个或更多的R1，R2和R3可以与硫原子键合形成环。
下列流程1和2表示特别优选的合成方法。
流程1.碘鎓途径合成TBPTMS AdCOTFBS PAG
流程2.合成TBPTMS AdCOTFBS的直接环合流程
下列流程3表示另外特别优选的合成方法：
流程3.合成TBPTMS 3-OH AdCOTFBS的直接环合流程
下列流程4表示另外特别优选的合成方法。该方法特别用于制备本发明的含有阴离子组分的PAGs，其含有环内酯片段，如下列通式(Ⅲ)化合物：
流程4.合成羟基ONL-COTFBS PAG的流程
下列流程5表示另外特别优选的合成方法。该方法特别用于制备本发明的含有阴离子组分的PAG，其含有胆酸盐片段，如下列通式(Ⅳ)化合物：
流程5.DHC-TFBS PAG合成流程
如上文所述，本发明PAG的各种取代基都是任意取代的。取代片段可以适当的取代在一个或更多可用的位置，例如被卤素如F、Cl、Br和/或I，硝基，氰基，磺酰基，烷基包括C1-16烷基，优选C1-8烷基，卤烷基例如氟代烷基(如三氟甲基)和全卤代烷基例如全氟代C1-4烷基，烷氧基包括含有一个或多个氧连接键的C1-16烷氧基，优选C1-8烷氧基，烯基包括C2-12烯基，优选C2-8烯基，炔基包括C2-12炔基，优选C2-8炔基，芳香基例如苯基或萘基和取代芳香基例如卤素、烷氧基、烯基、炔基和/或烷基取代的芳香基，优选具有上述数目碳原子的所述基团取代。优选的取代芳香基包括取代苯基、蒽基和萘基。
本文中的术语烷基、烯基和炔基除非另外说明指的是环状和非环状的基团，当然环状基团包括至少三个碳环原子。本发明化合物的烯基和炔基具有一个或更多不饱和连接键，典型的为1至大约3或4个不饱和连接键。另外，此处的术语烯基和炔基指的是环状和非环状的基团，更优选直链或支链的非环状基团。本发明的PAG化合物的烷氧基具有一个或更多的氧连接键，典型的为1至约5或6个氧连接键。本发明的PAG化合物的烷硫基具有一个或更多的硫醚连接键，典型的为1至约5或6个硫醚连接键。本发明的PAG化合物的烷基亚磺酰基具有一个或更多的亚磺酰基(SO)连接键，典型的为1至约5或6个亚磺酰基连接键。本发明的PAG化合物的烷基磺酰基具有一个或更多的磺酰基(SO2)连接键，典型的为1至约5或6个磺酰基连接键。本发明的PAG化合物的优选烷基氨基包括那些具有一个或更多伯，仲和/或叔氨基的基团，优选1至约3或4个氨基。合适的烷酰基具有一个或多个羰基，典型的为1至约4或5个羰基。烷氧基，烷硫基，烷基亚磺酰基，烷基磺酰基，烷酰基和其他基团可以是线性或支链。此处的碳环芳香基指的是非杂芳香基团，其具有1至3个独立或稠合的环，以及6至约18个碳环原子，其包括例如苯基、萘基、联苯基、苊基、菲酰基等。常见优选苯基和萘基。适当的杂芳香基或杂芳基具有1至3个环，每个环中有3至8个环原子以及1至约3个杂原子(N、O或S)。特别适合的杂芳香基或杂芳基包括例如香豆素基、喹啉基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、呋喃基、吡咯基、噻吩基、噻唑基、噁唑基、咪唑基、吲哚基、苯丙呋喃基和苯并噻唑基。
如前文所述，本发明的PAG可以用于光致抗蚀剂组合物中的发光敏感性组分，包括正激发和负激发化学放大的抗蚀剂组合物。
本发明的光致抗蚀剂典型的包括树脂粘合剂和本发明上文所述的光活性组分。优选的，树脂粘合剂具有为抗蚀剂组合物提供碱性溶液可显影性的官能团。例如，优选的树脂粘合剂包括极性官能团例如羟基或羧基(carboxylate)。优选树脂粘合剂在抗蚀剂组合物中的用量足以使所述抗蚀剂能够用碱性水溶液显影。
优选的，本发明的光酸发生剂化合物可以用于化学放大正激发抗蚀剂。已有很多这样的抗蚀剂组合物被报道过，例如，美国专利4968581；4883740；4810613和4491628，以及加拿大专利申请2001384，所有上述的以引用的方式引入此处，他们给出制造和使用化学放大的正激发抗蚀剂的教导。根据本发明，这些已有的抗蚀剂组合物可以通过用本发明的光活性组分取代所述辐射敏感成分来进行改进。
本发明的PAG也优选和聚合物一起使用，所述聚合物包括一个或多个光酸—不稳定基团，其是基本上、本质上的或完全的不含苯基或其它芳香基团。这样的光致抗蚀剂组合物能够特别用于在小于200nm例如在193nm激发成像。
例如，优选的聚合物包括少于约5摩尔百分比的芳香基团，更优选少于1或2摩尔百分比的芳香基团，更优选少于约0.1，0.02，0.04和0.08摩尔百分比的芳香基团，以及更优选少于约0.01摩尔百分比的芳香基团。特别优选的聚合物完全不含芳香基团。芳香基团能够高度吸收小于200nm的光辐射，因此芳香基团对于用于短波长光照成像的光致抗蚀剂的聚合物是不需要的。
适当的聚合物基本上或完全不含芳香基团，其可以形成本发明的PAG从而提供一种在小于200nm成像的光致抗蚀剂，其由希普雷公司公开在欧洲申请EP930542A1中。
适当的聚合物基本上或完全不含芳香基团，其适当的包含丙烯酸酯单元例如光酸—不稳定丙烯酸酯单元，其可以由聚合丙烯酸甲基金刚烷酯、甲基丙烯酸甲基金刚烷酯、丙烯酸乙基葑基酯、甲基丙烯酸乙基葑基酯等提供；稠合的非芳香脂肪环基团，例如可由聚合的降冰片烯化合物或其它具有桥环碳碳双键的脂肪环化合物提供；酸酐例如可由聚合的马来酸酐提供；等等。
优选的本发明的负激发组合物包括能够暴露于酸时固化、交联或硬化的材料和本发明光活性组分的混合物。
特别优选的负激发组合物包括树脂粘合剂，例如酚树脂，交联剂组分和本发明光活性组分。这类组合物及其用途已经由Thackeray等人在欧洲专利申请0164248和0232972以及在美国专利5128232中公开。优选的酚树脂用作树脂粘合剂组分，包括酚醛树脂清漆(novolaks)和聚(乙烯苯酚)，正如上文所述。优选的交联剂包括基于胺类的材料，包括三聚氰胺、甘脲，基于苯并胍胺的材料和基于脲的材料。最优选三聚氰胺—甲醛树脂。这些交联剂都是市售的，例如，美国氰胺公司(American Cyanamid)出售的商品名为Cymel300、301和303的三聚氰胺树脂。美国氰胺公司(American Cyanamid)出售的商品名为Cymel1170、1171和1172的甘脲树脂，出售的商品名为Beetle60、65和80的基于脲的树脂，以及出售的商品名为Cymel1123和1125的苯并胍胺树脂。
本发明的光致抗蚀剂还可以包含其它材料。例如，其它任选的添加剂包括光化和对比染料(contrast dyes)、抗条纹试剂、增塑剂、速度增强物、光敏剂等。典型的，上述任选添加剂在光致抗蚀剂组合物中可以为较小浓度，除了填料和染料具有相对大的浓度，例如，在抗蚀剂干组分总重量百分比为5-30。
本发明抗蚀剂的优选任意添加剂是加入的碱，特别是氢氧化四丁基铵(TBAH)，它能够增强显影的抗蚀剂浮雕图像的分辨率。加入的碱适宜使用相对少量，例如相对PAG的重量约1-10重量百分比，更典型的是1-约5重量百分比。其它优选的碱性添加剂包括磺酸铵盐，例如对甲苯磺酸哌啶盐和对甲苯磺酸二环己烷铵盐；烷基胺例如三丙基胺和十二烷基胺；芳香胺例如二苯基胺、三苯基胺、氨基苯酚、2-(4-氨基苯基)-2-(4-羟基苯基)丙烷等。
本发明抗蚀剂的树脂粘合剂组分的用量优选足以使抗蚀剂的曝光涂层可用例如碱性水溶液显影。更特别的，树脂粘合剂适宜的量是抗蚀剂总固体50-约90重量百分比。光活性组分的用量足以在抗蚀剂涂层中生成潜像。更特定的，光活性组分量优选是抗蚀剂总固体约1-40重量百分比。典型的，较少量的光活性组分更适宜化学放大的抗蚀剂。
本发明的光致抗蚀剂可由下列已知步骤制备，不同的是本发明的PAG取代了这些光致抗蚀剂配方中的已知光活性化合物。例如，本发明的抗蚀剂可以如下制备成涂料组合物：将光致抗蚀剂组分溶解于适宜的溶剂中，适宜的溶剂为例如二醇醚如2-甲氧基乙基乙醚(二甘醇二甲醚)、乙二醇单甲醚、丙二醇单甲醚；乳酸酯如乳酸乙酯或乳酸甲酯，其中优选乳酸乙酯；丙酸酯，特别是丙酸甲酯和丙酸乙酯；溶纤剂(Cellosolve)酯如甲基溶纤剂醋酸酯；芳烃如甲苯或二甲苯；或酮如甲基乙基酮、环己酮和2-庚酮。典型的光致抗蚀剂的固体量占光致抗蚀剂组合物总重量的重量百分比为5-35。
本发明的光致抗蚀剂可以用于已知过程。虽然本发明的光致抗蚀剂可以作为干燥薄膜应用，但是它们优选作为液体涂料组合物应用于基底上，加热干燥去除溶剂，优选直至涂层不发粘，通过光掩模暴露于激发光，任选的后曝光烘烤以在抗蚀剂涂层曝光区域和非曝光区域形成或提成溶解度差异，然后优选用碱性水溶液显影剂显影形成浮雕图像。本发明抗蚀剂应用和加工适宜的基底是任何用于光致抗蚀剂过程的基底，例如微电子晶片。例如，基底可以是硅、二氧化硅或铝—氧化铝微电子晶片。砷化镓、陶瓷、石英或铜基底也可以使用。用于液晶显示器的基底和其它平板显示用途的基底也适合使用，例如玻璃基底、铟锡氧化物涂覆的基底等。液体涂料抗蚀剂组合物可以通过任何标准的手段例如旋涂、浸涂或辊涂施加。曝光能量应当足以有效激发光敏体系中的光活性组分，在抗蚀剂的涂层上形成具有图案的图像。适宜的曝光能量的典型范围是约1-300mJ/cm2。如上文所述，优选的曝光波长包括小于200nm例如193nm。适宜的后曝光烘烤温度从约50℃或者更高，更特别的是从约50到140℃。对于酸硬化的负激发抗蚀剂来说，如果需要的话后显影烘烤可以使用温度从约100至150℃加热几分钟或更长，用于进一步固化通过显影形成的浮雕图像。显影和后显影固化之后，通过显影步骤裸露的基底表面然后可以选择性的加工，例如化学蚀刻或在被致抗蚀剂裸露的基底区域绘图，这些过程现有技术已知。合适的蚀刻剂包括氢氟酸蚀刻溶剂和等离子气体蚀刻例如氧气等离子蚀刻。
下列实施例是本发明的例证，但是本发明不限定于下列实施例。
实施例1：TBPTMS 3OH-Ad TFBS的合成
三步合成TBPTMS 3OH-Ad TFBS已经在流程A中描述。每个详细的合成步骤公开在下面。
流程A
步骤1：3OH-Ad TFBSNa的合成：
在通氮气(N2)条件下，向250ml的烧瓶中加入15g的3-羟基金刚烷-1-羧酸和150ml的无水四氢呋喃(THF)。在30分钟内向混合物中分成几份慢慢加入1，1’-羰二咪唑(CDI，13.65g)。加完添加物以后，反应置于室温3小时。混合物加热至回流温度，然后在5分钟内加入4-溴-3，3，4，4-四氟丁-1-醇(18g)。混合物在回流温度下又保持15小时。反应冷却至25C，加入到分液漏斗中，然后加入4-5体积的水。收集下层，以及用300ml的乙酸乙酯洗涤上层。合并琥珀色的油和乙酸乙酯溶液然后用4×200ml的去离子水洗涤。水洗的pH值从～9到～6.5。乙酸乙酯用MgSO4干燥，减压除溶剂得到油状物，这种油状物不需要进一步的纯化直接使用。上述油(假如收率100％)与26.6g的连二亚硫酸钠，19.3g的碳酸氢钠，150ml的乙腈和150ml的去离子水混合。该混合物在60C下放置过夜(16小时)。冷却至室温。收集乙腈层，并置于另一个500ml烧瓶中，然后加入100ml的去离子水以及随后加入13g的30％的过氧化氢和60mg的催化剂(NaWO4.2H2O)。溶液在室温下搅拌2-3小时。反应结束后，慢慢加入13g亚硫酸氢钠(sodium bisulfite)中和任何剩余的H2O2。向浅黄色的一相系统中加入30g氯化钠得到两相系统。收集上层，用MgSO4干燥，然后慢慢加入1.4L的搅拌的甲基叔丁基醚得到一种浅黄色的固体。干燥固体得到13.5g(42％)的分析纯的3OH-Ad TFBSNa。
步骤2：1-(4-溴丁基磺酰基(sulfanyl))-4-叔丁基苯的合成：
在通氮气条件下，向500ml的烧瓶中加入19g三乙胺，65g的1，4-二溴丁烷和255ml的甲基叔丁基醚。在7小时内向混合物中加入含有25g的叔丁基苯硫酚(t-butylbenzenethiol)和70ml的甲基叔丁基醚的溶液。反应溶液搅拌过夜。过滤混合物除盐。滤液用2×100ml的1.2N的HCl，然后用4×100ml的去离子水洗涤。甲基叔丁基醚用MgSO4干燥，然后在30C下真空除溶剂得到油状化合物。过量的1，4-二溴丁烷在35-40C下减压(1.5托)蒸馏除去。H-NMR显示原料是95％纯以及容器内收率为84％。原料在150C，1.5托下进一步被蒸馏回收产物，最终得到收率为56％的纯的1-(4-溴丁基磺酰基)-4-叔丁基苯。
步骤3：TBPTMS 3OH-Ad TFBS的合成：
向装有温度计，顶部搅拌器和含有氮气进口的冷凝器的3升圆底烧瓶中加入1-(4-溴丁基磺酰基)-4-叔丁基苯(204g，677mmol)，3OH-Ad TFBSNa(144g，338.5mmol)和2升的乙腈。反应混合液加热回流16小时。反应冷却到室温。过滤掉盐(溴化钠)，然后在减压除掉乙腈得到一种黄色油状物。将油状物溶解于1L的乙酸乙酯中，然后用4×1L的去离子水洗涤。乙酸乙酯溶液用MgSO4干燥，然后加入5g的活性炭。全部混合液搅拌2-3小时。过滤所述混合液得到一种非常浅的黄色溶液。乙酸乙酯被浓缩到一定体积(400-500ml)，然后慢慢加入到5L的甲基叔丁基醚得到一种油状物质。H-NMR显示一些硫代溴丁烷化合物仍然存在。重复以下沉淀过程：溶解PAG在400ml的乙酸乙酯中，然后沉淀到4L的甲基叔丁醚中，这样再一次得到接近无色的油状物。慢慢倒出乙酸乙酯/甲基叔丁醚，再一次溶解油状物，然后置于2L的1N RB烧瓶中，真空慢慢除去溶剂得到127.5g分析纯的TBPTMS 3OH-Ad TFBS(60％收率)。
实施例2：TPS DHCTFBS的合成
TBPTMS 3OH-Ad TFBS的三步合成已经在流程B中进行描述。每个详细的合成步骤公开在下面。
流程B
步骤1：DHC-TFBBr的合成：
在通氮气条件下，向3L烧瓶中加入120g脱氢胆酸(298.12mmol)，50.7g的1，1’-羰基二咪唑(CDI，carbonyldiimidazole)和1800mL甲苯。混合物置于室温2-3小时。混合物加热至回流，然后在5分钟内加入70.40g的4-溴-3，3，4，4-四氟-丁烷-1-醇(312.9mmol)。加热过夜反应，混合物慢慢变成琥珀色溶液。反应冷却到25C，加入到分液漏斗中然后用水洗(10×800ml)直至pH值等于DI水的pH值。上层(琥珀色)甲苯层中加入MgSO4和15g活性碳。混合物搅拌2小时然后过滤。滤液(甲苯)减压除溶剂得到白色固体。所述固体70C真空干燥18小时得到136g产物(收率75％)。产物DHC-TFBBr在步骤2中使用。
步骤2：DHC-TFBSNa的合成：
步骤1的产物DHC-TFBBr(136g)和78g连二亚硫酸钠(sodium thiosufite)，56.8g碳酸氢钠，1300ml乙腈和650ml去离子水加入到3L烧瓶中。混合物在60C保持16小时。混合物冷却至室温。收集乙腈层并将其置于2L烧瓶中，通过除去～50％乙腈共沸除水。任何沉淀的盐被除去，滤液倾入10L甲基叔丁基醚中。过滤收集固体并干燥。得到138.5g亚磺酸盐，将其加入750ml乙腈和350mlDI水混合液中。向混合液中加入150mgNaWO4.2H2O和38.2g30％的过氧化氢。溶液在室温搅拌2-3小时。通过常规步骤得到无色固体产物DHC-TFBSNa。收率100g(71％)。产物在步骤3中使用。
步骤3：TPS DHC-TFBS的合成：
111gDHC-TFBSNa，60.50g溴化三苯基锍的混合物在750ml氯仿和100ml去离子水中，在室温下搅拌18小时。分层，下层有机层用10×500ml的去离子水洗。氯仿层用MgSO4干燥然后浓缩40％体积。氯仿溶液缓慢加入到10L甲基叔丁基醚中。收集并干燥固体，得到139g TPS DHC-TFBS。产物在500ml的MTBE中回流过夜，收集并干燥得到131g分析纯产物。
实施例3：光致抗蚀剂制备和平板印刷过程
本发明的光致抗蚀剂是由下列基于抗蚀剂总重量的重量百分比的组分混合制备的：
抗蚀剂组分                            用量(wt.％)
树脂粘合剂                            15
光酸发生剂                            4
乳酸乙酯                              81
树脂粘合剂是三元共聚物(2-甲基-2-金刚烷基甲基丙烯酸/β-羟基-γ-丁内酯甲基丙烯酸酯/氰基—降冰片基甲基丙烯酸酯。光酸发生剂是如上文实施例2制备的化合物TPS DHC-TFBS。那些树脂和PAG组分混合在乳酸乙酯溶剂中。
制备得到的抗蚀剂组合物在HMDS蒸汽预处理的4英寸硅晶片上旋转涂布，并且在真空扁平烤盘中于90℃软烤60秒。抗蚀剂的涂层可以透过光掩模于193nm被曝光，然后曝光的涂层在110℃热处理正像曝光。被涂覆的晶片然后用0.26N的四丁基氢氧化铵水溶液处理使得图像抗蚀剂层显影。

Claims (6)

1.一种含锍化合物的制备方法，所述制备方法包括环合烷基硫代化合物，
其中含锍化合物与氟代磺酸连接，
其中制备得到的含锍化合物选自下列通式(Ⅰ)和(Ⅱ)：
其中，每个通式Ⅰ和Ⅱ中，R是氢或非氢取代基，所述非氢取代基选自直链，支链或环状的C1-20的烷基。
2.权利要求1的制备方法，其中R是叔丁基。
3.一种光酸发生剂化合物，所述化合物选自下列通式(Ⅰ)和(Ⅱ)：
其中，每个通式Ⅰ和Ⅱ中，R是氢或非氢取代基，所述非氢取代基选自直链，支链或环状的C1-20的烷基。
4.权利要求3的光酸发生剂化合物，其中R是叔丁基。
5.一种光致抗蚀剂组合物，所述组合物包括树脂组分和权利要求3-4中任一项所述的光酸发生剂化合物。
6.一种形成光致抗蚀剂浮雕图像的方法，包括：
a)将具有权利要求5所述光致抗蚀剂组合物的涂层施加到基底上；
b)用形成图案的激发辐射曝光光致抗蚀剂涂层，以及使曝光的光致抗蚀剂涂层显影以提供一种浮雕图像。
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Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI407252B (zh) * 2009-06-22 2013-09-01 羅門哈斯電子材料有限公司 光酸產生劑及包含該光酸產生劑的光阻組成物
CN102225924B (zh) * 2009-12-10 2015-04-01 罗门哈斯电子材料有限公司 光酸发生剂和包含该光酸发生剂的光致抗蚀剂
JP5969171B2 (ja) * 2010-03-31 2016-08-17 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーＲｏｈｍ ａｎｄ Ｈａａｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ＬＬＣ 光酸発生剤およびこれを含むフォトレジスト
JP5716747B2 (ja) 2010-09-09 2015-05-13 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物
JP5903833B2 (ja) 2010-11-09 2016-04-13 住友化学株式会社 樹脂、レジスト組成物及びレジストパターン製造方法
KR101830595B1 (ko) 2010-11-09 2018-02-21 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 수지 및 포토레지스트 조성물
JP5961363B2 (ja) 2010-11-15 2016-08-02 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーＲｏｈｍ ａｎｄ Ｈａａｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ＬＬＣ ラクトン光酸発生剤、これを含む樹脂およびフォトレジスト
JP5866100B2 (ja) * 2011-04-13 2016-02-17 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
EP2527918A2 (en) * 2011-05-27 2012-11-28 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Photoresist composition
JP2013079232A (ja) * 2011-09-30 2013-05-02 Rohm & Haas Electronic Materials Llc 光酸発生剤およびこれを含むフォトレジスト
JP6181986B2 (ja) * 2012-06-25 2017-08-16 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6181985B2 (ja) * 2012-06-25 2017-08-16 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6195748B2 (ja) * 2012-07-06 2017-09-13 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6571912B2 (ja) * 2012-12-31 2019-09-04 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーＲｏｈｍ ａｎｄ Ｈａａｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ＬＬＣ 樹状化合物、フォトレジスト組成物、および電子デバイスを作製する方法
JP6343467B2 (ja) * 2013-03-27 2018-06-13 東京応化工業株式会社 レジスト組成物、及びレジストパターン形成方法
US9477150B2 (en) * 2015-03-13 2016-10-25 Heraeus Precious Metals North America Daychem LLC Sulfonic acid derivative compounds as photoacid generators in resist applications
JP6769735B2 (ja) * 2015-05-12 2020-10-14 住友化学株式会社 塩、酸発生剤、樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6782569B2 (ja) * 2016-06-28 2020-11-11 東京応化工業株式会社 レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
JP6937648B2 (ja) * 2017-09-28 2021-09-22 東京応化工業株式会社 レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
JP7042613B2 (ja) * 2017-12-28 2022-03-28 東京応化工業株式会社 レジスト組成物、及びレジストパターン形成方法
KR102451849B1 (ko) * 2018-03-16 2022-10-07 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴 형성 방법
US11970557B2 (en) 2018-10-31 2024-04-30 Lg Chem, Ltd. Polymer containing photoacid generator
CN113912520A (zh) * 2021-10-15 2022-01-11 江苏汉拓光学材料有限公司 光致产酸剂及其制备方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101231464A (zh) * 2007-01-25 2008-07-30 三星电子株式会社 光致酸生成剂、含它的光致抗蚀剂组合物及用其形成图案的方法

Family Cites Families (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4491628A (en) 1982-08-23 1985-01-01 International Business Machines Corporation Positive- and negative-working resist compositions with acid generating photoinitiator and polymer with acid labile groups pendant from polymer backbone
NO173574C (no) 1984-06-01 1993-12-29 Rohm & Haas Fremgangsmaate til fremstilling av et termisk stabilt, positivt eller negativt bilde paa en underlagsflate
CA1307695C (en) 1986-01-13 1992-09-22 Wayne Edmund Feely Photosensitive compounds and thermally stable and aqueous developablenegative images
US4968581A (en) 1986-02-24 1990-11-06 Hoechst Celanese Corporation High resolution photoresist of imide containing polymers
US4810613A (en) 1987-05-22 1989-03-07 Hoechst Celanese Corporation Blocked monomer and polymers therefrom for use as photoresists
DE3721741A1 (de) 1987-07-01 1989-01-12 Basf Ag Strahlungsempfindliches gemisch fuer lichtempfindliche beschichtungsmaterialien
DE68926019T2 (de) 1988-10-28 1996-10-02 Ibm Positiv arbeitende hochempfindliche Photolack-Zusammensetzung
US5128232A (en) 1989-05-22 1992-07-07 Shiply Company Inc. Photoresist composition with copolymer binder having a major proportion of phenolic units and a minor proportion of non-aromatic cyclic alcoholic units
EP0605089B1 (en) 1992-11-03 1999-01-07 International Business Machines Corporation Photoresist composition
US5843624A (en) 1996-03-08 1998-12-01 Lucent Technologies Inc. Energy-sensitive resist material and a process for device fabrication using an energy-sensitive resist material
US5861231A (en) 1996-06-11 1999-01-19 Shipley Company, L.L.C. Copolymers and photoresist compositions comprising copolymer resin binder component
US6057083A (en) 1997-11-04 2000-05-02 Shipley Company, L.L.C. Polymers and photoresist compositions
US6165674A (en) 1998-01-15 2000-12-26 Shipley Company, L.L.C. Polymers and photoresist compositions for short wavelength imaging
US6664022B1 (en) 2000-08-25 2003-12-16 Shipley Company, L.L.C. Photoacid generators and photoresists comprising same
US6849374B2 (en) 2000-11-03 2005-02-01 Shipley Company, L.L.C. Photoacid generators and photoresists comprising same
US6696216B2 (en) * 2001-06-29 2004-02-24 International Business Machines Corporation Thiophene-containing photo acid generators for photolithography
EP1308781A3 (en) * 2001-10-05 2003-09-03 Shipley Co. L.L.C. Cyclic sulfonium and sulfoxonium photoacid generators and photoresists containing them
WO2004065377A1 (ja) * 2003-01-22 2004-08-05 Jsr Corporation スルホニウム塩化合物、感放射線性酸発生剤およびポジ型感放射線性樹脂組成物
JP2005041857A (ja) * 2003-01-22 2005-02-17 Jsr Corp スルホニウム塩化合物、感放射線性酸発生剤およびポジ型感放射線性樹脂組成物
JP2005099556A (ja) 2003-09-26 2005-04-14 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP5124806B2 (ja) * 2006-06-27 2013-01-23 信越化学工業株式会社 光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法
JP2008024671A (ja) * 2006-07-24 2008-02-07 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 化合物、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
WO2008099869A1 (ja) * 2007-02-15 2008-08-21 Central Glass Company, Limited 光酸発生剤用化合物及びそれを用いたレジスト組成物、パターン形成方法
TWI438182B (zh) * 2007-07-25 2014-05-21 Sumitomo Chemical Co 適用於酸產生劑之鹽以及含有該鹽之化學放大正型抗蝕劑組成物
KR100960252B1 (ko) * 2007-09-12 2010-06-01 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 레지스트 조성물, 레지스트 패턴 형성 방법, 신규 화합물 및 그 제조 방법, 그리고 산발생제
JP5216380B2 (ja) * 2007-09-12 2013-06-19 東京応化工業株式会社 新規な化合物、酸発生剤、レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP5399639B2 (ja) 2008-02-18 2014-01-29 東京応化工業株式会社 レジスト組成物並びにレジストパターン形成方法
JP5460074B2 (ja) * 2008-03-10 2014-04-02 東京応化工業株式会社 レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP5245956B2 (ja) * 2008-03-25 2013-07-24 信越化学工業株式会社 新規光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法
JP5125832B2 (ja) * 2008-07-14 2013-01-23 Ｊｓｒ株式会社 感放射線性樹脂組成物
JP5503916B2 (ja) * 2008-08-04 2014-05-28 富士フイルム株式会社 レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP5407906B2 (ja) * 2009-03-27 2014-02-05 Ｊｓｒ株式会社 感放射線性樹脂組成物
TWI407252B (zh) * 2009-06-22 2013-09-01 羅門哈斯電子材料有限公司 光酸產生劑及包含該光酸產生劑的光阻組成物
CN102225924B (zh) * 2009-12-10 2015-04-01 罗门哈斯电子材料有限公司 光酸发生剂和包含该光酸发生剂的光致抗蚀剂
JP5809798B2 (ja) * 2009-12-10 2015-11-11 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーＲｏｈｍ ａｎｄ Ｈａａｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ＬＬＣ コラート光酸発生剤およびこれを含むフォトレジスト
JP5246220B2 (ja) * 2010-08-23 2013-07-24 信越化学工業株式会社 スルホニウム塩、レジスト材料及びパターン形成方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101231464A (zh) * 2007-01-25 2008-07-30 三星电子株式会社 光致酸生成剂、含它的光致抗蚀剂组合物及用其形成图案的方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Thiolane.《Tetrahedron》.1996,第52卷(第16期),5989-5998. *
Vanda Cerè et al..Formation of Cyclic Sulfonium Salts by Me3SiI-Promoted Intramolecular Displacement of Hydroxide or Methoxide by Sulfide.Ring contraction Thiepane-&gt *

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